CN113584433A - 用于控制有机蒸气喷射印刷的气动挡板 - Google Patents

Abstract

本申请涉及用于控制有机蒸气喷射印刷的气动挡板。提供了用于使用安置于OVJP印刷头内、在印刷头入口与喷嘴出口之间的挡板来改进OVJP沉积的装置、系统和技术。如所公开的OVJP印刷头包括用于夹带在载气中的有机材料的入口、微喷嘴阵列出口和安置于所述入口与所述微喷嘴阵列出口之间的气体流动路径中的挡板。所述挡板允许以极短的等待时间快速切断通过所述印刷头的载气流。

Description

用于控制有机蒸气喷射印刷的气动挡板

相关申请的交叉参考

本申请要求2020年5月1日提交的美国临时专利申请序号63/018,719的权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于制造有机发射装置，如有机发光二极管的装置和技术，以及包括其的装置和技术。

背景技术

出于多种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说，有机发射层发光所处的波长通常可以用适当的掺杂剂容易地调节。

OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。若干OLED材料和配置描述于美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中，其以全文引用的方式并入本文中。

磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单EML装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。

如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。

如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。

如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。

当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。

本文可以参考层、材料、区域和装置发射的光的颜色来对其进行描述。一般来说，如本文所用，被描述为产生特定颜色的光的发射区域可包括以堆叠方式安置在彼此上的一或多个发射层。

如本文所使用，“红色”层、材料、区域或装置是指在大约580-700nm的范围内发射光或其发射光谱在所述区域中具有最高峰的层。类似地，“绿色”层、材料、区域或装置是指发射或具有峰值波长在约500-600nm范围内的发射光谱的一者；“蓝色”层、材料或装置是指发射或具有峰值波长在约400-500nm范围内的发射光谱的一者；且“黄色”层、材料或装置是指发射或具有峰值波长在约540-600nm范围内的发射光谱的一者。在一些布置中，单独的区域、层、材料、区域或装置可以提供单独的“深蓝色”和“浅蓝色”光。如本文所用，在提供单独的“浅蓝色”和“深蓝色”的布置中，“深蓝色”分量是指峰值发射波长比“浅蓝色”分量的峰值发射波长小至少约4nm的分量。通常，“浅蓝色”分量的峰值发射波长在约465-500nm范围内，且“深蓝色”分量的峰值发射波长在约400-470nm范围内，但是对于一些配置来说这些范围可以变化。类似地，变色层是指将另一颜色的光转换或修改成具有指定用于所述颜色的波长的光的层。举例来说，“红色”滤光片是指形成具有在约580-700nm范围内的波长的光的滤光片。一般来说，存在两类变色层：通过去除光的非所需波长修改光谱的彩色滤光片，以及将较高能量的光子转换成较低能量的变色层。“颜色的”分量是指在激活或使用时产生或以其它方式发射具有如先前所述的特定颜色的光的分量。举例来说，“第一颜色的第一发射区域”和“不同于第一颜色的第二颜色的第二发射区域”描述当在装置内激活时发射如先前所述的两种不同颜色的两个发射区域。

如本文所用，发射材料、层和区域可基于由所述材料、层或区域初始产生的光，而不是由相同或不同结构最终发射的光彼此区分开，并与其它结构区分开。初始光产生通常是导致光子发射的能级变化的结果。举例来说，有机发射材料可初始地产生蓝光，所述蓝光可通过彩色滤光片、量子点或其它结构转换成红光或绿光，使得完整的发射堆叠或子像素发射红光或绿光。在此情况下，初始发射材料或层可被称为“蓝色”分量，即使子像素为“红色”或“绿色”分量。

在一些情况下，可优选地根据1931CIE坐标描述分量，如发射区域、子像素、变色层等的颜色。举例来说，黄色发射材料可具有多个峰值发射波长，一个在“绿色”区域的边缘中或附近，且一个在“红色”区域的边缘内或附近，如先前所描述。因此，如本文所用，每一颜色项还对应于1931CIE坐标颜色空间中的形状。1931CIE颜色空间中的形状是通过跟随两个颜色点与任何其它内部点之间的轨迹构造的。举例来说，可如下所示地定义红色、绿色、蓝色和黄色的内部形状参数：

关于OLED和上文所述的定义的更多细节可以在美国专利第7,279,704号中找到，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

发明内容

根据一个实施例，还提供一种有机发光二极管/装置(OLED)。所述OLED可包括阳极、阴极和安置在阳极与阴极之间的有机层。根据一个实施例，所述有机发光装置并入到一或多个选自以下的装置中：消费型产品、电子组件模块和/或照明面板。

附图说明

图1展示有机发光装置。

图2展示不具有单独电子传输层的倒置式有机发光装置。

图3A展示适合与本文公开的实施例一起使用的OVJP印刷头的示意性实例。

图3B展示如本文所公开的具有处于中间位置的挡板的印刷头。

图3C展示图3B的印刷头，其中所述挡板处于打开位置。

图3D展示图3B的印刷头，其中挡板处于关闭位置。

图4A展示处于打开位置的如本文所公开的挡板的实例。

图4B展示处于关闭位置的图4A的挡板。

图5展示如图3中所示的MEMS挡板布置的实例制造过程。

图6A-6B展示如本文所公开的挡板的示意性图示，其包括例如由硬金属制成的可移动部件，位于金属板内，在每一侧上具有一个单独的流体通道。

图7A-7B展示处于打开配置(图7A)和关闭配置(图7B)的如图6A-6B中所示的挡板的另一布置。

图8展示如图3和4中所示的挡板的操作的实例。

图9A、9B和9C展示如图6和7中所示的挡板的操作的实例。

具体实施方式

一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。

最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。

最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。

图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。

可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F₄-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。

图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。

图1和2中所图解说明的简单分层结构是借助于非限制性实例来提供，并且应理解本发明的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物或更一般来说混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。

还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。

在本文中所公开的一些实施例中，发射层或材料，如图1-2中分别所示的发射层135和发射层220，可包括量子点。除非明确相反地指示或根据所属领域的技术人员的理解依照情形指示，如本文所公开的“发射层”或“发射材料”可包括含有量子点或等效结构的有机发射材料和/或发射材料。此类发射层可仅包括转换由单独发射材料或其它发射体发射的光的量子点材料，或其还可包括所述单独发射材料或其它发射体，或其本身可通过施加电流而直接发光。类似地，变色层、彩色滤光片、上转换或下转换层或结构可包括含有量子点的材料，但此类层可不视为如本文所公开的“发射层”。一般来说，“发射层”或材料是如下“发射层”或材料：发射初始光，所述初始光可通过另一层(如彩色滤光片或其它变色层)改变，所述另一层本身在装置内不发射初始光，但可基于发射层所发射的初始光而再发射光谱内容不同的改变光。

除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD)(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和OVJD的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。

根据本发明实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。

在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，OLED进一步包含外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离激元模式的能量。外耦合层散射来自表面等离极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离激元模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到OLED的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包括有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包括这些材料的堆叠和/或混合物。

增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、OLED效率改变以及OLED装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的OLED装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种OLED实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的OLED还可包括OLED中常见的任何其它功能层。

增强层可以包含等离激元材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离激元材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离激元材料包括至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包括以下各者中的至少一种：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，“DBR”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离激元材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强OLED性能。

在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，波长大小的特征和亚波长大小的特征具有锐利的边缘。

在一些实施例中，外耦合层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，外耦合层可以由多个纳米粒子构成，并且在其它实施例中，外耦合层由安置在材料上方的多个纳米粒子构成。在这些实施例中，外耦合可以通过至少一种以下方式调节：改变多个纳米粒子的尺寸、改变多个纳米粒子的形状、改变多个纳米粒子的材料、调节材料的厚度、改变材料或安置在多个纳米粒子上的附加层的折射率、改变增强层的厚度和/或改变增强层的材料。装置的多个纳米粒子可由以下至少一者形成：金属、介电材料、半导体材料、金属合金、介电材料的混合物、一或多种材料的堆叠或分层和/或一种类型材料的芯并涂有另一种类型材料的壳。在一些实施例中，外耦合层由至少金属纳米粒子构成，其中金属选自由以下组成的群组：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。多个纳米粒子可以具有安置在它们之上的附加层。在一些实施例中，可以使用外耦合层来调整发射的极化。改变外耦合层的尺寸和周期性可以选择优先外耦合到空气的极化类型。在一些实施例中，外耦合层还充当装置的电极。

据相信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)可以通过延迟荧光超过25％自旋统计限制。如本文所用，存在两种类型的延迟荧光，即P型延迟荧光和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态消灭(TTA)产生。

另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单重态激发态之间的热粒子数。需要能够产生E型延迟荧光的化合物以便具有极小单重态-三重态间隙。热能可以激活由三重态跃迁回到单重态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。TADF的显著特征在于，延迟分量随温度归因于热能增加的升高而增加。如果逆向系间窜越速率足够快速以最小化由三重态的非辐射衰减，那么回填充单重激发态的分率可能达到75％。总单重态分率可以是100％，远超过关于电产生的激子的自旋统计限制。

E型延迟荧光特征可以见于激发复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，相信E型延迟荧光需要发光材料具有小单重态-三重态能隙(ΔES-T)。有机含非金属的供体-受体发光材料可能能够实现这点。这些材料的发射通常表征为供体-受体电荷转移(CT)型发射。这些供体-受体型化合物中HOMO与LUMO的空间分离通常产生小ΔES-T。这些状态可以包括CT状态。通常，供体-受体发光材料通过将电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)与电子受体部分(例如含N的六元芳香族环)连接而构建。

根据本发明实施例制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本发明实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含OLED的消费型产品，所述OLED在OLED中的有机层中包括本公开的化合物。此类消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。此类消费型产品的一些实例包括平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、内部或外部照明灯和/或信号灯、平视显示器、完全或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、手机、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、笔记本电脑、数码相机、摄录像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本发明制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，如18C到30C，并且更优选在室温下(20-25C)，但可以在这一温度范围外(例如-40C到80C)使用。

本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。

在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括碳纳米管的层。

在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包含RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是照明面板。

在发射区域的一些实施例中，所述发射区域进一步包含主体。

在一些实施例中，所述化合物可以是发射掺杂剂。在一些实施例中，所述化合物可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射。

本文所公开的OLED可以并入到消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层，并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。

有机层还可包括主体。在一些实施例中，两种或更多种主体是优选的。在一些实施例中，所用主体可以是在电荷传输中起很小作用的a)双极、b)电子传输、c)空穴传输或d)宽带隙材料。在一些实施例中，主体可包括金属络合物。主体可以是无机化合物。

与其它材料的组合

本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的发射掺杂剂可以与各种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。

不同材料可用于本文所公开的不同发射层与非发射层和布置。合适材料的实例公开于美国专利申请公开案第2017/0229663号中，所述公开案以全文引用的方式并入。

导电性掺杂剂：

电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。

HIL/HTL：

本发明中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。

EBL：

电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多者相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一者所用相同的分子或相同的官能团。

主体：

本发明的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。

HBL：

空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和或较高三重态能量。

ETL：

电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。

电荷产生层(CGL)

在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。

如先前所公开，用于如上文所述的OLED和OLED的组件的一类制造技术为有机蒸气喷射印刷(OVJP)，其一般允许以微米级分辨率沉积小分子有机材料。OVJP技术和装置可用于制造先前所公开的任何OLED层和组件，直至且包括完整OLED装置。

典型的OVJP系统通过将蒸发的有机材料夹带在例如N₂的惰性载气流中并将此气体引导至印刷头来进行操作。印刷头将载气流和夹带的材料引向衬底，其中材料沉积于衬底上。OVJP印刷头通常含有机械加工成金属的流体通道，并且可以连接到喷嘴或喷嘴阵列，例如锥形硅微喷嘴阵列。在微喷嘴阵列下方相对较短的距离处，将冷却的衬底在高真空中置于可移动台上。可移动台允许OVJP喷嘴阵列定位在衬底的所需区域上，以允许精确的沉积。

当有机载流从喷嘴阵列流出时，载气垂直于表面加速离开，同时有机材料粘附到衬底上，从而允许以非常快的速率进行精确沉积。鉴于OVJP可以沉积有机材料的速度和精度，OVJP的先前应用包括OLED照明和显示器。

最近，已考虑将OVJP用于细胞工程的粘附点的沉积。由于这些和类似应用所需的精确性，已发现需要OVJP技术和系统，以允许即使在气流切断后有机材料仍可以继续沉积的事实。为了满足OVJP型系统的这些和其它所需特征，本文公开的实施例可用于以适合于制造用于移动和较大规模的显示器的像素的规模来沉积OVJP和类似材料。本文公开的OVJP印刷头可使用具有100μm、50μm、40μm或更小的最大孔径宽度的微喷嘴，从而允许印刷具有约500μm、400μm、300μm或更小的最大水平尺寸(即，跨越衬底的表面测量)的特征。此外，本文公开的OVJP印刷头可使用适合于处理用于制造OLED和类似装置的有机材料的材料和配置，这可能需要在高达100℃或更高的温度下处理气体和夹带材料的能力。

本文公开的实施例包括可用于切断来自OVJP印刷头的气流的挡板布置，例如气动和气动机电遮挡技术和系统。将挡板添加到如本文所公开的OVJP系统可允许更精确地控制沉积量。常规的OVJP系统通常通过关闭载气源处的载气流来操作。在不使用如本文所公开的遮挡技术的情况下这样做仍允许通过喷嘴阵列的泄漏，例如归因于喷嘴阵列的内部与外部之间的压力均衡。因此，可能期望使用如本文所公开的方法和系统以急剧地切断OVJP印刷头的输出，这有助于有机电子装置的可靠制造以及用于细胞生长的有机粘附点。因为在一些情况下，喷嘴阵列的位置非常靠近衬底以进行准确的沉积，可能有利的是将挡板放置在印刷头的内部而不是外表面上。通过内部机构进行遮挡还可以使整个喷嘴阵列，而不是阵列中的仅单个喷嘴立即被遮挡。

OVJP印刷头通常包括被机械加工成金属板的若干微流体通道。这些通道组合为单一通道，蒸发的有机材料从所述通道通过硅微喷嘴阵列。OVJP印刷头的基本结构展示于图3A中。在此配置中，喷嘴阵列由硅晶片制造且阳极粘合到硼硅酸盐玻璃。玻璃和硅接着粘合到金属板。举例来说，金属板310阳极粘合到硼硅酸盐玻璃320，其阳极粘合到硅MEMS微喷嘴阵列330。提供图3中所示的示意图作为实例，单可使用其它材料和等效配置。常规OVJP印刷头包括一或多个入口345，携载待沉积在衬底上的材料的载气可通过所述入口进入印刷头，随后通过喷嘴或喷嘴阵列350喷射。本文公开的实施例通过包括安置于入口与微喷嘴阵列350(确切地说，微喷嘴阵列的出口)之间的挡板来修改常规OVJP微喷嘴印刷头。可能优选的是相比于入口345，更接近微喷嘴出口350安置挡板机构，以实现尽可能低的等待时间。通过将挡板定位在入口345与喷嘴出口350之间，本文公开的实施例可实现比常规OVJP布置可能的等待时间低得多的等待时间，所述常规OVJP布置阻断或以其它方式切断进入OVJP印刷头(即，在入口345的上游)的载气流。这种短等待时间不能通过常规使用截止阀或替代气流来实现，这会导致当上游阀关闭时，残余气流进入OVJP印刷头，即使在有可用于管线内气体的替代排气路径的情况下也是如此。

图3B-3D展示包括如本文所公开的内部挡板机构的OVJP印刷头的实例。在此布置中，包括孔361和挡板机构365的桥360被安置在入口345与微喷嘴阵列350之间的OVJP印刷头内。举例来说，多晶硅桥可安置于单晶硅衬底下方，在其间具有SiO₂薄层。挡板/桥布置可置于硅微喷嘴阵列与来自印刷头的金属部分的入口之间，如所展示。在此类布置中，可能优选的是将在上面放置多晶硅桥的硅衬底阳极粘合到底面上的硼硅酸盐玻璃(BSG)以将其连接到喷嘴阵列，以及粘合到顶面上的BSG，以将其连接到印刷头。

图4A-4B展示图3B-3D中所示的柔性挡板的放大底视图。继续关于图3B-3D提供的实例，多晶硅“桥”部分安置于覆盖入口345的硅衬底下方。气体通过硅衬底中的开口流入，将多晶硅桥推到如图4A中所示的变形位置。从这里，气体可以流过桥中的两个矩形开口370，以及桥的侧面。在施加静电力的情况下，挡板移动到图4B中所示的关闭位置，阻止气体流过孔361，且由此停止通过喷嘴阵列的沉积。

返回到图3B-3D，图3B展示没有任何气流通过印刷头的示例挡板桥。在多晶硅桥上方，在硅衬底中蚀刻孔作为供载体有机流流过的入口孔361。在此实例中，在硼硅酸盐玻璃与硅喷嘴阵列之间是额外的硼硅酸盐玻璃和硅晶片，但可使用其它布置和材料。两个矩形开口可蚀刻到多晶硅桥中，如图4A-4B中所示。开口的位置可偏离孔361，即，使其不在入口孔正上方。这允许气体在桥从孔向外推时流至喷嘴阵列，但在向内拉时切断气流。

图3C-3D展示气流通过OVJP印刷头时桥型挡板的操作。气流由箭头展示，所述箭头经由印刷头的入口进入且流动穿过挡板的入口孔，且流向阵列出口350。在不施加任何静电势的情况下，进入的气体压力推动柔性桥，使其向外变形为图3C和4A中所示的“打开”配置。在此布置中，在高达10kPa的压力下，进入的气体使柔性挡板向下变形，并允许气体通过桥中以及桥周围的开口进入喷嘴阵列。如先前所公开，当处于打开位置时，在桥中的开口与矩形孔之间以及桥的侧面周围存在空间，从而允许气体和夹带的材料流向微喷嘴阵列。

可通过在硅衬底与多晶硅桥之间施加电压来关闭挡板，从而使桥在入口上齐平关闭，并防止任何泄漏，如图3D中所示。关闭气流，并通过金属板和玻璃右侧的孔开始抽真空。可在多晶硅桥与硅衬底之间施加例如大约150V的电压，使桥变形关闭并防止任何有机材料泄漏通过。如所示出，在多晶硅挡板与硅衬底之间可存在一层SiO₂，用作硅与多晶硅电极之间的电介质阻挡层。

其它配置可使用除作为上述实例给出的多晶硅/硅桥以外的材料，其可通过施加电压、外部物理力或其它操作来关闭，以将挡板置于图3D和4B中所示的关闭位置。更一般地，图3-4和8中所示的柔性挡板布置可使用任何合适的材料，所述材料可以对进入的气流或外力(如电、电磁、物理或其它力)作出反应，以打开和/或关闭挡板。

图5展示如本文所公开的桥型挡板的实例制造过程。应理解，类似或等效技术可用于在不脱离本发明的范围的情况下制造如本文所公开的多晶硅桥或其它柔性桥。首先，通过低压化学气相沉积(LPCVD)将热氧化物和氮化物的薄层沉积到双重抛光的硅晶片上。在晶片的一侧上进行光刻，图案化挡板的轮廓。蚀刻氮化物且沉积磷硅酸盐玻璃(PSG)的牺牲层。再次进行光刻，且在结构的侧面上蚀刻PSG和氮化物(左下方图像)。接下来，沉积多晶硅以形成挡板，并且蚀刻穿过桥的两个矩形开口，如图4所示。在晶片的相对侧上进行光刻，并且蚀刻贯穿至氧化物层的孔。最后，缓冲HF用于去除PSG层，产生柔性多晶硅桥，如图3-4中所示的实例。

在图8中以从601到608的时间顺序示出了柔性挡板的运动的逐帧视图。在此实例中，可弯曲多晶硅桥覆盖将有机载气流连接到喷嘴阵列的孔。在601处，挡板处于关闭位置。如602、603、604和605中所示，随着向下移动的气体或外部施加的力使挡板向外变形，挡板逐渐打开，直到在605处达到最大打开配置。可以使用静电或其它力向内拉动挡板并关闭气流，此时挡板关闭，如607和608所示，然后返回到601所示的原始关闭位置。挡板可以相对快速地打开和关闭，例如在几分之一秒内，从而允许非常快速地切断通过微喷嘴出口的气流。

如先前所公开，可使用包括不同物理部件和/或不同打开和关闭机构的其它挡板布置。在另一配置中，设计可以完全由气动控制，其中可移动部分滑动到侧面以打开或关闭孔。在此布置中，可移动部分可在印刷头的金属部分中机械加工，且因此不需要硅微制造或类似技术，同时仍允许挡板放置在印刷头入口与微喷嘴出口之间。此设计的二维图在图6中给出，且三维图在图7中示出。通过向结构的任一侧施加气体压力，可移动结构在入口上方滑动，以允许或不允许垂直气流进入喷嘴阵列。

参看图6A-6B，机械挡板600安置于OVJP印刷头入口345与微喷嘴阵列出口350之间，如先前所公开。箭头展示载气通过印刷头入口345的流动和挡板控制的气体通过挡板孔620、630的流动。挡板包括通过中心底部部分603连接的两个侧壁601、602。底部部分603包括孔610，当所述孔与OVJP印刷头入口345对准时，载气流过所述孔。在此实例中，由于气体施加在挡板机构上的压力，挡板600在气体经由右挡板入口601进入时向左移动，且在气体经由左挡板入口602进入时向右移动。用于控制挡板的气体可以是包括载气的任何惰性气体，尽管通常可以使用单独的气体源。图6A展示处于打开配置的挡板600，即，其中挡板的孔与印刷头入口345完全对准，使得载气自由地流过入口345、挡板孔610且流向微喷嘴出口350。为了将挡板定位于打开配置中，可如图所示地将气体引导通过一或多个挡板入口620，以向左推动挡板机构。或者，可使用任何合适的物理、电、电磁、气动或其它致动机构将挡板移动到打开配置中。

图6B展示与图6A相同的挡板布置，其中挡板处于关闭配置，即，挡板孔610不与印刷头孔345对准，使得载气不能流过挡板孔，且因此阻止载气通过印刷头流向喷嘴出口350。为了将挡板定位于打开配置中，可如图所示地将气体引导通过一或多个挡板入口630，以向左推动挡板机构。或者，可使用任何合适的物理、电、电磁、气动或其它致动机构将挡板移动到关闭配置中。

图7A-7B展示如图6A-6B中所示的物理/气动挡板的特写图，其中相同参考标号表示相同功能组件。如图6A-6B中所示，挡板600可在施加适当的力(例如流过挡板入口620、630的加压气体)时从一侧移动到另一侧，以向相反方向推动挡板。载气经由入口345流过OVJP印刷头且流向微喷嘴出口(未示出)的流动路径以穿过印刷头块的虚线示出。如图7A所示，当挡板孔610与印刷头入口345对准时，载气可以照常流过印刷头以从印刷头喷嘴喷出。如图7B所示，当挡板孔未与入口345对准时，阻止载气流过印刷头并且没有材料从喷嘴喷出。

如先前所公开，可利用除所示的加压气体以外的多种技术来致动挡板610。举例来说，可使用机械、磁、电、电磁或任何其它合适的方式使挡板从一侧移动到另一侧。挡块641、642可用于防止可移动挡板机构600移动超过最大期望位置，所述位置可对应于完全打开和完全关闭配置。可由薄膜挡板或其它结构控制的一或多个排气口(未示出)可允许去除用于在挡板的循环之间移动挡板机构600的气体。与常规OVJP系统中使用的排气口不同，此类排气口不用于去除由印刷头喷射的多余材料或去除仍在载气管线中的材料，而是仅用于去除用于移动挡板的气体。在不使用加压气体移动机械挡板的实施例中，可改变或省略排气口。举例来说，当经由机电开关移动挡板机构时，不需要排气口。

图9A-9C展示从侧面和顶部(分别为左栏和右栏)看到的此类装置的运动。所述图按时间顺序排列，展示了装置从701到715的运动。如图所示，在此布置中，每个挡板入口和印刷头入口的气流被分别控制。描绘的结构位于硅OVJP微喷嘴阵列上方，中间通道连接至所述阵列，即，允许载气通过印刷头流向微喷嘴出口，如先前所公开。在701处，挡板处于打开配置且允许载气流过印刷头。在702、703、704、705、706、707、708处，N₂或另一合适的气体通过左挡板孔进入以向右推动挡板，从而关闭挡板并防止气体流过印刷头，如先前所公开。在709、710、711、712、713、714、715处，气体经由右挡板孔进入以向左推动可移动部分，打开挡板并产生完全打开的配置701。

尽管上文提供了特定挡板机构的两个实例，但应理解，在不脱离本公开的范围或内容的情况下，可使用任何合适的挡板机构。本文公开的OVJP印刷头可包括一或多个致动器，以将挡板从打开配置移动到关闭配置和/或反之亦然，所述致动器也可以是任何合适类型的机构。举例来说，致动器可以是电、磁、电磁、气动和/或物理致动器，只要其能够使挡板采用本文公开的打开或关闭配置之一即可。挡板还可包括其它密封机构，例如垫片、磁力锁等，以帮助快速切断通过印刷头的载气。在一些配置中，挡板可由控制OVJP印刷头的操作的其它方面的自动或半自动控制器控制，以允许更精确的打印同步。举例来说，印刷头在衬底上的定位可由计算机化控制器控制，所述控制器将印刷头与待沉积材料的衬底的所需部分自动对准。同一控制器可用于控制挡板，例如经由一或多个致动器，从而使挡板的操作与作为整体的OVJP系统的其它控制参数同步。

本文所公开的OVJP挡板可以是整体的单件式装置，尽管它可以由一旦组装就形成整体组件的多个组件制成。举例来说，图3-4中所示的柔性挡板机构是单个集成组件，尽管它可以由先前公开的多个层和材料制成。类似地，图6-7中所示的气动挡板机构由单件式整体组件提供，所述组件可经由改变气体压力来控制，如先前所公开。与需要多个组件串联操作以中断或停止载气流的更复杂机构相比，使用整体挡板机构可能是合乎需要的，以降低挡板的复杂度和故障机率。

如先前所展示和描述，如本文所公开的OVJP挡板可直接安置在载气流中，在到OVJP印刷头的载气入口与OVJP喷嘴之间。由于减少的等待时间和布置的简单性，此配置比使用分流气流路径或替代侧截止的替代配置有利。由于挡板直接布置在流动路径中，因此一旦挡板关闭，通过OVJP印刷头的载气流便基本上停止，而不需要系统等待载气通过印刷头处理或经由吹扫端口等去除。替代气体流动路径还需要额外的加热、清洁和其它维护，以解决当载气流过替代流动路径和/或在替代流动路径中停止时夹带材料的潜在冷凝。相比之下，本文公开的实施例不依赖于需要单独维护的替代气体管线或其它导管。

应理解，本文所描述的各种实施例仅作为实例，并且不打算限制本发明的范围。举例来说，本文所述的材料和结构中的许多可以在不脱离本发明的精神的情况下用其它材料和结构来取代。如所要求的本发明因此可以包括本文所描述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论不打算是限制性的。

Claims (15)

1.一种有机蒸气喷射印刷OVJP沉积装置，其包含：

OVJP印刷头，其包含：

包含至少一个入口和多个喷嘴出口的微喷嘴阵列，载气中夹带的有机材料通过所述入口进入所述微喷嘴阵列，材料通过所述喷嘴出口从所述微喷嘴阵列喷出；和

安置于所述多个喷嘴出口与所述入口之间且具有打开配置和关闭配置的挡板，其中所述挡板在所述打开配置下允许气体流入所述多个喷嘴出口，且在所述关闭配置下阻止气体流入所述多个喷嘴出口。

2.根据权利要求1所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板被安置成相比于所述至少一个入口更接近所述喷嘴出口。

3.根据权利要求1所述的OVJP沉积装置，其进一步包含使所述挡板从所述打开配置改变为所述关闭配置的致动器。

4.根据权利要求3所述的OVJP沉积装置，其中所述致动器包含选自由以下组成的群组的机构类型：电、磁、电磁、气动和物理。

5.根据权利要求1所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板包含移动式结构，其具有第一壁、第二壁和包含孔且连接所述第一和第二壁的中间部分，其中当所述孔与所述入口对准时，所述挡板允许气体从所述入口流向所述多个喷嘴出口。

6.根据权利要求1所述的OVJP沉积装置，其中向所述挡板施加第一电信号使得所述挡板处于所述关闭配置。

7.根据权利要求6所述的OVJP沉积装置，其中向所述挡板施加第二电信号使得所述挡板处于所述打开配置。

8.根据权利要求1所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板包含柔性桥部分。

9.根据权利要求8所述的OVJP沉积装置，其中当气体以高于阈值压力的压力流入所述OVJP印刷头中时，所述挡板被配置成处于所述打开配置。

10.根据权利要求9所述的OVJP沉积装置，其中当向所述挡板施加电信号时，所述挡板被配置成处于所述打开配置。

11.根据权利要求9所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板在处于打开位置时向所述多个喷嘴开口弯曲。

12.根据权利要求9所述的OVJP沉积装置，其中所述阈值压力为10kPa。

13.根据权利要求1所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板包含多晶硅桥。

14.根据权利要求13所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板进一步包含单晶硅衬底。

15.根据权利要求14所述的OVJP沉积装置，其中所述挡板进一步包含安置于所述多晶硅桥与所述单晶硅衬底之间的SiO₂层。

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