CN115220253B - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决显示产品在制作过程中容易在显示产品内部残留电荷，且由于产线存在的各类静电问题，容易导致显示产品在显示时出现抖动的现象。所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。本发明提供的显示面板用于显示。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，人们对显示效果的要求越来越高。为了实现更好的显示效果，氧化物薄膜晶体管被应用到显示产品中，然而这种包括氧化物薄膜晶体管的显示产品，虽然在提升显示效果方面具有一定的优势，但也存在一些不足。这种氧化物显示产品在制作过程中容易在显示产品内部残留电荷，且由于产线存在的各类静电问题，容易导致显示产品在显示时出现抖动(闪烁)的现象。而为了克服上述问题，需要耗费大量人员进行修复，直接影响了工厂的可出货良率及客户满意度，成为制约氧化物显示产品高质量发展的重大瓶颈问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用于解决显示产品在制作过程中容易在显示产品内部残留电荷，且由于产线存在的各类静电问题，容易导致显示产品在显示时出现抖动(闪烁)的现象。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。
可选的，所述阵列基板还包括：
配向膜，所述配向膜位于所述薄膜晶体管阵列层背向所述阵列基板的衬底基板的一侧；
液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板和所述对向基板之间。
本发明的第二方面提供一种显示面板的制作方法，用于制作上述显示面板，所述制作方法包括：采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒的步骤，所述制作方法还包括：
在采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒之前，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
可选的，所述制作方法还包括制作所述阵列基板的步骤，该步骤包括：多道烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在完成制作所述阵列基板过程中的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
可选的，制作所述阵列基板的步骤还包括：
在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：
在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
可选的，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
对所述配向膜进行光配向；
对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
可选的，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
对所述配向膜进行摩擦配向；
对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
可选的，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：
在所述衬底基板上制作呈阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管。
可选的，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤具体包括：
利用紫外线照度计，采用能量大于或等于300mj的紫外光对所述阵列基板进行照射。
可选的，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤中，利用的紫外线的波段范围为小于或等于450nm。
基于上述显示面板的技术方案，本发明的第三方面提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明提供的技术方案中，能够降低显示面板内的电荷残留量至100mv以内，从而解决电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的残留电荷测试原理示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板中单个子像素驱动电路图；
图3为本发明实施例提供的NB-15.6机种相关技术中电荷残留中心值和本发明中电荷残留中心值的对比图；
图4为本发明实施例提供的MNT-23.8机种相关技术中电荷残留中心值和本发明中电荷残留中心值的对比图；
图5为本发明实施例提供的NB-15.6机种相关技术和本发明中最佳Vcom寄存器值分布图；
图6为本发明实施例提供的NB-15.6机种相关技术和本发明中抖动发生率对比图；
图7为本发明实施例提供的MNT-23.8机种相关技术和本发明中最佳Vcom寄存器值分布图；
图8为本发明实施例提供的MNT-23.8机种相关技术和本发明中抖动发生率对比图；
图9为本发明实施例提供的显示面板制作第一工艺流程示意图；
图10为相关技术中显示面板制作工艺流程示意图；
图11为本发明实施例提供的显示面板制作第二工艺流程示意图。
图12为本发明实施例提供的阵列基板的部分截面示意图；
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
如图12所示，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层11，氧化物有源层12和源漏金属层(包括源电极13和漏电极14)；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。
值得注意，图12中还示意了衬底基板10，第一钝化层PVX1，第二钝化层PVX2，公共电极15和像素电极16。
示例性的，所述对向基板可选为彩膜基板，但不仅限于此。
示例性的，所述阵列基板中包括的氧化物晶体管与对应的像素电极16耦接，用于向像素电极提供驱动信号。显示面板还包括位于阵列基板和对向基板之间的液晶层，在像素电极和公共电极之间形成能够驱动液晶层中的液晶分子偏转的电场，从而实现液晶显示面板的显示功能。
本发明实施例提供的显示面板中，能够降低显示面板内的电荷残留量至100mv以内，从而解决电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：
配向膜，所述配向膜位于所述薄膜晶体管阵列层背向所述阵列基板的衬底基板的一侧；
液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板和所述对向基板之间。
示例性的，所述阵列基板和所述对向基板均包括配向膜，所述阵列基板中的配向膜与所述对向基板中的配向膜相对设置，所述液晶层位于所述阵列基板的配向膜和所述对向基板的配向膜之间。
请参阅图9和图11，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，用于制作上述实施例提供的显示面板，所述制作方法包括：采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒的步骤，所述制作方法还包括：在采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒之前，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
示例性的，所述显示面板包括液晶显示面板，在完成阵列基板和对向基板的制作后，可以将所述阵列基板和所述对向基板对盒形成液晶盒。
如图1和图2所示，图1中示意的Vd即为图2中氧化物晶体管的漏极D对应的电压，图1中示意的Vs即为图2中氧化物晶体管的源极S对应的电压，扫描线输入的直流电写入氧化物晶体管的栅极G。图2中的Vcom为与公共电极电压正相关的公共电压参数，该Vcom反应所述电极电压的大小，存储在寄存器中。
残留电荷的测定方法和原理：电荷残留主要表现为显示面板内存在的电荷。将显示面板的显示画面调至保持点灯画面，即扫描线一直输入直流电，这样能够排除氧化物晶体管瞬间开启或关闭引起的Cgd的变化进而产生的电压压差。显示面板中残留电荷引起Vs与Vd之间的压差，导致Vd正、负极性像素电压绝对值并不完全对称，呈现出每帧画面的亮度会有周期性的高低变化，导致显示面板出现抖动不良。由于控制扫描线一直输入直流电，因此公共电极电压仅与残留电荷相关，通过调整公共电极电压修整Vs与Vd之间的压差，从而改善抖动现象。因此可通过调整公共电极电压的最佳值变化量来测定残留电荷的值，并以此来表征本申请提出的新工艺的改善效果。残留电荷测试值＝公共电极调整前电压-公共电极调整后电压。采用公共电极调整前电压，显示面板会由于残留电荷产生抖动，采用公共电极调整后电压显示面板不会抖动。
公共电极电压的测定方法：采用cell test AOI机台直接测量显示面板的公共电极电压。测量得到公共电极调整前电压和公共电极调整后电压，并将二者做差，即可得到残留电荷测试值。
残留电荷来源：由于阵列基板在涂布完PI液(聚酰亚胺液，用于形成配向膜)后需要高温烘烤(烘烤温度150℃以上)，而阵列基板中的氧化物晶体管包括的氧化物膜层(如氧化铟镓锌膜层)在高温环境下容易产生较多的电子，在高温环境下发生电荷移动，并聚集在氧化物晶体管的各膜层内，阵列基板在对盒形成显示面板之后聚集的电荷无法快速有效的释放，导致电荷残留(在显示面板上实测电荷残留值200mv～400mv左右)，以及显示面板显示画面存在抖动等不良。
根据上述显示面板的制作方法的具体过程可知，本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，在采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒之前，对阵列基板进行了紫外线照射工艺。在利用紫外线照射阵列基板后，阵列基板内聚集的原子、分子、离子等基本粒子在吸收紫外光的能量后，自由电子数增多，电子动能大幅增加，从而加速残留电荷进行中和消散，以及转移导出，从而降低显示面板内的电荷残留量(在显示面板上实测电荷残留值降低至100mv以内)，从而解决电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
更详细地说，如图3所示，为NB-15.6机种(note book尺寸15.6)相关技术中电荷残留中心值和本发明中电荷残留中心值的对比图。如图4所示，为MNT-23.8机种(monitor尺寸23.8)相关技术中电荷残留中心值和本发明中电荷残留中心值的对比图。相关技术中，CellTest AOI机台测试值在400mv，未满足产品管控残留电荷值规格(规格：±150mv以内)。本发明中，Cell Test AOI机台测试值小于或等于100mv，测试值改善75％，不需额外人力进行烘烤作业，可以节省对应烘烤工艺的人力、电力成本。
如图5所示，为NB-15.6机种相关技术和本发明中最佳Vcom寄存器值分布图。如图6所示，为NB-15.6机种相关技术和本发明中抖动发生率对比图。
相关技术中，电荷残留未有效去除，Vcom存在飘移，同时因为产线的各类静电问题，导致产品存在抖动问题。模组厂内需另增设30人/班，对应NG基板返工作业，但修复效果有限，无法有效去除，额外需要静置1个月方可出货。
本发明中，电荷残留能够有效去除，NB-15.6机种验证批次Vcom寄存器中心值由现有的64降到40(管控SPEC：10至60之间)不存在Vcom飘移超规问题，FI检查抖动不良率改善2％以上(NB-15.6机种:2.27％→0.0％，验证面板数量2万块)不需额外人力进行返工作业，产品不需要静置1个月，可以节省人力、电力成本，提升公司产品出货节奏。
如图7所示，为MNT-23.8机种相关技术和本发明中最佳Vcom寄存器值分布图。如图8所示，为MNT-23.8机种相关技术和本发明中抖动发生率对比图。
本发明中，电荷残留能够有效去除，MNT-23.8机种验证批次Vcom寄存器中心值为57(管控SPEC：10以上)，不存在Vcom飘移超规问题，现有技术中存在两个中心值65和83，FI检查(出货前检查)抖动不良率改善2％以上(MNT-23.8机种:2.51％→0.0％，验证面板数量1千块)不需额外人力进行返工作业，产品不需要静置1个月，可节省人力、电力成本，提升公司产品出货节奏。
在一些实施例中，所述制作方法还包括制作所述阵列基板的步骤，该步骤包括：多道烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在完成制作所述阵列基板过程中的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
所述阵列基板在整个制作过程中，需要经历多道烘烤工艺，每道烘烤工艺均需要在高温环境中完成，在该高温环境下，阵列基板中会产生电荷移动，电荷聚集在各膜层内，容易发生电荷残留的问题。
示例性的，在将所述阵列基板与对向基板对盒前，阵列基板经历的最后一道烘烤工艺的温度大于150℃，但不仅限于此。
上述实施例提供的显示基板的制作方法中，在完成制作所述阵列基板过程中的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺，使得在经过最后一道烘烤工艺之后，阵列基板内聚集的原子、分子、离子等基本粒子在吸收紫外光的能量后，自由电子数增多，电子动能大幅增加，从而加速残留电荷进行中和消散，以及转移导出，从而降低显示面板内的电荷残留量，从而解决了电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
在一些实施例中，制作所述阵列基板的步骤还包括：
在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：
在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
示例性的，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：在所述衬底基板上制作呈阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管。所述氧化物薄膜晶体管的有源层可选用氧化铟镓锌，但不仅限于此。
示例性的，采用聚酰亚胺材料，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
上述实施例提供的显示基板的制作方法中，在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺，使得在经过最后一道烘烤工艺之后，阵列基板内聚集的原子、分子、离子等基本粒子在吸收紫外光的能量后，自由电子数增多，电子动能大幅增加，从而加速残留电荷进行中和消散，以及转移导出，从而降低显示面板内的电荷残留量，从而解决了电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
如图9所示，在一些实施例中，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
对所述配向膜进行光配向；
对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
采用光配向的方式对配向膜进行配向，需要对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺，该烘烤工艺为阵列基板的最后一次烘烤工艺。
上述实施例提供的显示基板的制作方法中，在对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺，使得在对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，阵列基板内聚集的原子、分子、离子等基本粒子在吸收紫外光的能量后，自由电子数增多，电子动能大幅增加，从而加速残留电荷进行中和消散，以及转移导出，从而降低显示面板内的电荷残留量，从而解决了电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
如图10和图11所示，在一些实施例中，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
对所述配向膜进行摩擦配向；
对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
上述实施例提供的显示基板的制作方法中，在对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺，使得在对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，阵列基板内聚集的原子、分子、离子等基本粒子在吸收紫外光的能量后，自由电子数增多，电子动能大幅增加，从而加速残留电荷进行中和消散，以及转移导出，从而降低显示面板内的电荷残留量，从而解决了电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
在一些实施例中，所述采用阵列基板对盒形成液晶盒的步骤具体包括：
将所述阵列基板与对向基板对盒，在所述阵列基板与所述对向基板之间滴入液晶，形成所述液晶盒。
在一些实施例中，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤具体包括：
利用紫外线照度计，采用能量大于或等于300mj的紫外光对所述阵列基板进行照射。
示例性的，进行紫外线照射时，可以采用各类能够发出光波长小于或等于450nm(波峰值)的紫外灯管或者设备。
示例性的，所述紫外线照度计的型号可选用EIT PowerPuckⅡ，但不仅限于此。
在一些实施例中，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤中，利用的紫外线的波段范围为小于或等于450nm。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示面板。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板等。
上述实施例提供的显示面板中，能够降低显示面板内的电荷残留量，从而解决电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
本发明实施例提供的显示装置在包括上述显示面板时同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，本发明实施例的“同层”可以指的是处于相同结构层上的膜层。或者例如，处于同层的膜层可以是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv；所述制作方法包括：采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒的步骤，所述制作方法还包括：
在采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒之前，对阵列基板进行紫外线照射工艺；
所述制作方法还包括制作所述阵列基板的步骤，该步骤包括：多道烘烤工艺；所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在完成制作所述阵列基板过程中的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺；
制作所述阵列基板的步骤还包括：
在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：
在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺；
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
对所述配向膜进行光配向；
对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
对所述配向膜进行摩擦配向；
对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：
在所述衬底基板上制作呈阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤具体包括：
利用紫外线照度计，采用能量大于或等于300mj的紫外光对所述阵列基板进行照射。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤中，利用的紫外线的波段范围为小于或等于450nm。
6.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1～5中任一项所述的制作方法制作，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
配向膜，所述配向膜位于所述薄膜晶体管阵列层背向所述阵列基板的衬底基板的一侧；
液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板和所述对向基板之间。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的显示面板。
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