CN115219874A - 一种自适应igbt饱和管压降同步测量电路 - Google Patents

一种自适应igbt饱和管压降同步测量电路 Download PDF

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CN115219874A CN202210866659.XA CN202210866659A CN115219874A CN 115219874 A CN115219874 A CN 115219874A CN 202210866659 A CN202210866659 A CN 202210866659A CN 115219874 A CN115219874 A CN 115219874A
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庞鹏
骆树权
张熙
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Abstract

本发明公开一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路。该电路包括：N个IGBT饱和管压降单元、ADC采样模块及控制模块；各IGBT饱和管压降单元包括电压电流变换模块及隔离信号采集模块；电压电流变换模块将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至隔离信号采集模块；隔离信号采集模块将光信号隔离转化为预设比例电压信号；ADC采样模块将各隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；控制模块根据数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降；控制模块还用于调节各隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号。本方案实现了同步测量各IGBT饱和管端电压，测量范围及测量精度可根据设置进行自动调节，还提高了电压测量的抗扰能力。

Description

一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路
技术领域
本发明实施例涉及电力电子IGBT技术领域，尤其涉及一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路。
背景技术
高压全控型功率器件IGBT、PP-IGBT或IGET在电力电子等领域广泛应用，这种主功率回路器件可靠性决定了产品的使用寿命及电气可靠性。随着产品对可靠性要求的提升，IGBT在线监测技术需求日益凸显，IGBT饱和压降的变化在失效分析中可以预判器件的状态及预估寿命，测量饱和管压降可作为有效的器件监测手段。
随着IGBT特性参数测试日趋成熟，单只器件进行包括管压降在内的全部参数离线测量有完善的方案及电路，但在线IGBT饱和管压降测量，特别是在高压下工作时饱和管压降的测量方法单一，多采用钳位或限幅电路将高压部分滤除，只能观察限定电压以内的压降变化。并且采样的延时参数往往较高。
在对IGBT的工作状态及健康状态在线监控时，往往是大电流、高电压变化率的场合，如柔性直流输电的功率子模块，此类场合下无法人工操作调节饱和管压降采集范围，并且需要电路有较强的抗干扰性能和自校准调节功能，在用的钳位方法也无法做到。
发明内容
本发明提供一种自适应IIGBT饱和管压降同步测量电路，以实现同步测量各IGBT等全控器件的饱和管压降及端电压，测量范围及测量精度可根据设置进行自动调节，还提高了电压测量的抗扰能力。
本发明实施例提供了一种自适应IIGBT饱和管压降同步测量电路，该电路包括：N个IGBT饱和管压降单元、ADC采样模块及控制模块；各所述IGBT饱和管压降单元包括电压电流变换模块及隔离信号采集模块；所述电压电流变换模块及所述隔离信号采集模块耦合连接；
所述电压电流变换模块，用于将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至所述隔离信号采集模块；
所述隔离信号采集模块，用于将所述光信号隔离转化为预设比例电压信号；
各所述隔离信号采集模块与所述ADC采样模块电连接，所述ADC采样模块，用于将各所述隔离信号采集模块输出的所述预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；
所述控制模块与所述ADC采样模块电连接；所述控制模块，用于接收并根据所述数字预设比例电压信号确定各所述IGBT饱和管压降；
所述控制模块还与各所述隔离信号采集模块的控制端通讯连接；所述控制模块，还用于调节各所述隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号。
可选的，各所述IGBT饱和管压降单元还包括:有源滤波模块；
所述有源滤波模块与所述隔离信号采集模块电连接，用于将所述预设比例电压信号进行滤波处理。
可选的，所述电压电流变换模块包括串联电阻、第一运算放大器、光耦发光二极管、第一光耦接收二极管及第一电阻；
所述串联电阻的第一端与所述IGBT饱和管的一端电连接，所述串联电阻的第二端与所述第一运算放大器的负向输入端及所述第一光耦接收二极管的第一端电连接，所述第一运算放大器的正向输入端的正向输入端与所述IGBT饱和管的另一端及所述第一光耦接收二极管的第二端电连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第一电阻的第一端及所述光耦接收二极管的第一端电连接；所述第一电阻的第二端与所述光耦发光二极管的第一端电连接，所述光耦发光二极管的第二端与恒压源电连接。
可选的，所述电压电流变换模块还包括：第一电容、第二电阻、第三电阻及第四电阻；
所述第一电容的第一端与所述第一运算放大器的输出端电连接，所述第一电容的第二端与所述第一光耦接收二极管的第一端电连接；
所述第二电阻的第一端与所述第一运算放大器的的偏置端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端及所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端接地；所述第三电阻的第二端与所述第一运算放大器另的偏置端电连接。
可选的，所述隔离信号采集模块包括：第二光耦接收二极管、第二运算放大器及可调电阻；
所述第二光耦接收二极管的第一端与所述第二运算放大器的正向输入端电连接，所述第二光耦接收二极管的第二端与所述第二运算放大器的负向输入端电连接且接地；
所述第二光耦接收二极管的第一端还与所述可调电阻的第一端电连接，所述可调电阻的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接，所述可调电阻的控制端与所述控制模块电连接。
可选的，所述隔离信号采集模块还包括：第一二极管、第二二极管及第二电容；
所述第一二极管的第一端及所述第二二极管的第二端均与所述第二运算放大器的正向输入端电连接，所述第一二极管的第二端及所述第二二极管的第一端均与所述第二运算放大器的负向输入端电连接；
所述第二电容的第一端与所述第二光耦接收二极管的第一端及所述可调电阻的第一端电连接；所述第二电容的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接。
可选的，所述有源滤波模块包括：第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第四电容及第三运算放大器；
所述第五电阻的第一端与所述隔离信号采集模块的输出端电连接，所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端、所述第七电阻的第一端及所述第三电容的第一端电连接，
所述第六电阻的第二端与所述第四电容的第一端及所述第三运算放大器的输出端电连接，所述第七电阻的第二端与所述第四电容的第二端及所述第三运算放大器的负向输入端电连接，所述第三运算放大器的正向输入端接地。
可选的，所述电压电流变换模块还包括：第三二极管；
所述第三二极管的第一端与所述第一光耦接收二极管的第一端电连接，所述第三二极管的第二端与所述第一运算放大器的负向输入端电连接。
可选的，所述隔离信号采集模块还包括：第四二极管；
所述第四二极管的第一端与所述第二光耦接收二极管的第一端电连接，所述第四二极管的第二端与所述第二运算放大器的负向输入端电连接。
可选的，所述ADC采样模块包括至少一个ADC采样单元，所述ADC采样单元与所述IGBT饱和管压降单元一一对应电连接。
本发明实施例，通过电压电流变换模块将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至隔离信号采集模块；隔离信号采集模块将光信号隔离转化为预设比例电压信号；ADC采样模块将各隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；控制模块则根据数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降，如此实现了同步测量各IGBT饱和管端电压，通过隔离信号采集模块还提高了电压测量的抗扰能力，同时控制模块还调节各隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号，ADC采样模块将调节后的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；控制模块则根据调节后的数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降，如此使得电压测量范围及测量精度可根据设置进行自动调节。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路的结构框图；
图2及图3分别是本发明实施例提供的各IGBT饱和管压降同步测量单元在半桥、全桥全控型器件中电连接的示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路的结构框图；
图5是本发明实施例提供的一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路的具体电路图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路的结构框图，如图1所示，该IGBT饱和管压降测量电路包括：N个IGBT饱和管压降单元10、ADC采样模块20及控制模块30；各IGBT饱和管压降单元10包括电压电流变换模块11及隔离信号采集模块12；电压电流变换模块11及隔离信号采集模块12耦合连接；电压电流变换模块11，用于将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至隔离信号采集模块12；隔离信号采集模块12，用于将光信号隔离转化为预设比例电压信号；各隔离信号采集模块12与ADC采样模块20电连接，ADC采样模块20，用于将各隔离信号采集模块12输出的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；控制模块30与ADC采样模块20电连接；控制模块30，用于接收并根据数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降；控制模块30还与各隔离信号采集模块12的控制端通讯连接；控制模块30，还用于调节各隔离信号采集模块12输出的预设比例电压信号。
其中，该自适应IGBT饱和管压降同步测量电路内的各IGBT饱和管压降同步测量单元可以用来同步测量全桥、半桥高压全控型功率器件中各IGBT的饱和管压降，图2及图3分别是本发明实施例提供的各IGBT饱和管压降测量单元在半桥、全桥全控型器件中电连接的示意图，如图2和图3，适应性IGBT饱和管压降同步测量电路内的各IGBT饱和管压降测量单元并联连接与各IGBT的集电极与发射极之间，可以同步测量各IGBT的饱和管压降。具体的，本方案通过电压电流变换模块11将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至隔离信号采集模块12；隔离信号采集模块12将光信号隔离转化为预设比例电压信号V；ADC采样模块20将各隔离信号采集模块12输出的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；可选的，ADC采样模块20包括至少一个ADC采样单元，ADC采样单元与IGBT饱和管压降单元一一对应电连接，各ADC采样单元分别将各隔离信号采集模块12输出的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号，控制模块30则根据数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降，如此实现了同步测量各IGBT饱和管端电压，通过隔离信号采集模块12光隔离设计还提高了电压测量的抗扰能力；同时控制模块30与隔离信号采集模块12通讯连接，控制模块30控制各隔离信号采集模块12的电压放大倍数，从而调节各隔离信号采集模块12输出的预设比例电压信号，ADC采样模块20将调节后的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；控制模块30则根据调节后的数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降，如此使得整个IGBT饱和管压降测量电路的电压测量范围及测量精度可根据设置进行自动调节。
可选的，图4是本发明实施例提供的另一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路的结构框图，如图4所示，该IGBT饱和管压降测量单元还包括:有源滤波模块13；有源滤波模块13与隔离信号采集模块12电连接，用于将预设比例电压信号进行滤波处理。有源滤波模块40起到ADC采样模块20采样前无用信号的滤除作用。
可选的，图5是本发明实施例提供的一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路的具体电路图，如图5所示，电压电流变换模块11包括串联电阻R、第一运算放大器U11A、光耦发光二极管Uled、第一光耦接收二极管U-pd1及第一电阻R1；串联电阻R的第一端与IGBT饱和管的一端(可以为IGBT饱和管的集电极)电连接，串联电阻R的第二端与第一运算放大器U11A的负向输入端及第一光耦接收二极管U-pd1的第一端电连接，第一运算放大器U11A的正向输入端与IGBT饱和管的另一端(可以为IGBT饱和管的发射极)及第一光耦接收二极管U-pd1的第二端电连接，第一运算放大器U11A的输出端与第一电阻R1的第一端及第一光耦接收二极管U-pd1的第一端电连接；第一电阻R1的第二端与光耦发光二极管Uled的第一端电连接，光耦发光二极管的第二端Uled与恒压源电连接。
可选的，继续参考图5，电压电流变换模块11还包括：第一电容C1、第二电阻R2、第三电阻R3及第四电阻R4；第一电容C1的第一端与第一运算放大器U11A的输出端电连接，第一电容C1的第二端与第一光耦接收二极管U-pd1的第一端电连接；第二电阻R2的第一端与第一运算放大器U11A的偏置端电连接，第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端及第四电阻R4的第一端电连接，第四电阻R4的第二端接地；第三电阻R3的第二端与第一运算放大器U11A的另一偏置端电连接。
其中，第一光耦接收二极管U-pd1与光耦发光二极管Uled构成第一运算放大器U11A的反馈回路；第一运算放大器U11A的输出电压Vo由第一运算放大器U11A的负输入及第一光耦接收二极管U-pd1反馈输入共同决定；可以理解的是，第一光耦接收二极管U-pd1与光耦发光二极管Uled构成第一运算放大器U11A的反馈回路一定程度上可以避免第一运算放大器U11A的输出电压Vo超限，保证第一运算放大器U11A稳定输出电压Vo；第一运算放大器U11A的输出电压Vo则决定了光耦发光二极管Uled上流过电流的大小，即I＝(VCC-Vo-Vled)/Ra11,Vled为光耦发光二极管的管压降，电流大则光强，电流小则光弱；这里需解释的是，第一光耦接收二极管U-pd1与光耦发光二极管Uled构成第一运算放大器U11A的反馈回路保证第一运算放大器U11A稳定输出电压Vo的具体调节过程为：当输入至第一运算放大器U11A的负输入的电压增加，即Vc增加时，示例性的，IGBT饱和管由断开向闭合状态变化时，若第一运算放大器U11A的输出电压增加比例大于第一运算放大器U11A的负输入的电压增加比例时，光耦发光二极管Uled发光较弱，则第一光耦接收二极管U-pd1接收光也较弱，在第一运算放大器U11A的负输入端反馈较低的电流信号，第一运算放大器U11A的输出端调节降低输出电压，使得第一运算放大器U11A的输出电压增加比例等于第一运算放大器U11A的负输入的电压增加比例，从而使得第一运算放大器U11A的输出稳定电压。
其中，第一电容C1可一定程度调节第一运算放大器U11A的输出稳定电压的相位；第二电阻R2、第三电阻R3及第四电阻R4R，用来调节第一运算放大器U11A的直流偏到最小，以提高电路采样精度。
可选的，如图5所示，隔离信号采集模块12包括：第二光耦接收二极管U-pd2、第二运算放大器U12A及可调电阻Rt；第二光耦接收二极管U-pd2的第一端与第二运算放大器U12A的正向输入端电连接，第二光耦接收二极管U-pd2的第二端与第二运算放大器U12A的负向输入端电连接且接地；第二光耦接收二极管U-pd2的第一端还与可调电阻Rt的第一端电连接，可调电阻Rt的第二端与第二运算放大器U12A的输出端电连接，可调电阻Rt的控制端与控制模块30电连接。
可选的，继续参考图5，隔离信号采集模块12还包括：第一二极管D1、第二二极管D2及第二电容C2；第一二极管D1的第一端及第二二极管D2的第二端均与第二运算放大器U12A的正向输入端电连接，第一二极管D1的第二端及第二二极管D2的第一端均与第二运算放大器U12A的负向输入端电连接；第二电容C2的第一端与第二光耦接收二极管U-pd2的第一端及可调电阻Rt的第一端电连接；第二电容C2的第二端与第二运算放大器U12A的输出端电连接。
其中，可调电阻Rt构成第二运算放大器U12A的反馈回路，第二运算放大器U12A的输出电压V1由第二运算放大器U12A的负输入及可调电阻Rt反馈输入共同决定；可以理解的是，当电压电流变换模块11中的第一运算放大器U11A稳定输出不同的电压Vo时，光耦发光二极管输出不同的光信号，则第二光耦接收二极管U-pd2接收不同的光信号，从而在第二运算放大器U12A的负输入端产生不同大小的电流信号，第二运算放大器U12A的输出端输出不同的预设比例的电压信号，其中，可调电阻Rt构成第二运算放大器U12A的反馈回路可以保证第二运算放大器U12A的输出端稳定输出不同的预设比例的电压信号。本实施例通过隔离信号采集模块12提高了电压测量的抗扰能力。
需要说明的是，控制模块30可以根据不同的测量范围控制可调电阻Rt调节为不同的电阻值，可以改变第二运算放大器U12A输出电压的预设比例大小，即改变第二运算放大器U12A输出电压信号的放大倍数，如此使得整个IGBT饱和管压降测量电路的电压测量范围及测量精度可根据设置进行自动调节。
其中，第一二极管D1和第二二极管D2用来钳位第二运算放大器U12A的输入电压差，防止高电压损坏第二运算放大器U12A，起到钳位采集信号在一定幅值范围内的作用。第二电容C2用来调节第二运算放大器U12A的输出电压相位。
可选的，如图5所示，有源滤波模块13包括：第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第三电容C3、第四电容C4及第三运算放大器U13A；第五电阻R5的第一端与隔离信号采集模块12的输出端电连接，第五电阻R5的第二端与第六电阻R6的第一端、第七电阻R7的第一端及第三电容C3的第一端电连接，第六电阻R6的第二端与第四电容C4的第一端及第三运算放大器U13A的输出端电连接，第七电阻R7的第二端与第四电容C4的第二端及第三运算放大器U13A的负向输入端电连接，第三运算放大器U13A的正向输入端接地。
其中，第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第三电容C3、第四电容C4及第三运算放大器U13A组成了有源增益二阶低通滤波电路，滤波截止频率为
Figure BDA0003758931130000111
此处也可放置其它低通滤波，起到AD采样模块20采样无用信号的滤除作用。
可选的，如图5所示，电压电流变换模块11还包括：第三二极管D3；第三二极管D3的第一端与第一光耦接收二极管U-pd1的第一端电连接，第三二极管D3的第二端与第一运算放大器U11A的负向输入端电连接。
可选的，如图5所示，隔离信号采集模块12还包括：第四二极管D4；第四二极管D4的第一端与第二光耦接收二极管U-pd2的第一端电连接，第四二极管D4的第二端与第二运算放大器U12A的负向输入端电连接。
其中，电压电流变换模块11及隔离信号采集模块12的信号采集延时取决于串联电阻R及U-PD1结电容，一般线性光耦支持到us级的信号延时；第三二极管D3及第一光耦接收二极管U-pd1串联构成的结电容较大，则可以进一步降低信号延时。而在第二光耦接收二极管U-pd2到第二运算放大器U12A的负引脚串联第四二极管D4，可以保持温飘一致,避免仅仅设置第三二极管D3，由于环境温度的变化会影响第三二极管D3的结电容，从而影响电压电流变换模块11内的光耦发光二极管Uled的光信号的输出，从而影响隔离信号采集模块12内的第二光耦接收管U-pd2的光信号的接收。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，包括：N个IGBT饱和管压降单元、ADC采样模块及控制模块；各所述IGBT饱和管压降单元包括电压电流变换模块及隔离信号采集模块；所述电压电流变换模块及所述隔离信号采集模块耦合连接；
所述电压电流变换模块，用于将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至所述隔离信号采集模块；
所述隔离信号采集模块，用于将所述光信号隔离转化为预设比例电压信号；
各所述隔离信号采集模块与所述ADC采样模块电连接，所述ADC采样模块，用于将各所述隔离信号采集模块输出的所述预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；
所述控制模块与所述ADC采样模块电连接；所述控制模块，用于接收并根据所述数字预设比例电压信号确定各所述IGBT饱和管压降；
所述控制模块还与各所述隔离信号采集模块的控制端通讯连接；所述控制模块，还用于调节各所述隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号。
2.根据权利要求1所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述IGBT饱和管压降单元还包括:有源滤波模块；
所述有源滤波模块与所述隔离信号采集模块电连接，用于将所述预设比例电压信号进行滤波处理。
3.根据权利要求1所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述电压电流变换模块包括串联电阻、第一运算放大器、光耦发光二极管、第一光耦接收二极管及第一电阻；
所述串联电阻的第一端与所述IGBT饱和管的一端电连接，所述串联电阻的第二端与所述第一运算放大器的负向输入端及所述第一光耦接收二极管的第一端电连接，所述第一运算放大器的正向输入端与所述IGBT饱和管的另一端及所述第一光耦接收二极管的第二端电连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第一电阻的第一端及所述第一光耦接收二极管的第一端电连接；所述第一电阻的第二端与所述光耦发光二极管的第一端电连接，所述光耦发光二极管的第二端与恒压源电连接。
4.根据权利要求3所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述电压电流变换模块还包括：第一电容、第二电阻、第三电阻及第四电阻；
所述第一电容的第一端与所述第一运算放大器的输出端电连接，所述第一电容的第二端与所述第一光耦接收二极管的第一端电连接；
所述第二电阻的第一端与所述第一运算放大器的的偏置端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端及所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端接地；所述第三电阻的第二端与所述第一运算放大器另的偏置端电连接。
5.根据权利要求1所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述隔离信号采集模块包括：第二光耦接收二极管、第二运算放大器及可调电阻；
所述第二光耦接收二极管的第一端与所述第二运算放大器的正向输入端电连接，所述第二光耦接收二极管的第二端与所述第二运算放大器的负向输入端电连接且接地；
所述第二光耦接收二极管的第一端还与所述可调电阻的第一端电连接，所述可调电阻的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接，所述可调电阻的控制端与所述控制模块电连接。
6.根据权利要求5所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述隔离信号采集模块还包括：第一二极管、第二二极管及第二电容；
所述第一二极管的第一端及所述第二二极管的第二端均与所述第二运算放大器的正向输入端电连接，所述第一二极管的第二端及所述第二二极管的第一端均与所述第二运算放大器的负向输入端电连接；
所述第二电容的第一端与所述第二光耦接收二极管的第一端及所述可调电阻的第一端电连接；所述第二电容的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接。
7.根据权利要求2所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述有源滤波模块包括：第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第四电容及第三运算放大器；
所述第五电阻的第一端与所述隔离信号采集模块的输出端电连接，所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端、所述第七电阻的第一端及所述第三电容的第一端电连接，
所述第六电阻的第二端与所述第四电容的第一端及所述第三运算放大器的输出端电连接，所述第七电阻的第二端与所述第四电容的第二端及所述第三运算放大器的负向输入端电连接，所述第三运算放大器的正向输入端接地。
8.根据权利要求3所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述电压电流变换模块还包括：第三二极管；
所述第三二极管的第一端与所述第一光耦接收二极管的第一端电连接，所述第三二极管的第二端与所述第一运算放大器的负向输入端电连接。
9.根据权利要求5所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述隔离信号采集模块还包括：第四二极管；
所述第四二极管的第一端与所述第二光耦接收二极管的第一端电连接，所述第四二极管的第二端与所述第二运算放大器的负向输入端电连接。
10.根据权利要求1所述的自适应IGBT饱和管压降同步测量电路，其特征在于，所述ADC采样模块包括至少一个ADC采样单元，所述ADC采样单元与所述IGBT饱和管压降单元一一对应电连接。
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