CN115211057B - 接收光组件和光模块 - Google Patents

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CN115211057B CN202080097986.2A CN202080097986A CN115211057B CN 115211057 B CN115211057 B CN 115211057B CN 202080097986 A CN202080097986 A CN 202080097986A CN 115211057 B CN115211057 B CN 115211057B
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Abstract

本申请提供了一种接收光组件和光模块，能够提升接收光组件的抗串扰能力。该接收光组件包括：跨阻放大器TIA芯片；平面光波导PLC芯片；基板，该基板具有台阶结构，该TIA芯片设置于所述台阶结构的上部平盘上，该PLC芯片设置于所述台阶结构的下部平盘上；其中，该TIA芯片下表面贴装有第一接地层，该PLC芯片下表面贴装有第二接地层，该第一接地层和该第二接地层连接至该接收光组件的信号地。该技术方案通过在PLC芯片下表面贴装有接地层，降低了接收光组件对外部信号的有效接收带宽，从而提升接收光组件抗串扰的能力。

Description

接收光组件和光模块
技术领域
本申请涉及通信领域，并且更具体地，涉及一种接收光组件和光模块。
背景技术
在通信领域，接收光组件应用广泛。接收光组件一般包括的光学组件多，器件耦合工艺复杂，成本偏高。
为降低接收光组件的工艺复杂度，提升器件的耦合效率，将平面光波导(planarlightwave circuit，PLC)引入接收光组件中，利用PLC技术的光路集成技术，避免了使用分立光学元件面临的组装和耦合工艺。但是，该方案增强了对外界信号的接收能力，TIA芯片作为一种高灵敏度的器件，本身接收的信号可能就是一种微弱信号，由于外界信号的干扰，导致该接收光组件系统的串扰增大。
发明内容
本申请提供一种接收光组件和光模块，能够提升接收光组件的抗串扰能力。
第一方面，提供了一种接收光组件，包括：跨阻放大器TIA芯片；平面光波导PLC芯片；基板，该基板具有台阶结构，该TIA芯片设置于所述台阶结构的上部平盘上，该PLC芯片设置于所述台阶结构的下部平盘上；其中，该TIA芯片下表面贴装有第一接地层，该PLC芯片下表面贴装有第二接地层，该第一接地层和该第二接地层连接至该接收光组件的信号地。
该第一接地层可以电连接至该第二接地层，该第一接地层或者该第二接地层可以与该接收光组件的信号地相连。该第一接地层还可以通过导电镀层与该第二接地层相连，该第一接地层或者该第二接地层可以与该接收光组件的信号地相连。该第一接地层与该第二接地层还可以分别连接至该接收光组件的信号地。
上述技术方案通过在PLC芯片的下表面贴装有第二接地层，能够降低接收光组件对外界信号的有效接收带宽，从而降低外界信号的干扰，以提升接收光组件的抗串扰能力。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一接地层为该基板与该TIA芯片之间的第一导电镀层，该第二接地层为该基板与该PLC芯片之间的第二导电镀层，该台阶结构的侧壁设置有第三导电镀层，该第三导电镀层用于连接该第一导电镀层和该第二导电镀层。
该技术方案通过第三导电镀层连接第一导电镀层和第二导电镀层，使得第一接地层和第二接地层形成同一接地层，则该第一接地层或第二接地层或第三导电镀层与接收光组件的信号地相连，同样可以提升接收光组件的抗串扰能力，并简化系统接地。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该基板为导电基板，该基板作为该第一接地层和该第二接地层。
该技术方案中，采用导电基板作为第一接地层和第二接地层，简化了在基板表面镀层的工艺，提升了基板的制作效率。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该基板包括第一基板和第二基板，该第一基板设置于该第二基板上方以形成该台阶结构。
该技术方案通过两个基板组成该台阶结构的基板，降低了基板加工的复杂度。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一接地层为该第一基板与该TIA芯片之间设置的第四导电镀层，该第二接地层为该第二基板与该PLC芯片之间的第五导电镀层。
该技术方案通过在第一基板和第二基板的表面镀上导电镀层，能够提升接收光组件抗串扰能力，并降低基板加工的复杂度。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第四导电镀层与该第五导电镀层电连接。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第五导电镀层延伸至该第一基板下方，该第一基板设置有至少一个导电过孔，该导电过孔用于连接该第四导电镀层和该第五导电镀层。
该技术方案中，通过导电过孔连接该第四导电镀层与该第五导电镀层，使得第一接地层与该第二接地层形成同一接地层，则该第一接地层或第二接地层或第三导电镀层与接收光组件的信号地相连，可以提升接收光组件的抗串扰能力，并简化系统的接地。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一基板的侧壁设置有第六导电镀层，该第六导电镀层用于连接该第四导电镀层和该第五导电镀层。
该技术方案中，通过第六导电镀层连接该第四导电镀层与该第五导电镀层，使得第一接地层与该第二接地层形成同一接地层，则该第一接地层或第二接地层或第三导电镀层与接收光组件的信号地相连，可以提升接收光组件的抗串扰能力，并简化系统的接地。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第四导电镀层与该第五导电镀层分别与该接收光组件的信号地相连。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一基板和该第二基板为导电基板，该第一基板作为该第一接地层，该第二基板作为该第二接地层。
可选地，该第一基板与该第二基板电连接或通过导电胶相连接。
该技术方案中，将导电的第一基板和第二基板作为第一接地层和第二接地层，简化了基板的制作工艺。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一基板为导电基板，该第二基板为非导电基板，其中，该第一接地层为该第一基板，该第二接地层为该第二基板与该PLC芯片之间的第七导电镀层。
该技术方案通过在PLC芯片下表面设置第七导电镀层即第二接地层，可以降低接收光组件对外界信号的有效接收带宽，从而提升接收光组件的抗串扰能力。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一基板为非导电基板，该第二基板为导电基板，其中，该第一接地层为该第一基板与该TIA芯片之间的第八导电镀层，该第二接地层为该第二基板，该第八导电镀层与该第二基板电连接。
该技术方案通过在PLC芯片下表面设置第二导电基板即第二接地层，可以降低接收光组件对外界信号的有效接收带宽，从而提升接收光组件的抗串扰能力。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一基板的侧壁设置有第九导电镀层，该第九导电镀层用于连接该第八导电镀层和该第二基板。
该技术方案可以降低接收光组件的抗串扰能力，并简化系统的接地。
结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该第一基板设置有至少一个导电过孔，该导电过孔用于连接该第八导电镀层和该第二基板。
该技术方案可以降低接收光组件的抗串扰能力，并简化系统的接地。
第二方面，提供了一种光模块，包括如第一方面以及第一方面中任一种可能的实现方式中的接收光组件。
附图说明
图1是接收光组件的示意性结构图。
图2是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。
图3是本申请实施例的串扰仿真曲线的示意图。
图4是本申请实施例的又一种接收光组件的示意性结构图。
图5是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。
图6是本申请实施例的串扰仿真曲线的示意图。
图7是本申请实施例的又一种接收光组件的示意性结构图。
图8是本申请实施例的串扰仿真曲线的示意图。
图9是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。
图10是本申请实施例的又一种接收光组件的示意性结构图。
图11是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。
图12是本申请实施例的又一种接收光组件的示意性结构图。
图13是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。
本申请实施例的技术方案可以应用于各种光通信模块中，例如，应用在接收光组件中或光模块中，用以提升通信模块的抗串扰能力，相应的，提升其性能。
图1是接收光组件的示意性结构图。
接收光组件是光通信模块中的重要组成部分，如图1中的(a)所示，该接收光组件10至少包括：跨阻放大器(transimpedance amplifier，TIA)芯片11、接地层12、基板13、光电二极管(photo diode，PD)14、反射镜16、键合线17以及光分器(图中未示出)等。其中，TIA芯片具有高灵敏度、高增益等特点，易于受到有源组件，如发射光组件(transmitteroptical subassemblya，TOSA)等辐射信号的干扰，最终影响光模块的灵敏度等关键系统指标。图1中的(a)是传统接收光组件系统中常用的方案，经光分器、波导光栅等光学器件处理之后的入射光15通过反射镜16传输至光电二极管PD14中，经光电二极管PD14转换成电信号，通过键合线17传输至TIA芯片11中，放大后输出相应码率的电信号。该方案光路设计简单，但光学组件多，耦合工艺复杂，器件成本偏高。
为了降低接收光组件的工艺复杂度，提升器件的耦合效率，降低器件的成本，平面光波导(planar lightwave circuit，PLC)技术引入了接收光组件中，如图1中的(b)所示，该接收光组件100至少包括：TIA芯片110、A接地层120、基板130、B接地层140、PLC芯片150、光电二极管PD170、键合线180。其中，入射光160经PLC芯片150上方的掩膜结构151传输至光电二极管PD170中，经光电二极管PD170转换成电信号，通过金属线180传输至TIA芯片110中，放大后输出相应码率的电信号。该方案中将光分器、波导光栅等光无源器件直接集成在PLC芯片上，使用PLC作为光路结构，避免了使用分立光学元件面临的组装和耦合工艺。但是，该方案中PLC芯片上方的掩膜结构151与基板下方的B接地层140形成了一种类似于微带贴片天线结构，该结构增强了对外界信号的接收能力，TIA芯片作为一种高灵敏度的器件，本身接收的信号就是一种微弱信号，由于外界信号的干扰，导致该接收光组件系统的串扰增大，相应的，降低了系统的性能。
本申请实施例提供了一种接收光组件和光模块，通过在PLC芯片的下方设置接地层，如PLC芯片的下表面，能够降低接收光组件对外界信号的有效接收带宽，从而降低外界信号的干扰，以提升接收光组件的抗串扰能力。
下面将结合具体实施例介绍本申请的技术方案。
在本申请实施例中，该接收光组件可以包括：TIA芯片；PLC芯片；基板，该基板具有台阶结构，该TIA芯片设置于该台阶结构的上部平盘上，该PLC芯片设置于该台阶结构的下部平盘上；其中，该TIA芯片下表面贴装有第一接地层，该PLC芯片下表面贴装有第二接地层，该第一接地层和该第二接地层连接至该接收光组件的信号地。
可选地，该第一接地层可以与该第二接地层电连接，以形成同一接地层，该接地层与该接收光组件的信号地相连，例如，该第一接地层和该第二接地层可以通过金属相连接，以形成同一接地层。
可选地，该第一接地层与该第二接地层还可以分别连接至接收光组件系统的信号地。
在一种可能的实现方式中，该基板是非导电基板，此时，该第一接地层与该第二接地层可以是金属镀层，也可以是其他导电镀层，如高分子导电镀层等。
在一种可能的实现方式中，该基板是导电基板，如金属基板，则该导电基板作为该第一接地层和该第二接地层。
在一种可能的实现方式中，由至少两个基板组成上述台阶结构的基板，例如，由第一基板和基板组成该台阶结构的基板；可选地，该第一基板与该第二基板可以是导电基板，如金属基板，也可以是非导电基板，还可以是一个基板导电，一个基板不导电，本申请实施例对此不做限定，下文将结合具体实施例对该方案进行描述，此处暂不详述。
本申请实施例的技术方案，通过在PLC芯片的下表面设置接地层，降低了接收光组件对外界信号的有效接收带宽，从而降低外界信号的干扰，提升了接收光组件的抗串扰能力。
图2是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图2所示，该接收光组件200至少包括：TIA芯片210、第一导电镀层220、第二导电镀层250、第三导电镀层230、基板240、PLC芯片260、PD280以及键合线290。其中，该基板240具有台阶结构，该TIA芯片210设置于台阶结构的上部平盘上，该PLC芯片260设置于台阶结构的下部平盘上，第一导电镀层220与TIA芯片210的下表面贴合，第二导电镀层250与PLC芯片260的下表面贴合，第三导电层230设置于台阶结构的侧壁上，该第一导电镀层220与该第二导电镀层250通过第三导电镀层230相连接。该第一导电镀层220或该第二导电镀层250或该第三导电镀层230与接收光组件200的信号地相连，从而形成接地层。
在本申请实施例中，PLC芯片260上表面的芯片掩膜261与第二接地层250形成一种类似微带贴片天线结构，该结构会增强对外界特定频率信号fc的接收能力：
式中：L表示PLC芯片表面掩膜结构的长度，ε0表示真空介电常数，εr表示介质有效相对介电常数，μ0表示真空磁导率。
虽然信号频率主要与PLC芯片表面的掩膜结构有关，但芯片掩膜与芯片下方的接地层的距离H决定了接收信号的有效带宽B，即：
式中：B表示接收信号的有效带宽，W表示PLC芯片表面掩膜结构的长度。
由上式可知，在芯片的掩膜结构一定的情况下，通过降低芯片掩膜与芯片下方的接地层的距离H，可以降低该结构对于外部信号的有效接收带宽。对于TIA芯片210来说，其具有高灵敏度的特点，所以TIA芯片210接收的信号本身可能就是微弱的，当入射光270经PLC芯片传输至掩膜结构上方的PD280中，光信号转换成电信号，再通过键合线290传输至TIA芯片210中，由于传统的接收光组件的PLC芯片的接地层位于基板的下方，即PLC芯片260的掩膜结构261与芯片下方的接地层的距离为图2中的h1，而本申请实施例在PLC芯片260的下表面设置接地层，此时PLC芯片260的掩膜结构261与芯片下方的接地层的距离即图2中的h，相当于减小了H，从而降低了该结构对外部信号的有效接收带宽，相应的，降低了外部信号对有用信号的干扰，即提升了接收光组件200的抗串扰能力。
在一种可能的实现方式中，该第一导电镀层220和该第二导电镀层250和该第三导电镀层230为金属镀层，该第一导电镀层220和该第二导电镀层250和该第三导电镀层230还可以为高分子导电镀层；在另一种可能的实现方式中，该第一导电镀层220和该第二导电镀层250和该第三导电镀层230中的至少一个导电镀层为金属镀层，其余为其他导电镀层，本申请实施例对此不做具体限定。
图3是本申请实施例图2中的技术方案与传统PLC方案和自由光路方案(freespace，FS)对比的收发串扰仿真曲线的示意图。如图3所示，横坐标表示信号的频率单位为吉赫GHz，纵坐标表示串扰的大小，单位为分贝dB。从图3中可以看出，正如前文所分析的，传统PLC方案的串扰从1GHz到25GHz都比较大，而本申请实施例图2中的技术方案与传统PLC方案相比，其收发串扰较小，具有一定的改善效果。本申请实施例的技术方案与传统FS方案相比，整体性能接近传统FS方案。总的来说，本申请实施例整体上提升了PLC方案中接收光组件的抗串扰能力。
图4是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图4所示，该接收光组件300至少包括：TIA芯片310、第一导电镀层320、第二导电镀层340、基板330、PLC芯片350、PD370以及键合线380。其中，该基板330具有台阶结构，该TIA芯片310设置于台阶结构的上部平盘上，该PLC芯片350设置于台阶结构的下部平盘上。在该实施例中，第一导电镀层320与第二导电镀层340分别与接收光组件300的信号地相连，以形成第一接地层和第二接地层。第二导电镀层340贴装在PLC芯片350的下表面，以减小PLC芯片350的掩膜结构351与第二接地层即该第二导电镀层之间的距离，降低该结构对外部信号的有效接收带宽，从而提升接收光组件300的抗串扰能力。
在一种可能的实现方式中，该第一导电镀层320与该第二导电镀层340可以为金属镀层，该第一导电镀层320与该第二导电镀层340还可以为高分子导电镀层或其他导电镀层。在另一种可能的实现方式中，该第一导电镀层320与该第二导电镀层340可以为不同的导电镀层，例如，该第一导电镀层320为金属镀层，该第二导电镀层340为高分子导电镀层。
图5是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图5所示，该接收光组件400至少包括：TIA芯片410、基板420、PLC芯片430，PD450以及键合线460。其中，该基板420可以具有台阶结构，该TIA芯片410设置于台阶结构的上部平盘上，该PLC芯片430设置于台阶结构的下部平盘上。在该实施例中，基板420为导电基板，例如，该基板420为金属基板或者为高分子导电基板或其他导电基板。
该基板420与接收光组件400的信号地相连，也就是说，该基板420作为第一接地层和第二接地层。同样，第二接地层贴装在PLC芯片430的下表面，减小了PLC芯片430的掩膜结构431与第二接地层即该基板420的台阶结构的下部平盘之间的距离，降低了该结构对外部信号的有效接收带宽，从而提升接收光组件400的抗串扰能力。
该技术方案采用导电基板作为接地层，省去了在基板表面镀上导电镀层的工艺，使得基板的制作工艺简单，且同时能够提升整个接收光组件的抗串扰能力。
图6是本申请实施例图5中的技术方案与传统PLC方案和FS方案的收发串扰的仿真曲线示意图。从图6中可以看出，与传统PLC方案相比，本申请实施例的技术方案的收发串扰较小，对于传统PLC方案的收发串扰具有一定的改善效果，提升了接收光组件的抗串扰能力。与传统FS方案相比，本申请实施例的技术方案的整体性能接近传统FS方案。总的来说，本申请实施例整体上提升了PLC方案中接收光组件的抗串扰能力。
图7是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图7所示，该接收光组件500至少包括：TIA芯片510、第四导电镀层520、第五导电镀层540、第一基板530、第二基板550、至少一个导电过孔531、PLC芯片560、PD570和键合线580。其中，第一基板530和第二基板550组成所述台阶结构的基板，该第四导电镀层520设置于第一基板的上表面，并贴装在TIA芯片的下表面，该第五导电镀层540设置于第二基板的上表面，并贴装在PLC芯片的下表面。
在第一基板530中设置有至少一个导电过孔531，该导电过孔531用于连接该第四导电镀层520与该第五导电镀层540。
该第四导电镀层520作为第一接地层，该第五导电镀层540作为第二接地层，该第一接地层或该第二接地层或该导电过孔与该接收光组件500的信号地相连。
可选地，该接收光组件500也可以不包括导电过孔531，在这种情况下，第四导电镀层与第五导电镀层可以电连接，或者分别连接至接收光组件500的信号地。
可选地，该第五导电镀层540可以延伸至第一基板的下方，例如，该第五导电镀层540可以全部覆盖第二基板的上表面，还可以延伸至导电过孔处，还可以与该导电过孔电连接，本申请实施例对此不做具体限定。
可选地，该第四导电镀层520和该第五导电镀层540可以为金属镀层，该导电过孔531可以为金属过孔或高分子导电镀层；该第四导电镀层520和该第五导电镀层540还可以为高分子导电镀层，该导电过孔531为高分子导电过孔或金属过孔；该第四导电镀层520和该第五导电镀层540的其中之一为金属镀层，另一个为高分子导电镀层或其他导电镀层，该导电过孔531可以为金属过孔或其他导电过孔，本申请实施例对此不做具体限定。
该技术方案通过在PLC下方设置第五导电镀层540即第二接地层，减小了PLC芯片560的掩膜结构561与接地层的距离，降低了接收光组件500对外界信号的有效接收带宽，从而提升了接收光组件的抗串扰能力。
图8是本申请实施例图7中的技术方案与传统PLC方案和FS方案的收发串扰的仿真曲线示意图。从图8中可以看出，与传统PLC方案相比，本申请实施例的技术方案的收发串扰较小，对于传统PLC方案的收发串扰具有一定的改善效果，提升了接收光组件的抗串扰能力。与传统FS方案相比，本申请实施例的技术方案的整体性能接近传统FS方案。总的来说，本申请实施例整体上提升了PLC方案中接收光组件的抗串扰能力。
图9是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图9所示，该接收光组件600至少包括：TIA芯片610、第四导电镀层620、第一基板630、第五导电镀层640、第六导电镀层631、第二基板650、PLC芯片660、PD670以及键合线680。其中，第一基板630和第二基板650组成所述台阶结构的基板，该第四导电镀层620设置于第一基板的上表面，并贴装在TIA芯片的下表面，该第五导电镀层640设置于第二基板的上表面，并贴装在PLC芯片的下表面，第六导电镀层设置于所述台阶结构的侧壁即第一基板的侧面上，该第六导电镀层631用于连接该第四导电镀层620和该第五导电镀层640，以形成同一接地面。
可选地，该第五导电镀层640可以部分覆盖第二基板650的表面，并与第六导电镀层631相连接。该第五导电镀层还可以由第一基板630下表面的导电镀层和第二基板上方的导电镀层共同组成。
可选地，该第六导电镀层631可以为金属镀层，还可以为高分子导电镀层或其他导电镀层。
可选地，该接收光组件600也可以不包括第六导电镀层631，在这种情况下，第四导电镀层与第五导电镀层可以电连接，或者分别连接至接收光组件600的信号地。
该技术方案通过在PLC下方设置第五导电镀层540即第二接地层，同样可以减小PLC芯片660的掩膜结构661与接地层的距离，降低了接收光组件600对外界信号的有效接收带宽，从而提升了接收光组件的抗串扰能力。
图10为本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图10所示，该接收光组件700至少包括：TIA芯片710、第一基板720、第二基板730、PLC芯片740、PD760和键合线770。其中，第一基板720和第二基板730组成所述台阶结构的基板。TIA芯片710的下表面贴装有第一基板720，即该第一基板720作为第一接地层，PLC芯片740的下表面贴装有第二基板730，即该第二基板730作为第二接地层。
可选地，该第一基板720和第二基板730可以为金属基板，也可以为高分子导电基板或其他导电材料制成的基板，本申请实施例对此不做具体限定。
可选地，该第一基板720与该第二基板730可以通过导电胶相连接，还可以通过电连接。
可选地，为简化工艺，该第一基板720和该第二基板730可以分别由多块基板组成，例如，该第一基板720A和/或第二基板730可由多块相同或不同大小的基板叠加而成。
该技术方案通过在PLC芯片下方设置第二接地层即第二基板730，同样可以减小PLC芯片740的掩膜结构750与接地层的距离，降低了接收光组件700对外界信号的有效接收带宽，从而提升了接收光组件的抗串扰能力。
图11是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图11所示，该接收光组件800至少包括：TIA芯片810、第一基板820、第七导电镀层830、第二基板840、PLC芯片850、PD860以及键合线870。其中，第一基板820和第二基板840组成所述台阶结构的基板。该第一基板820为导电材料制成的基板，例如，该第一基板820为金属基板或高分子导电基板等，该第二基板840为非导电材料制成的基板，该第二基板840的上表面设置有第七导电镀层830，该第七导电镀层830与PLC芯片850的下表面相贴合。该第一基板820作为第一接地层，第七导电镀层830作为第二接地层，该第一接地层或该第二接地层与该接收光组件800的信号地相连。
该第一基板820可以与第七导电镀层830电连接，也可以通过导电胶相连接。
可选地，该第七导电镀层可以为金属镀层，或高分子导电镀层或其他导电镀层。
可选地，该第七导电镀层830可以全部覆盖在第二基板840的上表面，该第七导电镀层830还可以部分覆盖在第二基板840的上表面，并与该第一基板820相连。
该技术方案通过在PLC芯片850下方设置第二接地层即第七导电镀层830，同样可以减小PLC芯片850的掩膜结构851与接地层的距离，降低了接收光组件800对外界信号的有效接收带宽，降低了外界信号的干扰，从而提升了接收光组件的抗串扰能力。
图12是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图12所示，该接收光组件900至少包括：TIA芯片910、第八导电镀层920、第一基板930、至少一个导电过孔931、第二基板940、PLC芯片950、PD960和键合线970。其中，第一基板930与第二基板940组成上述台阶结构的基板。在该实施例中，第一基板930为非导电基板，第二基板940为导电基板；在第一基板920的上表面设置有第八导电镀层920，该第八导电镀层920与TIA芯片910的下表面相贴合；在第一基板920中设置有至少一个导电过孔931，该导电过孔931用于连接该第八导电镀层920与第二基板940，其可以通过电连接，也可以通过导电胶相连接。
该第八导电镀层920作为第一接地层，该第二基板940作为第二接地层，PLC芯片950的下表面与第二基板940贴装在一起。
可选地，该第八导电镀层920为金属镀层，或高分子导电镀层或其他导电镀层；该导电过孔931为金属过孔或高分子导电过孔或其他导电镀层；该第二基板940为金属基板，或高分子导电基板或其他导电基板。
可选地，该第一基板930和/或第二基板940可由多个基板叠加而成。
该技术方案通过在PLC芯片950下方设置第二接地层即第二基板940，同样可以减小PLC芯片950的掩膜结构951与接地层的距离，降低了接收光组件900对外界信号的有效接收带宽，降低了外界信号的干扰，从而提升了接收光组件的抗串扰能力。
图13是本申请实施例的一种接收光组件的示意性结构图。如图13所示，该接收光组件1000至少包括：TIA芯片1010、第八导电镀层1020、第九导电镀层1031、第一基板1030、第二基板1040、PLC芯片1050、PD1060和键合线1070。其中，该第一基板1030与第二基板1040组成上述台阶结构的基板，该第一基板1030为非导电材料制成的基板，该第二基板1040为导电材料制成的基板。该第九导电镀层1031设置于所述台阶结构的侧壁上，用于连接该第九导电镀层1020与该第二基板1040，其可以通过电连接，也可以通过导电胶相连接。
该第八导电镀层1020作为第一接地层，该第二基板1040作为第二接地层，PLC芯片1050的下表面与第二基板1040贴装在一起。
可选地，该第二基板1040为金属基板，或高分子导电基板或其他导电基板；该第九导电镀层为金属镀层，或高分子导电镀层或其他导电镀层。
该技术方案通过在PLC芯片1050下方设置第二接地层即第二基板1040，可以减小PLC芯片1050的掩膜结构1051与接地层的距离，降低了接收光组件1000对外界信号的有效接收带宽，降低了外界信号的干扰，从而提升了接收光组件的抗串扰能力。
本申请实施例还提供一种光模块，可以包括发射光组件、功能电路以及上文实施例中任一种所述的接收光组件。
可选地，光模块中的发射光组件将电信号转换成光信号，光信号可以在光纤中传播以到达目的地；光模块中的接收光组件用于将光信号转换成电信号。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体式连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中具体含义。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种接收光组件，其特征在于，包括：
跨阻放大器TIA芯片；
平面光波导PLC芯片；
基板，所述基板具有台阶结构，所述TIA芯片设置于所述台阶结构的上部平盘上，所述PLC芯片设置于所述台阶结构的下部平盘上；
其中，所述TIA芯片下表面贴装有第一接地层，所述PLC芯片下表面贴装有第二接地层，所述第一接地层和所述第二接地层连接至所述接收光组件的信号地。
2.根据权利要求1所述的接收光组件，其特征在于，所述第一接地层为所述基板与所述TIA芯片之间的第一导电镀层，所述第二接地层为所述基板与所述PLC芯片之间的第二导电镀层，所述台阶结构的侧壁设置有第三导电镀层，所述第三导电镀层用于连接所述第一导电镀层和所述第二导电镀层。
3.根据权利要求1或2所述的接收光组件，其特征在于，所述基板为导电基板，所述基板作为所述第一接地层和所述第二接地层。
4.根据权利要求1所述的接收光组件，其特征在于，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板设置于所述第二基板上方以形成所述台阶结构。
5.根据权利要求4所述的接收光组件，其特征在于，所述第一接地层为所述第一基板与所述TIA芯片之间设置的第四导电镀层，所述第二接地层为所述第二基板与所述PLC芯片之间的第五导电镀层。
6.根据权利要求5所述的接收光组件，其特征在于，所述第四导电镀层与所述第五导电镀层电连接。
7.根据权利要求6所述的接收光组件，其特征在于，所述第五导电镀层延伸至所述第一基板下方，所述第一基板设置有至少一个导电过孔，所述导电过孔用于连接所述第四导电镀层和所述第五导电镀层。
8.根据权利要求6所述的接收光组件，其特征在于，所述第一基板的侧壁设置有第六导电镀层，所述第六导电镀层用于连接所述第四导电镀层和所述第五导电镀层。
9.根据权利要求6所述的接收光组件，其特征在于，所述第四导电镀层与所述第五导电镀层分别与所述接收光组件的信号地相连。
10.根据权利要求4所述的接收光组件，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板为导电基板，所述第一基板作为所述第一接地层，所述第二基板作为所述第二接地层。
11.根据权利要求4所述的接收光组件，其特征在于，所述第一基板为导电基板，所述第二基板为非导电基板，其中，所述第一接地层为所述第一基板，所述第二接地层为所述第二基板与所述PLC芯片之间的第七导电镀层。
12.根据权利要求4所述的接收光组件，其特征在于，所述第一基板为非导电基板，所述第二基板为导电基板，其中，所述第一接地层为所述第一基板与所述TIA芯片之间的第八导电镀层，所述第二接地层为所述第二基板，所述第八导电镀层与所述第二基板电连接。
13.根据权利要求12所述的接收光组件，其特征在于，所述第一基板的侧壁设置有第九导电镀层，所述第九导电镀层用于连接所述第八导电镀层和所述第二基板。
14.根据权利要求12所述的接收光组件，其特征在于，所述第一基板设置有至少一个导电过孔，所述导电过孔用于连接所述第八导电镀层和所述第二基板。
15.一种光模块，其特征在于，包括：
如权利要求1至14中任一项所述的接收光组件。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202285050U (zh) * 2011-05-30 2012-06-27 武汉电信器件有限公司 用于csfp/csff封装的plc型混合集成光组件
CN109725392A (zh) * 2019-02-19 2019-05-07 武汉电信器件有限公司 一种光发射组件和光接收组件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3803596B2 (ja) * 2002-03-14 2006-08-02 日本電気株式会社 パッケージ型半導体装置
CN103858039B (zh) * 2011-09-09 2015-11-25 日本电气株式会社 光接收模块
JP2014187506A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信器及びその製造方法
KR101906592B1 (ko) * 2014-11-27 2018-10-12 한국전자통신연구원 광모듈
KR101978913B1 (ko) * 2015-11-16 2019-05-16 한국전자통신연구원 다채널 광 수신기 및 그의 제조 방법
WO2017100560A1 (en) * 2015-12-10 2017-06-15 Kaiam Corp. Optical transceiver with combined transmitter and receiver assembly
US10447405B2 (en) * 2017-09-29 2019-10-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical receiver with optical demultiplexer
CN109738987B (zh) * 2019-03-20 2020-05-22 江苏亨通光网科技有限公司 硅基4通道波分复用解复用混合集成芯片

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202285050U (zh) * 2011-05-30 2012-06-27 武汉电信器件有限公司 用于csfp/csff封装的plc型混合集成光组件
CN109725392A (zh) * 2019-02-19 2019-05-07 武汉电信器件有限公司 一种光发射组件和光接收组件

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