CN115149974A

CN115149974A - 一种移动终端的控制方法及移动终端

Info

Publication number: CN115149974A
Application number: CN202110352589.1A
Authority: CN
Inventors: 周大为; 蔡晓涛; 刘亮; 冯超; 叶春辉; 李元鹏
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2021-03-31
Publication date: 2022-10-04
Anticipated expiration: 2041-03-31
Also published as: CN115149974B

Abstract

一种移动终端的控制方法及移动终端，可动态设置移动终端中天线的发射功率，以减少功率设置对天线性能的影响，优化移动终端的天线性能。该移动终端中设置有至少一个天线，该至少一个天线包括第一天线。移动终端获取第一天线在第一工作频率下的第一反射系数，该第一反射系数是用于表征对应信号幅度和相位的矢量；计算所述第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离，该预设反射系数是所述移动终端处于预设状态时，第一天线在第一工作频率下的反射系数；采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率。其中，移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离，每个功率设置档位对应一个功率设置值。

Description

一种移动终端的控制方法及移动终端

技术领域

本申请实施例涉及终端技术领域，尤其涉及一种移动终端的控制方法及移动终端。

背景技术

随着移动通信技术的发展，移动终端(如手机)已经逐步成为人们生活中不可或缺的一部分，也为人们工作提供了极大的便利。移动终端的使用过程中，动态调整该移动终端的各项参数，对移动终端的性能提升非常重要。例如，动态调整移动终端中天线的发射功率，有利于降低移动终端的功耗并保证移动终端的通信质量，进而提升移动终端的用户使用体验。

其中，提高发射功率虽然有利于提升移动终端的通信质量，也会带来移动终端的天线的电磁波辐射比值(specific absorption rate，SAR)的增高。SAR用于表征移动终端的天线产生的电磁辐射的大小。相关法规要求移动终端的天线的SAR不得超出规定范围(即辐射在法规要求范围内)。

目前，为了保证天线的SAR满足法规要求，移动终端可进行功率回退，以降低天线的SAR。具体的，可按照固定的功率回退值进行功率回退，以最大限度降低天线的发射功率，进而保证天线的SAR满足法规要求。

但是，按照固定的功率回退值进行功率回退，虽然可以最大限度降低天线的发射功率，保证天线的SAR满足法规要求；但是，如果功率回退过多，则会损失移动终端的天线性能，进而影响移动终端的通信质量。

发明内容

本申请提供一种移动终端的控制方法及移动终端，可以动态设置移动终端中天线的发射功率，以减少功率设置对天线性能的影响，可以优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

第一方面，本申请提供一种移动终端的控制方法，该移动终端中设置有至少一个天线，该至少一个天线包括第一天线。

其中，移动终端可以获取第一天线在第一工作频率下的第一反射系数，该第一反射系数是用于表征对应信号幅度和相位的矢量。然后，移动终端可以计算第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离。该预设反射系数是移动终端处于预设状态时，第一天线在第一工作频率下的反射系数。该预设状态是移动终端的握持状态。最后，移动终端可以采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率。该移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离，每个功率设置档位对应一个功率设置值。

可以理解的是，天线处于不同的场景或状态时，该天线的阻抗不同，天线的反射系数则不同。也就是说，随着移动终端握持状态或者场景的变化，天线的反射系数会发生变化。而预设反射系数是移动终端处于预设状态(如FS状态)时，该天线的反射系数。该预设反射系数是一个预设参考值，例如为固定值。

移动终端的握持状态或者场景发生变化，该天线的反射系数在史密斯圆图中的位置则不同，该天线的反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的距离则不同。因此，移动终端可以依据天线的实际反射系数与预设反射系数的矢量距离，区分出移动终端的不同状态或者场景。

如此，移动终端便可以将需要降SAR(即进行功率回退)的场景和不需要降SAR的场景，以及需要不同程度SAR降幅的场景区分开。然后，移动终端可以针对不同场景，进行不同档位或幅度的功率设置(如功率回退)。这样，可以避免在不需要SAR降幅或者SAR降幅较小的情况下，为天线设置固定的发射功率(如按照最大的功率回退值进行功率回退)，可以实现功率的准确控制。即采用本方案，可以动态设置移动终端中天线的发射功率，以优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

在第一方面的一种可能的设计方式中，上述预设状态是移动终端处于自由空间(Free Space，FS)状态。FS状态可以是移动终端处于待机状态下，与任何物体未接触的理想状态。在FS状态下，天线的反射系数是一个固定值，不会随着移动终端所处的状态或场景的变化而发生变化。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，上述移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离，具体包括：移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离的距离区间。

其中，第一矢量距离对应的功率设置档位为：第一矢量距离所在的距离区间对应的功率设置档位。

应理解，将矢量距离划分至多个距离区间，每个距离区间对应一个功率设置档位。这样，可以按照距离区间的划分粒度分档位或幅度进行功率回退，可以更加准确的进行功率控制，可以进一步减少功率设置对天线性能的影响，优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，上述功率设置档位是功率回退档位，每个功率回退档位对应一个功率回退值。

其中，移动终端采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率，包括：移动终端采用第一矢量距离对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退。

该设计方式中，移动终端可以根据上述第一矢量距离，将需要降SAR的场景和不需要降 SAR的场景，以及需要不同程度SAR降幅的场景区分开。然后，移动终端可以针对不同场景，按照第一矢量距离进行不同档位或幅度的功率回退。也就是说，移动终端可以根据第一天线的第一反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的矢量距离的大小，按照不同档位或幅度进行功率回退(即动态调整移动终端的功率回退值)。这样，可以动态调整移动终端的功率回退值，以减少功率回退对天线性能的影响，可以优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，上述预设状态是FS状态。所述功率回退档位对应的矢量距离越大，则所述功率回退档位对应的功率回退值越小；所述功率回退档位对应的矢量距离越小，则所述功率回退档位对应的功率回退值越大。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，在移动终端采用第一矢量距离对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退之前，本申请实施例的方法还可以包括：移动终端对移动终端中的双向耦合器进行故障预判；若双向耦合器未故障，移动终端则采用第一矢量距离对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退。

应注意，上述实施例中，是基于第一天线的反射系数来动态调整第一天线的发射功率的。因此，本申请中进行功率控制的准确性会受到移动终端采集的第一天线的反射系数的准确性的影响。那么，如果移动终端的双向耦合器故障，移动终端则无法实现功率的准确控制。此时，则可能会因为第一天线的功率回退过小导致SAR不满足法规要求。

为了解决这种问题，该设计方式中，移动终端如果预判到双向耦合器未发生故障，则可以执行执行上述方案设置第一天线的发射功率。这样，可以按照不同档位或幅度进行功率回退，实现功率的准确控制。这样，无论移动终端处于各种状态或场景，都可以保证第一天线的SAR满足法规要求。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，所述移动终端确定所述双向耦合器故障，则不采用第一矢量距离对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退，而是采用预设回退值(如预设回退值1)，对第一天线的发射功率进行功率回退。其中，预设回退值(如预设回退值1)大于或等于上述功率回退档位对应的功率回退值中的最大功率回退值。

该设计方式中，如果预判到双向耦合器故障，移动终端则按照最大回退档位(即预设回退值(如预设回退值1))对第一天线进行功率回退。这样，即使双向耦合器故障，也可以保证第一天线的SAR满足法规要求。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，为了保证第一天线的SAR满足法规要求，无论移动终端处于何种状态或场景，移动终端可以按照最大回退功率值对第一天线进行功率回退。之后，移动终端再根据第一反射系数，按照不同档位或幅度对第一天线功率抬升。

具体的，上述功率设置档位是功率抬升档位，每个功率抬升档位对应一个功率抬升值。在移动终端采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率之前，本申请的方法还包括：移动终端采用预设回退值(如预设回退值1)，对第一天线的发射功率进行功率回退。

其中，上述移动终端采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率，包括：移动终端采用第一矢量距离对应的功率抬升档位，抬升第一天线的发射功率。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，上述预设状态是移动终端处于FS状态。其中，功率抬升档位对应的矢量距离越大，则功率抬升档位对应的功率抬升值越大；功率抬升档位对应的矢量距离越小，则功率抬升档位对应的功率抬升值越小。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，在移动终端采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定所述第一天线的发射功率之前，本申请的方法还可以包括：移动终端采用预设回退值(如预设回退值1)，对第一天线的发射功率进行功率回退。其中，该预设回退值(如预设回退值1)大于上述功率抬升档位对应的功率抬升值中的最大功率抬升值。

在该设计方式中，移动终端可以在根据第一反射系数和预设反射系数的矢量距离识别该移动终端所处的状态或场景之前，先按照最大回退档位对第一天线进行功率回退，将第一天线的发射功率回退预设回退值(如预设回退值1)。这样，无论移动终端处于各种状态或场景，都可以保证第一天线的SAR满足法规要求。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，本申请的方法还包括：移动终端对移动终端中的双向耦合器进行故障预判。若双向耦合器未故障，移动终端采用第一矢量距离对应的功率抬升档位，抬升第一天线的发射功率。其中，如果双向耦合器故障，移动终端则可以不抬升第一天线的发射功率。

该设计方式中，移动终端在确定双向耦合器未故障的情况下，抬升第一天线的发射功率。这样，可以避免由于双向耦合器故障，而导致第一反射系数检测不准确，抬升第一天线的发射功率后，导致第一天线的SAR不满足法规要求。

在第一方面的另一种可能的设计方式中，上述至少一个天线包括移动终端的上天线和下天线。第一天线是移动终端的任一个天线。

第二方面，本申请提供一种移动终端的控制方法，该方法可以应用于设置有至少一个天线的移动终端，该至少一个天线包括第一天线。该方法中，移动终端可以获取该第一天线在第一工作频率下的第一反射系数。其中，该第一反射系数是用于表征对应信号幅度和相位的矢量。然后，移动终端可以对比该第一反射系数与多个预设反射系数。其中，移动终端中预先配置有上述多个预设反射系数，该多个多个预设反射系数包括移动终端处于不同状态或场景时，上述第一天线在第一工作频率下的反射系数。如果第一反射系数与上述多个预设反射系数中任一个预设反射系数(如第二反射系数)的差异小于预设差异阈值，移动终端则可以按照该第二反射系数对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率。其中，移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的预设反射系数，每个功率设置档位对应一个功率设置值。

采用该方案，移动终端不需要计算第一反射系数与预设反射系数的矢量距离。移动终端可以从多个预设反射系数中确定出与第一反射系数差异小于预设差异阈值的第二反射系数。然后，移动终端便可以采用确定出的第二反射系数对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率。这样，不仅可以动态设置移动终端的功率回退值，以减少功率设置对天线性能的影响，还可以减少移动终端的计算量。

在第二方面的一种可能的设计方式中，上述移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的预设反射系数，具体可以包括：移动终端中保存有上述多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的反射系数的取值区间。

其中，上述第二反射系数对应的功率设置档位为：该第二反射系数所在的取值区间对应的功率设置档位。

在第二方面的一种可能的设计方式中，一个预设反射系数的功率设置档位对应的功率设置值为：移动终端处于该预设反射系数对应的状态或场景时，第一天线在第一工作频率下，保证SAR值满足法规要求的前提下，该第一天线的发射功率的设置值。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，上述功率设置档位是功率回退档位，每个功率回退档位对应一个功率回退值。

其中，上述移动终端按照该第二反射系数对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率可以包括：移动终端采用第二反射系数对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，在移动终端采用第二反射系数对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退之前，本申请的方法还可以包括：移动终端对移动终端中的双向耦合器进行故障预判。若双向耦合器未故障，移动终端则可以采用第二反射系数对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，如果上述双向耦合器故障，移动终端不采用第二反射系数对应的功率回退档位，对第一天线的发射功率进行功率回退，而是则可以采用预设回退值1，对第一天线的发射功率进行功率回退。其中，预设回退值1大于或等于上述功率回退档位对应的功率回退值中的最大功率回退值。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，上述功率设置档位是功率抬升档位，每个功率抬升档位对应一个功率抬升值。

其中，移动终端采用所述第二反射系数对应的功率设置档位，确定第一天线的发射功率，可以包括：移动终端采用第二反射系数对应的功率抬升档位，抬升第一天线的发射功率。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，在移动终端采用第二反射系数对应的功率抬升档位，抬升第一天线的发射功率之前，本申请实施例的方法还可以包括：移动终端采用预设回退值，对第一天线的发射功率进行功率回退。其中，该预设回退值大于上述功率抬升档位对应的功率抬升值中的最大功率抬升值。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，在移动终端采用第二反射系数对应的功率抬升档位，抬升第一天线的发射功率之前，本申请实施例的方法还可以包括：移动终端对移动终端中的双向耦合器进行故障预判。若双向耦合器未故障，移动终端可以采用第二反射系数对应的功率抬升档位，抬升第一天线的发射功率。其中，如果双向耦合器故障，移动终端则可以不抬升第一天线的发射功率。

在第二方面的另一种可能的设计方式中，上述至少一个天线包括移动终端的上天线和下天线。上述第一天线是上天线和下天线的任一个。

需要说明的是，上述提供的第二方面其任一种可能的设计方式所述的方法所能达到的有益效果，可参考如第一方面及其任一种可能的设计方式中的有益效果，此处不再赘述。

第三方面，本申请提供一种移动终端，该移动终端的边框中设置有至少一个天线，该至少一个天线包括第一天线。该移动终端还包括显示屏、存储器和处理器，显示屏、存储器与处理器耦合。其中，存储器用于存储计算机程序代码，计算机程序代码包括计算机指令。当计算机指令被处理器执行时，使得移动终端执行如第一方面及其任一种可能的设计方式所述的方法。

第四方面，本申请提供一种芯片系统，该芯片系统应用于包括存储器的移动终端，移动终端的边框中设置有至少一个天线。该至少一个天线包括第一天线。该芯片系统包括一个或多个接口电路和一个或多个处理器；接口电路和处理器通过线路互联；接口电路用于从存储器接收信号，并向处理器发送信号，信号包括存储器中存储的计算机指令；当处理器执行计算机指令时，移动终端执行如第一方面及其任一种可能的设计方式所述的方法。

第五方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，包括计算机指令，当计算机指令在移动终端上运行时，使得移动终端执行如第一方面及其任一种可能的设计方式的方法。

第六方面，本申请实施例提供一种计算机程序产品，当该计算机程序产品在计算机上运行时，使得计算机执行如第一方面及其任一种可能的设计方式的方法。

可以理解地，上述提供的第三方面其任一种可能的设计方式所述的移动终端，第四方面所述的芯片系统，第五方面所述的计算机可读存储介质，第六方面所述的计算机程序产品所能达到的有益效果，可参考如第一方面及其任一种可能的设计方式中的有益效果，此处不再赘述。

附图说明

图1A为本申请实施例提供的一种移动终端被握持的状态的示意图；

图1B为本申请实施例提供的另一种移动终端被握持的状态的示意图；

图1C为本申请实施例提供的另一种移动终端被握持的状态的示意图；

图1D为本申请实施例提供的另一种移动终端被握持的状态的示意图；

图1E为本申请实施例提供的一种手机的各个面的示意图；

图1F为本申请实施例提供的一种移动终端处于SAR状态的示意图；

图1G为本申请实施例提供的一种移动终端上的天线分布示意图；

图1H为本申请实施例提供的一种天线的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图；

图1I为本申请实施例提供的另一种天线的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图；

图2为本申请实施例提供的一种移动终端的硬件结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种移动终端的控制方法流程图；

图4为本申请实施例提供的一种手机的射频电路示意图；

图5为本申请实施例提供的一种引导界面示意图；

图6为本申请实施例提供的另一种天线的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图；

图7A为本申请实施例提供的另一种天线的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图；

图7B为本申请实施例提供的另一种天线的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图；

图7C为本申请实施例提供的另一种移动终端的控制方法流程图；

图8为本申请实施例提供的另一种移动终端的控制方法流程图；

图9为本申请实施例提供的另一种移动终端的控制方法流程图；

图10为本申请实施例提供的一种芯片系统的结构示意图。

具体实施方式

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如，第一摄像头和第二摄像头是指不同的摄像头。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

目前，为了保证移动终端的天线的SAR满足法规要求，无论移动终端处于何种状态或场景，移动终端都按照固定的功率回退值对天线进行功率回退。其中，上述固定的功率回退值是最大SAR对应的状态或场景下，在保证天线的SAR满足法规要求的前提下，对天线进行功率回退所采用的功率回退值。

应理解，即使天线的工作频率一定，移动终端处于不同状态或场景时，该天线的SAR值也可能不同。而法规对于天线的SAR的要求是一定的。由此可见，移动终端处于不同状态或场景时，保证天线的SAR满足法规要求所需要的SAR降幅可以不同，进而对天线进行功率回退所采用的功率回退值则不同。

具体的，天线的SAR值越大，在保证天线的SAR满足法规要求的前提下，天线的SAR降幅则越大，对天线进行功率回退所采用的功率回退值则越大。天线的SAR值越小，在保证天线的SAR满足法规要求的前提下，天线的SAR降幅则越小，对天线进行功率回退所采用的功率回退值则越小。也就是说，在保证天线的SAR满足法规要求的前提下，天线的SAR值与对天线进行功率回退所采用的功率回退值正相关。

例如，假设法规要求天线的SAR值不得高于SAR_X；移动终端处于场景A时，移动终端中天线1的SAR值为SAR₁；移动终端处于场景B时，移动终端中天线1的SAR值为SAR₂。其中，SAR₁>SAR_X，SAR₂>SAR_X，SAR₁>SAR₂。

由于SAR₁>SAR_X；因此，在场景A下，移动终端需要对天线1进行功率回退，才可以降低天线1的SAR，保证天线1的SAR满足法规要求。例如，假设在场景A下，移动终端将天线1的发射功率回退Δ1，便可以保证天线1的SAR满足法规要求。

由于SAR₂>SAR_X，因此，在场景B下，移动终端需要对天线1进行功率回退，才可以降低天线1的SAR，保证天线1的SAR满足法规要求。例如，假设在场景B下，移动终端将天线1的发射功率回退Δ2，便可以保证天线1的SAR满足法规要求。

其中，由于SAR₁>SAR₂；因此，天线1在场景A的功率回退值Δ1大于天线1在场景B的功率回退值Δ2。但是，按照上述方案，无论移动终端处于场景A或场景B，移动终端均按照固定的功率回退值(如Δ1)对天线1进行功率回退。这样，虽然可以最大限度降低天线的发射功率，保证天线的SAR满足法规要求；但是，如果移动终端处于场景B，则会出现天线1的功率回退过多的问题，则会损失移动终端的天线性能，进而影响移动终端的通信质量。

基于此，本申请实施例提出一种移动终端的控制方法，该方法中，移动终端可以在该移动终端处于不同状态或者场景时，按照不同档位或幅度对天线进行功率回退。

具体的，移动终端可以依据天线的实际反射系数与预设反射系数的矢量距离，区分出移动终端的不同状态或者场景。如此，移动终端便可以将需要降SAR(即进行功率回退)的场景和不需要降SAR的场景，以及需要不同程度SAR降幅的场景区分开。然后，移动终端可以针对不同场景，进行不同档位或幅度的功率回退。这样，可以避免在不需要SAR降幅或者SAR 降幅较小的情况下，还按照最大的功率回退值进行功率回退；还可以实现功率的准确控制。

也就是说，采用本方案，可以动态调整移动终端的功率回退值，以减少功率回退对天线性能的影响。这样，可以优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

为了便于理解，本申请实施例这里结合附图介绍本申请实施例涉及的移动终端的各种状态和场景。

(1)移动终端的FS状态：移动终端(如手机)未被用户握持，且移动终端待机的状态。或者，FS状态为移动终端处于待机状态下，与任何物体未接触的理想状态。例如，如图1A所示，手机100(即移动终端)处于FS状态。

上述预设反射系数可以是移动终端处于预设状态(如FS状态)时，天线的反射系数。该预设反射系数是一个固定值，不会随着移动终端所处的状态或场景的变化而发生变化。

(2)移动终端的双侧握持状态：用户手部接触移动终端相对的两个侧边框，握持移动终端的状态。其中，该双侧握持状态可以包括(Hand Left，HL)状态和(Hand Right，HR)状态)。

例如，如图1B中的(a)所示，手机100(即移动终端)被用户左手握持处于双侧握持状态(即HL状态)；用户左手虎口接触手机100的左侧边框，用户左手的手指接触手机100的右侧边框。

又例如，如图1B中的(b)所示，手机100被用户右手握持处于双侧握持状态(即HR状态)；用户右手虎口接触手机100的右侧边框，用户右手的手指接触手机100的左侧边框。

又例如，如图1B中的(c)所示，手机100被用户双手握持处于双侧握持状态；用户左手接触手机100的左侧边框，用户右手接触手机100的右侧边框。

又例如，如图1D中的(a)所示，移动终端100(如手机100或平板电脑100)被用户双手握持处于双侧握持状态；用户左手接触移动终端100的上侧边框，用户右手接触移动终端100的下侧边框。

(3)移动终端的单侧握持状态。

例如，如图1C中的(a)所示，手机100(即移动终端)被用户左手握持处于单侧握持状态(即左单侧握持状态)；用户左手接触手机100的左侧边框。如图1C中的(b)所示，手机100(即移动终端)被用户右手握持处于单侧握持状态(即右单侧握持状态)；用户右手接触手机100的左侧边框。

又例如，如图1D中的(b)所示，移动终端100被用户左手握持处于单侧握持状态；用户左手接触手机100的上侧边框。如图1D中的(c)所示，移动终端100被用户右手握持处于单侧握持状态；用户右手接触移动终端100的下侧边框。

结合上述双侧握持状态或单侧握持状态，移动终端可以处于不同的工作场景。该工作场景是指在美国无线通信和互联网协会(Cellular Telecommunications IndustryAssociation CTIA)模型中所定义的、该移动终端处于上述各种握持状态工作的场景。本申请实施例这里介绍移动终端的各种工作场景。

(4)头手模(Beside Head Hand，BHH)场景。

移动终端被用户手持(如移动终端处于图1A、图1B中的(a)、图1B中的(b)、图1C中的(a)或者图1C中的(b)所示的状态)，且进行语音通话的场景。BHH状态包括头左侧手模(Beside Head and Hand Left side，BHHL)场景和头右侧手模(Beside Head and HandRight side，BHHR)场景。

(5)手模场景，即Hand Only场景。

移动终端被用户手持(如移动终端处于图1B中的(a)、图1B中的(b)、图1B中的(c)、图1C中的(a)、图1C中的(b)、图1D中的(a)、图1D中的(b)、图1D中的(c)所示的状态)，且除语音通话之外的场景。例如，用户手持移动终端、上网、走路，或者移动终端黑屏，都属于上述手模场景。

其中，上述头手模(BHH)场景和手模(Hand Only)场景均为移动终端的测试场景。移动终端的测试场景包括但不限于上述头手模场景和手模场景。该测试场景还可以包括区别于上述头手模场景之外的其他通话场景。该其他通话场景可以包括：移动终端未被用户手持，且进行语音通话的场景，如当移动终端被用户放置在桌子上，且该移动终端通过扬声器播放外音与其他电子设备进行语音通信的场景。移动终端的测试场景还可以包括：SAR测试场景/ 状态。

(6)SAR测试场景/状态。

其中，当移动终端运行过程中，移动终端中天线的SAR可能会超出法规要求。例如，移动终端开启热点后，该移动终端的天线的SAR值则可能会较高，超出法规要求。如果天线的 SAR值超过法规要求，移动终端需要调整天线的相应工作参数(如天线发射功率)，以使得天线的SAR满足法规要求(如辐射在法规要求范围内)。

需要说明的是，上述SAR状态可以包括不同距离下的SAR状态，如0毫米(mm)SAR状态，5mm SAR状态和10mm SAR状态等。其中，上述距离是指移动终端(如手机100)与人体或人体测试模型之间的距离。

其中，检测移动终端中任一个天线的SAR时，通常需要检测手机100的正面、背面(或称为反面)、顶面、底面、左侧面和右侧面，该天线的SAR。例如，手机100的正面可以为图1E所示的front，即手机100的显示屏所在的一面)。手机100的背面或反面可以为图1E所示的back，如下述back状态的测试面，即与手机100的显示屏相背对的一面。手机100的顶面可以为图1E所示的top，如下述top状态的测试面，即手机100的顶部所在的平面。手机100的底面可以为图1E所示的bottom，即手机100的底部所在的平面，如扬声器和麦克风所在的平面。手机100的左侧面可以为图1E所示的left side，如下述left side状态的测试面，即手机100的左侧边框所在平面。手机100的右侧面可以为图1E所示的right side，如下述right side状态的测试面，即手机100的右侧边框所在平面。

示例性的，假设移动终端是图1A所示的手机100。本申请实施例这里以5mm rightside 状态、5mm back状态、5mm top状态、0mm right side状态、0mm back状态和0mm top状态为例，介绍手机100的SAR状态。

0mm back状态为手机100的背面或反面与人体测试模型10之间的距离为0mm时，手机 100的SAR状态。例如，图1F中的(a)示出手机100所处的0mm back状态。在0mm back状态下，手机100的背面或反面接触人体测试模型10，即手机100的背面或反面与人体测试模型10之间的距离为0mm。其中，将手机100设置在图1F中的(a)所示的0mm back状态，是一种测试天线102在0mm back状态下的SAR值的场景。

5mm back状态为手机100的背面或反面与人体测试模型10之间的距离为5mm时，手机100的SAR状态。例如，图1F中的(b)示出手机100所处的5mm back状态。在5mm back状态下，手机100的背面与人体测试模型10之间的距离为5mm。其中，将手机100设置在图1F 中的(b)所示的5mm back状态，是一种测试天线102在5mm back状态下的SAR值的场景。

0mm right side状态为手机100的右侧面与人体测试模型10之间的距离为0mm时，手机100的SAR状态。例如，图1F中的(c)示出手机100所处的一种0mm right side状态。在图1F中的(c)所示的0mm right side状态下，手机100的右侧面接触人体测试模型10，即手机100的右侧面与人体测试模型10之间的距离为0mm。其中，将手机100设置在图1F 中的(c)所示的0mm right side状态，是一种测试天线102在0mm right side下的SAR值的场景。

5mm right side为手机100的右侧面与人体测试模型10之间的距离为5mm时，手机100 的SAR状态。例如，图1F中的(d)示出手机100所处的5mm right side状态；在5mm rightside状态下，手机100的右侧面与人体测试模型10之间的距离为5mm。其中，将手机100设置在图1F中的(d)所示的5mm right side状态，是一种测试天线102在5mm right side 下的SAR值的场景。

0mm top状态为手机100的顶面与人体测试模型10之间的距离为0mm时，手机100的SAR状态。例如，图1F中的(e)示出手机100所处的一种0mm top状态。在图1F中的(e) 所示的0mm top状态下，手机100的顶面接触人体测试模型10，即手机100的顶面与人体测试模型10之间的距离为0mm。其中，将手机100设置在图1F中的(e)所示的0mm top状态，是一种测试天线102在0mm top状态下的SAR值的场景。

5mm top状态为手机100的顶面与人体测试模型10之间的距离为5mm时，手机100的SAR状态。例如，图1F中的(f)示出手机100所处的5mm top状态；在5mm top状态下，手机100的顶面与人体测试模型10之间的距离为5mm。其中，将手机100设置在图1F中的 (f)所示的5mm top状态，是一种测试上天线102在5mm top状态下的SAR值的场景。

应注意，移动终端处于上述不同状态或场景时，上天线102的SAR值不同。因此，移动终端处于上述不同状态或场景的情况下，该移动终端对上天线102进行不同幅度或档位的功率回退，便可以保证该上天线102的SAR满足法规要求。

例如，移动终端处于头手模(BHH)场景时，移动终端可能需要对天线(如上天线102) 进行较大幅度或档位的功率回退，才可以保证该上天线102的SAR满足法规要求；而移动终端处于FS状态时，该移动终端可能不需要对上天线102进行功能回退，或者进行较小幅度或档位的功率回退，就可以保证该上天线102的SAR满足法规要求。

基于此，本申请实施例中，可以将需要降SAR的场景(即需要进行功率回退的场景)和不需要降SAR的场景(即不需要进行功率回退的场景)，以及需要不同程度SAR降幅的场景 (即需要进行不同档位或幅度的功率回退的场景)区分开。然后，再针对上述不同的场景，进行功率回退。

具体的，本申请实施例提供一种移动终端的控制方法，该方法可以应用于包括至少一个天线的移动终端。

在一些实施例中，以移动终端是图1A所示的手机100为例。上述至少一个天线可以包括图1A所示的手机100的上天线102和下天线101等天线中的一个或多个天线。

需要说明的是，附图(例如，图1A、图1B或图1C)中虚线框所示的天线(如下天线101或上天线102)的位置仅为示意性的。下天线101和上天线102可以设置在手机100的边框上，也可以设置在手机100上靠近边框的位置(如手机100的边框内侧，或靠近边框的支架上)，本申请实施例这里不作限制。以下实施例中，以手机100的导电边框作为天线(如下天线101或者上天线102)为例，介绍本申请实施例的方法。

在另一些实施例中，以上述移动终端是手机为例。上述至少一个天线可以设置在手机的上侧边框和右侧边框。

例如，如图1D中的(a)、图1D中的(b)或图1D中的(c)所示，手机100可以包括天线103。该天线103设置在手机100上侧边框和右侧边框。

在另一些实施例中，以上述移动终端是手机为例。上述至少一个天线可以设置在手机的上侧边框、左侧边框和右侧边框。

例如，如图1G中的(a)，手机100可以包括天线105，还包括天线104和/或天线106。其中，天线105设置在手机100的上侧边框，天线104设置在手机100的左侧边框，天线106 设置在手机100的右侧边框。又例如，如图1G中的(b)所示，手机100包括天线107。可选的，图1G中的(b)所示的手机100还可以包括天线108。其中，天线107设置在手机100的上侧边框和左侧边框，天线108设置在手机的右侧边框。

需要说明的是，图1G中的(a)和图1G中的(b)所示中虚线框所示的天线的位置仅为示意性的。上述天线可以设置在手机100的边框上，也可以设置在手机100上靠近边框的位置(如手机100的边框内侧，或靠近边框的支架上)。例如，天线104和天线106设置在手机100的边框上，天线105设置在手机100的边框内侧。本申请实施例对天线在边框的位置不作限制。以下实施例中，以天线设置在手机100的边框上为例，介绍本申请实施例的方法。

需要说明的是，上述至少一个天线在移动终端中的位置包括但不限于上述附图所示的位置。例如，移动终端的四个边框都可以设置有天线。上述至少一个天线在移动终端中的其他设置方式，可参考以下实施例中的相关描述，这里不予赘述。

可以理解，如上述附图所示，移动终端(如手机100)处于不同状态或场景时，移动终端 (如手机100)中天线的阻抗不同。具体的，天线与人体或人体检测模型10的相对位置和距离，都会影响天线的阻抗。

其中，相比于移动终端处于FS状态时，移动终端的天线的阻抗；当用户握持移动终端的一侧或者人体测试模型10靠近移动终端的一侧时，设置在该移动终端的这一侧的天线的阻抗会发生变化。从而，该天线的反射系数也会发生变化。其中，该天线的反射系数是根据该天线的发射信号的功率，以及该发射信号的反射信号的功率计算得到的。

由此可见，移动终端在不同的握持状态或场景(如工作场景或测试场景)下，人体或人体测试模型10等外物与该移动终端中天线的接触情况不同；因此，该移动终端中天线的阻抗不同，从而天线的反射系数不同。也就是说，移动终端中天线的反射系数，可以用于体现该移动终端的握持状态或场景。具体的，天线的反射系数在史密斯圆图中的位置变化，可以反映出该天线的阻抗变化情况。该天线的阻抗变化不同，天线的反射系数在史密斯圆图中的位置则不同。

如此，本申请实施例中，移动终端可以根据该移动终端中天线的反射系数，按照不同档位或幅度进行功率回退(即动态调整移动终端的功率回退值)。例如，根据天线的反射系数对应到史密斯圆图中的位置，来确定功率回退的档位或幅度。

示例性的，天线的反射系数在史密斯圆图中的位置可以通过以下距离参数来表征，如该天线的反射系数在史密斯圆图中的位置与预设反射系数在史密斯圆图中的位置之间的距离。其中，上述天线的反射系数在史密斯圆图中的位置与预设反射系数在史密斯圆图中的位置之间的距离，可以简称为天线的反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的距离。

其中，预设反射系数可以是移动终端处于预设状态(如FS状态)时，该天线的反射系数。该预设反射系数是一个预设参考值，例如为固定值。随着移动终端的握持状态或者场景发生变化，天线的反射系数会发生变化，该天线的反射系数在史密斯圆图中的位置则不同，该天线的反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的距离则不同。因此，本申请实施例中，可以根据天线的反射系数与预设反射系数的比较结果，按照不同档位或幅度设置移动终端中天线的发射功率(如对天线的发射功率进行功率回退，即动态调整移动终端的功率回退值)。例如，根据天线的反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的距离的大小，来确定功率设置的档位或幅度。

请参考图1H，其示出一种手机100处于不同的握持状态或场景下，该手机100的上天线 102的反射系数在史密斯圆图中的位置变化示意图。

其中，如图1H所示，该天线的工作频率在1.8999GHz-1.9001GHz的频率范围(Frequency Range)。图1H所示的各个圆点表示上天线102的工作频率为1.9001GHz时，该上天线102处于不同状态时的反射系数。

从图1H可以看出：手机100分别处于FS状态、0mm bottom状态、1mm bottom状态、2mm bottom状态、3mm bottom状态、4mm bottom状态、5mm bottom状态、6mm bottom状态、7mm bottom状态、8mm bottom状态、9mm bottom状态、10mm bottom状态、11mm bottom状态或12mm bottom状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置均不同。

并且，从图1H可以看出：手机100分别处于0mm bottom状态和1mm bottom状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较近。本申请实施例中将图1H所示的 0mm bottom状态和1mm bottom状态称为第1组状态。

从图1H可以看出：手机100分别处于2mm bottom状态、3mm bottom状态和4mmbottom 状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较近。本申请实施例中将图1H所示的2mm bottom状态、3mm bottom状态和4mm bottom状态称为第2组状态。

从图1H可以看出：手机100分别处于5mm bottom状态、6mm bottom状态和7mmbottom 状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较近。本申请实施例中将图1H所示的5mm bottom状态、6mm bottom状态和7mm bottom状态称为第3组状态。

从图1H可以看出：手机100分别处于8mm bottom状态、9mm bottom状态、10mmbottom 状态、11mm bottom状态和12mm bottom状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较近。本申请实施例中将图1H所示的8mm bottom状态、9mm bottom状态、 10mm bottom状态、11mm bottom状态和12mm bottom状态称为第4组状态。

但是，手机100处于上述第1组状态中的任一种状态、第2组状态中的任一种状态、第 3组状态中的任一种状态或者第4组状态中的任一种状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离是比较远的。或者说，这4组状态下的天线反射系数在史密斯圆图上的位置，分别与FS状态在史密斯圆图上位置之间的距离相差较大，因此，根据上天线102 的反射系数与预设反射系数(例如FS状态下的反射系数)，可以识别出上述第1组状态、第 2组状态、第3组状态和第4组状态。

需要说明的是，本申请实施例中将bottom面的多种状态划分为四组是为了说明：手机 100在一些状态或场景下，上天线102的反射系数与预设反射系数的距离是比较远的，可以基于此来区分手机100的不同状态。上述分组仅为示例，还可以按照不同粒度对bottom面的多种状态进行分类。当然，手机100的其他状态或场景(如top面的多种状态或者back面的多种状态)也可以有类似或者不同的划分方式，本申请实施例对此不作限制。

一般而言，人体或人体检测模型10与手机100间隔越远(如间隔10mm)，手机100中天线的反射系数与手机100处于FS状态下的反射系数，在史密斯圆图上位置之间的距离越近。在这种情况下，天线的SAR值对人体或人体检测模型10的影响较小，天线的SAR降幅则越小。

人体或人体检测模型10与手机100间隔越近(如间隔5mm)，手机100中天线的反射系数与手机100处于FS状态下的反射系数，在史密斯圆图上位置之间的距离越远。在这种情况下，天线的SAR值对人体或人体检测模型10的影响较大，天线的SAR降幅则越大。

因此，本申请实施例中，以0mm bottom状态代表第1组状态，5mm bottom状态代表第3 组状态，10mm bottom状态代表第4组状态为例。通过上天线102的反射系数识别0mmbottom 状态、5mm bottom状态和10mm bottom状态为例，介绍本申请实施例的方法。

由上述描述可知：手机100分别处于上述每组状态的任意两种状态的情况下，上天线102 的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较近。目前根据上天线102的反射系数不易于区分这两种状态。例如，手机100分别处于第3组状态中的6mm bottom状态和7mm bottom状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较近，根据上天线102的反射系数不易于区分这两种状态。但是，随着技术的不断发展，手机100获取天线的反射系数的精度会越来越高。手机100获取反射系数的精度达到一定水平，根据天线的反射系数便可以区分出上述两种状态。本申请实施例中的数据用于说明本申请实施例的实现原理，并不限制本申请实施例提供的方案及其技术效果。

需要注意的是，本申请实施例中所述的反射系数是用于表征对应信号的幅度和相位的矢量。其中，图1H所示的各个反射系数为线性值，可转换为对应信号的幅度和相位。

以预设状态是FS状态，天线的工作频率是1.9001GHz为例。预设反射系数是图1H或图 1I所示的FS状态对应的黑色圆点处的反射系数。

其中，手机处于10mm bottom状态下天线的反射系数与手机处于FS状态下天线的反射系数，在史密斯圆图上的距离为图1I所示直线1的长度。手机处于5mm bottom状态下天线的反射系数与手机处于FS状态下天线的反射系数，在史密斯圆图上的距离为图1I所示直线2 的长度。手机处于0mm bottom状态下天线的反射系数与手机处于FS状态下天线的反射系数，在史密斯圆图上的距离为图1I所示直线3的长度。

由图1I可知：直线1、直线2和直线3的长度均不同。因此，移动终端可以根据该直线1、直线2或直线3的长度，按照不同档位或幅度进行功率回退(即动态调整移动终端的功率回退值)。

示例性的，本申请实施例中所述的移动终端可以是手机、平板电脑、膝上型、手持计算机、蜂窝电话、增强现实(augmented reality，AR)\虚拟现实(virtual reality，VR)设备等安装有天线的移动终端，本申请实施例对该移动终端的具体形态不作特殊限制。

请参考图2，为本申请实施例提供的一种移动终端200的硬件结构示意图。如图2所示，移动终端200可以包括：处理器210，外部存储器接口220，内部存储器221，通用串行总线 (universal serial bus，USB)接口240，充电管理模块230，电源管理模块231，电池232，天线1，天线2，移动通信模块250，无线通信模块260，音频模块270，扬声器270A，受话器270B，麦克风270C，耳机接口270D，传感器模块280，按键290，马达291，指示器292，摄像头293，显示屏294，以及用户标识模块(subscriber identification module，SIM) 卡接口295等。

其中，传感器模块280可以包括压力传感器280A，陀螺仪传感器280B，气压传感器280C，磁传感器280D，加速度传感器280E，距离传感器280F，接近光传感器280G，指纹传感器280H，温度传感器280J，触摸传感器280K，环境光传感器280L，骨传导传感器280M等。

可以理解的是，本实施例示意的结构并不构成对移动终端200的具体限定。在另一些实施例中，移动终端200可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。

处理器210可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器210可以包括应用处理器(application processor，AP)，调制解调处理器，图形处理器(graphics processingunit， GPU)，图像信号处理器(image signal processor，ISP)，控制器，存储器，视频编解码器，数字信号处理器(digital signal processor，DSP)，基带处理器，和/或神经网络处理器 (neural-network processing unit，NPU)等。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器中。

控制器可以是移动终端200的神经中枢和指挥中心。控制器可以根据指令操作码和时序信号，产生操作控制信号，完成取指令和执行指令的控制。

处理器210中还可以设置存储器，用于存储指令和数据。在一些实施例中，处理器210 中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器210刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器210需要再次使用该指令或数据，可从所述存储器中直接调用。避免了重复存取，减少了处理器210的等待时间，因而提高了系统的效率。

在一些实施例中，处理器210可以包括一个或多个接口。接口可以包括集成电路(inter- integrated circuit，I2C)接口，集成电路内置音频(inter-integrated circuitsound， I2S)接口，脉冲编码调制(pulse code modulation，PCM)接口，通用异步收发传输器 (universal asynchronous receiver/transmitter，UART)接口，移动产业处理器接口(mobile industry processor interface，MIPI)，通用输入输出(general-purposeinput/output，GPIO)接口，用户标识模块(subscriber identity module，SIM)接口，和 /或通用串行总线(universal serial bus，USB)接口等。

可以理解的是，本实施例示意的各模块间的接口连接关系，只是示意性说明，并不构成对移动终端200的结构限定。在另一些实施例中，移动终端200也可以采用上述实施例中不同的接口连接方式，或多种接口连接方式的组合。

充电管理模块230用于从充电器接收充电输入。其中，充电器可以是无线充电器，也可以是有线充电器。在一些有线充电的实施例中，充电管理模块230可以通过USB接口240接收有线充电器的充电输入。在一些无线充电的实施例中，充电管理模块230可以通过移动终端200的无线充电线圈接收无线充电输入。充电管理模块230为电池232充电的同时，还可以通过电源管理模块231为移动终端供电。

电源管理模块231用于连接电池232，充电管理模块230与处理器210。电源管理模块 231接收电池232和/或充电管理模块230的输入，为处理器210，内部存储器221，外部存储器，显示屏294，摄像头293，和无线通信模块260等供电。电源管理模块231还可以用于监测电池容量，电池循环次数，电池健康状态(漏电，阻抗)等参数。在其他一些实施例中，电源管理模块231也可以设置于处理器210中。在另一些实施例中，电源管理模块231和充电管理模块230也可以设置于同一个器件中。

移动终端200的无线通信功能可以通过天线1，天线2，移动通信模块250，无线通信模块260，调制解调处理器以及基带处理器等实现。

在一些实施例中，电子设备100的天线1和移动通信模块250耦合，天线2和无线通信模块260耦合，使得电子设备100可以通过无线通信技术与网络以及其他设备通信。所述无线通信技术可以包括全球移动通讯系统(global system for mobilecommunications，GSM)，通用分组无线服务(general packet radio service，GPRS)，码分多址接入(code division multiple access，CDMA)，宽带码分多址(wideband codedivision multiple access，WCDMA)，时分码分多址(time-division code divisionmultiple access，TD-SCDMA)，长期演进(long term evolution，LTE)，BT，GNSS，WLAN，NFC，FM，和/或IR技术等。所述GNSS可以包括全球卫星定位系统(global positioning system，GPS)，全球导航卫星系统(global navigation satellite system，GLONASS)，北斗卫星导航系统(beidou navigation satellite system，BDS)，准天顶卫星系统(quasi-zenithsatellite system，QZSS)和/或星基增强系统(satellite based augmentationsystems，SBAS)。

天线1和天线2用于发射和接收电磁波信号。移动通信模块250可以提供应用在移动终端200上的包括2G/3G/4G/5G等无线通信的解决方案。移动通信模块250可以包括至少一个滤波器，开关，功率放大器，低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)等。移动通信模块250可以由天线1接收电磁波，并对接收的电磁波进行滤波，放大等处理，传送至调制解调处理器进行解调。移动通信模块250还可以对经调制解调处理器调制后的信号放大，经天线1转为电磁波辐射出去。

无线通信模块260可以提供应用在移动终端200上的包括无线局域网(wirelesslocal area networks，WLAN)(如无线保真(wireless fidelity，Wi-Fi)网络)，蓝牙(bluetooth， BT)，全球导航卫星系统(global navigation satellite system，GNSS)，调频(frequency modulation，FM)，近距离无线通信技术(near field communication，NFC)，红外技术 (infrared，IR)等无线通信的解决方案。无线通信模块260可以是集成至少一个通信处理模块的一个或多个器件。无线通信模块260经由天线2接收电磁波，将电磁波信号调频以及滤波处理，将处理后的信号发送到处理器210。无线通信模块260还可以从处理器210接收待发送的信号，对其进行调频，放大，经天线2转为电磁波辐射出去。

需要说明的是，上述天线1也可以用于移动通信模块250或无线通信模块260以辐射电磁波，上述天线2也可以用于移动通信模块250或无线通信模块260以接收电磁波，反之亦然。

移动终端200通过GPU，显示屏294，以及应用处理器等实现显示功能。GPU为图像处理的微处理器，连接显示屏294和应用处理器。GPU用于执行数学和几何计算，用于图形渲染。处理器210可包括一个或多个GPU，其执行程序指令以生成或改变显示信息。

显示屏294用于显示图像，视频等。显示屏294包括显示面板。移动终端200可以通过 ISP，摄像头293，视频编解码器，GPU，显示屏294以及应用处理器等实现拍摄功能。ISP用于处理摄像头293反馈的数据。在一些实施例中，ISP可以设置在摄像头293中。

摄像头293用于捕获静态图像或视频。在一些实施例中，移动终端200可以包括1-N个摄像头293，N为大于1的正整数。NPU为神经网络(neural-network，NN)计算处理器，通过借鉴生物神经网络结构，例如借鉴人脑神经元之间传递模式，对输入信息快速处理，还可以不断的自学习。

外部存储器接口220可以用于连接外部存储卡，例如Micro SD卡，实现扩展移动终端 200的存储能力。外部存储卡通过外部存储器接口220与处理器210通信，实现数据存储功能。例如将音乐，视频等文件保存在外部存储卡中。

内部存储器221可以用于存储计算机可执行程序代码，所述可执行程序代码包括指令。处理器210通过运行存储在内部存储器221的指令，从而执行移动终端200的各种功能应用以及数据处理。内部存储器221可以包括存储程序区和存储数据区。

其中，存储程序区可存储操作系统，至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能，图像播放功能等)等。存储数据区可存储移动终端200使用过程中所创建的数据(比如音频数据，电话本等)等。此外，内部存储器221可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件，闪存器件，通用闪存存储器(universalflash storage，UFS)等。

移动终端200可以通过音频模块270，扬声器270A，受话器270B，麦克风270C，耳机接口270D，以及应用处理器等实现音频功能。例如音乐播放，录音等。

音频模块270用于将数字音频信息转换成模拟音频信号输出，也用于将模拟音频输入转换为数字音频信号。扬声器270A，也称“喇叭”，用于将音频电信号转换为声音信号。移动终端200可以通过扬声器270A收听音乐，或收听免提通话。受话器270B，也称“听筒”，用于将音频电信号转换成声音信号。当移动终端200接听电话或语音信息时，可以通过将受话器270B靠近人耳接听语音。麦克风270C，也称“话筒”，“传声器”，用于将声音信号转换为电信号。耳机接口270D用于连接有线耳机。

压力传感器280A用于感受压力信号，可以将压力信号转换成电信号。在一些实施例中，压力传感器280A可以设置于显示屏294。压力传感器280A的种类很多，如电阻式压力传感器，电感式压力传感器，电容式压力传感器等。

陀螺仪传感器280B可以用于确定移动终端200的运动姿态。在一些实施例中，可以通过陀螺仪传感器280B确定移动终端200围绕三个轴(即，x，y和z轴)的角速度。陀螺仪传感器280B可以用于拍摄防抖。

磁传感器280D包括霍尔传感器。移动终端200可以利用磁传感器280D检测翻盖皮套的开合。加速度传感器280E可检测移动终端200在各个方向上(一般为三轴)加速度的大小。当移动终端200静止时可检测出重力的大小及方向。

距离传感器280F，用于测量距离。移动终端200可以通过红外或激光测量距离。例如，本申请实施例中，移动终端200可以通过距离传感器280F测量移动终端200与人脸的距离。

接近光传感器280G可以包括例如发光二极管(LED)和光检测器，例如光电二极管。发光二极管可以是红外发光二极管。移动终端200通过发光二极管向外发射红外光。移动终端 200使用光电二极管检测来自附近物体的红外反射光。当检测到充分的反射光时，可以确定移动终端200附近有物体。当检测到不充分的反射光时，移动终端200可以确定移动终端200 附近没有物体。

环境光传感器280L用于感知环境光亮度。移动终端200可以根据感知的环境光亮度自适应调节显示屏294亮度。环境光传感器280L也可用于拍照时自动调节白平衡。环境光传感器 280L还可以与接近光传感器280G配合，检测移动终端200是否在口袋里，以防误触。

指纹传感器280H用于采集指纹。移动终端200可以利用采集的指纹特性实现指纹解锁，访问应用锁，指纹拍照，指纹接听来电等。

温度传感器280J用于检测温度。在一些实施例中，移动终端200利用温度传感器280J 检测的温度，执行温度处理策略。

触摸传感器280K，也称“触控面板”。触摸传感器280K可以设置于显示屏294，由触摸传感器280K与显示屏294组成触摸屏，也称“触控屏”。触摸传感器280K用于检测作用于其上或附近的触摸操作。触摸传感器可以将检测到的触摸操作传递给应用处理器，以确定触摸事件类型。可以通过显示屏294提供与触摸操作相关的视觉输出。

骨传导传感器280M可以获取振动信号。在一些实施例中，骨传导传感器280M可以获取人体声部振动骨块的振动信号。骨传导传感器280M也可以接触人体脉搏，接收血压跳动信号。

按键290包括开机键，音量键等。按键290可以是机械按键。也可以是触摸式按键。移动终端200可以接收按键输入，产生与移动终端200的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。马达291可以产生振动提示。马达291可以用于来电振动提示，也可以用于触摸振动反馈。指示器292可以是指示灯，可以用于指示充电状态，电量变化，也可以用于指示消息，未接来电，通知等。SIM卡接口295用于连接SIM卡。移动终端200可以包括1-N个SIM卡接口295。SIM卡可以通过插入SIM卡接口295，或从SIM卡接口295拔出，实现和移动终端 200的接触和分离。

示例性的，本申请实施例这里以上述移动终端是手机100为例，介绍本申请实施例提供的一种移动终端的控制方法。该手机100的侧边框中设置有至少一个天线。

示例性的，上述至少一个天线的类型可以为：环天线(Loop Antenna)、倒F天线(Inverted F Antenna，IFA)，单极子天线(Monopole Antenna)，缝隙天线(Slot Antenna)，双极子天线(Dipole Antenna)，贴片天线(Patch Antenna)、闭合槽天线等天线结构，或者上述至少两个不同类型的天线形成的混合天线类型的设计和结构。

在一些实施例中，以上述至少一个天线包括上述上天线102(即第一天线)为例，介绍本申请实施例的方法。如图1A所示，上天线102设置在手机100的右上侧边框。

其中，手机100处于不同的状态或场景时，手机100的天线(如上天线102)的反射系数可能不同。因此，本申请实施例中，无论用户以任何握持方式握持手机100，或者手机100处于任何使用场景(如头手模场景或手模场景等)，手机100都可以执行本申请实施例的方法，根据上天线102的反射系数对该上天线102进行功率设置。

具体的，如图3所示，本申请实施例提供的一种移动终端的控制方法可以包括：S301- S303。

S301、手机100获取上天线102在第一工作频率下的第一反射系数。

上述第一反射系数是用于表征对应信号幅度和相位的矢量。第一工作频率为上天线102 当前的工作频率。该第一工作频率是可变的。

其中，一些类型的手机天线工作在1/4波长，另一些类型的手机天线工作在1/2波长。手机(如手机100)的天线的工作频段与天线的谐振波长成反比。例如，工作频段越低，则天线的物理尺寸越大。为了保证上天线102可以工作在一定的频段，上天线102的物理尺寸要保持在一定的尺寸范围内。

例如，假设上天线102的工作频段为2.4GHz。该上天线102的物理尺寸(即天线的长度) 可以为40mm。当然，上述上天线102的物理尺寸包括但不限于40mm，本申请实施例对上天线 102的物理尺寸不作限制。例如，上天线102的物理尺寸可以在15mm-100mm之间。

本申请实施例中，手机100可以根据上天线102在第一工作频率发射信号的前向功率(如前向功率1)和反向功率(如反向功率1)，计算第一反射系数。具体的，手机100可以计算反向功率1与前向功率1的比值得到上述第一反射系数。

本申请实施例这里以前向功率1和反向功率1为例，介绍前向功率和反向功率。其中，前向功率1是上天线102的发射信号(如发射信号1)的功率；反向功率1可以是该发射信号1的反射信号的功率。

请参考图4，其示出本申请实施例提供的一种手机100的射频电路示意图。如图4所示，手机100包括处理器401、射频收发芯片402、射频前端电路403、双向耦合器404、功率切换开关407、衰减器405、天线切换开关406、上天线102、下天线101和天线408。

其中，当图2所示的移动终端是手机100时，图4所示的处理器401可以是图2所示的处理器210，射频收发芯片402、射频前端电路403、双向耦合器404、功率切换开关407、衰减器405、天线切换开关406可以集成在图2所示的移动通信模块250或无线通信模块260 中实现，上天线102可以包括在图2所示的天线1或天线2中。

本申请实施例这里结合图4，介绍手机100的射频电路通过天线发射信号的原理，以及手机100计算天线的反射系数的原理。

(1)发射信号的原理。

处理器401可以通过向射频收发芯片402发送无线电信号。射频收发芯片402可以将该无线电信号转换为射频信号，并向射频前端电路403发送该射频信号。该射频前端电路403 可以对该射频信号进行滤波和放大等，得到发射(Transmit，Tx)信号，然后经过双向耦合器404，通过天线辐射该Tx信号。

其中，天线切换开关406可以是频段切换开关，用于实现各个天线的切换，即通过天线切换开关406可以选择性切换下天线101、上天线102或天线408用于辐射Tx信号或者接收 (Receive，Rx)信号。例如，天线切换开关406可以是双刀双掷开关(dual pole dualthrow， DPDT)或者双刀四掷开关(dual pole 4throw，DP4T)等。

(2)手机100计算天线的反射系数的原理。

经过双向耦合器404由天线辐射的Tx信号的反射信号也会经过双向耦合器404。图4所示的双向耦合器404用于耦合发射到天线的Tx信号的前向功率，以及耦合从天线反射回来的该Tx信号的反向功率(即该Tx信号的反射信号的功率)。功率切换开关407用于前向功率检测和反向功率检测之间的切换。例如，该功率切换开关407可以是DPDT或者单刀双掷开关 (single pole dual throw，SPDT)。

双向耦合器404可以耦合天线切换开关406切换的天线(如上天线102)的前向功率和反向功率。然后，双向耦合器404可以通过功率检测路径(power detection path)向射频收发芯片402的(measurement receiver，MRX)端口反馈该前向功率和反向功率。需要注意的是，本申请实施例所述的双向耦合器404对方向性要求较高。这样，可以避免前向功率泄露到反向端口影响反射系数的检测精度。

具体的，本申请实施例所述的双向耦合器404对方向性要求较高，可以保证双向耦合器 404对Tx信号和反射信号的隔离度较大，可以减少Tx信号和反射信号的相互影响。其中，相比于Tx信号，反射信号的信号强度更弱。如果Tx信号泄露，泄露的Tx信号对反射信号的影响会非常大；这样，会大幅度降低反射系数的检测精度。但是，如果反射信号泄露，泄露的反射信号对Tx信号的影响则比较小，不会对反射系数的检测精度产生较大影响。因此，本申请实施例中采用对方向性要求较高的双向耦合器404，可以避免前向功率(即Tx信号的功率)泄露到反向端口影响反射系数的检测精度。

其中，上述前向功率和反向功率经过MRX端口内部的下变频电路变频后解调，然后射频收发芯片402向处理器401发送解调后的前向功率和反向功率。由处理器401中的调制解调器(Modem)根据接收到的前向功率和反向功率，计算天线的反射系数。其中，处理器401根据天线的前向功率和反向功率计算反射系数的具体方法，可以参考常规技术中的相关描述，这里不予赘述。

由上述实施例可知：天线切换开关406用于实现各个天线的切换。因此，在天线切换开关406切换使用上天线102辐射Tx信号的情况下，射频收发芯片402可检测到通过该上天线 102辐射的Tx信号的前向功率和反向功率，处理器401可以计算得到该上天线102的反射系数，如上天线102在第一工作频率的第一反射系数。

需要说明的是，天线辐射的Tx信号实际的前向功率和反向功率，与射频收发芯片402检测到的该Tx信号的前向功率和反向功率可能会存在误差。如此，则会导致根据上述实际的前向功率和反向功率计算得到的反射系数S，与根据射频收发芯片402检测到的前向功率和反向功率计算得到的反射系数S′存在差异的情况。图4所示的衰减器405用于调整进入射频收发芯片402的功率(如前向功率和反向功率)，以降低或者避免上述误差。

其中，上述第一反射系数用于识别手机100处于不同的握持状态或场景。手机100处于不同的握持状态或场景时，上天线102的第一反射系数不同。

具体的，手机100处于不同的状态或场景下，上天线102的阻抗可能不同。例如，手机 100处于FS状态与手机100处于0mm bottom状态下，即使上天线102的工作频率不变，该上天线102的阻抗也是不同的。因此，手机100处于不同的握持状态或场景下，即使天线的工作频率不变，天线发射信号的前向功率不变，该发射信号的反向功率也会由于天线阻抗的变化而发生变化。从而，天线的反射系数会发生变化。由此可见，手机100处于不同的握持状态或场景时，手机100中天线的反射系数可能不同。

例如，如图1H所示，上天线102的工作频率在1.8999GHz-1.9001GHz的频率范围。图1H 所示的各个圆点表示上天线102的工作频率为1.9001GHz时，该上天线102处于不同状态时的反射系数。

从图1H可以看出：手机100分别处于0mm bottom状态、5mm bottom状态和10mmbottom 状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的位置距离较远。因此，通过上天线 102的反射系数，可以识别出上述0mm bottom状态、5mm bottom状态和10mm bottom状态。

S302、手机100计算第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离。该预设反射系数是手机100处于预设状态时，上天线102在第一工作频率下的反射系数。

其中，第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离为：第一反射系数S11在史密斯圆图上的位置与预设反射系数在史密斯圆图上的位置的直线距离。可以理解的是，本申请实施例中所述的反射系数是用于表征对应信号幅度和相位的矢量。因此，任意两个反射系数在史密斯圆图上的直线距离也可以称为矢量距离。

假设预设状态可以是FS状态，即预设反射系数是手机100处于FS状态时，上天线102 在第一工作频率下的反射系数。应理解，手机100的第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离越大，则表示上天线102的天线阻抗与预设状态时的天线阻抗相比的变化较大。手机 100处于不同状态时，该不同状态对应的反射系数与预设反射系数的矢量距离不同。因此，上述第一矢量距离可用于确定手机100所处的状态或场景。如此，手机100便可以按照手机100 所处的状态或场景对应的档位或幅度，对上天线102进行功率设置(如功率回退，即动态调整移动终端的功率回退值)。

为了可以根据第一矢量距离，确定手机100所处的状态或场景。手机100中可以预先保存手机100处于预设状态(如FS状态)时，上天线102的多个反射系数。上天线102的多个反射系数可以包括：手机100处于预设状态时，上天线102在不同工作频率下的反射系数，包括上述预设反射系数。例如，该上天线102的多个反射系数包括：手机100处于预设状态时，上天线102在第一工作频率下的反射系数。

在一些实施例中，上天线102的多个反射系数可以是手机100出厂时预先保存在手机100 中的。

其中，手机100中预先保存的上述多个反射系数(包括预设反射系数)可以是手机100 出厂前，测试上天线102处于预设状态时，上天线102在不同工作频率下的反射系数得到的。其中，上述预先保存的多个反射系数可以是经过大量测试得到的。其中，上述大量测试可以包括实验室测试和实际用户握持手机的测试。

在另一些实施例中，手机100处于预设状态(如FS状态)时上天线102在不同工作频率下的反射系数，可以是手机100出厂后，引导用户采用至少一种方式握持手机，测量上天线 102在不同工作频率下的反射系数得到的。

例如，手机100出厂后，当手机100第一次开机时，可以显示图5所示的引导界面501。图5所示的引导界面501用于引导用户以左手单侧握持的方式握持手机100。其中，如图1A 所示，上天线102设置在手机100的右侧上边框；因此，用户采用图5所示的左手单侧握持的方式握持手机100，手机100可以采集到上天线102处于FS状态时的反射系数。其中，手机100可以提示用户多次以图5所示的左手单侧握持的方式握持手机100，以便于手机100可以采集上天线102处于FS状态时的多组反射系数。该多组反射系数可以包括上天线102工作在固定频率下的反射系数，或者上天线102工作在不同频率下的反射系数。

手机100可以统计该手机100通过上述引导界面引导用户握持手机100时，所采集到的反射系数，得到并保存上天线102处于预设状态(如FS状态)下的反射系数。

进一步的，手机100还可以在用户使用手机100的过程中，以用户无感知的方式更新上述上天线102的多个反射系数。

其中，天线的反射系数不仅受天线状态的影响，还会受到天线工作频率的影响。例如，上天线102的状态不同时，该上天线102在同一工作频率下的反射系数也不同；并且，上天线102的状态相同时，上天线102在不同工作频率下的反射系数也不同。

示例性的，以上天线102的工作频率在2.4GHz-2.5GHz的频率范围为例。请参考图6，其示出手机100分别处于FS状态(即预设状态)时，上天线102的反射系数在史密斯圆图中的分布示意图。图6所示的史密斯圆图601中两端为白色圆圈和黑色圆圈的曲线用于表示上天线102在不同工作频率下的反射系数。

需要说明的是，针对手机的一个天线而言，手机100处于FS状态时，该天线也处于FS 状态。如果该天线的工作频率不同，那么该天线的反射系数则不同。如图6中的史密斯圆图 601所示，上天线102的工作频率为2.4GHz时，该上天线102的反射系数为曲线1上白色圆圈对应的反射系数；上天线102的工作频率为2.5GHz时，该上天线102的反射系数为曲线1上黑色圆圈对应的反射系数。

示例性的，假设上天线102处于预设状态(如FS状态)时，上天线102在第一工作频率下的预设反射系数为S_FS。

手机100可以采用以下公式(1)，计算第一反射系数S11与预设反射系数为S_FS的第一矢量距离D1_FS，即第一反射系数S11与预设反射系数为S_FS的矢量距离D1_FS。

其中，上述第一反射系数S11和预设反射系数S_FS均为矢量。real(S11)为第一反射系数S11的实部，imag(S11)为第一反射系数S11的虚部。real(S_FS)为预设反射系数S_FS 的实部，imag(S_FS)为预设反射系数S_FS的虚部。

应理解，预设反射系数可以是手机100处于预设状态(如FS状态)时，上天线102的反射系数。该预设反射系数是一个固定值。而上天线102实际的反射系数(第一反射系数)会随着手机100的握持状态或者场景的变化而发生变化。手机100的握持状态或者场景发生变化，该上天线102的反射系数则不同；该上天线102的反射系数在史密斯圆图中的位置则不同，该上天线102的反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的距离则不同。

例如，假设上述第一工作频率为1.95GHz。请参考图7A，其示出手机100分别处于FS状态(即预设状态)、0mm top状态、5mm top状态和10mm top状态的情况下，上天线102的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图。

如表1所示，其示出手机100处于图7A所示的FS状态和top面的各种状态或场景(如0mm top状态、5mm top状态和10mm top)时，上天线102的反射系数的坐标，以及反射系数的第一矢量距离。

表1

其中，手机100的预设反射系数(如S_FS)和第一反射系数(如S_11)均为矢量。表1所示的X1为预设反射系数的实部，如公式(1)中的real(S_FS)；Y1为预设反射系数的虚部，如公式(1)中的imag(S_FS)。表1所示的X2为第一反射系数的实部，如公式(1)中的real(S11)；Y2为第一反射系数的虚部，如公式(1)中的imag(S11)。其中，本申请实施例中所述的反射系数(如表1所示的反射系数)的坐标是该反射系数在史密斯圆图上的坐标换算。

又例如，假设上述第一工作频率为1.95GHz。请参考图7B，其示出手机100分别处于FS 状态(即预设状态)、0mm back状态、5mm back状态和10mm back状态的情况下，上天线102 的反射系数在史密斯圆图上的分布示意图。

如表2所示，其示出手机100处于图7B所示FS状态和back面的的各种状态或场景(如 0mm back状态、5mm back状态和10mm back状态)时，上天线102的反射系数的坐标，以及反射系数的第一矢量距离。

表2

其中，表2所示的X1为预设反射系数的实部，Y1为预设反射系数的虚部；表2所示的X2为第一反射系数的实部，Y2为第一反射系数的虚部。

由图表1可知：手机100处于图7A所示的0mm top状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离(即第一矢量距离)为0.798。由表2可知：手机100处于图7B所示的0mmback 状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离(即第一矢量距离)为0.228。

由此可见，在0mm SAR场景下，手机100的不同面(如top面和back面)的反射系数与预设反射系数的矢量距离不同。如此，在0mm SAR场景，手机100依据第一反射系数与预设反射系数的矢量距离，可以区分出0mm top状态和0mm back状态。即手机100可以区分出0mm SAR场景下的top面和back面。

由图表1可知：手机100处于图7A所示的5mm top状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离(即第一矢量距离)为0.333。由表2可知：手机100处于图7B所示的5mmback 状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离(即第一矢量距离)为0.181。

由此可见，在5mm SAR场景下，手机100的不同面(如top面和back面)的反射系数与预设反射系数的矢量距离不同。如此，在5mm SAR场景，手机100依据第一反射系数与预设反射系数的矢量距离，可以区分出5mm top状态和5mm back状态。即手机100可以区分出5mm SAR场景下的top面和back面。

由图表1可知：手机100处于图7A所示的10mm top状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离(即第一矢量距离)为0.273。由表2可知：手机100处于图7B所示的10mmback状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离(即第一矢量距离)为0.142。

由此可见，在10mm SAR场景下，手机100的不同面(如top面和back面)的反射系数与预设反射系数的矢量距离不同。如此，在10mm SAR场景，手机100依据第一反射系数与预设反射系数的矢量距离，可以区分出10mm top状态和10mm back状态。即手机100可以区分出10mm SAR场景下的top面和back面。

需要说明的是，手机100上不同面上测得的上天线102的反射系数与预设反射系数的矢量距离的差异越大，则该多个面越容易区分。

例如，0mm top状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离为0.798；0mmback状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离为0.228。因此，0mm SAR场景，top面和 back面测得的上天线102的反射系数与预设反射系数的矢量距离的差值为0.798-0.228＝0.570。

又例如，10mm top状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离为0.273；10mm back 状态时的第一反射系数与预设反射系数的矢量距离为0.142。因此，10mm SAR场景，top面和back面测得的上天线102的反射系数与预设反射系数的矢量距离的差值为0.273- 0.142＝0.131。

其中，0.570大于0.131；因此，相比于10mm SAR场景，在0mm SAR场景下，top面和back面更容易区分。

综上所述，手机100依据第一反射系数与预设反射系数的矢量距离，可以区分出手机100 的不同状态/场景。如此，手机100便可以将需要降SAR的场景和不需要降SAR的场景，以及需要不同程度SAR降幅的场景区分开。然后，手机100可以针对不同场景，进行不同档位或幅度的功率设置(如功率回退)。也就是说，手机100可以根据上天线102的第一反射系数与预设反射系数在史密斯圆图中的矢量距离的大小，按照不同档位或幅度进行功率设置(如功率回退，即动态调整移动终端的功率回退值)。具体的，在S302之后，本申请实施例的方法还可以包括S303。

S303、手机100采用第一矢量距离对应的功率设置档位，确定上天线102的发射功率。其中，手机100保存有上天线102的多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离。

在一些实施例中，上述多个功率设置档位可以包括多个矢量距离分别对应的上天线102 的发射功率的功率值。

在一些实施例中，上述功率设置档位也可以称为功率调整档位。该功率调整档位可以是功率回退档位。S303具体可以为：手机100采用第一矢量距离对应的功率设置档位，对上天线102的发射功率进行功率回退。

示例性的，手机100中可以针对手机100的每个天线均保存该天线的多个功率回退档位，以及每个功率回退档位对应的矢量距离。

例如，以上天线102为例，手机100中可以针对上天线102保存多个功率回退档位，以及每个功率回退档位对应的距离区间。请参考表3-1，其示出上天线102的功率回退档位和距离区间表。

表3-1

由表3-1可知：如果第一矢量距离大于或等于L_a，手机100则可以采用Power1档对应的功率回退值p_a，调整上天线102的发射功率；手机100可以将上天线102的发射功能回退p_a dB。如果第一矢量距离小于L_b，手机100则可以采用Power2档对应的功率回退值p_b，调整上天线102的发射功率；手机100可以将上天线102的发射功能回退p_b dB。其中，表3-1所示的L_a可以等于L_b，L_a也可以大于L_b，功率回退值p_b小于功率回退值p_a。

一般而言，发射功率的单位是瓦(W)、千瓦(kW)或者毫瓦(mW)等任一种。发射功率的单位(如mW)与dB(decibel)之间的可以相互换算的。例如，1.0mW＝0dB，1.3mW＝1dB，1.6mW＝2dB， 2.0mW＝3dB。其中，发射功率的单位与dB之间的换算原理和公式，可以参考常规技术中的相关介绍，本申请实施例这里不予赘述。基于发射功率的单位与dB之间可以相互换算的原理，本申请实施例中采用dB作为发射功率和功率增益的公式，介绍本申请实施例的方法。

在一些实施例中，在L_a＝L_b的情况下，如果第一矢量距离等于L_a，手机100可以采用Power2 档对应的功率回退值p_b，调整上天线102的发射功率。在另一些实施例中，在L_a＝L_b的情况下，如果第一矢量距离等于L_a，为了安全起见，手机100可以采用Power1档对应的功率回退值 p_a，调整上天线102的发射功率。

在另一些实施例中，上述第一矢量距离对应的功率回退档位为：第一矢量距离所在的距离区间对应的功率回退档位。例如，请参考表3-2，其示出上天线102的功率回退档位和距离区间表。

表3-2

其中，n≥2，n为整数。应注意，相比于表3-2所示的其他档位(如档位2至档位n)的功率回退值，档位1的功率回退值p₁最大。相比于表3-2所示的其他档位(如档位1至档位n-1)的功率回退值，档位n的功率回退值p_n最小。即p_n＜p₂＜p₁。表3-2所示的L_m＜L_m-1＜L₃＜L₂＜L₁。

手机100可以确定第一矢量距离L对应的距离区间。然后，按照该距离区间对应的功率回退档位，调整上天线102的发射功率。即手机100可以按照该距离区间对应的功率回退档位，对上天线102的发射功率进行功率回退。

例如，如果L∈[L₂，L₁)，则第一矢量距离L对应的功率回退档位为表3-2所示的档位1。在这种情况下，功率回退档位为表3-2所示的档位1，功率回退值为p₁ dB。手机100可以将上天线102的发射功能回退p₁ dB。

如果L∈[L₃，L₂)，则第一矢量距离L对应的功率回退档位为表3-2所示的档位2。在这种情况下，功率回退档位为表3-2所示的档位2，功率回退值为p₂ dB。手机100可以将上天线102的发射功能回退p₂ dB。

如果L∈[L_m，L_m-1)，则第一矢量距离L对应的功率回退档位为表3-2所示的档位n。在这种情况下，功率回退档位为表3-2所示的档位n，功率回退值为p_n dB。手机100可以将上天线102的发射功能回退p_n dB。

需要说明的是，本申请实施例中，手机100处于不同状态或场景时，按照不同档位或幅度对上天线102进行功率回退的原因在于：手机100处于不同状态或场景时，上天线102的 SAR值不同。

其中，上述多个状态或场景可以是手机100的一个面的多个状态或场景，如top面的0mm top状态、5mm top状态和10mm top状态。或者，上述多个状态或场景也可以是手机100的多个面的多个状态或场景，如5mm top状态、5mm back状态、5mm front状态、5mmleft状态和5mm right状态等。或者，上述状态或场景的结合。

例如，以上述多个状态或场景包括多个面的多个状态或场景(如5mm top状态、5mmback 状态、5mm front状态、5mm left状态和5mm right状态)为例。如表4所示，为5mm SAR场景下的SAR值。

表4

其中，LTE B1和LTE B3是两个LTE FDD频段。其中，FDD为频分双工(FrequencyDivision Duplex)。LTE B1的上行频段为1920MHz～1980MHz，下行频段为2110MHz～2170MHz。LTE B3 的上行频段为1710MHz～1785MHz，下行频段为1805MHz～1880MHz。

如表4所示，在LTE B1频段，手机100可统计得到：5mm top状态对应的SAR值为1.28， 5mm back状态对应的SAR值为0.786，5mm front状态对应的SAR值为0.822，5mm left状态对应的SAR值为0.281，5mm right状态对应的SAR值为0.087。

如表4所示，在LTE B3频段，手机100可统计得到：5mm top状态对应的SAR值为0.972， 5mm back状态对应的SAR值为0.46，5mm front状态对应的SAR值为0.413，5mm left状态对应的SAR值为0.089，5mm right状态对应的SAR值为0.047。

示例性的，结合表4，如表5所示，其示出手机100处于表4所示的各个状态或场景下的按照不同档位降幅的功率差异。

表5

本申请实施例中，将SAR值最大的面称为SAR最大面，SAR值仅次于最大SAR值的面称为SAR次大面。如表5所示，在LTE B1频段，SAR最大面为top面，SAR次大面为front；在LTE B3频段，SAR最大面为top面，SAR次大面为back。

由表5可知：在上天线102在相同的工作频率下，手机100的各个面的SAR值不同。并且，SAR最大面与其他面的SAR值差异较大。从而，在保证手机100的SAR满足法规要求的前提下，针对手机100的不同面(即手机100处于不同状态或场景)所进行的功率回退的幅度则也需要存在差异，才可以减少天线性能的损失。

例如，在表5所示的LTE B1频段，SAR最大面为top面，其SAR值为1.28；SAR次大面为front，其SAR值为0.822。按照SAR值与功率的对应关系，1.28的SAR值与0.822的SAR 值之间对应的功率差值为2dB。如此，在保证手机100的SAR满足法规要求的前提下，如果针对SAR最大面按照降幅档位1对应的功率回退值(如p₁)进行功率回退，针对SAR次大面按照降幅档位2对应的功率回退值(如p₂)进行功率回退；那么，相比于针对SAR最大面和 SAR次大面均按照降幅档位1对应的功率回退值(如p₁)进行功率回退，在SAR次大面上天线102的功率可以提升2dB。

又例如，在表5所示的LTE B3频段，SAR最大面为top面，其SAR值为0.972；SAR次大面为back，其SAR值为0.46。按照SAR值与功率的对应关系，0.972的SAR值与0.46的 SAR值之间对应的功率差值为3.2dB。如此，在保证手机100的SAR满足法规要求的前提下，如果针对SAR最大面按照降幅档位1对应的功率回退值(如p1)进行功率回退，针对SAR次大面按照降幅档位2对应的功率回退值(如p2)进行功率回退；那么，相比于针对SAR最大面和SAR次大面均按照降幅档位1对应的功率回退值(如p1)进行功率回退，在SAR次大面上天线102的功率可以提升3.2dB。

表5示出手机100中上天线102的各个面的5mm SAR值，以及SAR最大面和其他面的功率回退的差值。由表5可以得出：上天线102的不同面的SAR值不同。并且，SAR最大面的SAR值与其他面的SAR值相差越大，按照不同档位或幅度进行功率回退，其他面的功率提升则越大，天线性能提升收益则越大。

示例性的，假设上述第一矢量距离为D，功率回退档位为表3-1所示的Power1档和Power2 档，Power1档的功率回退值为p_a dB，Power2档的功率回退值为p_b dB；表3-1所示的距离阈值L_a＝L_b＝Df。

如图7C所示，手机100执行S301-S302可以得到第一矢量距离D。之后，手机100可以执行S303。如图7C所示，手机100可以对比第一矢量距离D与Df的大小；如果D大于Df，手机100则按照Power1档进行功率回退，将上天线102的功率回退p_a dB；如果D小于或等于Df，手机100则按照Power2档进行功率回退，将上天线102的功率回退p_b dB。其中，相比于按照Power1档进行功率回退，按照Power2档进行功率回退时，上天线102的功率可少回退p_a-p_b(dB)，即收益为p_a-p_b(dB)。

综上所述，采用本申请实施例的方法，可以避免在不需要SAR降幅或者SAR降幅较小的情况下，还按照最低的发射功率值来设置上天线的发射功率。具体的，可以避免在不需要SAR 降幅或者SAR降幅较小的情况下，还按照最大的功率回退值进行功率回退。

本申请实施例中，手机100可以在该手机100处于不同场景或者不同握持状态时，按照不同的档位或幅度设置上天线102的发射功率，实现功率的准确控制。具体的，可以按照不同档位或幅度进行功率回退，实现功率的准确控制。这样，可以减少功率回退对天线性能的影响，可以优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

其中，S303中所述的上述多个功率设置档位以及每个功率设置档位对应的距离区间，可以是手机100进行多次测量统计得到的。具体的，如图8所示，在S303之前，手机可以执行 S801。

S801、手机100确定多个功率设置档位以及每个功率设置档位对应的距离区间。

其中，S801可以包括S801a-S801c。手机100可以执行S801a-S801c，得到上述多个功率设置档位以及每个功率设置档位对应的距离区间。在一些实施例中，S801所述的功率设置档位是功率回退档位。

S801a、手机100统计手机100分别处于多个状态或场景时，上天线102在第二工作频率下的第二反射系数，并计算该第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离。

需要说明的是，手机100执行S801a计算第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离的方法，可以参考S302中计算第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离的方法，本申请实施例这里不予赘述。其中，第二工作频率可以等于第一工作频率。手机100可以统计上天线102在多个工作频率下的第二反射系数，并计算第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离。

其中，当人体或人体测试模型以相同的距离靠近手机100的上天线102的不同面(即手机100分别处于多个状态或场景)时，该上天线102的反射系数(即第二反射系数)不同，进而不同第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离则不同。

其中，上述多个状态或场景可以是手机100的一个面的多个状态或场景，如top面的0mm top状态、5mm top状态和10mm top状态。或者，上述多个状态或场景也可以是手机100的多个面的多个状态或场景，如5mm top状态、5mm back状态、5mm front状态、5mmleft状态和5mm right状态等。或者，上述多个状态或场景也可以是手机100的不同面的多个状态或场景，如top面的0mm top状态、5mm top状态、10mm top状态、5mm back状态、5mmfront 状态、5mm left状态和5mm right状态等。

例如，请参考表6-表11，其示出人体检测模型或人体以相同距离靠近手机100中上天线 102的top面、front面、back面、left面和right面时,以及手机100处于HL状态和HR状态下，第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离。其中，表6-表11均以第二工作频率为1.95GHz为例。

表6

表6示出人体或人体检测模型分别以0mm、5mm和10mm靠近手机100的top面时，手机100的第二反射系数，以及第二反射系数与预设反射系数的矢量距离。如表6所示，预设反射系数的实部X1＝-0.04，虚部Y1＝0.27，该预设反射系数为-0.04+0.27i。

如表6所示，0mm top面的第二反射系数的实部X2＝-0.3，虚部Y2＝0.23，该第二反射系数为-0.3-0.23i。0mm top面的第二反射系数-0.3-0.23i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.564。

如表6所示，5mm top面的第二反射系数的实部X2＝-0.25，虚部Y2＝0.03，该第二反射系数为-0.25+0.03i。5mm top面的第二反射系数-0.25+0.03i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.319。

如表6所示，10mm top面的第二反射系数的实部X2＝-0.22，虚部Y2＝0.15，该第二反射系数为-0.22+0.15i。10mm top面的第二反射系数-0.22+0.15i与预设反射系数-0.04+0.27i 的第二矢量距离为0.216。

表7

表7示出人体或人体检测模型分别以0mm、5mm和10mm靠近手机100的back面时，手机 100的第二反射系数，以及第二反射系数与预设反射系数的矢量距离。如表7所示，预设反射系数的实部X1＝-0.04，虚部Y1＝0.27，该预设反射系数为-0.04+0.27i。

如表7所示，0mm back面的第二反射系数的实部X2＝-0.2，虚部Y2＝0，该第二反射系数为-0.2。0mm back面的第二反射系数-0.2与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为 0.314。

如表7所示，5mm back面的第二反射系数的实部X2＝-0.19，虚部Y2＝0.2，该第二反射系数为-0.19+0.2i。5mm back面的第二反射系数-0.19+0.2i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.166。

如表7所示，10mm back面的第二反射系数的实部X2＝-0.15，虚部Y2＝0.27，该第二反射系数为-0.15+0.27i。10mm back面的第二反射系数-0.15+0.27i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.110。

表8

表8示出人体或人体检测模型分别以0mm、5mm和10mm靠近手机100的front面时，手机100的第二反射系数，以及第二反射系数与预设反射系数的矢量距离。如表8所示，预设反射系数的实部X1＝-0.04，虚部Y1＝0.27，该预设反射系数为-0.04+0.27i。

如表8所示，0mm front面的第二反射系数的实部X2＝-0.18，虚部Y2＝0.13，该第二反射系数为-0.18+0.13i，0mm front面的第二反射系数-0.18+0.13i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.198。

如表8所示，5mm front面的第二反射系数的实部X2＝-0.16，虚部Y2＝0.25，该第二反射系数为-0.16+0.25i。5mm front面的第二反射系数-0.16+0.25i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.122。

如表8所示，10mm front面的第二反射系数的实部X2＝-0.12，虚部Y2＝0.29，该第二反射系数为-0.12+0.29i。10mm front面的第二反射系数-0.12+0.29i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.082。

表9

表9示出人体或人体检测模型分别以0mm、5mm和10mm靠近手机100的left面时，手机 100的第二反射系数，以及第二反射系数与预设反射系数的矢量距离。如表9所示，预设反射系数的实部X1＝-0.04，虚部Y1＝0.27，该预设反射系数为-0.04+0.27i。

如表9所示，0mm left面的第二反射系数的实部X2＝-0.13，虚部Y2＝0.37，该第二反射系数为-0.13+0.37i，0mm left面的第二反射系数-0.13+0.37i与预设反射系数-0.04+0.27i 的第二矢量距离为0.135。

如表9所示，5mm left面的第二反射系数的实部X2＝-0.06，虚部Y2＝0.33，该第二反射系数为-0.06+0.33i。5mm left面的第二反射系数-0.06+0.33i与预设反射系数-0.04+0.27i 的第二矢量距离为0.063。

如表9所示，10mm left面的第二反射系数的实部X2＝-0.04，虚部Y2＝0.31，该第二反射系数为-0.04+0.31i。10mm front面的第二反射系数-0.04+0.31i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.040。

表10

表10示出人体或人体检测模型分别以0mm、5mm和10mm靠近手机100的right面时，手机100的第二反射系数，以及第二反射系数与预设反射系数的矢量距离。如表11所示，预设反射系数的实部X1＝-0.04，虚部Y1＝0.27，该预设反射系数为-0.04+0.27i。

如表10所示，0mm right面的第二反射系数的实部X2＝-0.04，虚部Y2＝0.39，该第二反射系数为-0.04+0.39i，0mm right面的第二反射系数-0.04+0.39i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.120。

如表10所示，5mm right面的第二反射系数的实部X2＝-0.02，虚部Y2＝0.33，该第二反射系数为-0.02+0.33i。5mm right面的第二反射系数-0.02+0.33i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.063。

如表10所示，10mm right面的第二反射系数的实部X2＝0，虚部Y2＝0.29，该第二反射系数为0.29i。10mm front面的第二反射系数29i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.045。

表11

表11示出用户以HL状态/HR状态握持手机100时，手机100的第二反射系数，以及第二反射系数与预设反射系数的矢量距离。如表11所示，预设反射系数的实部X1＝-0.04，虚部 Y1＝0.27，该预设反射系数为-0.04+0.27i。

如表11所示，HL状态的第二反射系数的实部X2＝-0.07，虚部Y2＝0.26，该第二反射系数为-0.07+0.26i，HL状态的第二反射系数-0.07+0.26i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.032。

如表11所示，HR状态的第二反射系数的实部X2＝-0.06，虚部Y2＝0.26，该第二反射系数为-0.06+0.26i。HR状态的第二反射系数-0.06+0.26i与预设反射系数-0.04+0.27i的第二矢量距离为0.022。

需要说明的是，上述矢量距离(如第一矢量距离或第二矢量距离)是在史密斯圆图的半径为单位1的情况下，第一反射系数或第二反射系数与预设反射系数在史密斯圆图上的直线距离。该矢量距离是史密斯圆图的半径为单位1的情况下的相对距离，该矢量距离没有单位。

由表6-表10可以得出以下结论(1)-(3)：

(1)人体或人体检测模型分别以0mm、5mm和10mm靠近手机100的同一面(如top面、back面、front面，left面或者right面)时，上述第二矢量距离不同。例如，如表6所示， 0mmtop面的对应的第二矢量距离为0.564，5mm top面的对应的第二矢量距离为0.319，10mmtop面的对应的第二矢量距离为0.216。又例如，如表7所示，0mm back面的对应的第二矢量距离为0.314，5mm back面的对应的第二矢量距离为0.166，10mm back面的对应的第二矢量距离为0.110。

(2)在同一Xmm场景(如0mm场景、5mm场景或者10mm场景)下，不同面(如top面、back面、front面，left面和right面)对应的第二矢量距离也不同。

示例性的，以5mm SAR场景为例。如表6所示，5mm top面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.319。如表7所示，5mm back面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.166。如表8所示，5mm front面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.122。如表9所示，5mm left面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.063。如表10所示，5mm right面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是 0.063。

应注意，在5mm SAR场景下，人体检测模型或人体以相同距离靠近手机100的top面、 front面、back面、left面和right面时，第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离均不同。手机100可根据第二矢量距离区分5mm SAR场景下的各个状态或场景。

例如，5mm SAR场景中，5mm top面对应的第二矢量距离0.319最大；其余面(包括5mm back面、5mm front面、5mm left面和5mm right面)的最大第二矢量距离为0.166。HL状态和HR状态的最大第二矢量距离为0.032。0.319远大于0.166和0.032。因此，手机100至少可以区分出将5mm top面与5mm SAR场景的其他面(包括5mm back面、5mm front面、5mmleft面和5mm right面)区分开来。

示例性的，以0mm SAR场景为例。如表6所示，0mm top面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.564；如表7所示，0mm back面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.314；如表8所示，0mm front面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.198；如表9所示，0mm left面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是0.135；如表10所示，0mm right面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离是 0.12；如表11所示，HL状态和HR状态的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离分别是0.032和0.022。

应注意，在0mm SAR场景下，人体检测模型或人体以相同距离靠近手机100的top面、 front面、back面、left面和right面时，第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离均不同。手机100可根据第二矢量距离区分上述各个状态或场景。

例如，0mm SAR场景中，0mm top面对应的第二矢量距离0.564最大；其余面(包括0mm back面、0mm front面、0mm left面和0mm right面)的最大第二矢量距离为0.314。HL状态和HR状态的最大第二矢量距离为0.032。0.564远大于0.314和0.032。因此，手机100至少可以区分出将0mm top面与0mm SAR场景的其他面(包括0mm back面、0mm front面、0mmleft面和0mm right面)区分开来。

(3)上述Xmm场景(如0mm场景、5mm场景或者10mm场景)的各个面对应的第二矢量距离与HL/HR状态对应的第二矢量距离不同。例如，如表11所示，HL状态和HR状态的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离分别是0.032和0.022；而表6-表10所示的最小的第二矢量距离为0.040。

在上述(1)-(3)这三种情况下，手机100处于不同状态或场景时的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离不同。手机100可以根据不同状态或场景对应的第二矢量距离，区分各个状态或场景。其中，第二矢量距离的差异越大，则手机100所处的状态或场景越容易区分。

当然，也有部分状态或场景下的第二矢量距离是相同或相近的。例如，5mm front面的对应的第二矢量距离为0.122，0mm right面的对应的第二矢量距离为0.120。又例如，5mm left 面的对应的第二矢量距离为0.063，5mm right面的对应的第二矢量距离也是0.063。如此，根据第二矢量距离则无法区分出这些部分状态或场景。

需要说明的是，虽然根据第二矢量距离无法区分上述部分状态或场景；但是，第二矢量距离相近或相同的状态或场景下，上天线102的SAR值也可能相同或相近。如此，针对这些状态或场景，按照相同的档位设置上天线102的发射功率，就可以保证其SAR值满足法规要求。

也就是说，本申请实施例中，可以按照各个场景或状态对应的第二矢量距离的大小，将第二矢量距离划分为多个区间。然后，再确定每个区间的第二矢量距离对应的SAR值。如此，便可以确定保证上天线102的SAR值满足法规要求的前提下，上天线102的发射功率。具体的，不同区间的第二矢量距离，可以对应不同档位的发射功率。

需要说明的是，手机100处于不同状态或场景时，不仅第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离可能不同；该手机100在多个状态或场景下的SAR值也可能不同。其中，手机 100可以执行S801b，统计该手机100分别处于多个状态或场景下的SAR值。

S801b、手机100统计该手机100分别处于多个状态或场景时，上天线102在第一工作频率下的SAR值。

示例性的，如表5所示，其示出手机100处于表4所示的各个状态或场景下的按照不同档位降幅的功率差异。

一方面，由上述S801a和S801b的统计结果可知：第二矢量距离越大，则对应场景或状态下的SAR值越大。例如，由表5可知：5mm top面是5mm SAR场景中的SAR最大面，其在LTE B1频段的SAR值最大，具体为1.28。由表6-表11可知：5mm SAR场景中，5mm top面对应的第二矢量距离0.319最大；其余面(包括5mm back面、5mm front面、5mm left面和 5mmright面)的最大第二矢量距离为0.166。

由此可见，手机100所处的状态或场景下的第二矢量距离与该状态或场景下SAR值成相关。而SAR值越大，则在保证SAR满足法规要求的前提下，需要进行的功率回退幅度则越大； SAR值越小，则在保证SAR满足法规要求的前提下，需要进行的功率回退幅度越小。因此，可以得出：手机100所处的状态或场景下的第二矢量距离越大，则功率回退幅度越大；手机100 所处的状态或场景下的第二矢量距离越小，则功率回退幅度越小。手机100所处的状态或场景下的第二矢量距离与功率回退幅度正相关。

另一方面，在FS状态下，上天线102是不需要进行功率回退的。如果手机100所处的状态或场景下的第二反射系数与预设反射系数(即FS状态下的反射系数)的第二矢量距离越小，则表示手机100所处的状态或场景越接近于FS状态，上天线102的功率回退幅度则越小。如果手机100所处的状态或场景下的第二反射系数与预设反射系数(即FS状态下的反射系数) 的第二矢量距离越大，则表示手机100所处的状态或场景与FS状态的差异越大；上天线102 的功率回退幅度则越大。同样可以得出：手机100所处的状态或场景下的第二矢量距离与功率回退幅度正相关。因此，手机100可以执行S3，确定多个功率回退档位以及每个功率回退档位对应的距离区间。

S801c、手机100根据统计得到手机100处于各个状态或场景下，上天线102在第一工作频率下的SAR值，以及手机100处于各个状态或场景的第二矢量距离，确定多个功率回退档位以及每个功率回退档位对应的距离区间。

在一些实施例中，手机100可以根据各个面(即各个状态或场景)的第二矢量距离的差异，区分出SAR最大面和其他面。然后，手机100根据SAR最大面的SAR值和第二矢量距离，确定上述多个功率回退档位以及每个功率回退档位对应的距离区间。如此，其他面相比于SAR 最大面的功率回退值的差值就是其他面的功率收益。

例如，如表12所示，假设上天线102的SAR值测试涉及5个面。根据这5个不同面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离的差异，可以将这5个面分为两大类：SAR最大面和其他面。

表12

如表12所示，SAR最大面(如表5所示的5mm top面)的SAR值为SAR_max；其他面的SAR值分别为：SAR1、SAR2、SAR3和SAR4。SAR1、SAR2、SAR3和SAR4中的最大值为SAR_else。例如，SAR4＝SAR_else，SAR4>SAR1，SAR4>SAR2，SAR4>SAR3。应注意，SAR_max>SAR_else，即SAR_max大于SAR1、SAR2、SAR3和SAR4中的任一个。

如表12所示，SAR最大面的第二矢量距离为D_max；其他面的第二矢量距离分别为：D1、 D2、D3和D4。D1、D2、D3和D4中的最大值为D_else。例如，D4＝D_else，D4>D1，D4>D2， D4>D3。应注意，D_max>D_else，即D_max大于D1、D2、D3和D4中的任一个。

为了保证上天线102的SAR符合安全规定，SAR最大面的功率回退值为表12所示的P_max，其他面的功率回退值分别为表12所示的P1、P2、P3和P4。P1、P2、P3和P4中的最大值为 P_else。例如，P4＝P_else，P4>P1，P4>P2，P4>P3。应注意，P_max>P_else，即P_max大于P1、P2、P3和P4中的任一个。

本实施例中，如表13所示，手机100可以为SAR最大面设置功率回退值P_max，为其他面设置功率回退值P_else；手机100可以设置距离阈值D_1和D_2。

表13

其中，表13所示的D_1>D_2。D_1可以略小于D_max，或者D_1可以等于D_max。D_2可以略大于D_else，或者D_2可以等于D_else。

在该实施例中，手机100执行S303，如果第一矢量距离大于D_1，手机100则可以按照 Power1档，将天线103的功率回退P_max dB；如果第一矢量距离小于D_2，手机100则可以按照Power2档，将天线103的功率回退P_else dB。如此，相比于SAR最大面，其他面的功率收益Δ＝P_max-P_else。

在另一些实施例中，手机100可以根据各个面(即各个状态或场景)的第二矢量距离的差异，区分出SAR最大面、SAR次大面和其他面(即除SAR最大面和SAR次大面之外的其他面)。然后，手机100根据SAR最大面的SAR值和第二矢量距离，以及SAR次大面的SAR值和第二矢量距离，确定上述多个功率回退档位以及每个功率回退档位对应的距离区间。如此，SAR次大面相比于SAR最大面的功率回退值的差值就是SAR次大面的功率收益；其他面相比于SAR最大面的功率回退值的差值就是其他面的功率收益。

例如，如表14所示，假设上天线102的SAR值测试涉及5个面。根据这5个不同面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离的差异，可以将这5个面分为三大类：SAR最大面、SAR次大面和其他面。

表14

如表14所示，SAR最大面(如表5所示的5mm top面)的SAR值为SAR_max1；SAR次大面(如表5所示的5mm front面)的SAR值为SAR_max2；其他面的SAR值分别为：SAR1、SAR2 和SAR3。SAR1、SAR2和SAR3中的最大值为SAR_else。例如，SAR3＝SAR_else，SAR3>SAR1， SAR3>SAR2。应注意，SAR_else<SAR_max2<SAR_max1，即SAR_max1大于SAR_max2，SAR_max2 大于SAR1、SAR2和SAR3中的任一个。

如表14所示，SAR最大面的第二矢量距离为D_max1；SAR次大面的第二矢量距离为D_max2；其他面的第二矢量距离分别为：D1、D2和D3。D1、D2和D3中的最大值为D_else。例如， D3＝D_else，D3>D1，D3>D2。应注意，D_else<D_max2<D_max1，即D_max1大于D_max2，D_max2 大于D1、D2和D3中的任一个。

为了保证上天线102的SAR符合安全规定，SAR最大面的功率回退值为表14所示的P_max1，SAR次大面的功率回退值为表14所示的P_max2，其他面的功率回退值分别为表14所示的P1、P2和P3。P1、P2和P3中的最大值为P_else。例如，P3＝P_else，P3>P1，P3>P2。应注意，P_else<P_max2<P_max1，即P_max1大于P_max2，P_max2大于P1、P2和P3中的任一个。

本实施例中，如表15所示，手机100可以为SAR最大面设置功率回退值P_max1，为SAR 次大面设置功率回退值P_max2，为其他面设置功率回退值P_else；手机100可以设置距离阈值D_a、D_b和D_c。

表15

其中，表15所示的D_c<D_b<D_a。D_a可以略小于D_max1，或者D_a可以等于D_max1。D_b可以略大于D_max2，或者D_b可以等于D_max2。D_c可以略大于D_else，或者D_c可以等于D_else。

在该实施例中，手机100执行S303，如果第一矢量距离大于D_a，手机100则可以按照 Power1档，将天线103的功率回退P_max1 dB；如果第一矢量距离小于D_a，且第一矢量距离大于D_b，手机100则可以按照Power2档，将天线103的功率回退P_max2 dB；如果第一矢量距离小于D_c，手机100则可以按照Power3档，将天线103的功率回退P_else dB。如此，相比于SAR最大面，SAR次大面功率收益Δ1＝P_max1-P_max2，其他面的功率收益 Δ＝P_max1-P_else。

需要说明的是，相比于仅区分SAR最大面与除SAR最大面之外的其他面进行不同档位或幅度的功率回退，本实施例中区分SAR最大面、SAR次大面以及除SAR最大面和SAR次大面之外的其他面进行不同档位或幅度的功率回退。这样，可以以按照更小的粒度分档位或幅度进行功率回退，可以更加准确的进行功率控制，可以进一步减少功率回退对天线性能的影响，优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

在另一些实施例中，手机100可以根据各个面(即各个状态或场景)的第二矢量距离的差异，区分出SAR最大面、SAR次大面1、SAR次大面2和其他面等多个不同的面。然后，手机100根据各个面的SAR值和第二矢量距离，确定上述多个功率回退档位以及每个功率回退档位对应的距离区间。如此，SAR次大面1相比于SAR最大面的功率回退值的差值就是SAR次大面1的功率收益；SAR次大面2相比于SAR最大面的功率回退值的差值就是SAR次大面2 的功率收益。

例如，如表16所示，假设上天线102的SAR值测试涉及5个以上的面。根据这5个以上不同面的第二反射系数与预设反射系数的第二矢量距离的差异，可以将这5个面分为五大类： SAR最大面、SAR次大面1、SAR次大面2、SAR次大面3、SAR次大面4和其他面。

表16

如表16所示，SAR最大面(如表5所示的5mm top面)的SAR值为SAR_max1；SAR次大面1(如表5所示的5mm front面)的SAR值为SAR_max2；SAR次大面2的SAR值为SAR_max3； SAR次大面3的SAR值为SAR_max4；；SAR次大面4的SAR值为SAR_max5；其他面的SAR值为SAR_else。其中，SAR_else<SAR_max5<SAR_max4<SAR_max3<SAR_max2<SAR_max1。

如表16所示，SAR最大面的第二矢量距离为D_max1；SAR次大面1的第二矢量距离为D_max2；SAR次大面2的第二矢量距离为D_max3；SAR次大面3的第二矢量距离为D_max4； SAR次大面4的第二矢量距离为D_max5；其他面的第二矢量距离为D_else。其中， D_else<D_max5<D_max4<D_max3<D_max2<D_max1。

为了保证上天线102的SAR符合安全规定，SAR最大面的功率回退值为表16所示的P_max1，SAR次大面1的功率回退值为表16所示的P_max2，SAR次大面2的功率回退值为表 16所示的P_max3，SAR次大面3的功率回退值为表16所示的P_max4，SAR次大面4的功率回退值为表16所示的P_max5。其中，P_else<P_max5<P_max4<P_max3<P_max2<P_max1。

本实施例中，手机100可以为SAR最大面设置功率回退值P_max1，为SAR次大面1设置功率回退值P_max2，为SAR次大面2设置功率回退值P_max3，为SAR次大面3设置功率回退值P_max4，为SAR次大面4设置功率回退值P_max5。

如此，相比于SAR最大面，SAR次大面1的功率收益Δ＝P_max1-P_max2，SAR次大面2的功率收益Δ＝P_max1-P_max3，SAR次大面3的功率收益Δ＝P_max1-P_max4，SAR次大面4的功率收益Δ＝P_max1-P_max5，其他面的功率收益Δ＝P_max1-P_else。

需要说明的是，相比于仅区分SAR最大面与除SAR最大面之外的其他面进行不同档位或幅度的功率回退，本实施例中区分SAR最大面、多个SAR次大面以及除SAR最大面和多次SAR 次大面之外的其他面进行不同档位或幅度的功率回退。这样，可以以按照更小的粒度分档位或幅度进行功率回退，可以更加准确的进行功率控制，可以进一步减少功率回退对天线性能的影响，优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

在另一些实施例中，手机100可以为上天线102的每个面均设置对应的功率回退档位或幅度。这样，可以按照更小的粒度分档位或幅度进行功率回退，可以更加准确的进行功率控制，可以进一步减少功率回退对天线性能的影响，优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

在另一些实施例中，手机100可以在识别出手机100所处的状态或场景后，根据手机100 所处的状态或场景切换使用手机100中的各个天线。

可以理解，如果天线阻抗受到用户握持的影响；那么使用该天线进行信号收发，则会影响手机的通信质量，进而影响用户的通信体验。如果天线阻抗不会受到用户握持的影响；那么使用该天线进行信号收发，则不会影响手机的通信质量，进而可以保证用户的通信体验。基于此，当手机100的下半部分被用户握持时，该手机100的下天线的阻抗受到用户握持的影响，该下天线的反射系数与预设反射系数的矢量距离较大；而此时用户握持手机100对上天线102的反射系数的影响很小。因此，手机100可以切换使用上天线102。这样，可以降低用户握持对手机100通信质量的影响，可以提升用户的通信体验。

需要注意的是，手机100具备双天线切换(transmitting antenna switching，TAS)功能。例如，在手机100使用下天线收发信号的情况下，若手机100检测该下天线的反射系数与预设反射系数的矢量距离大于一定值，手机100则可以切换使用上天线102，而不再使用下天线。即手机100可以在上天线102和下天线之间进行双天线切换。这样，可以降低用户握持对手机100通信质量的影响，可以提升用户的通信体验。

手机100不仅具备TAS功能，还具备多天线切换(multiple antenna switching，MAS) 功能。即手机100可以在下天线101和上天线102之间进行多天线切换。这样，可以降低用户握持对手机100通信质量的影响，可以提升用户的通信体验。

需要说明的是，上述实施例中仅以上天线102为例介绍本申请实施例的方法。本申请实施例的方法可以适用于移动终端(如手机100)中的任一个天线。即执行本申请实施例的方法，可以对移动终端中的任一个天线进行功率回退。

示例性的，以手机100的下天线为例。该下天线可以设置在手机100的右下侧边框、左下侧边框或者下侧边框中的任一处。请参考表17，其示出下天线在各种状态或厂家下的反射系数与预设反射系数(如FS状态下的反射系数)的矢量距离。

表17

如表17所示，下天线在预设状态(如FS状态)下的预设反射系数为0.16+0.01i。下天线在0mm bottom状态下的第一反射系数为0.08-0.28i；第一反射系数0.08-0.28i与预设反射系数0.16+0.01i在史密斯圆图上的第一矢量距离为0.301。下天线在5mm bottom状态下的第一反射系数为0.02-0.2i；第一反射系数0.02-0.2i与预设反射系数0.16+0.01i在史密斯圆图上的第一矢量距离为0.252。下天线在BHHL场景下的第一反射系数为0.03+0.07i；第一反射系数0.03+0.07i与预设反射系数0.16+0.01i在史密斯圆图上的第一矢量距离为0.143。下天线在BHHR场景下的第一反射系数为-0.01+0.1i；第一反射系数-0.01+0.1i与预设反射系数0.16+0.01i在史密斯圆图上的第一矢量距离为0.192。下天线在BHHR场景下的第一反射系数为0.16+0.01i；第一反射系数0.16+0.01i与预设反射系数0.16+0.01i在史密斯圆图上的第一矢量距离为0.000。

手机100可以根据不同状态或场景下的第一矢量距离的差异，识别出各个状态或场景。例如，手机100可以将FS状态、0mm bottom状态和BHHL场景区分开。然后，手机100可以执行S303，采用第一矢量距离对应的功率回退档位，对下天线进行功率回退。例如，0mmbottom 状态的功率回退值可以大于5mm bottom状态的功率回退值。又例如，5mm bottom状态的功率回退值可以大于BHHL场景和BHHR场景的功率回退值。又例如，在BHHL场景、BHHR场景或FS状态中的至少一个状态或场景，可以不进行功率回退或可以进行功率抬升。

在另一些实施例中，为了保证上天线102的SAR满足法规要求，无论手机100处于何种状态或场景，手机100可以按照最大回退功率值对上天线102进行功率回退。之后，手机100 再识别手机100所处的状态或场景，根据手机100所处的状态或场景，按照不同档位或幅度对上天线102功率抬升。

示例性的，以手机100对上天线102进行功率控制为例。在该实施例中，如图9所示，本申请实施例的方法可以包括S901和S301-S303。

S901、手机100按照预设回退值对上天线102进行功率回退。

其中，预设回退值(如预设回退值1)可以是最大回退档位对应的功率回退值。或者，该预设回退值1可以大于最大回退档位对应的功率回退值。示例性的，假设最大回退档位对应的功率回退值为p_a dB。在该实施例中，手机100可以在识别该手机100所处的状态或场景之前，先按照最大回退档位对上天线102进行功率回退，将上天线102的发射功率回退p_a dB。这样，无论手机100处于各种状态或场景，都可以保证上天线102的SAR满足法规要求。

在S901之后，手机100可以识别手机100所处的状态或场景，根据手机100所处的状态或场景，按照不同档位或幅度对上天线102功率抬升。具体的，S901之后，手机100可以执行S301-S303。

在该实施例中，S303中所述的功率设置档位可以是功率抬升档位。S303具体可以为：手机100采用第一矢量距离对应的功率设置档位，对上天线102的发射功率进行功率抬升。

示例性的，手机100中可以针对手机100的每个天线均保存该天线的多个功率抬升档位，以及每个功率抬升档位对应的矢量距离。

例如，以上天线102为例，手机100中可以针对上天线102保存多个功率抬升档位，以及每个功率抬升档位对应的距离区间。请参考表18，其示出上天线102的功率抬升档位和距离区间表。

表18

由表18可知：如果第一矢量距离大于L_i，手机100则可以采用Power①档对应的功率抬升值p_i，调整上天线102的发射功率；手机100可以将上天线102的发射功能抬升p_i dB。如果第一矢量距离小于L_ii，手机100则可以采用Power②档对应的功率抬升值p_ii，调整上天线 102的发射功率；手机100可以将上天线102的发射功能抬升p_ii dB。其中，表18所示的L_i可以等于L_ii，L_i也可以大于L_ii，功率回退值p_i小于功率回退值p_ii。

在一些实施例中，在L_i＝L_ii的情况下，如果第一矢量距离等于L_i，手机100可以采用Power ②档对应的功率抬升值p_ii，调整上天线102的发射功率。在另一些实施例中，在L_i＝L_ii的情况下，如果第一矢量距离等于L_i，为了安全起见，手机100可以采用Power①档对应的功率抬升值p_i，调整上天线102的发射功率。

在另一些实施例中，上述第一矢量距离对应的功率抬升档位为：第一矢量距离所在的距离区间对应的功率抬升档位。例如，请参考表19，其示出上天线102的功率抬升档位和距离区间表。

表19

其中，n≥2，n为整数。应注意，相比于表19所示的其他档位(如档位ii至档位n)的功率抬升值，档位i的功率抬升值p_i最小。相比于表19所示的其他档位(如档位i至档位n-1)的功率抬升值，档位n的功率抬升值p_n最大。即p_i＜p_ii＜p_n。表19所示的L_m＜L_m-1＜L_iii＜L_ii＜L_i。

手机100可以确定第一矢量距离L对应的距离区间。然后，按照该距离区间对应的功率抬升档位，调整上天线102的发射功率。即手机100可以按照该距离区间对应的功率抬升档位，对上天线102的发射功率进行功率抬升。

例如，如果L∈[L_ii，L_i)，则第一矢量距离L对应的功率抬升档位为表19所示的档位i。在这种情况下，功率抬升档位为表19所示的档位i，功率抬升值为p_i dB。手机100可以将上天线102的发射功能抬升p_i dB。

如果L∈[L_iii，L_ii)，则第一矢量距离L对应的功率抬升档位为表19所示的档位ii。在这种情况下，功率抬升档位为表19所示的档位ii，功率抬升值为p_ii dB。手机100可以将上天线102的发射功能抬升p_ii dB，p_ii>p_i。

如果L∈[L_m，L_m-1)，则第一矢量距离L对应的功率抬升档位为表19所示的档位n。在这种情况下，功率抬升档位为表19所示的档位n，功率抬升值为p_n dB。手机100可以将上天线102的发射功能抬升p_n dB，p_i＜p_ii＜p_n。

需要说明的是，在该实施例中，第一矢量距离越大，则天线103的功率抬升值越小；第一矢量距离越小，则天线103的功率抬升值越大。

该实施例中，手机100可以在识别该手机100所处的状态或场景之前，先按照最大回退档位对天线103进行功率回退，将上天线102的发射功率回退p_a dB。这样，无论手机100处于各种状态或场景，都可以保证上天线102的SAR满足法规要求。然后，手机100可以在该手机100处于不同场景或者不同握持状态时，按照不同档位或幅度进行功率抬升，实现功率的准确控制。

这样，可以避免在不需要SAR降幅或者SAR降幅较小的情况下，还按照最大的功率回退值进行功率回退。可以减少功率回退对天线性能的影响，可以优化移动终端的天线性能，保证移动终端的通信质量。

应注意，上述实施例中，是基于天线103的反射系数来动态调整天线(如天线103)的发射功率的。因此，本申请实施例中进行功率控制的准确性会受到手机100采集的天线103的反射系数的准确性的影响。那么，如果手机100的双向耦合器(如图4所示的双向耦合器404) 故障，手机100则无法实现功率的准确控制。此时，则可能会因为天线103的功率回退过小导致SAR不满足法规要求。

在一些实施例中，S303所述的功率设置档位是功率回退档位，S303中所述的“调整上天线102的发射功率”具体是指“对上天线102的发射功率进行功率回退”。在该实施例中，为了避免手机100的双向耦合器故障，天线103的功率回退过小导致SAR不满足法规要求；手机100在执行S303进行功率回退之前，可以对双向耦合器进行故障预判。如果预判到双向耦合器未发生故障，手机100则可以执行S303。这样，可以按照不同档位或幅度进行功率回退，实现功率的准确控制。如果预判到双向耦合器故障，手机100则可以不执行S303，而是按照最大回退档位(例如上述预设回退值1)对天线103进行功率回退。这样，无论手机100 处于各种状态或场景，都可以保证上天线102的SAR满足法规要求。

由上述实施例可知：图4所示的处理器401中的调制解调器(Modem)可根据接收到的前向功率和反向功率，计算天线的反射系数。当双向耦合器故障时，Modem可检测到功率异常 (如前向功率和/或反向功率异常)。如此，本申请实施例中，手机100可在Modem检测到上述功率异常时确定双向耦合器故障。具体的，在该实施例中，如果Modem检测到上述功率异常，手机100则可以不执行S303，而是按照最大回退档位对天线103进行功率回退。

在另一些实施例中，也可以在预判到双向耦合器故障后，仍然执行S303，并且手机100 进一步根据预设回退值2进一步对天线(如上天线102)进行功率回退。预设回退值2可以小于或等于上述预设回退值1，例如，预设回退值2＝(预设回退值1—已回退值)，其中已回退值为在S303中采用第一矢量距离来确定的功率回退值。在此实施例中，手机100最终确定的功率回退值仍为上述预设回退值1。应可理解，在该实施例中，手机100也可以先执行S303，再对双向耦合器进行故障判断。

综上所述，手机100可以实时或周期性对双向耦合器进行故障预判/判断。如果双向耦合器故障，无论手机100处于哪一种状态或场景，无论手机100是否对上天线102执行过功率回退；该手机100都可以采用上述预设回退值1(或步骤S303所确定的功率回退值，加上预设回退值2所得到的总回退值)，对上天线102的发射功率进行功率回退，以保证上天线102 的SAR满足法规要求。

在一些实施例中，S303所述的功率设置档位是功率抬升档位，S303中所述的“调整上天线102的发射功率”具体是指“对上天线102的发射功率进行功率抬升”。应可理解，在“对上天线102的发射功率进行功率抬升”的步骤之前，手机100可以执行“按照最大回退档位 (例如上述预设回退值1)对天线103进行功率回退”的步骤。在该实施例中，为了避免手机100的双向耦合器故障，天线103的功率抬升过大导致SAR不满足法规要求；手机100在执行S303进行功率抬升之前，可以对双向耦合器进行故障预判。如果预判到双向耦合器未发生故障，手机100则可以执行S303。这样，可以按照不同档位或幅度进行功率抬升，实现功率的准确控制。如果预判到双向耦合器故障，手机100则可以不执行S303。这样，手机100 已经执行了S901按照最大回退档位对上天线102进行了功率回退；无论手机100处于各种状态或场景，都可以保证上天线102的SAR满足法规要求。当双向耦合器故障时，Modem可检测到功率异常(如前向功率和/或反向功率异常)。如此，手机100可在Modem检测到上述功率异常时确定双向耦合器故障。具体的，在该实施例中，如果Modem检测到上述功率异常，手机100则可以不执行S303。

在另一些实施例中，也可以在预判到双向耦合器故障后，仍然执行S303，并且手机100 进一步根据预设回退值3对天线(如上天线102)进行功率回退。预设回退值3可以大于或等于步骤S303中采用第一矢量距离来确定的功率抬升值。在此实施例中，在此实施例中，手机100最终确定的功率回退值仍为上述预设回退值1。应可理解，在该实施例中，手机100也可以先执行S303，再对双向耦合器进行故障判断。

综上所述，手机100可以实时或周期性对双向耦合器进行故障预判。如果双向耦合器故障，无论手机100处于哪一种状态或场景，无论手机100是否对上天线102进行过功率抬升，手机100都可以采用上述预设回退值1(或上述预设回退值3，减去步骤S303所确定的功率抬升值，所得到的总回退值)，对上天线102的发射功率进行功率回退，以保证上天线103的 SAR满足法规要求。

在另一些实施例中，手机100中可以预先配置有多个预设反射系数。该多个预设反射系数可以包括手机100处于不同状态或场景时，预先测得的上天线102(即第一天线)的反射系数。

需要说明的是，针对每个状态或场景而言，手机100中都可以保存多个预设反射系数。该多个预设反射系数包括：手机100处于该状态或场景时，上天线102在不同工作频率下的反射系数。也就是说，手机100中可以保存上天线102在不同工作频率下，手机100处于多个状态或场景时，该上天线102(即第一天线)的反射系数。

在该实施例中，手机100可以获取上天线102在第一工作频率下的第一反射系数。然后，手机100可以对比第一反射系数与第一工作频率下的多个预设反射系数。如果第一反射系数与第一工作频率下的一个预设反射系数(如预设反射系数1，即第二反射系数)的差异小于预设差异阈值，手机100则可以按照该预设反射系数1对应的功率设置档位，确定上天线102 的发射功率。其中，手机100中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的预设反射系数，每个功率设置档位对应一个功率设置值。

采用该实施例的方法，手机100不需要计算第一反射系数与预设反射系数的矢量距离。手机100可以从多个预设反射系数中确定出与第一反射系数差异小于预设差异阈值的预设反射系数。然后，手机100便可以采用确定出的预设反射系数对应的功率设置档位，确定上天线102的发射功率。这样，不仅可以动态设置手机100的功率回退值，以减少功率设置对天线性能的影响，还可以减少手机100的计算量。

在另一些实施例中，手机100中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的预设反射系数，具体可以包括：手机100中保存有上述多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的反射系数的取值区间。其中，上述第二反射系数对应的功率设置档位为：该第二反射系数所在的取值区间对应的功率设置档位。

需要说明的是，功率设置档位及功率设置档位对应的反射系数的取值区间的详细描述，可以参考上述实施例对功率设置档位及功率设置档位对应的矢量距离的距离区间的介绍，本申请实施例这里不予赘述。

其中，上述任一个预设反射系数对应的功率设置档位对应的功率设置值为：手机100处于该预设反射系数对应的状态或场景时，上天线102在第一工作频率下，保证SAR值满足法规要求的前提下，该上天线102的发射功率的设置值。

在另一些实施例中，上述预设反射系数对应的功率设置档位可以是功率回退档位，每个功率回退档位对应一个功率回退值。

其中，上述手机100按照该第二反射系数对应的功率设置档位，确定上天线102的发射功率可以包括：手机100采用第二反射系数对应的功率回退档位，对上天线102的发射功率进行功率回退。

在另一些实施例中，上述在手机100采用第二反射系数对应的功率回退档位，对上天线 102的发射功率进行功率回退之前，本申请的方法还可以包括：手机100对手机100中的双向耦合器进行故障预判。若双向耦合器未故障，手机100则可以采用第二反射系数对应的功率回退档位，对上天线102的发射功率进行功率回退。

应注意，手机100对双向耦合器进行故障预判的方法，可以参考上述实施例中的介绍，这里不予赘述。手机100采用第二反射系数对应的功率回退档位对上天线102的发射功率进行功率回退的方法，可以参考上述实施例中“手机100采用第一矢量距离对应的功率回退档位对上天线102的发射功率进行功率回退”的方法，本申请实施例这里不予赘述。

在另一些实施例中，如果上述双向耦合器故障，手机100则可以采用预设回退值，对上天线102的发射功率进行功率回退。其中，预设回退值(如预设回退值1)大于或等于上述功率回退档位对应的功率回退值中的最大功率回退值。

在另一些实施例中，手机100可以实时或周期性对双向耦合器进行故障预判。如果双向耦合器故障，无论手机100处于哪一种状态或场景，无论手机100是否对上天线102进行过功率回退，手机100都可以采用预设回退值1，对上天线102的发射功率进行功率回退，以保证上天线102的SAR满足法规要求。1

在另一些实施例中，上述预设反射系数对应的功率设置档位是功率抬升档位，每个功率抬升档位对应一个功率抬升值。

其中，手机100采用所述第二反射系数对应的功率设置档位，确定上天线102的发射功率，可以包括：手机100采用第二反射系数对应的功率抬升档位，抬升上天线102的发射功率。

手机100采用第二反射系数对应的功率抬升档位对上天线102的发射功率进行功率抬升的方法，可以参考上述实施例中“手机100采用第一矢量距离对应的功率抬升档位对上天线 102的发射功率进行功率抬升”的方法，本申请实施例这里不予赘述。

为了保证上天线102的SAR满足法规要求，手机100对上天线102的发射功率进行功率抬升之前，可以采用预设回退值(如预设回退值1)对上天线102的发射功率进行功率回退。其中，该预设回退值1大于上述功率抬升档位对应的功率抬升值中的最大功率抬升值。

在另一些实施例中，手机100采用第二反射系数对应的功率抬升档位抬升上天线102的发射功率之前，可以对双向耦合器进行故障预判。若双向耦合器未故障，手机100则可以采用第二反射系数对应的功率抬升档位，抬升上天线102的发射功率。

在另一些实施例中，手机100可以实时或周期性对双向耦合器进行故障预判。如果双向耦合器故障，无论手机100处于哪一种状态或场景，无论手机100是否对上天线102进行过功率抬升，手机100都可以采用预设回退值1，对上天线102的发射功率进行功率回退，以保证上天线102的SAR满足法规要求。1

需要说明的是，手机100保存多个预设反射系数，对比第一反射系数与的多个预设反射系数，实现对上天线102的功率控制的技术效果，可以参考上述实施例的有益效果，此处不再赘述。

本申请一些实施例提供了一种移动终端，该移动终端可以包括：显示屏(如触摸屏)、至少一个天线(包括第一天线)、存储器和一个或多个处理器。该显示屏、存储器、至少一个天线和处理器耦合。该存储器用于存储计算机程序代码，该计算机程序代码包括计算机指令。当处理器执行计算机指令时，移动终端可执行上述方法实施例中手机100执行的各个功能或者步骤。该移动终端的结构可以参考图2所示的移动终端200的结构。

本申请一些实施例提供了一种移动终端，该移动终端包括边框。该移动终端还可以包括至少一个天线，该至少一个天线包括第一天线。该第一天线可以设置在移动终端的侧边框。例如，该第一天线可以是移动终端的上天线(如上天线102)。当然，该第一天线还可以是移动终端中的任一个天线。

本申请实施例还提供一种芯片系统，该芯片系统可以应用于包括至少一个天线和存储器的移动终端。该至少一个天线包括第一天线。

如图10所示，芯片系统1000包括至少一个处理器1001和至少一个接口电路1002。处理器1001和接口电路1002可通过线路互联。例如，接口电路1002可用于从其它装置(例如移动终端的存储器)接收信号。又例如，接口电路1002可用于向其它装置(例如处理器1001 或者移动终端的触摸屏)发送信号。示例性的，接口电路1002可读取存储器中存储的指令，并将该指令发送给处理器1001。当所述指令被处理器1001执行时，可使得移动终端执行上述实施例中的各个步骤。当然，该芯片系统还可以包含其他分立器件，本申请实施例对此不作具体限定。

本申请实施例还提供一种计算机存储介质，该计算机存储介质包括计算机指令，当所述计算机指令在上述移动终端上运行时，使得该移动终端执行上述方法实施例中手机100执行的各个功能或者步骤。

本申请实施例还提供一种计算机程序产品，当所述计算机程序产品在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述方法实施例中手机100执行的各个功能或者步骤。该计算机可以是上述移动终端。

通过以上实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个装置，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是一个物理单元或多个物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个不同地方。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机，芯片等) 或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(read only memory，ROM)、随机存取存储器(random access memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上内容，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种移动终端的控制方法，其特征在于，所述移动终端中设置有至少一个天线，所述至少一个天线包括第一天线，所述方法包括：

所述移动终端获取所述第一天线在第一工作频率下的第一反射系数；其中，所述第一反射系数是用于表征对应信号幅度和相位的矢量；

所述移动终端计算所述第一反射系数与预设反射系数的第一矢量距离；其中，所述预设反射系数是所述移动终端处于预设状态时，所述第一天线在所述第一工作频率下的反射系数，所述预设状态是所述移动终端的握持状态；

所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率设置档位，确定所述第一天线的发射功率；其中，所述移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离，每个功率设置档位对应一个功率设置值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设状态是所述移动终端处于自由空间FS状态。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述移动终端中保存有多个功率设置档位，以及每个功率设置档位对应的矢量距离，具体包括：

所述移动终端中保存有所述多个功率设置档位，以及所述每个功率设置档位对应的矢量距离的距离区间；

其中，所述第一矢量距离对应的功率设置档位为：所述第一矢量距离所在的距离区间对应的功率设置档位。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述功率设置档位是功率回退档位，每个功率回退档位对应一个功率回退值；

其中，所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率设置档位，确定所述第一天线的发射功率，包括：

所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率回退档位，对所述第一天线的发射功率进行功率回退。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设状态是FS状态；

其中，所述功率回退档位对应的矢量距离越大，则所述功率回退档位对应的功率回退值越小；所述功率回退档位对应的矢量距离越小，则所述功率回退档位对应的功率回退值越大。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率回退档位，对所述第一天线的发射功率进行功率回退之前，所述方法还包括：

所述移动终端对所述移动终端中的双向耦合器进行故障预判；

其中，所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率回退档位，对所述第一天线的发射功率进行功率回退，包括：

如果所述双向耦合器未故障，所述移动终端则采用所述第一矢量距离对应的功率回退档位，对所述第一天线的发射功率进行功率回退。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

如果所述双向耦合器故障，所述移动终端不采用所述第一矢量距离对应的功率回退档位，对所述第一天线的发射功率进行功率回退，而是采用根据预设回退值对所述第一天线的发射功率进行功率回退；

其中，所述预设回退值大于或等于所述功率回退档位对应的功率回退值中的最大功率回退值。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述功率设置档位是功率抬升档位，每个功率抬升档位对应一个功率抬升值；

所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率抬升档位，抬升所述第一天线的发射功率。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设状态是所述移动终端处于FS状态；

其中，所述功率抬升档位对应的矢量距离越大，则所述功率抬升档位对应的功率抬升值越大；所述功率抬升档位对应的矢量距离越小，则所述功率抬升档位对应的功率抬升值越小。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率设置档位，确定所述第一天线的发射功率之前，所述方法还包括：

所述移动终端采用预设回退值，对所述第一天线的发射功率进行功率回退；

其中，所述预设回退值大于所述功率抬升档位对应的功率抬升值中的最大功率抬升值。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其特征在于，在所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率抬升档位，抬升所述第一天线的发射功率之前，所述方法还包括：

其中，所述移动终端采用所述第一矢量距离对应的功率抬升档位，抬升所述第一天线的发射功率，包括：

如果所述双向耦合器未故障，所述移动终端则采用所述第一矢量距离对应的功率抬升档位，抬升所述第一天线的发射功率；

其中，如果所述双向耦合器故障，所述移动终端则不抬升所述第一天线的发射功率。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个天线包括所述移动终端的上天线和下天线，所述第一天线是所述上天线和所述下天线的任一个。

13.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端的边框中设置有至少一个天线，所述至少一个天线包括第一天线；所述移动终端还包括显示屏、存储器和处理器，所述显示屏、所述存储器与所述处理器耦合；其中，所述存储器用于存储计算机程序代码，所述计算机程序代码包括计算机指令；当所述计算机指令被所述处理器执行时，使得所述移动终端执行如权利要求1-12中任一项所述的方法。

14.一种芯片系统，其特征在于，所述芯片系统应用于包括存储器的移动终端，所述移动终端的边框中设置有至少一个天线，所述至少一个天线包括第一天线；所述芯片系统包括一个或多个接口电路和一个或多个处理器；所述接口电路和所述处理器通过线路互联；所述接口电路用于从所述存储器接收信号，并向所述处理器发送所述信号，所述信号包括所述存储器中存储的计算机指令；当所述处理器执行所述计算机指令时，所述移动终端执行如权利要求1-12中任一项所述的方法。

15.一种计算机可读存储介质，其特征在于，包括计算机指令，当所述计算机指令在移动终端上运行时，使得所述移动终端执行如权利要求1-12中任一项所述的方法。