CN115149373A - 双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法和装置，所述方法包括以下步骤：将双色激光光源分束得到基频光和倍频光，分别对基频光和倍频光进行聚焦，对聚焦后的基频光和倍频光进行合束并电离气体产生太赫兹辐射；通过调控基频光焦点和倍频光焦点之间的距离以及基频光和倍频光的时间间隔，调控所述太赫兹辐射的强度和频谱范围。本发明在提高双色场等离子体方法辐射THz源的输出强度和转换效率的同时，扩大了太赫兹辐射的频谱范围。

Description

双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法和装置

技术领域

本发明涉及太赫兹技术领域，特别是涉及一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法和装置。

背景技术

太赫兹THz波是指介于微波和红外波段之间的电磁波，其频率范围为0.1～10THz。上世纪八十年代中后期之前称之为远红外射线，随后被正式命名为THz。与其他波段相比THz技术相对较新，随着超快激光技术的发展，在最近30年才有了重大进展。THz研究目前是一个非常重要的交叉前沿领域，由于具有高穿透性、瞬态性、宽带性、低能性、强吸收性等一系列优良特性，因此THz波对于物理学、化学、天文学、信息学、生命科学等学科的基础研究具有重要的研究意义。此外，由于其独特的性能，同时也对宽带通信、医学成像、安全检查等领域产生深远的影响。

目前，产生THz的光学方法有很多，但是光学方法所产生的THz转换效率都不高，其中主要的产生方法有：光整流OR、光学差频、双色场等离子体等方法。其中光整流和光学差频方法都是利用非线性晶体的二阶非线性效应，这两种方法能够获得窄带宽及频率可调的THz波；光整流方法产生的THz，其转换效率依赖于材料的非线性系数以及与晶体的相位匹配条件。光学差频方法产生THz波的技术关键是要具有功率较高、波长比较接近的泵浦光和信号光两波长相差一般不大于10nm作为激发光，以及具有较大的二阶非线性系数、并在THz波范围内吸收系数小的非线性差频晶体，这种方法产生THz的转换效率也不高。而双色场等离子体辐射THz的方法利用超短激光脉冲基频ω和它的二次谐波2ω同时在空气中聚焦，产生空气等离子体，进而在空气中产生较强的THz波辐射，这种方法产生的THz波主要依赖于产生的空气等离子体及双色场性质。当基频光、倍频光偏振方向相同时就可以获得最佳的THz波辐射效率。但是，传统的双色场聚焦于空气中产生空气等离子体进而辐射THz波的强度也不高。目前所有光学方法辐射的THz波强度都依赖于入射光光强。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法和装置，用于解决现有技术中双色场电离气体产生太赫兹辐射的转换效率低、频谱范围较窄、频谱不可调节的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明是通过包括以下技术方案获得的。

本发明提供一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法，包括以下步骤：

将双色激光光源分束得到基频光和倍频光，分别对基频光和倍频光进行聚焦，对基频光和倍频光进行聚焦合束，电离空气产生太赫兹辐射；

通过调节基频光焦点和倍频光焦点之间的距离以及两束脉冲光的时间间隔，调控所述太赫兹辐射的强度和频谱范围。

优选地，所述基频光焦点和倍频光焦点位于合束后的光路上且不重合。

优选地，所述基频光和倍频光的时间间隔不大于所述双色激光光源的脉宽，使得基频光与倍频光在合束后可以在时间上完全重合或部分重合。

优选地，在合束之前，所述基频光和倍频光的偏振方向相同。

优选地，所述方法还包括通过干涉条纹锁定来稳定所述基频光和倍频光的相对相位。

一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的装置，包括双色激光光源，分束元件，基频光聚焦元件、倍频光聚焦元件和合束元件。

优选地，沿基频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括若干个反射镜；沿倍频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括若干个反射镜。

优选地，沿基频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括偏振元件。

优选地，沿倍频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括偏振元件。

优选地，所述基频光聚焦元件的焦距大于所述基频光聚焦元件与所述合束元件的距离；所述倍频光聚焦元件的焦距大于所述倍频光聚焦元件与所述合束元件的距离。

优选地，所述分束元件为分束二向色镜，所述基频光聚焦元件为凸透镜、所述倍频光聚焦元件为凸透镜，所述合束元件为合束二向色镜。

优选地，所述装置还包括若干个位移台，若干个所述位移台用于调控所述基频光聚焦元件和/或所述倍频光聚焦元件在光路上的位置，用于焦点位置和时间间隔的改变。

优选地，所述装置还包括锁相干涉仪，所述锁相干涉仪通过干涉条纹锁定来稳定基频光和倍频光的相对相位。

如上所述，本发明具有以下有益效果：

本发明通过先将双色场分束得到基频光和倍频光，分别聚焦后再合束激发等离子体产生太赫兹辐射；通过调节倍频光焦点与基频光焦点的距离，调控所述太赫兹辐射的强度和频谱范围。当基频光焦点和倍频光焦点的距离为1.7～2.0mm时，所述太赫兹辐射的强度为当基频光焦点和倍频光焦点重合时的10倍以上；所述太赫兹辐射的频谱展宽扩展至100THz。本申请在提高双色场等离子体方法辐射THz源的输出强度和转换效率的同时，扩大了太赫兹辐射的频谱范围。

附图说明

图1显示为本发明中双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的装置示意图。

图1中：1为激光发射器，2为基频光高反镜，3为光学斩波器，4为倍频晶体，5为分束二向色镜，6为第二基频光反射镜，7为第三基频光反射镜，8为基频光λ/2波片，9为第四基频光反射镜，10为基频光聚焦元件，11为合束二向色镜，12为第一倍频光反射镜，13为第二倍频光反射镜，14为第三倍频光反射镜，15为倍频光聚焦元件，16为第一硅片，17为第一离轴抛物面反射镜，18为第二离轴抛物面反射镜，19为第一薄膜反射镜，20为ZnTe晶体，21为基频光λ/4波片，22为wollaston棱镜，13为光电倍增管，24为压电陶瓷位移台，25为凸透镜位移台，26为反射镜位移台，27为第五基频光反射镜，28为第六基频光反射镜，29为第七基频光反射镜，30为第八基频光反射镜，31为第九基频光反射镜，32为532nm连续激光器，33为凹透镜，34为凸透镜，35为探测用二向色镜，36为基频光滤波片，37为倍频光滤波片，38为探测相机，39为第一电动位移台，40为反射镜，41为第二硅片，42为第一THz反射镜，43为第二薄膜反射镜，44为第二THz反射镜，45为第三THz反射镜，46为第二电动位移台，47为第三离轴抛物面反射镜，48为热释电探测器，49为基频光凸透镜。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。

在本申请实施例中申请人提供了一种具体的双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法，包括以下步骤：

将双色激光光源分束得到基频光和倍频光，分别对基频光和倍频光进行聚焦，对聚焦后的基频光和倍频光进行合束并电离气体产生太赫兹辐射；

通过调节基频光焦点和倍频光焦点之间的距离，调控所述太赫兹辐射的强度和频谱范围。

本申请的调控方法的内在机制为通过调控双色场焦点距离控制等离子体的密度变化和等离子体内部光电流的变化，实现太赫兹辐射强度和频谱范围的有效调控。

本申请通过将双色场中基频光与倍频光分束之后独立进行调节，通过将基频光与倍频光在合束之前进行聚焦，两束光的焦点在合束之后出现，通过调节基频光焦点与倍频光焦点之间的距离以及基频光和倍频光的时间间隔，申请人发现：当两焦点在空间上前后不重合时且时间部分重合时，相较于两焦点重合位置所辐射的THz波强度有大幅增强；且随两焦点的距离的增大，所辐射THz的频谱范围有所扩展，并有向高频方向移动的趋势；最优选地，当基频光焦点和倍频光焦点之间的距离为1.7～2.0mm时，太赫兹辐射的强度最强并且频谱范围最宽，为当基频光焦点和倍频光焦点重合时的10倍以上，太赫兹辐射的频谱展宽能够扩展至100THz。进一步说明本申请的调控方法能够在提高双色场等离子体方法辐射THz源的输出强度和转换效率的同时，扩大太赫兹辐射的频谱范围。

在一个具体的实施方式中，所述基频光焦点和倍频光焦点位于合束后的光路上且不重合。具体可以为：基频光焦点在前，倍频光焦点在后。

在一个具体的实施方式中，所述基频光和倍频光的时间间隔不大于所述双色激光光源的脉宽，使得基频光与倍频光在合束后可以在时间上完全重合或部分重合，以确保太赫兹辐射的产生。

在一个具体的实施方式中，在合束之前，所述基频光和倍频光的偏振方向相同，有效增强太赫兹辐射的强度。

在一个具体的实施方式中，所述方法还包括通过干涉条纹锁定来稳定所述基频光和倍频光的相对相位。

本申请在实施例中还提供一种具体的实现上述方法的装置。如图1所示，本实施例中提供了一种具体的双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的装置，包括双色激光光源，分束元件5，基频光聚焦元件10、倍频光聚焦元件15和合束元件11。

所述双色激光光源根据现有技术提供。在如图1所示的具体的实施方式中，所述双色激光光源由包括激光发射器1、光学斩波器3和倍频元件4的组件提供，由激光发射器1发射飞秒激光光束，经由光学斩波器3调制输出具有固定频率的激光，然后经由倍频元件4后形成基频光并额外产生倍频光，从而形成双色激光光源。

在一个图1所示的具体的实施方式中，沿基频光的进行方向，在分束元件5至合束元件11之间，所述装置还包括若干个反射镜；沿倍频光的进行方向，在分束元件5至合束元件11之间，所述装置还包括若干个反射镜。反射镜和反射镜的相对位置不受限定，用来调节基频光和倍频光的光路，以确保基频光与倍频光在分束后至合束前经过的光程相等，使得基频光与倍频光的传播时间重合，确保太赫兹辐射的产生。

在一个如图1所示的更具体的实施方式中，所述分束二向色镜5与所述双色激光光源的入射方向呈45°。由此，基频光和倍频光的传播方向相互垂直。

所述倍频光和所述基频光的反射镜的个数可以根据具体情况而定。为了节约光路路程，使得装置更加小巧紧凑，在一个如图1所示的具体的实施方式中，所述沿基频光的进行方向，在分束元件5至合束元件11之间，所述装置还包括3个反射镜，依次为图1中第二基频光反射镜6、第三基频光反射镜7和第四基频光反射镜9；沿着所述倍频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括3个反射镜，依次为图1中第一倍频光反射镜12、第二倍频光反射镜13和第三倍频光反射镜14。

为了进一步实现所述基频光与倍频光在分束后至合束前经过的光程相等并考虑到节约成本、装置小巧等因素，经所述第二基频光反射镜6、第三基频光反射镜7和第四基频光反射镜9前后的基频光的传播方向的夹角为90°，经所述第一倍频光反射镜12、第二倍频光反射镜13和第三倍频光反射镜14前后的倍频光的传播方向的夹角为90°。

基于以上，如图1所示，所述第二基频光反射镜6和第四基频光反射镜9与所述分束二向色镜5垂直设置，所述第三基频光反射镜7与所述分束二向色镜5平行设置。所述基频光透过分束二向色镜5至所述第二基频光反射镜6反射并传播方向改变90°，至所述第三基频光反射镜7反射且传播方向改变90°，再至所述第四基频光反射镜9反射且传播方向改变90°且传播至所述合束二向色镜11。

基于以上，如图1所示，所述第一倍频光反射镜12和所述第二倍频光反射镜13与所述分束二向色镜5垂直设置，所述第三倍频光反射镜14与所述分束二向色镜5平行设置。所述倍频光经所述分束二向色镜5反射后传播方向改变90°，至所述第一倍频光反射镜12后传播方向改变90°，然后至所述第二倍频光反射镜13后传播方向改变90°，再至所述第三倍频光反射镜14后传播方向改变90°且传播至所述合束二向色镜11。

在一个具体的实施方式中，沿基频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括偏振元件；和/或，沿倍频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括偏振元件。偏振元件用来调节基频光和倍频光的偏振方向至相同方向，从而有效增强太赫兹辐射的强度。

偏振元件可以在基频光光路上设置，也可以在倍频光光路上设置，也可以在基频光和倍频光的光路上均设置所述偏振元件。在一个具体的实施方式中，所述偏振元件为偏振片。在如图1所示的具体的实施方式中，在基频光光路上设有偏振元件，所述偏振元件具体为基频光λ/2波片8。

在一个具体的实施方式中，所述基频光聚焦元件的焦距大于所述基频光聚焦元件与所述合束元件的距离；所述倍频光聚焦元件的焦距大于所述倍频光聚焦元件与所述合束元件的距离。上述距离设计可以确保基频光焦点和倍频光焦点在合束后的光路上，如图1中所述A和B分别为倍频光焦点和基频光焦点。

在一个如图1所示的具体的实施方式中，所述分束元件为分束二向色镜，所述基频光聚焦元件为凸透镜、所述倍频光聚焦元件为凸透镜，所述合束元件为合束二向色镜。

在一个具体的实施方式中，所述装置还包括若干个位移台，若干个所述位移台用于调控所述基频光聚焦元件和/或所述倍频光聚焦元件在光路上的位置。

在一个具体的实施方式中，所述位移台通过调控所述基频光聚焦元件和/或所述倍频光聚焦元件的在光路上的位置，从而改变所述基频光的焦点和/或所述倍频光的焦点。在一个如图1所示的具体的实施方式中，采用位移台25控制倍频光聚焦元件15在光路上的位置。

在一个具体的实施方式中，所述位移台还用于调控所述反射镜在光路上位置。在一个如图1所示的具体的实施方式中，所述位移台26用于控制第二基频光反射镜6、第三基频光反射镜7在光路上的位置。

在一个具体的实施方式中，所述装置还包括锁相干涉仪，所述锁相干涉仪通过干涉条纹锁定来稳定基频光和倍频光的相对相位。所述干涉条纹锁相技术基于现有技术，其包括：主从激光器模块、光电探测器模块、PID控制模块，其通过干涉条纹变化，调节光程差，稳定基频光与倍频光的相对相位。

在如图1所示的具体的实施方式中，所述主从激光器模块包括主激光器模块和从激光器模块。其中，如图1所示，从激光器模块的工作机理为：连续激光器32产生的激光束经凹透镜33、凸透镜34、反射镜40、探测用二向色镜35后与主激光器模块中的激光发射器1所产生的激光束共束，然后一起经由光学斩波器3、倍频晶体4、分束二向色镜5分束分别形成倍频光和基频光，分别经反射镜至合束二向色镜11，最终经由合束二向色镜11的反射与透射，反射光与透射光通过基频光滤波片36、倍频光滤波片37，最大限度的去除激发波长对形成干涉条纹的干扰，之后被光学探测器模块如探测相机38所探测；然后采用锁相光路将探测相机38所探测到的干涉条纹信息反馈给控制分束后合束前基频光和倍频光光路上的位移台，具体如图1中的位移台24，调节第三倍频光反射镜14的位置，进而稳定通过分束二向色镜5分束的双色场相位，进而获得信噪比高的太赫兹辐射。

在一个具体的实施方式中，连续激光器32产生532nm的激光光束。

在一个具体的实施方式中，所述位移台采用压电陶瓷位移台24。

采用如图1所示的装置实施本申请中方法时，双色激光光源经分束二向色镜5分束得到基频光和倍频光，基频光经第二基频光反射镜6、第三基频光反射镜7、基频光λ/2波片8、第四基频光反射镜9、基频光聚焦元件10聚焦并至合束二向色镜11；所述倍频光经第一倍频光反射镜12、第二倍频光反射镜13、第三倍频光反射镜14、倍频光聚焦元件15聚焦并至合束二向色镜11后；然后聚焦后的基频光和倍频光经合束二向色镜11进行合束并电离气体产生太赫兹辐射。

本申请实施例中采用现有技术中探测方法对形成的太赫兹辐射的强度和频谱范围进行测试，以对本申请技术方案及其达到的技术效果进行验证说明。

在本实施例具体的探测方式中，太赫兹辐射的探测包括：时域谱探测和频谱探测；其中，时域谱探测用来检测太赫兹辐射的信号强度；干涉仪频谱探测用来检测频谱范围。

在采用时域谱探测太赫兹辐射的信号强度时，采用探测光路进行辅助测试，太赫兹辐射的信号强度为探测光与太赫兹辐射共束后检测获得的信号强度减去探测光的信号强度。具体如图1所示，一方面，所述太赫兹波及基频光、倍频光经所述硅片16后，只透过太赫兹波，所述太赫兹波入射至第一离轴抛物面反射镜17后变为THz平行光束，所述THz平行光束经过第二硅片41一半透射一半反射，反射部分作为探测THz频谱的THz源，透射部分作为THz时域谱探测信号入射至离轴抛物面反射镜18变为聚焦光束，其焦点位于ZnTe晶体20上。另一方面，探测光传播路径为基频光高反镜2透射的基频光通过第五基频光反射镜27、第六基频光反射镜28、第七基频光反射镜29、第八基频光反射镜30、第九基频光反射镜31反射后经基频光凸透镜49聚焦到达薄膜反射镜19与THz聚焦光束共束，其基频光焦点与THz光束焦点重合在ZnTe晶体20上，之后基频光入射至基频光λ/4波片21、wollaston棱镜22，光电倍增管23后提取THz信号。

该光路利用光电倍增管探测信号，具备弱信号的探测能力。其中，图1中，基频光反射镜30和基频光反射镜31通过电动位移台39实现位置的调节，从而确保基频光焦点在ZnTe晶体20上，光路传播过程中确保THz产生光路与探测光光路的光程一致，且在第一电动位移台39的移动范围之内，进而以保证电光采样系统最大程度上的收集、探测空气等离子体所辐射的THz波，以提高THz信号的探测能量。

基于时域谱探测模块检测本申请太赫兹辐射信号强度的机理为：ZnTe晶体20对基频光具有响应特性，对THz波无响应，无法直接测定THz波的信号强度。时域谱探测方法利用ZnTe晶体20对基频光(探测光)的响应采集信号强度；当基频光中混入THz波后，信号强度会骤增，利用混合光与基频光(探测光)的强度差值测得THz波的信号强度。

在采用干涉仪频谱探测检测太赫兹辐射的频谱范围时，如图1所示，所述THz波经第二硅片41的反射后经第一THz反射镜42反射，再经薄膜反射镜43一部分反射一部分透射，一方面，反射THz信号经所述第二THz反射镜44反射后又经薄膜反射镜43透射；另一方面，透射THz信号经第三THz反射镜45反射后又经薄膜反射镜43反射，这两束THz信号经第二薄膜反射镜43后合束入射至第三离轴抛物面反射镜47形成干涉，后聚焦到热释电探测器48探测区域探测获得频谱范围。通过移动第二电动位移台46确定光谱仪中两路THz信号的时间重合，以确保热释电探测器48能够产生干涉信号。

本申请还给出了一种基于具体的双色激光场组合的实施例及实施效果数据：

采用波长组合为800nm(基频光)和400nm(倍频光)的双色激光场，脉宽40飞秒，激光脉冲强度1mJ，重复频率1KHz，焦斑100微米，在沿光路方向上移动凸透镜位移台25的位置，调节基频光焦点和倍频光焦点之间的距离，如图1所示，当基频光焦点出现在B处，倍频光焦点出现在A处，基频光焦点和倍频光焦点的距离为1.7～2.0mm时，时间间隔在20-30fs时，太赫兹辐射的强度为当基频光焦点和倍频光焦点重合时的10倍以上；太赫兹辐射的频谱展宽能够扩展至100THz。

综上所述，本发明通过先将双色场分束得到基频光和倍频光，分别聚焦后再合束激发等离子体产生太赫兹辐射；通过调节倍频光焦点与基频光焦点的距离以及倍频光与基频光的时间间隔，调控所述太赫兹辐射的强度和频谱范围。本申请在提高双色场等离子体方法辐射THz源的输出强度和转换效率的同时，扩大了太赫兹辐射的频谱范围。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (12)

1.一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将双色激光光源分束得到基频光和倍频光，分别对基频光和倍频光进行聚焦，对聚焦后的基频光和倍频光进行合束并电离气体产生太赫兹辐射；

通过调控基频光焦点和倍频光焦点之间的距离以及基频光和倍频光的时间间隔，调控所述太赫兹辐射的强度和频谱范围。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基频光焦点和倍频光焦点位于合束后的光路上且不重合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基频光和倍频光的时间间隔不大于所述双色激光光源的脉宽。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在合束之前，所述基频光和倍频光的偏振方向相同。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括通过干涉条纹锁定来稳定所述基频光和倍频光的相对相位。

6.一种双色场时空调控太赫兹辐射强度和频谱范围的装置，其特征在于：包括双色激光光源，分束元件，基频光聚焦元件、倍频光聚焦元件和合束元件。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：沿基频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括若干个反射镜；沿倍频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括若干个反射镜。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：沿基频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括偏振元件；和/或，沿倍频光的进行方向，在分束元件至合束元件之间，所述装置还包括偏振元件。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述基频光聚焦元件的焦距大于所述基频光聚焦元件与所述合束元件的距离；所述倍频光聚焦元件的焦距大于所述倍频光聚焦元件与所述合束元件的距离。

10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述分束元件为分束二向色镜，所述基频光聚焦元件为凸透镜、所述倍频光聚焦元件为凸透镜，所述合束元件为合束二向色镜。

11.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述装置还包括若干个位移台，若干个所述位移台用于调控所述基频光聚焦元件和/或所述倍频光聚焦元件在光路上的位置。

12.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括锁相干涉仪，所述锁相干涉仪通过干涉条纹锁定来稳定基频光和倍频光的相对相位。

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