CN115119113A - 调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质，涉及通信技术领域。该方法应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，充电仓中新增霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；包括：获取霍尔传感器检测到的电磁铁处的当前磁场强度；根据当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度。该方法中通过控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以及依据电生磁的原理，改变输出电流的同时改变了磁场强度，使得耳机上的电磁铁与充电盒上的电磁铁之间的作用力发生变化，进而调整耳机的位置。可见，通过动态调整电磁，提高了耳机与充电盒物理接触的稳定性。

Description

调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质

技术领域

本申请涉及通信技术领域，特别是涉及调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质。

背景技术

如现如今真正无线立体声(True Wireless Stereo，TWS)耳机越来越受到追捧。TWS耳机由充电盒和耳机组成，大部分的TWS耳机的充电盒具有为耳机充电以及与耳机通信的功能。充电盒与耳机通信的接触点有两个，这两个点一个用于充电盒与耳机共地，一个用于充电和通信。目前市面上的TWS耳机的外观各不相同。当耳机放入充电盒时，由于受到结构的限制或者认为晃动等影响，存在耳机在盒，但是接触点没有连接上或者接触不稳定的状态，这样可能会造成耳机充不上电，耳机和充电盒通信异常等问题。

由此可见，如何提高耳机和充电盒物理接触的稳定性是本领域人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质，用于提高耳机和充电盒物理接触的稳定性。

为解决上述技术问题，本申请提供一种调整耳机与充电盒接触的方法，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，所述耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；所述充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；所述第一电磁铁与所述第二电磁铁的磁性相反；所述霍尔传感器设置于所述第二电磁铁处，用于测量所述第二电磁铁处的磁场强度；所述方法包括：

获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度；

根据所述当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取所述用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，所述目标磁场强度为在所述第一接触点与所述第二接触点完全接触的情况下获取的所述霍尔传感器测量的所述磁场强度；

根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度。

优选地，所述第二电磁铁的数量、所述霍尔传感器的数量至少为2个，均设置于所述充电仓的底部，且任意两个所述第二电磁铁分别位于所述充电仓的底部中心线的两侧；所述用于调整电磁铁电流的电路的数量至少为2路；所述第二电磁铁、所述霍尔传感器、所述用于调整电磁铁电流的电路一一对应；

所述获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度包括：

按照固定频率向所述耳机发射脉冲信号；

在通过所述脉冲信号确定与所述耳机建立链接的情况下，获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度；

所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度包括：

在所述霍尔传感器测量的当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度大于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；其中，所述目标第二电磁铁为在所述充电仓的底部与所述当前第二电磁铁相对的另一所述第二电磁铁；根据所述输入信号值增加所述目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤；

在所述霍尔传感器测量的所述当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度小于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取所述当前第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；根据所述输入信号值增加所述当前第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤。

优选地，所述第二电磁铁的数量、所述霍尔传感器的数量均为4个、所述用于调整电磁铁电流的电路的数量为4路；各所述第二电磁铁设置在所述充电仓的四个方位上；

所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度包括：

分别获取各所述霍尔传感器测量的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度与所述目标磁场强度之间的差值的绝对值；

获取所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁；

在所述霍尔传感器测量的所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的当前磁场强度大于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取所述目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；其中，所述目标第二电磁铁为在所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁的对角方位上的所述第二电磁铁；根据所述输入信号值增加所述目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤；

在所述霍尔传感器测量的所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的当前磁场强度小于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；根据所述输入信号值增加所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤。

优选地，在所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度之后，还包括：

输出用于表征完成调整所述耳机的提示信息和/或记录对所述耳机的调整次数。

优选地，在所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度之后，还包括：

自完成调整所述耳机开始，预设时间内返回所述按照固定频率向所述耳机发射脉冲信号的步骤。

优选地，在所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度之后，还包括：

在所述耳机与所述充电盒待通信的情况下，将各所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流调整为0。

为了解决上述技术问题，本申请还提供一种声音播放装置，包括：耳机、充电盒；

所述耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；

所述充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；所述第一电磁铁与所述第二电磁铁的磁性相反；

所述霍尔传感器设置于所述第二电磁铁处，用于测量所述第二电磁铁处的磁场强度；

所述充电盒用于获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度；根据所述当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取所述用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度；其中，所述目标磁场强度为在所述第一接触点与所述第二接触点完全接触的情况下获取的所述霍尔传感器测量的所述磁场强度。

为了解决上述技术问题，本申请还提供一种调整耳机与充电盒接触的装置，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，所述耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；所述第一电磁铁与所述第二电磁铁的磁性相反；所述霍尔传感器设置于所述第二电磁铁处，用于测量所述第二电磁铁处的磁场强度；所述装置包括：

第一获取模块，用于获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度；

第二获取模块，用于根据所述当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取所述用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，所述目标磁场强度为在所述第一接触点与所述第二接触点完全接触的情况下获取的所述霍尔传感器测量的所述磁场强度；

控制模块，用于根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度。

为了解决上述技术问题，本申请还提供一种调整耳机与充电盒接触的装置，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述的调整耳机与充电盒接触的方法的步骤。

为了解决上述技术问题，本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的调整耳机与充电盒接触的方法的步骤。

本申请所提供的一种调整耳机与充电盒接触的方法，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；第一电磁铁与第二电磁铁的磁性相反；霍尔传感器设置于第二电磁铁处，用于测量第二电磁铁处的磁场强度；该方法包括：获取霍尔传感器检测到的第二电磁铁处的当前磁场强度；根据当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，目标磁场强度为在第一接触点与第二接触点完全接触的情况下获取的霍尔传感器测量的磁场强度；根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度。该方法中，耳机、充电盒上均设置有电磁铁，因此当耳机与充电盒的接触发生变化时，充电盒上的霍尔传感器在电磁铁处检测到的磁场强度也会发生变化。通过控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以及依据电生磁的原理，在改变输出电流的情况下，相应地磁场强度也会发生变化，使得耳机上的电磁铁与充电盒上的电磁铁磁极之间的作用力发生变化，进而调整耳机的位置。由此可见，该方法通过动态调整电磁，提高了耳机与充电盒之间物理接触的稳定性。

此外，本申请还提供一种调整耳机与充电盒接触的装置、声音播放装置以及计算机可读存储介质，与上述提到的调整耳机与充电盒接触的方法具有相同或相对应的技术特征，效果同上。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种充电盒充电的示意图；

图2为本申请实施例提供的一种调整耳机与充电盒接触的方法的流程图；

图3为本申请的一实施例提供的调整耳机与充电盒接触的装置的结构图；

图4为本申请另一实施例提供的调整耳机与充电盒接触的装置的结构图；

图5为本申请实施例提供的调整耳机与充电盒接触的方法的整体流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。

本申请的核心是提供一种调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质，用于提高耳机和充电盒物理接触的稳定性。

TWS耳机由充电盒和耳机组成，大部分的TWS耳机的充电盒具有为耳机充电以及与耳机通信的功能。耳机端以及充电盒的充电仓设置有异名磁极以及接触点。目前在耳机与充电盒上设置两个接触点，其中，一个接触点用来耳机与充电盒进行通信或充电，一个接触点耳机与充电盒共地。图1为本申请实施例提供的一种充电盒充电的示意图。如图1所示，充电盒上设置有充电模块，耳机上设置有充电模块以及耳机电池，在充电盒为耳机充电时，耳机的充电接触点与充电盒的充电接触点接触；耳机的另一个接触点与充电盒的另一个接触点接触且共地。在耳机与充电盒进行接触时，可能受到结构等的限制，导致耳机在盒，接触点没有连接上或接触不稳定的状态，可能造成耳机充不上电或耳机盒充电盒通信异常等问题。因此，本申请通过在充电盒底部的电磁铁位置处增加霍尔传感器来检测电磁铁处的磁场强度，并根据磁场强度的变化来调整用于调整电磁铁电流的电路的输出电流，进而实现改变电磁铁处的磁场强度，通过耳机上的电磁铁与充电盒上的电磁铁的相互作用力微调耳机的位置，使得耳机与充电盒的接触点尽可能完全地接触，尽可能保证充电盒能够正常为耳机充电以及耳机与充电盒能够正常通信。需要说明的是，本申请提供的耳机与充电盒接触的方法还适用于所有接触式的通信设备。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。本实施例提供一种调整耳机与充电盒接触的方法，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；第一电磁铁与第二电磁铁的磁性相反；霍尔传感器设置于第二电磁铁处，用于测量第二电磁铁处的磁场强度。图2为本申请实施例提供的一种调整耳机与充电盒接触的方法的流程图，如图2所示，该方法包括：

S10：获取霍尔传感器检测到的第二电磁铁处的当前磁场强度；

S11：根据当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；

其中，目标磁场强度为在第一接触点与第二接触点完全接触的情况下获取的霍尔传感器测量的磁场强度；

S12：根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度。

由于耳机与充电盒需要接触才能充电以及通信，因此，在耳机端以及充电盒的充电仓设置有异名电磁铁，通过异名磁极的相互作用，使得耳机能够与充电仓的接触点接触。对于耳机上设置的第一电磁铁的数量以及充电盒上设置的第二电磁铁的数量不作限定，只要第一电磁铁的磁极与第二电磁铁的磁极相反即可。在第二电磁铁处设置有霍尔传感器，可以依据霍尔传感器检测的磁场强度判断耳机的接触点与充电盒接触点的接触情况。本实施例设置有用于调整电磁铁电流的电路，对于用于调整电磁铁电流的电路的位置不作限定，根据实际情况进行确定。当耳机的接触点与充电盒的接触点未接触或未完全接触时，可通过控制脉宽调制(Pulse Width Modulation，PWM)的输出，进而增大用于电磁铁电流的电路的输出电流，改变耳机上的电磁铁与充电盒上的电磁铁的相互作用力，达到微调耳机的位置的目的。

在充电盒中有两个用于放置耳机的充电仓，充电仓的形状通常按照所放置的耳机的形状设置，使得耳机在充电仓中的位置较为稳定。此处以充电盒上设置一个第二电磁铁为例。当位于两个充电仓的耳机共同通过一个第二电磁铁来检测耳机位置时，在第二电磁铁位置处设置有霍尔传感器，对于具体的位置不作限定，如霍尔传感器设置在第二电磁铁的中心位置处，在两个耳机的接触点分别与对应的充电仓的接触点完全接触时，获取霍尔传感器测量的电磁铁位置处的磁场强度，可以称为目标磁场强度，记录为M。实际中，由于结构的原因，各第二电磁铁可能有对应的目标磁场强度。对耳机位置的调整通常指的是耳机在充电盒中，对耳机位置进行微调，当耳机不在充电盒中时，则不需要对耳机调整位置，因此也可以将耳机不在充电盒中通过霍尔传感器测量电磁铁位置处的磁场强度，可即为N。可以在获取到M以及N之后，将M、N存储在Flash中，在进行磁场强度比较时，从Flash中获取M、N即可。如果两个耳机的位置发生变化时，耳机上的电磁铁与充电盒上的电磁铁在第二电磁铁位置处的磁场强度也会发生变化，通过霍尔传感器测量到第二电磁铁位置处的磁场强度。当霍尔传感器检测到的磁场强度小于目标磁场强度时，说明耳机远离充电盒上的接触点，获取霍尔传感器检测到的磁场强度与目标磁场强度的差值，根据磁场差值找到对应的用于调整电磁铁电流的电路的输出电流的变化值作为用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值，根据输入信号值增大用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度。

本实施例所提供的调整耳机与充电盒接触的方法，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；第一电磁铁与第二电磁铁的磁性相反；霍尔传感器设置于第二电磁铁处，用于测量第二电磁铁处的磁场强度；该方法包括：获取霍尔传感器检测到的第二电磁铁处的当前磁场强度；根据当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，目标磁场强度为在第一接触点与第二接触点完全接触的情况下获取的霍尔传感器测量的磁场强度；根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度。该方法中，耳机、充电盒上均设置有电磁铁，因此当耳机与充电盒的接触发生变化时，充电盒上的霍尔传感器在电磁铁处检测到的磁场强度也会发生变化。通过控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以及依据电生磁的原理，在改变输出电流的情况下，相应地磁场强度也会发生变化，使得耳机上的电磁铁与充电盒上的电磁铁磁极之间的作用力发生变化，进而调整耳机的位置。由此可见，该方法通过动态调整电磁，提高了耳机与充电盒之间物理接触的稳定性。

在实施中，为了能够较准确地调整耳机的位置以及快速地调整耳机位置，使得耳机的接触点与充电盒的接触点尽可能完全接触，优选地实施方式是，第二电磁铁的数量、霍尔传感器的数量至少为2个，均设置于充电仓的底部，且任意两个第二电磁铁分别位于充电仓的底部中心线的两侧；用于调整电磁铁电流的电路的数量至少为2路；第二电磁铁、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路一一对应；

获取霍尔传感器检测到的第二电磁铁处的当前磁场强度包括：

按照固定频率向耳机发射脉冲信号；

在通过脉冲信号确定与耳机建立链接的情况下，获取各霍尔传感器检测到的对应的第二电磁铁处的当前磁场强度；

根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度包括：

在霍尔传感器测量的当前第二电磁铁处的当前磁场强度大于对应的目标磁场强度的情况下，获取目标第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，目标第二电磁铁为在充电仓的底部与当前第二电磁铁相对的另一第二电磁铁；根据输入信号值增加目标第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整当前第二电磁铁处的当前磁场强度；返回获取各霍尔传感器检测到的对应的第二电磁铁处的当前磁场强度的步骤；

在霍尔传感器测量的当前第二电磁铁处的当前磁场强度小于对应的目标磁场强度的情况下，获取当前第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；根据输入信号值增加当前第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整当前第二电磁铁处的当前磁场强度；返回获取各霍尔传感器检测到的对应的第二电磁铁处的当前磁场强度的步骤。

在耳机以及充电盒上有单总线芯片。在充电盒上的单总线芯片发出脉冲信号的情况下，若耳机上的单总线芯片接收到该脉冲信号，耳机向充电盒发出建立好链接的信号，以此来确定耳机的接触点与充电盒的接触点完全接触或不完全接触，然后通过霍尔传感器测量对应的电磁铁处的磁场强度。在单总线芯片内部可以设置标志位来判断耳机是否在充电盒。充电盒上的单总线芯片可以按照固定频率或非固定频率向耳机的单总线芯片发出脉冲信号，对此不作限定。本实施例中充电盒上的单总线芯片按照固定频率向耳机发射脉冲信号，对于固定频率的具体的值不作限定，根据实际情况进行确定。

本实施例中第二电磁铁的数量至少为2个，且任意两个第二电磁铁分别位于充电仓的底部中心线的两侧，由于耳机接触点与充电盒的接触点完全接触时，耳机的中心通常与充电盒底部的中心重合。以两个第二电磁铁为例，若这两个第二电磁铁均位于充电仓的底部中心线的同侧时，当耳机靠近这两个电磁铁时，霍尔传感器检测到的磁场强度的值均是大于目标磁场强度，然后通过增加另一个电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流，在增加输出电流时，导致耳机更加远离充电仓的底部中心，也就是使得耳机的位置更加偏离目标位置，此处的目标位置指的是耳机接触点与充电盒接触点完全接触时耳机的位置，导致耳机不能进行正常的充电以及与充电盒的正常通信。因此，两个第二电磁铁需要位于充电仓的底部中心线的两侧，当一个霍尔传感器检测到对应的电磁铁处的磁场强度大于目标磁场强度时，说明耳机靠近该电磁铁，因此就需要通过增加该电磁铁对侧的电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流，依据电生磁原理，使得该电磁铁对侧的电磁铁处的磁场强度增强，进而通过该电磁铁对侧的电磁铁吸引耳机，调整了耳机的位置，使得耳机远离该电磁铁；当一个霍尔传感器检测到对应的电磁铁处的磁场强度小于目标磁场强度时，说明耳机远离该电磁铁，因此就需要通过增加该电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流，依据电生磁原理，使得该电磁铁处的磁场强度增强，进而通过该电磁铁吸引耳机，调整了耳机的位置，使得耳机靠近该电磁铁。此外，对于增加的输出电流的数值，可以根据获取霍尔传感器检测到的磁场强度与目标磁场强度的差值，通过磁场差值确定对应的用于调整电磁铁电流的电路的输出电流的变化值。

在实施中，可能需要进行多次调整才能使得耳机的接触点与充电盒的接触点完全接触或者接触面积达到预设要求，因此在完成一次调整耳机位置之后，可以继续根据磁场强度值判断耳机的位置是否需要调整。

本实施例所提供的通过至少2个第二电磁铁、至少2个霍尔传感器、以及至少2路用于调整电磁铁电流的电路实现对耳机与充电盒接触的方法，能够较准确地调整耳机的位置以及快速地调整耳机位置，使得耳机的接触点与充电盒的接触点尽可能完全接触。

在实施中，由于充电仓的位置较小，因此当在充电仓的底部设置较多的第二电磁铁、霍尔传感器时，可能需要在充电仓底部占用较多的位置，并且当一个电磁铁变化时，霍尔传感器检测到的磁场的变化情况不明显，进而无法较准确以及快速地判断出当前耳机的位置。因此，优选地实施方式是，第二电磁铁的数量、霍尔传感器的数量均为4个、用于调整电磁铁电流的电路的数量为4路；各第二电磁铁设置在充电仓的四个方位上；

根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度包括：

分别获取各霍尔传感器测量的对应的第二电磁铁处的当前磁场强度与目标磁场强度之间的差值的绝对值；

获取差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁；

在霍尔传感器测量的差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁处的当前磁场强度大于对应的目标磁场强度的情况下，获取目标第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，目标第二电磁铁为在差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁的对角方位上的第二电磁铁；根据输入信号值增加目标第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁处的当前磁场强度；返回获取各霍尔传感器检测到的对应的第二电磁铁处的当前磁场强度的步骤；

在霍尔传感器测量的差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁处的当前磁场强度小于对应的目标磁场强度的情况下，获取差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；根据输入信号值增加差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整差值的绝对值最大时对应的第二电磁铁处的当前磁场强度；返回获取各霍尔传感器检测到的对应的第二电磁铁处的当前磁场强度的步骤。

以耳机手持部的底端为正方形，对应的充电仓底部的形状为正方形，将4个第二电磁铁以及4个霍尔传感器设置在充电仓底部的四个角上，假设分别为A、B、C、D四个第二电磁铁，其中，A与C对角、B与C对角，当耳机手持部的底端的中心与充电仓底部的中心重合时，各第二电磁铁处的目标磁场强度值相等；假设A对应的霍尔传感器检测到的A处的磁场强度的值大于目标磁场强度，说明耳机靠近A，因此，需要增加C对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流，实现调整耳机远离A；假设A对应的霍尔传感器检测到的A处的磁场强度的值小于目标磁场强度，说明耳机远离A，因此，需要增加A对应的用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流，实现调整耳机靠近A。

在调整耳机位置时，为了能够快速地使耳机的接触点与充电盒的接触点完全接触或者接触面积达到预设要求，每次先对当前磁场强度与目标磁场强度的差值最大的进行处理。

本实施例所提供的通过4个第二电磁铁、4个霍尔传感器、以及4路用于调整电磁铁电流的电路实现对耳机与充电盒接触的方法，相比于设置超过4个的情况，更能减少对充电仓底部的占用面积；能够较明显地获取到磁场强度的变化情况。此外，每次对当前磁场强度与目标磁场强度的差值最大的进行处理，使得能够较快速地以及准确地对耳机位置进行调整。

在实施中，为了方便用户了解到耳机与充电盒的接触情况，优选地实施方式是，在根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度之后，还包括：

输出用于表征完成调整耳机的提示信息和/或记录对耳机的调整次数。

对于提示信息的提示方式以及提示内容等不作限定，根据实际情况进行确定。对于记录对耳机的调整次数时记录的周期、记录的位置等不作限定，也是根据实际情况进行确定。

本实施例所提供的输出用于表征完成调整耳机的提示信息和/或记录对耳机的调整次数，使得用户能够直观了解到耳机与充电盒的接触情况。

在实施中，在完成一次对耳机调整之后，可能存在人为因素等导致耳机的接触点与充电盒的接触点的接触情况发生变化，因此需要对耳机的位置进行再次判断。优选地实施方式是，在根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度之后，还包括：

自完成调整耳机开始，预设时间内返回按照固定频率向耳机发射脉冲信号的步骤。

对于预设时间的具体的值不作限定，根据实际情况进行确定。本实施例所提供的自完成调整耳机开始，预设时间内返回按照固定频率向耳机发射脉冲信号的步骤，实现对耳机的位置进行监控，进而对耳机接触点与充电盒接触点不接触或不完全接触的情况进行调整。

当耳机与充电盒需要进行通信时，若存在磁性则可能会影响通信，因此优选地实施方式是，在根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度之后，还包括：

在耳机与充电盒待通信的情况下，将各用于调整电磁铁电流的电路的输出电流调整为0。

由于电磁场可能会干扰耳机和充电盒的单总线通信，所以当充电盒需要和耳机通信之前，充电盒控制用于调整电磁铁电流的电路的电流，使接触点上的磁性为0，来减少电磁场对耳机与充电盒通信的干扰。

本实施例提供一种声音播放装置，包括：耳机、充电盒；

耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；

充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；第一电磁铁与第二电磁铁的磁性相反；

霍尔传感器设置于第二电磁铁处，用于测量第二电磁铁处的磁场强度；

充电盒用于获取霍尔传感器检测到的第二电磁铁处的当前磁场强度；根据当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度；其中，目标磁场强度为在第一接触点与第二接触点完全接触的情况下获取的霍尔传感器测量的磁场强度。

本实施例提供的声音播放装置与上文提到的调整耳机接触的方法具有相对应的技术特征，具有与上述的调整耳机接触的方法相同的有益效果。上文中已对调整耳机接触的方法进行了详细的描述，此处对于声音播放装置的具体的实施例不再赘述。

在上述实施例中，对于调整耳机与充电盒接触的方法进行了详细描述，本申请还提供调整耳机与充电盒接触的装置对应的实施例。需要说明的是，本申请从两个角度对装置部分的实施例进行描述，一种是基于功能模块的角度，另一种是基于硬件的角度。

图3为本申请的一实施例提供的调整耳机与充电盒接触的装置的结构图。该装置应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；第一电磁铁与第二电磁铁的磁性相反；霍尔传感器设置于第二电磁铁处，用于测量第二电磁铁处的磁场强度。本实施例基于功能模块的角度，包括：

第一获取模块10，用于获取霍尔传感器检测到的第二电磁铁处的当前磁场强度；

第二获取模块11，用于根据当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，目标磁场强度为在第一接触点与第二接触点完全接触的情况下获取的霍尔传感器测量的磁场强度；

控制模块12，用于根据输入信号值控制用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整当前磁场强度。

由于装置部分的实施例与方法部分的实施例相互对应，因此装置部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述。与上述提到的调整耳机与充电盒接触的方法具有相对应的技术特征，效果同上。

图4为本申请另一实施例提供的调整耳机与充电盒接触的装置的结构图。本实施例基于硬件角度，如图4所示，调整耳机与充电盒接触的装置包括：

存储器20，用于存储计算机程序；

处理器21，用于执行计算机程序时实现如上述实施例中所提到的调整耳机与充电盒接触的方法的步骤。

其中，处理器21可以包括一个或多个处理核心，比如4核心处理器、8核心处理器等。处理器21可以采用数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)、可编程逻辑阵列(Programmable LogicArray，PLA)中的至少一种硬件形式来实现。处理器21也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，处理器21可以集成有图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，处理器21还可以包括人工智能(Artificial Intelligence，AI)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。

存储器20可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器20还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。本实施例中，存储器20至少用于存储以下计算机程序201，其中，该计算机程序被处理器21加载并执行之后，能够实现前述任一实施例公开的调整耳机与充电盒接触的方法的相关步骤。另外，存储器20所存储的资源还可以包括操作系统202和数据203等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。其中，操作系统202可以包括Windows、Unix、Linux等。数据203可以包括但不限于上述所提到的调整耳机与充电盒接触的方法所涉及到的数据等。

在一些实施例中，调整耳机与充电盒接触的装置还可包括有显示屏22、输入输出接口23、通信接口24、电源25以及通信总线26。

本领域技术人员可以理解，图4中示出的结构并不构成对调整耳机与充电盒接触的装置的限定，可以包括比图示更多或更少的组件。

本申请实施例提供的调整耳机与充电盒接触的装置，包括存储器和处理器，处理器在执行存储器存储的程序时，能够实现如下方法：调整耳机与充电盒接触的方法，效果同上。

最后，本申请还提供一种计算机可读存储介质对应的实施例。计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述方法实施例中记载的步骤。

可以理解的是，如果上述实施例中的方法以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本申请提供的计算机可读存储介质包括上述提到的调整耳机与充电盒接触的方法，效果同上。

为了使本领域的技术人员更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图5对上述本申请作进一步的详细说明，图5为本申请实施例提供的调整耳机与充电盒接触的方法的整体流程图。如图5所示，该方法包括：

S13：充电盒开机；

S14：从Flash中获取M和N；

S15：根据单总线芯片内部标志位判断耳机是否在充电盒；若是，则进入步骤S16至步骤S23；若否，则进入步骤S24至步骤S26；

S16：读取霍尔传感器测量的磁场大小S；

S17：判断S是否大于N且小于M；若是，则进入步骤S18；

S18：计算S与M之间的差值Q；

S19：判断更改磁性的次数是否大于3；若是，则进入步骤S20；若否，则进入步骤S21；

S20：在原来改变电流的基础上，加大电路的输出电流，使磁性更强以便调整耳机位置；

S21：充电盒根据Q值的大小控制用于控制电磁铁电路的PWM输出，改变电流电路进而改变磁场强度以便调整耳机的位置；

S22：记录更改磁性的次数；

S23：延迟30s；返回步骤S15；

S24：判断充电盒与耳机是否待通信；若是，则进入步骤S25；

S25：调整PWM输出，使接触点上的磁性为0；

S26：判断通信是否完毕；若是，则返回步骤S15。

由此可见，该方法中通过动态调整电磁，提高了耳机与充电盒物理接触的稳定性。

以上对本申请所提供的调整耳机接触的方法、装置、声音播放装置及介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种调整耳机与充电盒接触的方法，其特征在于，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，所述耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；所述充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；所述第一电磁铁与所述第二电磁铁的磁性相反；所述霍尔传感器设置于所述第二电磁铁处，用于测量所述第二电磁铁处的磁场强度；所述方法包括：

获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度；

根据所述当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取所述用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，所述目标磁场强度为在所述第一接触点与所述第二接触点完全接触的情况下获取的所述霍尔传感器测量的所述磁场强度；

根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度。

2.根据权利要求1所述的调整耳机与充电盒接触的方法，其特征在于，所述第二电磁铁的数量、所述霍尔传感器的数量至少为2个，均设置于所述充电仓的底部，且任意两个所述第二电磁铁分别位于所述充电仓的底部中心线的两侧；所述用于调整电磁铁电流的电路的数量至少为2路；所述第二电磁铁、所述霍尔传感器、所述用于调整电磁铁电流的电路一一对应；

所述获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度包括：

按照固定频率向所述耳机发射脉冲信号；

在通过所述脉冲信号确定与所述耳机建立链接的情况下，获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度；

所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度包括：

在所述霍尔传感器测量的当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度大于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；其中，所述目标第二电磁铁为在所述充电仓的底部与所述当前第二电磁铁相对的另一所述第二电磁铁；根据所述输入信号值增加所述目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤；

在所述霍尔传感器测量的所述当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度小于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取所述当前第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；根据所述输入信号值增加所述当前第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述当前第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤。

3.根据权利要求2所述的调整耳机与充电盒接触的方法，其特征在于，所述第二电磁铁的数量、所述霍尔传感器的数量均为4个、所述用于调整电磁铁电流的电路的数量为4路；各所述第二电磁铁设置在所述充电仓的四个方位上；

所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度包括：

分别获取各所述霍尔传感器测量的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度与所述目标磁场强度之间的差值的绝对值；

获取所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁；

在所述霍尔传感器测量的所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的当前磁场强度大于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取所述目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；其中，所述目标第二电磁铁为在所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁的对角方位上的所述第二电磁铁；根据所述输入信号值增加所述目标第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤；

在所述霍尔传感器测量的所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的当前磁场强度小于对应的所述目标磁场强度的情况下，获取所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路的所述输入信号值；根据所述输入信号值增加所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁对应的所述用于调整电磁铁电流的电路中的输出电流以便调整所述差值的绝对值最大时对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度；返回所述获取各所述霍尔传感器检测到的对应的所述第二电磁铁处的所述当前磁场强度的步骤。

4.根据权利要求2或3所述的调整耳机与充电盒接触的方法，其特征在于，在所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度之后，还包括：

输出用于表征完成调整所述耳机的提示信息和/或记录对所述耳机的调整次数。

5.根据权利要求4所述的调整耳机与充电盒接触的方法，其特征在于，在所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度之后，还包括：

自完成调整所述耳机开始，预设时间内返回所述按照固定频率向所述耳机发射脉冲信号的步骤。

6.根据权利要求2或3所述的调整耳机与充电盒接触的方法，其特征在于，在所述根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度之后，还包括：

在所述耳机与所述充电盒待通信的情况下，将各所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流调整为0。

7.一种声音播放装置，其特征在于，包括：耳机、充电盒；

所述耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；

所述充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；所述第一电磁铁与所述第二电磁铁的磁性相反；

所述霍尔传感器设置于所述第二电磁铁处，用于测量所述第二电磁铁处的磁场强度；

所述充电盒用于获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度；根据所述当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取所述用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度；其中，所述目标磁场强度为在所述第一接触点与所述第二接触点完全接触的情况下获取的所述霍尔传感器测量的所述磁场强度。

8.一种调整耳机与充电盒接触的装置，其特征在于，应用于包含耳机、充电盒的声音播放装置，所述耳机端设置有第一电磁铁、第一接触点；所述充电盒的充电仓设置有第二电磁铁、第二接触点、霍尔传感器、用于调整电磁铁电流的电路；所述第一电磁铁与所述第二电磁铁的磁性相反；所述霍尔传感器设置于所述第二电磁铁处，用于测量所述第二电磁铁处的磁场强度；所述装置包括：

第一获取模块，用于获取所述霍尔传感器检测到的所述第二电磁铁处的当前磁场强度；

第二获取模块，用于根据所述当前磁场强度与目标磁场强度之间的关系获取所述用于调整电磁铁电流的电路的输入信号值；其中，所述目标磁场强度为在所述第一接触点与所述第二接触点完全接触的情况下获取的所述霍尔传感器测量的所述磁场强度；

控制模块，用于根据所述输入信号值控制所述用于调整电磁铁电流的电路的输出电流以便调整所述当前磁场强度。

9.一种调整耳机与充电盒接触的装置，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至6任一项所述的调整耳机与充电盒接触的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的调整耳机与充电盒接触的方法的步骤。

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