CN115117600A - 天线结构与电子装置 - Google Patents

Abstract

一种天线结构与电子装置。天线结构包括第一辐射件、第二辐射件、接地件以及电容元件；第一辐射件包括第一辐射部、第二辐射部、馈入部以及接地部；接地部的一端与馈入部都电性连接于第一辐射部与第二辐射部之间；第二辐射件耦合于第一辐射件，第二辐射件包括相互电性连接的第三辐射部与本体部；第三辐射部与第二辐射部彼此分离且相互耦合；电容元件耦接于第二辐射件与接地件之间；馈入部的馈入处至第二辐射部的开路端具有第一预定长度，本体部电性连接于电容元件的连接处与第三辐射部的开路端之间具有电气长度，电气长度大于第一预定长度。本发明的天线结构与电子装置可产生频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的符合增益规范的操作频带。

Description

天线结构与电子装置

技术领域

本发明涉及一种电子装置，尤其涉及一种具有天线结构的电子装置及其天线结构。

背景技术

首先，目前的电子装置，例如笔记本型计算机，除了在外观设计上朝向轻薄的趋势，亦同时要兼顾高效能。现有技术中，电子装置内的天线结构设计为了满足低剖面高度的需求，会有频宽(特别是高频频宽)明显不足的现象产生。

因此，如何通过天线结构设计的改良，来改善电子装置的通信质量，来克服上述的缺陷，已成为该项技术所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种天线结构与电子装置。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种天线结构，其包括第一辐射件、第二辐射件、接地件以及电容元件。第一辐射件包括第一辐射部、第二辐射部、馈入部以及接地部，馈入部电性连接于第一辐射部与第二辐射部之间，且接地部的一端电性连接于第一辐射部与第二辐射部之间。第二辐射件耦合于第一辐射件，第二辐射件包括第三辐射部以及电性连接于第三辐射部的本体部，其中，第三辐射部与第二辐射部彼此分离且相互耦合。接地部的另一端电性连接于接地件。电容元件耦接于第二辐射件与接地件之间。馈入部具有馈入处，馈入处与第二辐射部的开路端之间具有第一预定长度，本体部电性连接于电容元件的连接处与第三辐射部的开路端之间具有电气长度，电气长度大于第一预定长度。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种电子装置，其包括天线结构。天线结构包括第一辐射件、第二辐射件、接地件以及电容元件。第一辐射件包括第一辐射部、第二辐射部、馈入部以及接地部，馈入部电性连接于第一辐射部与第二辐射部之间，且接地部的一端电性连接于第一辐射部与第二辐射部之间。第二辐射件耦合于第一辐射件，第二辐射件包括第三辐射部以及电性连接于第三辐射部的本体部，其中，第三辐射部与第二辐射部彼此分离且相互耦合。接地件电性连接于接地端，且接地部的另一端电性连接于接地件。电容元件耦接于第二辐射件与接地件之间。第二辐射部电性连接于馈入部的连接处与第二辐射部的开路端之间具有第一预定长度，本体部电性连接于电容元件的连接处与第三辐射部的开路端之间具有电气长度，电气长度大于第一预定长度。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的天线结构与电子装置，其能通过“第二辐射件的第三辐射部与第一辐射件的第二辐射部彼此分离且相互耦合”以及“馈入部的馈入处与第二辐射部的一开路端之间具有一第一预定长度，本体部电性连接于电容元件的一连接处与第三辐射部的一开路端之间具有一电气长度，电气长度大于第一预定长度”的技术方案，以使电子装置中的天线结构产生一频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的符合增益规范的操作频带。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明第一实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图2为图1的II部分的放大示意图。

图3为图1的切换电路、控制电路及第三辐射件的示意图。

图4为本发明第二实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图5为图4的V部分的放大示意图。

图6为本发明第三实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图7为图6的VII部分的放大示意图。

图8为本发明第四实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图9为图8的IX部分的放大示意图。

图10为本发明的天线结构的效能示意图。

图11为图10的XI部分的放大示意图。

主要组件符号说明：

D 电子装置

T 基板

1 第一辐射件

11 第一辐射部

12 第二辐射部

121 开路端

13 馈入部

131 馈入处

14 接地部

141 第一区段

142 第二区段

143 第三区段

2 第二辐射件

21 第三辐射部

211 开路端

22 本体部

221 连接处

222 第四辐射部

2221 第三侧边

2222 第四侧边

223 第一侧边

224 第二侧边

225 第五侧边

23 第五辐射部

231 开路端

3 第三辐射件

4 接地件

C 电容元件

L 电气长度

L1 第一预定长度

L2 第二预定长度

H1 第一预定距离

H2 第二预定距离

H3 第三预定距离

H4 第四预定距离

S 切换电路

R 控制电路

F 馈入件

F1 馈入端

F2 接地端

W 信号传导路径

W1 第一路径

W2 第二路径

W3 第三路径

SW1 第一切换开关

SW2 第二切换开关

SW3 第三切换开关

E1 第一被动元件

E2 第二被动元件

M1、M2、M3、M4 曲线

X、Y 方向

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“天线结构与电子装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者更多个的组合。另外，本发明全文中的“连接(connect)”是两个元件之间有实体连接且为直接连接或者是间接连接，且本发明全文中的“耦合(couple)”是两个元件之间彼此分离且无实体连接，而是藉由一元件的电流所产生的电场能量(electric field energy)激发另一元件的电场能量。

[第一实施例]

参阅图1所示，本发明第一实施例提供一种电子装置D，其包含一天线结构。天线结构包括：一第一辐射件1、一第二辐射件2以及一接地件4。此外，天线结构还可包括一基板T，第一辐射件1、第二辐射件2以及接地件4可设置在基板T上。第一辐射件1包括一第一辐射部11、一第二辐射部12、一馈入部13以及一接地部14。馈入部13电性连接于第一辐射部11与第二辐射部12之间，且接地部14的一端电性连接于第一辐射部11与第二辐射部12之间，接地部14的另一端电性连接于接地件4。

接着，第一辐射部11相对于馈入部13沿一第一方向(正X方向)延伸，第二辐射部12相对于馈入部13沿一第二方向(负X方向)延伸，也就是说，第一辐射部11与第二辐射部12彼此平行且该第一方向与该第二方向相反，且第一辐射部11沿第一方向延伸的长度大于第二辐射部12沿第二方向延伸的长度。此外，馈入部13可相对于馈入部13与第二辐射部12之间的连接处朝向一第三方向(负Y方向)延伸。此外，在本实施例中，接地部14基本上为一呈ㄇ字形的延伸区段，其包括一连接于第一辐射部11与馈入部13之间的第一区段141、一连接于第一区段141且相对于第一区段141呈转折的第二区段142以及一连接于第二区段142且相对于第二区段142呈转折的第三区段143。藉此，本发明的第一辐射件1可为一平面型倒F天线(Planar inverted-F Antenna，PIFA)架构，然而本发明不以此为限。

继续参阅图1，并且一并参阅图2所示，图2为图1的II部分的放大示意图。第二辐射件2可邻近于第一辐射件1设置，第二辐射件2耦合于第一辐射件1，第二辐射件2包括一第三辐射部21以及一电性连接于第三辐射部21的本体部22。第二辐射件2的第三辐射部21与第一辐射件1的第二辐射部12彼此分离且相互耦合。此外，天线结构还包括一电容元件C，电容元件C耦接于第二辐射件2与接地件4之间。本体部22包括一第四辐射部222，第四辐射部222电性连接于本体部22与电容元件C之间。本体部22包括连接第三辐射部21的第一侧边223以及第二侧边224，而第一侧边223与第二侧边224相对设置，第四辐射部222连接于第一侧边223并且平行于第三辐射部21，且第三辐射部21与第四辐射部222皆是相对于本体部22沿第一方向(正X方向)延伸，使得第二辐射件2的外型呈一ㄇ字型。第四辐射部222包括分别连接于本体部22且彼此相对设置的一第三侧边2221与一第四侧边2222。进一步来说，第一侧边223与第二侧边224之间相隔一第一预定距离H1，第三侧边2221与第四侧边2222之间相隔一第二预定距离H2，且第一预定距离H1大于两倍的第二预定距离H2。

承上述，更进一步来说，第三辐射部21与接地件4之间相隔一第三预定距离H3，第二辐射部12与接地件4之间相隔一第四预定距离H4，第三预定距离H3不等于第四预定距离H4。值得一提的是，在本实施例中，第三预定距离H3大于第四预定距离H4，也就是说，第三辐射部21相比第二辐射部12更加远离接地件4，借以提高第三辐射部21与第二辐射部12相耦合产生的1710MHz至2300MHz之间的高频频宽范围的增益(Gain)。

接着，继续参阅图2所示，馈入部13具有一馈入处131，馈入处131即为馈入件F的馈入端F1连接至馈入部13的连接处。换言之，馈入件F通过馈入处131电性连接馈入端F1，以将信号传送至馈入部13中。馈入处131与第二辐射部12的一开路端121之间具有一第一预定长度L1，本体部22电性连接于电容元件C的一连接处221与第三辐射部21的一开路端211之间具有一电气长度L，电气长度L大于第一预定长度L1。

继续参阅图1所示，电子装置D还包括一馈入件F，馈入件F包括一馈入端F1以及一接地端F2，馈入端F1电性连接于馈入部13，且接地端F2电性连接于接地件4。电子装置D可通过馈入件F馈入信号至第一辐射件1，并利用第一辐射件1耦合激发第二辐射件2。值得说明的是，在其中一实施方式中，接地件4还可电性连接于一金属件，且金属件可为电子装置D的壳体，然而本发明不以此为限。此外，举例来说，第一辐射件1、第二辐射件2与接地件4可为一金属片、一金属导线或者是其他具有导电效果的导电体，馈入件F可为一同轴电缆线(Coaxial cable)，基板T可为FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷电路板(PrintedCircuit Board，PCB)或是一柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit Board，FPCB)，然而本发明不以此为限。

承上述，第三辐射部21能产生一第一中心频率，第二辐射部12能产生一第二中心频率，其中第一中心频率不同于第二中心频率，并且第三辐射部21通过与第二辐射部12相互耦合，以激发出一频率范围介于第一中心频率与第二中心频率之间的第一操作频带。举例来说，第三辐射部21能产生一频率约为1700MHz的第一中心频率，第二辐射部12能产生一频率约为2500MHz的第二中心频率，第三辐射部21与第二辐射部12彼此分离且相互耦合，以激发出一频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的第一操作频带。然而，本发明不限于此。进一步来说，本发明能够通过上述提及的第一预定距离H1大于两倍的第二预定距离H2的技术特征，来进一步调整天线结构的高频频宽，使其频宽范围大于1710MHz至2690MHz的范围。

另外，前段已提及，电容元件C耦接于第二辐射件2与接地件4之间的导电路径上。举例来说，电容元件C的电容值介于0.1pF至100pF之间，较佳者，电容元件C的电容值介于3pF至20pF之间，然而本发明不以为限。藉此，天线结构亦可通过电容元件C的设置来调整天线结构的高频频宽及阻抗匹配，以及解决邻近元件(例如磁铁)产生的噪声干扰，达到高通滤波效果。

继续参阅图1所示，天线结构还包括一第三辐射件3以及一切换电路S。切换电路S电性连接第三辐射件3。第三辐射件3耦合于该第一辐射件1，进一步来说，第一辐射件1的第一辐射部11与第三辐射件3彼此分离且相互耦合，第一辐射部11产生一第三中心频率，并藉由与第三辐射件3之间的耦合来激发出一第二操作频带。举例来说，第一辐射部11能产生一频率约为824MHz的一第三中心频率，而藉由与第三辐射件3彼此分离且相互耦合而激发出一频率范围介于698MHz至960MHz之间的第二操作频带。接着，通过切换电路S的切换，能够进一步调整第二操作频带中的不同中心频率。举例来说，切换电路S包括一第一模式与一第二模式，该第一模式具有一第一路径，该第二模式具有一第二路径。该第一路径具有第一阻抗值，该第二路径具有第二阻抗值，且该第一阻抗值不同于该第二阻抗值。

承上述，电子装置D还包括一控制电路R，控制电路R可控制切换电路S切换于该第一模式与该第二模式中的其中之一，以利用控制电路R控制天线结构的操作频带。举例来说，控制电路R可为一微控制器(microcontroller)或是一主机板(Mainboard)上的电路，以控制切换电路S，然而本发明不以此为限。

参阅图3所示，图3为图1的切换电路、控制电路及第三辐射件的示意图。举例来说，切换电路S包括一信号传导路径W以及分别电性连接于信号传导路径W的至少一接地路径(例如第一路径W1、第二路径W2和/或第三路径W3)。至少一接地路径上可分别串联有一切换开关(例如第一切换开关SW1、第二切换开关SW2和/或第三切换开关SW3)。此外，接地路径除了串联一切换开关，还可串联被动元件(例如第一被动元件E1和/或第二被动元件E2)。举例来说，被动元件可为电感、电容或电阻，电子装置D可利用被动元件E的设置而调整天线结构的操作频带、阻抗匹配、返回损失的数值和/或辐射效率。此外，接地路径也可不设置有任何被动元件，亦即本发明不以被动元件的设置与否为限制。进一步来说，控制电路R可用于控制至少一接地路径(例如第一路径W1、第二路径W2和/或第三路径W3)是否导通，以利用接地路径的选择，而控制切换电路S切换于该第一模式与该第二模式中的其中之一。

举例来说，如图3所示，切换电路S包括一信号传导路径W、一第一路径W1、一第二路径W2以及一第三路径W3。第一路径W1、第二路径W2及第三路径W3分别电性连接于信号传导路径W，且第一路径W1、第二路径W2及第三路径W3分别串联有一第一切换开关SW1、一第二切换开关SW2及一第三切换开关SW3。第一路径W1上不设置被动元件，第二路径W2上串联有一第一被动元件E1，第三路径W3上串联有一第二被动元件E2。第二路径W2上的第一被动元件E1可为电感，第三路径W3上的第二被动元件E2可为电容。

承上述，在其中一种模式切换的实施方式中，第一模式为第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，也就是说，第一模式为第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，且第一路径W1、第二路径W2及第三路径W3皆呈断路状态。

承上述，请复参阅图3所示，举例来说，在另外一种模式切换的实施方式中，第二模式为第三辐射件3通过第一路径W1而电性连接至接地件4，也就是说，第二模式为第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，且第一路径W1呈导通状态，而此时第二路径W2及第三路径W3皆呈断路状态。

承上述，请复参阅图3所示，举例来说，在另外一种模式切换的实施方式中，第三模式为第三辐射件3通过第二路径W2而电性连接至接地件4，也就是说，第三模式为第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，且第二路径W2呈导通状态，而此时第一路径W1及第三路径W3皆呈断路状态。

承上述，请复参阅图3所示，举例来说，在另外再一种模式切换的实施方式中，第四模式为第三辐射件3通过第三路径W3而电性连接至接地件4，也就是说，第四模式为第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，且第三路径W3呈导通状态，而此时第一路径W1及第二路径W2皆呈断路状态。

藉此，在此实施方式中，当第一路径W1为导通状态且第二路径W2及第三路径W3为非导通状态时，频率范围介于698MHz至960MHz之间的操作频带的中心频率可较靠近698MHz，当第二路径W2为导通状态且第一路径W1及第三路径W3为非导通状态时，频率范围介于698MHz至960MHz之间的操作频带的中心频率可较靠近960MHz，然而本发明不以此为限。换句话说，切换电路S可利用第一被动元件E1及第二被动元件E2的选择，而调整第二操作频带的中心频率。

[第二实施例]

参阅图4所示，图4为本发明第二实施例的电子装置的其中一俯视示意图。由图4与图1的比较可知第二实施例与第一实施例之间的差别在于天线结构的架构。也就是说，本发明所提供的电子装置D可以具有不同的天线结构的形式。另外，须说明的是，第二实施例所提供的电子装置D的其他结构与前述第一实施例相仿，在此不再赘述。

继续参阅图4所示，并且一并参阅图5所示，图5为图4的V部分的放大示意图。第二实施例与第一实施例的差别是在于第二辐射件2的结构不同。在本实施例中，第二辐射件2包括一第三辐射部21以及一电性连接于第三辐射部21的本体部22。第三辐射部21与第一辐射件1的第二辐射部12彼此分离且相互耦合。本体部22包括一第四辐射部222，第四辐射部222电性连接于本体部22与电容元件C之间。其中，第三辐射部21相对于本体部22沿第一方向(正X方向)延伸，第四辐射部222连接于第五侧边225并且相对于本体部22沿第三方向(负Y方向)延伸，使得第二辐射件2的外型呈一L字形。第四辐射部222包括分别连接于本体部22且彼此相对设置的一第三侧边2221与一第四侧边2222。进一步来说，第一侧边223与第二侧边224之间相隔一第一预定距离H1，第三侧边2221与第四侧边2222之间相隔一第二预定距离H2，且第一预定距离H1大于两倍的第二预定距离H2。

承上述，更进一步来说，第三辐射部21与接地件4之间相隔一第三预定距离H3，第二辐射部12与接地件4之间相隔一第四预定距离H4，第三预定距离H3不等于第四预定距离H4，而在本实施例中，第三预定距离H3大于第四预定距离H4。也就是说，第三辐射部21相比第二辐射部12更加远离接地件4，借以提高第三辐射部21与第二辐射部12相耦合产生的1710MHz至2300MHz之间的高频频宽范围的增益(Gain)。

接着，继续参阅图5所示，馈入件F通过馈入处131电性连接馈入端F1，以将信号传送至馈入部13中。馈入处131与第二辐射部12的一开路端121之间具有一第一预定长度L1，本体部22电性连接于电容元件C的一连接处221与第三辐射部21的一开路端211之间具有一电气长度L，电气长度L大于第一预定长度L1。

藉此，本发明的天线结构通过第三辐射部21与第二辐射部12彼此分离且相互耦合，以激发出一频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的第一操作频带，并且通过电容元件C的设置来调整天线结构的高频频宽，以及解决邻近元件(例如磁铁)产生的噪声干扰，达到高通滤波效果。

[第三实施例]

参阅图6所示，图6为本发明第三实施例的电子装置的其中一俯视示意图。由图6与图1的比较可知第三实施例与第一实施例之间的差别在于天线结构的架构。也就是说，本发明所提供的电子装置D可以具有不同的天线结构的形式。另外，须说明的是，第三实施例所提供的电子装置D的其他结构与前述第一实施例相仿，在此不再赘述。

继续参阅图6所示，并且一并参阅图7所示，图7为图6的VII部分的放大示意图。第三实施例与第一实施例的差别是在于第二辐射件2的结构不同。在本实施例中，第二辐射件2包括一第三辐射部21、一电性连接于第三辐射部21的本体部22以及一电性连接于本体部22的第五辐射部23，且电容元件C耦接于第二辐射件2与接地件4之间。第三辐射部21与第一辐射件1的第二辐射部12彼此分离且相互耦合。第三辐射部21相对于本体部22沿一第三方向(正X方向)延伸，第五辐射部23相对于本体部22沿一第四方向(负X方向)延伸，第三方向与第四方向相反，使得第二辐射件2的外型呈一T字形。

更进一步来说，第三辐射部21与接地件4之间相隔一第三预定距离H3，第二辐射部12与接地件4之间相隔一第四预定距离H4，第三预定距离H3不等于第四预定距离H4。值得一提的是，在本实施例中，第三预定距离H3大于第四预定距离H4。

接着，继续参阅图7所示，馈入件F通过馈入处131电性连接馈入端F1，以将信号传送至馈入部13中。馈入处131与第二辐射部12的一开路端121之间具有一第一预定长度L1，本体部22电性连接于电容元件C的一连接处221与第三辐射部21的一开路端211之间具有一电气长度L，电气长度L大于第一预定长度L1。此外，第五辐射部23连接于本体部22的一连接处与第五辐射部23的一开路端231之间具有一第二预定长度L2，第二预定长度L2小于第一预定长度L1。也就是说，第五辐射部23的长度小于第二辐射部12的长度，因此第五辐射部23所产生的中心频率会大于第二辐射部12所产生的中心频率。举例来说，第五辐射部23能产生一频率约为3GHz的第四中心频率，大于第二辐射部12所产生的频率约为2500MHz的第二中心频率。

[第四实施例]

参阅图8所示，图8为本发明第四实施例的电子装置的其中一俯视示意图。由图8与图1的比较可知第四实施例与第一实施例之间的差别在于天线结构的架构。也就是说，本发明所提供的电子装置D可以具有不同的天线结构的形式。此外，第四实施例所提供的电子装置D的其他结构与前述第一实施例相仿，在此不再赘述。

继续参阅图8所示，并且一并参阅图9所示，图9为图8的IX部分的放大示意图。第四实施例与第一实施例的差别是在于第二辐射件2的结构不同。在本实施例中，第二辐射件2包括一第三辐射部21以及一电性连接于第三辐射部21的本体部22。第三辐射部21与第一辐射件1的第二辐射部12彼此分离且相互耦合。本体部22包括一第四辐射部222，第四辐射部222电性连接于本体部22与电容元件C之间。其中，第三辐射部21相对于本体部22沿第一方向(正X方向)延伸，第四辐射部222连接于第五侧边225并且相对于本体部22沿第三方向(负Y方向)延伸，使得第二辐射件2的外型呈一L字形。第四辐射部222包括分别连接于本体部22且彼此相对设置的一第三侧边2221与一第四侧边2222。进一步来说，第一侧边223与第二侧边224之间相隔一第一预定距离H1，第三侧边2221与第四侧边2222之间相隔一第二预定距离H2，且第一预定距离H1大于两倍的第二预定距离H2。更进一步来说，第三辐射部21与接地件4之间相隔一第三预定距离H3，第二辐射部12与接地件4之间相隔一第四预定距离H4，第三预定距离H3不等于第四预定距离H4。值得一提的是，在本实施例中，第三预定距离H3小于第四预定距离H4，也就是说，第三辐射部21相比第二辐射部12更为接近接地件4。藉此，第三辐射部21能够通过更接近接地件4(相比第二辐射部12来说)，来进一步调整及优化天线结构所产生的阻抗匹配、返回损失的数值和/或辐射效率。

继续参阅图9所示，馈入件F通过馈入处131电性连接馈入端F1，以将信号传送至馈入部13中。馈入处131与第二辐射部12的一开路端121之间具有一第一预定长度L1，本体部22电性连接于电容元件C的一连接处221与第三辐射部21的一开路端211之间具有一电气长度L，电气长度L大于第一预定长度L1。

藉此，天线结构通过第三辐射部21与第二辐射部12彼此分离且相互耦合，以激发出一频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的第一操作频带，并且通过电容元件C的设置来调整天线结构的高频频宽，以及解决邻近元件(例如磁铁)产生的噪声干扰，达到高通滤波效果。

另外，须说明的是，第一实施例至第四实施例中的电气长度L(本体部22电性连接于电容元件C的一连接处221与第三辐射部21的一开路端211之间的距离)皆不同。电气长度L的长短会造成高频频宽的位移(shift)，也就是说，通过改变电气长度L，能够调整天线结构所产生的操作频带、阻抗匹配、返回损失的数值和/或辐射效率。

接着，请参阅图10及图11所示，图10为本发明的天线结构的效能示意图，图11为图10的XI部分的放大图。举例来说，第二路径W2上所串联的第一被动元件E1可为一18nH的电感，第三路径W3上所串联的第二被动元件E2可为一8.2pF的电容。图10及图11中的曲线M1为电子装置D在第一模式的情况下的返回损失的曲线。在第一模式中，第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，且第一切换开关SW1、第二切换开关SW2及第三切换开关SW3为非导通状态。图10及图11中的曲线M2为电子装置D在第二模式的情况下的返回损失的曲线。在第二模式中，第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接于控制电路R，第一切换开关SW1为导通状态，而第二切换开关SW2及第三切换开关SW3为非导通状态。图10及图11中的曲线M3为电子装置D在第三模式的情况下的返回损失的曲线。在第三模式中，第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接于控制电路R，第二切换开关SW2为导通状态，第一切换开关SW1及第三切换开关SW3为非导通状态。图10及图11中的曲线M4为电子装置D在第四模式的情况下的返回损失的曲线，在第四模式中，第三辐射件3通过信号传导路径W而电性连接至控制电路R，且第三切换开关SW3为导通状态，而第一切换开关SW1及第二切换开关SW2为非导通状态。藉此，如图10及图11所示，可通过不同路径的选择，而调整天线结构所产生的操作频带、阻抗匹配、返回损失的数值和/或辐射效率，以使天线结构所产生的频宽能够满足使用者需求(即图10、图11所示的规格(Specification，SPEC))。

[实施例的有益效果]

本发明所提供的天线结构与电子装置，其能通过“第二辐射件2的第三辐射部21与第一辐射件1的第二辐射部12彼此分离且相互耦合”以及“馈入部13的馈入处131与第二辐射部12的一开路端121之间具有一第一预定长度L1，本体部22电性连接于电容元件C的一连接处221与第三辐射部21的一开路端211之间具有一电气长度L，而电气长度L大于第一预定长度L1”的技术方案，以使电子装置D中的天线结构产生一频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的符合增益规范(即符合图10、图11所示的规格)的操作频带。

更进一步来说，本发明所提供的天线结构与电子装置主要通过第二辐射件2的第三辐射部21与第一辐射件1的第二辐射部12彼此分离且相互耦合，以激发出一频率范围介于1710MHz至2690MHz之间的第一操作频带，以及通过第一辐射件1的第一辐射部11与第三辐射件3彼此分离且相互耦合而激发出一频率范围介于698MHz至960MHz之间的第二操作频带。此外，本发明利用切换电路S调整低频频率范围介于698MHz至960MHz之间的第二操作频带的中心频率，并且利用一电容元件C耦接于第二辐射件2与接地件4之间，调整天线结构的高频频宽，以及解决邻近元件(例如磁铁)产生的噪声干扰，以达到高通滤波效果。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等同技术变化，均包含于本发明的权利要求书的范围内。

Claims (17)

1.一种天线结构，该天线结构包括：

一第一辐射件，该第一辐射件包括一第一辐射部、一第二辐射部、一馈入部以及一接地部，该馈入部电性连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间，且该接地部的一端电性连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间；

一第二辐射件，该第二辐射件耦合于该第一辐射件，该第二辐射件包括一第三辐射部以及一电性连接于该第三辐射部的一本体部，该第三辐射部与该第二辐射部彼此分离且相互耦合；

一接地件，该接地部的另一端电性连接于该接地件；以及

一电容元件，该电容元件耦接于该第二辐射件与该接地件之间；

其中，该馈入部具有一馈入处，该馈入处与该第二辐射部的一开路端之间具有一第一预定长度，该本体部电性连接于该电容元件的一连接处与该第三辐射部的一开路端之间具有一电气长度，该电气长度大于该第一预定长度。

2.如权利要求1所述的天线结构，其中，该本体部包括一第四辐射部，该第四辐射部电性连接于该本体部与该电容元件之间，该本体部包括一连接该第三辐射部的一第一侧边与一与该第一侧边相对设置的一第二侧边，该第一侧边与该第二侧边之间相隔一第一预定距离，该第四辐射部包括分别连接于该本体部且彼此相对设置的一第三侧边与一第四侧边，该第三侧边与该第四侧边之间相隔一第二预定距离，该第一预定距离大于两倍的该第二预定距离。

3.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第三辐射部与该接地件之间相隔一第三预定距离，该第二辐射部与该接地件之间相隔一第四预定距离，该第三预定距离不等于该第四预定距离。

4.如权利要求1所述的天线结构，其中，该电容元件的电容值介于0.1pF至100pF之间。

5.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第一辐射部相对于该馈入部沿一第一方向延伸，该第二辐射部相对于该馈入部沿一第二方向延伸，该第一方向与该第二方向相反。

6.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第二辐射件还包括一第五辐射部，该第五辐射部电性连接于该本体部，该第三辐射部相对于该本体部沿一第三方向延伸，该第五辐射部相对于该本体部沿一第四方向延伸，该第三方向与该第四方向相反，且其中，该第五辐射部连接于该本体部的一连接处与该第五辐射部的一开路端之间具有一第二预定长度，该第二预定长度小于该第一预定长度。

7.如权利要求1所述的天线结构，该天线结构还包括：一第三辐射件以及一切换电路，该切换电路电性连接该第三辐射件；其中，该第三辐射件耦合于该第一辐射件，并且通过该切换电路的切换，该天线结构可产生不同中心频率的操作频带。

8.如权利要求7所述的天线结构，其中，该切换电路包括一第一模式与一第二模式，该第一模式具有一第一路径，该第二模式具有一第二路径；其中，该第一路径具有一第一阻抗值，该第二路径具有一第二阻抗值，且该第一阻抗值不同于该第二阻抗值。

9.一种电子装置，该电子装置包括：

一天线结构，该天线结构包括：

一第一辐射件，该第一辐射件包括一第一辐射部、一第二辐射部、一馈入部以及一接地部，该馈入部电性连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间，且该接地部的一端电性连接于该第一辐射部与该第二辐射部之间；

一第二辐射件，该第二辐射件耦合于该第一辐射件，该第二辐射件包括一第三辐射部以及一电性连接于该第三辐射部的一本体部，该第三辐射部与该第二辐射部彼此分离且相互耦合；

一接地件，该接地件电性连接于一接地端，且该接地部的另一端电性连接于该接地件；以及

一电容元件，该电容元件耦接于该第二辐射件与该接地件之间；

其中，该第二辐射部电性连接于该馈入部的一连接处与该第二辐射部的一开路端之间具有一第一预定长度，该本体部电性连接于该电容元件的一连接处与该第三辐射部的一开路端之间具有一电气长度，该电气长度大于该第一预定长度。

10.如权利要求9所述的电子装置，其中，该本体部包括一第四辐射部，该第四辐射部电性连接于该本体部与该电容元件之间，该本体部包括一连接该第三辐射部的一第一侧边与一与该第一侧边相对设置的一第二侧边，该第一侧边与该第二侧边之间相隔一第一预定距离，该第四辐射部包括分别连接于该本体部且彼此相对设置的一第三侧边与一第四侧边，该第三侧边与该第四侧边之间相隔一第二预定距离，该第一预定距离大于两倍的该第二预定距离。

11.如权利要求9所述的电子装置，其中，该第三辐射部与该接地件之间相隔一第三预定距离，该第二辐射部与该接地件之间相隔一第四预定距离，该第三预定距离不等于该第四预定距离。

12.如权利要求9所述的电子装置，其中，该电容元件的电容值介于0.1pF至100pF之间。

13.如权利要求9所述的电子装置，其中，该第一辐射部相对于该馈入部沿一第一方向延伸，该第二辐射部相对于该馈入部沿一第二方向延伸，该第一方向与该第二方向相反。

14.如权利要求9所述的电子装置，其中，该第二辐射件还包括一第五辐射部，该第五辐射部电性连接于该本体部，该第三辐射部相对于该本体部沿一第三方向延伸，该第五辐射部相对于该本体部沿一第四方向延伸，该第三方向与该第四方向相反，且其中，该第五辐射部连接于该本体部的一连接处与该第五辐射部的一开路端之间具有一第二预定长度，该第二预定长度小于该第一预定长度。

15.如权利要求9所述的电子装置，该电子装置还包括：一第三辐射件以及一切换电路，该切换电路电性连接该第三辐射件；其中，该第三辐射件耦合于该第一辐射件，并且通过该切换电路的切换，以产生不同中心频率的操作频带。

16.如权利要求15所述的电子装置，其中，该切换电路包括一第一模式与一第二模式，该第一模式具有一第一路径，该第二模式具有一第二路径；其中，该第一路径具有一第一阻抗值，该第二路径具有一第二阻抗值，且该第一阻抗值不同于该第二阻抗值。

17.如权利要求15所述的电子装置，该电子装置还包括：一控制电路，该控制电路电性连接于该切换电路，该控制电路控制该切换电路切换于该第一模式与该第二模式中的其中之一。

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