CN115117583B - 一种基于ltcc的小型化超宽带巴伦 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，涉及微波通信技术领域，基于LTCC工艺的叠层技术将多层陶瓷介质基板堆叠，并制作巴伦的一个输入端电极、两个输出端电极，工作状态中，能量从输入端电极进入螺旋形银线，螺旋形银线通过耦合作用将能量传输到第一耦合基板上的第一螺旋形耦合银线和第二耦合基板上的第二螺旋形耦合银线；螺旋形银线还通过S型银线将部分能量从第一输出端电极输出；第二螺旋形耦合银线获得耦合能量后通过Z性银线将部分能量从第二输出端电极输出。不仅能基于LTCC工艺实现巴伦的小型化，而且可以调整两输出端口之间的幅度不平衡度以及相位不平衡，从而提高巴伦性能。

Description

一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦

技术领域

本申请涉及微波通信技术领域，特别涉及一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦。

背景技术

随着微波通信技术的飞速发展，微波器件朝着小型化、宽带化的方向发展。巴伦作为平衡与非平衡转换器，广泛运用于微波系统，如天线、混频器、倍频器等，是微波系统中一种重要元件。巴伦的功能是实现单端信号与差分端信号之间的转换，巴伦为三端口无源器件，应满足两个输出端口的输出信号幅度相同，相位差180度。巴伦的主要性能指标包括插入损耗、回波损耗、工作频带、差分端输出信号的幅度与相位的不平衡度等。

目前的巴伦器件难以在满足小型化的同时，克服损耗较高、Q值低下、封装密度低、抗冲击能力弱、温度适应范围窄、生产周期长、生产成本高等性能缺陷。

发明内容

本申请的目的在于提供一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其能够改善上述问题。

本申请的实施例是这样实现的：

本申请提供一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其包括：

堆叠起来的多层介质基板，以及覆盖各个所述介质基板的输入端电极、第一输出端电极、第二输出端电极和接地电极；其中，表层基板和底层基板为暴露在外的两层介质基板，由所述表层基板垂直指向所述底层基板的方向为堆叠方向；在所述表层基板和所述底层基板之间，沿所述堆叠方向依次堆叠有第一输出基板、第一耦合基板、输入基板、第二耦合基板和第二输出基板；

所述输入基板上设置有与所述输入端电极连接的螺旋形银线，所述第一输出基板上设置有与所述第一输出端电极连接的S型银线，所述S型银线通过第一导电通孔与所述螺旋形银线的另一端连接；所述第一耦合基板上设置有能够接收所述螺旋形银线能量的第一螺旋形耦合银线，所述第一螺旋形耦合银线连接于所述第一导电通孔和所述接地电极之间；

所述第二输出基板上设置有与所述第二输出端电极连接的Z型银线，所述第二耦合基板上设置有能够接收所述螺旋形银线能量的第二螺旋形耦合银线，所述Z型银线的另一端通过第二导电通孔与所述第二螺旋形耦合银线的第一端连接，所述第二螺旋形耦合银线的第二端和所述接地电极连接。

在本申请可选的实施例中，所述第二导电通孔贯穿所述第二耦合基板；所述第一导电通孔贯穿所述第一输出基板和所述第一耦合基板。

在本申请可选的实施例中，堆叠起来的多层所述介质基板均采用陶瓷介质。该陶瓷介质的介电常数为7.1，损耗系数为0.003。巴伦的整体尺寸可以为2mm*1.25mm*0.57mm。

可以理解，本申请公开了一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，涉及微波通信技术领域，基于低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)工艺的叠层技术将多层陶瓷介质基板堆叠，并制作巴伦的一个输入端电极、两个输出端电极，工作状态中，能量从输入端电极进入螺旋形银线，螺旋形银线通过耦合作用将能量传输到第一耦合基板上的第一螺旋形耦合银线和第二耦合基板上的第二螺旋形耦合银线；螺旋形银线还通过S型银线将部分能量从第一输出端电极输出；第二螺旋形耦合银线获得耦合能量后通过Z性银线将部分能量从第二输出端电极输出。

基于LTCC工艺的叠层技术以及陶瓷材料的优良特性，从而使各种微波无源器件具有尺寸小、重量轻、性能优、可靠性高、批量生产性能一致性好及低成本等诸多优点。

通过调整第一螺旋形耦合银线与第二螺旋形耦合银线的长度可调整两输出端口之间的幅度不平衡度以及相位不平衡；将传输线设置成S型或Z型有利于调整两输出端口的相位不平衡度，从而提高巴伦性能。

在本申请可选的实施例中，所述S型银线通过第三导电通孔与第一接地电容连接，所述Z型银线通过第四导电通孔与第二接地电容连接。

其中，在所述表层基板和所述第一输出基板之间，沿所述堆叠方向依次堆叠有第一接地基板和第一电容基板；所述第一接地基板上设置有与所述接地电极连接的第一银片，所述第一电容基板上设置有第二银片，所述第一银片在所述第一电容基板上的正投影区域覆盖所述第二银片；所述S型银线通过第三导电通孔与第二银片连接，所述第一螺旋形耦合银线的末端通过第五导电通孔与所述第一银片连接。

可以理解，第一银片和第二银片相对设置于第一接地基板的两侧，其中第一银片接地，因此，第一银片和第二银片形成上述第一接地电容。第一接地电容与S型银线连接可以起到调节阻抗匹配、调整S参数、调整带宽实现小型化、调整幅度以及相位不平衡度的作用，并且第一接地电容还可抵消一部分寄生电容可以对巴伦的性能进行优化。

其中，在所述第二输出基板和所述底层基板之间，沿所述堆叠方向依次堆叠有第二电容基板；所述底层基板朝向所述第二电容基板的表面上设置有与所述接地电极连接的第三银片，所述第二电容基板上设置有第四银片，所述第三银片在所述第二电容基板上的正投影区域覆盖所述第四银片；所述Z型银线通过第四导电通孔与第四银片连接，所述第二螺旋形耦合银线的第二端通过第六导电通孔与所述第三银片连接。

可以理解，第三银片和第四银片相对设置于第二电容基板的两侧，其中第三银片接地，因此，第三银片和第四银片形成上述第二接地电容。第二接地电容与Z型银线连接可以起到调节阻抗匹配、调整S参数、调整带宽实现小型化、调整幅度以及相位不平衡度的作用，并且第二接地电容还可抵消一部分寄生电容可以对巴伦的性能进行优化。

在本申请可选的实施例中，所述表层基板背离所述底层基板的表面为顶面，所述底层基板背离所述表层基板的表面为底面；所述接地电极的首端固定于所述顶面上，所述接地电极沿所述堆叠方向延伸，所述接地电极的尾端固定于所述底面上，所述接地电极与各个所述介质基板的侧面均接触。所述接地电极的数量为至少一个。

在本申请可选的实施例中，所述表层基板背离所述底层基板的表面为顶面，所述底层基板背离所述表层基板的表面为底面；所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极的首端分别固定于所述顶面上，所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极分别沿所述堆叠方向延伸，所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极的尾端固定于所述底面上，所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极与各个所述介质基板的侧面均接触。

其中，所述螺旋形银线的末端通过连接银片伸出所述输入基板边缘与所述输入端电极连接，所述连接银片可起到调整端口阻抗匹配的作用。

可以理解，连接银片可起到调整端口阻抗匹配的作用。

其中，所述S型银线的末端伸出所述第一输出基板边缘与所述第一输出端电极连接，所述Z型银线的末端伸出所述第二输出基板边缘与所述第二输出端电极连接。

有益效果：

本申请公开了一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，涉及微波通信技术领域，基于LTCC工艺的叠层技术将多层陶瓷介质基板堆叠，并制作巴伦的一个输入端电极、两个输出端电极，工作状态中，能量从输入端电极进入螺旋形银线，螺旋形银线通过耦合作用将能量传输到第一耦合基板上的第一螺旋形耦合银线和第二耦合基板上的第二螺旋形耦合银线；螺旋形银线还通过S型银线将部分能量从第一输出端电极输出；第二螺旋形耦合银线获得耦合能量后通过Z性银线将部分能量从第二输出端电极输出。

基于LTCC工艺的叠层技术以及陶瓷材料的优良特性，从而使各种微波无源器件具有尺寸小、重量轻、性能优、可靠性高、批量生产性能一致性好及低成本等诸多优点。

通过调整第一螺旋形耦合银线与第二螺旋形耦合银线的长度可调整两输出端口之间的幅度不平衡度以及相位不平衡；将传输线设置成S型或Z型有利于调整两输出端口的相位不平衡度，从而提高巴伦性能。

螺旋形银线的末端通过连接银片与输入端电极连接，可起到调整端口阻抗匹配的作用。

第一银片和第二银片相对设置于第一接地基板的两侧，形成第一接地电容。第三银片和第四银片相对设置于第二电容基板的两侧，形成第二接地电容。第一接地电容与S型银线连接，第二接地电容与Z型银线连接，可以起到调节阻抗匹配、调整S参数、调整带宽实现小型化、调整幅度以及相位不平衡度的作用，并且第一接地电容还可抵消一部分寄生电容可以对巴伦的性能进行优化。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举可选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦的结构示意图；

图2是本申请提供的一种表层基板的俯视图；

图3是本申请提供的一种第一接地基板的俯视图；

图4是本申请提供的一种第一电容基板的俯视图；

图5是本申请提供的一种第一输出基板的俯视图；

图6是本申请提供的一种第一耦合基板的俯视图；

图7是本申请提供的一种输入基板的俯视图；

图8是本申请提供的一种第二耦合基板的俯视图；

图9是本申请提供的一种第二输出基板的俯视图；

图10是本申请提供的一种第二电容基板的俯视图；

图11是本申请提供的一种底层基板的俯视图；

图12是本申请提供的一种底层基板的仰视图；

图13是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在加载接地电容以及修改耦合长度状态下的仿真S参数随频率的变化图；

图14是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在加载接地电容以及修改耦合长度状态下的仿真插入损耗随频率的变化图；

图15是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在加载接地电容以及修改耦合长度状态下的仿真幅度不平衡度随频率的变化图；

图16是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在加载接地电容以及修改耦合长度状态下的仿真相位不平衡度随频率的变化图；

图17是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在不同状态下的仿真回波损耗随频率的变化图；

图18是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在不同状态下的仿真幅度不平衡度随频率的变化图；

图19是本申请提供的一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦在不同状态下的仿真相位不平衡度随频率的变化图。

附图标号：

输入端电极100、第一输出端电极201、第二输出端电极202、接地电极300、表层基板1、第一接地基板2、第一电容基板3、第一输出基板4、第一耦合基板5、输入基板6、第二耦合基板7、第二输出基板8、第二电容基板9、底层基板10、第一银片12、第五导电通孔13、第三导电通孔14、第二银片15、S型银线16、第一导电通孔17、第一螺旋形耦合银线18、螺旋形银线19、连接银片20、第二螺旋形耦合银线21、第六导电通孔22、第二导电通孔23、第四导电通孔24、Z型银线25、第四银片26、第三银片27。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

为了解决目前的巴伦器件难以在满足小型化的同时，克服损耗较高、Q值低下、封装密度低、抗冲击能力弱、温度适应范围窄、生产周期长、生产成本高等性能缺陷的问题，本申请提供一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦。

如图1所示，本申请提供的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，包括：堆叠起来的多层介质基板，以及覆盖各个介质基板的输入端电极100、第一输出端电极201、第二输出端电极202和接地电极300。如图1所示的巴伦包括介质基板1-10，以及覆盖各个介质基板的输入端电极100、第一输出端电极201、第二输出端电极202和接地电极300。图1中接地电极300设置了3个，实际应用中，接地电极300的数量可以根据实际情况任意设置，只要保证至少一个即可。其中，表层基板1和底层基板10为暴露在外的两层介质基板，由表层基板1垂直指向底层基板10的方向为堆叠方向，如图1中箭头方向所示。在表层基板1和底层基板10之间，沿堆叠方向依次堆叠有第一输出基板4、第一耦合基板5、输入基板6、第二耦合基板7和第二输出基板8。

如图7所示，输入基板6上设置有与输入端电极100连接的螺旋形银线19，如图5所示，第一输出基板4上设置有与第一输出端电极201连接的S型银线16，S型银线16通过贯穿第一输出基板4和第一耦合基板5的第一导电通孔17与螺旋形银线19的另一端连接；如图6所示，第一耦合基板5上设置有能够接收螺旋形银线19能量的第一螺旋形耦合银线18，第一螺旋形耦合银线18连接于第一导电通孔17和接地电极300之间。

如图9所示，第二输出基板8上设置有与第二输出端电极202连接的Z型银线25；如图8所示，第二耦合基板7上设置有能够接收螺旋形银线19能量的第二螺旋形耦合银线21，Z型银线25的另一端通过贯穿第二耦合基板7的第二导电通孔23与第二螺旋形耦合银线21的第一端连接，第二螺旋形耦合银线21的第二端和接地电极300连接。

LTCC是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源与有源集成的功能模块。

陶瓷材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性，根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数，增加了器件设计的灵活性。

LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。由于LTCC技术具有三维立体集成优势，在微波频段被广泛用来制造各种微波无源元件，实现无源元件的高度集成。基于LTCC工艺的叠层技术以及陶瓷材料的优良特性，从而使各种微波无源器件具有尺寸小、重量轻、性能优、可靠性高、批量生产性能一致性好及低成本等诸多优点。

可以理解，本申请公开了一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，涉及微波通信技术领域，基于低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)工艺的叠层技术将多层陶瓷介质基板堆叠，并制作巴伦的一个输入端电极100、两个输出端电极，工作状态中，能量从输入端电极100进入螺旋形银线19，螺旋形银线19通过耦合作用将能量传输到第一耦合基板5上的第一螺旋形耦合银线18和第二耦合基板7上的第二螺旋形耦合银线21；螺旋形银线19还通过S型银线16将部分能量从第一输出端电极201输出；第二螺旋形耦合银线21获得耦合能量后通过Z性银线将部分能量从第二输出端电极202输出。

基于LTCC工艺的叠层技术以及陶瓷材料的优良特性，从而使各种微波无源器件具有尺寸小、重量轻、性能优、可靠性高、批量生产性能一致性好及低成本等诸多优点。

通过调整第一螺旋形耦合银线18与第二螺旋形耦合银线21的长度可调整两输出端口之间的幅度不平衡度以及相位不平衡；将传输线设置成S型或Z型有利于调整两输出端口的相位不平衡度，从而提高巴伦性能。

在本申请可选的实施例中，S型银线16通过第三导电通孔14与第一接地电容连接，Z型银线25通过第四导电通孔24与第二接地电容连接。

其中，如图1所示，在表层基板1和第一输出基板4之间，沿堆叠方向依次堆叠有第一接地基板2和第一电容基板3。如图3所示，第一接地基板2上设置有与接地电极300连接的第一银片12；如图4所示，第一电容基板3上设置有第二银片15；第一银片12在第一电容基板3上的正投影区域覆盖第二银片15。S型银线16通过贯穿第一电容基板3的第三导电通孔14与第二银片15连接，第一螺旋形耦合银线18的末端通过贯穿第一接地基板2、第一电容基板3和第一输出基板4的第五导电通孔13与第一银片12连接。

可以理解，第一银片12和第二银片15相对设置于第一接地基板2的两侧，其中第一银片12接地，因此，第一银片12和第二银片15形成上述第一接地电容。第一接地电容与S型银线16连接可以起到调节阻抗匹配、调整S参数、调整带宽实现小型化、调整幅度以及相位不平衡度的作用，并且第一接地电容还可抵消一部分寄生电容可以对巴伦的性能进行优化。

其中，如图1所示，在第二输出基板8和底层基板10之间，沿堆叠方向依次堆叠有第二电容基板9。如图11所示，底层基板10朝向第二电容基板9的表面上设置有与接地电极300连接的第三银片27，第二电容基板9上设置有第四银片26，第三银片27在第二电容基板9上的正投影区域覆盖第四银片26。Z型银线25通过贯穿第二输出基板8的第四导电通孔24与第四银片26连接，第二螺旋形耦合银线21的第二端通过贯穿第二耦合基板7和第二输出基板8的第六导电通孔22与第三银片27连接。

可以理解，第三银片27和第四银片26相对设置于第二电容基板9的两侧，其中第三银片27接地，因此，第三银片27和第四银片26形成上述第二接地电容。第二接地电容与Z型银线25连接可以起到调节阻抗匹配、调整S参数、调整带宽实现小型化、调整幅度以及相位不平衡度的作用，并且第二接地电容还可抵消一部分寄生电容可以对巴伦的性能进行优化。

在本申请可选的实施例中，如图1所示，表层基板1背离底层基板10的表面为顶面，底层基板10背离表层基板1的表面为底面；接地电极300的首端固定于顶面上，接地电极300沿堆叠方向延伸，接地电极300的尾端固定于底面上，接地电极300与各个介质基板的侧面均接触。其中，接地电极300的数量为至少一个，图1中接地电极300设置了3个，实际应用中，接地电极300的数量可以根据实际情况任意设置，只要保证至少一个即可。

在本申请可选的实施例中，继续参考图1所示，表层基板1背离底层基板10的表面为顶面，底层基板10背离表层基板1的表面为底面；输入端电极100、第一输出端电极201和第二输出端电极202的首端分别固定于顶面上，输入端电极100、第一输出端电极201和第二输出端电极202分别沿堆叠方向延伸，输入端电极100、第一输出端电极201和第二输出端电极202的尾端固定于底面上，输入端电极100、第一输出端电极201和第二输出端电极202与各个介质基板的侧面均接触。

其中，如图7所示，螺旋形银线19的末端通过连接银片20伸出输入基板6边缘与输入端电极100连接，连接银片20可起到调整端口阻抗匹配的作用。可以理解，连接银片20可起到调整端口阻抗匹配的作用。

其中，如图5所示，S型银线16的末端伸出第一输出基板4边缘与第一输出端电极201连接，Z型银线25的末端伸出第二输出基板8边缘与第二输出端电极202连接。

本申请提供一种包含上述特征的小型化超宽带巴伦，其中堆叠起来的多层介质基板均采用陶瓷介质。该陶瓷介质的介电常数为7.1，损耗系数为0.003。巴伦的整体尺寸可以为2mm*1.25mm*0.57mm。如图13至图16所示为该巴伦在加载接地电容以及修改耦合长度状态下的仿真的性能参数，如图可知，该巴伦在回波损耗(S(1,1))小于-15dB的情况下的工作频带为1.56GHz-3.34GHz，相对带宽高达72.65％，带内插入损耗小于0.9dB，幅度不平衡度小于±0.3dB，相位不平衡度小于±3°，性能优异。

如图17至图19所示为该巴伦在不同状态下的仿真的性能参数的差异，如图17所示仅改变耦合线的长度对带宽基本没有影响，仅仅是将中心频率向移动；加载接地电容后，可明显地发现通带向低频处移动，虽然带宽变窄了，但是通带内回波损耗明显变好，可见接地电容起到调节阻抗匹配，调整S参数的作用，也起到调整带宽实现小型化的作用，并且也可抵消一部分寄生电容可以对巴伦的性能进行优化。如图18和图19所示，通过改变耦合线宽带以及加载接地电容对改善两输出端口的幅度不平衡度以及相位不平衡度有明显的效果。因此本发明所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦相对带宽高达72.65％，损耗较小，通带内性能优异，易于实现，并且尺寸很小。

在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关，但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如，第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备，虽然两者均是用户设备。例如，在不背离本公开的范围的前提下，第一元件可称作第二元件，类似地，第二元件可称作第一元件。

当一个元件(例如，第一元件)称为与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如，第二元件)或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如，第三元件)间接连接至该另一个元件。相反，可理解，当元件(例如，第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时，则没有元件(例如，第三元件)插入在这两者之间。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

以上所述仅为本申请的可选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，包括：

堆叠起来的多层介质基板，以及覆盖各个所述介质基板的输入端电极、第一输出端电极、第二输出端电极和接地电极；其中，表层基板和底层基板为暴露在外的两层介质基板，由所述表层基板垂直指向所述底层基板的方向为堆叠方向；在所述表层基板和所述底层基板之间，沿所述堆叠方向依次堆叠有第一输出基板、第一耦合基板、输入基板、第二耦合基板和第二输出基板；

所述输入基板上设置有与所述输入端电极连接的螺旋形银线，所述第一输出基板上设置有与所述第一输出端电极连接的S型银线，所述S型银线通过第一导电通孔与所述螺旋形银线的另一端连接；所述第一耦合基板上设置有能够接收所述螺旋形银线能量的第一螺旋形耦合银线，所述第一螺旋形耦合银线连接于所述第一导电通孔和所述接地电极之间；

所述第二输出基板上设置有与所述第二输出端电极连接的Z型银线，所述第二耦合基板上设置有能够接收所述螺旋形银线能量的第二螺旋形耦合银线，所述Z型银线的另一端通过第二导电通孔与所述第二螺旋形耦合银线的第一端连接，所述第二螺旋形耦合银线的第二端和所述接地电极连接。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述第二导电通孔贯穿所述第二耦合基板；

所述第一导电通孔贯穿所述第一输出基板和所述第一耦合基板。

3.根据权利要求2所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述S型银线通过第三导电通孔与第一接地电容连接，所述Z型银线通过第四导电通孔与第二接地电容连接。

4.根据权利要求3所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

在所述表层基板和所述第一输出基板之间，沿所述堆叠方向依次堆叠有第一接地基板和第一电容基板；

所述第一接地基板上设置有与所述接地电极连接的第一银片，所述第一电容基板上设置有第二银片，所述第一银片在所述第一电容基板上的正投影区域覆盖所述第二银片；

所述S型银线通过第三导电通孔与第二银片连接，所述第一螺旋形耦合银线的末端通过第五导电通孔与所述第一银片连接。

5.根据权利要求3所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

在所述第二输出基板和所述底层基板之间，沿所述堆叠方向依次堆叠有第二电容基板；

所述底层基板朝向所述第二电容基板的表面上设置有与所述接地电极连接的第三银片，

所述第二电容基板上设置有第四银片，所述第三银片在所述第二电容基板上的正投影区域覆盖所述第四银片；

所述Z型银线通过第四导电通孔与第四银片连接，所述第二螺旋形耦合银线的第二端通过第六导电通孔与所述第三银片连接。

6.根据权利要求1所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述表层基板背离所述底层基板的表面为顶面，所述底层基板背离所述表层基板的表面为底面；

所述接地电极的首端固定于所述顶面上，所述接地电极沿所述堆叠方向延伸，所述接地电极的尾端固定于所述底面上，所述接地电极与各个所述介质基板的侧面均接触。

7.根据权利要求1所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述接地电极的数量为至少一个。

8.根据权利要求1所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述表层基板背离所述底层基板的表面为顶面，所述底层基板背离所述表层基板的表面为底面；

所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极的首端分别固定于所述顶面上，所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极分别沿所述堆叠方向延伸，所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极的尾端固定于所述底面上，所述输入端电极、所述第一输出端电极和所述第二输出端电极与各个所述介质基板的侧面均接触。

9.根据权利要求8所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述螺旋形银线的末端通过连接银片伸出所述输入基板边缘与所述输入端电极连接，所述连接银片可起到调整端口阻抗匹配的作用。

10.根据权利要求8所述的基于LTCC的小型化超宽带巴伦，其特征在于，

所述S型银线的末端伸出所述第一输出基板边缘与所述第一输出端电极连接，所述Z型银线的末端伸出所述第二输出基板边缘与所述第二输出端电极连接。