CN115117104A - 显示面板及移动终端 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 abstract description 12
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 abstract description 12
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 11
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 5
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本申请提出了一种显示面板及移动终端；该显示面板的光感模块包括感光晶体管和设置于感光晶体管上的聚光结构，感光晶体管的第一有源层包括第一沟道部，第一源漏极层设于第一沟道部两侧的第一有源部上，聚光结构包括至少一沿感光晶体管远离显示面板的衬底的方向突出的凸起，在显示面板的俯视图方向上，聚光结构至少覆盖第一有源层的所述第一沟道部；本申请通过在光感模块的感光晶体管上设置聚光结构，使得通过聚光结构的光线聚焦在感光晶体管中的沟道部，增加了感光晶体管所接收光线的总量，提高了感光晶体管的光敏感性。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及移动终端。
背景技术
显示被广泛应用于社会各种领域，其中人们对可交互式显示技术的需求日渐增加。现有将光控传感器集成到显示面板中，以及激光为操控源是一种可以实现精确远程的交互技术。
现有的光控传感器通常包括感光晶体管、开关晶体管和读出模块，开关晶体管的源极和漏极导通时，感光晶体管在感光条件下产生的光电流导入读出模块，以获取光信号。而当前的感光晶体管，在单位时间内所接收的光线总量较少，光控传感器的光敏性较差。
因此，亟需一种显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及移动终端，以解决现有显示面板中光控传感器的光敏性较差的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种显示面板，其包括光感模块和与所述光感模块相连接的读出模块，所述光感模块包括：
感光晶体管，包括第一有源层和位于所述第一有源层上的第一源漏极层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一有源部，所述第一源漏极层设于所述第一沟道部两侧的所述第一有源部上；
开关晶体管，与所述感光晶体管和所述读出模块连接；
第一电容，与所述感光晶体管和所述开关晶体管连接；以及
聚光结构，设置于所述感光晶体管上，所述聚光结构包括至少一凸起，所述至少一凸起沿所述感光晶体管远离所述显示面板的衬底的方向突出；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述聚光结构至少覆盖所述第一有源层的所述第一沟道部。
在本申请的显示面板中，所述聚光结构包括聚光平面和与所述聚光平面连接的聚光斜面，所述聚光斜面包括第一端和第二端，所述第一端远离所述感光晶体管设置，所述第二端靠近所述感光晶体管设置，以及所述第一端和所述聚光平面连接；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述聚光平面至少覆盖所述第一有源层的所述第一沟道部。
在本申请的显示面板中，所述聚光结构包括聚光弧面，所述聚光弧面的凸起方向背离所述感光晶体管；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述聚光弧面的焦点在所述第一沟道部上的正投影位于所述第一沟道部内。
在本申请的显示面板中，所述第一源漏极层包括分离设置的第一源极和第一漏极，所述第一源极包括远离所述第一有源层的第一表面，所述第一漏极包括远离所述第一有源层的第二表面，
其中，所述聚光弧面的焦点与所述第一表面或/和所述第二表面所在的平面重合。
在本申请的显示面板中，所述开关晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道部和位于所述第二沟道部两侧的第二有源部，所述第二沟道部和第二源漏极层非重叠设置；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一沟道部的长度大于所述第二沟道部的长度。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括显示晶体管，所述显示晶体管包括第三有源层，所述第三有源层包括第三沟道部和位于所述第三沟道部两侧的第三有源部，所述第三沟道部和所述第三源漏极层非重叠设置；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一沟道部的长度大于所述第三沟道部的长度。
在本申请的显示面板中，所述第一源漏极层包括分离设置的第一源极和第一漏极，所述第一源极靠近所述显示晶体管设置，所述第一漏极远离所述显示晶体管设置；
其中，在所述感光晶体管至所述聚光结构的方向上，所述第一源极的厚度尺寸大于所述第一漏极的厚度尺寸。
在本申请的显示面板中，所述感光晶体管的栅极与第一控制信号线连接，所述感光晶体管的第一电极与第一电源线连接，所述感光晶体管的第二电极与所述开关晶体管的第一电极连接，
所述开关晶体管的栅极与第二控制信号线连接，所述开关晶体管的第二电极与所述读出模块连接；
所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述感光晶体管的第二电极和所述开关晶体管的第一电极连接，所述第二极板与所述第一控制信号线连接。
在本申请的显示面板中，所述读出模块包括：
运算放大器，所述运算放大器包括反相输入端、同相输入端以及输出端，所述同相输入端连接比较电压端，所述反相输入端连接所述开关晶体管的第二电极；
读出电容，所述读出电容与所述运算放大器并联连接；
第一开关，所述第一开关与所述运算放大器及所述读出电容并联连接；
其中，所述读出电容的第一端和所述第一开关的第一端与所述运算放大器的反相输入端连接，所述读出电容的第二端和所述第一开关的第二端与所述运算放大器的输出端连接。
本申请还提出了一种移动终端，其包括终端主体和上述显示面板，所述终端主体和所述显示面板组合为一体。
有益效果：本申请提出了一种显示面板及移动终端；该显示面板的光感模块包括感光晶体管和设置于感光晶体管上的聚光结构，感光晶体管的第一有源层包括第一沟道部，第一源漏极层设于第一沟道部两侧的第一有源部上，聚光结构包括至少一沿感光晶体管远离显示面板的衬底的方向突出的凸起，在显示面板的俯视图方向上，聚光结构至少覆盖第一有源层的所述第一沟道部；本申请通过在光感模块的感光晶体管上设置聚光结构，使得通过聚光结构的光线聚焦在感光晶体管中的沟道部，增加了感光晶体管所接收光线的总量，提高了感光晶体管的光敏感性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请显示面板中光感模块和读出模块的电路结构图；
图2为本申请显示面板中光感模块的第一种膜层结构图；
图3为图2中感光晶体管的光学原理图；
图4为本申请显示面板中光感模块的第二种膜层结构图；
图5为图4中感光晶体管的光学原理图；
图6为图4中感光晶体管的部分俯视结构图；
图7为本申请显示面板中光感模块的第三种膜层结构图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1至图7，本申请提供了一种显示面板100，其包括光感模块200和与所述光感模块200相连接的读出模块300，所述光感模块200包括：
感光晶体管T1，包括第一有源层131和位于所述第一有源层131上的第一源漏极层141，所述第一有源层131包括第一沟道部131a和位于所述第一沟道部131a两侧的第一有源部131b，所述第一源漏极层141设于所述第一沟道部131a两侧的所述第一有源部131b上。
开关晶体管T2，与所述感光晶体管T1和所述读出模块300连接；
第一电容Cst，与所述感光晶体管T1和所述开关晶体管T2连接；以及
聚光结构160，设置于所述感光晶体管T1上，所述聚光结构160包括至少一凸起方向远离所述感光晶体管T1的凸起；
所述聚光结构160包括至少一凸起，所述至少一凸起沿所述感光晶体管T1远离所述显示面板100的衬底10的方向突出。
其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述聚光结构160至少覆盖所述第一有源层131的所述第一沟道部131a。
本申请通过在光感模块200的感光晶体管T1上设置聚光结构160，使得入射至显示面板100的光线通过聚光结构160聚焦在感光晶体管T1的沟道部中，增加了在单位时间内感光晶体管T1所接收光线的总量，提高了感光晶体管T1的光敏感性。
在本实施例中，请参阅图1，所述感光晶体管T1的第一栅极111可以与第一控制信号线GE1连接，所述感光晶体管T1的第一电极与第一电源线SVDD连接，所述感光晶体管T1的第二电极与所述开关晶体管T2的第一电极连接；所述开关晶体管T2的第二栅极211与第二控制信号线GE2连接，所述开关晶体管T2的第二电极与所述读出模块300连接；所述第一电容Cst包括第一极板341和第二极板311，所述第一极板341与所述感光晶体管T1的第二电极和所述开关晶体管T2的第一电极连接，所述第二极板311与所述第一控制信号线GE1连接。
在本实施例中，所述感光晶体管T1的第一电极为漏极或源极中的一者，所述感光晶体管T1的第二电极为漏极或源极中的另一者；所述开关晶体管T2的第一电极为漏极或源极中的一者，所述开关晶体管T2的第二电极为漏极或源极中的另一者。例如，所述感光晶体管T1和所述开关晶体管T2的所述第一电极均为源极，所述感光晶体管T1和所述开关晶体管T2的所述第二电极均为漏极。
在本实施例中，所述光感模块200可以设置在显示面板100的子像素内，用于通过感测光强的变化以实现触控、指纹识别、远距离光学交互等功能。
在本实施例中，请参阅图1，所述读出模块300可以包括：运算放大器400，所述运算放大器400包括反相输入端、同相输入端以及输出端(如图1中的运算放大器400中标示的“-”表示反相输入端，“+”表示同相输入端)，所述同相输入端连接比较电压端Vref，所述反相输入端连接所述开关晶体管T2的第二电极；读出电容Cint，所述读出电容Cint与所述运算放大器400并联连接；第一开关Switch，所述第一开关Switch与所述运算放大器400及所述读出电容Cint并联连接；所述读出电容Cint的第一端和所述第一开关Switch的第一端与所述运算放大器400的反相输入端连接，所述读出电容Cint的第二端和所述第一开关Switch的第二端与所述运算放大器400的输出端连接。所述运算放大器400的输出端还连接读出线Readout，所述读出线Readout用于输出光感信号。
在本实施例中，所述读出电容Cint为积分电容。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图2，图2为本申请显示面板100中光感模块200的剖面图。所述显示面板100可以包括衬底10和位于所述衬底10上薄膜晶体管层20。
在本实施例中，所述衬底10的材料可以为玻璃、石英或聚酰亚胺等材料制备。所述薄膜晶体管层20包括多个薄膜晶体管。
在本实施例中，所述薄膜晶体管可以为蚀刻阻挡型、背沟道蚀刻型等结构，具体没有限制。
在本申请的显示面板100中，请参阅图2，所述薄膜晶体管层20可以包括：
第一金属层110，所述第一金属层110设置于所述衬底10上，所述第一金属层110可以包括多条栅线和构成所述感光晶体管T1的所述第一栅极111、所述开关晶体管T2的第二栅极211、以及所述第一电容Cst的第二极板311，所述第一金属层110的材料可以为铜、钼或者钼钛合金等。
栅绝缘层120，所述栅绝缘层120设置于所述第一金属层110上，所述栅绝缘层120覆盖所述第一金属层110，以使所述第一金属层110和栅绝缘层120上的导电层分离设置，所述栅绝缘层120的材料可以为氧化硅等。
有源材料层130，所述有源材料层130设置于所述栅绝缘层120上，所述有源材料层130的材料可以为IGZO(铟镓锌氧化物)、a-Si(非晶硅)或LTPS(低温多晶硅)，例如图2中的有源材料层130的材料可以为a-Si。
在本实施例中，所述有源材料层130包括构成所述感光晶体管T1的第一有源层131和构成所述开关晶体管T2的第二有源层231，所述第一有源层131包括第一沟道部131a和位于所述第一沟道部131a两侧的第一有源部131b，所述第二有源层231包括第二沟道部231a和位于所述第二沟道部231a两侧的第二有源部231b。
第二金属层140，所述第二金属层140设置于所述有源材料层130上，所述第二金属层140可以包括多条数据线、所述第一电容Cst的第一极板341以及构成所述感光晶体管T1的第一源漏极层141和构成所述开关晶体管T2的第二源漏极层241。
在本实施例中，所述第一源漏极层141包括分离设置的第一源极141a和第一漏极141b，所述第一源极141a和所述第一漏极141b搭接以及覆盖所述第一有源层131的第一有源部131b，以及所述第一沟道部131a未被所述第一源极141a和所述第一漏极141b覆盖；所述第二源漏极层241包括分离设置的第二源极241a和第二漏极241b，所述第二源极241a和所述第二漏极241b搭接以及覆盖所述第二有源层231的第二有源部231b，以及所述第二沟道部231a未被所述第二源极241a和所述第二漏极241b覆盖。
在本实施例中，所述第一源极141a为所述感光晶体管T1的第一电极，所述第一漏极141b为所述感光晶体管T1的第二电极；所述第二源极241a为所述开关晶体管T2的第一电极，所述第二漏极241b为所述开关晶体管T2的第二电极。
在本实施例中，所述第二金属层140的材料可以为铜/钼钛合金，铜/钛等。
保护层150，所述保护层150设置于所述第二金属层140上，所述保护层150覆盖所述第二金属层140，以使所述第二金属层140和保护层150上的导电层分离设置，所述保护层150的材料可以为氮氧硅组合的无机物或者具有平坦性的有机材料构成。
在本实施例中，所述保护层150上还设置有与所述感光晶体管T1对应的聚光结构160，在形成所述保护层150时，可以对保护层150进行图案化处理，以形成具有聚光结构160的保护层150。
在本申请的显示面板100中，请参阅图2和图3，所述聚光结构160包括聚光平面161a和与所述聚光平面161a连接的聚光斜面161b，所述聚光斜面161b包括第一端Q1和第二端Q2，所述第一端Q1远离所述感光晶体管T1设置，所述第二端Q2靠近所述感光晶体管T1设置，以及所述第一端Q1和所述聚光平面161a连接。
在本实施例中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述聚光平面161a至少覆盖所述第一有源层131的所述第一沟道部131a。
请参阅图2和图3，所述聚光结构160可以为凸设于所述保护层150上的凸台，而在入射至聚光结构160的光线中，穿透所述聚光平面161a的第一光线X，将垂直入射至所述感光晶体管T1，以及照射在所述感光晶体管T1的第一沟道部131a中；而对于穿透所述聚光斜面161b的第二光线Y，经所述聚光斜面161b的光线，在光的折射作用下将聚光至所述感光晶体管T1，以及照射在所述感光晶体管T1的第一沟道部131a中。
在本实施例中，由于第一沟道部131a的开口面积具有一定限制，若聚光平面161a的面积小于第一沟道部131a的面积，即可以认为第一沟道部131a未被聚光平面161a所覆盖，则入射至未覆盖第一沟道部131a的区域的光线可能因光的折射无法有效的入射至第一沟道部131a中，减小了在单位时间内感光晶体管T1所接收光线的总量，减弱了感光晶体管T1的光敏感性。
在本实施例中，凸台型的聚光结构160的设置，使得入射至聚光平面161a的光线垂直入射至第一沟道部131a，以及入射至所述聚光斜面161b的光线，经光的折射将聚光至第一沟道部131a中，增加了在单位时间内感光晶体管T1所接收光线的总量，提高了感光晶体管T1的光敏感性。
在本申请的显示面板100中，请参阅图4和图5，所述聚光结构160包括聚光弧面162，所述聚光弧面162的凸起方向背离所述感光晶体管T1；在所述显示面板100的俯视图方向上，所述聚光弧面162的焦点O在所述第一沟道部131a上的正投影位于所述第一沟道部131a内。
在本实施例中，所述聚光结构160可以为凸设于所述保护层150上的凸圆，而在入射至聚光结构160的光线中，穿透所述聚光弧面162，经光的折射将聚光至所述聚光弧面162的焦点O上，以及通过焦点O入射至在所述感光晶体管T1的第一沟道部131a。
与图2的结构相比，图4中的结构可以对将入射至聚光弧面162的光线均聚焦在聚光弧面162的焦点O上，而图2的结构只能将入射至聚光斜面161b的光线以相同的角度折射至感光晶体管T1中，因此图4中的聚光效果优于图3中的聚光效果。
在本实施例中，由于入射至聚光弧面162的光线都会聚焦在聚光弧面162的焦点O，因此只需要将聚光弧面162的焦点O设置在第一沟道部131a的上方即可以起到一定的聚光效果，如图4中的结构聚光弧面162的焦点O可以设置在第一沟道部131a、第一源极141a以及第二源极241a形成的凹腔外。
在本实施例中，所述聚光结构160的聚光面设置成弧面，使得入射至聚光弧面162的光线均聚焦在聚光弧面162的焦点O上，同时通过将焦点O设置在第一沟道部131a的上方，使得透过聚光弧面162的光线尽可能入射至第一沟道部131a中，增加了在单位时间内感光晶体管T1所接收光线的总量，提高了感光晶体管T1的光敏感性。
在本申请的显示面板100中，请参阅图6，所述第一源漏极层141包括分离设置的第一源极141a和第一漏极141b，所述第一源极141a包括远离所述第一有源层131的第一表面M，所述第一漏极141b包括远离所述第一有源层131的第二表面N。
在本实施例中，所述聚光弧面162的焦点O与所述第一表面M或/和所述第二表面N所在的平面重合。请参阅图6，所述第一表面M靠近第二表面N的一侧为边界线AB，所述第二表面N靠近第一表面M的一侧为边界线CD，所述第一表面M和所述第二表面N可以位于同一平面时，以及所述聚光弧面162的焦点O可以与平面ABCD重合。
在本实施例中，若聚光弧面162的焦点O位于平面ABCD与聚光弧面162之间，可能存在部分入射光线照射在第一表面M或第二表面N上；若聚光弧面162的焦点O位于平面ABCD和第一沟道部131a之间，使得聚光弧面162与第一沟道部131a的间距过小，导致聚光弧面162的曲率过大，不能设置小曲率的聚光弧面162，即不能设置大半径的聚光弧面162，导致聚光弧面162的面积过小，减小在单位时间内感光晶体管T1所接收光线的总量，减弱了感光晶体管T1的光敏感性；因此，将聚光弧面162的焦点O设置在平面ABCD上可以在最大化的增加第一沟道部131a在单位时间内所接收光线的总量，提高了感光晶体管T1的光敏感性。
在本实施例中，请参阅图6，所述聚光弧面162的焦点O可以与平面ABCD的中心点重合。
在上述实施例中，为了保证通过聚光结构160将光线聚集在第一沟道部131a内，设置于所述保护层150上的其他膜层材料的折射率需大于保护层150的折射率，相当于高折射率膜层进入低折射率膜层，避免全反射，提高了聚光结构160的聚光效果。
在本实施例中，请参阅图2和图4，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述第一沟道部131a的长度L1大于所述第二沟道部231a的长度L2。
在本实施例中，由于感光晶体管T1的光敏性与第一沟道部131a在单位时间内所接收光线的总量呈正相关，因此第一沟道部131a的长度L1越大，感光晶体管T1的光敏性越好，在尺寸允许范围，尽可能增加第一沟道部131a的长度L1，可以提高感光晶体管T1的光敏性。
在本申请的显示面板100中，请参阅图7，所述显示面板100还包括显示晶体管T3，所述显示晶体管T3包括第三有源层431，所述第三有源层431包括第三沟道部431a和位于所述第三沟道部431a两侧的第三有源部431b，所述第三沟道部431a和所述显示晶体管T3中的第三源漏极层441非重叠设置。
在本实施例中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述第一沟道部131a的长度L1可以大于所述第三沟道部431a的长度L3。与图2和图4的结构相似，第二沟道部231a为开关晶体管T2的有源层，第三沟道部431a为显示晶体管T3的有源层，显示晶体管T3和开关晶体管T2仅起到开关的作用，沟道部的长度仅与显示晶体管和开关晶体管T2的开启速率相关，因此本实施例在尺寸允许范围内，通过限定第二沟道部231a和第三沟道部431a的长度L3，同时增加第一沟道部131a的长度L1，增加了第一有源层131接收光照的面积，提高了感光晶体管T1的光敏性。
请参阅图7，所述第一源极141a靠近所述显示晶体管T3设置，所述第一漏极141b远离所述显示晶体管T3设置，在所述感光晶体管T1至所述聚光结构的方向上，所述第一源极141a的厚度尺寸大于所述第一漏极141b的厚度尺寸。
在本实施例中，所述第一源极141a的厚度尺寸的增加，可以使得第一源极141a作为一挡墙，可以使照射在第一源极141a的侧面的光线反射至第一沟道部131a内，增加了感光晶体管T1所接收光线的总量，提高了感光晶体管T1的光敏感性；同时，又可以阻挡经第一源极141a反射至显示晶体管的光线，保证显示晶体管的性能。
在本申请的显示面板100中，所述显示面板100在一帧时间内可以分为显示阶段和光感阶段，光感模块200用于在所述光感阶段工作，而显示单元用于在所述显示阶段工作。具有光感模块200的显示面板100能够实现触控、指纹识别、远距离光学交互等功能，同时把光感模块200集成到所述显示面板100内，还可减薄所述显示面板100的整体厚度。
本申请还提出了一种移动终端，其包括终端主体和上述显示面板，所述终端主体和所述显示面板组合为一体。该终端主体可以为绑定于显示面板的电路板等器件以及覆盖在所述显示面板上的盖板等。所述移动终端可以包括手机、电视机、笔记本电脑等电子设备。
本申请提出了一种显示面板及移动终端；该显示面板的光感模块包括感光晶体管和设置于感光晶体管上的聚光结构，感光晶体管的第一有源层包括第一沟道部，第一源漏极层设于第一沟道部两侧的第一有源部上，聚光结构包括至少一沿感光晶体管远离显示面板的衬底的方向突出的凸起，在显示面板的俯视图方向上，聚光结构至少覆盖第一有源层的所述第一沟道部；本申请通过在光感模块的感光晶体管上设置聚光结构，使得通过聚光结构的光线聚焦在感光晶体管中的沟道部，增加了感光晶体管所接收光线的总量，提高了感光晶体管的光敏感性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括光感模块和与所述光感模块相连接的读出模块，所述光感模块包括：
感光晶体管，包括第一有源层和位于所述第一有源层上的第一源漏极层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一有源部，所述第一源漏极层设于所述第一沟道部两侧的所述第一有源部上；
开关晶体管，与所述感光晶体管和所述读出模块连接；
第一电容，与所述感光晶体管和所述开关晶体管连接；以及
聚光结构，设置于所述感光晶体管上，所述聚光结构包括至少一凸起，所述至少一凸起沿所述感光晶体管远离所述显示面板的衬底的方向突出；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述聚光结构至少覆盖所述第一有源层的所述第一沟道部。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述聚光结构包括聚光平面和与所述聚光平面连接的聚光斜面，所述聚光斜面包括第一端和第二端，所述第一端远离所述感光晶体管设置，所述第二端靠近所述感光晶体管设置，以及所述第一端和所述聚光平面连接；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述聚光平面至少覆盖所述第一有源层的所述第一沟道部。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述聚光结构包括聚光弧面，所述聚光弧面的凸起方向背离所述感光晶体管；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述聚光弧面的焦点在所述第一沟道部上的正投影位于所述第一沟道部内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏极层包括分离设置的第一源极和第一漏极，所述第一源极包括远离所述第一有源层的第一表面，所述第一漏极包括远离所述第一有源层的第二表面；
其中，所述聚光弧面的焦点与所述第一表面或/和所述第二表面所在的平面重合。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开关晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道部和位于所述第二沟道部两侧的第二有源部，所述第二沟道部和第二源漏极层非重叠设置；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一沟道部的长度大于所述第二沟道部的长度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括显示晶体管，所述显示晶体管包括第三有源层和位于所述第三有源层上的第三源漏极层，所述第三有源层包括第三沟道部和位于所述第三沟道部两侧的第三有源部，所述第三沟道部和所述第三源漏极层非重叠设置；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一沟道部的长度大于所述第三沟道部的长度。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏极层包括分离设置的第一源极和第一漏极，所述第一源极靠近所述显示晶体管设置，所述第一漏极远离所述显示晶体管设置；
其中，在所述感光晶体管至所述聚光结构的方向上，所述第一源极的厚度尺寸大于所述第一漏极的厚度尺寸。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述感光晶体管的栅极与第一控制信号线连接，所述感光晶体管的第一电极与第一电源线连接，所述感光晶体管的第二电极与所述开关晶体管的第一电极连接，
所述开关晶体管的栅极与第二控制信号线连接，所述开关晶体管的第二电极与所述读出模块连接；
所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述感光晶体管的第二电极和所述开关晶体管的第一电极连接，所述第二极板与所述第一控制信号线连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述读出模块包括：
运算放大器，所述运算放大器包括反相输入端、同相输入端以及输出端，所述同相输入端连接比较电压端，所述反相输入端连接所述开关晶体管的第二电极；
读出电容，所述读出电容与所述运算放大器并联连接；
第一开关，所述第一开关与所述运算放大器及所述读出电容并联连接；
其中，所述读出电容的第一端和所述第一开关的第一端与所述运算放大器的反相输入端连接，所述读出电容的第二端和所述第一开关的第二端与所述运算放大器的输出端连接。
10.一种移动终端，其特征在于，包括终端主体和如权利要求1至9任一项的显示面板，所述终端主体和所述显示面板组合为一体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210709085.5A CN115117104A (zh) | 2022-06-21 | 2022-06-21 | 显示面板及移动终端 |
| PCT/CN2022/104384 WO2023245738A1 (zh) | 2022-06-21 | 2022-07-07 | 显示面板及移动终端 |
| US17/759,371 US20240186338A1 (en) | 2022-06-21 | 2022-07-07 | Display panel and mobile terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210709085.5A CN115117104A (zh) | 2022-06-21 | 2022-06-21 | 显示面板及移动终端 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115117104A true CN115117104A (zh) | 2022-09-27 |
Family
ID=83328080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210709085.5A Pending CN115117104A (zh) | 2022-06-21 | 2022-06-21 | 显示面板及移动终端 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240186338A1 (zh) |
| CN (1) | CN115117104A (zh) |
| WO (1) | WO2023245738A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160013243A1 (en) * | 2014-03-10 | 2016-01-14 | Dpix, Llc | Photosensor arrays for detection of radiation and process for the preparation thereof |
| CN110728266A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-24 | 维沃移动通信（杭州）有限公司 | 显示模组及电子设备 |
| CN110854298A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN112599630B (zh) * | 2020-12-07 | 2022-06-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 光传感器和显示装置 |
| CN113189821A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-30 | Tcl华星光电技术有限公司 | 盖板及其制作方法、显示面板 |
-
2022
- 2022-06-21 CN CN202210709085.5A patent/CN115117104A/zh active Pending
- 2022-07-07 WO PCT/CN2022/104384 patent/WO2023245738A1/zh active Application Filing
- 2022-07-07 US US17/759,371 patent/US20240186338A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240186338A1 (en) | 2024-06-06 |
| WO2023245738A1 (zh) | 2023-12-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |