CN115083938A - 制造显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种制造显示设备的方法。所述方法包括：在显示基底上形成测试区域；将第一激光照射到测试区域，并且确定测试区域与通过将第一激光照射到测试区域而形成的第一照射区域的相对位置；以及基于测试区域与第一照射区域的相对位置来校正照射到显示基底的第二激光的位置。

Description

制造显示设备的方法
本申请要求于2021年3月12日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0032916号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种方法，更具体地，涉及一种制造显示设备的方法。
背景技术
显示设备可视地显示数据。显示设备可以被提供为小型产品(诸如移动电话)的显示器，或者可以被提供为大型产品(诸如电视)的显示器。
显示设备包括接收电信号并且发光的多个像素。光可以被发射到外部以显示图像。显示设备的每个像素包括发光二极管。例如，有机发光显示设备包括有机发光二极管(OLED)作为发光二极管。通常，有机发光显示设备包括形成在基底上的薄膜晶体管和OLED。薄膜晶体管可以驱动OLED以发光。
近来，随着显示设备的使用多样化，正在研究用于改善显示设备的质量的各种设计。例如，显示设备可以包括位于其中显示图像的显示区域内部的透射区域，在透射区域中布置有相机、传感器等。可以将激光照射到显示设备以形成这样的透射区域。如此，已经进行了与通过将激光照射到预设处理区域中来形成透射区域的设计有关的研究。例如，已经进行了各种研究以通过激光来提高工艺精度。
发明内容
通常，根据制造显示设备的相关技术方法，可能难以或者甚至不可能预测激光在显示基底上照射到的区域。
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种制造显示设备的方法，在该方法中，通过将激光照射到显示基底的预设处理区域的一部分并且预测和校正激光照射的位置来降低显示基底的缺陷率。然而，这些方面仅仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例来学习。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在显示基底上形成测试区域；将第一激光照射到测试区域，并且确定测试区域与通过将第一激光照射到测试区域而形成的第一照射区域的相对位置；以及基于测试区域与第一照射区域的相对位置来校正照射到显示基底的第二激光的位置。
第二激光可以在显示基底的处理区域内形成环形的第二照射区域。
所述方法还可以包括沿着处理区域去除显示基底的一部分。
所述方法还可以包括获取测试区域的图像。
所述方法还可以包括计算测试区域的中心与第一照射区域的中心之间的位移。
显示基底可以包括多个单元，并且测试区域可以布置在多个单元(例如，多个单元中的每个单元)内部或多个单元(例如，多个单元中的每个单元)外部。
可以将多个第一激光并发地(例如，同时地)照射到多个单元之中的定位在同一列中的单元。
可以将多个第二激光并发地(例如，同时地)照射到多个单元之中的定位在同一列中的单元。
多个单元之中的单元可以包括显示区域和外围区域。测试区域可以布置在外围区域中或外围区域外部。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：通过将第一激光照射到第一显示基底的测试区域来形成第一照射区域；通过将第二激光照射到第一显示基底的处理区域来形成第二照射区域；确定测试区域与第一照射区域的相对位置；基于测试区域与第一照射区域的相对位置来改变第一激光的照射位置和第二激光的照射位置；在第一激光的改变的照射位置处将第一激光照射到第二显示基底的测试区域；以及在第二激光的改变的照射位置处将第二激光照射到第二显示基底的处理区域。
所述方法还可以包括拍摄测试区域和第一照射区域。
所述方法还可以包括计算第一显示基底的测试区域的中心与第一显示基底的第一照射区域的中心之间的位移。
第一显示基底和第二显示基底中的每个可以包括多个单元。测试区域可以布置在多个单元内部或多个单元外部。
可以将多个第一激光并发地(例如，同时地)照射到多个单元之中的定位在同一列中的单元。
可以将多个第二激光并发地(例如，同时地)照射到多个单元之中的定位在同一列中的单元。
多个单元之中的单元可以包括显示区域和外围区域。测试区域可以布置在外围区域中或外围区域外部。
所述方法还可以包括将多个单元彼此分离。
所述方法还可以包括沿着处理区域去除第一显示基底和第二显示基底中的一个的一部分。
第二照射区域可以是环形。
第一照射区域可以具有圆形形状、环形形状或十字形形状。
根据以下结合附图进行的实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并且更容易理解。
这些一般和特定实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，本公开的一个或更多个实施例的以上和其他方面、特征及效果将更加明显，在附图中：
图1是根据一个或更多个实施例的用于制造显示设备的设备的示意性剖视图；
图2是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；
图3是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；
图4A是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；
图4B是示出根据一个或更多个实施例的显示基底的平面图；
图4C是示出根据一个或更多个实施例的显示基底的平面图；
图4D是示出根据一个或更多个实施例的显示基底的平面图；
图4E至图4H是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性平面图；
图5A是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图；
图5B是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性平面图；
图6是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的一部分的平面图；
图7是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性透视图；
图8是沿着图7的线A-A'和线B-B'截取的显示设备的示意性剖视图；
图9A至图9D是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的剖视图；
图10是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图；
图11是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图；
图12是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性透视图；
图13是沿着图12的线B-B'截取的显示设备的示意性剖视图；
图14是在图12中示出的显示面板的平面示意图；
图15是图12中的组件区域的一部分的示意性平面图；
图16A是沿着图12的线A-A'和线B-B'截取的显示设备的示意性剖视图；
图16B是图16A中的部分III的放大剖视图；
图16C是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图；
图17A至图17C是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的剖视图；并且
图18是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中同样的附图标记始终表示同样的元件，并且可以不提供其重复描述。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的术语和描述。因此，仅参照附图描述实施例，以解释本描述的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变型。
由于本说明书允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中描述某些实施例。通过以下结合附图进行的一个或更多个实施例的详细描述，一个或更多个实施例的效果和特征以及实现其的方法将变得明显。然而，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。
在下文中，参照附图更详细地描述给出的实施例。在附图中，相同的附图标记被赋予相同或对应的元件，并且省略其重复描述。
将理解的是，尽管这里可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制，并且这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
此外，在描述本公开的实施例时“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
此外，如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
此外，将理解的是，这里使用的术语“包含”、“包括”和“具有”表示存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一层、区域或组件时，该元件可以直接在所述另一层、区域或组件上、直接连接或直接结合到所述另一层、区域或组件，或者也可以存在一个或更多个居间元件。当元件被称为“直接在”另一层、区域或组件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一层、区域或组件时，不存在居间元件。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“底”、“顶”等的空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为在所述其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(旋转90度或在其他方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对描述语。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
如这里所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如这里所使用的，“约”或“大致”包括所陈述的值，并且指：考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以指在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
当可以不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来解释，除非这里明确地如此定义。
图1是根据一个或更多个实施例的用于制造显示设备的设备2的示意性剖视图。
参照图1，用于制造显示设备的设备2可以包括腔室11、移动单元12、引导单元12-1、驱动器13、压力调节器14、保护窗15、处理器16、视觉单元17和控制器18。处理器16、视觉单元17和控制器18可以各自通过支撑件固定。
腔室11可以具有形成在其中的空间，并且可以形成为使得腔室11的一部分是开口的。闸阀11c可以安装在腔室11的开口部分中，以选择性地打开和关闭腔室11的开口部分。此外，腔室11可以包括第一透射窗11a和第二透射窗11b。布置在腔室11外部的各种合适的设备可以通过第一透射窗11a和第二透射窗11b来处理定位在腔室11内部的显示基底D的表面或者获取显示基底D的表面的图像。例如，第一透射窗11a和第二透射窗11b可以用作将腔室11的内部连接到腔室11的外部的媒介。例如，第一透射窗11a和第二透射窗11b可以均位于腔室11的内部与腔室11的外部之间。尽管在图1中示出了两个透射窗，但是透射窗的数量可以适当地变化(例如，是一个或多于两个透射窗)。第一透射窗11a和第二透射窗11b可以包括玻璃、亚克力等。
附着有显示基底D的移动单元12可以通过引导单元12-1和驱动器13在y方向上移动。通过引导单元12-1，移动单元12可以沿直线移动而不倾斜。例如，引导单元12-1可以是线性运动(LM)引导件。尽管在图1中示出了一个引导单元12-1，但是当从xy平面观看时，可以布置均在y方向上延伸并且彼此平行布置的两个引导单元12-1。
驱动器13可以包括线性电机系统(LMS)磁体13-1和磁主体13-2。尽管在图1中LMS磁体13-1和磁主体13-2均示出为一个，但是当从xy平面观看时，可以布置均在y方向上延伸并且彼此平行布置的两个LMS磁体13-1以及均在y方向上延伸并且彼此平行布置的两个磁主体13-2。显示基底D可以定位在两个磁主体13-2之间。可以通过将LMS磁体13-1和磁主体13-2组合来构造线性电机，移动单元12可以通过线性电机在y方向上传送。例如，磁主体13-2可以是线圈。当移动单元12沿着驱动器13移动时，移动单元12可以通过磁悬浮无线充电系统移动。移动单元12可以包括用于改变显示基底D的位置或微调移动单元12自身的位置的姿势调节器。
附着到移动单元12的显示基底D可以是显示设备或构成显示设备的部件。例如，显示基底D可以包括薄膜晶体管、有机发光二极管等。
压力调节器14可以连接到腔室11以将腔室11内部的压力调节(例如，选择性地调节)为近似于大气压力或真空。在这种情况下，压力调节器14可以包括连接到腔室11的连接管14-1和布置在连接管14-1上的压力控制泵14-2。
保护窗15可以与第一透射窗11a叠置或覆盖第一透射窗11a，并且可以布置在腔室11内。保护窗15可以保护第一透射窗11a。第一透射窗11a可以与从下面将描述的处理器16发射的激光穿过的部分对应。在这种情况下，从处理器16发射的通过第一透射窗11a的激光可以到达显示基底D，包括在显示基底D中的有机层等可以被部分地去除。有机层等的通过激光与显示基底D分离的颗粒会分布或分散在腔室11中，并且附着到有激光穿过的第一透射窗11a的表面。穿过第一透射窗11a的激光会对附着到第一透射窗11a的表面的异物敏感地反应，因此不会到达目标点。例如，异物会干扰朝向目标点引导的激光的路径。因此，可以在腔室11内布置保护窗15，以防止或基本上防止异物粘附到第一透射窗11a的表面并且保护第一透射窗11a。
在一个或更多个实施例中，当通过压力调节器14将腔室11的内部保持在高真空状态下时，可以在将腔室11的内部保持在高真空状态下的同时通过仅更换保护窗15来将作为有激光穿过的部分的第一透射窗11a和保护窗15保持清洁而没有异物。在将腔室11的内部保持在高真空状态下的同时仅更换保护窗15的方法可以是所使用的各种合适的方法(诸如单独准备包括清洁的保护窗15的真空腔室并且通过闸阀11c更换保护窗15的方法)中的一种。当不使用保护窗15时，可以通过在将腔室11内部的压力改变为大气压力之后直接清洗透射窗来保持透射窗的表面清洁。在这种情况下，由于直接清洁透射窗以及将腔室11内部的压力改变至高真空状态，显示基底D的处理时间会增加。然而，当保护窗15布置成与第一透射窗11a叠置或覆盖第一透射窗11a时，可以在将腔室11的内部压力保持在高真空状态下的同时通过仅更换保护窗15来保持第一透射窗11a和保护窗15清洁，因此，可以减少处理时间。
处理器16可以包括激光光源单元16-1、激光束收集器16-2、第一镜单元至第三镜单元M1、M2和M3、光学组件16-3和激光扫描器LS。处理器16可以布置在腔室11外部，并且可以通过第一透射窗11a将激光照射到显示基底D的表面。这可以是为了防止或基本上防止在腔室11的内部通过压力调节器14而保持在高真空状态下时处理器16的故障和对处理器16的损坏。
激光光源单元16-1可以产生并且输出激光。因此，激光光源单元16-1可以调节发射激光的频率和/或激光的强度。
激光束收集器16-2可以与激光光源单元16-1相邻地布置，以吸收和熄灭从激光光源单元16-1输出的激光。例如，激光束收集器16-2可以用于选择是否允许从激光光源单元16-1输出的激光连续地行进。尽管激光束收集器16-2在图1中被示出为布置在激光从激光光源单元16-1沿其行进的方向上，但是可以不设置激光束收集器16-2。
从激光光源单元16-1输出的激光可以顺序地到达第一镜单元至第三镜单元M1、M2和M3。可以改变激光通过第一镜单元至第三镜单元M1、M2和M3行进所沿的方向。例如，可以通过调节第一镜单元至第三镜单元M1、M2和M3的角度来改变激光以其被反射的角度，因此，可以改变激光沿其行进的方向。当调节第一镜单元至第三镜单元M1、M2和M3的角度时，第一镜单元至第三镜单元M1、M2和M3可以旋转。
已经到达第一镜单元M1和第二镜单元M2中的每个的激光可以穿过光学组件16-3。光学组件16-3可以改变激光的形态和/或性质。光学组件16-3可以包括激光束大小调节器、激光束功率调节器等，并且可以调节激光的大小和激光以其发射的功率。例如，激光束大小调节器可以是扩束器(beam expander)。尽管光学组件16-3在图1中被示出为定位在第二镜单元M2与第三镜单元M3之间，但是光学组件16-3可以定位在第一镜单元M1与第二镜单元M2之间。如图1中所示，光学组件16-3可以布置于在z方向上延伸的保护层之间并且被保护。
穿过光学组件16-3的激光可以通过第三镜单元M3到达激光扫描器LS。激光扫描器LS可以调节激光最终将要照射到的位置(例如，坐标)。激光扫描器LS可以包括作为微调电机的检流计扫描仪和附着到检流计扫描仪的镜，当使用检流计扫描仪来调节镜的角度时，可以调节激光将要照射到的位置。在一个或更多个实施例中，因为可以通过激光扫描器LS来调节将要用激光照射的位置，所以还可以改变由激光处理的区域的形状。例如，由激光处理的区域的形状可以是圆形形状、环形形状或十字形形状，此外，被处理的区域的形状可以适当地变化。
可以通过视觉单元17观测附着到移动单元12的显示基底D的表面，并且可以获取显示基底D的表面的图像。视觉单元17可以观测显示基底D的整个表面或显示基底D的表面的一部分。在一个或更多个实施例中，视觉单元17可以在显示基底D通过移动单元12移动的同时连续地对将要观测的对象的位置进行成像(例如，拍摄)。例如，视觉单元17可以是相机。
视觉单元17可以布置在腔室11外部，可以通过第二透射窗11b观测显示基底D的表面。这可以用于防止或基本上防止当腔室11的内部通过压力调节器14保持在高真空状态下时视觉单元17的故障和对视觉单元17的损坏。
控制器18可以对显示基底D的表面的图像进行分析，并且将分析后的图像传输到处理器16的激光扫描器LS，所述图像通过视觉单元17获取。
图2是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图3是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图4A是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图4B是示出根据一个或更多个实施例的显示基底D的平面图。
图4C是示出根据一个或更多个实施例的显示基底D的平面图。图4D是示出根据一个或更多个实施例的显示基底D的平面图。图4E至图4H是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性平面图。图5A是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图5B是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的示意性平面图。与图1中的附图标记相同的附图标记指相同的构件，并且将不提供其冗余描述。
参照图2至图5B，可以准备显示基底D。显示基底D可以包括至少一个单元C。可以设置多个单元C，并且多个单元C可以布置成彼此间隔开。在这种情况下，可以在显示基底D上布置一个或更多个合适的层或构件之后使多个单元C彼此分离，以形成单个显示面板。在下文中，为了便于描述，将主要更详细地描述其中显示基底D包括多个单元C的情况。如上所述的显示基底D可以包括测试区域AR1-1。测试区域AR1-1可以布置在下面将描述的处理区域AR1内部，或者可以布置在每个单元C外部。
参照图4B，测试区域AR1-1可以布置在处理区域AR1内部。另一方面，参照图4C和图4D，测试区域AR1-1可以布置在处理区域AR1外部，并且可以布置在每个单元C外部。每个单元C中可以布置多个有机发光二极管，当制造为显示面板时，每个单元C可以形成用于实现或显示图像的显示区域。在这种情况下，当多个单元C彼此分离时，可以形成单个显示面板，并且这种显示面板可以包括显示区域DA和外围区域NDA(见图7)。在一个或更多个实施例中，外围区域NDA可以是不实现或不显示图像的非显示区域。测试区域AR1-1可以布置在外围区域NDA中，或者可以布置在外围区域NDA外部。在下文中，为了便于描述，将主要更详细地描述其中测试区域AR1-1布置在处理区域AR1中的情况。
测试金属层可以布置在测试区域AR1-1中。在这种情况下，测试金属层可以布置在整个测试区域AR1-1中，并且可以具有与测试区域AR1-1的平面形状相同的平面形状。测试金属层的平面形状可以具有一个或更多个合适的形状。例如，测试金属层的平面形状可以是圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。在下文中，为了便于描述，将主要更详细地描述其中测试金属层是正方形的情况。然而，本公开不限于此。
中间层、对电极和覆盖层可以布置在如上所述的测试金属层上。
压力调节器14可以将腔室11的内部保持在大气压下，并且在打开闸阀11c之后，可以将附着到移动单元12的显示基底D插置到腔室11中。此后，压力调节器14可以将腔室11的内部保持为几乎真空态。
在装载显示基底D之后，可以使显示基底D对准。例如，可以在腔室11内部或外部布置对准相机，并且对准相机可以通过图像来使显示基底D对准，所述图像通过拍摄显示基底D而获得。例如，在显示基底D的每个顶点处显示对准键，对准相机可以拍摄在显示基底D的每个顶点处显示的对准键。当显示基底D倾斜或错位时，对准键被对准相机不完全地捕获，因此，随后可以通过由对准相机捕获的图像来使显示基底D对准。例如，可以通过移动显示基底D使得对准键被对准相机完全地捕获来使显示基底D对准。
在使显示基底D对准之后，显示基底D可以以恒定的速度在第一方向(例如，+y方向)上移动。在这种情况下，第一方向可以与第一激光Laser1沿其入射在显示基底D的表面上的方向不同。可以使显示基底D与腔室11的第一透射窗11a相邻，并且可以执行将第一激光Laser1照射到显示基底D的预设处理区域AR1的一部分。尽管第一激光Laser1在图3中被示出为穿过LMS磁体13-1，但是可以理解的是，如上面参照图1所描述的，移动单元12可以通过彼此间隔开的两个LMS磁体13-1移动，并且第一激光Laser1行进到彼此间隔开的两个LMS磁体13-1之间的空的空间。
在将第一激光Laser1照射到显示基底D的预设处理区域AR1的一部分之前，可以调节第一激光Laser1通过激光光源单元16-1发射的频率和/或第一激光Laser1的强度，并且可以通过光学组件16-3改变第一激光Laser1的形态和/或性质。在一个或更多个实施例中，通过调节激光扫描器LS的检流计扫描仪，可以调节第一激光Laser1照射到显示基底D的位置。例如，可以通过控制激光扫描器LS的检流计扫描仪将第一激光Laser1照射到显示基底D的处理区域AR1的一部分。如图4E中所示，当通过第一激光Laser1局部地处理显示基底D的处理区域AR1时，可以形成第一照射区域AR2。
可以在显示基底D以恒定的速度在第一方向(例如，+y方向)上移动的同时将第一激光Laser1照射到显示基底D的预设测试区域AR1-1的一部分。该动作可以被称为“运动处理(motion processing)”。作为另一示例，当显示基底D以恒定的速度在第一方向上移动并且使预设处理区域AR1到达时，显示基底D停止，并且可以将第一激光Laser1照射到处理区域AR1的一部分。
该动作可以被称为“分步处理(step processing)”。
参照图4B，可以存在至少一个第一激光Laser1。当仅存在一个第一激光Laser1时，可以顺序地执行通过第一激光Laser1形成处理区域AR1。作为另一实施例，第一激光Laser1的数量可以是多个。多个第一激光Laser1可以同时执行处理。
在下文中，为了便于描述，将主要更详细地描述其中存在多个第一激光Laser1的情况。例如，如图4B中所示，可以存在总计四个第一激光Laser1。例如，第一激光Laser1可以包括第一-第一激光Laser1-1、第一-第二激光Laser1-2、第一-第三激光Laser1-3和第一-第四激光Laser1-4。
当显示基底D包括多个单元C时，多个单元C可以在行方向(y方向)和列方向(x方向)上或者沿着行方向(y方向)和列方向(x方向)布置。多个单元C中的每个可以包括预设处理区域AR1。在这种情况下，处理区域AR1的平面形状可以是圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
在实施例中，如图4B中所示，可以用第一-第一激光Laser1-1照射布置在第一行中的多个单元C，可以用第一-第二激光Laser1-2照射布置在第二行中的多个单元C，可以用第一-第三激光Laser1-3照射布置在第三行中的多个单元C，并且可以用第一-第四激光Laser1-4照射布置在第四行中的多个单元C。
如上面在图3中所描述的，显示基底D可以以恒定的速度在第一方向(例如，+y方向)上移动。当显示基底D在第一方向上移动时，多个单元C之中的布置在第十一列中的单元C首先与激光扫描器LS相邻。可以将第一激光Laser1顺序地照射到布置在第十一列中的单元C至布置在第一列中的单元C。当显示基底D以恒定的速度在第一方向上移动时，可以将第一激光Laser1顺序地照射到布置在第十一列中的单元C至布置在第一列中的单元C(运动处理)。作为另一示例，当显示基底D以恒定的速度在第一方向上移动并且使布置在第十一列中的单元C到达时，显示基底D停止，可以将第一激光Laser1照射到布置在第十一列中的单元C中的每个的预设处理区域AR1的一部分(分步处理)。
在一个或更多个实施例中，因为可以存在多个第一激光Laser1，所以可以用第一激光Laser1并发地(例如，同时地)照射布置在同一列中的单元C。例如，可以用第一-第一激光Laser1-1照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第一行中的单元C，可以用第一-第二激光Laser1-2照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第二行中的单元C，可以用第一-第三激光Laser1-3照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第三行中的单元C，并且可以用第一-第四激光Laser1-4照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第四行中的单元C。可以用第一激光Laser1并发地(例如，同时地)照射布置在第一列中的单元C，从而可以处理预设处理区域AR1的一部分，并且可以在布置在第一列中的单元C中的每个中的预设处理区域AR1中形成第一照射区域AR2。
形成在预设处理区域AR1中的第一照射区域AR2的形状可以是圆形。第一照射区域AR2的形状可以由激光扫描器LS确定。例如，当第一激光Laser1以恒定的频率照射到处理区域AR1若干次时，通过激光扫描器LS照射第一激光Laser1的方向可以变化，照射到处理区域AR1的第一激光Laser1可以聚集以形成第一照射区域AR2，并且第一照射区域AR2的形状可以被确定。
在将第一激光Laser1照射到显示基底D的预设处理区域AR1的一部分之后，显示基底D可以以恒定的速度在与第一方向(例如，+y方向)相反的第二方向(例如，-y方向)上移动。显示基底D可以与腔室11的第二透射窗11b相邻，可以通过视觉单元17获取显示基底D的预设处理区域AR1的图像。通过视觉单元17获取的处理区域AR1的图像可以被传输到控制器18，控制器18可以分析所获取的图像。由控制器18分析的图像数据可以被传输到激光扫描器LS。
在实施例中，当通过视觉单元17获取显示基底D的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像时，视觉单元17可以是一个相机。可以通过一个相机获取多个单元C中的每个的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像。这可以是为了保持多个单元C中的每个的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像的均一性。
当通过一个相机获取多个单元C中的每个的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像时，可以顺序地获取多个单元C之中的定位在基本上同一列中的单元C的处理区域AR1的图像。在一个或更多个实施例中，可以沿第三方向(例如，+x方向)顺序地获取多个单元C之中的定位在奇数列中的单元C的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像，并且可以沿与第三方向相反的第四方向(例如，-x方向)顺序地获取多个单元C之中的定位在偶数列中的单元C的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像。例如，视觉单元17可以在第三方向(例如，+x方向)上移动的同时顺序地获取多个单元C之中的定位在第一列中的单元C的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像，并且可以移动以获取定位在第二列中的单元C之中的定位在第一行中的单元C的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像。此后，视觉单元17可以在沿与第三方向相反的第四方向(例如，-x方向)移动的同时顺序地获取多个单元C之中的定位在第二列中的单元C的处理区域AR1和/或测试区域AR1-1的图像。
参照图4E和图4F的放大图，可以使用通过视觉单元17获取的图像来执行对用第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的第二中心C2和预设测试区域AR1-1的第一中心C1进行分析的过程。可以沿着通过掌握预设测试区域AR1-1的位置而识别的预设测试区域AR1-1的形状来绘制第一线l1，并且可以通过第一线l1导出测试区域AR1-1的第一中心C1。类似地，可以沿着通过掌握第一照射区域AR2的位置而识别的第一照射区域AR2的形状来绘制第二线l2，并且可以通过第二线l2导出第一照射区域AR2的第二中心C2。
接下来，可以计算用第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的第二中心C2与预设测试区域AR1-1的第一中心C1之间的第一位移d1。通过第一位移d1，可以将用第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的第二中心C2调节为与预设测试区域AR1-1的第一中心C1重合。所计算的第一位移d1可以被传输到激光扫描器LS。基于第一位移d1，可以调节显示基底D上的将要用第二激光Laser2(例如，见图5A)照射的位置。
如图4F中所示，第一照射区域AR2的形状可以是圆形。通过以恒定的频率照射若干次的第一激光Laser1而形成的第一照射区域AR2的边缘可以是圆形。作为另一示例，如图4G和图4H中所示，第一照射区域AR2的形状可以是环形形状或十字形形状。第一照射区域AR2的形状可以由激光扫描器LS确定。
即使当第一照射区域AR2的形状为环形形状或十字形形状时，也可以如上面参照图4F所描述地沿着第一照射区域AR2的形状绘制第二线l2，并且可以通过第二线l2导出第一照射区域AR2的第二中心C2。特别地，当第一照射区域AR2的形状为十字形形状时，可以容易地导出第一照射区域AR2的第二中心C2。
参照图5A，在基于图4F中计算的第一位移d1来调节显示基底D上的将要用第二激光Laser2照射的位置之后，显示基底D可以以恒定的速度在第一方向(例如，+y方向)上再次移动。在这种情况下，第一方向可以与第二激光Laser2沿其入射在显示基底D的表面上的方向不同。显示基底D可以与腔室11的第一透射窗11a相邻，第二激光Laser2可以照射到显示基底D的预设处理区域AR1的一部分。在图5A中，第二激光Laser2被示出为穿过LMS磁体13-1。然而，可以理解的是，移动单元12可以通过如上面参照图1所描述的彼此间隔开的两个LMS磁体13-1移动，并且第二激光Laser2行进到彼此间隔开的两个LMS磁体13-1之间的空的空间。
在将第二激光Laser2照射到显示基底D的预设处理区域AR1之前，可以调节第二激光Laser2通过激光光源单元16-1发射的频率和/或第二激光Laser2的强度，并且可以通过光学组件16-3改变第二激光Laser2的形态和/或性质。在一个或更多个实施例中，通过调节激光扫描器LS的检流计扫描仪，可以调节第二激光Laser2基于第一位移d1照射到显示基底D的位置。例如，可以通过控制激光扫描器LS的检流计扫描器使第二激光R2照射到显示基底D的处理区域AR1。当通过第二激光Laser2处理显示基底D的处理区域AR1时，可以形成第二照射区域AR3。
可以在显示基底D以恒定的速度在第一方向(例如，+y方向)上移动的同时将第二激光Laser2照射到显示基底D的预设测试区域AR1-1。作为另一示例，当显示基底D以恒定的速度在第一方向上移动并且到达预设位置时，显示基底D停止，并且可以将第二激光Laser2照射到处理区域AR1。
在这种情况下，处理区域AR1的平面形状可以是环形。在这种情况下，当在显示基底D移动的同时形成处理区域AR1时，可以在显示基底D移动时顺序地形成单元C的处理区域AR1的部分，从而形成一个处理区域AR1。作为另一实施例，当在显示基底D移动的同时形成处理区域AR1时，可以在显示基底D移动时一次性形成单元C的处理区域AR1，从而形成一个处理区域AR1。在这种情况下，第二激光Laser2可以具有环形形状。作为另一实施例，当在显示基底D到达预设位置并且停止之后形成处理区域AR1时，可以在显示基底D停止的同时一次性或顺序地形成处理区域AR1。
在一个或更多个实施例中，可以使用一个或多个第二激光Laser2。当只存在一个第二激光Laser2时，可以在一个单元C中形成处理区域AR1，然后可以在另一个相邻的单元C中形成处理区域AR1。作为另一实施例，当存在多个第二激光Laser2时，可以同时在多个单元C中形成处理区域AR1。例如，可以存在总计四个第二激光Laser2。例如，第二激光Laser2可以包括第二-第一激光Laser2-1、第二-第二激光Laser2-2、第二-第三激光Laser2-3和第二-第四激光Laser2-4。此外，显示基底D可以包括在行方向(y方向)和列方向(x方向)上或沿着行方向(y方向)和列方向(x方向)布置的多个单元C。多个单元C中的每个可以包括预设处理区域AR1。在这种情况下，可以与图3中所示的第一激光Laser1类似地将第二激光Laser2照射到多个单元C。
如上面在图5A中所描述的，显示基底D可以以恒定的速度在第一方向(例如，+y方向)上移动。当显示基底D在第一方向上移动时，多个单元C之中的布置在第十一列中的单元C首先与激光扫描器LS相邻。可以将第二激光Laser2顺序地照射到布置在第十一列中的单元C至布置在第一列中的单元C。当显示基底D以恒定的速度在第一方向上移动时，可以将第二激光Laser2顺序地照射到布置在第十一列中的单元C至布置在第一列中的单元C(运动处理)。作为另一示例，当显示基底D以恒定的速度在第一方向上移动并且使布置在第十一列中的单元C到达时，显示基底D停止，并且第二激光Laser2可以照射到布置在第十一列中的单元C中的每个的预设处理区域AR1(分步处理)。
在一个或更多个实施例中，因为可以存在多个第二激光Laser2，所以可以用第二激光Laser2并发地(例如，同时地)照射布置在基本上同一列中的单元C。例如，可以用第二-第一激光Laser2-1照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第一行中的单元C，可以用第二-第二激光Laser2-2照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第二行中的单元C，可以用第二-第三激光Laser2-3照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第三行中的单元C，并且可以用第二-第四激光Laser2-4照射布置在第一列中的单元C之中的定位在第四行中的单元C。可以用第二激光Laser2并发地(例如，同时地)照射布置在第一列中的单元C，从而可以处理预设处理区域AR1，并且可以在布置在第一列中的单元C中的每个中的预设处理区域AR1中形成第二照射区域AR3。
形成在预设处理区域AR1中的第二照射区域AR3的形状可以是圆形。第二照射区域AR3的形状可以由激光扫描器LS确定。例如，当第二激光Laser2以恒定的频率照射到处理区域AR1若干次时，第二激光Laser2通过激光扫描器LS照射的方向可以变化，照射到处理区域AR1的第二激光Laser2可以聚集以形成第二照射区域AR3，并且第二照射区域AR3的形状可以被确定。
在根据本公开的一个或更多个实施例的制造显示设备的方法中，在对处理区域AR1执行处理之前，可以将第一激光Laser1照射到显示基底D的预设测试区域AR1-1，从而在不丢弃显示基底D的情况下对工艺改变进行校正，该工艺改变由保护窗的更换、激光光源的设定值的改变和/或光学组件的损坏引起。可以通过在处理区域AR1中执行处理之前将第一激光Laser1照射到显示基底D的预设测试区域AR1-1的一部分来执行初步处理，并且可以在对处理区域AR1执行处理之前检查用第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的中心距测试区域AR1-1的中心多远。例如，当对处理区域AR1执行处理时，可以预测激光照射区域将偏离处理区域AR1多远。可以通过计算用第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的位移来调节在处理期间将要照射到显示基底D的第二激光Laser2的坐标，因此，可以在处理区域AR1中形成用第二激光Laser2照射的第二照射区域AR3。因此，当对处理区域AR1执行处理时，因为减少了激光照射区域偏离处理区域AR1的情况，所以可以减少将要丢弃的显示基底D的数量。可以降低显示基底D的缺陷率。在一个或更多个实施例中，因为对已经经历初步处理的显示基底D上的测试区域AR1-1执行处理，所以没有时间在腔室11中重新装载显示基底D，并且在初步处理中，激光照射区域小并且处理速度快，因此，处理时间没有受到大的影响。
图6是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的一部分的平面图。
参照图6，一个或更多个合适的方法可以用于在显示基底D的处理区域AR1中形成第二照射区域AR3。例如，当一个显示基底D包括多个单元C时，通过在多个单元C中的一个中并发地(例如，同时地)形成第一照射区域AR2和第二照射区域AR3，然后感测第一照射区域AR2的位置并且使第二激光Laser2的照射位置变化，可以在精确的位置处形成另一相邻单元C中的第一照射区域AR2和第二照射区域AR3。作为另一实施例，当执行多个显示基底D的处理时，可以感测多个显示基底D中的一个中的第一照射区域AR2的位置，然后，基于感测的结果，可以调节多个显示基底D中的另一个的第二照射区域AR3。在下文中，将主要更详细地描述其中在多个显示基底D中调节第二照射区域AR3的位置的情况。
例如，可以通过在基底上形成薄膜晶体管、有机发光二极管和测试金属层来制造多个显示基底D。
在将多个显示基底D之中的第一显示基底插置到腔室中之后，可以使第一显示基底对准。此后，可以在移动第一显示基底的同时照射第一激光Laser1和第二激光Laser2，或者可以在移动第一显示基底之后在预设位置处照射第一激光Laser1和第二激光Laser2，因此，可以在第一显示基底上形成第一照射区域AR2和第二照射区域AR3。
在这种情况下，第一照射区域AR2可以形成在测试区域AR1-1内部，第二照射区域AR3可以形成在处理区域AR1内部。在这种情况下，第一照射区域AR2的平面形状可以与图4E、图4G或图4H中所示的平面形状相同或相似。
在照射第一激光Laser1和第二激光Laser2之后，可以测量第一激光Laser1在第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的位移。例如，可以测量第一照射区域AR2与测试区域AR1-1的相对位置。在这种情况下，第一照射区域AR2的中心和测试区域AR1-1的中心必须彼此重合，但是当两个中心彼此不重合时，可以通过测量第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的间隔距离来测量第一照射区域AR2的中心与预设位置的中心的偏离程度。在这种情况下，照射第一激光Laser1和第二激光Laser2的方法以及测量第一照射区域AR2与测试区域AR1-1的相对位置的方法可以与上面描述的照射第一激光Laser1和第二激光Laser2的方法以及测量第一照射区域AR2与测试区域AR1-1的相对位置的方法相同或相似。
可以在第一显示基底的全部单元中执行上述处理。在这种情况下，可以在一个单元中形成第一照射区域AR2之后执行测量每个单元的第一照射区域AR2的中心偏离测试区域AR1-1的中心的程度，或者可以通过在多个单元中的全部中形成第一照射区域AR2然后扫描整个第一显示基底来执行测量每个单元的第一照射区域AR2的中心偏离测试区域AR1-1的中心的程度。
可以基于如上面描述的测量的结果来确定每个单元中的第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的距离是否在特定范围内。在这种情况下，当每个单元中的第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的距离在特定范围内时，可以不改变第二激光照射到每个显示基底D的位置。
另一方面，当确定每个单元中的第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的距离在特定范围之外时，可以使第二激光照射到每个显示基底D的位置变化。在这种情况下，第一显示基底会被确定为有缺陷并且被丢弃。在一个或更多个实施例中，当基于上述结果在新的第二显示基底上形成第二照射区域AR3时，可以基于第一照射区域AR2的中心与测试区域AR1-1的中心之间的距离针对每个单元调节照射到第二显示基底的第二激光的位置。
在这种情况下，通过比较仅第一照射区域AR2和测试区域AR1-1的位置，能够通过少量的数据来检查(例如，精确地检查)每个激光的照射位置。在一个或更多个实施例中，能够通过同时执行实际工艺和测试工艺来缩短制造时间。
图7是根据一个或更多个实施例的显示设备1的示意性透视图。图8是沿着图7的线A-A'和线B-B'截取的显示设备1的示意性剖视图。
参照图7和图8，显示设备1包括发光的显示区域DA和不光的外围区域NDA。外围区域NDA布置为与显示区域DA相邻。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素PX发射的光来提供特定图像。
显示设备1包括被显示区域DA至少部分地围绕的开口区域OA。作为实施例，图7示出了开口区域OA被显示区域DA完全围绕。外围区域NDA可以包括位于开口区域OA周围(例如，围绕开口区域OA)的第一外围区域NDA1和位于显示区域DA的外边缘周围(例如，围绕显示区域DA的外边缘)的第二外围区域NDA2。例如，第一外围区域NDA1可以完全围绕开口区域OA，显示区域DA可以完全围绕第一外围区域NDA1，并且第二外围区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
开口区域OA可以是其中布置有组件的区域。开口区域OA可以被理解为透射区域，从组件输出到外部或者从外部朝向组件行进的光和/或声音可以穿过该透射区域。在本公开的实施例中，当光透射通过开口区域OA时，透光率可以为约50％或更大，更优选地约70％或更大，约75％或更大，约80％或更大，约85％或更大，或者约90％或更大。开口区域OA可以是其中不布置有显示元件并且可以不提供图像的区域。在本实施例中，开口区域OA可以布置在显示区域DA内部，并且像素PX可以布置成围绕开口区域OA。
孔可以形成在如上所述的开口区域OA中。例如，孔100H可以形成在基底100中或由基底100限定，以对应于开口区域OA。换言之，基底100可以具有与开口区域OA对应的孔100H。
根据本公开的一个或更多个实施例的显示设备1可以使用一种或更多种合适类型(种类)的显示设备(诸如有机发光显示器、无机发光显示器和量子点发光显示器)。
如上所述的显示设备1可以包括显示面板。显示面板可以包括基底100、薄膜晶体管和有机发光二极管。
基底100可以包括聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。包括聚合树脂的基底100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲的性质。基底100可以具有多层结构，多层结构包括包含上述聚合物树脂的层和无机层。
缓冲层111可以定位在基底100上，以减少或阻挡异物、湿气和/或外部空气从基底100下方的渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机-无机化合物，并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。在基底100与缓冲层111之间还可以包括阻挡外部空气渗透的阻挡层。在一个或更多个实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)。缓冲层111可以设置为使得第一缓冲层111a和第二缓冲层111b堆叠。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。薄膜晶体管TFT可以连接到显示区域DA的有机发光二极管OLED，以驱动有机发光二极管OLED。
第一半导体层A1可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1可以包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1可以包括从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。源区和漏区可以位于沟道区的相对侧处。
第一栅极绝缘层112可以设置为覆盖第一半导体层A1。第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。第一栅极绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1布置在第一栅极绝缘层112上，以与第一半导体层A1叠置。第一栅电极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。例如，第一栅电极G1可以包括单层的Mo。
第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖第一栅电极G1。第二栅极绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx的无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。第二栅极绝缘层113可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的第一上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上。
在显示区域DA中，第一上电极CE2可以与位于第一上电极CE2下方的第一栅电极G1叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以形成存储电容器Cst。第一栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一下电极CE1。
第一上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以形成为覆盖第一上电极CE2。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnOx等。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。
当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可以具有与开口区域OA对应的第一孔H1。第一孔H1可以形成为使缓冲层111(例如，第二缓冲层111b)或基底100的上表面暴露。第一孔H1可以由第一栅极绝缘层112的第一开口、第二栅极绝缘层113的第二开口和层间绝缘层115的第三开口形成，第一开口、第二开口和第三开口形成为与开口区域OA对应且彼此叠置。第一开口至第三开口可以通过分开的工艺分开地形成，或者可以通过同一工艺并发地(例如，同时地)形成。在一个或更多个实施例中，一个或更多个合适的修改是可行的，诸如第一开口和第二开口同时形成，并且第三开口单独形成。当第一开口至第三开口通过分开的工艺形成时，可以在第一孔H1的侧表面上形成台阶。
第一源电极S1和第一漏电极D1布置在层间绝缘层115上。第一源电极S1和第一漏电极D1可以均包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以均包括包含导电材料的多层或单层。例如，第一源电极S1和第一漏电极D1可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以布置为覆盖第一源电极S1和第一漏电极D1。平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得布置在平坦化层117上的第一像素电极221可以形成为平坦的。
平坦化层117可以包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的商业聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酰醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、其共混物等。平坦化层117可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnOx等。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。在形成平坦化层117之后，可以执行化学机械抛光以提供平坦的顶表面。
平坦化层117可以具有与开口区域OA对应的第二孔H2。第二孔H2可以布置成与第一孔H1叠置(例如，在基底100的厚度方向上叠置)。尽管附图示出了第二孔H2的下部宽度(例如，在x方向上的下部宽度)大于第一孔H1的下部宽度(例如，在x方向上的下部宽度)，但是本公开不限于此。例如，平坦化层117可以设置为覆盖无机绝缘层IL的第一孔H1的边缘，因此，第二孔H2的宽度(例如，在x方向上的宽度)可以小于第一孔H1的宽度(例如，在x方向上的宽度)。
平坦化层117具有使薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个暴露的开口，并且第一像素电极221可以通过该开口接触第一源电极S1或第一漏电极D1并且连接(例如，电连接)到薄膜晶体管TFT。
第一像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。
在另一实施例中，第一像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物或混合物的反射层。在另一实施例中，第一像素电极221还可以包括位于上述反射层上方或下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一个或更多个实施例中，第一像素电极221可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以覆盖第一像素电极221的边缘。像素限定层119与第一像素电极221叠置并且包括第一开口OP1，第一开口OP1限定像素PX的发光区域。像素限定层119可以增大第一像素电极221的边缘与位于第一像素电极221上的对电极223之间的距离，从而防止或减少在第一像素电极221的边缘中出现电弧。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO或酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。
像素限定层119可以包括定位在开口区域OA中的第三孔H3。第三孔H3可以与第一孔H1和第二孔H2叠置(例如，在基底100的厚度方向上叠置)。由于形成了第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3，所以可以改善开口区域OA的透光率。下面将描述的对电极223可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的内壁上。开口区域OA可以具有与开口区域OA对应的透射孔OAH。
当透射孔OAH对应于开口区域OA时，可以理解的是，透射孔OAH与开口区域OA叠置。在这种情况下，透射孔OAH的面积可以小于形成在无机绝缘层IL中的第一孔H1的面积。为此，在图8中，透射孔OAH的宽度(例如，在x方向上的宽度)Wo被示出为小于第一孔H1的宽度(例如，在x方向上的宽度)。
金属层ML可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3中(例如，在平面图中布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3中)。金属层ML可以布置成与第一孔H1的内壁分开(例如，间隔开)。金属层ML可以布置在透射孔OAH周围。
金属层ML可以包括一种或更多种合适的金属。在一个或更多个实施例中，金属层ML可以与第一像素电极221由相同的材料并发地(例如，同时地)形成。在一个或更多个实施例中，金属层ML可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。然而，本公开不限于此。在另一实施例中，金属层ML可以与第一栅电极G1、第一源电极S1或第一漏电极D1由相同的材料并发地(例如，同时地)形成。
第一功能层222a布置为覆盖像素限定层119。第一功能层222a可以包括单层或多层。第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。在一个或更多个实施例中，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a可以一体地形成，以对应于包括在显示区域DA中的像素PX。
形成为与第一像素电极221对应的第一发射层222b布置在第一功能层222a上。第一发射层222b可以包括高分子材料或低分子材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二功能层222c可以形成在第一发射层222b上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以一体地形成，以对应于包括在显示区域DA中的像素PX。也可以不设置第一功能层222a和/或第二功能层222c。
对电极223布置在第二功能层222c上。对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以是包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。在一个或更多个实施例中，对电极223还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以一体地形成，以对应于包括在显示区域DA中的像素PX。
形成在显示区域DA中的从第一像素电极221至对电极223的层可以形成有机发光二极管OLED。
覆盖层250可以形成在对电极223上。覆盖层250可以包括LiF。在一个或更多个实施例中，覆盖层250可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在一个或更多个实施例中，可以不设置覆盖层250。
在一个或更多个实施例中，第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的侧面上。
可以用封装基底300A覆盖有机发光二极管OLED。封装基底300A包括透明材料。例如，封装基底300A可以包括玻璃材料。在一个或更多个实施例中，封装基底300A可以包括聚合树脂等。封装基底300A可以防止或基本上防止外部湿气或异物渗透到有机发光二极管OLED中。
诸如密封剂的密封材料可以布置在其上形成有有机发光二极管OLED的基底100与封装基底300A之间。密封材料可以阻挡或基本上阻挡可能穿过基底100与封装基底300A之间的外部湿气或异物。
图9A至图9D是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
参照图9A至图9D，可以通过在基底100上形成薄膜晶体管和有机发光二极管来制造显示基底D。在这种情况下，可以在将基底100布置在载体基底CR上的同时执行制造显示基底D的工艺。载体基底CR可以包括玻璃材料，并且可以防止或基本上防止显示基底D在处理期间弯曲或起皱。
如上所述，显示基底D可以包括如上所述的多个单元。在这种情况下，多个单元可以布置为彼此间隔开。
在这种情况下，当在基底100上形成薄膜晶体管和有机发光二极管时，还可以形成预金属层PML。在这种情况下，预金属层PML形成在无机绝缘层IL的第一孔H1中。预金属层PML可以包括第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e。第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e可以彼此间隔开。在另一实施例中，第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e可以彼此至少部分地连接。第一预金属层PML-c可以形成为与透射部分TA的大部分对应。第二预金属层PML-e可以指预金属层PML的布置成围绕第一预金属层PML-c的边缘区域。
预金属层PML可以包括诸如银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属。在一个或更多个实施例中，预金属层PML还可以包括在上述金属材料上/下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施例中，预金属层PML可以与像素电极221由相同的材料并发地(例如，同时地)形成。
在预金属层PML上顺序地形成在显示区域DA和开口区域OA中一体地形成的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250。
在这种情况下，在一个或更多个实施例中，可以在测试区域中使测试金属层与预金属层PML一起形成。在这种情况下，预金属层PML可以布置成彼此间隔开，并且可以沿着开口区域OA的边缘布置。在这种情况下，开口区域OA可以具有与处理区域对应的形状和尺寸。
当完成上述工艺时，通过将显示基底D放置在图1中所示的用于制造显示设备的设备2中，并且照射第一激光Laser1和第二激光Laser2，可以在测试区域AR1-1中形成第一照射区域AR2，并且可以在处理区域中形成第二照射区域AR3。
例如，如上所述，在通过将第一激光Laser1照射到测试区域AR1-1而形成第一照射区域AR2之后，可以测量第一照射区域AR2与测试区域AR1-1的相对位置，以将第二激光Laser2照射到第二照射区域AR3。在这种情况下，如上所述，第二激光Laser2可以以环形形状照射到处理区域AR1。例如，激光LP可以从基底100的下表面在z方向上行进并且照射到预金属层PML的下表面。激光LP可以具有红外波长。当激光LP是红外线时，基底100和缓冲层111的透射率可以为约80％至约90％或更大，因此，激光LP可以有效地到达预金属层PML。
因为预金属层PML包括不透明金属，所以预金属层PML可以吸收激光LP。因此，可以发生预金属层PML的热膨胀，因此，用激光LP照射的预金属层PML可以从基底100或缓冲层111剥离。
随着预金属层PML的一部分被剥离，布置在被剥离的预金属层PML上的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250也可以与预金属层PML一起被去除。因此，如图9C中所示，可以去除预金属层PML的第一预金属层PML-c，并且可以形成由第二预金属层PML-e的一部分构造的金属层ML。
当完成上述工艺时，可以从图1中所示的用于制造显示设备的设备2取出位于载体基底CR上的显示基底D。在载体基底CR与基底100分离之后，可以使显示基底D的每个单元分离，可以将封装基底300A布置为面向基底100，并且可以用密封构件使基底100和封装基底300A彼此附着，以密封有机发光二极管。在这种情况下，密封构件可以单独地布置在开口区域OA的边缘外部，以阻挡或减少从形成在基底100中的孔100H流动的氧和湿气。作为另一实施例，可以在通过密封构件和封装基底300A密封有机发光二极管之后使多个单元彼此分离，而不在载体基底CR与基底100分离之后使每个单元分离。在这种情况下，分离多个单元的方法可以是在相邻的单元之间形成切割线，然后通过使用激光、刀等沿着切割线施加能量的方法。
如上所述，可以在基底100中形成孔100H或者通过基底100限定孔100H。在这种情况下，可以在多个单元彼此分离之前形成孔100H。此外，可以在用封装基底300A和密封构件密封有机发光二极管之后形成孔100H。
当如上所述地形成孔100H时，孔100H可以形成为具有与处理区域AR1对应的或小于处理区域AR1的形状。此外，孔100H的边缘可以布置在第二照射区域AR3内。
在上述情况下，因为制造显示设备的方法可以精确地形成第二照射区域AR3，所以可以在准确的位置处形成孔100H。
图10是根据一个或更多个实施例的显示设备1的示意性剖视图。
参照图10，显示设备1可以包括显示面板。在这种情况下，显示面板可以与参照图8和图9D描述的显示面板相同或相似。在下文中，将更详细地描述与图8和图9D中所示的细节不同的细节。
显示面板可以包括薄膜封装层300而不是封装基底和密封构件。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图10示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及它们之间的有机封装层(未示出)。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或更多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
图11是根据一个或更多个实施例的显示设备1的示意性剖视图。
参照图11，显示设备1可以包括显示面板。在这种情况下，显示面板可以与参照图8和图9D描述的显示面板相同或相似。在下文中，将更详细地描述与图8和图9D中所示的细节不同的细节。
封装基底300A可以包括封装基底孔300AH。封装基底孔300AH可以在形成基底100的孔100H时并发地(例如，同时地)形成。作为另一实施例，在封装基底300A的制造期间形成封装基底孔300AH之后，可以将封装基底300A布置在基底100上，使得封装基底孔300AH和孔100H彼此对应，并且封装基底300A可以通过密封构件结合到基底100。
图12是根据一个或更多个实施例的显示设备1的示意性透视图。
参照图12，显示设备1包括实现或显示图像的显示区域DA和不实现或不显示图像的外围区域NDA。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个主像素Pm发射的光来提供主图像。
显示设备1包括组件区域SA。如下面参照图12描述的，组件区域SA可以是其中布置有诸如使用红外线、可见光和/或声音的传感器的组件的区域。组件区域SA可以包括透射部分TA，从组件输出或从外部朝向组件行进的光和/或声音可以穿过透射部分TA。在本公开的实施例中，当红外线透射通过组件区域SA时，整个组件区域SA的红外透射率可以为约10％或更大，更优选地约20％或更大，约25％或更大，约50％或更大，约85％或更大，或者约90％或更大。
在本实施例中，多个辅助像素Pa可以布置在组件区域SA中，并且可以使用从多个辅助像素Pa发射的光来提供特定图像。作为辅助图像，从组件区域SA提供的图像可以具有比从显示区域DA提供的图像的分辨率低的分辨率。例如，因为组件区域SA包括光和/或声音可以穿过的透射部分PA，所以每单位面积可以布置的辅助像素Pa的数量可以小于每单位面积布置在显示区域DA中的主像素Pm的数量。
组件区域SA可以被显示区域DA至少部分地围绕，并且作为示例实施例，图12示出了组件区域SA被显示区域DA完全围绕。
在下文中，有机发光显示器将被描述为根据一个或更多个实施例的显示设备1，但是本公开的显示设备不限于此。作为另一实施例，可以使用一种或更多种合适类型(种类)的显示设备(诸如无机发光显示器和量子点发光显示器)。
尽管图12示出了组件区域SA布置在矩形的显示区域DA的一侧(即，右上侧)上，但是本公开不限于此。显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形，并且组件区域SA的位置和组件区域SA的数量可以被各种地改变。
图13是根据一个或更多个实施例的显示设备1的示意性剖视图，并且可以对应于沿着图12的线B-B'截取的显示设备的剖面。
参照图13，显示设备1可以包括包含显示元件的显示面板10和与组件区域SA对应的组件20。
显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上的显示元件层200以及作为用于密封显示元件层200的密封构件的薄膜封装层300。在一个或更多个实施例中，显示面板10还可以包括布置在基底100下方的下保护层175。
基底100可以包括聚合物树脂。当基底100包括聚合树脂时，基底100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲性质。基底100可以具有多层结构，多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层。
显示元件层200可以包括包含薄膜晶体管TFT和TFT'的电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及绝缘层IL和IL'。
包括主薄膜晶体管TFT和连接到主薄膜晶体管TFT的主有机发光二极管OLED的主像素Pm可以布置在显示区域DA中，包括辅助薄膜晶体管TFT'和连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素Pa以及布线WL可以布置在组件区域SA中。
在一个或更多个实施例中，辅助薄膜晶体管TFT'和其中未布置显示元件的透射部分TA可以布置在组件区域SA中。透射部分TA可以被理解为从组件20发射的光/信号或入射到组件20的光/信号通过其透射的区域。
组件20可以定位在组件区域SA中。组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以是接收并使用光的传感器(诸如红外传感器)、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用一个或更多个合适的波段中的光，诸如可见光、红外光和紫外光。多个组件20可以布置在组件区域SA中。例如，发光器件和光接收器件可以一起设置在一个组件区域SA中作为组件20。在一个或更多个实施例中，发光部分和光接收部分都可以设置在一个组件20中。
下电极层BSM可以布置在组件区域SA中，并且下电极层BSM可以布置为与辅助像素Pa对应。例如，下电极层BSM可以布置为于辅助薄膜晶体管TFT'的下部对应。下电极层BSM可以防止或基本上防止外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'等的辅助像素Pa。例如，下电极层BSM可以防止或基本上防止从组件20发射的光到达辅助像素Pa。可以向下电极层BSM施加恒定的电压或者信号，以防止或基本上防止由于静电放电而对像素电路的损坏。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图13示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括一种或更多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
下保护层175可以附着到基底100的下部以支撑并保护基底100。下保护层175可以具有与组件区域SA对应的开口175OP。通过在下保护层175中设置开口175OP，可以改善组件区域SA的透光率。下保护层175可以包括PET或聚酰亚胺。
组件区域SA的面积可以大于其中布置有组件20的区域的面积。因此，设置在下保护层175中的开口175OP的面积可以与组件区域SA的面积不匹配。例如，开口175OP的面积可以小于组件区域SA的面积。
在一个或更多个实施例中，还可以在显示面板10上布置诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件以及透明窗的组件。
尽管在本实施例中薄膜封装层300用作用于密封显示元件层200的封装构件，但是本公开不限于此。例如，可以使用通过密封剂或玻璃料结合到基底100的密封基底作为用于密封显示元件层200的构件。
图14是根据一个或更多个实施例的显示面板10的示意性平面图。
参照图14，显示面板10布置在显示区域DA中并且包括多个主像素Pm。主像素Pm中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个主像素Pm可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。如上所述，本说明书中的主像素Pm可以被理解为发射红色、绿色、蓝色和白色之中的任意一种颜色的光的像素。显示区域DA可以用上面参照图13描述的封装构件覆盖，以被保护免受外部空气或湿气的影响。
组件区域SA可以布置在显示区域DA内部，并且多个辅助像素Pa布置在组件区域SA中。辅助像素Pa中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个辅助像素Pa可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。如上所述，本说明书中的辅助像素Pa可以被理解为发射红色、绿色、蓝色和白色之中的任意一种颜色的光的像素。布置在辅助像素Pa之间的透射部分TA可以设置在组件区域SA中。
在实施例中，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，本公开不限于此。包括在主像素Pm中的像素电路和包括在辅助像素Pa中的像素电路可以彼此不同。
因为组件区域SA包括透射部分TA，所以组件区域SA的分辨率可以低于显示区域DA的分辨率。例如，组件区域SA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的约1/2。在一个或更多个实施例中，显示区域DA的分辨率可以为400ppi或更大，并且组件区域SA的分辨率可以为约200ppi。
主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以连接(例如，电连接)到布置在非显示区域中外部电路。在外围区域NDA中，可以布置第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL向主像素Pm和辅助像素Pa中的每个提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线EL向每个像素提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，且显示区域DA位于第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间。布置在显示区域DA中的主像素Pm和辅助像素Pa中的一些可以连接(例如，电连接)到第一扫描驱动电路110，另一些可以连接到第二扫描驱动电路120。在另一实施例中，可以不设置第二扫描驱动电路120。
端子140可以布置在基底100的一侧上。端子140可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以连接(例如，电连接)到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以连接(例如，电连接)到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将信号或电力从控制器传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以分别通过第一连接线161和第二连接线171向第一电源线160和第二电源线170提供第一电源电压和第二电源电压。作为驱动电压的第一电源电压可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL提供给每个主像素Pm和每个辅助像素Pa，并且第二电源电压可以提供给每个主像素Pm和每个辅助像素Pa的均连接到第二电源线170的对电极。
数据驱动电路150连接(例如，电连接)到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL提供给主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。图14示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB上，但是在另一实施例中，数据驱动电路150可以布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括在x方向上平行延伸且显示区域DA位于其间的第一子线162和第二子线163。第二电源线170可以以一侧开口的环形形状部分地围绕显示区域DA。
图15是图12中的组件区域SA的一部分的示意性平面图。图16A是沿着图12的线A-A'和线B-B'截取的显示设备1的示意性剖视图。图16B是图16A中的透射部分TA的放大剖视图。
参照图15至图16B，辅助像素Pa和透射部分TA布置在根据一个或更多个实施例的显示设备1的组件区域SA中。某些辅助像素Pa可以布置(例如，顺序地布置)为形成一个像素组Pg。在像素组Pg中可以包括至少一个辅助像素Pa。在图15中，示出了一个像素组Pg包括布置成两列的四个辅助像素Pa。然而，本公开不限于此。包括在一个像素组Pg中的辅助像素Pa的数量和布置可以以合适的方式被各种修改。例如，一个像素组Pg可以包括并排布置成一列的三个辅助像素Pa。
因为没有布置显示元件，所以透射部分TA是具有高透光率的区域，并且可以在组件区域SA中设置多个透射部分TA。透射部分TA可以在第一方向x和/或第二方向y上或者沿着第一方向x和/或第二方向y与像素组Pg交替地布置。在一个或更多个实施例中，透射部分TA可以布置成围绕像素组Pg。在一个或更多个实施例中，辅助像素Pa可以布置成围绕透射部分TA。
在本实施例中，布置成至少部分地围绕透射部分TA的金属层ML布置在透射部分TA周围。可以理解的是，金属层ML布置在透射部分TA与像素组Pg之间。在图15中，金属层ML被示出为连续地布置成围绕一个透射部分TA。然而，本公开不限于此。金属层ML可以以一种或更多种合适的方式变形，诸如金属层ML的一部分可以断裂。下面将参照图16A至图16C来描述金属层ML的各种形状。
参照图16A，根据一个或更多个实施例的显示设备1包括显示区域DA和组件区域SA。主像素Pm布置在显示区域DA中，并且辅助像素Pa和透射部分TA布置在组件区域SA中。
主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器CST'和辅助有机发光二极管OLED'。透射部分TA可以具有透射孔TAH以对应于透射部分TA。金属层ML布置在透射孔TAH周围。
组件20可以布置在组件区域SA中。组件20可以是发送/接收红外线的IR传感器。因为透射部分TA布置在组件区域SA中，所以可以传输发送到组件20或从组件20接收的红外信号。例如，从组件20发射的光可以通过透射部分TA在z方向上行进，并且在显示设备1外部产生的入射在组件20上的光可以通过透射部分TA在-z方向上行进。
在下文中，将描述其中包括在根据本公开的一个或更多个实施例的显示设备1中的组件堆叠的结构。在这种情况下，显示设备1可以与参照图8描述的显示设备1相同或相似。在下文中，为了便于描述，将主要描述与图8的部分不同的部分。
在组件区域SA中，下电极层BSM可以布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，下电极层BSM可以布置在基底100与第一缓冲层111a之间。下电极层BSM可以布置在辅助薄膜晶体管TFT'下方，以防止或减少辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于从组件20等发射的光而劣化。
此外，下电极层BSM可以通过接触孔连接到布置在另一层上的布线GCL。下电极层BSM可以从布线GCL接收恒定的电压或者信号。例如，下电极层BSM可以接收驱动电压(即，第一电源电压)或扫描信号。下电极层BSM可以减小(例如，显著减小)在接收到恒定的电压或者信号时产生静电放电的概率。下电极层BSM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。下电极层BSM可以包括包含上述材料的单层或多层。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1，辅助薄膜晶体管TFT'包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到显示区域DA的主有机发光二极管OLED，以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到组件区域SA的辅助有机发光二极管OLED'，以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上，并且可以均包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括沟道区以及均掺杂有杂质的源区和漏区。源区和漏区可以位于沟道区的相对侧处。
第二半导体层A2可以与下电极层BSM叠置，且第二缓冲层111b位于第二半导体层A2与下电极层BSM之间。作为实施例，第二半导体层A2的宽度(例如，在x方向上的宽度)可以形成为小于下电极层BSM的宽度(例如，在x方向上的宽度)。因此，当在与基底100垂直的方向上投影时，第二半导体层A2可以整体上与下电极层BSM叠置。
第一栅极绝缘层112可以设置为覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx的无机绝缘材料。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。第一栅极绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2布置在第一栅极绝缘层112上，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以与参照图8描述的第一栅电极G1相同或相似。
第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
在显示区域DA中，第一上电极CE2可以与位于第一上电极CE2下方的第一栅电极G1叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以形成主存储电容器Cst。第一栅电极G1可以是主存储电容器Cst的第一下电极CE1。
在组件区域SA中，第二上电极CE2'可以与位于第二上电极CE2'下方第二栅电极G2叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以形成辅助存储电容器Cst'。第二栅电极G2可以是辅助存储电容器CST'的第二下电极CE1'。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'可以均包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以形成为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可以具有与透射部分TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以形成为使缓冲层111(例如，第二缓冲层111b)或基底100的上表面暴露。第一孔H1可以由第一栅极绝缘层112的第一开口、第二栅极绝缘层113的第二开口和层间绝缘层115的第三开口形成，第一开口、第二开口和第三开口形成为与透射部分TA对应且彼此叠置。第一开口至第三开口可以通过分开的工艺分开地形成，或者可以通过同一工艺并发地(例如，同时地)形成。在一个或更多个实施例中，一个或更多个合适的修改是可行的，诸如第一开口和第二开口同时形成，并且第三开口单独形成。当通过分开的工艺形成第一开口至第三开口时，可以在第一孔H1的侧表面上形成台阶。
无机绝缘层IL可以具有凹槽而不是使缓冲层111暴露的第一孔H1。例如，在无机绝缘层IL中，第一栅极绝缘层112可以连续地布置，以与透射部分TA对应，并且第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以各自具有与透射部分TA对应的第二开口和第三开口。
在一个或更多个实施例中，第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113可以顺序地布置为与透射部分TA对应，并且层间绝缘层115可以具有于透射部分TA对应的第三开口。以这种方式，一个或更多个合适的修改是可行的。
在另一实施例中，无机绝缘层IL可以不具有与透射部分TA对应的第一孔H1。因为无机绝缘层IL可以具有组件20可以发送/接收光的透射率，所以无机绝缘层IL可以不具有与透射部分TA对应的孔。
第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2布置在层间绝缘层115上。第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2可以均包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以均包括包含导电材料的单层或多层。例如，第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以布置为覆盖第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2。平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得布置在其上的第一像素电极221和第二像素电极221'形成为平坦的。
平坦化层117可以具有与透射部分TA对应的第二孔H2。第二孔H2可以布置成与第一孔H1叠置(例如，在基底100的厚度方向上叠置)。尽管图16A至图16C示出了第二孔H2的下部宽度(例如，在x方向上的下部宽度)W2大于第一孔H1的下部宽度(例如，在x方向上的下部宽度)W1，但是本公开不限于此。例如，平坦化层117可以设置为覆盖无机绝缘层IL的第一孔H1的边缘，因此，第二孔H2的宽度(例如，在x方向上的宽度)可以小于第一孔H1的宽度(例如，在x方向上的宽度)。
平坦化层117可以具有使主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个暴露的开口，第一像素电极221可以通过该开口接触第一源电极S1或第一漏电极D1并且连接(例如，电连接)到主薄膜晶体管TFT。
在一个或更多个实施例中，平坦化层117可以具有使辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的一个暴露的开口，第二像素电极221'可以通过该开口接触第二源电极S2或第二漏电极D2并且连接(例如，电连接)到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极221和第二像素电极221'可以与参照图8描述的第一像素电极221相同或相似。
像素限定层119可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个的边缘。像素限定层119可以包括使第一像素电极221暴露的第一开口OP1和使第二像素电极221'暴露的第二开口OP2。
像素限定层119可以包括定位在透射部分TA中的第三孔H3。第三孔H3可以与第一孔H1和第二孔H2叠置(例如，在基底100的厚度方向上叠置)。当形成第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3时，可以改善透射部分TA的透光率。下面将描述的对电极223可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的内壁上。
金属层ML可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3中。金属层ML可以布置成与第一孔H1的内壁间隔开。
金属层ML可以具有被引入以形成透射孔TAH的构造，这将在下面描述。在一个或更多个实施例中，金属层ML可以用于在形成透射孔TAH时防止或减少热扩散。下面将描述金属层ML的作用。
金属层ML可以包括一种或更多种合适的金属。在一个或更多个实施例中，金属层ML可以与第一像素电极221和第二像素电极221'由相同的材料并发地(例如，同时地)形成。
第一功能层222a布置为覆盖像素限定层119。第一功能层222a可以包括单层或多层。第一功能层222a可以一体地形成，以对应于分别包括在显示区域DA和组件区域SA中的主像素Pm和辅助像素Pa。
形成为分别与第一像素电极221和第二像素电极221'对应的第一发射层222b和第二发射层222b'布置在第一功能层222a上。第一发射层222b和第二发射层222b'可以均包括高分子材料或低分子材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二功能层222c可以形成在第一发射层222b和第二发射层222b'上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以一体地形成，以对应于分别包括在显示区域DA和组件区域SA中的主像素Pm和辅助像素Pa。可以不设置第一功能层222a和/或第二功能层222c。
对电极223布置在第二功能层222c上。形成在显示区域DA中的从第一像素电极221至对电极223的层可以形成主有机发光二极管OLED。形成在组件区域SA中的从第二像素电极221'至对电极223的层可以形成辅助有机发光二极管OLED'。
覆盖层250可以形成在对电极223上。
在本实施例中，第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250可以具有与透射部分TA对应的透射孔TAH。例如，第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250可以分别具有与透射部分TA对应的开口222aH、222bH、223H和250H。在一个或更多个实施例中，形成透射孔TAH的开口222aH、222bH、223H和250H的宽度可以基本上相同。例如，对电极223的开口223H的宽度可以与透射孔TAH的宽度基本上相同。
此外，在本实施例中，可以不设置第一功能层222a、第二功能层222c和覆盖层250。在这种情况下，对电极223的开口223H可以成为透射孔TAH。
当透射孔TAH对应于透射部分TA时，可以理解的是，透射孔TAH与透射部分TA叠置。在这种情况下，透射孔TAH的面积可以小于形成在无机绝缘层IL中的第一孔H1的面积。为此，在图16A中，透射孔TAH的宽度(例如，在x方向上的宽度)Wt被示出为小于第一孔H1的宽度(例如，在x方向上的宽度)W1。在这种情况下，透射孔TAH的面积和第一孔H1的面积可以由最窄的开口的面积限定。
在一个或更多个实施例中，第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250可以布置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的侧表面上。在一个或更多个实施例中，第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的侧表面相对于基底100的上表面的斜率可以比透射孔TAH的侧表面相对于基底100的上表面的斜率平缓。
透射孔TAH的形成指从透射部分TA去除诸如对电极223的构件，因此，透射部分TA中的透光率可以增大(例如，显著增大)。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以用封装基底300A覆盖。封装基底300A包括透明材料。例如，封装基底300A可以包括玻璃材料。在一个或更多个实施例中，封装基底300A可以包括聚合树脂等。封装基底300A可以防止或基本上防止外部湿气或异物渗透到主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'中。
诸如密封剂的密封材料可以布置在其上形成有主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的基底100与封装基底300A之间。密封材料可以阻挡或减少可能穿过基底100与封装基底300A之间的外部湿气或异物。
图16C是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图。在图16C中，与图16A的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且将不提供其冗余描述。
参照图16C，在根据本实施例的显示设备中，薄膜封装层300布置在覆盖层250上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图16C示出了薄膜封装层300具有第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330在其中堆叠的结构。在另一实施例中，有机封装层的数量和堆叠顺序以及无机封装层的数量和堆叠顺序可以改变。薄膜封装层300可以与参照图10描述的薄膜封装层相同或相似。
第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以一体地形成，以覆盖显示区域DA和组件区域SA。因此，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以布置在透射孔TAH内部(例如，在平面图中布置在透射孔TAH内部)。
在另一实施例中，有机封装层320可以一体地形成，以覆盖显示区域DA和组件区域SA，但是可以不存在于透射部分TA中。换言之，有机封装层320可以包括与透射部分TA对应的开口。在这种情况下，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在透射孔TAH内部彼此接触。
图17A至图17C是示出根据一个或更多个实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
参照图17A至图17C，当形成显示面板时，可以在其中预金属层PML形成在透射部分TA中的状态下制造显示基底并且将显示基底插置到图1所示的用于制造显示设备的设备中。在这种情况下，如图4C或图4D中所示，可以在显示面板的外围区域中或外围区域外部布置测试区域。此后，可以同时或分别地将激光照射到测试区域和处理区域。此后，可以通过测量测试区域的中心与第一照射区域的中心之间的距离(或位移)来确定测试区域与第一照射区域的相对位置。
此后，当在另一单元或另一显示基底中形成第一照射区域和第二照射区域时，可以通过使激光照射的位置变化来将激光照射到准确的位置。在这种情况下，在第二照射区域中，激光可以照射到整个处理区域。
在无机绝缘层IL的第一孔H1中形成预金属层PML。预金属层PML可以包括第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e。第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e可以彼此间隔开。在另一实施例中，第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e的至少一部分可以彼此至少部分地连接。第一预金属层PML-c可以形成为与透射部分TA的大部分对应。第二预金属层PML-e可以指预金属层PML的布置成围绕第一预金属层PML-c的边缘区域。
预金属层PML可以包括诸如银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属。在一个或更多个实施例中，预金属层PML还可以包括位于上述金属材料上/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施例中，预金属层PML可以与像素电极221和221'由相同的材料并发地(例如，同时地)形成。
在预金属层PML上顺序地形成一体地形成在显示区域DA和组件区域SA中的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250。
接下来，参照图17B，在基底100的下表面上将第二激光LP照射到布置在透射部分TA中的预金属层PML。例如，第二激光LP可以在z方向上从基底100的下表面行进并且照射到预金属层PML的下表面。第二激光LP可以具有红外波长。当第二激光LP是红外线时，基底100和缓冲层111的透射率可以为约80％至约90％或更大，因此，第二激光LP可以有效地到达预金属层PML。
因为预金属层PML包括不透明金属，所以预金属层PML可以用于吸收第二激光LP。因此，可以发生预金属层PML的热膨胀，因此，用第二激光LP照射的预金属层PML从基底100或缓冲层111剥离。
随着预金属层PML的一部分被剥离，布置在被剥离的预金属层PML上的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250也可以与预金属层PML一起被去除。因此，如图17C中所示，可以去除预金属层PML的第一预金属层PML-c，并且可以形成由第二预金属层PML-e的一部分构造的金属层ML。在一个或更多个实施例中，可以形成由第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250的开口形成的透射孔TAH。
为了形成透射孔TAH，当在作为透射部分TA的方向的-z方向上从基底100的上部照射第二激光LP以去除布置在透射部分TA中的无机材料层、有机材料层、对电极等时，激光处理表面会被去除工艺期间产生的颗粒二次损坏。然而，因为本实施例使用由于预金属层PML的热膨胀引起的剥离，所以可以不发生由颗粒引起的损坏的问题。
在一个或更多个实施例中，第二激光LP可以照射到第一预金属层PML-c而不是整个预金属层PML。例如，第二激光LP的照射区域LPA的面积可以小于预金属层PML的面积。为此，在图17B中，第二激光LP的照射区域LPA的宽度(例如，在x方向上的宽度)WL被示出为小于预金属层PML的宽度(例如，在x方向上的宽度)WM。
当从预金属层PML的最外边缘照射第二激光LP时，热量会扩散到与透射部分TA相邻布置的辅助像素Pa，导致损坏。在本实施例中，通过使第二激光LP的照射区域LPA比预金属层PML的面积小，可以防止或减少由第二激光LP引起的热扩散。
在预金属层PML中，第一预金属层PML-c和第二预金属层PML-e可以布置成彼此间隔开，以防止或减少热扩散。在一个或更多个实施例中，可以在预金属层PML的边缘区域中形成特定图案。
在这种情况下，除了预金属层PML之外，还可以将第二激光LP照射到布置有辅助有机发光二极管OLED'的区域。因为第二激光LP被下电极层BSM阻挡，所以能够仅去除位于布置在透射部分TA中的预金属层PML上的层，而不损坏辅助有机发光二极管OLED'。如上所述，在将布置在透射部分TA中的预金属层PML以及布置在预金属层PML上的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和覆盖层250去除之后，可以在将显示基底D从用于制造显示设备的设备2取出之后形成封装基底或薄膜封装层。
图18是根据一个或更多个实施例的显示设备的示意性剖视图。
参照图18，在本实施例中，金属层ML'可以包括与下电极层BSM的材料相同的材料。在这种情况下，透射孔TAH'可以由第二缓冲层111b的开口、第一功能层222a的开口、第二功能层222c的开口、对电极223的开口和覆盖层250的开口形成。
在一个或更多个实施例中，金属层ML'可以不会仅布置在第一孔H1内部，并且金属层ML'可以布置为与第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的至少一个部分地叠置(例如，在基底100的厚度方向上部分地叠置)。例如，金属层ML'的宽度(例如，在x方向上的宽度)WM'可以大于第一孔H1的宽度(例如，在x方向上的宽度)W1。
在这种情况下，第二激光可以仅照射到形成有金属层ML'的区域。
根据本公开的如上所述做出的实施例，通过在主处理之前将激光照射到显示基底的预设处理区域的一部分，可以预测和校正激光照射的位置，因此，可以实现一种具有降低的显示基底的缺陷率的制造显示设备的方法。明显的是，本公开的范围不受这些效果限制。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的一个或更多个合适的改变。

Claims (20)

1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在显示基底上形成测试区域；
将第一激光照射到所述测试区域，并且确定所述测试区域与通过将所述第一激光照射到所述测试区域而形成的第一照射区域的相对位置；以及
基于所述测试区域与所述第一照射区域的所述相对位置来校正照射到所述显示基底的第二激光的位置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二激光在所述显示基底的处理区域内形成环形的第二照射区域。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括沿着所述处理区域去除所述显示基底的一部分。
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括获取所述测试区域的图像。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括计算所述测试区域的中心与所述第一照射区域的中心之间的位移。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述显示基底包括多个单元，并且
其中，所述测试区域布置在所述多个单元内部或所述多个单元外部。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，将多个第一激光并发地照射到所述多个单元之中的定位在同一列中的单元。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，将多个第二激光并发地照射到所述多个单元之中的定位在同一列中的单元。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个单元之中的单元包括显示区域和外围区域，并且
其中，所述测试区域布置在所述外围区域中或所述外围区域外部。
10.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
通过将第一激光照射到第一显示基底的测试区域来形成第一照射区域；
通过将第二激光照射到所述第一显示基底的处理区域来形成第二照射区域；
确定所述测试区域与所述第一照射区域的相对位置；
基于所述测试区域与所述第一照射区域的所述相对位置来改变所述第一激光的照射位置和所述第二激光的照射位置；
在所述第一激光的改变的照射位置处将所述第一激光照射到第二显示基底的测试区域；以及
在所述第二激光的改变的照射位置处将所述第二激光照射到所述第二显示基底的处理区域。
11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括拍摄所述测试区域和所述第一照射区域。
12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括计算所述第一显示基底的所述测试区域的中心与所述第一显示基底的所述第一照射区域的中心之间的位移。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一显示基底和所述第二显示基底中的每个包括多个单元，并且
其中，所述测试区域布置在所述多个单元内部或所述多个单元外部。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，将多个第一激光并发地照射到所述多个单元之中的定位在同一列中的单元。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，将多个第二激光并发地照射到所述多个单元之中的定位在同一列中的单元。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述多个单元之中的单元包括显示区域和外围区域，并且
其中，所述测试区域布置在所述外围区域中或所述外围区域外部。
17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括将所述多个单元彼此分离。
18.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括沿着所述处理区域去除所述第一显示基底和所述第二显示基底中的一个的一部分。
19.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二照射区域是环形。
20.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一照射区域具有圆形形状、环形形状或十字形形状。
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