CN115082391A - 一种晶圆反射率确定方法及相关设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆反射率确定方法及相关设备。该方法包括：获取待测晶圆的目标亮场图像；基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。
Description
技术领域
本说明书晶圆加工领域，更具体地说，本发明涉及一种晶圆反射率确定方法及相关设备。
背景技术
在晶圆的加工过程中，晶圆的反射率是评价晶圆质量的重要指标。在现有的测试方法中常常采用向晶圆表面发射激光，并测量经过晶圆反射后的激光的能量，对各个点的能量进行统计，根据能量的损耗程度对晶圆的反射率做出评判，但此种方法需要激光测试器不断进行扫点计算，计算量大，并且造价较高。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了提供一种方便、通用的晶圆发射率测量方法，第一方面，本发明提出一种晶圆反射率确定方法，上述方法包括：
获取待测晶圆的目标亮场图像；
基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
可选的，上述基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，包括：
基于上述目标亮场图像和上述目标暗场图像进行减暗操作以获取目标减暗场图像；
对上述目标减暗场图像的背景部分进行掩膜处理以获取上述目标反射率计算图像。
可选的，上述基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，包括：
将上述目标反射率计算图像进行灰度处理以获取目标灰度信息；
将上述参考反射率计算图像进行灰度处理以获取参考灰度信息；
根据上述目标灰度信息、参考灰度信息、上述目标曝光时间、上述参考曝光时间和上述参考反射率计算上述目标反射率。
可选的，上述根据上述目标灰度信息、参考灰度信息、上述目标曝光时间、上述参考曝光时间和上述参考反射率计算上述目标反射率，包括：
通过下式计算上述待测晶圆对应的目标反射率Fs：
式中，(Gs-Ds)为上述目标灰度信息，Es为上述参考曝光时间，Fr为为上述参考反射率，(Gr-Dr)为上述参考灰度信息，Er为上述参考曝光时间，Gs为目标亮场灰度信息，Ds目标暗场灰度信息，Gr为参考亮场灰度信息，Dr为参考暗场灰度信息。
可选的，上述方法还包括：
基于曝光时间预设列表选取第一目标曝光时间，其中，上述第一目标曝光为上述曝光时间预设列表中最长的曝光时间；
基于上述第一目标曝光时间获取待测晶圆的第一目标亮场图像；
在上述第一目标亮场图像对应的所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下，将上述第一目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。
可选的，上述方法还包括：
在上述第一目标亮场图像对应的至少一个RGB分量值大于上述预设阈值的情况下，以第二曝光时间获取待测晶圆的第二目标亮场图像，其中，上述第二曝光时间为小于上述第一曝光时间且在满足所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下的最大曝光时间；
将上述第二目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。
可选的，上述方法还包括：
在曝光时间预设列表对应的所有曝光时间拍出的目标亮场图像对应的RGB分量值均大于上述预设阈值的情况下，把第三目标亮场图像确定为上述目标亮场图像，其中，上述第三目标亮场图像为上述曝光时间预设列表中最短曝光时间对应的目标亮场图像。
第二方面，本发明还提出一种晶圆反射率确定装置，包括：
第一获取单元，用于获取待测晶圆的目标亮场图像；
第二获取单元，用于基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
确定单元，用于基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
第三方面，一种电子设备，包括：存储器、处理器以及存储在上述存储器中并可在上述处理器上运行的计算机程序，上述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现如上述的第一方面任一项的晶圆反射率确定方法的步骤。
第四方面，本发明还提出一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时实现第一方面上述任一项的晶圆反射率确定方法。
综上，本申请实施例的晶圆反射率确定方法包括：获取待测晶圆的目标亮场图像；基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。本申请实施例提供的晶圆反射率确定方法，通过目标曝光时间对待测晶圆拍摄亮场图片，并利用暗场图片对其进行处理，以减少系统误差和环境因素的影响，并通过与参考晶圆的参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率作比较可以快速得出待测晶圆的目标反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。
本发明的晶圆反射率确定方法，本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本说明书的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本申请实施例提供的一种晶圆反射率确定方法流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种晶圆反射率确定装置结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种晶圆反射率确定电子设备结构示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供的晶圆反射率确定方法，通过目标曝光时间对待测晶圆拍摄亮场图片，并利用暗场图片对其进行处理，以减少系统误差和环境因素的影响，并通过与参考晶圆的参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率作比较可以快速得出待测晶圆的目标反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1，为本申请实施例提供的一种晶圆反射率确定方法流程示意图，具体可以包括：
S110、获取待测晶圆的目标亮场图像；
示例性的，通过拍摄装置以目标曝光时间拍摄待测晶圆的目标亮场图像。可以理解的是，为了保证大量的晶圆反射率在同一种评判标准下测量晶圆的反射率，不同晶圆拍摄的位置应保证在可接受误差范围内。
S120、基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
示例性的，在获取满足检测条件的目标亮场图像后，获取与目标曝光时间一致的目标暗场图像，目标暗场图像可以从暗场图像库中获取的，也可以是基于相同的曝光时间对待测晶圆在暗场条件下拍摄获取的。根据目标亮场图像和其对应的目标暗场图像进行求差处理，从而获得目标反射率计算图像。利用相同曝光时间下的目标暗场图像对目标亮场图像进行处理可以消除系统误差和环境因素的影响，因此采用处理后的目标反射率计算图像来计算待测晶圆的目标反射率的方法更准确。
S130、基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
示例性的，在获取待测晶圆的反射率计算图像和目标曝光时间后，通过与参考样反射率信息中的参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率做比较，确定待测晶圆与已知反射率的参考晶圆的反射率计算图像、参考曝光时间与反射率之间的映射关系，以确定待测晶圆对应的目标反射率。
综上，本申请实施例提供的晶圆反射率确定方法，通过目标曝光时间对待测晶圆拍摄亮场图片，并利用暗场图片对其进行处理，以减少系统误差和环境因素的影响，并通过与参考晶圆的参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率作比较可以快速得出待测晶圆的目标反射率。本方法减少了晶圆反射率测试时的计算量，更加简便，快捷，同时有效地消除了系统误差和环境因素造成的影响，更加准确。
在一些示例中，上述基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，包括：
基于上述目标亮场图像和上述目标暗场图像进行减暗操作以获取目标减暗场图像；
对上述目标减暗场图像的背景部分进行掩膜处理以获取上述目标反射率计算图像。
示例性的，获取目标亮场图像和目标暗场图像后首先进行减暗操作消除系统误差和噪声带来的影响，以获取目标减暗场图像。对目标减暗场图像再次进行掩膜处理，以消除图像中背景部分对于晶圆反射率的影响。
综上，本申请实施例提供的晶圆反射率确定方法，通过减暗和掩膜处理可以有效地消除系统噪声和背景环境对晶圆反射率测量的影响，有效地提高了晶圆反射率的测量精度。
在一些示例中，上述基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，包括：
将上述目标反射率计算图像进行灰度处理以获取目标灰度信息；
将上述参考反射率计算图像进行灰度处理以获取参考灰度信息；
根据上述目标灰度信息、上述参考灰度信息、上述目标曝光时间、上述参考曝光时间和上述参考反射率计算上述目标反射率。
示例性的，在计算目标反射率时，目标反射率计算图像和参考反射率计算图像进行灰度处理，得到目标灰度信息和参考灰度信息，转灰度时可采用下式(1)进行转换：
Gray＝0.114*b+0.587*g+0.299*r (1)
从而将三维图像信息转为灰度信息，并通过目标灰度信息、参考灰度信息、目标曝光时间、参考曝光时间和参考反射率计算目标反射率，计算量大大减小，测量速度显著提升。
综上，本申请实施例提供的方法，将三维图像信息转换为灰度信息，并基于待测晶圆和参考晶圆的灰度信息以及参考晶圆的参考反射率可以快速确定待测晶圆的目标反射率。
在一些示例中，上述根据上述目标灰度信息、参考灰度信息、上述目标曝光时间、上述参考曝光时间和上述参考反射率计算上述目标反射率，包括：
通过式(2)计算上述待测晶圆对应的目标反射率Fs：
式中，(Gs-Ds)为上述目标灰度信息，Es为上述参考曝光时间，Fr为上述参考反射率，(Gr-Dr)为上述参考灰度信息，Er为上述参考曝光时间，Gs为目标亮场灰度信息，Ds目标暗场灰度信息，Gr为参考亮场灰度信息，Dr为参考暗场灰度信息。
示例性的，可以采用式(2)求待测晶圆对应的目标反射率Fs，由上式可知本申请实施例可以基于待测晶圆和参考晶圆的亮场图像和暗场图像，先进行灰度处理然后将亮场灰度信息和暗场灰度信息作差得到目标灰度信息和参考灰度信息。还可以针对亮场图像和暗场图像先进行相关的处理操作后得到反射率计算图像后再进行灰度处理。
综上，本申请实施例提供晶圆反射率确定方法，旨在建立待测晶圆和参考晶圆的反射率计算图像之间和曝光时间之间的对应关系，从而确定参考晶圆反射率与待测晶圆反射率之间的对应关系，以此求取待测晶圆的反射率。
在一些示例中，为了获取待测晶圆良好的图像信息，需要在拍摄亮场图像时尽量保证较高的曝光程度，同时要避免曝光过度。上述方法还包括：
基于曝光时间预设列表选取第一目标曝光时间，其中，上述第一目标曝光为上述曝光时间预设列表中最长的曝光时间；
基于上述第一目标曝光时间获取待测晶圆的第一目标亮场图像；
在上述第一目标亮场图像对应的所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下，将上述第一目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。
示例性的，曝光时间预设列表可以为按照曝光时间由高到低设置的列表，首先基于曝光时间最长的第一目标曝光时间拍摄待测晶圆的第一目标亮场图像，并对应第一亮场图像的R通道、G通道和B通道的值进行统计，判断是否所有的值均小于预设阈值，例如预设阈值可以取250，如果所有的通道值均小于250，则将第一目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。设置预设阈值的目的是避免曝光过度。
在一些示例中，如果第一目标亮场图像的RGB通道中至少一个RGB分量值大于上述预设阈值的情况下，以第二曝光时间获取待测晶圆的第二目标亮场图像，其中，上述第二曝光时间为小于上述第一曝光时间且在满足所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下的最大曝光时间；
将上述第二目标亮场图像确定为上述目标亮场图像。
示例性的，在最大曝光时间拍摄的图片不能满足所有通道值均小于预设阈值的情况下，逐步降低曝光时间，以恰巧不超过预设阈值且曝光时间最长的第二目标图像为目标亮场图像。
在一些示例中，在曝光时间预设列表对应的所有曝光时间拍出的目标亮场图像对应的RGB分量值均大于上述预设阈值的情况下，把第三目标亮场图像确定为上述目标亮场图像，其中，上述第三目标亮场图像为上述曝光时间预设列表中最短曝光时间对应的目标亮场图像。
示例性的，在列表中所有的曝光时间拍出的照片的RGB通道值均有至少一个超过预设阈值的情况下，将预设列表中曝光时间最短情况下拍摄的第三目标图像作为目标亮场图像，用于计算待测晶圆的目标反射率。
综上，本申请实施例提供的方法，通过在曝光时间预设列表中选取曝光时间，并对拍摄图片的RGB通道值进行比较，能够保证曝光充足，并能够尽量保证曝光不过度，能够尽可能地反应晶圆的光学性能，提升晶圆反射率的测量准确度。
在一些示例中，还可以根据得到的晶圆反射率进行处理生成伪彩图并基于晶圆的反射率生成相应的等高线，能够更加直观地看出晶圆的对称程度，有利于指导生产调整。
请参阅图2，本申请实施例中晶圆反射率确定装置的一个实施例，可以包括：
第一获取单元21，用于获取待测晶圆的目标亮场图像；
第二获取单元22，用于基于上述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，上述目标亮场图像和上述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
确定单元23，用于基于上述目标反射率计算图像、上述目标曝光时间和参考样反射率信息确定上述待测晶圆对应的目标反射率，其中，上述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
如图3所示，本申请实施例还提供一种电子设备300，包括存储器310、处理器320及存储在存储器320上并可在处理器上运行的计算机程序311，处理器320执行计算机程序311时实现上述晶圆反射率确定的任一方法的步骤。
由于本实施例所介绍的电子设备为实施本申请实施例中一种晶圆反射率确定装置所采用的设备，故而基于本申请实施例中所介绍的方法，本领域所属技术人员能够了解本实施例的电子设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该电子设备如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍，只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中的方法所采用的设备，都属于本申请所欲保护的范围。
在具体实施过程中，该计算机程序311被处理器执行时可以实现图1对应的实施例中任一实施方式。
需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式计算机或者其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
本申请实施例还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括计算机软件指令，当计算机软件指令在处理设备上运行时，使得处理设备执行如图1对应实施例中的晶圆反射率确定的流程。
计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一计算机可读存储介质传输，例如，计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber line，DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存储的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk，SSD))等。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种晶圆反射率确定方法，其特征在于，包括：
获取待测晶圆的目标亮场图像；
基于所述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，所述目标亮场图像和所述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
基于所述目标反射率计算图像、所述目标曝光时间和参考样反射率信息确定所述待测晶圆对应的目标反射率，其中，所述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，包括：
基于所述目标亮场图像和所述目标暗场图像进行减暗操作以获取目标减暗场图像；
对所述目标减暗场图像的背景部分进行掩膜处理以获取所述目标反射率计算图像。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标反射率计算图像、所述目标曝光时间和参考样反射率信息确定所述待测晶圆对应的目标反射率，包括：
将所述目标反射率计算图像进行灰度处理以获取目标灰度信息；
将所述参考反射率计算图像进行灰度处理以获取参考灰度信息；
根据所述目标灰度信息、参考灰度信息、所述目标曝光时间、所述参考曝光时间和所述参考反射率计算所述目标反射率。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标灰度信息、参考灰度信息、所述目标曝光时间、所述参考曝光时间和所述参考反射率计算所述目标反射率，包括：
通过下式计算所述待测晶圆对应的目标反射率Fs：
式中，(Gs-Ds)为所述目标灰度信息，Es为所述参考曝光时间，Fr为为所述参考反射率，(Gr-Dr)为所述参考灰度信息，Er为所述参考曝光时间，Gs为目标亮场灰度信息，Ds目标暗场灰度信息，Gr为参考亮场灰度信息，Dr为参考暗场灰度信息。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
基于曝光时间预设列表选取第一目标曝光时间，其中，所述第一目标曝光为所述曝光时间预设列表中最长的曝光时间；
基于所述第一目标曝光时间获取待测晶圆的第一目标亮场图像；
在所述第一目标亮场图像对应的所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下，将所述第一目标亮场图像确定为所述目标亮场图像。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述第一目标亮场图像对应的至少一个RGB分量值大于所述预设阈值的情况下，以第二曝光时间获取待测晶圆的第二目标亮场图像，其中，所述第二曝光时间为小于所述第一曝光时间且在满足所有RGB分量值均小于或等于预设阈值的情况下的最大曝光时间；
将所述第二目标亮场图像确定为所述目标亮场图像。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
在曝光时间预设列表对应的所有曝光时间拍出的目标亮场图像对应的RGB分量值均大于所述预设阈值的情况下，把第三目标亮场图像确定为所述目标亮场图像，其中，所述第三目标亮场图像为所述曝光时间预设列表中最短曝光时间对应的目标亮场图像。
8.一种晶圆反射率确定装置，其特征在于，包括：
第一获取单元，用于获取待测晶圆的目标亮场图像；
第二获取单元，用于基于所述目标亮场图像和其对应的目标暗场图像获取目标反射率计算图像，其中，所述目标亮场图像和所述目标暗场图像包括相同的目标曝光时间；
确定单元，用于基于所述目标反射率计算图像、所述目标曝光时间和参考样反射率信息确定所述待测晶圆对应的目标反射率，其中，所述参考样反射率信息包括参考反射率计算图像、参考曝光时间和参考反射率。
9.一种电子设备，包括：存储器和处理器，其特征在于，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的晶圆反射率确定方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的晶圆反射率确定方法。
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2022
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