CN115064229A - 一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法 - Google Patents
一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115064229A CN115064229A CN202210762584.0A CN202210762584A CN115064229A CN 115064229 A CN115064229 A CN 115064229A CN 202210762584 A CN202210762584 A CN 202210762584A CN 115064229 A CN115064229 A CN 115064229A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic
- defect
- calculation
- density functional
- primitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 79
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004599 local-density approximation Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Chemical group 0.000 description 2
- 239000000592 Artificial Cell Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
- G16C—COMPUTATIONAL CHEMISTRY; CHEMOINFORMATICS; COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
- G16C60/00—Computational materials science, i.e. ICT specially adapted for investigating the physical or chemical properties of materials or phenomena associated with their design, synthesis, processing, characterisation or utilisation
-
- G—PHYSICS
- G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
- G16C—COMPUTATIONAL CHEMISTRY; CHEMOINFORMATICS; COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
- G16C20/00—Chemoinformatics, i.e. ICT specially adapted for the handling of physicochemical or structural data of chemical particles, elements, compounds or mixtures
- G16C20/90—Programming languages; Computing architectures; Database systems; Data warehousing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
Description
技术领域
本发明涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，具体而言，涉及一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法。
背景技术
碳化硅具有优越的物理性能，如宽带隙、高临界电场、高饱和电子漂移速度和高导热性等，因此，在半导体器件中得到广泛应用。但在碳化硅半导体器件的制备过程中，由于其生长条件，掺杂工艺以及带电粒子辐照等因素的作用，导致碳化硅中存在大量的缺陷，进而影响器件的电性能和寿命。因此，对碳化硅单晶中的缺陷性质的研究有着重大的意义。近年来，人们发现将碳化硅与量子计算相结合，可实现固体缺陷单光源的精确模拟，并为试验制备带来理论指导。
然而，通常半导体材料缺陷性质计算的传统方法是采用局域密度近似(LDA)，但此方法易低估半导体材料的带隙。因此，突破传统的缺陷性质计算方法的局限性，基于新的理论方法，合理设计计算流程，实现对半导体材料缺陷性质的精准计算。对探究碳化硅的缺陷对其功率器件性能的影响，搜索半导体材料中适合作为单光子源的缺陷结构提供参考和预测，将具有重要的工程价值和科学意义。
发明内容
本发明解决的问题是如何实现对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。
为解决上述问题，本发明提供一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，包括如下步骤：
步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的所述SiC原胞；
步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的所述混合参数；所述杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；
步骤S3：将所述SiC原胞扩大成超胞，在所述超胞中构建缺陷模型，对所述缺陷模型进行结构优化后，利用所述混合参数对优化后的所述缺陷模型进行自洽计算；
步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。
进一步地，步骤S1中，所述稳定态的所述SiC原胞是指所述SiC原胞的能量达到最小值。
进一步地，步骤S2中，所述选取K点进行能带计算，包括：采用不同的K点对所述SiC原胞进行自洽计算，至所述SiC原胞的总能量达到最小值且不随所述K点的增加发生变化后，选取所述K点进行能带计算。
进一步地，步骤S2中，所述基于杂化密度泛函测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度，包括：基于调整所述HSE泛函和所述PBE泛函的比例测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度。
进一步地，步骤S3中，所述超胞的尺寸大于
进一步地，步骤S3中，所述对所述缺陷模型进行结构优化后，利用所述混合参数对优化后的所述缺陷模型进行自洽计算，包括：
对所述缺陷模型重复进行结构优化，至利用所述混合参数对优化后的所述缺陷模型能够进行一步自洽计算。
进一步地，步骤S1中，所述SiC原胞的结构包括4H-SiC、6H-SiC或3C-SiC。
进一步地，步骤S4中，所述计算数据包括所述SiC原胞的缺陷形成能和转移能级。
本发明所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法相较于现有技术的优势在于，克服了半导体材料缺陷性质计算传统方法,即局域密度近似(LDA)的局限性，通过调整HSE泛函和PBE泛函的比例测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的所述混合参数，保证了计算结果的真实可靠；本发明还通过结构优化缺陷模型，在缺陷模型的总能量达到稳定后再进行自洽计算，进一步提高了计算的准确性。在保证计算精度的同时，简化了计算流程，采用本发明所述的计算方法完成了SiC缺陷性质数据库的建立，使得本发明在半导体晶体缺陷性质计算领域中具有广泛的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例中的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法流程图；
图2为本发明实施例中的4H-SiC结构示意图；
图3为本发明实施例中的不同K点下原胞能量变化示意图；
图4为本发明实施例中的不同混合参数下原胞的禁带宽度；
图5为本发明实施例中的扩胞后的超胞示意图；
图6为本发明实施例中的碳空位缺陷示意图；
图7为本发明实施例中的碳空位的缺陷形成能与不同电荷态下转移能级示意图；
图8为本发明实施例中的电荷量为0的k点碳空位的Kohn-Sham能级分布图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
需要说明的是，在本申请实施例的描述中，术语“一些具体的实施例”的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
本发明实施例提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，包括如下步骤：
步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；
步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；
步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；
步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。
本发明实施例所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法克服了半导体材料缺陷性质计算传统方法,即局域密度近似(LDA)的局限性，通过调整HSE泛函和PBE泛函的比例测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的所述混合参数，保证了计算结果的真实可靠；本发明实施例还通过结构优化缺陷模型，在缺陷模型的总能量达到稳定后再进行自洽计算，进一步提高了计算的准确性。在保证计算精度的同时，简化了计算流程，采用本发明是实施例所述的计算方法完成了SiC缺陷性质数据库的建立，使得本发明在半导体晶体缺陷性质计算领域中具有广泛的应用前景。
在一些具体的实施例中，步骤S1中，稳定态的SiC原胞是指SiC原胞的能量达到最小值。由此，SiC原胞的结构最稳定，有利于提高后续计算的精确性。
在一些具体的实施例中，步骤S2中，选取K点进行能带计算，包括：采用不同的K点对SiC原胞进行自洽计算，至SiC原胞的总能量达到最小值且不随K点的增加发生变化后，选取K点进行能带计算。由此，选取适于能带计算的K点有利于混合参数的选取。
在一些具体的实施例中，步骤S2中，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，包括：基于调整HSE泛函和PBE泛函的比例测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度。
由此，通过调整HSE泛函和PBE泛函的比例进行测试对比，最后选取最佳比例进行测试，进而提高计算的准确性。
在一些具体的实施例中，步骤S3中，超胞的尺寸大于
由此，便利后续的数据处理，简化计算过程。
在一些具体的实施例中，步骤S3中，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算，包括：
对缺陷模型重复进行结构优化，至利用混合参数对优化后的缺陷模型能够进行一步自洽计算。
由此，重复进行结构优化有利于找到能量最低时对应的缺陷结构，进一步提高自洽计算的准确度。
在一些具体的实施例中，步骤S1中，SiC原胞的结构包括4H-SiC、6H-SiC或3C-SiC。由此，根据具体的SiC原胞的结构构建相应的缺陷模型，实现对应结构的缺陷性质的数据统计。
在一些具体的实施例中，步骤S4中，计算数据包括SiC原胞的缺陷形成能和转移能级。由此，得到SiC原胞的关键数据，实现对SiC原胞关键数据的精确计算。
实施例1
本实施例中以4H-SiC为例，进行SiC单晶缺陷性质的计算，具体步骤如下：
步骤S1：将4H-SiC原胞的晶格常数调整为实验值，在vasp软件中对4H-SiC原胞进行结构优化和离子驰豫以保证原胞的能量达到最小值，得到稳定态的4H-SiC原胞，此时4H-SiC原胞结构最稳定；
步骤S2：采用不同的K点对4H-SiC原胞进行自洽计算，至4H-SiC原胞的总能量达到最小值且不随K点的增加发生变化后，选取该K点进行能带计算；基于调整HSE泛函和PBE泛函的比例测试不同混合参数下4H-SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；
步骤S3：将4H-SiC原胞扩大成超胞，超胞中有128个原子，如图5所示，扩胞后晶格尺寸均在15A以上，扩胞后的超胞在3个方向上的尺度应尽量保持一致，有利于后续数据处理；
在超胞中构建缺陷模型，因在构建模型的过程中需要考虑不同的晶体结构的格点位置，结合图2所示，4H-SiC超胞中C原子和Si原子均有两种格点，分别为立方格点(k)和六方格点(h)，图中黑色圆点代表C原子，圆圈代表Si原子，所以如果在构造碳空位缺陷模型时就有两种缺陷，这两种缺陷并不是等价的。对缺陷模型进行结构优化，使缺陷能量达到最低，为保证计算准确，在完成一次结构优化后，可再次进行结构优化，依次反复直至优化后的结构再次进行优化时能够一步自洽为止。将结构优化后的缺陷结构进行自洽计算。根据计算需求调整参数，获得不同缺陷结构在不同电荷态下的形成能、转移能级以及电子分布情况等。
步骤S4：获取并汇总计算数据，提取混合参数中的关键参数、建立该半导体材料的缺陷性质数据库。缺陷形成能的计算方法：
电荷转移能级的计算为：
其中，Etot[Xq]为缺陷模型体系的总能量，Etot[bulk]为超胞总能量，n为缺陷模型体系增加或减少的原子个数，μ为增加或减少的原子的化学势，q为缺陷模型体系的电荷量，EF是费米能级，Ev是缺陷的价带底，ΔV是修正项。
以4H-SiC中的Vc(h格点)为例，根据自洽计算的输出结果，由公式(1)可以求得不同电荷态的碳空位的形成能，如表1所示。不同电荷态的缺陷的形成能，再根据公式(2)可求得电荷转移能级，如图7所示，对可能存在的5种电荷态：0、-1、+1、-2、+2中的缺陷的形成能Ef[Xq]与费米能级EF的示意图，图中的实线表示在给定的费米能级下能量最有利的电荷态。图7可显示出两个电荷态的过渡能级在禁带中的位置。
表1
图8为根据计算输出文件中的EIGENVAL得到的Kohn-Sham能级，该图反应出缺陷在某一电荷态下缺陷中的电子的能级分布，这对该缺陷的发光机制的研究以及预测有着重要的意义。
实施例2
在实施例1的基础上，将构建的缺陷模型替换为在超胞中去除一个C原子，由于C原子在超胞中有两种格点位置，这里我们以k格点的碳空位为例进行计算，如图6所示。对这个碳空位进行结构优化，待结构优化至一步自洽后开始进行自洽计算，根据自洽运算得到的超胞总能和缺陷总能进行缺陷形成能和不同电荷态之间转换能级的计算。图7是采用以上方法计算得到的4H-SiC中k格点的不同电荷态的碳空位的形成能和转换能级。图8是4H-SiC中k格点的电荷态为0的碳空位。
虽然本发明公开披露如上，但本发明公开的保护范围并非仅限于此。本领域技术人员在不脱离本发明公开的精神和范围的前提下，可进行各种变更与修改，这些变更与修改均将落入本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的所述SiC原胞；
步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的所述混合参数；所述杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；
步骤S3：将所述SiC原胞扩大成超胞，在所述超胞中构建缺陷模型，对所述缺陷模型进行结构优化后，利用所述混合参数对优化后的所述缺陷模型进行自洽计算；
步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。
2.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S1中，所述稳定态的所述SiC原胞是指所述SiC原胞的能量达到最小值。
3.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S2中，所述选取K点进行能带计算，包括：采用不同的K点对所述SiC原胞进行自洽计算，至所述SiC原胞的总能量达到最小值且不随所述K点的增加发生变化后，选取所述K点进行能带计算。
4.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S2中，所述基于杂化密度泛函测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度，包括：基于调整所述HSE泛函和所述PBE泛函的比例测试不同混合参数下所述SiC原胞的禁带宽度。
5.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S3中，所述超胞的尺寸大于
6.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S3中，所述对所述缺陷模型进行结构优化后，利用所述混合参数对优化后的所述缺陷模型进行自洽计算，包括：
对所述缺陷模型重复进行结构优化，至利用所述混合参数对优化后的所述缺陷模型能够进行一步自洽计算。
7.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S1中，所述SiC原胞的结构包括4H-SiC、6H-SiC或3C-SiC。
8.根据权利要求1所述的基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，步骤S4中，所述计算数据包括所述SiC原胞的缺陷形成能和转移能级。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210762584.0A CN115064229A (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210762584.0A CN115064229A (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115064229A true CN115064229A (zh) | 2022-09-16 |
Family
ID=83205195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210762584.0A Pending CN115064229A (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115064229A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016225585A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN108345767A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 哈尔滨工业大学 | 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法 |
| CN112233973A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-01-15 | 南方科技大学 | 一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法 |
-
2022
- 2022-06-30 CN CN202210762584.0A patent/CN115064229A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016225585A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN108345767A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 哈尔滨工业大学 | 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法 |
| CN112233973A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-01-15 | 南方科技大学 | 一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 曾体贤;胡永琴;杨辉;王茂州;张敏;樊龙;吴卫东;: "ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究", 人工晶体学报, no. 06, 15 June 2016 (2016-06-15) * |
| 林雪玲;潘凤春;孙建军;: "GaSb中p型缺陷电子结构和光学性质的第一性原理研究", 山东师范大学学报(自然科学版), no. 03, 15 September 2018 (2018-09-15) * |
| 林龙;祝令豪;李先宏;张志华;何明;陶华龙;徐永豪;张战营;曹建亮;: "Co掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算", 中国有色金属学报, no. 10, 15 October 2017 (2017-10-15) * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Esaki et al. | New transport phenomenon in a semiconductor" superlattice" | |
| Li | The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon | |
| Capan et al. | Double negatively charged carbon vacancy at the h-and k-sites in 4H-SiC: Combined Laplace-DLTS and DFT study | |
| Jory et al. | Exact Relativistic Solution for the One‐Dimensional Diode | |
| Scheibner et al. | Sequential and cotunneling behavior in the temperature-dependent thermopower of few-electron quantum dots | |
| Hong et al. | Low‐and high‐field transport properties of pseudomorphic In x Ga1− x As/In0. 52Al0. 48As (0.53≤ x≤ 0.65) modulation‐doped heterostructures | |
| Schroth et al. | Evolution of polytypism in GaAs nanowires during growth revealed by time-resolved in situ x-ray diffraction | |
| Cheng et al. | Shubnikov–de haas–like quantum oscillations in artificial one-dimensional LaAlO 3/SrTiO 3 electron channels | |
| Fisher et al. | Thermal and electrical energy transport and conversion in nanoscale electron field emission processes | |
| US20050156160A1 (en) | Electron device which controls quantum chaos and quantum chaos controlling method | |
| Kioupakis et al. | Theoretical characterization and computational discovery of ultra-wide-band-gap semiconductors with predictive atomistic calculations | |
| CN115064229A (zh) | 一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法 | |
| WO2012030897A1 (en) | N-doped single crystal diamond substrates and methods therefor | |
| Zhang et al. | Polarization-induced 2D electron gases in N-polar AlGaN/AlN heterostructures on single-crystal AlN substrates | |
| Galvani et al. | First Principles Study of a New Large-Gap Nonoporous Silicon Crystal: Hex-S i 40 | |
| Dominguez-Andrade et al. | Correlating thermionic emission with specific surface reconstructions in a< 100> hydrogenated single-crystal diamond | |
| Latreche | Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime | |
| Esaki et al. | Observation of an Atomlike Energy Spectrum with Large g Values by Tunneling Spectroscopy | |
| Wozny et al. | DFT simulation of stacking faults defects in 4H-SiC | |
| Lawrance et al. | Photothermoelectric and thermally stimulated thermoelectric effects: Techniques in photoelectronic analysis | |
| Tochigi et al. | Dissociation reaction of the 1/3\left ⟨ ̄ 1 101\right ⟩ 1¯ 101 edge dislocation in α-Al 2 O 3 | |
| Caro et al. | Direct observation by resonant tunneling of the B+ level in a δ-doped silicon barrier | |
| Xie et al. | Tuning superconductivity in highly crystalline Pb 1− x Bi x alloy ultrathin films at atomic level | |
| Kumar | Computation Assisted Study of Silicon Carbide: A Potential Candidate Material for Radiation Detector Devices | |
| Patankar et al. | Review of-SiC wide-bandgap heterostructure properties as an alternate semiconductor material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |