CN115060222A - 晶圆面型分类方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆面型分类方法及系统。该方法包括：以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，计算第一扫描曲线的顶点与线段之间的第一垂直距离、第二扫描曲线的顶点与线段之间的第二垂直距离、第三扫描曲线的顶点与线段之间的第三垂直距离、第四扫描曲线的顶点与线段之间的第四垂直距离；根据第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离，确定晶圆的面型种类。本发明能够有效的确定晶圆面型，有助于提高晶圆加工质量。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆检测技术领域，特别是涉及一种晶圆面型分类方法及系统。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的硅晶棒。硅晶棒再经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
常见的晶圆的面型有马鞍型、穿透型、平面型等，晶圆的面型能够反应机台加工的工艺参数是否正常，并且可以根据当前晶圆的面型决定后续工艺的不同处理方式，对于提高晶圆加工质量非常重要。然而，现有技术中缺乏有效的确定晶圆面型的技术方案。
发明内容
为此，本发明的一个实施例提出一种晶圆面型分类方法，以有效的确定晶圆面型，有助于提高晶圆加工质量。
根据本发明一实施例的晶圆面型分类方法，包括：
以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；
使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；
根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
根据本发明实施例提供的晶圆面型分类方法，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线，然后使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，进而得到四条扫描曲线与线段之间的第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离，最后根据这四个垂直距离来确定所述晶圆的面型种类，能够快速、有效的确定晶圆的面型种类，有助于提高晶圆加工质量。
此外，根据本发明实施例提供的晶圆面型分类方法，还具有以下技术特征：
进一步地，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；
根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
进一步地，根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。
进一步地，判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量的步骤之后，所述方法还包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；
判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；
若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
进一步地，判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio的步骤之后，所述方法还包括：
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；
若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
本发明的另一个实施例提出一种晶圆面型分类系统，以有效的确定晶圆面型，有助于提高晶圆加工质量。
根据本发明实施例的晶圆面型分类系统，包括：
获取模块，用于以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；
计算模块，用于使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；
确定模块，用于根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
根据本发明实施例提供的晶圆面型分类系统，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线，然后使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，进而得到四条扫描曲线与线段之间的第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离，最后根据这四个垂直距离来确定所述晶圆的面型种类，能够快速、有效的确定晶圆的面型种类，有助于提高晶圆加工质量。
此外，根据本发明实施例提供的晶圆面型分类系统，还具有以下技术特征：
进一步地，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；
所述确定模块具体用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
进一步地，所述确定模块还用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。
进一步地，所述确定模块还用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；
判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；
若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
进一步地，所述确定模块还用于：
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；
若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的晶圆面型分类方法的流程图；
图2是一示例性的第一扫描曲线和线段的示意图；
图3是根据本发明一实施例的晶圆面型分类系统的结构框图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明一实施例提出的晶圆面型分类方法，包括步骤S101~S103：
S101，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线。
其中，第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线均是拟合的圆弧。
S102，使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离。
其中，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离均具有正负符号，当所述第一扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离为正，当所述第一扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离为负；同理，当所述第二扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第二垂直距离为正，当所述第二扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第二垂直距离为负；当所述第三扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第三垂直距离为正，当所述第三扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第三垂直距离为负；当所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第四垂直距离为正，当所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第四垂直距离为负。
一示例性的第一扫描曲线11和线段12如图2所示，其中，线段12的长度为100mm，图2中，第一垂直距离Sag0为正。
S103，根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
其中，具体的，若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
例如，第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离均为正，而第四垂直距离均为负，则判定晶圆的面型为马鞍型。或者，第一垂直距离为负，第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离均为正，同样则判定晶圆的面型为马鞍型。
此外，若第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离的正负符号相同，例如，第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离均为正，或者，第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离均为负，则需要进一步判断第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中结果为0的数量。
若第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定晶圆的面型为平面型。
例如，第一垂直距离和第二垂直距离均为0，则判定晶圆的面型为平面型。或者，第一垂直距离、第二垂直距离、第四垂直距离均为0，则判定晶圆的面型为平面型。
此外，判断第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中结果为0的数量的步骤之后，所述方法还包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个。例如，第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中，只有第一垂直距离为0，或者四个垂直距离均不为0，则计算第二垂直距离Sag45与第四垂直距离Sag135的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135。
判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；
若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio。
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
其中，RatioSag45ThanSag135=∣Sag45/Sag135∣。
例如，SagRatioThroshold的取值为5，PenetrateBowWarpRatio的取值为0.2。晶圆的弯曲度BOW与翘曲度WARP可以通过现有技术测量得到，在此不予赘述。
因此，若∣Sag45/Sag135∣＞5，或者∣Sag45/Sag135∣＜1/5，则进一步判断BOW/WARP＞0.2是否成立。
若BOW/WARP＞0.2成立，则判定晶圆的面型为穿透型。
此外，本实施例中，判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio的步骤之后，所述方法还包括：
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；
若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
具体的，若BOW/WARP≤0.2，且BOW/WARP＞0.1，则进一步判断∣Sag45/Sag135∣＞20或者∣Sag45/Sag135∣＜1/20是否成立，若满足∣Sag45/Sag135∣＞20或者∣Sag45/Sag135∣＜1/20，则判定晶圆的面型为穿透型。
需要指出的是，以上判断晶圆的面型为穿透型的方式主要适用于线切片。
此外，本实施例中，也采用可以另一种更加简单的方式判定晶圆的面型为穿透型，具体是将第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中绝对值最小者与阈值PenetrateSagThroshold进行比较，PenetrateSagThroshold例如是1.5μm，若第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中绝对值最小者小于1.5μm，则判定晶圆的面型为穿透型。这种方式主要适用于抛光片、研磨片。
如果根据以上的判断方式，无法确定出晶圆的面型是马鞍型、穿透型、平面型中的一种，则可以判定晶圆的面型是同心圆型或者同心椭圆型，具体的，若满足条件式：MaxSagAbs/MinSagAbs＞t，则判定晶圆的面型是同心椭圆型，其中，MaxSagAbs表示第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中数值最大者（指绝对值），MinSagAbs表示第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离以及第四垂直距离中数值最小者（指绝对值），t表示设定的阈值，t例如取1.5。反之，若满足条件式MaxSagAbs/MinSagAbs≤t，则判定晶圆的面型是同心圆型。
综上，根据本发明提供的晶圆面型分类方法，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线，然后使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，进而得到四条扫描曲线与线段之间的第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离，最后根据这四个垂直距离来确定所述晶圆的面型种类，能够快速、有效的确定晶圆的面型种类，有助于提高晶圆加工质量。
请参阅图3，本发明一实施例提出的晶圆面型分类系统，包括：
获取模块，用于以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；
计算模块，用于使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；
确定模块，用于根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
本实施例中，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；
所述确定模块具体用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
本实施例中，所述确定模块还用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。
本实施例中，所述确定模块还用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；
判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；
若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
本实施例中，所述确定模块还用于：
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；
若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
根据本发明提供的晶圆面型分类系统，以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线，然后使四条扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，进而得到四条扫描曲线与线段之间的第一垂直距离、第二垂直距离、第三垂直距离、第四垂直距离，最后根据这四个垂直距离来确定所述晶圆的面型种类，能够快速、有效的确定晶圆的面型种类，有助于提高晶圆加工质量。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备（如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统）使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通讯、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。
计算机可读介质的更具体的示例（非穷尽性列表）包括以下：具有一个或多个布线的电连接部（电子装置），便携式计算机盘盒（磁装置），随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM），可擦除可编辑只读存储器（EPROM或闪速存储器），光纤装置，以及便携式光盘只读存储器（CDROM）。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列（PGA），现场可编程门阵列（FPGA）等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种晶圆面型分类方法，其特征在于，包括：
以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；
使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；
根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
2.根据权利要求1所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；
根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
3.根据权利要求2所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类的步骤包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。
4.根据权利要求3所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量的步骤之后，所述方法还包括：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；
判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；
若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
5.根据权利要求4所述的晶圆面型分类方法，其特征在于，判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio的步骤之后，所述方法还包括：
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；
若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
6.一种晶圆面型分类系统，其特征在于，包括：
获取模块，用于以晶圆的圆心为中心，分别在中心的0°、45°、90°、135°方向上，通过距离传感器对所述晶圆的表面进行扫描，以分别得到第一扫描曲线、第二扫描曲线、第三扫描曲线、第四扫描曲线；
计算模块，用于使所述第一扫描曲线、所述第二扫描曲线、所述第三扫描曲线、所述第四扫描曲线分别与具有预设长度的线段的两端相交，并分别计算所述第一扫描曲线的顶点与所述线段之间的第一垂直距离、所述第二扫描曲线的顶点与所述线段之间的第二垂直距离、所述第三扫描曲线的顶点与所述线段之间的第三垂直距离、所述第四扫描曲线的顶点与所述线段之间的第四垂直距离；
确定模块，用于根据所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离，确定所述晶圆的面型种类。
7.根据权利要求6所述的晶圆面型分类系统，其特征在于，所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离、所述第四垂直距离具有正负符号，当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凸面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为正；当所述第一扫描曲线/所述第二扫描曲线/所述第三扫描曲线/所述第四扫描曲线相对于所述线段为凹面时，所述第一垂直距离/所述第二垂直距离/所述第三垂直距离/所述第四垂直距离为负；
所述确定模块具体用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号不完全相同，则判定所述晶圆的面型为马鞍型。
8.根据权利要求7所述的晶圆面型分类系统，其特征在于，所述确定模块还用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离的正负符号相同，则判断所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量；
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量至少为两个，则判定所述晶圆的面型为平面型。
9.根据权利要求8所述的晶圆面型分类系统，其特征在于，所述确定模块还用于：
若所述第一垂直距离、所述第二垂直距离、所述第三垂直距离以及所述第四垂直距离中结果为0的数量不超过1个，则计算所述第二垂直距离与所述第四垂直距离的比值的绝对值RatioSag45ThanSag135；
判断RatioSag45ThanSag135是否大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold；
若RatioSag45ThanSag135大于阈值SagRatioThroshold或者小于1/SagRatioThroshold，则判断所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值是否大于阈值PenetrateBowWarpRatio；
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值大于阈值PenetrateBowWarpRatio，则判定所述晶圆的面型为穿透型。
10.根据权利要求9所述的晶圆面型分类系统，其特征在于，所述确定模块还用于：
若所述晶圆的弯曲度与翘曲度的比值小于等于阈值PenetrateBowWarpRatio，且大于PenetrateBowWarpRatio*0.5，则进一步判断RatioSag45ThanSag135是否大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4）；
若RatioSag45ThanSag135大于SagRatioThroshold*4或者小于1/（SagRatioThroshold*4），则判定所述晶圆的面型为穿透型。
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