CN115050770A - 显示装置的制作方法 - Google Patents

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CN115050770A CN202110255593.6A CN202110255593A CN115050770A CN 115050770 A CN115050770 A CN 115050770A CN 202110255593 A CN202110255593 A CN 202110255593A CN 115050770 A CN115050770 A CN 115050770A
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刘敏钻
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Abstract

本揭露提供一种显示装置的制作方法，包括以下步骤。提供基板。形成像素电路于基板上。形成发光单元于像素电路上。形成触控感测单元于发光单元上。形成绝缘层于触控感测单元上。形成抗反射层于绝缘层上。本揭露实施例的显示装置的制作方法可提升可靠度。

Description

显示装置的制作方法
技术领域
本揭露涉及一种显示装置的制作方法，尤其涉及一种可提升可靠度的显示装置的制作方法。
背景技术
显示装置已广泛地应用于电子装置例如移动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子装置蓬勃发展，对于显示装置上的显示品质的要求越来越高，使得显示装置不断朝向高亮度、低能耗、高解析度、或高饱和度的显示效果改进，同时针对显示装置的制作方法也不断朝向减少制程时间、减少制程步骤、或较佳制程顺序等方向改进。
发明内容
本揭露是提供一种显示装置的制作方法，其可提升显示装置的可靠度，例如提升显示装置的耐弯折能力、提升显示装置的使用寿命或提升以上所述，但不以此为限。
本揭露提供一种显示装置的制作方法，包括以下步骤。提供基板。形成像素电路于基板上。形成发光单元于像素电路上。形成触控感测单元于发光单元上。形成绝缘层于触控感测单元上。形成抗反射层于绝缘层上。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图；
图2为本揭露一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图；
图3A至图3H为本揭露一些实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图；
图3H’与图3H”为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图；
图4为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图；
图5A与图5B为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图；
图6A与图6B分别为本揭露一些实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图；
图7为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图；
图8A与图8B为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图；
图9为本揭露另一实施例的显示装置的上视示意图；
图10A至图10E为图9的显示装置沿剖面线A-A’的制作方法的流程剖面图；
图11A至图11C为图9的显示装置沿剖面线B-B’的制作方法的流程剖面图；
图12A至图12C为图9的另一实施例的显示装置沿剖面线A-A’的制作方法的流程剖面图；
图13为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图；
图14A至图14D为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图；
图15为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图；
图16A至图16D为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。
附图标号说明
100、100a、100b、100c、100d、100f、100g：显示装置；
101：非出光区；
102R、102G、102B：出光区；
103、103a、103b：岛区；
104：桥区；
105：开孔区；
106、192a、193a：侧壁；
110、184、184a：基板；
111：缓冲层；
120：像素电路；
121：晶体管；
122、123、132、132f、132g、135g、152、152f、160、161、162、177、210：绝缘层；130、130f、130g：发光单元；
131、131f、131g：第一电极；
132a、132f1、132g1、176a：开口；
133、133f、133g：发光元件；
133R：红色发光二极管；
133G：绿色发光二极管；
133B：蓝色发光二极管；
134、134f、134g：第二电极；
140、140f、140g：封装层；
141：第一绝缘层；
142：平坦层；
143：第二绝缘层；
150、150’、150f：触控感测单元；
151、151f：第一金属层；
153：导电通孔；
154：第二金属层；
161a：凹槽；
162a：粗糙面；
170、170’、170a、170b、170c、170e、170f：抗反射层；
171B、171G、171R、171Y：彩色滤光层；
172：第一中介层；
173、173a、173b、173c：偏光层；
174：第二中介层；
175：线性偏光层；
176：金属线栅偏振片；
180：覆盖层；
181、182：平坦层；
183、1842：胶层；
1841、1845：树脂层；
1843：玻璃；
1844：硬涂层；
190、191’、192、193：开孔；
191：沟槽；
200：光转换层；
200R：光转换层；
200G：光转换层；
BM：黑色矩阵层；
GE：栅极；
GE1、SD3：金属层；
GI：闸绝缘层；
S200、S210、S220、S230、S240、S250、S260、S260a、S260b、S260c、S270、S300、S310、S320、S330、S331、S340、S341、S350：步骤；
SD1：源极；
SD2：漏极；
SE：半导体；
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12：厚度。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
虽然术语“第一”、“第二”、“第三”…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
在本揭露中，长度、宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距的测量方式可以是采用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanningelectronmicroscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量而得，详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲测量的元件的剖面结构图像，并测量各元件的宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。
在本揭露中，“大致”、“约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“大致”、“约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“大致”、“约”、“实质上”的含义。此外，用语“范围介于第一数值及第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置(例如液晶天线)、感测装置、发光装置、触控装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折、可挠式电子装置。电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。显示装置可例如包括发光二极管(light emitting diode，LED)、液晶(liquid crystal)、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)、其它合适的材料或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emittingdiode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点(quantum dot，QD)发光二极管(QLED、QDLED)、其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。显示装置也可例如包括拼接显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以显示装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
须知悉的是，以下所举一些实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
图1为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图。请参照图1，本实施例的显示装置100由下至上依序包括基板110、像素电路120、发光单元130、封装层140、触控感测单元150、绝缘层160、抗反射层170以及覆盖层180。在本实施例中，基板110具有厚度T1。其中，厚度T1例如是基板110沿着基板110的法线方向进行测量到的最大厚度。基板110可以包括硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，基板110的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。
像素电路120设置于基板110上且包括晶体管121。发光单元130设置于像素电路120上，且电性连接至像素电路120中的晶体管121。
封装层140设置于发光单元130上。封装层140包括第一绝缘层141、平坦层142以及第二绝缘层143。第一绝缘层141设置于发光单元130上且具有厚度T2。平坦层142设置于第一绝缘层141上且具有厚度T3。第二绝缘层143设置于平坦层142上且具有厚度T4。其中，厚度T2例如是第一绝缘层141沿着基板110的法线方向进行测量到的最大厚度，厚度T3例如是平坦层142沿着基板110的法线方向进行测量到的最大厚度，厚度T4例如是第二绝缘层143沿着基板110的法线方向进行测量到的最大厚度。在本实施例中，第一绝缘层141、平坦层142以及第二绝缘层143可分别为单层结构或多层结构。第一绝缘层141与第二绝缘层143的材料包括无机材料(例如氮化硅或其他合适的无机材料)，但不以此为限。平坦层142的材料可例如包括有机材料，但不以此为限。
在本实施例中，第二绝缘层143的厚度T4例如是大于第一绝缘层141的厚度T2(即，T4>T2)，但不以此为限。第二绝缘层143的厚度T4与第一绝缘层141的厚度T2的比值例如是大于1且小于等于3(即，1＜T4/T2≦3)，但不以此为限。平坦层142的厚度T3大于第一绝缘层141的厚度T2与第二绝缘层143的厚度T4的总和(即，T3>T2+T4)，但不以此为限。平坦层142的厚度T3与所述总和(第一绝缘层141的厚度T2与第二绝缘层143的厚度T4的总和)的比值例如是大于等于3且小于等于6(即，3≦T3/(T2+T4)≦6)，但不以此为限。此外，在本实施例中，第一绝缘层141的厚度T2例如是大于等于0.5微米且小于等于1微米(即，0.5μm≦T2≦1μm)，但不以此为限。平坦层142的厚度T3例如是大于等于5微米且小于等于10微米(即，5μm≦T3≦10μm)，但不以此为限。第二绝缘层143的厚度T4例如是大于等于0.8微米且小于等于1.5微米(即，0.8μm≦T4≦1.5μm)，但不以此为限。
触控感测单元150设置于封装层140上。绝缘层160设置于触控感测单元150上。抗反射层170设置于绝缘层160上且具有厚度T5。其中，厚度T5例如是抗反射层170沿着基板110的法线方向进行测量到的最大厚度。覆盖层180设置于抗反射层170上且具有厚度T6。其中，厚度T6例如是覆盖层180沿着基板110的法线方向进行测量到的最大厚度。此外，在本实施例中，基板110的厚度T1例如是大于抗反射层170的厚度T5，但不以此为限。覆盖层180的厚度T6例如是大于抗反射层170的厚度T5，但不以此为限。
此外，本实施例的显示装置100还包括缓冲层111。缓冲层111设置于像素电路120与基板110之间。缓冲层111可以为单层结构或多层结构，且缓冲层111可包括有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。
以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2为本揭露一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图。图3A至图3H为本揭露一些实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图3H’与图3H”为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图。
首先，请同时参照图2与图3A，在本实施例的显示装置100a的制作方法中，先进行步骤S200与步骤S210，提供基板110，并形成像素电路120于基板110上。具体来说，像素电路120可包括晶体管121、闸绝缘层GI、绝缘层122以及绝缘层123。晶体管121可包括栅极GE、部分的闸绝缘层GI、源极SD1、漏极SD2以及半导体SE。其中，半导体SE设置于基板110上，闸绝缘层GI设置于半导体SE上，栅极GE设置于闸绝缘层GI上，绝缘层122设置于栅极GE上，源极SD1与漏极SD2设置于绝缘层122上，且绝缘层123设置于源极SD1与漏极SD2上。在本实施例中，半导体SE的材料可包括非晶质硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(例如氧化铟镓锌IGZO)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。在其他实施例中，不同的晶体管可包括不同的半导体层的材料，但不以此为限。此外，虽然本实施例的晶体管121为顶栅极式晶体管，但不以此为限。在其他实施例中，晶体管也可以包括底栅极式晶体管、顶栅极式晶体管、和/或双栅极式晶体管，但不以此为限。此外，本实施例的显示装置100a还包括缓冲层111，其中缓冲层111设置于像素电路120的闸绝缘层GI与基板110之间。
然后，请同时参照图2与图3B，进行步骤S220，形成发光单元130于像素电路120上。具体来说，发光单元130包括第一电极131、绝缘层132、发光元件133以及第二电极134。第一电极131设置于绝缘层123上。绝缘层132设置于第一电极131上。绝缘层132具有开口132a，以暴露出部分的第一电极131。发光元件133设置于开口132a内以及第一电极131上，以通过第一电极131电性连接至晶体管121的漏极SD2。第二电极134设置于绝缘层132上以及开口132a内，且电性连接至发光元件133。在本实施例中，发光元件133(例如有机发光二极管)可以直接形成(例如是蒸镀，但不以此为限)于第一电极131上，或是以间接转移的方式将已经制作完成的发光元件133(例如微发光二极管)放置于第一电极131上。发光元件133可包括不同颜色的发光二极管(light-emitting diode，LED)，例如红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B，但不以此为限。
然后，请同时参照图2与图3C，进行步骤S230，形成封装层140于发光单元130上。具体来说，封装层140为多层结构，包括第一绝缘层141、平坦层142以及第二绝缘层143。第一绝缘层141设置于发光单元130的第二电极134上。平坦层142设置于第一绝缘层141上。第二绝缘层143设置于平坦层142上。第一绝缘层141与第二绝缘层143分别位于平坦层142的相对两侧。此外，平坦层142的设置可提供实质上平整的表面，详细而言，例如从平坦层142的表面至基板110表面沿基板110的法线方向进行厚度的测量，当任意两厚度之间的差异小于等于1微米，平坦层142可视为平整，以使后续制作的层别(例如抗反射层170)可具有较佳的效果。
然后，请同时参照图2与图3D，进行步骤S240与步骤S250，形成触控感测单元150于发光单元130上，并形成绝缘层160于触控感测单元150上。具体来说，触控感测单元150可包括第一金属层151、绝缘层152、导电通孔153以及第二金属层154，其中第一金属层151及第二金属层154可包含图案化导电层，但不以此为限。第一金属层151设置于封装层140的第二绝缘层143上。第一金属层151对应于非出光区101设置，且不对应于出光区102R、102G、102B设置。其中，由于本实施例的发光元件133是以背向基板110的方向出光，因此，出光区102R、102G、102B对应于发光元件133的出光方向设置，也就是说可将出光区102R、102G、102B定义为在发光元件133(红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B)的出光方向上与发光元件133(红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B)重叠的区域，并可将非出光区101定义为在发光元件133(红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B)的出光方向上与发光元件133(红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B)不重叠的区域。绝缘层152设置于第一金属层151上。第二金属层154设置于绝缘层152上，且通过贯穿绝缘层152的导电通孔153电性连接至第一金属层151。在本实施例中，第一金属层151与第二金属层154的材料可例如是包括三层推叠的金属层，其中第一层与第三层为钛，第二层位于第一层与第三层之间且为铝，但不以此为限。绝缘层152可以为单层结构或多层结构，且绝缘层152可包括无机材料(例如氮化硅或其他合适的无机材料)，但不以此为限。
在本实施例中，第一金属层151的厚度T7例如是大于等于0.1微米且小于等于0.4微米(即，0.1μm≦T7≦0.4μm)，但不以此为限。绝缘层152的厚度T8例如是大于等于0.1微米且小于等于0.4微米(即，0.1μm≦T8≦0.4μm)，但不以此为限。第二金属层154的厚度T9例如是大于等于0.2微米且小于等于0.5微米(即，0.2μm≦T7≦0.5μm)，但不以此为限。其中，若第一金属层151的厚度T7小于0.1微米或第二金属层154的厚度T9小于0.2微米时，会增加阻抗并影响信号传递。若第一金属层151的厚度T7大于0.4微米或第二金属层154的厚度T9大于0.5微米时，会造成地势的高低起伏并影响后续制作的抗反射层170的偏光效果。此外，在本实施例中，第二金属层154的厚度T9例如是大于第一金属层151的厚度T7(即，T9>T7)，但不以此为限。第二金属层154的厚度T9例如是大于绝缘层152的厚度T8，且绝缘层152的厚度T8例如是大于第一金属层151的厚度T7(即，T9>T8>T7)，但不以此为限。第二金属层154的厚度T9与第一金属层151的厚度T7的比值例如是大于等于1且小于等于1.5(即，1≦T9/T7≦1.5)，但不以此为限。
在本实施例中，绝缘层160设置于触控感测单元150的绝缘层152与第二金属层154上。绝缘层160可以为单层结构或多层结构，且绝缘层160可包括有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。
然后，请同时参照图2、图3E、图3F以及图3G，进行步骤S260与步骤S260a，形成抗反射层170于绝缘层160上，其中抗反射层170可例如包含图案化抗反射层，但不以此为限，且抗反射层170包括彩色滤光层171R、彩色滤光层171G以及彩色滤光层171B。在本实施例中，抗反射层170是以例如半导体制程的方法形成于绝缘层160上，而非将已经制作完成的抗反射层通过黏胶层黏在绝缘层160上。在本实施例中，抗反射层170可直接形成于绝缘层160上，以使抗反射层170与绝缘层160之间没有其他的层别。在本实施例中，抗反射层170可例如是通过喷墨印刷制程(ink-jet printing process)的方法形成于绝缘层160上，但本揭露并不对抗反射层170的形成方法加以限制。具体来说，请参照图3E，以喷墨印刷制程的方法形成红色的彩色滤光层171R于绝缘层160上，且对应于出光区102R(即，红色发光二极管133R的出光区)与非出光区101设置，但不对应于出光区102G(即，绿色发光二极管133G的出光区)与出光区102B(即，蓝色发光二极管133B的出光区)设置。接着，请参照图3F，形成绿色的彩色滤光层171G于绝缘层160与彩色滤光层171R上，且对应于出光区102G与非出光区101设置，但不对应于出光区102R与出光区102B设置。接着，请参照图3G，形成蓝色的彩色滤光层171B于绝缘层160与彩色滤光层171G上，且对应于出光区102B与非出光区101设置，但不对应于出光区102R与出光区102G设置。其中，设置于非出光区101上的三层彩色滤光层的堆叠(即彩色滤光层171R、彩色滤光层171G以及彩色滤光层171B的堆叠)可具有遮光的效果。至此，以制作完成本实施例的抗反射层170。
在一些实施例中，抗反射层170也可例如是通过涂布制程(coating process)的方法形成于绝缘层160上，且抗反射层170也可例如是通过微影蚀刻制程(photolithographyprocess)的方法形成于绝缘层160上。具体来说，先以涂布制程的方法形成一层的红色的彩色滤光层171R于绝缘层160上，以使红色的彩色滤光层171R覆盖出光区102R、出光区102G、出光区102B以及非出光区101(未示出)。再以微影蚀刻制程的方法对红色的彩色滤光层171R进行蚀刻，以蚀刻在出光区102G与出光区102B上的彩色滤光层171R并暴露出绝缘层160，如图3E所示。接着，以上述相似的步骤，以涂布制程与微影蚀刻制程的方法形成绿色的彩色滤光层171G，以使绿色的彩色滤光层171G可设置在出光区102G与非出光区101，并暴露出出光区102R的彩色滤光层171R与出光区102B的绝缘层160，如图3F所示。接着，以上述相似的步骤，以涂布制程与微影蚀刻制程的方法形成蓝色的彩色滤光层171B，以使蓝色的彩色滤光层171B可设置在出光区102B与非出光区101，并暴露出出光区102R的彩色滤光层171R与出光区102G的彩色滤光层171B，如图3G所示。
虽然在本实施例的显示装置100a的制作方法中是先形成红色的彩色滤光层171R，再形成绿色的彩色滤光层171G与蓝色的彩色滤光层171B，但本揭露并不对彩色滤光层的形成顺序加以限制。在一些实施例中，也可以先形成绿色的彩色滤光层171G或蓝色的彩色滤光层171B。
然后，请同时参照图2与图3H，进行步骤S270，形成覆盖层180于抗反射层170上。在本实施例中，覆盖层180可例如是通过涂布制程的方法形成于抗反射层170上，但本揭露并不对覆盖层180的形成方法加以限制。具体来说，覆盖层180包括平坦层181与平坦层182。在本实施例中，先以涂布制程的方法形成平坦层181于出光区102R的彩色滤光层171R上、出光区102G的彩色滤光层171G上、出光区102B的彩色滤光层171B上以及非出光区101的彩色滤光层171B上，以进行平坦化。接着，再以涂布制程的方法形成平坦层182于平坦层181上。其中，平坦层181与平坦层182可以为单层结构或多层结构，且平坦层181与平坦层182可包括有机材料，但不以此为限。举例来说，平坦层181与平坦层182可例如是聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺或其组合，但不以此为限。至此，以制作完成本实施例的显示装置100a。
在一些实施例中，覆盖层180也可例如是通过涂布制程的方法与黏贴的方法形成于抗反射层170上。请参照图3H’，覆盖层180包括平坦层181、胶层183以及基板184。具体来说，先以涂布制程的方法形成平坦层181于出光区102R的彩色滤光层171R上、出光区102G的彩色滤光层171G上、出光区102B的彩色滤光层171B上以及非出光区101的彩色滤光层171B上，以进行平坦化。接着，再以涂布制程的方法形成胶层183于平坦层181上。接着，再将基板184黏贴于胶层183上。其中，基板184可为多层结构，且可包括树脂层1841、胶层1842、玻璃1843以及硬涂层1844，但不以此为限。在其他实施例中，基板184a也可包括树脂层1841、胶层1842、树脂层1845以及硬涂层1844，如图3H”所示。其中，胶层183与胶层1842可为光学胶(OCA)、树脂层1841的材料可包括聚对苯二甲酸乙二酯、硬涂层1844的材料可包括聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，PMMA)、树脂层1845的材料可包括无色的聚酰亚胺，但不以此为限。
简言之，在本揭露实施例的显示装置100a的制作方法中，相较于将抗反射层外贴于绝缘层上的方法，本揭露实施例通过将抗反射层170形成于绝缘层160上的方法可减少总厚度、降低弯折应力、提升可靠度或增加使用寿命。举例来说，当所述显示装置100a为可挠式(foldable type)显示装置或可拉伸(stretchable type)显示装置(如图9所示)，且所述显示装置要弯折、卷曲或拉伸时，相较于将抗反射层外贴于绝缘层上的方法，本揭露实施例通过将抗反射层170形成于绝缘层160上的方法可具有降低弯折应力，以减少抗反射层分离的效果，进而还可提升显示装置的可靠度或可增加显示装置的使用寿命。
图4为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图4为接续图3D并取代图3E至图3G的步骤。图4的实施例与图3A至图3H的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。
请参照图4，形成黑色矩阵层BM于绝缘层160上，其中黑色矩阵层BM可包含图案化黑色矩阵层，且对应于非出光区101设置。其中，黑色矩阵层BM可暴露出绝缘层160上的出光区102R、出光区102G以及出光区102B。接着，以喷墨印刷制程的方法形成红色的彩色滤光层171R于绝缘层160上且对应于出光区102R设置，形成绿色的彩色滤光层171G于绝缘层160上且对应于出光区102G设置，且形成蓝色的彩色滤光层171B于绝缘层160上且对应于出光区102B设置。因此，本实施例以黑色矩阵层BM取代图3G中位于非出光区101的三层彩色滤光层的堆叠，且可具有遮光或挡墙的效果。本揭露所述“对应于”可例如至少部分的元件A与至少部分的元件B于基板110的法线方向重叠或元件A与元件B完全重叠。
图5A与图5B为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图5A与图5B为接续图3D并取代图3E至图3G的步骤。图5A至图5B的实施例与图3A至图3H的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。
请参照图5A，本实施例的抗反射层170a包括黄色的彩色滤光层171Y与蓝色的彩色滤光层171B。具体来说，先以喷墨印刷制程的方法(或以涂布制程与微影蚀刻制程的方法)形成黄色的彩色滤光层171Y于绝缘层160上，且对应于出光区102R、出光区102G以及非出光区101设置，但不对应于出光区102B设置。接着，以上述的方法形成蓝色的彩色滤光层171B于绝缘层160与彩色滤光层171Y上，且对应于出光区102B与非出光区101设置，但不对应于出光区102R与出光区102G设置。其中，设置于非出光区101上的两层彩色滤光层的堆叠(即彩色滤光层171Y与彩色滤光层171B的堆叠)可具有遮光的效果。
图6A与图6B分别为本揭露一些实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图6A(或图6B)为接续图3D并取代图3E至图3G的步骤。图6A的实施例(或图6B的实施例)与图3A至图3H的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。
请参照图2与图6A，进行步骤S260与步骤S260b，形成抗反射层170b于绝缘层160上，且抗反射层170b包括偏光层(polarizer)173。在本实施例中，抗反射层170b可为多层结构或连续结构或图案化结构，且抗反射层170b还包括第一中介层172、第二中介层174以及线性偏光层175。第一中介层172设置于绝缘层160上，第二中介层174设置于偏光层173上，且线性偏光层175设置于第二中介层174上。第一中介层172与第二中介层174分别设置于偏光层173的两侧，以保护偏光层173并增加偏光层173与绝缘层160(或线性偏光层175)的附着力。在一些实施例中，抗反射层170b也可以不需通过第一中介层172与第二中介层174而直接将偏光层173设置于绝缘层160上，并直接将线性偏光层175设置于偏光层173上(未示出)。在本实施例中，以例如是涂布制程的方法直接依序形成第一中介层172、偏光层173以及第二中介层174于绝缘层160上。其中，第一中介层172、偏光层173以及第二中介层174皆对应于出光区102R、出光区102G、出光区102B以及非出光区101设置。在本实施例中，第一中介层172与第二中介层174的材料包括有机材料。在本揭露的其它实施例中，第一中介层172与第二中介层174可选择性的不包括黏着材料，但不以此为限。偏光层173的材料例如是1/4波长板(quarter wave plate，QWP)。偏光层173的波长例如红色波长、绿色波长以及蓝色波长的平均值，且例如是550纳米(nm)，但不以此为限。此外，在本实施例中，第一中介层172厚度T10例如是0.01微米至0.1微米，但不以此为限。偏光层173厚度T11例如是1000微米至5000微米，但不以此为限。第二中介层174厚度T12例如是0.05微米至1微米，但不以此为限。
接着，以例如是涂布制程的方法直接形成线性偏光层175于第二中介层174上，接着再进行线性偏光层175的配向以及烘烤(例如是80℃至100℃，但不以此为限)制程，但不以此为限。在一些实施例中，也可以例如是以刮刀涂布(blade coating)的方法形成线性偏光层175于第二中介层174上，并同时对线性偏光层175进行配向；接着再进行线性偏光层175的烘烤制程。其中，所述配向可例如是要使线性偏光层175中的分子可有序的排列，以使线性偏光层175可对特定的方向有偏振的功能。
请参照图6B，本实施例的抗反射层170c与图6A的抗反射层170b相似，两者主要差别在于：本实施例的抗反射层170c可包括针对不同颜色的发光元件133(红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B)而设计的偏光层173a、偏光层173b以及偏光层173c。其中，偏光层173a至少对应于出光区102R但不对应于出光区102G与出光区102B设置，偏光层173b至少对应于出光区102G但不对应于出光区102R与出光区102B设置，偏光层173c至少对应于出光区102B但不对应于出光区102R与出光区102G设置。此外，偏光层173a的波长例如1/4的红色波长、偏光层173b的波长例如1/4的绿色波长、偏光层173c的波长例如1/4的蓝色波长，但不以此为限。
图7为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图7为接续图3D并取代图3E至图3G的步骤。图7的实施例与图3A至图3H的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。
请参照图2与图7，进行步骤S260与步骤S260c，形成抗反射层170e于绝缘层160上，且抗反射层170e包括金属线栅偏振片(wire-grid polarizer，WGP)176，其中金属线栅偏振片176可包含图案化金属线栅偏振片。在本实施例中，例如是使用下列两种方式，直接形成金属线栅偏振片176于绝缘层160上，但不以此为限。第一种方式：先将金属线栅偏振片176沉积于绝缘层160上，以直接覆盖绝缘层160；接着，通过微影蚀刻制程的方法形成多个开口176a，以暴露出绝缘层160；接着，进行黑化处理(例如是氧化)，以减少金属线栅偏振片176造成反射的问题。第二种方式：以纳米压印蚀刻(nanoimprint lithography)的方法直接形成金属线栅偏振片176于绝缘层160上，以使金属线栅偏振片176直接覆盖绝缘层160，并具有暴露出绝缘层160的多个开口176a；接着，进行黑化处理(例如是氧化)，以减少金属线栅偏振片176造成反射的问题。接着，在形成金属线栅偏振片176于绝缘层160上之后，形成绝缘层177于金属线栅偏振片176上以及金属线栅偏振片176的开口176a内。在本实施例中，金属线栅偏振片176的材料可包括铝、银、铂、金或金属化合物，但不以此为限。
图8A与图8B为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图。请同时参照图1与图8A(或图8B)，本实施例的显示装置100b(或显示装置100c)大致相似于图1的显示装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再赘述。本实施例的显示装置100b(或显示装置100c)不同于显示装置100之处主要在于，显示装置100b(或显示装置100c)还包括绝缘层161(或绝缘层162)。
具体来说，请参照图8A，绝缘层161设置于绝缘层160与触控感测单元150之间。绝缘层161具有多个凹槽161a，且凹槽161a不会贯穿绝缘层161。其中，凹槽161a可对应于非出光区101设置，但不可对应于出光区102R、102G、102B设置，藉此可使凹槽161a得以散射外界光，以提升抗反射的效果。
此外，在其他实施例中，也可以采用其他的形态(morphology)的设计来取代凹槽，以达到抗反射的效果。如图8B所示，显示装置100c的绝缘层162设置于绝缘层160与触控感测单元150之间，且具有多个粗糙面162a。其中，粗糙面162a可对应于非出光区101设置，但不可对应于出光区102R、102G、102B设置，藉此可使粗糙面162a得以散射外界光，以提升抗反射的效果。
图9为本揭露另一实施例的显示装置的上视示意图。图10A至图10E为图9的显示装置沿剖面线A-A’的制作方法的流程剖面图。图11A至图11C为图9的显示装置沿剖面线B-B’的制作方法的流程剖面图。为了附图清楚及方便说明，图9省略绘示显示装置100d中的若干元件。此外，显示装置100d中的岛区103、103a、103b的抗反射层170和/或覆盖层180可采用上述任一实施例所示的方式来进行设计；以下以类似图3H所示的设计方式来进行说明，但不以此为限。
请参照图9，显示装置100d包括多个岛区103、103a、103b、多个桥区104以及多个开孔区105。多个岛区103、103a、103b彼此分离，且分别包括多个发光单元130。多个桥区104分别设置于相邻的两个岛区之间(例如岛区103与岛区103a之间、或岛区103a与岛区103b之间)，以用以连接相邻的两个岛区(例如岛区103与岛区103a、或岛区103a与岛区103b)。多个开孔区105具有贯穿显示装置100d的开孔190。多个开孔区105分别设置于相邻的两个岛区之间(例如岛区103与岛区103b之间)，以利用开孔190隔离相邻的两个岛区(例如岛区103与岛区103b)。在本实施例中，通过多个桥区104与多个开孔区105的设计，可使多个岛区103、103a、103b彼此分离，并使本实施例的显示装置100d是可拉伸的。其中，可拉伸的显示装置100d可用于贴合于不规则的表面(例如球面、曲面、高低起伏的表面等)或可拉伸放大使用，其中，本揭露所述“可拉伸”例如为显示装置尺寸可从5吋拉伸成6吋或显示装置的岛区103与岛区103a之间或岛区103a与岛区103b之间可因任一动作而改变距离，但不以此为限。
接着，由于图10A至图10E所示的实施例与图3A至图3H所示的实施例类似，因此，相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，且下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述。图10A至图10E所示的实施例与图3A至图3H所示的实施例的差异在于，本实施例的显示装置100d的制作方法还包括形成桥区104于相邻的岛区103与岛区103a之间。
具体来说，请先参照图10A与图10B，依序形成像素电路120于基板110上、形成发光单元130于像素电路120上、形成封装层140于发光单元130上、以及形成触控感测单元150于发光单元130上。其中，像素电路120中的晶体管121与发光单元130皆设置于岛区103、103a，但不设置于桥区104。在桥区104中，金属层GE1可设置于闸绝缘层GI上，且金属层SD3可设置于绝缘层122上。发光单元130包括红色发光二极管133R、绿色发光二极管133G以及蓝色发光二极管133B。触控感测单元150设置于岛区103、103a与桥区104中的封装层140上，以使岛区103、103a中的触控感测单元150与桥区104中触控感测单元150可位于同一水平面且较容易制作。
然后，请参照图10C，形成抗反射层170于绝缘层160上，且抗反射层170包括红色的彩色滤光层171R、绿色的彩色滤光层171G以及蓝色的彩色滤光层171B。具体来说，红色的彩色滤光层171R设置于绝缘层160上，且对应于岛区103、103a中的出光区102R(即，红色发光二极管133R的出光区)与非出光区101以及桥区104设置。绿色的彩色滤光层171G设置于绝缘层160与彩色滤光层171R上，且对应于岛区103、103a中的出光区102G与非出光区101以及桥区104设置。蓝色的彩色滤光层171B设置于绝缘层160与彩色滤光层171G上，且对应于岛区103、103a中的出光区102B与非出光区101以及桥区104设置。
然后，请参照图10D与图10E，形成沟槽191于岛区103、103a与桥区104之间的交界处，并形于覆盖层180于抗反射层170上以及沟槽191内。在本实施例中，沟槽191可使用例如是蚀刻、激光钻孔或上述的组合来形成，但不以此为限。其中，沟槽191可暴露出像素电路120中的部分的绝缘层123，且沟槽191不会贯穿基板110，藉此可释放应力。覆盖层180可覆盖抗反射层170与显示装置100d的侧壁106。至此，已制作完成本实施例的显示装置100d中的岛区103、103a与桥区104。
此外，由于图11A至图11C所示的实施例与图3A至图3H所示的实施例类似，因此，相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，且下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述。图11A至图11C所示的实施例与图3A至图3H所示的实施例的差异在于，本实施例的显示装置100d的制作方法还包括形成开孔区105于相邻的岛区103与岛区103b之间。
具体来说，图11A至图11C可视为是接续图10C并取代图10D至图10E的步骤，且以图11A至图11C中的岛区103b与开孔区105分别取代图10A至10C中的岛区103a与桥区104而接续制作。请先参照图11A，对开孔区105的抗反射层170、绝缘层160、触控感测单元150、封装层140以及发光单元130进行蚀刻和/或钻孔，以形成开孔192。其中，开孔192可暴露出像素电路120中的部分的绝缘层123。
然后，请参照图11B，再对开孔区105的像素电路120与基板110进行蚀刻和/或钻孔，以形成开孔193。开孔192连通开孔193，以形成贯穿显示装置100d的开孔190。其中，开孔192的侧壁192a与开孔193的侧壁193a可以为粗糙面。开孔192的侧壁192a与开孔193的侧壁193a可不切齐。此外，虽然本实施例的开孔192与开孔193是以两个步骤来形成，但在一些实施例中，开孔192与开孔193也可以一个步骤来同时形成。在本实施例中，开孔192与开孔193可使用例如是蚀刻、激光钻孔或上述的组合来形成，但不以此为限。
然后，请参照图11C，形于覆盖层180于抗反射层170上、开孔192内以及开孔193内。其中，覆盖层180可覆盖抗反射层170、显示装置100d的侧壁106、开孔192的侧壁192a以及开孔193的侧壁193a。至此，已制作完成本实施例的显示装置100d中的岛区103、103b与开孔区105。
图12A至图12C为图9的另一实施例的显示装置沿剖面线A-A’的制作方法的流程剖面图。图12A至图12C所示的实施例与图10A至图10E所示的实施例类似，因此，相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，且下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述。其中，图12A至图12C所示的实施例与图10A至图10E所示的实施例的差异在于，在本实施例的显示装置100e的桥区104的制作方法中，先形成开孔191’于桥区104，再形成触控感测单元150’与抗反射层170’于岛区103、103a与桥区104。
具体来说，请参照图12A，图12A为接续图10A的步骤，形成开孔191’于桥区104，以使开孔191’可暴露出像素电路120中的部分的绝缘层123。然后，请参照图12B，形于触控感测单元150’于岛区103、103a中的封装层140上以及桥区104中的开孔191’内。其中，由于桥区104中触控感测单元150’设置于开孔191’内绝缘层123上，因而使得桥区104中的触控感测单元150’可较靠近像素电路120与发光单元130，藉此可使桥区104的应力较集中而易调整或使桥区104有较佳的拉伸效果。然后，请参照图12C，形成抗反射层170’于绝缘层160上，并形成覆盖层180于抗反射层170上。其中，抗反射层170’可设置于岛区103、103a中的绝缘层160上以及桥区104中的开孔191’内的绝缘层160上。覆盖层180可设置于岛区103、103a中的抗反射层170’上以及桥区104中的开孔191’内的抗反射层170’上。至此，已制作完成本实施例的显示装置100e中的岛区103、103a与桥区104。
此外，在本实施例的显示装置100e的开孔区也可以采用不同于图11A至图11C的制作方法制作。其中，本实施例的开孔区的制作方法与图11A至图11C的制作方法的主要差异在于，在本实施例的显示装置100e的开孔区的制作方法中，先形成暴露出像素电路120中的部分的绝缘层123的开孔于开孔区，类似图12A所示(当图12A中的桥区104视为是开孔区，且岛区103a视为是岛区103b时)。再形成触控感测单元150’与抗反射层170’于岛区103、103b，类似图11A所示。再形成贯穿显示装置100e的开孔于开孔区，类似图11B所示。再形成覆盖层180于抗反射层170’上，类似图11C所示。至此，已制作完成本实施例的显示装置100e中的岛区103、103b与开孔区。
图13为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图。图14A至图14D为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图2(或图3A至图3H)所示的实施例与图13(或图14A至图14D)所示的实施例类似，因此，相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，且下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述。其中，图2(或图3A至图3H)所示的实施例与图13(或图14A至图14D)所示的实施例的差异在于，在本实施例的显示装置100f的制作方法中，发光元件133f以转移及接合的方式形成于像素电路120上。
具体来说，请同时参照图13与图14A，在本实施例的显示装置100f的制作方法中，先进行步骤S300与步骤S310，提供基板110，并形成像素电路120与触控感测单元150f于基板110上。具体来说，在像素电路120与基板110之间还包括缓冲层111。触控感测单元150f可包括第一金属层151f与绝缘层152f。第一金属层151f与绝缘层152f相邻设置于像素电路120的绝缘层123上。第一金属层151f对应于非出光区101设置，且不对应于出光区102R、102G、102B设置。
然后，请参照图13、图14A以及图14B，进行步骤S320，形成发光单元130f于触控感测单元150f上。具体来说，发光单元130f包括第一电极131f、绝缘层132f、发光元件133f以及第二电极134f。第一电极131f与第二电极134f相邻设置于绝缘层152f上。绝缘层132f设置于第一电极131f与第二电极134f上。绝缘层132f具有开口132f1，以暴露出部分的第一电极131f与部分的第二电极134f。已制作完成的发光元件133f被转移至开口132f1内，以接合至开口132f1内的第一电极131f与第二电极134f，并通过第一电极131f电性连接至晶体管121。在本实施例中，发光元件133f可例如是覆晶式的微发光二极管，但不以此为限。发光元件133f可包括红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管，但不以此为限。在一些实施例中，发光元件133f也可以为蓝色发光二极管。
然后，请参照图13、图14C以及图14D，进行步骤S330、步骤S340以及步骤S350，形成封装层140f于发光单元130f上，形成抗反射层170f于封装层140f上，且形成覆盖层180于抗反射层170f上。其中，封装层140f可设置于开口132f1内且可覆盖发光元件133f与第二电极134f。抗反射层170f可包括彩色滤光层、偏光片或金属线栅偏振片。至此，已制作完成本实施例的显示装置100f。
图15为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图。图16A至图16D为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。图13(或图14A至图14D)所示的实施例与图15(或图16A至图16D)所示的实施例类似，因此，相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，且下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述。其中，图13(或图14A至图14D)所示的实施例与图15(或图16A至图16D)所示的实施例的差异在于，在本实施例的显示装置100g的制作方法中，还包括形成光转换层200于封装层140g上。
具体来说，请同时参照图15与图16A，在本实施例的显示装置100g的制作方法中，先进行步骤S300与步骤S310，提供基板110，并形成像素电路120与触控感测单元150f于基板110上。具体来说，在像素电路120与基板110之间还包括缓冲层111。触控感测单元150f可包括第一金属层151f与绝缘层152f。第一金属层151f与绝缘层152f相邻设置于像素电路120的绝缘层123上。第一金属层151f对应于非出光区101设置，且不对应于出光区102R、102G、102B设置。
然后，请参照图15、图16A以及图16B，进行步骤S320，形成发光单元130g于触控感测单元150f上。具体来说，发光单元130g包括第一电极131g、绝缘层132g、发光元件133g、第二电极134g以及绝缘层135g。第一电极131g设置于绝缘层152f上。绝缘层132g设置于第一电极131g上。绝缘层132g具有开口132g1，以暴露出部分的第一电极131g。已制作完成的发光元件133g被转移至开口132g1内，以接合至开口132g1内的第一电极131g，并通过第一电极131g电性连接至晶体管121。绝缘层135g设置于绝缘层132g上以及开口132g1内，以覆盖发光元件133g。第二电极134g设置于绝缘层135g上，且电性连接至发光元件133g。在本实施例中，发光元件133g可例如是垂直式的微发光二极管或垂直式的纳米发光二极管(nano-LED)，但不以此为限。发光元件133g可包括蓝色发光二极管，但不以此为限。
然后，请参照图15与图16C，进行步骤S330与步骤S331，形成封装层140g于发光单元130g上，并形成光转换层200于封装层140g上。其中，封装层140g可覆盖绝缘层135g与第二电极134g。光转换层200可包括红光转换层200R与绿光转换层200G，且分别对应于其中一个发光元件133g设置。在本实施例中，光转换层200可例如是量子点，但不以此为限。
然后，请参照图15与图16D，进行步骤S341与步骤S350，形成抗反射层170f于光转换层200上，并形成覆盖层180于抗反射层170f上。其中，在形成抗反射层170f于光转换层200上之前，还可包括形成绝缘层210于光转换层200上，以使绝缘层210可覆盖光转换层200与绝缘层135g。抗反射层170f可包括彩色滤光层、偏光片或金属线栅偏振片。至此，已制作完成本实施例的显示装置100g。
综上所述，在本揭露实施例的显示装置的制作方法中，相较于将抗反射层外贴于绝缘层上的方法，本揭露实施例通过将抗反射层形成于绝缘层上的方法可减少总厚度、降低弯折应力、提升可靠度或增加使用寿命。举例来说，当所述显示装置为可挠式显示装置或可拉伸显示装置，且所述显示装置要弯折、卷曲或拉伸时，相较于将抗反射层外贴于绝缘层上的方法，本揭露实施例通过将抗反射层形成于绝缘层上的方法可具有降低弯折应力，以减少抗反射层分离的效果，进而还可提升显示装置的可靠度或可增加显示装置的使用寿命。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成像素电路于所述基板上；
形成发光单元于所述像素电路上；
形成触控感测单元于所述发光单元上；
形成绝缘层于所述触控感测单元上；以及
形成抗反射层于所述绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述抗反射层直接形成于所述绝缘层上。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述抗反射层通过涂布制程形成于所述绝缘层上。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述抗反射层通过微影蚀刻制程形成于所述绝缘层上。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述抗反射层通过喷墨印刷制程形成于所述绝缘层上。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：
形成贯穿所述显示装置的开孔。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述显示装置是可拉伸的。
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