CN115050710A

CN115050710A - 一种变频器mosfet的散热装置及散热方法

Info

Publication number: CN115050710A
Application number: CN202210973299.3A
Authority: CN
Inventors: 李伟聪; 姜春亮; 雷秀芳
Original assignee: Shenzhen Vergiga Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Vergiga Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2022-08-15
Filing date: 2022-08-15
Publication date: 2022-09-13
Anticipated expiration: 2042-08-15
Also published as: CN115050710B

Abstract

本发明公开了一种变频器MOSFET的散热装置及散热方法，涉及变频器散热技术领域,包括感应模块、第一传输模块、分析模块、第二传输模块、第一控制模块、第一散热模块、第二控制模块、第二散热模块、档位控制模块、复测模块、第三控制模块；本发明通过分析模块对接受到的温度信息进行分析、判断，并通过区间模块识别温度信息的所属区间，进而能够有效的对变频器主体及时做出不同程度的散热处理，温度升高时，通过不同程度的散热处理，能够有效的提高了变频器主体的使用寿命，同时，在降温结束后，通过复测模块对降温后的变频器主体进行温度复测，温度达到规范值后，将依次关闭散热处理，进而有效的降低了散热成本。

Description

一种变频器MOSFET的散热装置及散热方法

技术领域

本发明属于变频器散热技术领域，具体地说，涉及一种变频器MOSFET的散热装置及散热方法。

背景技术

变频器MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其通道的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比双极晶体管好，场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，因此被称之为双极型器件。

目前现有的的MOSFET元件在使用过程中会释放热量，散发的热量如果不及时消除，MOSFET元件表面温度将会逐渐升高，表面温度升高会影响元件的使用性能，且随着温度不断升高，MOSFET的使用寿命会逐渐下降，虽然现有技术中的MOSFET元件表面有散热装置，但现有技术中的散热装置的散热效果较低，且现有技术中的散热装置固定统一散热效果，不能随着元件表面温度进行不同程度的散热，一方面不能对MOSFET元件达到较好的散热效果，另一方面长时间的散热工作会提高工作成本。

有鉴于此特提出本发明。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种可以克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的变频器MOSFET的散热装置及散热方法。

为解决上述技术问题，本发明采用技术方案的基本构思是：

一种变频器MOSFET的散热装置，散热装置包括螺钉连接在变频器主体上的散热外壳，散热外壳包括感应模块、第一传输模块、分析模块、第二传输模块、第一控制模块、第一散热模块、第二控制模块、第二散热模块、档位控制模块、复测模块、第三控制模块；

感应模块用于感应变频器主体表面温度；

第一传输模块用于传输感应模块感应的温度数据；

分析模块用于分析第一传输模块输送的温度数据；

第二传输模块用于传输分析模块输出的散热指令；

第一控制模块用于控制第一散热模块进行散热操作；

第一散热模块用于对变频器主体进行一级散热；

第二控制模块用于控制第二散热模块进行散热操作；

第二散热模块用于对变频器主体进行二级散热；

档位控制模块用于对第一散热模块和第二散热模块进行档位调节，对变频器主体进行三级散热；

复测模块用于对变频器主体降温后的表面温度进行复测；

第三控制模块用于控制第一散热模块、第二散热模块、档位控制模块。

一种变频器MOSFET的散热方法，包括以下步骤：

步骤一：变频器工作状态下，感应模块对变频器主体进行不断测温；

步骤二：感应模块测得的温度数据将通过第一传输模块实时传输到分析模块内；

步骤三：分析模块接收到温度数据后，将对温度数据进行判断识别；

步骤四：若温度低于设定值，将结束此次温度数据传输；若温度高于设定值，将把此次温度数据进行判断识别；

步骤五：对温度数据进行判断识别后，将温度数据传输至对应的区间模块；

步骤六：分析后的温度数据若为第一区间，温度数据将通过第二传输模块传输至第一控制模块内，第一控制模块将控制第一散热模块进行一级散热；

分析后的温度数据若为第二区间，温度数据将通过第二传输模块传输至第一控制模块、第二控制模块内，第一控制模块控制第一散热模块进行一级散热，第二控制模块将控制第二散热模块进行二级散热；

分析后的温度区间若为第三区间，温度数据将通过第二传输模块传输至第一控制模块、第二控制模块内，第一控制模块控制第一散热模块进行一级散热，第二控制模块将控制第二散热模块进行二级散热，同时会将温度数据传输通过第二传输模块至档位控制模块，档位控制模块将会对第一散热模块、第二散热模块进行升档操作进行三级散热；

步骤七：降温后，复测模块将对变频器主体进行温度复测；

步骤八：复测后温度达标，复测模块将通过第三控制模块直接控制第一散热模块、第二散热模块、档位控制模块进行停止操作；

步骤九：完成降温，感应模块持续工作对变频器主体进行温度感应。

优选地：步骤二内的分析模块包括温度接收模块、温度识别模块、温度判定模块、区间阀值模块，具体分析步骤如下：

S1、通过第一传输模块传输的温度数据将被温度接收模块接收；

S2、温度接收模块接收后的温度数据将会输送至温度识别模块内；

S3、通过温度识别模块对输送的温度数据进行数值识别；

S4、通过区间阀值模块设定的数值，识别后的温度数值将会进入判定模块；

S5、通过区间阀值模块设定的不同区间阀值，温度判定模块将温度数值判定为所属区间；

S6、温度数值判定后，温度判定模块将判定指令输出。

优选地：区间阀值模块按照不同的设定数值分为第一区间、第二区间、第三区间；

第一区间阀值为5-15℃；

第二区间阀值为16-40℃；

第三区间阀值为41-80℃。

优选地：步骤六中的第一散热模块为一级制冷片、第二散热模块为二级制冷片，具体散热方法如下：

进行一级散热时，第一散热模块工作；

进行二级散热时，第一散热模块和第二散热模块同时工作；

进行三级散热时，档位控制模块对第一散热模块和第二散热模块进行升档操作。

优选地：步骤七中的复测模块对变频器主体的测温间隔为30-50秒。

优选地：步骤八中的停止操作步骤如下：

A1、复测模块检测的温度数值达标后，复测模块将数据传输至第三控制模块内；

A2、第三控制模块将先关闭档位控制模块；

A3、待档位控制模块关闭后，第三控制模块将会同时关闭第一散热模块和第二散热模块。

优选地：步骤九中的感应模块对变频器主体的感应间隔为3-5秒。

优选地：第一区间对应一级散热、第二区间对应二级散热、第三区间对应三级散热。

优选地：二级制冷片可根据需求设置为4-8个。

采用上述技术方案后，本发明与现有技术相比具有以下有益效果：本发明通过分析模块对接受到的温度信息进行分析、判断，并在判断后，通过区间模块识别温度信息的所属区间，进而能够有效的对变频器主体及时做出不同程度的散热处理，温度升高时，由一级散热提升至二级散热或三级散热，通过不同程度的散热处理，能够有效对不同温度区间的变频器主体做出散热处理，有效的提高了变频器主体的使用寿命，同时，在降温结束后，通过复测模块对降温后的变频器主体进行温度复测，温度达到规范值后，将依次关闭散热处理，进而有效的降低了散热成本。

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述。

附图说明

附图作为本发明的一部分，用来提供对本发明的进一步的理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，但不构成对本发明的不当限定。显然，下面描述中的附图仅仅是一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

在附图中：

图1为本发明提出的一种变频器MOSFET的结构示意图；

图2为本发明提出的一种变频器MOSFET的散热装置立体图；

图3为本发明提出的一种变频器MOSFET的散热装置结构示意图。

图中：100、变频器主体；200、感应模块；300、第一传输模块；400、分析模块；500、第二传输模块；600、第一控制模块；700、第一散热模块；800、第二控制模块；900、第二散热模块；1000、档位控制模块；1100、复测模块；1200、第三控制模块。

需要说明的是，这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本发明的构思范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例：参照图1-3，一种变频器MOSFET的散热装置，散热装置包括螺钉连接在变频器主体100上的散热外壳，散热装置还包括感应模块200、第一传输模块300、分析模块400、第二传输模块500、第一控制模块600、第一散热模块700、第二控制模块800、第二散热模块900、档位控制模块1000、复测模块1100、第三控制模块1200；

感应模块200用于感应变频器主体100表面温度；

第一传输模块300用于传输感应模块200感应的温度数据；

分析模块400用于分析第一传输模块300输送的温度数据；

第二传输模块500用于传输分析模块400输出的散热指令；

第一控制模块600用于控制第一散热模块700进行散热操作；

第一散热模块700用于对变频器主体100进行一级散热；

第二控制模块800用于控制第二散热模块900进行散热操作；

第二散热模块900用于对变频器主体100进行二级散热；

档位控制模块1000用于对第一散热模块700和第二散热模块900进行档位调节，对变频器主体100进行三级散热；

复测模块1100用于对变频器主体100降温后的表面温度进行复测；

第三控制模块1200用于控制第一散热模块700、第二散热模块900、档位控制模块1000。

其中，应用领域的不同，使得变频器MOSFET的要求也越来越高，功率也越来越大，变频器MOSFET主体，即变频器主体100，可以有多种封装，例如，侧面积为1*2厘米的封装，侧面积为5*5厘米的封装。具体可以根据实际大小确定变频器主体100的封装大小，一般而言，功率越大，其封装面积就会越大。第一散热模块700和第二散热模块900可以为热感应散热风扇，所述热感应散热风扇能够通过热量获取转换为电能，然后电能驱动风扇转动，从而达到散热的效果，其中热感应散热风扇可以包含热电转换模块，将变频器MOSFET的热量转换为电能，转换的电能可以用于给每个模块提供电能，更具体的，还可以设置储能模块，将热能转换的电能储存在储能模块中。热感应散热风扇可以通过控制模块进行控制，每个热感应散热风扇可以通过控制模块进行档位调节，以变换不同的风速。另外，每个模块可以通过导热硅脂与变频器主体100接触，以便更好的进行热传导，使得变频器主体100的热量更快散出。每个热感应散热风扇可以采用超小型空心杯无刷电机或者更小的无刷电机。值得一提的是，本领域技术人员可以根据实际需要选择有源方式或者无源方式，有源方式则需要为散热模块提供电源，一般采用5V直流电源，可以通过PCB板的布线接入散热模块中，以达到散热的效果。如果采用无源方式，则可以采用上述热电转换模块进行电能收集，实现每个模块的运转。

一种变频器MOSFET的散热方法，包括以下步骤：

步骤一：变频器工作状态下，感应模块200对变频器主体100进行不断测温；

步骤二：感应模块200测得的温度数据将通过第一传输模块300实时传输到分析模块400内；

步骤三：分析模块400接收到温度数据后，将对温度数据进行判断识别；

步骤四：分析模块400内的设定温度至为3℃，若温度低于设定值，将结束此次温度数据传输；若温度高于设定值，将把此次温度数据进行判断识别；

步骤六：分析后的温度数据若为第一区间，温度数据将通过第二传输模块500传输至第一控制模块600内，第一控制模块600将控制第一散热模块700进行一级散热；

分析后的温度数据若为第二区间，温度数据将通过第二传输模块500传输至第一控制模块600、第二控制模块800内，第一控制模块600控制第一散热模块700进行一级散热，第二控制模块800将控制第二散热模块900进行二级散热；

分析后的温度区间若为第三区间，温度数据将通过第二传输模块500传输至第一控制模块600、第二控制模块800内，第一控制模块600控制第一散热模块700进行一级散热，第二控制模块800将控制第二散热模块900进行二级散热，同时会将温度数据传输通过第二传输模块500至档位控制模块1000，档位控制模块1000将会对第一散热模块700、第二散热模块900进行升档操作进行三级散热；

步骤七：降温后，复测模块1100将对变频器主体100进行温度复测；

步骤八：复测后温度达标，复测模块1100将通过第三控制模块1200直接控制第一散热模块700、第二散热模块900、档位控制模块1000进行停止操作；

步骤九：完成降温，感应模块200持续工作对变频器主体100进行温度感应。

步骤二内的分析模块400包括温度接收模块、温度识别模块、温度判定模块、区间阀值模块，具体分析步骤如下：

S1、通过第一传输模块300传输的温度数据将被温度接收模块接收；

S3、通过温度识别模块对输送的温度数据进行数值识别；

S6、温度数值判定后，温度判定模块将判定指令输出。

区间阀值模块按照不同的设定数值分为第一区间、第二区间、第三区间；

第一区间阀值为5-15℃；

第二区间阀值为16-40℃；

第三区间阀值为41-80℃。

步骤六中的第一散热模块700为一级制冷片、第二散热模块900为二级制冷片，具体散热方法如下：

进行一级散热时，第一散热模块700工作；

进行二级散热时，第一散热模块700和第二散热模块900同时工作；

进行三级散热时，档位控制模块1000对第一散热模块700和第二散热模块900进行升档操作。

步骤七中的复测模块1100对变频器主体100的测温间隔为30-50秒。

步骤八中的停止操作步骤如下：

A1、复测模块1100检测的温度数值达标后，复测模块1100将数据传输至第三控制模块1200内；

A2、第三控制模块1200将先关闭档位控制模块1000；

A3、待档位控制模块1000关闭后，第三控制模块1200将会同时关闭第一散热模块700和第二散热模块900。

步骤九中的感应模块200对变频器主体100的感应间隔为4秒。

第一区间对应一级散热、第二区间对应二级散热、第三区间对应三级散热。

二级制冷片可根据需求设置为8个。

在工作状态下，随着变频器主体100的不断工作，变频器主体100表面不断升温，感应模块200将开始工作，对变频器主体100进行温度测量，测量后的数值将通过感应模块200中的温度传感器传出，传去的温度信号将通过第一传输模块300传输至分析模块400内，若未达到分析模块400内的设定温度，则传输信号直接结束，若达到分析模块400内的设定温度，则继续对温度信号进行识别，通过对温度信号进行识别后，如果温度在第一区间阀值内，则将温度信号数据通过第二传输模块500传输至第一控制模块600内，通过第一控制模块600控制第一散热模块700进行散热，通过第一散热模块700能够有效的消除低温度的热量，当温度不断升高，达到第二区间阀值时，数据将通过第二传输模块500传输至第二控制模块800内，第二控制模块800将会控制第二散热模块900进行二级散热，通过第一散热模块700和第二散热模块900同时工作进行散热，进一步增强了散热效果，随着长时间的工作，元件表面温度达到第三区间，温度数据将通过第二传输模块500传输至第一控制模块600、第二控制模块800内，第一控制模块600控制第一散热模块700进行一级散热，第二控制模块800将控制第二散热模块900进行二级散热，同时会将温度数据传输通过第二传输模块500至档位控制模块1000，档位控制模块1000将会对第一散热模块700、第二散热模块900进行升档操作进行三级散热，通过对第一散热模块700、第二散热模块900进行升档操作，提高了制冷片的制冷效果，进而能够有效的提高散热速率，进而有效的对元件表面进行散热；

在降温完成后，复测模块1100将对变频器主体100进行温度复测，复测温度不达标，则继续进行降温操作，若复测后温度达标，复测模块1100将通过第三控制模块1200直接控制第一散热模块700、第二散热模块900、档位控制模块1000进行停止操作，在进行停止操作时，第三控制模块1200先控制档位控制模块1000进行降档操作，并等待档位控制模块1000完全停止后，再通过第三控制模块1200关闭第一散热模块700和第二散热模块900，通过此项复测操作，能够在元件表面完成降温后，有效的关闭散热元件，进而有效的降低散热成本，同时完成降温后，感应模块200继续持续工作对变频器主体100进行温度感应，以便于元件温度升高后，继续进行降温操作。

根据本发明实施例，还包括：

获取变频器主体100在同一散热阶段中相邻时间点的温度感应信息；

根据感应模块200的感应间隔和变频器主体100在感应模块200的感应间隔中的温度差，得到变频器主体100的温度变化率信息；

判断变频器主体100的温度变化率是否大于第一预设阈值，若是，则得到散热等级提升一级。

将温度变化率传输通过上一级传输模块至上一级控制模块以进行降温处理。

需要说明的是，提取感应模块200中的感应装置在同一散热阶段中相邻时间点的温度值，分别设为

和

，其中

的时间早于

，将感应模块200的感应间隔设为a，变频器主体100的温度变化率设为p，其公式为：

，比如：温度分别检测为24摄氏度和28.8摄氏度，感应模块200对变频器主体100的感应间隔为4秒，则变频器主体100的温度变化率

，若第一预设阈值为1

，则需要将散热提升一级，由于24摄氏度和28.8摄氏度属于二级散热，因此需要提前启动三级散热，以防止变频器主体100升温过快而引起的损坏。

根据本发明实施例，还包括：

提取感应模块200在相邻时间点的两个温度值；

判断感应模块200在相邻时间点的两个温度值是否同时大于最高温度限值，若是，则触发警示信息；

将温度过高警示信息发送至预设控制终端以进行显示。

需要说明的是，当变频器主体100在相邻时间点测量的温度值同时大于最高温度限值时，说明变频器主体100功率过大，热量生产的速度大于最高散热速度，变频器主体100的温度持续上升，且超过了最高温度限值，因此，触发最高温度限值警示，提示用户端暂时关闭部分或全部应用以减轻变频器主体100的负载。

根据本发明实施例，还包括：

获取制冷片上预设温度感应器的温度值；

将制冷片上的温度值设为

，其中n表示制冷片等级，m表示制冷片的编号；

判断制冷片的温度值和对应等级制冷片的平均温度值的差值是否小于第二预设阈值，若否，则得到对应制冷片出现故障信息；

将对应制冷片出现故障信息发送至预设控制终端以进行显示。

需要说明的是，将制冷片的温度值和对应等级制冷片的平均温度值的差值设为

，对应等级制冷片的平均温度值为

，其中i属于m，n表示制冷片等级，m表示制冷片的编号，比如：

，表示二级制冷片中编号为5的制冷片温度值，根据公式：

，判断制冷片

的温度值和n等级制冷片的平均温度值的差值是否小于第二预设阈值，比如：

对应的

摄氏度，若第二预设阈值为2.5，则说明二级制冷片中编号为5的制冷片已损坏。

本发明通过分析模块400对接受到的温度信息进行分析、判断，并在判断后，通过区间模块识别温度信息的区间，进而能够有效的对变频器主体100及时做出不同程度的散热处理，温度升高时，由一级散热提升至二级散热或三级散热，通过不同程度的散热处理，能够有效对不同温度区间的变频器主体100做出散热处理，有效的提高了变频器主体100的使用寿命，同时，在降温结束后，通过复测模块1100对降温后的变频器主体100进行温度复测，温度达到规范值后，将依次关闭散热处理，进而有效的降低了散热成本。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。上述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述各实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专利的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述提示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明方案的范围内。

Claims

1.一种变频器MOSFET的散热装置，其特征在于，所述散热装置包括螺钉连接在变频器主体（100）上的散热外壳，所述散热外壳包括感应模块（200）、第一传输模块（300）、分析模块（400）、第二传输模块（500）、第一控制模块（600）、第一散热模块（700）、第二控制模块（800）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）、复测模块（1100）、第三控制模块（1200）；

所述感应模块（200）用于感应变频器主体（100）表面温度；

所述第一传输模块（300）用于传输感应模块（200）感应的温度数据；

所述分析模块（400）用于分析第一传输模块（300）输送的温度数据；

所述第二传输模块（500）用于传输分析模块（400）输出的散热指令；

所述第一控制模块（600）用于控制第一散热模块（700）进行散热操作；

所述第一散热模块（700）用于对变频器主体（100）进行一级散热；

所述第二控制模块（800）用于控制第二散热模块（900）进行散热操作；

所述第二散热模块（900）用于对变频器主体（100）进行二级散热；

所述档位控制模块（1000）用于对第一散热模块（700）和第二散热模块（900）进行档位调节，对变频器主体（100）进行三级散热；

所述复测模块（1100）用于对变频器主体（100）降温后的表面温度进行复测；

所述第三控制模块（1200）用于控制第一散热模块（700）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）。

2.一种变频器MOSFET的散热方法，采用权利要求1所述的变频器MOSFET的散热装置，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：变频器工作状态下，感应模块（200）对变频器主体（100）进行不断测温；

步骤二：感应模块（200）测得的温度数据将通过第一传输模块（300）实时传输到分析模块（400）内；

步骤三：分析模块（400）接收到温度数据后，将对温度数据进行判断识别；

步骤六：分析后的温度数据若为第一区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）内，第一控制模块（600）将控制第一散热模块（700）进行一级散热；

分析后的温度数据若为第二区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）、第二控制模块（800）内，第一控制模块（600）控制第一散热模块（700）进行一级散热，第二控制模块（800）将控制第二散热模块（900）进行二级散热；

分析后的温度区间若为第三区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）、第二控制模块（800）内，第一控制模块（600）控制第一散热模块（700）进行一级散热，第二控制模块（800）将控制第二散热模块（900）进行二级散热，同时会将温度数据传输通过第二传输模块（500）至档位控制模块（1000），档位控制模块（1000）将会对第一散热模块（700）、第二散热模块（900）进行升档操作进行三级散热；

步骤七：降温后，复测模块（1100）将对变频器主体（100）进行温度复测；

步骤八：复测后温度达标，复测模块（1100）将通过第三控制模块（1200）直接控制第一散热模块（700）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）进行停止操作；

步骤九：完成降温，感应模块（200）持续工作对变频器主体（100）进行温度感应。

3.根据权利要求2所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所述步骤二内的分析模块（400）包括温度接收模块、温度识别模块、温度判定模块、区间阀值模块，具体分析步骤如下：

S1、通过第一传输模块（300）传输的温度数据将被温度接收模块接收；

S3、通过温度识别模块对输送的温度数据进行数值识别；

S6、温度数值判定后，温度判定模块将判定指令输出。

4.根据权利要求3所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所属区间阀值模块按照不同的设定数值分为第一区间、第二区间、第三区间；

所述第一区间阀值为5-15℃；

所述第二区间阀值为16-40℃；

所述第三区间阀值为41-80℃。

5.根据权利要求4所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所述步骤六中的第一散热模块（700）为一级制冷片、第二散热模块（900）为二级制冷片，具体散热方法如下：

进行一级散热时，第一散热模块（700）工作；

进行二级散热时，第一散热模块（700）和第二散热模块（900）同时工作；

进行三级散热时，档位控制模块（1000）对第一散热模块（700）和第二散热模块（900）进行升档操作。

6.根据权利要求2所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所述步骤七中的复测模块（1100）对变频器主体（100）的测温间隔为30-50秒。

7.根据权利要求2所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所述步骤八中的停止操作步骤如下：

A1、复测模块（1100）检测的温度数值达标后，复测模块（1100）将数据传输至第三控制模块（1200）内；

A2、第三控制模块（1200）将先关闭档位控制模块（1000）；

A3、待档位控制模块（1000）关闭后，第三控制模块（1200）将会同时关闭第一散热模块（700）和第二散热模块（900）。

8.根据权利要求2所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：步骤九中的感应模块（200）对变频器主体（100）的感应间隔为3-5秒。

9.根据权利要求5所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所述第一区间对应一级散热、第二区间对应二级散热、第三区间对应三级散热。

10.根据权利要求5所述的一种变频器MOSFET的散热方法，其特征在于：所述二级制冷片可根据需求设置为4-8个。