CN115039341A - 多工器 - Google Patents

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Abstract

抑制IMD的产生。在各滤波器(3)中，将特定的谐振器(4A)的等效电路中的包含等效电阻、等效电感器以及等效电容的串联电路所流过的电流设为声路径电流，将第1通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Tx1，将第2通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Tx1，将第1通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Tx2，将第2通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Tx2，在该情况下，多工器(1)满足第1条件：|(2·θ1Tx1‑θ2Tx1)‑(2·θ1Tx2‑θ2Tx2)|＝180°±90°，或第2条件：|(2·θ2Tx1‑θ1Tx1)‑(2·θ2Tx2‑θ1Tx2)|＝180°±90°。

Description

多工器
技术领域
本发明总体上涉及多工器，更详细地，涉及具备第1发送滤波器和第2发送滤波器的多工器。
背景技术
以往，已知有具备多个频段的发送滤波器以及接收滤波器的多工器(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1记载的多工器具备频带不同的多个滤波器(第1发送滤波器、第1接收滤波器、第2发送滤波器以及第2接收滤波器)。第1发送滤波器、第1接收滤波器、第2发送滤波器以及第2接收滤波器连接于与天线连接的公共端子。第1发送滤波器例如是将LTE(LongTerm Evolution，长期演进)标准的Band3的发送带(1710MHz-1785MHz)作为通带的发送滤波器。第1接收滤波器例如是将Band3的接收带(1805MHz-1880MHz)作为通带的接收滤波器。第2发送滤波器例如是将Band1的发送带(1920MHz-1980MHz)作为通带的发送滤波器。第2接收滤波器例如是将Band1的接收带(2110MHz-2170MHz)作为通带的接收滤波器。多个滤波器各自由具有并联臂谐振器和串联臂谐振器的梯型滤波器构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/123545号
发明内容
发明要解决的问题
具备在专利文献1记载的多工器的通信装置能够应对在上行链路中同时使用两个频带的载波聚合(双上行链路载波聚合)。然而，在通信装置中，若使用在专利文献1记载的多工器来进行同时发送频带不同的两个信号的双上行链路载波聚合，则担心会产生IMD(Intermodulation Distortion，交调失真)而使接收滤波器的接收灵敏度劣化。
本发明的目的在于，提供一种能够抑制IMD的产生的多工器。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式涉及的多工器具备公共端子和多个滤波器。所述多个滤波器与所述公共端子连接。所述多个滤波器各自具有多个谐振器。所述多个滤波器包含第1发送滤波器和第2发送滤波器。所述第1发送滤波器具有第1通带。所述第2发送滤波器具有与所述第1通带不同的第2通带。所述第1通带的中心频率比所述第2通带的中心频率高。在所述多工器中，在所述多个滤波器各自中将所述多个谐振器之中特定的谐振器的等效电路用等效电阻、等效电感器以及等效电容的串联电路、和阻尼电容的并联电路表示时，若将流过所述串联电路的电流设为声路径电流，则在将所述第1通带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1Tx1，将所述第2通带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2Tx1，将所述第1通带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1Tx2，将所述第2通带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2Tx2的情况下，所述多工器满足第1条件或第2条件。所述第1条件是如下的条件：|(2·θ1Tx1-θ2Tx1)-(2·θ1Tx2-θ2Tx2)|＝180°±90°。所述第2条件是如下的条件：|(2·θ2Tx1-θ1Tx1)-(2·θ2Tx2-θ1Tx2)|＝180°±90°。
本发明的一个方式涉及的多工器具备公共端子和多个滤波器。所述多个滤波器与所述公共端子连接。所述多个滤波器各自具有多个谐振器。所述多个滤波器包含第1发送滤波器和第2发送滤波器。所述第1发送滤波器具有第1通带。所述第2发送滤波器具有与所述第1通带不同的第2通带。所述第1通带的中心频率比所述第2通带的中心频率高。在所述多个滤波器各自中，将所述多个谐振器之中最靠近所述公共端子的谐振器设为特定的谐振器。所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器各自为梯型滤波器，并作为所述多个谐振器而包含多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。在所述第1发送滤波器中，所述特定的谐振器是所述第1发送滤波器的所述多个并联臂谐振器中的一个并联臂谐振器，在所述第2发送滤波器中，所述特定的谐振器是所述第2发送滤波器的所述多个串联臂谐振器中的一个串联臂谐振器。在所述多工器中，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容。或者，在所述多工器中，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的面积大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的面积。或者，在所述多工器中，包含于所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量比包含于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量多。或者，在所述多工器中，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比与所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比不同。或者，在所述多工器中，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度小于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度。或者，在所述多工器中，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是多晶金属电极，所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是金属的外延层电极。或者，在所述多工器中，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极的材料包含Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极中的所述一种以上的材料的含有率高。
发明效果
本发明的上述各方式涉及的多工器能够抑制IMD的产生。
附图说明
图1是实施方式1涉及的多工器的电路图。
图2是同上的多工器中的滤波器的电路图。
图3是同上的多工器中的滤波器的电路图。
图4A是同上的多工器中的滤波器的谐振器的俯视图。图4B是图4A的A-A线剖视图。
图5是同上的多工器中的滤波器的谐振器的等效电路图。
图6是同上的多工器的等效电路图。
图7是同上的多工器中的滤波器的谐振器的阻抗-频率特性图。
图8是同上的多工器中的滤波器的谐振器的电流-频率特性图。
图9是同上的多工器中的滤波器的谐振器的相位-频率特性图。
图10是同上的多工器中的滤波器的谐振器的电压-频率特性图。
图11A是同上的多工器中的第1发送滤波器以及第2发送滤波器的三阶非线性失真(Third order Intermodulation Distortion：IMD3，三阶交调失真)的电平的频率特性图。图11B是同上的多工器中的第1发送滤波器以及第2发送滤波器的IMD3的相位的频率特性图。
图12是同上的多工器中的第1发送滤波器以及第2发送滤波器的IMD3的电平的频率特性图。
图13A是同上的多工器中的第1发送滤波器的特定的谐振器的俯视图。图13B是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的俯视图。
图14A是实施方式1的变形例1涉及的多工器中的第1发送滤波器的特定的谐振器的俯视图。图14B是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的俯视图。
图15A是实施方式1的变形例2涉及的多工器中的第1发送滤波器的电路图。图15B是同上的第1发送滤波器中的特定的谐振器的俯视图。
图16A是同上的多工器中的第2发送滤波器的电路图。图16B是同上的第2发送滤波器中的特定的谐振器的俯视图。
图17A是实施方式1的变形例3涉及的多工器中的第1发送滤波器的特定的谐振器的俯视图。图17B是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的俯视图。
图18A是实施方式2涉及的多工器中的第1发送滤波器的特定的谐振器的剖视图。图18B是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的剖视图。
图19A是实施方式3涉及的多工器中的第1发送滤波器的特定的谐振器的剖视图。图19B是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的形成方法的说明图。图19C是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的剖视图。
图20A是实施方式4涉及的多工器中的第1发送滤波器的特定的谐振器的剖视图。图20B是同上的多工器中的第2发送滤波器的特定的谐振器的剖视图。
图21是实施方式5涉及的多工器的电路图。
具体实施方式
(实施方式1)
以下，参照图1～13B对实施方式1涉及的多工器1进行说明。
(1.1)多工器的基本结构
实施方式1涉及的多工器1例如用于应对载波聚合的便携式电话(例如，智能电话)、可穿戴终端(例如，智能手表)等。
多工器1具备公共端子2和多个滤波器3。此外，多工器1还具备与多个滤波器3一对一地对应的多个移相电路8。
多个滤波器3包含第1发送滤波器31和第2发送滤波器33。多个滤波器3还包含第1接收滤波器32和第2接收滤波器34。
多个滤波器3与公共端子2连接。公共端子2与天线9连接。多个滤波器3经由多个移相电路8中的一对一地对应的移相电路8与公共端子2连接。多个移相电路8包含第1移相电路81、第2移相电路82、第3移相电路83、以及第4移相电路84。第1移相电路81连接在公共端子2与第1发送滤波器31之间。第2移相电路83连接在公共端子2与第2发送滤波器33之间。第3移相电路82连接在公共端子2与第1接收滤波器32之间。第4移相电路84连接在公共端子2与第2接收滤波器34之间。多个滤波器3各自具有多个谐振器4。
第1发送滤波器31具有输入端子311和输出端子312。在第1发送滤波器31中，输出端子312与公共端子2连接。第2发送滤波器33具有输入端子331和输出端子332。在第2发送滤波器33中，输出端子332与公共端子2连接。第1接收滤波器32具有输入端子321和输出端子322。在第1接收滤波器32中，输入端子321与公共端子2连接。第2接收滤波器34具有输入端子341和输出端子342。在第2接收滤波器34中，输入端子341与公共端子2连接。
第1发送滤波器31是具有第1通带的带通滤波器。第2发送滤波器33是具有与第1通带不同的第2通带的带通滤波器。第1接收滤波器32是具有第3通带的带通滤波器。第2接收滤波器34是具有第4通带的带通滤波器。第1通带的中心频率比第2通带的中心频率高。第1通带是第1发送带。第1发送带例如是3GPP(Third Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划)LTE(Long Term Evolution，长期演进)标准的Band25的上行链路频带(1850MHz-1915MHz)。第2通带是第2发送带。第2发送带例如是3GPP、LTE标准的Band66的上行链路频带(1710MHz-1780MHz)。第3通带是第1接收带。第1接收带例如是3GPP、LTE标准的Band25的下行链路频带(1930MHz-1995MHz)。第4通带是第2接收带。第2接收带例如是3GPP、LTE标准的Band66的下行链路频带(2110MHz-2200MHz)。另外，虽然第1发送滤波器31是具有第1发送带作为第1通带的带通滤波器，但是并不限于此，只要是具有包含第1发送带的第1通带的带通滤波器即可。此外，虽然第2发送滤波器33是具有第2发送带作为第2通带的带通滤波器，但是并不限于此，只要是具有包含第2发送带的第2通带的带通滤波器即可。此外，虽然第1接收滤波器32是具有第1接收带作为第3通带的带通滤波器，但是并不限于此，只要是具有包含第1接收带的第3通带的带通滤波器即可。此外，虽然第2接收滤波器34是具有第2接收带作为第4通带的带通滤波器，但是并不限于此，只要是具有包含第2接收带的第4通带的带通滤波器即可。
多个滤波器3的通带相互不重叠。因此，第1发送滤波器31的第1通带与第2发送滤波器33、第1接收滤波器32以及第2接收滤波器34各自的第2通带、第3通带以及第4通带不重叠。此外，第2发送滤波器33的第2通带与第1发送滤波器31、第1接收滤波器32以及第2接收滤波器34各自的第1通带、第3通带以及第4通带不重叠。此外，第1接收滤波器32的第3通带与第1发送滤波器31、第2发送滤波器33以及第2接收滤波器34各自的第1通带、第2通带以及第4通带不重叠。此外，第2接收滤波器34的第4通带与第1发送滤波器31、第2发送滤波器33以及第1接收滤波器32各自的第1通带、第2通带以及第3通带不重叠。
多工器1例如能够将输入到第1发送滤波器31的输入端子311的第1发送滤波器31的第1通带的发送信号和输入到第2发送滤波器33的输入端子331的第2发送滤波器33的第2通带的发送信号从公共端子2同时进行发送。即，多工器1能够应对双上行链路载波聚合。
第1发送滤波器31例如为梯型滤波器，作为多个(例如，八个)谐振器4而包含多个(例如，四个)串联臂谐振器S11～S14和多个(例如，四个)并联臂谐振器P11～P14。
多个串联臂谐振器S11～S14设置在输入端子311与输出端子312之间的路径310(以下，也称为串联臂路径310)上。多个串联臂谐振器S11～S14在串联臂路径310上串联地连接。在第1发送滤波器31中，从输入端子311侧起按串联臂谐振器S11、串联臂谐振器S12、串联臂谐振器S13以及串联臂谐振器S14的顺序排列有多个串联臂谐振器S11～S14。
并联臂谐振器P11设置在串联臂路径310上的节点N11与接地(接地端子)之间。节点N11在串联臂路径310上位于串联臂谐振器S11与串联臂谐振器S12之间。并联臂谐振器P12设置在串联臂路径310上的节点N12与接地之间。节点N12在串联臂路径310上位于串联臂谐振器S12与串联臂谐振器S13之间。并联臂谐振器P13设置在串联臂路径310上的节点N13与接地之间。节点N13在串联臂路径310上位于串联臂谐振器S13与串联臂谐振器S14之间。并联臂谐振器P14设置在串联臂路径310上的节点N14与接地之间。节点N14在串联臂路径310上位于串联臂谐振器S14与输出端子312之间。总而言之，在第1发送滤波器31中，在输出端子312侧由两个并联臂谐振器P114、P13和一个串联臂谐振器S14构成了π型滤波器。因此，在多工器1中，在公共端子2与第1发送滤波器31的并联臂谐振器P14之间未连接谐振器4。
第2发送滤波器33例如为梯型滤波器，作为多个(例如，八个)谐振器4而包含多个(例如，四个)串联臂谐振器S31～S34和多个(例如，四个)并联臂谐振器P31～P34。
多个串联臂谐振器S31～S34设置在输入端子331与输出端子332之间的路径330(以下，也称为串联臂路径330)上。多个串联臂谐振器S31～S34在串联臂路径330上串联地连接。在第2发送滤波器33中，从输入端子331侧起按串联臂谐振器S31、串联臂谐振器S32、串联臂谐振器S33以及串联臂谐振器S34的顺序排列有多个串联臂谐振器S31～S34。
并联臂谐振器P31设置在串联臂路径330上的节点N31与接地(接地端子)之间。节点N31在串联臂路径330上位于输入端子331与串联臂谐振器S31之间。并联臂谐振器P32设置在串联臂路径330上的节点N32与接地之间。节点N32在串联臂路径330上位于串联臂谐振器S31与串联臂谐振器S32之间。并联臂谐振器P33设置在串联臂路径330上的节点N33与接地之间。节点N33在串联臂路径330上位于串联臂谐振器S32与串联臂谐振器S33之间。并联臂谐振器P34设置在串联臂路径330上的节点N34与接地之间。节点N34在串联臂路径330上位于串联臂谐振器S33与串联臂谐振器S34之间。总而言之，在第2发送滤波器33中，在输出端子332侧由两个串联臂谐振器S34、S33和一个并联臂谐振器P34构成了T型滤波器。
第1接收滤波器32例如为梯型滤波器，作为多个(例如，八个)谐振器4而包含多个(例如，四个)串联臂谐振器S21～S24和多个(例如，四个)并联臂谐振器P21～P24。
多个串联臂谐振器S21～S24设置在输入端子321与输出端子322之间的路径320(以下，也称为串联臂路径320)上。多个串联臂谐振器S21～S24在串联臂路径320上串联地连接。在第1接收滤波器32中，从输出端子322侧起按串联臂谐振器S21、串联臂谐振器S22、串联臂谐振器S23以及串联臂谐振器S24的顺序排列有多个串联臂谐振器S21～S24。
并联臂谐振器P21设置在串联臂路径320上的节点N21与接地(接地端子)之间。节点N21在串联臂路径320上位于输出端子322与串联臂谐振器S21之间。并联臂谐振器P22设置在串联臂路径320上的节点N22与接地之间。节点N22在串联臂路径320上位于串联臂谐振器S21与串联臂谐振器S22之间。并联臂谐振器P23设置在串联臂路径320上的节点N23与接地之间。节点N23在串联臂路径320上位于串联臂谐振器S22与串联臂谐振器S23之间。并联臂谐振器P24设置在串联臂路径320上的节点N24与接地之间。节点N24在串联臂路径320上位于串联臂谐振器S23与串联臂谐振器S24之间。总而言之，在第1接收滤波器32中，在输入端子321侧由两个串联臂谐振器S24、S23和一个并联臂谐振器P24构成了T型滤波器。
第2接收滤波器34例如为梯型滤波器，作为多个(例如，八个)谐振器4而包含多个(例如，四个)串联臂谐振器S41～S44和多个(例如，四个)并联臂谐振器P41～P44。
多个串联臂谐振器S41～S44设置在输入端子341与输出端子342之间的路径340(以下，也称为串联臂路径340)上。多个串联臂谐振器S41～S44在串联臂路径340上串联地连接。在第2接收滤波器34中，从输出端子342侧起按串联臂谐振器S41、串联臂谐振器S42、串联臂谐振器S43以及串联臂谐振器S44的顺序排列有多个串联臂谐振器S41～S44。
并联臂谐振器P41设置在串联臂路径340上的节点N41与接地(接地端子)之间。节点N41在串联臂路径340上位于输出端子342与串联臂谐振器S41之间。并联臂谐振器P42设置在串联臂路径340上的节点N42与接地之间。节点N42在串联臂路径340上位于串联臂谐振器S41与串联臂谐振器S42之间。并联臂谐振器P43设置在串联臂路径340上的节点N43与接地之间。节点N43在串联臂路径340上位于串联臂谐振器S42与串联臂谐振器S43之间。并联臂谐振器P44设置在串联臂路径340上的节点N44与接地之间。节点N44在串联臂路径340上位于串联臂谐振器S43与串联臂谐振器S44之间。总而言之，在第2接收滤波器34中，在输入端子341侧由两个串联臂谐振器S44、S43和一个并联臂谐振器P44构成了T型滤波器。
在多个滤波器3各自中，将多个谐振器4之中最靠近公共端子2的一个谐振器4规定为特定的谐振器4A。在滤波器3为如图2所示地在公共端子2侧构成了π型滤波器的梯型滤波器的情况下，特定的谐振器4A设为最靠近公共端子2的并联臂谐振器。此外，在滤波器3为如图3所示地在公共端子2侧构成了T型滤波器的梯型滤波器的情况下，特定的谐振器4A设为最靠近公共端子2的串联臂谐振器。
(1.2)滤波器的构造
多个滤波器3各自例如为弹性波滤波器，多个谐振器4各自由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如为利用声表面波的SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)滤波器。在该情况下，多个谐振器4各自为SAW谐振器。
以下，基于图4A以及4B对滤波器3的构造的一个例子进行说明。
滤波器3具备压电性基板40和设置在压电性基板40上的多个IDT(InterdigitalTransducer，叉指换能器)电极50。另外，在图4A以及4B中，仅图示了多个IDT电极50中的一个IDT电极50。多个IDT电极50与多个谐振器4一对一对应。多个IDT电极50各自为多个谐振器4中的对应的谐振器4的构成要素。滤波器3例如为单片的弹性波滤波器，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自由弹性波谐振器构成。
压电性基板40例如为压电基板。压电基板的材料例如为钽酸锂(LiTaO3)。压电基板例如由Γ°Y切割X传播LiTaO3压电单晶形成。Γ°Y切割X传播LiTaO3压电单晶是在将LiTaO3压电单晶的三个晶轴设为X轴、Y轴、Z轴的情况下通过将以X轴为中心轴而从Y轴向Z轴方向旋转了Γ°的轴作为法线的面进行了切断的LiTaO3单晶，是声表面波在X轴方向上传播的单晶。若将切割角设为Γ[°]，并将压电基板的欧拉角设为
Figure BDA0003765448310000101
Figure BDA0003765448310000102
则压电基板的切割角为θ＝Γ+90°。其中，Γ和F±180×n同义。在此，n为自然数。压电基板并不限定于Γ°Y切割X传播LiTaO3压电单晶，例如也可以是Γ°Y切割X传播LiTaO3压电陶瓷。
压电性基板40具有相互对置的第1主面41以及第2主面42。第1主面41和第2主面42在压电性基板40的厚度方向上对置。在从压电性基板40的厚度方向的俯视下，压电性基板40为长方形，但是并不限于此，例如也可以是正方形。
压电基板的材料并不限定于钽酸锂(LiTaO3)，例如，也可以是铌酸锂(LiNbO3)、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、或锆钛酸铅(PZT)。另外，关于压电基板的单晶材料、切割角，例如，只要根据滤波器的要求规格(通过特性、衰减特性、温度特性以及带宽等滤波器特性)等而适当地决定即可。
IDT电极50设置在压电性基板40上。更详细地，IDT电极50设置在压电性基板40的第1主面41上。
IDT电极50具有第1汇流条51、第2汇流条52、多个第1电极指53、以及多个第2电极指54。第2汇流条52与第1汇流条51对置。
多个第1电极指53与第1汇流条51连接并向第2汇流条52侧延伸。多个第1电极指53与第1汇流条51形成为一体，并与第2汇流条52分开。在从压电性基板40的厚度方向的俯视下，在多个第1电极指53与第2汇流条52之间存在缝隙。例如，多个第1电极指53的长度相互相同。此外，多个第1电极指53的宽度相互相同。
多个第2电极指54与第2汇流条52连接并向第1汇流条51侧延伸。多个第2电极指54与第2汇流条52形成为一体，并与第1汇流条51分开。在从压电性基板40的厚度方向的俯视下，在多个第2电极指54与第1汇流条51之间存在缝隙。例如，多个第2电极指54的长度相互相同。此外，多个第2电极指54的长度相互相同。在图4A的例子中，多个第2电极指54的长度与多个第1电极指53的长度相同。此外，在图4A的例子中，多个第2电极指54的宽度与多个第1电极指53的宽度相同。
IDT电极50的第1汇流条51以及第2汇流条52是将与沿着压电性基板40的厚度方向的第1方向D1正交的第2方向D2作为长尺寸方向的长条状。换言之，IDT电极50的第1汇流条51以及第2汇流条52是将作为弹性波传播方向的第2方向D2作为长尺寸方向的长条状。在IDT电极50中，第1汇流条51和第2汇流条52在与第1方向D1和第2方向D2的双方正交的第3方向D3上相互对置。
在IDT电极50中，多个第1电极指53以及多个第2电极指54在第2方向D2上相互隔离地排列。在此，多个第1电极指53以及多个第2电极指54在第2方向D2上一根一根地交替地相互隔开排列，但是并不限定于此。相邻的第1电极指53和第2电极指54分开。包含多个第1电极指53和多个第2电极指54的一组电极指只要是多个第1电极指53和多个第2电极指54在第2方向D2上隔开排列的结构即可，也可以是多个第1电极指53和多个第2电极指54未交替地相互隔开排列的结构。例如，也可以混合存在第1电极指53和第2电极指54各隔开一根而排列的区域、和第1电极指53或第2电极指54在第2方向D2上排列有两个的区域。第1汇流条51是用于将多个第1电极指53设为相同的电位(等电位)的导体部。第2汇流条52是用于将多个第2电极指54设为相同的电位(等电位)的导体部。
IDT电极50具有由多个第1电极指53和多个第2电极指54规定的交叉区域55。交叉区域55是多个第1电极指53的前端的包络线与多个第2电极指54的前端的包络线之间的区域。IDT电极50在交叉区域55中激励弹性波。
IDT电极50的电极指间距P1例如可通过多个第1电极指53之中相邻的两个第1电极指53的中心线间的距离、或者多个第2电极指54之中相邻的两个第2电极指54的中心线间的距离来定义。相邻的两个第2电极指54的中心线间的距离与相邻的两个第1电极指53的中心线间的距离相同。此外，如图4A所示，若将第2方向D2上的第1电极指53的宽度设为W1，并将在第2方向D2上相邻的第1电极指53与第2电极指54之间的间隔设为G1，则IDT电极50的占空比可通过W1/(W1+G1)来定义。此外，IDT电极50的厚度H1例如可通过多个第1电极指53以及多个第2电极指54的厚度来定义。
在IDT电极50中，作为一个例子，第1电极指53和第2电极指54的对数为100对。也就是说，作为一个例子，IDT电极50具有100根第1电极指53和100根第2电极指54。另外，在图4A以及4B中，为了使附图容易观察，减少了第1电极指53以及第2电极指54各自的数量。
IDT电极50是标准型的IDT电极，但是并不限于此，例如，也可以是实施了切趾加权的IDT电极，还可以是倾斜IDT电极。在实施了切趾加权的IDT电极中，随着从弹性波的传播方向上的一端部起接近中央，交叉宽度变大，随着从弹性波的传播方向上的中央起接近另一端部，交叉宽度变小。
滤波器3具有多个布线部7。多个布线部7包含连接于IDT电极50的第1汇流条51的第1布线部71和连接于IDT电极50的第2汇流条52的第2布线部72。
第1布线部71从第1汇流条51向与多个第1电极指53侧相反侧延伸。第2布线部72从第2汇流条52向与多个第2电极指54侧相反侧延伸。
(1.3)特定的谐振器的等效电路
在多个滤波器3各自中，如图5以及6所示，多个谐振器4之中特定的谐振器4A的等效电路能够用等效电阻Rm、等效电感器Lm以及等效电容Cm的串联电路、和阻尼电容C0的并联电路来表示。图5是与特定的谐振器4A对应的mBVD模型的等效电路图。在图5中，将在特定的谐振器4A的等效电路的两端间连接了交流电源时从交流电源输入到特定的谐振器4A的电流定义为Iw，将流过等效电阻Rm、等效电感器Lm以及等效电容Cm的串联电路的电流定义为Iac，将流过阻尼电容C0的电流定义为Ie。以下，将等效电阻Rm、等效电感器Lm以及等效电容Cm的串联电路称为声路径43，也将流过声路径43的电流Iac称为声路径电流。此外，将包含阻尼电容C0并与声路径43并联连接的路径称为电路径44，也将流过电路径44的电流Ie称为电路径电流。特定的谐振器4A包含声路径43和电路径44。声路径43和电路径44并联连接。
已知，由于弹性波谐振器的弹性常数的非线性而产生的失真相对于弹性波谐振器的每单位面积的激励的大小具有比例关系。谐振器4A的每单位面积的激励的大小相对于声路径43的每单位面积的电流的大小具有相关关系。因此，由于谐振器4A的弹性常数的非线性而产生的失真相对于声路径43的每单位面积的电流的大小具有比例关系。声路径43的单位面积与阻尼电容C0的电容成比例。因此，若将声路径电流Iac的电流值除以阻尼电容C0的电容而得到的值定义为电流密度Jac，则通过电流密度Jac的比较，能够对由于谐振器4A的弹性常数的非线性而产生的非线性失真进行比较。电流密度Jac越小，由于谐振器4A的弹性常数的非线性而产生的失真变得越小。若将声路径电流Iac的电流值的单位设为mA，并将阻尼电容C0的电容的单位设为pF，则电流密度Jac的单位为mA/pF。
图7是示出关于图5的谐振器4A的阻抗-频率特性的图。在图7中，横轴是频率，纵轴是阻抗。谐振器4A的阻抗Zw在谐振频率fr下成为极小值，在反谐振频率fa下成为极大值。若频率变得比反谐振频率fa高，则谐振器4A的阻抗Zw在史密斯圆图上向顺时针方向移动，成为电容性的阻抗。在图7中，用实线示出谐振器4A的阻抗Zw的频率特性，用单点划线示出电路径44的阻抗Ze的频率特性，用虚线示出声路径43的阻抗Zac的频率特性。
如图7所示，在谐振频率fr下，谐振器4A的阻抗Zw以及声路径43的阻抗Zac几乎变成0。若将声路径43包含的等效电感器Lm的电感设为L1，并将等效电容Cm的电容设为C1，则谐振频率fr可表示为以下的式(1)。
[数学式1]
Figure BDA0003765448310000141
如图7所示，在反谐振频率fa下，谐振器4A的阻抗Zw成为极大值。在比谐振频率fr高的反谐振频率fa下，阻抗Zac成为电感性。因此，在反谐振频率fa下，声路径43能够视作一个电感性元件，能够将谐振器4A视作电感性元件和阻尼电容C0的LC并联谐振电路。在此，若将电感性元件的电感设为Lac，并将电路径44的阻尼电容C0的电容设为C0e，则反谐振频率fa可表示为以下的式(2)。
[数学式2]
Figure BDA0003765448310000142
图8是示出关于谐振器4A的电流-频率特性的图。在图8中，横轴是频率，纵轴是电流。在图8中，用实线示出通过谐振器4A的电流Iw的频率特性，用单点划线示出流过电路径44的电流Ie的频率特性，用虚线示出流过声路径43的电流Iac的频率特性。
如图8所示，在谐振频率fr下，在电路径44几乎不流过电流Ie。在谐振频率fr下流过声路径43的电流Iac与通过谐振器4A的电流Iw大致相同。
如图8所示，在反谐振频率fa下，通过谐振器4A的电流Iw成为极小。此外，在反谐振频率fa下流过电路径44的电流Ie和流过声路径43的电流Iac成为大致相同的大小。这是因为，在谐振器4A的内部，电流在包含声路径43和电路径44的闭合电路中循环。在该情况下，电路径44的电流Ie和声路径43的电流Iac处于相位相反的关系。在反谐振频率fa下，几乎没有通过谐振器4A的电流Iw，但是在谐振器4A的内部流过比较大的电流。
图9是示出图5的谐振器4A的相位-频率特性的图。在图9中，横轴是频率，纵轴是相位。在图9中，用实线示出通过谐振器4A的电流Iw的相位θw，用单点划线示出流过电路径44的电流Ie的相位θe，用虚线示出流过声路径43的电流Iac的相位θac。
根据图9可知，在反谐振频率fa下流过声路径43的电流Iac的相位是将流过电路径44的电流Ie的相位反转的相位。若将在反谐振频率fa下流过声路径43的电流Iac的电流值设为Iacfa，将在反谐振频率fa下流过电路径44的电流Ie的电流值设为Iefa，将反谐振频率fa下的谐振器4A的Q值设为Qa，将在反谐振频率fa下通过谐振器4A的电流Iw的电流值设为基准电流值Iwfa，将虚数单位设为j，则Iacfa、Iefa可分别表示为以下的式(3)、式(4)。
[数学式3]
Iacfa＝-j·Qa·Iwfa 式(3)
[数学式4]
Iefa＝j·Qa·Iwfa 式(4)
在反谐振频率fa下流过声路径43的电流Iac的电流值Iacfa成为基准电流值Iwfa的Qa倍。因此，为了降低由于谐振器4A的弹性常数的非线性而产生的非线性失真，需要减小基准电流值Iwfa。
此外，图10是示出图5的谐振器4A的电压-频率特性的图。在图10中，横轴是频率，纵轴是电压。在图10中，用实线示出谐振器4A的电压Vw的频率特性。电路径44的电压以及声路径43的电压与谐振器4A的电压相同。
在谐振器4A中，阻尼电容C0的电容越大，谐振器4A的阻抗Zw越小。此外，在谐振器4A中，阻尼电容C0的电容越大，流过声路径43的电流Iac越大。此外，在谐振器4A中，阻尼电容C0的电容越大，流过声路径43的电流Iac的电流密度越小。
在谐振器4A的等效电路中流过声路径43的电流Iac以及阻尼电容C0的电容例如能够通过以下的方法来确认。
用ADS(Advanced Design System)等电路仿真器将谐振器4A置换为图5所示的等效电路模型(mBVD模型)，用等效电路模型对实测的阻抗的波形以及滤波器特性进行特性拟合。通过特性拟合，决定等效电感器Lm、等效电容Cm、等效电阻Rm以及阻尼电容C0各自的电路常数。由此，决定阻尼电容C0的电容。在特定拟合之后，通过电路仿真器的电流计来计算流过谐振器4A的声路径43的电流，从而能够确认声路径电流Iac的电流值。通过将声路径电流Iac的电流值除以阻尼电容C0的电容，从而能够导出声路径电流Iac的电流密度Jac。
阻尼电容C0的电容也能够通过以下的方法来确认。
在对多个谐振器4A的阻尼电容C0的电容进行相对比较的情况下，能够通过如下的方式对阻尼电容C0的电容的大小进行比较，即，将探针与谐振器4A的第1汇流条51以及第2汇流条52各自抵接，或者，将探针与连接于谐振器4A的第1汇流条51的第1布线部71以及连接于第2汇流条52的第2布线部72各自抵接，测定谐振器4A的阻抗，并对从谐振频率fr～反谐振频率fa附近分开的频率区域的频率特性进行比较。此外，还能够通过对谐振器4A施加直流电压，从而求出谐振器4A的阻尼电容C0的电容。
(1.4)多工器的三阶的IMD(IMD3)
在多工器1中，具有如下的倾向，即，越是靠近公共端子2的谐振器4，由于弹性常数的非线性产生的失真越大。
在多工器1中，若进行利用了第1发送滤波器31和第2发送滤波器33的双上行链路载波聚合，则产生IMD。若将第1发送滤波器31的通带包含的频率设为f1，并将第2发送滤波器33的通带包含的频率设为f2，则成为f3＝2×f1-f2的IMD3在第1发送带以及第2发送带的附近产生，因此在第1接收滤波器32的通带和第1发送滤波器31的通带以及第2发送滤波器33的通带比较近的情况下，IMD3经常会成为问题。在第1发送滤波器31的通带为1850MHz-1915MHz且第2发送滤波器33的通带为1710MHz-1780MHz的情况下，产生IMD3的频带为1930MHz-1995MHz。
在多工器1中，各谐振器4A的IMD3的电平以及相位能够使用电流密度和阻尼电容C0的电容通过以下的式(5)以及式(6)来表示。
[数学式5]
IMD3的电平＝|JB25TX|2×|JB66T|×C0TX 式(5)
[数学式6]
IMD3的相位＝2θB25TX±θB66TX、2θB66TX±θB25TX 式(6)
在式(5)中，JB25TX表示Band25的发送带中的声路径电流密度(复数)，|JB25TX|表示Band25的发送带中的声路径电流的大小。此外，JB66TX表示Band66的发送带中的声路径电流密度(复数)，|JB66TX|表示Band66的发送带中的声路径电流的大小。此外，C0TX表示阻尼电容C0的电容。IMD3的电平的单位是A3/pF2。在式(6)中，θB25TX表示Band25的发送带中的声路径电流的相位。此外，θB66TX表示Band66的发送带中的声路径电流的相位。
在图11A中，示出了在具有Band25的发送带作为第1通带的第1发送滤波器31的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)中在第1接收滤波器32的第3通带产生的IMD3的电平的频率特性、和在具有Band66的发送带作为第2通带的第2发送滤波器33中在特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)中在第1接收滤波器32的第3通带产生的IMD3的电平的频率特性。图11A是在对多工器1在Band25的发送带内(1850MHz-1860MHz)输入+26dBm的功率并从公共端子2以+10dBm的功率输入了Band66的发送带内(1770MHz-1780MHz)的信号的情况下，对在Band25的接收带内的1930MHz-1940MHz产生的IMD进行了评价的结果。在多工器1中，在输入强功率时，第1发送滤波器31以及第2发送滤波器33成为IMD的主要的产生源。在该情况下，作为与Band25的发送带对应的第1发送滤波器31的特定的谐振器4A的并联臂谐振器P14和作为与Band66的发送带对应的第2发送滤波器33的特定的谐振器4A的串联臂谐振器S34成为IMD的主要的产生源。图11B是进行了与图11A同样的评价的情况下的IMD3的相位的频率特性图。在图11B中，示出了在具有Band25的发送带作为第1通带的第1发送滤波器31的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)中在第1接收滤波器32的第3通带产生的IMD3的相位的频率特性、和在具有Band66的发送带作为第2通带的第2发送滤波器33中在特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)中在第1接收滤波器32的第3通带产生的IMD3的电平的频率特性。根据图11B可知，在第1发送滤波器31和第2发送滤波器33中，IMD3的相位反转。也就是说，通过将第1发送滤波器31的特定的谐振器4A设为并联臂谐振器P14，从而能够使第1发送滤波器31的IMD3的相位与第2发送滤波器33的IMD3的相位错开近180°。由此可知，第1发送滤波器31的IMD3和第2发送滤波器33的IMD3的抵消效果显现，能够降低总的IMD3的电平。此外，根据图11A可知，第1发送滤波器31的IMD3的电平(参照图11A的B25Tx)大于第2发送滤波器33的IMD3的电平(参照图11A的B66Tx)。此外，虽然未图示，但是第1发送滤波器31的IMD3的电平以及第2发送滤波器33的IMD3的电平大于其它滤波器3(第1接收滤波器32、第2接收滤波器34)的IMD3的电平。
关于多工器1，像以下那样定义I1TX1、I2TX1、C0TX1、I1TX2、I2TX2、C0TX2、I1RX1、I2RX1、C0RX1、I1RX2、I2RX2、以及C0RX2。
I1TX1是第1通带内的频率下的第1发送滤波器31的公共端子2侧的声路径电流的密度。I2TX1是第2通带内的频率下的第1发送滤波器31的公共端子2侧的声路径电流的密度。C0TX1是第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的阻尼电容C0的电容。I1TX2是第1通带内的频率下的第2发送滤波器33的公共端子2侧的声路径电流的密度。I2TX2是第2通带内的频率下的第2发送滤波器33的公共端子2侧的声路径电流的密度。C0TX2是第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的阻尼电容C0的电容。I1RX1是第1通带内的频率下的第1接收滤波器32的公共端子2侧的声路径电流的密度。I2RX1是第2通带内的频率下的第1接收滤波器32的公共端子2侧的声路径电流的密度。C0RX1是第1接收滤波器32中的特定的谐振器4A的阻尼电容C0的电容。I1RX2是第1通带内的频率下的第2接收滤波器34的公共端子2侧的声路径电流的密度。I2RX2是第2通带内的频率下的第2接收滤波器34的公共端子2侧的声路径电流的密度。C0RX2是第2接收滤波器34中的特定的谐振器4A的阻尼电容C0的电容。
在多工器1中，如上所述，第1发送滤波器31的IMD3的电平以及第2发送滤波器33的IMD3的电平大于其它滤波器3的IMD3的电平，也就是说，大于第1接收滤波器32的IMD3的电平以及第2接收滤波器34的IMD3的电平。因此，多工器1满足第3条件以及第4条件。
第3条件是如下的条件：
(I1Tx1)2·(I2Tx1)·C0Tx1＞(I1Rx1)2·(I2Rx1)·C0Rx1。
第4条件是如下的条件：
(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2＞(I1Rx1)2·(I2Rx1)·C0Rx1。
关于滤波器3的IMD3，多数情况下最靠近公共端子2的谐振器4成为支配性的主要原因。在实施方式1涉及的多工器1的情况下，第1发送滤波器31的特定的谐振器4A的IMD3的电平以及第2发送滤波器33的特定的谐振器4A的IMD3的电平大于其它滤波器3(第1接收滤波器32以及第2接收滤波器34)的特定的谐振器4A的IMD3的电平。因此，在实施方式1涉及的多工器1的情况下，多数情况下第1发送滤波器31的特定的谐振器4A的IMD3以及第2发送滤波器33的特定的谐振器4A的IMD3成为支配性的主要原因。因此，在第1发送滤波器31的特定的谐振器4A和第2发送滤波器33的特定的谐振器4A中，如果IMD3的相位成为180°±90°(±90°表示-90°至+90°。因此，IMD3的相位为90°以上且270°以下的值)，则能够改善作为多工器1整体的IMD3。如果IMD3电平大致相同，则能够进一步改善作为多工器1整体的IMD3。
在多工器1中，如果来自IMD的两个产生源的IMD的产生电平为相同程度且相位大致相反(错开180°)，则IMD彼此被抵消而变得几乎观察不到。第1发送滤波器31的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的IMD3的电平和第2发送滤波器33的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的IMD3的电平相对于频率变化的倾向相似，因此如果能够调整IMD3的电平，并使相位大致相反，则能够降低IMD3。在实施方式1涉及的多工器1中，例如，通过在第1发送滤波器31的特定的谐振器4A和第2发送滤波器33的特定的谐振器4A中改变阻尼电容C0的电容，从而改变IMD3的电平。如果增大阻尼电容C0的电容，则IMD3的电平变小，如果减小阻尼电容C0的电容，则IMD3的电平变大。关于IMD3的电平，若假设在第1发送滤波器31和第2发送滤波器33中彼此的特定的谐振器4A的阻尼电容C0的电容相同，则第1发送滤波器31和第2发送滤波器33之中被输入大的功率的第1发送滤波器31的特定的谐振器4A变得大于第2发送滤波器33的特定的谐振器4A。因此，例如，通过使第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容大于第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容，从而能够在第1发送滤波器31的特定的谐振器4A和第2发送滤波器33的特定的谐振器4A中使IMD3的电平一致(减小IMD3的电平之差)。将各滤波器3的特定的谐振器4A的阻尼电容C0的电容的一个例子示于表1。
[表1]
Figure BDA0003765448310000201
在表1中，B66Tx表示第2发送滤波器33，B25Tx表示第1发送滤波器31，B25Rx表示第1接收滤波器32，B66Rx表示第2接收滤波器34。此外，在表1中，S34表示串联臂谐振器S34，P14表示并联臂谐振器P14，S24表示串联臂谐振器S24，S44表示串联臂谐振器S44。此外，在表1中，面积表示第1电极指53和第2电极指54的交叉宽度(第3方向D3上的交叉区域55的宽度W55)与第1电极指53和第2电极指54的对数之积。也就是说，表1的面积的大小关系与交叉区域55的面积的大小关系相同。
根据表1可知，第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容为2.352pF，相对于此，第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容成为1.932pF。
图12是将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容设为第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容的1.5倍的情况下的IMD3的电平的频率特性图。根据图12可知，在第2发送滤波器33的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)和第1发送滤波器31的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)中，能够使IMD3的大小大致相同。由此，在多工器1中，多个滤波器3中的IMD3的电平大的两个滤波器3的IMD3被抵消，总的IMD3的电平变小。
IMD的相位能够通过与多个滤波器3一对一地对应且连接在多个滤波器3与公共端子2之间的多个移相电路8进行调整。在各滤波器3的特定的谐振器4A中产生的IMD3通过移相电路8到达在第3通带中包含产生IMD3的频带的第1接收滤波器32，因此通过在各滤波器3与公共端子2之间设置移相电路8，从而能够改变IMD3的相位。移相电路8也可以是电感器或电容器、或者组合了电感器和电容器的电路、或者布线(传输线路)。各移相电路8是为了从对应的滤波器3到公共端子2对IMD3的相位进行调整而设置的，但是未必一定要设置。不过，在多工器1中，优选设置有第1发送滤波器31与公共端子2之间的第1移相电路81。这是因为，第1发送滤波器31是多个滤波器3之中被输入最强的功率的滤波器3，且对IMD3的影响也大，因此也容易进行基于相位调整的IMD3的调整。
(1.5)特定的谐振器的构造
在实施方式1涉及的多工器1中，如上所述，第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容小于第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容。
图13A是第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的俯视图，图13B是第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S44)的俯视图。在第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(图13B)中，与第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(图13A)相比，第1电极指53和第2电极指54的交叉宽度小，交叉区域55的面积小。由此，变得容易使第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容小于第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容。
(2)总结
实施方式1涉及的多工器1具备公共端子2和多个滤波器3。多个滤波器3与公共端子2连接。多个滤波器3各自具有多个谐振器4。多个滤波器3包含第1发送滤波器31和第2发送滤波器33。第1发送滤波器31具有第1通带。第2发送滤波器33具有与第1通带不同的第2通带。第1通带的中心频率比第2通带的中心频率高。在多工器1中，在多个滤波器3各自中将多个谐振器4之中特定的谐振器4A的等效电路用等效电阻Rm、等效电感器Lm以及等效电容Cm的串联电路、和阻尼电容C0的并联电路表示时，若将流过阻尼电容C0的电流设为声路径电流Iac，则在将第1通带内的频率下的第1发送滤波器31的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ1Tx1，将第2通带内的频率下的第1发送滤波器31的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ2Tx1，将第1通带内的频率下的第2发送滤波器33的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ1Tx2，将第2通带内的频率下的第2发送滤波器33的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ2Tx2的情况下，多工器1满足第1条件或第2条件。第1条件是如下的条件：|(2·θ1Tx1-θ2Tx1)-(2·θ1Tx2-θ2Tx2)|＝180°±90°。第2条件是如下的条件：|(2·θ2Tx1-θ1Tx1)-(2·θ2Tx2-θ1Tx2)|＝180°±90°。
在实施方式1涉及的多工器1中，能够抑制IMD的产生。由此，在实施方式1涉及的多工器1中，能够抑制第1接收滤波器32的接收灵敏度的下降。在实施方式1涉及的多工器1中，例如，在第1发送滤波器31和第2发送滤波器33中IMD3的电平相同的情况下，如果第1发送滤波器31的IMD3的相位与第2发送滤波器33的IMD3的相位之差为180°，则第1发送滤波器31的IMD3和第2发送滤波器33的IMD3被抵消。此外，并不限于第1发送滤波器31的IMD3的相位与第2发送滤波器33的IMD3的相位之差为180°的情况，只要是90°以上且270°的范围，就能够减小总的IMD3的电平。
(3)变形例
(3.1)变形例1
实施方式1的变形例1涉及的多工器1的电路结构与实施方式1涉及的多工器1(参照图1以及6)的电路结构相同，因此省略图示以及说明。以下，参照图14A以及14B对变形例1涉及的多工器1进行说明。
图14A是第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的俯视图，图14B是第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的俯视图。在第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(图14B)中，与第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(图14A)相比，第1电极指53和第2电极指54的对数少，交叉区域55的面积小。由此，与第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容相比，能够减小第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容。
此外，即使将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容和第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容设为相同，通过使并联臂谐振器P14的面积大于串联臂谐振器S34的面积，从而也能够减小并联臂谐振器P14的功率密度，能够减小IMD3的电平。
(3.2)变形例2
实施方式1的变形例2涉及的多工器1的电路结构与实施方式1涉及的多工器1(参照图1以及6)的电路结构大致相同，因此省略图示以及说明。以下，参照图15A、15B、16A以及16B对变形例1涉及的多工器1进行说明。
图15A是由三个分割谐振器401构成了第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的电路图，图15B是第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的俯视图。在此，三个分割谐振器401是对特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)进行了分割的谐振器，相互之间不经由其它谐振器4且不经由与包含其它谐振器4的路径的连接节点而串联地连接。图16A是由两个分割谐振器401构成了第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的电路图，图16B是第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的俯视图。在此，两个分割谐振器401是对特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)进行了分割的谐振器，相互之间不经由其它谐振器4且不经由与包含其它谐振器4的路径的连接节点而串联地连接。图15B的特定的谐振器4A的面积是三个交叉区域55的面积的合计面积。图16B的特定的谐振器4A的面积是两个交叉区域55的面积的合计面积。在图15B以及图16B中，各分割谐振器401的交叉区域55的面积相同。
在实施方式1的变形例2涉及的多工器1中，即使将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容和第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容设为相同，通过使并联臂谐振器P14的面积大于串联臂谐振器S44的面积，从而也能够减小并联臂谐振器P14的功率密度，能够减小IMD3的电平。特定的谐振器4中的多个分割谐振器401优选交叉区域55的面积相互相同，但是并不限于此，也可以是交叉区域55的面积大致相同。
在实施方式1的变形例2涉及的多工器1中，只要第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的分割数比第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的分割数多即可，第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的分割数以及第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的分割数没有特别限定。
(3.3)变形例3
实施方式1的变形例3涉及的多工器1的电路结构与实施方式1涉及的多工器1(参照图1以及6)的电路结构相同，因此省略图示以及说明。以下，参照图17A以及17B对变形例1涉及的多工器1进行说明。
图17A是第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的俯视图，图17B是第1接收滤波器32中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的俯视图。关于第1接收滤波器32中的特定的谐振器4A(图17B)，将第2方向D2上的第1电极指53的宽度设为W12，并将在第2方向D2上相邻的第1电极指53与第2电极指54之间的间隔设为G12，此时的占空比＝W12/(W12+G12)，关于第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(图17A)，将第2方向D2上的第1电极指53的宽度设为W11，并将在第2方向D2上相邻的第1电极指53与第2电极指54之间的间隔设为G11，此时的占空比＝W11/(W11+G11)，占空比＝W12/(W12+G12)小于占空比＝W11/(W11+G11)。由此，与第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容相比，能够减小第1接收滤波器32中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容。
虽然在实施方式1的变形例3涉及的多工器1中，将第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的占空比设为0.3，并将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的占空比设为0.5，但是这些值是一个例子，并不限定于这些值。虽然在实施方式1的变形例3涉及的多工器1中，第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的占空比小于第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的占空比，但是并不限于此。第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的占空比也可以大于第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A的占空比。在该情况下，通过增大第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A的占空比，从而能够增大第2发送滤波器33的IMD3的电平。由此，容易减小第2发送滤波器33的IMD3的电平与第1发送滤波器31的IMD3的电平之差，容易发挥出IMD3彼此的抵消效果。
(实施方式2)
实施方式2涉及的多工器1的电路结构与实施方式1涉及的多工器1(参照图1以及6)的电路结构相同，因此省略图示以及说明。以下，参照图18A以及18B对实施方式2涉及的多工器1进行说明。
在实施方式2涉及的多工器1中，第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的IDT电极50的厚度H1(参照图18A)小于第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的IDT电极50的厚度H2(参照图18B)。由此，在实施方式2涉及的多工器1中，即使将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容和第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容设为相同，也能够减小IMD3的电平。
(实施方式3)
实施方式3涉及的多工器1的电路结构与实施方式1涉及的多工器1(参照图1以及6)的电路结构相同，因此省略图示以及说明。以下，参照图19A～19C对实施方式3涉及的多工器1进行说明。
在实施方式3涉及的多工器1中，将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的IDT电极50(参照图19A)设为多晶金属电极，将第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S44)的IDT电极50(参照图19C)设为金属的外延层。
例如，如图19A所示，并联臂谐振器P14的IDT电极50包含压电性基板40的第1主面41上的由第1多晶层构成的密接层501和密接层501上的由第2多晶层构成的主电极层502。第1多晶层例如为多晶Ti层。第2多晶层例如为多晶Al层。例如，如图19C所示，串联臂谐振器S34的IDT电极50包含压电性基板40的第1主面41上的由第1外延层构成的密接层511和密接层511上的由第2外延层构成的主电极层512。第1外延层例如为Ti外延层。第2外延层例如为Al外延层。压电性基板40是沿着Z轴极化的压电基板。如图19B所示，在使Ti外延层以及Al外延层生长之前的压电性基板40的第1主面41具有包含与Z轴方向正交的Z面411的凹凸构造(台阶状构造)。在图19B中，在压电性基板40的右侧图示了X轴、Y轴、以及Z轴。由Ti外延层构成的密接层511例如为如下的外延生长层，即，在压电性基板40的Z面411上向Z轴方向外延生长，使得作为晶体生长面的Ti(001)面与压电性基板40的Z面411平行。此外，由Al外延层构成的主电极层512是如下的外延生长层，即，在密接层511的表面上向Z轴方向外延生长，使得作为晶体生长面的Al(111)面与压电性基板40的Z面411以及Ti(001)面平行。因此，在串联臂谐振器S34的IDT电极50中，在压电性基板40上形成有由晶体方位取向在压电性基板40的Z轴方向的Al外延层构成的主电极层512。因此，串联臂谐振器S34的IDT电极50是在压电性基板40上形成为Al(111)面与压电性基板40的晶面平行的电极。换言之，在串联臂谐振器S34的IDT电极50中，主电极层512的与Al(111)面正交的〔111〕方向变得与压电性基板40的Z轴(c轴)平行。另一方面，由多晶Al层构成的主电极层502例如是不满足构成主电极层512的Al外延层的条件的多晶Al层。在此，在由多晶Al层构成的主电极层502中，例如，c轴或a轴或b轴中的任一者成为随机取向。
在实施方式3涉及的多工器1中，通过将并联臂谐振器P14的IDT电极50(参照图19A)设为多晶金属电极，并将串联臂谐振器S34的IDT电极50(参照图19B)设为金属的外延层，从而即使将第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的阻尼电容C0的电容和第2发送滤波器33中的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的阻尼电容C0的电容设为相同，也能够减小第1发送滤波器31中的IMD3的电平与第2发送滤波器33中的IMD3的电平之差。因而，在实施方式3涉及的多工器1中，能够减小IMD3的电平。
(实施方式4)
实施方式4涉及的多工器1的电路结构与实施方式1涉及的多工器1(参照图1以及6)的电路结构相同，因此省略图示以及说明。以下，参照图20A以及20B对实施方式3涉及的多工器1进行说明。
在实施方式4涉及的多工器1中，第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的IDT电极50(参照图20A)的材料包含Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料，第1发送滤波器31的特定的谐振器(并联臂谐振器P14)的IDT电极50中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比第2发送滤波器33的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的IDT电极50中的上述一种以上的材料的含有率高。Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W是杨氏模量比Al大的材料，在实施方式4涉及的多工器1中，能够减小由IDT电极50产生的失真。
例如，第1发送滤波器31中的特定的谐振器4A(并联臂谐振器P14)的IDT电极50例如包含压电性基板40的第1主面41上的Ti层和Ti层上的AlCu层。此外，第2发送滤波器33的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的IDT电极50包含压电性基板40的第1主面41上的Ti层和Ti层上的Al层。另外，在代替第2发送滤波器33的IDT电极50的Al层而采用AlCu层的情况下，只要使第1发送滤波器31的IDT电极50中的AlCu层的Cu的含有率比第2发送滤波器33的IDT电极50中的AlCu层的Cu的含有率高即可。此外，各IDT电极50也可以代替Ti层而具备例如Cr层。
在实施方式4涉及的多工器1中，如上所述，第1发送滤波器31的特定的谐振器(并联臂谐振器P14)的IDT电极50中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比第2发送滤波器33的特定的谐振器4A(串联臂谐振器S34)的IDT电极50中的上述一种以上的材料的含有率高。由此，在实施方式4涉及的多工器1中，能够更加抑制IMD的产生。
(实施方式5)
以下，参照图21对实施方式5涉及的多工器1a进行说明。关于实施方式5涉及的多工器1a，对于与实施方式1涉及的多工器1同样的构成要素，标注同一附图标记，并省略说明。
实施方式5涉及的多工器1a代替实施方式1涉及的多工器1中的第1接收滤波器32以及第2接收滤波器34而具备第1接收滤波器32a以及第2接收滤波器34a。
第1接收滤波器32a与第1接收滤波器32的不同点在于，在串联臂谐振器S23与并联臂谐振器P21之间具备纵向耦合型谐振器404。此外，第2接收滤波器34a与第2接收滤波器34的不同点在于，在作为特定的谐振器4A的串联臂谐振器S44与并联臂谐振器P41之间具备纵向耦合型谐振器402和纵向耦合型谐振器403的并联电路。
实施方式5涉及的多工器1a与实施方式1涉及的多工器1同样地，在将第1通带内的频率下的第1发送滤波器31的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ1Tx1，将第2通带内的频率下的第1发送滤波器31的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ2Tx1，将第1通带内的频率下的第2发送滤波器33的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ1Tx2，将第2通带内的频率下的第2发送滤波器33的公共端子2侧的声路径电流Iac的相位设为θ2Tx2的情况下，满足第1条件或第2条件。第1条件是如下的条件：|(2·θ1Tx1-θ2Tx1)-(2·θ1Tx2-θ2Tx2)|＝180°±90°。第2条件是如下的条件：|(2·θ2Tx1-θ1Tx1)-(2·θ2Tx2-θ1Tx2)|＝180°±90°。
在实施方式5涉及的多工器1a中，与实施方式1涉及的多工器1同样地，能够抑制IMD的产生。
上述的实施方式1及其变形例1～3、实施方式2～5只不过是本发明的各种各样的实施方式之一。只要能够达到本发明的目的，上述的实施方式1～5等也能够根据设计等而进行各种变更，且能够适当地进行组合。
此外，能够通过多工器1、1a来应对的双上行载波聚合的组合并不限于Band25的发送带和Band66的发送带的组合，例如，还能够应对Band8的发送带和Band20的发送带的组合、Band3的发送带和Band20的发送带的组合。
例如，在多工器1、1a中，多个移相电路8不是必需的构成要素，也可以是，多个滤波器3中的至少一个不经由移相电路8而与公共端子2连接。
此外，虽然多工器1、1a具备多个滤波器3，但是只要至少具备第1发送滤波器31和第2发送滤波器33即可。此外，多个滤波器3的数量并不限于三个或四个，也可以是五个以上。
此外，虽然在多工器1、1a中，多个滤波器3各自为利用声表面波的弹性波滤波器，但是并不限于此，例如，也可以是利用声边界波、板波等的弹性波滤波器。
在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自并不限于SAW谐振器，例如，也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)谐振器。
(方式)
在本说明书中公开了以下的方式。
第1方式涉及的多工器(1；1a)具备公共端子(2)和多个滤波器(3)。多个滤波器(3)与公共端子(2)连接。多个滤波器(3)各自具有多个谐振器(4)。多个滤波器(3)包含第1发送滤波器(31)和第2发送滤波器(33)。第1发送滤波器(31)具有第1通带。第2发送滤波器(33)具有与第1通带不同的第2通带。第1通带的中心频率比第2通带的中心频率高。在多工器(1；1a)中，在多个滤波器(3)各自中将多个谐振器(4)之中特定的谐振器(4A)的等效电路用等效电阻(Rm)、等效电感器(Lm)以及等效电容(Cm)的串联电路、和阻尼电容(C0)的并联电路表示时，若将流过阻尼电容(C0)的电流设为声路径电流(Iac)，则在将第1通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流(Iac)的相位设为θ1Tx1，将第2通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流(Iac)的相位设为θ2Tx1，将第1通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流(Iac)的相位设为θ1Tx2，将第2通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流(Iac)的相位设为θ2Tx2的情况下，多工器(1；1a)满足第1条件或第2条件。第1条件是如下的条件：|(2·θ1Tx1-θ2Tx1)-(2·θ1Tx2-θ2Tx2)|＝180°±90°。第2条件是如下的条件：|(2·θ2Tx1-θ1Tx1)-(2·θ2Tx2-θ1Tx2)|＝180°±90°。
在第1方式涉及的多工器(1；1a)中，能够抑制IMD的产生。
关于第2方式涉及的多工器(1；1a)，在第1方式中，多个滤波器(3)还包含第1接收滤波器(32；32a)。第1接收滤波器(32；32a)具有第3通带。第3通带包含：从第1通带内的频率的2倍的频率减去第2通带内的频率而求出的频率；或者，从第2通带内的频率的2倍的频率减去第1通带内的频率而求出的频率。
在第2方式涉及的多工器(1；1a)中，能够抑制在第3通带产生的IMD，能够抑制第1接收滤波器(32；32a)的接收灵敏度的下降。
关于第3方式涉及的多工器(1；1a)，在第2方式中，关于第1发送滤波器(31)，将第1通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的密度设为I1TX1，将第2通带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的密度设为I2TX1，将第1发送滤波器(31)中的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容设为C0TX1，关于第2发送滤波器(33)，将第1通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流的密度设为I1TX2，将第2通带内的频率下的第2发送滤波器(33)的公共端子(2)侧的声路径电流的密度设为I2TX2，将第2发送滤波器(33)中的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容设为C0TX2，关于第1接收滤波器(32；32a)，将第1通带内的频率下的第1接收滤波器(32；32a)的公共端子(2)侧的声路径电流的密度设为I1RX1，将第2通带内的频率下的第1接收滤波器(32；32a)的公共端子(2)侧的声路径电流的密度设为I2RX1，将第1接收滤波器(32；32a)中的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容设为C0RX1，在该情况下，多工器(1；1a)满足第3条件以及第4条件。
第3条件是如下的条件：
(I1Tx1)2·(I2Tx1)·C0Tx1＞(I1Rx1)2·(I2Rx1)·C0Rx1。
第4条件是如下的条件：
(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2＞(I1Rx1)2·(I2Rx1)·C0Rx1。
第3方式涉及的多工器(1；1a)能够抑制IMD的产生。
关于第4方式涉及的多工器(1；1a)，在第3方式中，在多个滤波器(3)各自中，多个谐振器(4)之中特定的谐振器(4A)是最靠近公共端子(2)的谐振器。I1Tx1是在第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)中在第1通带内的频率下流过的声路径电流的密度。I2Tx1是在第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)中在第2通带内的频率下流过的声路径电流的密度。I1Tx2是在第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)中在第1发送带内的频率下流过的声路径电流的密度。I2Tx2是在第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)中在第2通带内的频率下流过的声路径电流的密度。在多工器(1；1a)中，多个滤波器(3)中的第1发送滤波器(31)的IMD和第2发送滤波器(33)的IMD比多个滤波器(3)中的剩下的滤波器的IMD大。在多工器(1；1a)中，(I1Tx1)2·(I2Tx1)·C0Tx1是(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2的±75％以内的值，或者，(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2是(I1Tx1)2·(I2Tx1)·C0Tx1的±75％以内的值。
第4方式涉及的多工器(1；1a)能够更加抑制IMD的产生。
关于第5方式涉及的多工器(1；1a)，在第4方式中，第1发送滤波器(31)中的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容大于第2发送滤波器(33)中的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容。
在第5方式涉及的多工器(1；1a)中，能够更加抑制IMD的产生。
关于第6方式涉及的多工器(1；1a)，在第5方式中，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的面积大于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的面积。
在第6方式涉及的多工器(1；1a)中，能够更加抑制IMD的产生。
关于第7方式涉及的多工器(1a)，在第6方式中，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)包含串联连接的多个分割谐振器(401)。第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)包含串联连接的多个分割谐振器(401)。第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)包含的分割谐振器(401)的数量比第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)包含的分割谐振器(401)的数量多。
在第7方式涉及的多工器(1a)中，能够更加抑制IMD的产生。
第8方式涉及的多工器(1；1a)基于第1～第4方式中的任一方式。在多工器(1；1a)中，在多个滤波器(3)各自中，多个谐振器(4)之中特定的谐振器(4A)是最靠近公共端子(2)的谐振器(4)。第1发送滤波器(31)以及第2发送滤波器(33)各自为梯型滤波器，并作为多个谐振器(4)而包含多个串联臂谐振器(S11～S14以及S31～S34)和多个并联臂谐振器(P11～P14以及P31～P34)。在第1发送滤波器(31)中特定的谐振器(4A)是第1发送滤波器(31)的多个并联臂谐振器(P11～P14)中的一个并联臂谐振器(P14)，在第2发送滤波器(33)中特定的谐振器(4A)是第2发送滤波器(33)的多个串联臂谐振器(S31～S34)中的一个串联臂谐振器(S34)。在多工器(1；1a)中，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容大于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容。或者，在多工器(1；1a)中，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的面积大于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的面积。或者，在多工器(1；1a)中，包含于第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)且串联连接的多个分割谐振器(401)的数量比包含于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)且串联连接的多个分割谐振器(401)的数量多。或者，在多工器(1；1a)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)的占空比与第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)的占空比不同。或者，在多工器(1；1a)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)中的IDT电极(50)的厚度(H1)小于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)中的IDT电极(50)的厚度(H2)。或者，在多工器(1；1a)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)是多晶金属电极，第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)是金属的外延层电极。或者，在多工器(1；1a)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)的材料包含Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)中的上述一种以上的材料的含有率高。
在第8方式涉及的多工器(1；1a)中，能够更加抑制IMD的产生。
第9方式涉及的多工器(1)具备公共端子(2)和多个滤波器(3)。多个滤波器(3)与公共端子(2)连接。多个滤波器(3)各自具有多个谐振器(4)。多个滤波器(3)包含第1发送滤波器(31)和第2发送滤波器(33)。第1发送滤波器(31)具有第1通带。第2发送滤波器(33)具有与第1通带不同的第2通带。第1通带的中心频率比第2通带的中心频率高。在多个滤波器(3)各自中，将多个谐振器(4)之中最靠近公共端子(2)的谐振器设为特定的谐振器(4A)。第1发送滤波器(31)以及第2发送滤波器(33)各自为梯型滤波器，并作为多个谐振器(4)而包含多个串联臂谐振器(S11～S14以及S31～S34)和多个并联臂谐振器(P11～P14以及P31～P34)。在第1发送滤波器(31)中特定的谐振器(4A)是第1发送滤波器(31)的多个并联臂谐振器(P11～P14)中的一个并联臂谐振器(P14)，在第2发送滤波器(33)中特定的谐振器(4A)是第2发送滤波器(33)的多个串联臂谐振器(S31～S34)中的一个串联臂谐振器(S34)。在多工器(1)中，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容大于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的阻尼电容(C0)的电容。或者，在多工器(1)中，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的面积大于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的面积。或者，在多工器(1)中，包含于第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)且串联连接的多个分割谐振器(401)的数量比包含于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)且串联连接的多个分割谐振器(401)的数量多。或者，在多工器(1)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)的占空比与第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)的占空比不同。或者，在多工器(1)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)中的IDT电极(50)的厚度小于第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)中的IDT电极(50)的厚度。或者，在多工器(1)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)是多晶金属电极，第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)是金属的外延层电极。或者，在多工器(1)中，第1发送滤波器(31)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，并且第2发送滤波器(33)的多个谐振器(4)各自具有IDT电极(50)，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)的材料包含Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料，第1发送滤波器(31)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比第2发送滤波器(33)的特定的谐振器(4A)的IDT电极(50)中的一种以上的材料的含有率高。
在第9方式涉及的多工器(1)中，能够抑制IMD的产生。
关于第10方式涉及的多工器(1；1a)，在第1～第9方式中的任一方式中，还具备第1移相电路(81)和第2移相电路(83)。第1移相电路(81)连接在公共端子(2)与第1发送滤波器(31)之间。第2移相电路(83)连接在公共端子(2)与第2发送滤波器(33)之间。第1移相电路(81)的移相量的绝对值大于第2移相电路(83)的移相量的绝对值。
在第10方式涉及的多工器(1；1a)中，能够更加抑制IMD的产生。
附图标记说明
1、1a：多工器；
2：公共端子；
3：滤波器；
31：第1发送滤波器；
310：路径(串联臂路径)；
311：输入端子；
312：输出端子；
32、32a：第1接收滤波器；
320：路径(串联臂路径)；
321：输入端子；
322：输出端子；
33：第2发送滤波器；
330：路径(串联臂路径)；
331：输入端子；
332：输出端子；
34、34a：第2接收滤波器；
340：路径(串联臂路径)；
341：输入端子；
342：输出端子；
4：谐振器；
4A：特定的谐振器；
40：压电性基板；
41：第1主面；
42：第2主面；
43：声路径；
44：电路径；
401：分割谐振器；
402：纵向耦合型谐振器；
403：纵向耦合型谐振器；
404：纵向耦合型谐振器；
50：IDT电极；
51：第1汇流条；
52：第2汇流条；
53：第1电极指；
54：第2电极指；
55：交叉区域；
501：密接层；
502：主电极层；
511：密接层；
512：主电极层；
7：布线部；
71：第1布线部；
72：第2布线部；
8：移相电路；
81：第1移相电路；
82：第3移相电路；
83：第2移相电路；
84：第4移相电路；
D1：第1方向；
D2：第2方向；
D3：第3方向；
Cm：等效电容；
C0：阻尼电容；
C0TX1：电容；
C0TX2：电容；
G1、G11、G12：间隔；
H1：厚度；
H2：厚度；
Iac：电流(声路径电流)；
Ie：电流；
Iw：电流；
Lm：等效电感器；
N11～N14：节点；
N21～N24：节点；
N31～N34：节点；
N41～N44：节点；
P1：电极指间距；
P11～P14：并联臂谐振器；
P21～P24：并联臂谐振器；
P31～P34：并联臂谐振器；
P41～P44：并联臂谐振器；
Rm：等效电阻；
S11～S14：串联臂谐振器；
S21～S24：串联臂谐振器；
S31～S34：串联臂谐振器；
S41～S44：串联臂谐振器；
W1、W11、W12、W55：宽度；
Zac：阻抗；
Ze：阻抗；
Zw：阻抗。

Claims (10)

1.一种多工器，具备：
公共端子；以及
多个滤波器，与所述公共端子连接，并分别具有多个谐振器，
其中，
所述多个滤波器包含：
第1发送滤波器，具有第1通带；以及
第2发送滤波器，具有与所述第1通带不同的第2通带，
所述第1通带的中心频率比所述第2通带的中心频率高，
在所述多个滤波器各自中将所述多个谐振器之中特定的谐振器的等效电路用等效电阻、等效电感器及等效电容的串联电路、和阻尼电容的并联电路表示时，若将流过所述串联电路的电流设为声路径电流，则
在将所述第1通带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1Tx1，将所述第2通带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2Tx1，将所述第1通带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1Tx2，将所述第2通带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2Tx2的情况下，所述多工器满足第1条件或第2条件，
所述第1条件是如下的条件：
|(2·θ1Tx1-θ2Tx1)-(2·θ1Tx2-θ2Tx2)|＝180°±90°，
所述第2条件是如下的条件：
|(2·θ2Tx1-θ1Tx1)-(2·θ2Tx2-θ1Tx2)|＝180°±90°。
2.根据权利要求1所述的多工器，其中，
所述多个滤波器还包含：第1接收滤波器，具有第3通带，
所述第3通带包含：
从所述第1通带内的频率的2倍的频率减去所述第2通带内的频率而求出的频率；或者，
从所述第2通带内的频率的2倍的频率减去所述第1通带内的频率而求出的频率。
3.根据权利要求2所述的多工器，其中，
关于所述第1发送滤波器，
将所述第1通带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I1TX1，
将所述第2通带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2TX1，
将所述第1发送滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0TX1，
关于所述第2发送滤波器，
将所述第1通带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I1TX2，
将所述第2通带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2TX2，
将所述第2发送滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0TX2，
关于所述第1接收滤波器，
将所述第1通带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I1RX1，
将所述第2通带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2RX1，
将所述第1接收滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0RX1，在该情况下，
所述多工器满足第3条件以及第4条件，
所述第3条件是如下的条件：
(I1Tx1)2·(I2Tx1)·C0Tx1＞(I1Rx1)2·(I2Rx1)·C0Rx1，
所述第4条件是如下的条件：
(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2＞(I1Rx1)2·(I2Rx1)·C0Rx1。
4.根据权利要求3所述的多工器，其中，
在所述多个滤波器各自中，所述多个谐振器之中所述特定的谐振器是最靠近所述公共端子的谐振器，
所述I1Tx1是在所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中在所述第1通带内的频率下流过的声路径电流的密度，
所述I2Tx1是在所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中在所述第2通带内的频率下流过的声路径电流的密度，
所述I1Tx2是在所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器中在所述第1通带内的频率下流过的声路径电流的密度，
所述I2Tx2是在所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器中在所述第2通带内的频率下流过的声路径电流的密度，
在所述多工器中，所述多个滤波器中的所述第1发送滤波器的IMD和所述第2发送滤波器的IMD大于所述多个滤波器中的剩下的滤波器的IMD，
在所述多工器中，
(I1Tx1)2·(I2Tx1)·C0Tx1是(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2的±75％以内的值，
或者，(I1Tx2)2·(I2Tx2)·C0Tx2是(11Tx1)2·(12Tx1)·C0Tx1的±75％以内的值。
5.根据权利要求4所述的多工器，其中，
所述第1发送滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容大于所述第2发送滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容。
6.根据权利要求5所述的多工器，其中，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的面积大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的面积。
7.根据权利要求6所述的多工器，其中，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器包含串联连接的多个分割谐振器，
所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器包含串联连接的多个分割谐振器，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器包含的分割谐振器的数量比所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器包含的分割谐振器的数量多。
8.根据权利要求1～4中的任一项所述的多工器，其中，
在所述多个滤波器各自中，所述多个谐振器之中所述特定的谐振器是最靠近所述公共端子的谐振器，
所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器各自为梯型滤波器，并作为所述多个谐振器而包含多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，
在所述第1发送滤波器中，所述特定的谐振器是所述第1发送滤波器的所述多个并联臂谐振器中的一个并联臂谐振器，在所述第2发送滤波器中，所述特定的谐振器是所述第2发送滤波器的所述多个串联臂谐振器中的一个串联臂谐振器，
在所述多工器中，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容，
或者，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的面积大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的面积，
或者，包含于所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量比包含于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量多，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比与所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比不同，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度小于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是多晶金属电极，
所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是金属的外延层电极，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极的材料包含Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极中的所述一种以上的材料的含有率高。
9.一种多工器，具备：
公共端子；以及
多个滤波器，与所述公共端子连接，并分别具有多个谐振器，
其中，
所述多个滤波器包含：
第1发送滤波器，具有第1通带；以及
第2发送滤波器，具有与所述第1通带不同的第2通带，
所述第1通带的中心频率比所述第2通带的中心频率高，
在所述多个滤波器各自中，将所述多个谐振器之中最靠近所述公共端子的谐振器设为特定的谐振器，
所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器各自为梯型滤波器，并作为所述多个谐振器而包含多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，
在所述第1发送滤波器中，所述特定的谐振器是所述第1发送滤波器的所述多个并联臂谐振器中的一个并联臂谐振器，在所述第2发送滤波器中，所述特定的谐振器是所述第2发送滤波器的所述多个串联臂谐振器中的一个串联臂谐振器，
在所述多工器中，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容，
或者，所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的面积大于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的面积，
或者，包含于所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量比包含于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量多，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比与所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比不同，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度小于所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是多晶金属电极，
所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是金属的外延层电极，
或者，所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，并且所述第2发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极的材料包含Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料，
所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极中的Pt、Mo、Au、Ag、Cu、W中的一种以上的材料的含有率比所述第2发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极中的所述一种以上的材料的含有率高。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的多工器，其中，
还具备：
第1移相电路，连接在所述公共端子与所述第1发送滤波器之间；以及
第2移相电路，连接在所述公共端子与所述第2发送滤波器之间，
所述第1移相电路的移相量的绝对值大于所述第2移相电路的移相量的绝对值。
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