CN115001117A - 一种充电电路、电池模组、电池和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种充电电路，包括充电正极、充电负极、充电集成电路模块和第一保护模块；其中第一保护模块的第一端与充电负极连接，第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第三端接地，充电集成电路模块的第二端与充电正极连接。第一保护模块用于在目标充电状态下，处于第一工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间形成电流回路，并且用于在非目标充电状态下，处于第二工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间，以及充电负极与地之间，以及充电正极与地之间无法形成电流回路。由此，在非目标充电状态下，可以避免电流倒灌问题，以及减小或者避免电路漏电影响。本申请还提供了一种电池模组、电池和电子设备。

Description

一种充电电路、电池模组、电池和电子设备

技术领域

本申请涉及电子产品技术领域，特别涉及一种充电电路、电池模组、电池和电子设备。

背景技术

随着电子设备的发展，电子设备能够支持的功能越来越多。例如，当前一些手表等电子设备已经具备心电图（electrocardiogram，ECG）检测等人体生物信号测试功能。手表通常通过在表盘底部设置例如心电检测正极，在表盘侧壁设置心电检测负极的方式，实现心电检测电极的设置。用户在使用手表进行ECG检测的时候，只需要将手表佩戴在手腕上，使手表设置有心电检测正极的表盘底部紧贴皮肤，用户的另一只手放在手表的心电检测负极上，就能实现ECG检测。

但是，当前的手表通常为可充电手表，并且手表的充电电极也通常设置在表盘底部，并且与心电检测正极之间的位置通常离的比较近。因此，手表在进行ECG检测的时候，心电检测正极与充电电极之间很容易产生漏电现象，形成阻抗小于正常测试的漏电回路，导致ECG检测结果不准确。

并且，手表在充电的时候，若外部充电器的充电正负极与手表的充电正负极反接，会从手表的充电负极向充电正极形成逆向倒灌电流，逆向倒灌电流会对电路中的电芯以及其他电子元器件造成损坏，影响手表功能。

发明内容

本申请提供了一种充电电路、电池模组、电池和电子设备，用于解决现有技术中存在的前述问题。即，在用户使用电子设备进行ECG检测的时候，可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了ECG检测结果的准确性。并且，在充电电极反接的时候，也可以阻止电流从充电负极流向充电正极，可以避免或者减轻电流倒灌问题，从而可以避免或者减轻电子设备中的电芯以及其他电子元器件由于电流倒灌被损坏的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请的实施方式提供了一种充电电路，充电电路包括充电正极、充电负极、充电集成电路模块和第一保护模块；其中第一保护模块的第一端与充电负极连接，第一保护模块的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第一保护模块的第三端接地，充电集成电路模块的第二端与充电正极连接。第一保护模块用于在目标充电状态下，处于第一工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间形成电流回路，并且第一保护模块用于在非目标充电状态下，处于第二工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向充电集成电路模块，以使充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向地，以及以使充电正极、充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自充电正极的电流流向地。

充电电路中设置的第一保护模块，处于第一工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间形成电流回路，可以保证正常充电。

充电电路中设置的第一保护模块，在非目标充电状态下，处于第二工作状态，能够使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间无法形成电流回路，防止来自于充电负极的电流流向充电集成电路模块，以使充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向地，以及以使充电正极、充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自充电正极的电流流向地。由此，只要不是在目标充电状态，电路中均不会形成从充电负极流向充电集成电路模块的电流，以及从充电负极流向地的电流，以及从充电正极流向地的电流。

因此，例如即使外部充电器的正负极与充电电路包括的充电正极和充电负极反接，也不会有从充电负极流向充电集成电路模块的电流，能够避免由于电路反接引起的电流倒灌问题，可以避免或者减轻电子设备中的电芯以及其他电子元器件由于电流倒灌被损坏的问题。

并且，例如在前述ECG检测的时候，心电检测正极与充电电极之间产生漏电现象的场景中，本实施方式中的第一保护模块可以在充电负极与地之间形成高阻状态，即可以使得充电负极与地之间无法形成电流回路或者放电回路，可以防止心电检测正极通过充电负极向地放电，即可以避免漏电产生的电流从充电负极流向地。如此，可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了ECG检测结果的准确性。

另外，还可以在充电正极与地之间形成高阻状态，即可以使得充电正极与地之间无法形成电流回路或者放电回路，可以防止心电检测正极通过充电正极向地放电，即可以避免漏电产生的电流从充电正极流向地。如此，也可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了ECG检测结果的准确性。

当然，本实施方式提供的充电电路，也可以应用于其他需要避免或者减小漏电影响的场景中。

该充电电路可以应用于电池模组、电池或者电子设备中，实现相应产品的充电功能。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第一保护模块包括第一保护单元，第一保护单元的第一端与充电负极连接，第一保护单元的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第一保护单元的第三端接地，以防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块。

第一保护单元能够防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块，因此，只要不是在目标充电状态，电路中均不会形成从充电负极流向充电集成电路模块的电流。例如，即使外部充电器的正负极与充电电路包括的充电正极和充电负极反接，也不会有从充电负极流向充电集成电路模块的电流，能够避免由于电路反接引起的电流倒灌问题，可以避免或者减轻电子设备中的电芯以及其他电子元器件由于电流倒灌被损坏的问题。另外，还可以避免或者减小前述的漏电现象引起的检测不准确等问题。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第一保护单元包括N型金属氧化物半导体晶体管，N型金属氧化物半导体晶体管的漏极作为第一保护单元的第一端与充电负极连接，N型金属氧化物半导体晶体管的栅极作为第一保护单元的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，N型金属氧化物半导体晶体管的源极作为第一保护单元的第三端接地。

N型金属氧化物半导体晶体管是电压控制元件，只要栅极的电压大于一定值（即大于导通阈值电压），便能导通，适合于源极接地的情况。因此，将N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与充电集成电路模块的第一端连接，漏极与充电负极连接。只有当充电电路正常充电（即在目标充电状态下）的时候，N型金属氧化物半导体晶体管的栅极才有足够的电压（例如可以为5V）使得N型金属氧化物半导体晶体管导通。在非目标充电状态，例如可以为未进行充电，也可以为充电电极反接的情况，这种情况下，N型金属氧化物半导体晶体管的栅极由于不存在足够使其导通的电压（例如可以为5V），N型金属氧化物半导体晶体管不会导通。因此，可以防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块，防止电流倒灌。即，采用N型金属氧化物半导体晶体管，能够更好地实现防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块的功能。另外，该N型金属氧化物半导体晶体管具体可以是N沟道增强型场效应晶体管。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第一保护单元还包括晶体二极管，晶体二极管的负极与N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接作为第一保护单元的第一端与充电负极连接，晶体二极管的正极与N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接作为第一保护单元的第三端接地。

晶体二极管只能允许电流单向通过，因此，第一保护单元中的晶体二极管，设置在充电负极和充电集成电路模块之间，也能够防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块，即可以有效地防止电流倒灌的问题。并且，晶体二极管设置在充电负极和地之间，可以在非目标充电状态下，使得充电负极与地之间形成高阻状态，即可以使得充电负极与地之间无法形成电流回路或者放电回路，可以防止心电检测正极通过充电负极向地放电，即可以避免漏电产生的电流从充电负极流向地。如此，可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了例如前述ECG检测结果的准确性。

当然，在本申请的另一些实施方式中，第一保护单元还可以包括其他的部件，其可以根据需要选择和设置。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第一保护模块还包括第二保护单元，第二保护单元的第一端分别与第一保护单元的第一端和充电负极连接，第二保护单元的第二端与第一保护单元的第三端连接并接地。

通过设置第二保护单元，能够更好地起到保护作用，例如保护电路中的电子元器件以避免损坏。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第二保护单元包括双向瞬变抑制二极管，双向瞬变抑制二极管的第一极作为第二保护单元的第一端分别与第一保护单元的第一端和充电负极连接，双向瞬变抑制二极管的第二极作为第二保护单元的第二端与第一保护单元的第三端连接并接地。

双向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过双向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

当然，在本申请的另一些实施方式中，第二保护单元还可以包括其他的部件，其可以根据需要选择和设置。

在上述第一方面的一种可能的实现中，在目标充电状态下，若充电集成电路模块的第一端满足预设条件，则第一保护模块处于第一工作状态，电流从充电正极流向充电集成电路模块的第二端，接着经过充电集成电路模块的第一端流向充电负极，使得充电正极和充电负极之间形成正常的电流回路。在非目标充电状态下，若充电集成电路模块的第一端不满足预设条件，则第一保护模块处于第二工作状态，使得电流无法从充电负极流向充电集成电路模块的第一端，可以避免电流倒灌问题，以及使得电流无法从充电正极和充电负极流向地，可以避免例如前述漏电电流通过充电正极和充电负极对地放电，影响电子设备的ECG测试等其他功能。该预设条件例如可以是充电集成电路模块的第一端的电压到达预设值，该预设值例如可以是前述N型金属氧化物半导体晶体管的导通阈值电压，例如可以是5V。

如此，可以使得充电集成电路模块在预设条件下，能实现正常充电，在非预设条件下，可以避免电流倒灌的问题，以及可以避免其他情况下来自充电负极的电流流向充电集成电路模块，以及形成电流回路，影响电子设备的相关性能。以及可以避免电流倒灌问题，以及使得电流无法从充电正极和充电负极流向地，可以避免例如前述漏电电流通过充电正极和充电负极对地放电，影响电子设备的ECG测试等其他功能

当然，在本申请的另一些实施方式中，第一保护模块还可以包括其他的部件，其可以根据需要选择和设置。

在本申请的另一些实施方式中，目标充电状态为外部充电器的正负极与充电正负极正接，即外部充电器的正极与充电正极连接，且外部充电器的负极与充电负极连接的充电状态。非目标充电状态为外部充电器的正负极与充电正负极反接状态（即外部充电器的正极与充电负极连接，且外部充电器的负极与充电正极连接）、ECG测试状态等。当然，目标充电状态和非目标充电状态也可以是其他状态，其可以根据需要设置。

在上述第一方面的一种可能的实现中，充电电路还包括第二保护模块，第二保护模块的第一端分别与充电集成电路模块的第二端和充电正极连接，第二保护模块的第二端接地。

通过设置第二保护模块，能够更好地保护电路中的相关电子元器件。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第二保护模块包括单向瞬变抑制二极管，单向瞬变抑制二极管的负极作为第二保护模块的第一端分别与充电集成电路模块的第二端和充电正极连接，单向瞬变抑制二极管的正极作为第二保护模块的第二端接地。

单向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过单向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

当然，在本申请的另一些实施方式中，第二保护模块还可以包括其他的部件，其可以根据需要选择和设置。

第二方面，本申请的实施方式提供了一种电池模组，电池模组包括电池基板，以及通过电池基板设置的如上第一方面描述的充电电路。

当然，在本申请的另一些实施方式中，该电池模组还可以包括其他的部件，其可以根据需要选择和设置。

第三方面，本申请的实施方式提供了一种电池，包括封装壳体和如上第二方面描述的电池模组，电池模组封装在封装壳体内。

当然，在本申请的另一些实施方式中，该电池还可以包括其他的部件，其可以根据需要选择和设置。

第四方面，本申请的实施方式提供了一种电子设备，包括如上第一方面描述的充电电路，或者如上第二方面描述的电池模组，或者如上第三方面描述的电池。

当然，在本申请的另一些实施方式中，该电池还可以包括其他的例如显示屏、处理器等部件，其可以根据需要选择和设置。

可以理解的是，上述第二方面至第四方面的有益效果也可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所使用的附图作简单介绍。

图1A是根据本申请的一些实施例，示出的一种手表的正视图；

图1B是根据本申请的一些实施例，示出的一种手表的后视图；

图2是根据本申请的一些实施例，示出的一种使用手表进行ECG检测的过程中电流的流向示意图；

图3A是根据本申请的一些实施例，示出的一种充电电路的结构示意图；

图3B是根据本申请的一些实施例，示出的图3A所示的充电电路的一种电流流向示意图；

图3C是根据本申请的一些实施例，示出的图3A所示的充电电路的另一种电流流向示意图；

图4A是根据本申请的一些实施例，示出的对用户1使用标准心电图测试仪器进行ECG检测，得到的一组心电图的波形示意图；

图4B是根据本申请的一些实施例，示出的对用户1使用标准心电图测试仪器进行ECG检测，得到的另一组心电图的波形示意图；

图4C是根据本申请的一些实施例，示出的对用户1使用现有的手表进行ECG检测，得到的一组心电图的波形示意图；

图4D是根据本申请的一些实施例，示出的对用户1使用现有的手表进行ECG检测，得到的另一组心电图的波形示意图；

图4E是根据本申请的一些实施例，示出的对用户1使用本申请实施例提供的手表进行ECG检测，得到的一组心电图的波形示意图；

图4F是根据本申请的一些实施例，示出的对用户1使用本申请实施例提供的手表进行ECG检测，得到的另一组心电图的波形示意图；

图5A是根据本申请的一些实施例，示出的对用户2使用标准心电图测试仪器进行ECG检测，得到的一组心电图的波形示意图；

图5B是根据本申请的一些实施例，示出的对用户2使用标准心电图测试仪器进行ECG检测，得到的另一组心电图的波形示意图；

图5C是根据本申请的一些实施例，示出的对用户2使用现有的手表进行ECG检测，得到的一组心电图的波形示意图；

图5D是根据本申请的一些实施例，示出的对用户2使用现有的手表进行ECG检测，得到的另一组心电图的波形示意图；

图5E是根据本申请的一些实施例，示出的对用户2使用本申请实施例提供的手表进行ECG检测，得到的一组心电图的波形示意图；

图5F是根据本申请的一些实施例，示出的对用户2使用本申请实施例提供的手表进行ECG检测，得到的另一组心电图的波形示意图；

图6是根据本申请的一些实施例，示出的另一种充电电路的结构示意图；

图7是根据本申请的一些实施例，示出的又一种充电电路的结构示意图；

图8是根据本申请的一些实施例，示出的再一种充电电路的结构示意图；

图9是根据本申请的一些实施例，示出的一种电池模组的结构示意图；

图10是根据本申请的一些实施例，示出的一种电池的结构示意图；

图11是根据本申请的一些实施例，示出的一种手表的结构示意图；

图12是根据本申请的一些实施例，示出的一种心电检测电路与人体的连接示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的实施方式作进一步地详细描述。

本申请以可以进行充电的手表（也可以称为可充电手表）作为电子设备的一种示例。请参见图1A和图1B，图1A所示为一种手表的正视图，图1B所示为一种手表的后视图，该手表具有ECG检测功能（也可以称为ECG监测功能）。

如图1A所示，手表表盘（或者表冠）的侧边上设置有心电检测负极（也可以称为ECGN）。在进行ECG检测的时候，心电检测负极用于与用户的例如右手手指接触。进行ECG检测时，手表的表盘上还可以显示用户的心电曲线，以及心率、脉搏等信息。

如图1B所示，手表表盘的后壳上设置有心电检测正极（也可以称为ECGP）。在进行ECG检测的时候，用户将手表佩戴在例如左手上，心电检测正极用于与用户的手腕部皮肤接触。

另外，手表表盘的后壳上还设置有右腿驱动电极（Right Leg Drive，RLD），在进行ECG检测的时候，右腿驱动电极用于与用户的手腕部皮肤接触，以减小或者抵消心电检测正极和心电检测负极之间的共模干扰。

进一步地，手表表盘的后壳上还设置有充电正极（即充电正极输入，例如pogo_pin+）和充电负极（即充电负极输入，例如pogo_pin-）。充电正极和充电负极用于与外部充电器的正负极连接，以进行充电。

如图1B所示，心电检测正极相距充电正极和充电负极都比较近。

请参见图2，图2为用户使用手表进行ECG检测的时候，电流流经人体的示意图。在用户进行ECG检测的时候，用户将手表佩戴在手腕（例如左手手腕）上，使手表的后壳（即安装有心电检测正极的一侧）直接接触手腕处的皮肤，并且由手表的心电检测正极给出一个电压，例如V1。用户另一只手（例如右手）的手指按压在手表上的心电检测负极处，如此，经过心电检测正极流出的电流便能通过用户身体，形成从用户身体的一只手通过用户身体流经心脏后通过另一只手回到手表的心电检测负极的检测回路或者测试回路，对用户身体的心脏功能进行检测得到心电信号，显示在手表表盘的显示界面上，以用于用户查看。

进一步地，如前所述，由于心电检测正极和充电负极，以及心电检测正极和充电正极之间距离较近，而且通常没有采取一定的隔离措施，且使用手表进行ECG检测的过程，是佩戴测试，因此会形成如图2带箭头的虚线所示的，从心电检测正极到充电正极的漏电现象（即漏电电流），以及从心电检测正极到充电负极的漏电现象（即漏电电流）。从心电检测正极到充电负极的漏电现象，会使心电检测正极通过充电负极与地之间形成漏电回路（也可以称为放电回路，或者电流回路），即会形成心电检测正极到充电负极之间的一个阻抗小于正常测试回路的漏电回路。使得ECG测试过程中，通过人体的电流发生变化，小于正常电流，从而会导致用户的ECG测试结果或者测量结果不准确，影响用户体验。以及，从心电检测正极到充电正极的漏电现象，也会使心电检测正极通过充电正极与地之间形成漏电回路（也可以称为放电回路，或者电流回路），即也会形成心电检测正极到充电负极之间的一个阻抗小于正常测试回路的漏电回路。使得ECG测试过程中，通过人体的电流发生变化，小于正常电流，从而会导致用户的ECG测试结果不准确，影响用户体验。

并且，在通过充电正极和充电负极例如进行有线充电的充电过程中，如果外部充电器的正负极与充电正极和充电负极发生了电极反接问题，也会形成从充电负极到充电集成电路模块（例如BUCK_charger）的逆向倒灌电流，逆向倒灌电流会对电路中的电芯等电子元器件造成不可逆转的损坏或者影响。

为了解决上述问题，本申请的一种实施方式提供了一种充电电路。请参见图3A，该充电电路包括充电正极（例如pogo_pin+）、充电集成电路模块（例如BUCK_charger）、N型金属氧化物半导体晶体管（N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS，也即N-MOS，以下简称为N-MOS晶体管）、晶体二极管（也可以称为单体二极管，或者体二极管）、充电负极（例如pogo_pin-）。其中，充电集成电路模块是手表的充电集成电路（Integrated Circuit，IC），可以包括充电IC相关的各类电路元器件，另外，还可以包括电芯等，充电集成电路模块包括第一端（例如REGN）和第二端（例如Vbus）。

本实施方式中，N-MOS晶体管的栅极（即Gate，可以简称为G极）与充电集成电路模块的第一端（例如REGN）连接，N-MOS晶体管的源极（即Source，可以简称为S极）接地（GND），N-MOS晶体管的漏极（即Drain，可以简称为D极）与充电负极连接。晶体二极管的正极与N-MOS晶体管的源极连接并接地，晶体二极管的负极分别与N-MOS晶体管的漏极和充电负极连接。并且，充电正极与充电集成电路模块的第二端（例如Vbus）连接。

使用该充电电路对电子设备进行正常充电的情况下，外部充电器通过充电正极向充电电路提供正向充电电压，例如提供5V的电压。此时晶体二极管处于导通状态，同时充电集成电路模块上电工作，充电集成电路模块的第一端（例如REGN）的电压从0上升到5V的工作电压，此时N-MOS晶体管对应的Vgs大于等于其导通阈值电压Vth（例如5V），即达到N-MOS晶体管的导通电压，N-MOS晶体管导通处于导通状态，如此可以形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的电流回路，以实现充电集成电路模块的正常充电。请参见图3B，正常充电情况下，形成的电流回路如图中带箭头的虚线所示。

在未进行充电的时候（即非充电状态），充电电路中没有可以供N-MOS晶体管导通的电压，因此，N-MOS晶体管不会导通，晶体二极管也不会导通，充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间不会形成电流回路。

或者，在进行充电的过程中，若外部充电器的正负极与充电正极和充电负极反接，外部充电器通过充电负极向充电电路提供正向的电压，例如提供5V的电压。此时，由于N-MOS晶体管达不到其导通电压，因此N-MOS晶体管也不会导通，并且，此时晶体二极管也不会导通，因此也不会产生从充电负极到充电集成电路模块的逆向倒灌电流。如此，无法形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的电流回路，即电路中无法形成从充电负极到充电集成电路模块的逆向倒灌电流。因此，避免了或者减小了电流倒灌问题的产生，即避免了或者减小了电路中产生的逆向倒灌电流对充电电路中的电芯等电子元器件造成的损坏。即，该充电电路可以防止充电引脚（即充电正负极）反接电流倒灌的问题。

进一步地，在使用包括该充电电路的手表对用户进行ECG检测的时候，由于充电正极和充电负极之间电压小于N-MOS晶体管的导通阈值电压Vth，所以N-MOS晶体管不会导通，并且晶体二极管也不会导通。因此，心电检测正极与充电负极之间不会形成电流回路，不会产生漏电现象。而且，晶体二极管也可以起到防电流倒灌的作用，进一步地能够阻止电流的倒灌。以及，N-MOS晶体管和晶体二极管的设置，可以在充电负极和地之间形成一个高阻的回路，防止心电检测正极通过充电负极对地放电。同时，心电检测正极与充电正极之间不会形成电流回路，不会产生漏电现象。即，充电正极对地也是高阻状态，也不会形成放电回路。由此，能够防止手表在执行心电检测功能的时候，形成漏电回路，影响或者干扰ECG信号，导致测试结果不准确的问题。请参见图3C，在进行ECG测试的情况下，如图中带箭头的虚线所示，无法形成漏电回路。

另外，本实施方式提供的充电电路，由于并不涉及过多的其他电子元器件，因此并不会增加额外的充电回路阻抗。

综上，本实施方式中，将一个N-MOS晶体管串联在充电负极与地之间，N-MOS的栅极驱动电路连接在例如BUCK_charger的REGN的引脚（pin脚），通过BUCK_charger的REGN来驱动N-MOS晶体管来实现充电功能，不仅可以有效地防止电流倒灌，满足防倒流电路的功能，同时可以提高充电正极和充电负极对地的回路阻抗，减小漏电的影响，例如减小ECG测试过程中存在的测试不准确的问题。

请继续参见图3A，在本申请的另一种实施方式中，充电电路还包括双向瞬变抑制二极管，该双向瞬变抑制二极管的一极（即第二极，如图3A中所示的双向瞬变抑制二极管的右端）分别与晶体二极管的正极、N-MOS晶体管的源极连接并接地。该双向瞬变抑制二极管的另一极（即第一极，图3A中双向瞬变抑制二极管的左端）与晶体二极管的负极、N-MOS晶体管的漏极和充电负极连接。

双向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过双向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

请继续参见图3A，在本申请的另一种实施方式中，充电电路还包括单向瞬变抑制二极管，该单向瞬变抑制二极管的正极接地，负极与充电正极和充电集成电路模块的第一端连接。

单向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过单向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

需要说明的是，前述的N-MOS晶体管和晶体二极管组成了充电电路包括的第一保护单元的一种示例，N-MOS晶体管的漏极和晶体二极管的负极连接的一端作为第一保护单元的第一端的一种示例，N-MOS晶体管的栅极作为第一保护单元的第二端的一种示例，N-MOS晶体管的源极和晶体二极管的正极连接的一端作为第一保护单元的第三端的一种示例。在其他实施方式中，第一保护单元可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第一保护单元的功能即可。

前述的双向瞬变抑制二极管组成了充电电路包括的第二保护单元的一种示例，双向瞬变抑制二极管的第一极作为第二保护单元的第一端的一种示例，双向瞬变抑制二极管的第二极作为第二保护单元的第二端的一种示例。在其他实施方式中，第二保护单元可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第二保护单元的功能即可。

上述第一保护单元和第二保护单元作为充电电路包括的第一保护模块的一种示例。在其他实施方式中，第一保护模块可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第一保护模块的功能即可。

前述的单向瞬变抑制二极管组成了第二保护模块的一种示例，单向瞬变抑制二极管的负极作为第二保护模块的第一端的一种示例，单向瞬变抑制二极管的正极作为第二保护模块的第二端的一种示例。在其他实施方式中，第二保护模块可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第二保护模块的功能即可。

接下来，将结合具体的用户以及ECG测试数据，对本实施方式提供的充电电路的性能进行说明。

请参见图4A-图4F，通过设置有上述实施方式中提供的充电电路的手表对用户1进行ECG检测得到的心电图，与通过现有的手表以及标准检测仪器检测得到的心电图进行对比，以说明本申请实施例提供的充电电路具有的优势。

如图4A和4B所示，图4A中的测试数据1与图4B中的测试数据2为对用户1通过标准检测仪器检测得到的两组心电图的波形。其中，横坐标为心电图的采集时间，纵坐标为采集的心电图的波形。通过标准检测仪器检测得到的心电图波形，波形比较稳定，出现的峰值也比较规律。

如图4C和4D所示，图4C中的测试数据1和图4D中的测试数据2，是使用现有的手表对用户1进行ECG检测，测到的心电图波形图。其中，横坐标为心电图的采集时间，纵坐标为采集的心电图的波形。从图中可以看出，通过现有的手表检测得到用户1的心电图，波形比较凌乱，并且波形的起伏没有一定的规律。

如图4E和图4F所示，图4E中的测试数据1与图4F中的测试数据2，是使用设置有本申请实施方式提供的充电电路的手表对用户1进行ECG检测，得到的心电图波形图。其中，横坐标为心电图的采集时间，纵坐标为采集的心电图的波形。从图中可以看出，使用本申请实施方式提供的充电电路的手表检测得到的用户1的心电图，波形比较稳定，且具有明显的波动周期，符合人体的心脏跳动规律，且基本与图4A和4B所示的通过标准检测仪器检测得到的两组心电图的波形一致，其能够更为准确地反应用户1的心电数据，测试结果准确，具有良好的测试效果，提升了用户体验。

进一步地，请参见图5A-图5F，通过设置有上述实施方式中提供的充电电路的手表对用户2进行ECG检测得到的心电图，与现有的手表以及标准检测仪器检测得到的心电图进行对比，以说明本申请实施例提供的充电电路具有的优势。

如图5A和5F所示，图5A中的测试数据1与图5B中的测试数据2为对用户2通过标准检测仪器检测得到的两组心电图的波形图。其中，横坐标为心电图的采集时间，纵坐标为采集的心电图的波形，通过标准检测仪器检测得到的心电图波形，波形比较稳定，出现的峰值也比较规律。

如图5C和5D所示，图5C中的测试数据1和图5D中的测试数据2，是使用现有的手表对用户2进行ECG检测，测到的心电波形图。其中，横坐标为心电图的采集时间，纵坐标为采集的心电图的波形。从图中可以看出，通过现有的手表检测得到的用户2的心电图，波形比较凌乱，波形的起伏没有一定的规律。

如图5E和图5F所示，图5E中的测试数据1与图5F中的测试数据2，是使用设置有本申请提供的充电电路的手表对用户2进行ECG检测，得到的心电图波形图。其中，横坐标为心电图的采集时间，纵坐标为采集的心电图的波形。从图中可以看出，使用本申请实施方式提供的充电电路的手表检测得到的用户2的心电图，波形比较整齐，且具有明显的波动周期，符合人体的心脏跳动规律，且基本与图5A和5B所示的通过标准检测仪器检测得到的两组心电图的波形一致，其能够准确地反应用户2的心脏数据，测试结果更为准确，具有良好的测试效果，提升了用户体验。

综上，本申请提供的充电电路，能够有效地解决在使用手表对用户进行ECG检测的时候，由于漏电造成的检测值结果不准确的问题，并且进一步地解决了充电正极会对地形成回路的问题。使得使用设置有本申请提供的充电电路的手表具有良好的心电检测功能，得到的检测结果准确，使得用户具有良好的体验感。

进一步地，本申请实施例提供的充电电路，充电电路结构较小，符合手表等电子设备体积越来越小对充电电路结构小型化的要求。

需要说明的是，本申请提供的充电电路，可以用于恒流充电阶段，仅在恒流充电阶段工作，可以有效地提高恒流充电阶段的充电功率。

本实施方式提供的保护电路，可以理解为一种有线充电手表的ECG检测过程中漏电保护或者防漏电的一种电路，在不影响手表有线充电功能的情况下，兼顾防反接电流倒灌，以及ECG测试防漏电的功能。

进步一地，请参见图6，本申请的另一种实施方式还提供了一种充电电路，该充电电路包括充电正极（例如pogo_pin+）、充电集成电路模块（例如BUCK_charger）、第一电阻（即R1）、第二电阻（即R2）、N-MOS晶体管（即N-MOS）、晶体二极管、充电负极（例如pogo_pin-）。其中，第一电阻的一端（即图6中所示第一电阻的上端）分别与充电正极和充电集成电路模块连接（例如与充电集成电路模块的Vbus引脚连接），另一端（即图6中所示第一电阻的下端）分别与第二电阻的一端（即图6中所示第二电阻的上端）和N-MOS晶体管的栅极连接，第二电阻的另一端（即图6中所示第二电阻的下端）分别与N-MOS晶体管的源极连接并接地。N-MOS晶体管的栅极（即G极）与第一电阻的另一端，第二电阻的一端连接，N-MOS晶体管的漏极（即D极）与充电负极连接，N-MOS晶体管的源极（即S极）与第二电阻的另一端连接并接地。晶体二极管的正极（即图6中所示的晶体二极管的右端）与N-MOS晶体管的源极、第二电阻的另一端连接并接地。晶体二极管的负极（即图6中所示的晶体二极管的右端）与N-MOS晶体管的漏极和充电负极连接。

在使用该充电电路对电子设备进行充电的时候，外部充电器向充电电路提供正向的电压，此时N-MOS晶体管处于导通状态，晶体二极管也导通。因此可以形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的电流回路（例电流从充电正极流向充电集成电路模块以进行充电，以及流经第一电阻、第二电阻、N-MOS晶体管和晶体二极管至充电负极，以形成充电回路），以进行充电。

在未进行充电的时候，充电电路中没有可以供N-MOS晶体管导通的电压，因此，N-MOS晶体管不会导通，晶体二极管也不会导通，无法形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的电流回路。

或者在进行充电的过程中，若外部充电器的正负极与充电正极和充电负极反接，外部充电器通过充电负极向充电电路提供正向的电压，此时，由于N-MOS晶体管达不到其导通电压，因此N-MOS晶体管也不会导通，并且，此时晶体二极管也不会导通，也不会产生从充电负极到充电集成电路模块的逆向倒灌电流。如此，无法形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的电流回路，即此时，电路中无法形成从充电负极到充电集成电路模块的逆向倒灌电流。因此，避免或者减轻了电流倒灌问题的产生，即避免或者减轻了电路中产生的逆向电流对充电电路中的电子元器件造成的损坏。

进一步地，在使用手表对用户进行ECG检测的时候，虽然N-MOS晶体管和晶体二极管都不会导通，能有效地防止电流倒灌，还可以有效防止心电检测正极通过充电负极对地放电，保证测试的准确性。

但是，本实施方式中的充电电路，在充电正极与地之间通过第一电阻和第二电阻连接，当充电正极存在例如漏电电流时，会形成一个从充电正极流经第一电阻、第二电阻到地的一个放电回路，即充电正极对地会存在一个第一电阻加第二电阻的放电回路，并且该第一电阻和第二电阻的阻值（即阻抗值）远远小于人体的阻值。因此，在ECG检测过程中，充电正极对地形成了一个第一电阻加第二电阻的放电回路，对人体ECG检测电流产生了分流作用，相比于前述图3A所示的充电电路，也会对检测结果造成一定的影响，存在一定的检测结果不准确的问题。

在本申请的另一实施方式中，该充电电路还包括第一单向瞬变抑制二极管。第一单向瞬变抑制二极管的负极（即图6所示的第一单向瞬变抑制二极管1的上端）与充电正极、第一电阻的一端和充电集成电路模块连接，第一单向瞬变抑制二极管的正极（即图6所示的第一单向瞬变抑制二极管的下端）接地。

在本申请的另一实施方式中，充电电路还包括第二单向瞬变抑制二极管。第二单向瞬变抑制二极管的负极（即图6所示的第二单向瞬变抑制二极管的上端）分别与第一电阻的前述另一端和第二电阻的一端连接。第二单向瞬变抑制二极管的正极（即图6所示的第二单向瞬变抑制二极管的下端）分别与前述第二电阻的另一端、晶体二极管的正极、N-MOS晶体管的源极连接并接地。

第一单向瞬变抑制二极管和第二单向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过第一单向瞬变抑制二极管和第二单向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

在本申请的另一实施方式中，充电电路还包括双向瞬变抑制二极管，该双向瞬变抑制二极管的一端（即图6所示的双向瞬变抑制二极管的右端）分别与前述第二单向瞬变抑制二极管的正极、第二电阻的另一端、晶体二极管的正极、N-MOS晶体管的源极连接并接地。该双向瞬变抑制二极管的另一端（即图6所示的双向瞬变抑制二极管的左端）分别与前述晶体二极管的负极、N-MOS晶体管的漏极和充电负极连接。

双向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过双向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

进一步地，该充电电路还可以包括设置在充电正极和充电集成电路模块之间的其他例如电阻等电子元器件。

需要说明的是，图6所示的充电电路中本领域技术人员可以根据具体需求，在该充电电路中加入更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本实施方式中的充电电路的作用即可。

进步一地，请参见图7，本申请的另一实施方式提供了一种充电电路，该充电电路包括充电正极（例如pogo_pin+）、P型金属氧化物半导体晶体管（P-Metal-Oxide-Semiconductor，PMOS，也即P-MOS，以下简称为P-MOS晶体管）、晶体二极管、第一电阻（即R1）、第二电阻（即R2）、充电集成电路模块（例如BUCK_charger）、充电负极（例如pogo_pin-）。其中，第一电阻的一端（即图7中所示第一电阻的右端）与P-MOS晶体管的源极（即S极）连接，另一端（即图7中所示第一电阻的左端）与第二电阻的一端（图7中所示第二电阻的上端）连接，第二电阻的另一端（图7中所示第二电阻的下端）与充电负极连接并接地。P-MOS晶体管的漏极（即D极）与第一电阻的一端和充电集成电路模块连接（例如与充电集成电路模块的Vbus引脚连接），P-MOS晶体管的栅极（即G极）与第一电阻的另一端和第二电阻的一端连接，P-MOS晶体管的源极（即S极）与充电正极连接。晶体二极管的正极与充电正极和P-MOS晶体管的源极连接，晶体二极管的负极与P-MOS晶体管的漏极、第一电阻的一端和充电集成电路模块连接。

在使用该充电电路对电子设备进行充电的时候，外部充电器向充电电路提供正向的电压，此时P-MOS晶体管处于导通状态。因此可以形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的正常充电电流回路（例电流从充电正极流经晶体二极管和P-MOS晶体管流向充电集成电路模块以进行充电，以及流经第一电阻和第二电阻至充电负极，以形成充电回路），以进行充电。

在不进行充电的时候，充电电路中没有可以供P-MOS晶体管导通的电压，因此，P-MOS晶体管处于未导通状态，充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间不会形成电流回路。

或者，在进行充电的过程中，若外部充电器的正负极与充电正极和充电负极反接，外部充电器通过充电负极向充电电路提供正向的电压，此时，P-MOS晶体管也处于未导通状态，并且，此时晶体二极管也未导通，也不会产生从充电负极到充电集成电路模块的逆向倒灌电流。如此，无法形成充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间的电流回路，即电路中无法形成从充电负极到充电集成电路模块的逆向倒灌电流。因此，避免或者减轻了电流倒灌问题的产生，即避免或者减轻了电路中产生的逆向倒灌电流对充电电路中的电芯等电子元器件造成的损坏。

进一步地，在使用包括该充电电路的手表对用户进行心电检测的时候，P-MOS晶体管虽然处于未导通状态。因此在一定程度上，能够防止手表在执行心电检测功能的时候，形成漏电回路，导致测试结果不准确的问题。

但是，本实施方式中的充电电路，在充电正极与地之间通过晶体二极管、第一电阻和第二电阻连接，由于晶体二极管、第一电阻和第二电阻的阻值远远小于人体的阻值。因此，在测试过程中，若充电正极存在例如漏电电流，则会形成一个从充电正极流经晶体二极管、第一电阻、第二电阻到地的一个放电回路，即充电正极对地形成了一个晶体二极管、第一电阻加第二电阻的放电回路，对人体ECG检测电流产生了分流作用，会对检测结果会造成一定的影响。并且，充电负极直接与地连接，也会形成心电检测正极通过充电负极对地放电的放电电流，相比于前述图3A所示的充电电路，存在一定的检测结果的不准确的问题。

请继续参见图7，在本申请的另一种实施方式中，该充电电路还包括单向瞬变抑制二极管。单向瞬变抑制二极管的正极接地，单向瞬变抑制二极管的负极与充电正极、P-MOS晶体管的源极和晶体二极管的正极连接。

单向瞬变抑制二极管是一种高品质的突波吸收器，能够吸收高达数千瓦的浪涌功率。当电路电压过大时，可以通过单向瞬变抑制二极管提供电流回路，供多余的电流通过，能够保护电路中的电子元器件。

需要说明的是，图7所示的充电电路中本领域技术人员可以根据具体需求，在该充电电路中加入更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本实施方式中的充电电路的作用即可。

本申请的实施例提供了一种充电电路，请参见图8，包括充电正极（例如pogo_pin+），充电负极（例如pogo_pin-），充电集成电路模块和第一保护模块。

其中，第一保护模块的第一端与充电负极连接，第一保护模块的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第一保护模块的第三端接地，充电集成电路模块的第二端与充电正极电连接。第一保护模块用于在目标充电状态下（例如外部充电器与充电正极和充电负极正接的情况），处于第一工作状态（即前述的N-MOS晶体管和晶体二极管导通状态），以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间形成电流回路。第一保护模块用于在非目标充电状态下（例如外部充电器与充电正极和充电负极反接的情况，或者不充电的情况），处于第二工作状态（即前述的N-MOS晶体管和晶体二极管截至状态），以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向充电集成电路模块。以及，以使充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向地。以及，以使充电正极、充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自充电正极的电流流向地。

进一步地，第一保护模块包括第一保护单元，第一保护单元的第一端与充电负极连接，第一保护单元的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第一保护单元的第三端接地，以防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块。

进一步地，第一保护模块还包括第二保护单元，第二保护单元的第一端分别与第一保护单元的第一端和充电负极连接，第二保护单元的第二端与第一保护单元的第三端连接并接地。

更进一步地，充电电路还包括第二保护模块，第二保护模块的第一端分别与充电集成电路模块的第二端和充电正极连接，第二保护模块的第二端接地。

需要说明的是，第一保护单元可以为如上第一种实施例中的N-MOS晶体管和晶体二极管的并联电路。在其他实施方式中，第一保护单元可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第一保护单元的功能即可。

第二保护单元可以为如上第一种实施例中的双向瞬变抑制二极管。在其他实施方式中，第二保护单元可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第二保护单元的功能即可。

第二保护模块可以为如上第一种实施例中的单向瞬变抑制二极管。在其他实施方式中，第二保护模块可以包括更多电子元器件或更改电子元器件的种类，只要能够实现本申请中第二保护模块的功能即可。

在本申请的另一种实施例中，还提供了一种电池模组，请参见图9，电池模组包括电池基板，以及通过电池基板设置的如上所述的充电电路。该电路基板可以是印制电路板（Printed Circuit Board，PCB）。

在另一种实施方式中，电池模组还可以包括散热组件等其他更多的部件。

在本申请的另一种实施方式中，请参见图10，还提供了一种电池，该电池包括封装壳体和如上实施例提供的电池模组，电池模组封装在该封装壳体内。

在另一种实施方式中，电池还可以电池保护板、转换电路等其他的部件。

在本申请的另一种实施方式中，还提供了一种电子设备。该电子设备包括如上实施例描述的充电电路，或者如上实施例描述的电池模组，或者如上实施例描述的电池。该电子设备可以是手表。在另一些实施方式中，电子设备还可以是其他可以进行心电检测的可穿戴电子设备。该电子设备包括如上实施例描述的充电电路，或者如上实施例描述的电池模组，或者如上实施例描述的电池。

进一步地，在本申请的另一些实施方式中，请参见图11，手表包括上述的充电电路，还包括ECG检测电路，以实现前述的ECG检测功能。

如图11所示，手表包括的ECG心电检测电路包括心电检测正极（ECGP）、心电检测负极（ECGN）、右腿驱动电极（RLD）和ECG检测模块。

如图12所示，其中，心电检测正极和右腿驱动电极用于与用户的一只手连接，心电检测负极用于与用户的另一只手连接。并且，心电检测正极、心电检测负极和右腿驱动电极分别与ECG检测模块连接并且接地，分别用于进行ECG检测。另外，ECG检测模块用于根据检测得到的电信号形成心电图。该ECG检测电路可以通过充电电路中的充电集成电路模块供电。

本实施方式中，在心电检测的过程中，充电电路的充电电极和心电检测电极之间不会形成电流回路。因此，使用该心电检测电路进行心电检测，得到的ECG检测结果更加准确。

需要说明的是，本申请实施方式提供的前述第一保护模块也可以应用于其他防倒灌电路中。

前述的充电正极、充电负极、充电集成电路模块等皆可以根据需要设置为其他类型或者型号。

需要说明的是，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在附图中，可以以特定布置和/或顺序示出一些结构或方法特征。然而，应该理解，可能不需要这样的特定布置和/或排序。而是，在一些实施例中，这些特征可以以不同于说明性附图中所示的方式和/或顺序来布置。另外，在特定图中包括结构或方法特征并不意味着暗示在所有实施例中都需要这样的特征，并且在一些实施例中，可以不包括这些特征或者可以与其他特征组合。

显然，本领域的技术人员应该明白，上述本申请的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储介质（ROM/RAM、磁碟、光盘）中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。所以，本申请不限制于任何特定的硬件和软件结合。

虽然通过参照本申请的某些优选实施方式，已经对本申请进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应该明白，以上内容是结合具体的实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。本领域技术人员可以在形式上和细节上对其作各种改变，包括做出若干简单推演或替换，而不偏离本申请的精神和范围。

Claims (13)

1.一种充电电路，其特征在于，所述充电电路包括充电正极、充电负极、充电集成电路模块和第一保护模块；其中

所述第一保护模块的第一端与所述充电负极连接，所述第一保护模块的第二端与所述充电集成电路模块的第一端连接，所述第一保护模块的第三端接地，所述充电集成电路模块的第二端与所述充电正极连接，所述第一保护模块用于在目标充电状态下，处于第一工作状态，以使所述充电正极、所述充电集成电路模块和所述充电负极之间形成电流回路，并且用于在非目标充电状态下，处于第二工作状态，以使所述充电正极、所述充电集成电路模块和所述充电负极之间无法形成电流回路，以防止来自于所述充电负极的电流流向所述充电集成电路模块，以使所述充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于所述充电负极的电流流向地，以及以使所述充电正极、所述充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自所述充电正极的电流流向地。

2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护模块包括第一保护单元，所述第一保护单元的第一端与所述充电负极连接，所述第一保护单元的第二端与所述充电集成电路模块的第一端连接，所述第一保护单元的第三端接地。

3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护单元包括N型金属氧化物半导体晶体管，所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极作为所述第一保护单元的第一端与所述充电负极连接，所述N型金属氧化物半导体晶体管的栅极作为所述第一保护单元的第二端与所述充电集成电路模块的第一端连接，所述N型金属氧化物半导体晶体管的源极作为所述第一保护单元的第三端接地。

4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护单元还包括晶体二极管，所述晶体二极管的负极与所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接作为所述第一保护单元的第一端与所述充电负极连接，所述晶体二极管的正极与所述N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接作为所述第一保护单元的第三端接地。

5.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护模块还包括第二保护单元，所述第二保护单元的第一端分别与所述第一保护单元的第一端和所述充电负极连接，所述第二保护单元的第二端与所述第一保护单元的第三端连接并接地。

6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述第二保护单元包括双向瞬变抑制二极管，所述双向瞬变抑制二极管的第一极作为所述第二保护单元的第一端分别与所述第一保护单元的第一端和所述充电负极连接，所述双向瞬变抑制二极管的第二极作为所述第二保护单元的第二端与所述第一保护单元的第三端连接并接地。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的充电电路，其特征在于，在所述目标充电状态下，若所述充电集成电路模块的第一端满足预设条件，则所述第一保护模块处于第一工作状态；若所述充电集成电路模块的第一端不满足所述预设条件，则所述第一保护模块处于第二工作状态。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的充电电路，其特征在于，所述目标充电状态为外部充电器的正极与所述充电正极连接，且所述外部充电器的负极与所述充电负极连接的充电状态。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的充电电路，其特征在于，所述充电电路还包括第二保护模块，所述第二保护模块的第一端分别与所述充电集成电路模块的第二端和所述充电正极连接，所述第二保护模块的第二端接地。

10.根据权利要求9所述的充电电路，其特征在于，所述第二保护模块包括单向瞬变抑制二极管，所述单向瞬变抑制二极管的负极作为所述第二保护模块的第一端分别与所述充电集成电路模块的第二端和所述充电正极连接，所述单向瞬变抑制二极管的正极作为所述第二保护模块的第二端接地。

11.一种电池模组，其特征在于，所述电池模组包括电池基板，以及通过所述电池基板设置的如权利要求1-10任意一项所述的充电电路。

12.一种电池，其特征在于，包括封装壳体和如权利要求11所述的电池模组，所述电池模组封装在所述封装壳体内。

13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-10任意一项所述的充电电路，或者如权利要求11所述的电池模组，或者如权利要求12所述的电池。

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