CN114999908A - 晶圆加工方法、设备以及计算机可读存储介质 - Google Patents

晶圆加工方法、设备以及计算机可读存储介质 Download PDF

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CN114999908A CN202210478243.0A CN202210478243A CN114999908A CN 114999908 A CN114999908 A CN 114999908A CN 202210478243 A CN202210478243 A CN 202210478243A CN 114999908 A CN114999908 A CN 114999908A
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Abstract

本发明实施例提供一种晶圆加工方法、设备以及计算机可读存储介质，所述方法包括：获取晶圆的边缘对应的轮廓界线；根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线；确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘的重合度；将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线执行对所述晶圆的加工。通过识别出晶圆边缘的轮廓线，并将轮廓线对应的切割线进行切割校准，从而提高晶圆边缘定位以及加工的精确度，解决晶圆加工精度较低的问题。

Description

晶圆加工方法、设备以及计算机可读存储介质
技术领域
本发明涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加工方法、设备以及计算机可读存储介质。
背景技术
在集成电路的各种加工或检测工艺中，经常会对晶圆(Wafer)进行加工。目前常见的晶圆加工方式，通常将晶圆片以一个固定的角度放置在固定的位置，然后使得定位相机按一定预设的规则逻辑缓慢运动至该位置进行定位后，根据定位结果进行加工。
然而，这种加工方式对晶圆摆放的位置、角度等条件较为苛刻，对于边缘形状不规则的残次晶圆，定位相机根据固定的规则逻辑难以寻找到残次晶圆的具体边缘，导致加工过程中出现漏加工、加工错道等问题。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种晶圆加工方法，旨在解决晶圆加工精度较低的问题。
为实现上述目的，本发明提供的一种晶圆加工方法，所述晶圆加工方法包括：
获取晶圆的边缘对应的轮廓界线；
根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线；
确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘的重合度；
将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线执行对所述晶圆的加工。
可选地，所述获取轮廓相机采集的晶圆边缘的轮廓界线的步骤包括：
获取所述晶圆的灰度值；
将所述晶圆中灰度值满足预设灰度匹配条件的区域，作为所述晶圆边缘的轮廓界线。
可选地，所述根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线的步骤包括：
获取所述轮廓界线在定位相机中关联的标定点；
确定所述标定点在所述轮廓界线上关联的坐标；
根据所述轮廓界线上关联的所述坐标，确定所述初始切割线。
可选地，所述确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘之间的重合度的步骤包括：
获取所述初始切割线的坐标；
确定所述初始切割线的坐标与所述晶圆边缘的坐标之间的差值；
根据所述差值确定所述初始切割线与与所述晶圆边缘之间的重合度。
可选地，所述确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘之间的重合度的步骤之后，还包括：
检测每一所述初始切割线与所述晶圆的边缘之间的重合度；
将所述重合度未处于所述预设切割区间的所述初始切割线执行轮廓数据补偿，其中，所述轮廓数据补偿包括轮廓内缩和轮廓外扩。
可选地，将所述重合度不满足预设重合条件的所述初始切割线进行轮廓数据补偿的步骤包括：
获取预设第一重合阈值；
当所述重合度小于所述第一重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之内，根据所述重合度确定第一增量；
根据所述第一增量确定所述初始切割线的扩展范围，并根据所述扩展范围对所述初始切割线进行向外扩展，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
可选地，所述轮廓补偿包括轮廓内缩，所述将所述重合度不满足预设重合条件的所述初始切割线进行轮廓数据补偿的步骤包括：
获取预设第二重合阈值；
当所述重合度大于所述第二重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之外，根据所述重合度确定第二增量；
根据所述第二增量确定所述初始切割线的收缩范围，并根据所述收缩范围对所述初始切割线进行向内收缩，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
可选地，所述将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线对所述晶圆进行加工的步骤包括：
获取所述预设切割区间；
确定所述重合度处于所述预设切割区间的所述初始切割线，得到所述目标切割线；
根据所述目标切割线确定所述晶圆的加工轨迹，并根据所述加工轨迹对所述晶圆进行加工。
此外，本发明还提供一种晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被所述处理器执行时实现如上任一项所述的晶圆加工方法的各个步骤。
此外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被处理器执行时实现如上实施例所述的晶圆加工方法的各个步骤。
本发明实施例提供一种晶圆加工方法、设备以及计算机可读存储介质，所述方法包括：获取晶圆的边缘对应的轮廓界线；根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线；确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘的重合度；将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线执行对所述晶圆的加工。通过识别出晶圆边缘的轮廓线，并将轮廓线对应的切割线进行切割校准，从而提高晶圆边缘定位以及加工的精确度，解决晶圆加工精度较低的问题。
附图说明
图1为本发明实施例涉及的晶圆加工设备的硬件架构示意图；
图2为本发明晶圆加工方法的第一实施例的流程示意图；
图3为本发明晶圆加工方法的第二实施例中步骤S10的细化流程示意图；
图4为本发明晶圆加工方法的第三实施例中步骤S20的细化流程示意图；
图5为本发明晶圆加工方法的第四实施例中步骤S30的细化流程示意图；
图6为本发明晶圆加工方法的第五实施例的流程示意图；
图7为本发明晶圆加工方法的第五实施例中步骤S60的细化流程示意图；
图8为本发明晶圆加工方法的第五实施例中步骤S60的另一细化流程示意图；
图9为本发明晶圆加工方法的第六实施例中步骤S40的细化流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，本发明的附图中显示了本发明的示例性实施例，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
作为一种实现方案，晶圆加工设备可以如图1所示。
本发明实施例方案涉及的是晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括：处理器101，例如CPU，存储器102，通信总线103。其中，通信总线103用于实现这些组件之间的连接通信。
存储器102可以是高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatilememory)，例如磁盘存储器。如图1所示，作为一种计算机可读存储介质的存储器102中可以包括晶圆加工程序；而处理器101可以用于调用存储器102中存储的晶圆加工程序，并执行以下操作：
获取晶圆的边缘对应的轮廓界线；
根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线；
确定所述初始切割线与所述晶圆边缘的重合度；
将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线执行对所述晶圆的加工。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的晶圆加工程序，并执行以下操作：
获取所述晶圆的灰度值；
将所述晶圆中灰度值满足预设灰度匹配条件的区域，作为所述晶圆边缘的轮廓界线。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的晶圆加工程序，并执行以下操作：
获取所述轮廓界线在定位相机中关联的标定点；
确定所述标定点在所述轮廓界线上关联的坐标；
根据所述轮廓界线上关联的所述坐标，确定所述初始切割线。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的晶圆加工程序，并执行以下操作：
获取所述初始切割线的坐标；
确定所述初始切割线的坐标与所述晶圆边缘的坐标之间的差值；
根据所述差值确定所述初始切割线与所述晶圆边缘之间的重合度。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的晶圆加工程序，并执行以下操作：
检测每一所述初始切割线与所述晶圆的边缘之间的重合度；
将所述重合度未处于所述预设切割区间的所述初始切割线执行轮廓数据补偿，其中，所述轮廓数据补偿包括轮廓内缩和轮廓外扩；
所述将所述重合度未处于所述预设切割区间的所述初始切割线执行轮廓数据补偿包括：
获取预设第一重合阈值；
当所述重合度小于所述第一重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之内，根据所述重合度确定第一增量；
根据所述第一增量确定所述初始切割线的扩展范围，并根据所述扩展范围对所述初始切割线进行向外扩展，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
所述将所述重合度未处于所述预设切割区间的所述初始切割线执行轮廓数据补偿包括：
获取预设第二重合阈值；
当所述重合度大于所述第二重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之外，根据所述重合度确定第二增量；
根据所述第二增量确定所述初始切割线的收缩范围，并根据所述收缩范围对所述初始切割线进行向内收缩，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的晶圆加工程序，并执行以下操作：
获取所述预设切割区间；
确定所述重合度处于所述预设切割区间的所述初始切割线，得到所述目标切割线；
根据所述目标切割线确定所述晶圆的加工轨迹，并根据所述加工轨迹对所述晶圆进行加工。
基于上述基于晶圆加工技术的晶圆加工装置的硬件架构，提出本发明晶圆加工方法的实施例。
参照图2，在第一实施例中，所述晶圆加工方法包括以下步骤：
步骤S10，获取晶圆的边缘对应的轮廓界线；
在本实施例中，首先将晶圆料片上料至背光源正上方，由轮廓相机拍照识别晶圆料片的边缘轮廓，由此识别出晶圆料片的轮廓界线；所述轮廓界限可以显示在屏幕中，可以采用绿色的不规则边框作为便于识别的料片的轮廓界线。
步骤S20，根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线；
在本实施例中，在获取晶圆的边缘对应的轮廓界线之后，根据轮廓界线通过关联数据确定出定位相机拍摄的料片轮廓内的所有切割道的预览线，作为初始切割线，所述关联数据是将获取到的轮廓界线图像映射到加工切割装置的轴坐标之上，以确定出用于加工晶圆的初始切割线的相关数据，所述关联数据可以包括但不限于多点标定。
步骤S30，确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘的重合度；
在本实施例中，由于根据轮廓界线确定出的初始切割线与实际的晶圆边缘可能存在一定误差，因此在加工切割装置实际执行加工动作之前，需要对初始切割线进行误差校准，在本实施例中通过定义一个用于量化误差校准的重合度，根据重合度来判断初始切割线与实际的晶圆边缘的误差大小，需要强调的是，本实施例中所描述的重合度越高，并非意味着误差越小，重合度太小会造成切割线处于晶圆边缘外侧造成无法切割到目标晶圆，太大则会处于晶圆边缘内测造成加工时晶圆片料会损失较多，因此，重合度并非越大越好，而是应该保持在一个合理的范围之内为佳。
步骤S40，将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线执行对所述晶圆的加工。
在本实施例中，在确定完所述初始切割线与所述晶圆的边缘的重合度之后，需要判断重合度的大小，当重合度处于一个合适的切割范围，即预设的切割区间之内，示例性地，设定预设切割区间为[0.9-1.1]，当重合度处于这一区间时，判断为所述初始切割线符合加工条件，将其作为目标切割线，并根据校准过后的目标切割线对晶圆料片执行加工。
在本实施例提供的技术方案中，通过对晶圆边缘的轮廓进行定位，并且基于轮廓数据进行数据补偿，再辅以特殊的控制逻辑，解决了晶圆边缘报警以及漏加工/错道问题。
参照图3，在第二实施例中，基于第一实施例，所述步骤S10包括：
步骤S11，获取所述晶圆的灰度值；
步骤S12，将所述晶圆中灰度值满足预设灰度匹配条件的区域，作为所述晶圆边缘的轮廓界线；
可选地，本实施例提供一种轮廓界线的确定方法。在本实施例中，基于灰度匹配确定出所述晶圆的轮廓界线，首先获取到轮廓相机采集的晶圆图像，轮廓相机能够采集并识别出晶圆的轮廓，示例性地，识别方式可以是将所述晶圆图像变换为灰度图像，提取所述灰度图像中满足预设灰度匹配条件的灰度值及区域。需要强调的是，由于晶圆的灰度图像是渐变的，越靠近晶圆外侧的图像部位对应的灰度值越低，工作人员可以通过机器识别训练一批晶圆边缘图像，将这些晶圆边缘对应的灰度值预设为灰度匹配条件。进一步的，将所述晶圆中灰度值满足预设灰度匹配条件的区域，作为所述晶圆边缘的轮廓界线。
在本实施例提供的技术方案中，通过获取所述晶圆的灰度值，再将所述晶圆中灰度值满足预设灰度匹配条件的区域，作为所述晶圆边缘的轮廓界线的方式，使得晶圆加工过程中，加工设备能够准确识别到晶圆边缘并确定出晶圆边缘的轮廓界线，提高了晶圆加工的精确度。
参照图4，在第三实施例中，基于第一实施例，所述步骤S20包括：
步骤S21，获取所述轮廓界线在定位相机中关联的标定点；
步骤S22，确定所述标定点在所述轮廓界线上关联的坐标；
步骤S23，根据所述轮廓界线上关联的所述坐标，确定所述初始切割线。
可选地，本实施例提供一种根据轮廓切线确定切割线的方式。在本实施例中，采用多点标定的方式将轮廓相机拍摄的晶圆料片轮廓映射到加工切割装置中，确定出初始切割线。
进一步的，多点标定可以是常见的五点标定和九点标定，本实施例中采用精确度更高的九点标定进行定位，九点标定又可称为手眼标定，是一种将获取到的像素坐标系和空间中的机械装置(如本实施例中的加工切割装)中的坐标转化方式。示例性地，首先在晶圆的轮廓上中标定9个圆，9个点均在同一坐标系内，通常以3X3的行列相等去制作，然后确定出9个圆的圆心坐标；接着，将切割加工装置对准至九个圆点，并确定所述切割加工装置的当前坐标；然后把9个点的坐标按照圆的序号在生成一个一维数组变量(序号和数组元素一一对应)，使用图像行列的圆心和切割加工装置的一维数组变量，生成一个矩阵关系，即可将图像上的像素坐标转化至空间中的切割加工装置中对应的切割坐标，根据所述切割坐标确定出切割加工装置的初始切割轨迹线。
在本实施例提供的技术方案中，通过多点标定的方式将轮廓界线在定位相机中预先标定的坐标点映射到切割加工装置中对应的切割坐标中，确定出了加工晶圆的初始切割线，提高了晶圆加工的精确度。
参照图5，在第四实施例中，基于第一实施例，所述步骤S30包括：
步骤S31，获取所述初始切割线的每一坐标；
步骤S32，确定所述初始切割线的每一坐标与所述晶圆边缘对应的坐标之间的差值；
步骤S33，根据所述差值确定所述初始切割线与所述晶圆边缘之间的重合度。
可选地，本实施例提供一种确定重合度的方式，在本实施例中，分别确定出初始切割线的坐标和晶圆边缘的坐标之间的差值，再根据所述差值确定所述所述初始切割线与与所述晶圆的边缘之间的重合度。示例性地，假设初始切割线在二维平面的一个坐标点为(1.3，2.6)，其对应的晶圆边缘的坐标为(1.2，2.7)，其在x轴，y轴分别有0.1的误差，则该初始切割线与所述晶圆边缘之间的重合度为0.8(对齐则为1)。
在本实施例提供的技术方案中，通过确定坐标点之间的差值的方式，确定了重合度，从而对初始切割线进行了误差判断，以便在后续的切割中根据重合度进行误差校准，需要强调的是，本实施例中的重合度的确定方式仅是为便于理解所述重合度而说明解释的一种方式，不代表本申请中实际的重合度确定方式与本实施例相同。
参照图6，在第五实施例中，基于第一实施例，所述步骤S30之后，还包括：
步骤S50，检测每一所述初始切割线与所述晶圆边缘之间的重合度；
步骤S60，将所述重合度未处于所述预设切割区间的所述初始切割线执行轮廓数据补偿，其中，所述轮廓数据补偿包括轮廓内缩和轮廓外扩；
可选地，本实施例提供一种当所述初始切割与所述晶圆边缘之间的重合度未处于所述预设切割区间时的处理方式，即轮廓数据补偿，使得轮廓数据范围能够包揽住实际得晶圆料片，又不过于远离晶圆料片造成无效加工，整体轮廓内缩可有助于排除边缘无需加工的范围、从而提高生产效率良率，而轮廓外扩可直接去除寻边流程并直接从轮廓最外层开始盲加工，可有效提高生产效率并解决边缘漏道场合。
参照图7，所述步骤S60包括：
步骤S61，获取预设第一重合阈值；
步骤S62，当所述重合度小于所述第一重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之内，根据所述重合度确定第一增量；
步骤S63，根据所述第一增量确定所述初始切割线的扩展范围，并根据所述扩展范围对所述初始切割线进行向外扩展，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
进一步的，本实施例提供一种对轮廓数据外扩的数据补偿方式。在本实施例中，设定一个第一重合阈值，所述第一重合阈值用于判断所述初始切割线是否位于晶圆边缘之内，在判断所述重合度未处于所述预设切割区间时，获取所述第一重合阈值，并将所述重合度与所述第一重合阈值进行比对，当所述重合度小于所述第一重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之内，此时需要将初始切割线进行外扩，获取第一增量，所述第一增量是所述初始切割线的整体外扩量，根据所述第一增量确定所述初始切割线的扩展范围。需要强调的是，第一增量是一个变量，是将小于预设切割区间的重合度补偿至预设切割区间的最小增量。
示例性地，假设预设切割区间为(0.8-1.2)，第一重合阈值为0.8，确定出一条晶圆料片的初始切割线对应的重合度为0.7，则确定出所述第一增量为0.1，根据所述增量将所述初始切割线进行外扩，使得所述初始切割线与目标晶圆边缘位置的重合度达到0.8，满足切割条件。
参照图8，所述步骤S60，还包括：
步骤S64，获取预设第二重合阈值；
步骤S65，当所述重合度大于所述第二重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之外，根据所述重合度确定第二增量；
步骤S66，根据所述第二增量确定所述初始切割线的收缩范围，并根据所述收缩范围对所述初始切割线进行向内收缩，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
进一步的，本实施例提供一种对轮廓数据内缩的数据补偿方式。所述第二重合阈值用于判断所述初始切割线是否位于晶圆边缘之外，在判断所述重合度未处于所述预设切割区间时，获取所述第二重合阈值，当所述重合度大于第二重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之外，获取第二增量，所述第一增量是所述初始切割线的整体内缩量，根据所述第一增量确定所述初始切割线的内缩范围。需要强调的是，第二增量也是一个变量，是将大于预设切割区间的重合度补偿至预设切割区间的最小增量。
示例性地，假设预设切割区间为(0.8-1.2)，所述第二重合阈值为1.2，确定出一条晶圆料片的初始切割线对应的重合度为1.4，则确定出所述第二增量为0.2，根据所述增量将所述初始切割线的内缩，使得所述初始切割线与目标晶圆边缘位置的重合度达到1.2，满足切割条件。
在本实施例提供的技术方案中，通过将轮廓数据进行外扩或者内缩，将处于预设切割区间外的初始切割线的重合度校准至区间内，从而使得切割线能够满足本申请中的切割判断条件，需要强调的是，本实施例中的轮廓数据补偿的示例方式仅是为便于理解所述轮廓数据补偿方法而说明解释的一种方式，不代表与本申请中实际的轮廓数据补偿方式相同。
参照图9，在第五实施例中，基于第一实施例，所述步骤S40包括：
步骤S41，获取所述预设切割区间；
步骤S42，确定所述重合度处于所述预设切割区间的所述初始切割线，得到所述目标切割线；
步骤S43，根据所述目标切割线确定所述晶圆的加工轨迹，并根据所述加工轨迹对所述晶圆进行加工。
可选地，在本实施例中，在确定完所述初始切割线与目标切割晶圆之间的重合度之后，将满足切割条件(即所述初始切割线的重合度处于所述预设切割区间内)时，控制加工部件对所述晶圆执行加工动作，加工部件中的各轴按轮廓数据开始加工所有切割道，加工过程中还可设置每隔N道进行位置/角度修正，以确保切割道的加工精度。
在本实施例提供的技术方案中，获取所述预设切割区间，然后确定所述重合度处于所述预设切割区间的所述初始切割线，得到所述目标切割线，根据所述目标切割线确定所述晶圆的加工轨迹，并根据所述加工轨迹对所述晶圆进行加工，在提高晶圆定位到加工位精度的基础上，使得晶圆能够基于定位进行加工，提升设备工作效率。
此外，本发明还提供一种晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被所述处理器执行时实现如上任一项所述的晶圆加工方法的各个步骤。
此外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被处理器执行时实现如上实施例所述的晶圆加工方法的各个步骤。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上所述的一个计算机可读存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述晶圆加工方法的步骤包括：
获取晶圆的边缘对应的轮廓界线；
根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线；
确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘的重合度；
将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线执行对所述晶圆的加工。
2.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述获取晶圆的边缘对应的轮廓界线的步骤包括：
获取所述轮廓相机采集的所述晶圆的灰度值；
将所述待检测晶圆中灰度值满足预设灰度匹配条件的区域，作为所述晶圆边缘的轮廓界线。
3.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述根据所述轮廓界线，确定所述晶圆在定位相机中关联的初始切割线的步骤包括：
获取所述轮廓界线在定位相机中关联的标定点；
确定所述标定点在所述轮廓界线上关联的坐标；
根据所述轮廓界线上关联的所述坐标，确定所述初始切割线。
4.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘之间的重合度的步骤包括：
获取所述初始切割线的每一坐标；
确定所述初始切割线的每一坐标与所述晶圆边缘对应的坐标之间的差值；
根据所述差值确定所述初始切割线与所述晶圆边缘之间的重合度。
5.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述确定所述初始切割线与所述晶圆的边缘之间的重合度的步骤之后，还包括：
检测每一所述初始切割线与所述晶圆边缘之间的重合度；
将所述重合度不满足预设重合条件的所述初始切割线进行轮廓数据补偿，其中，所述轮廓数据补偿包括轮廓内缩和轮廓外扩。
6.如权利要求5所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述轮廓补偿包括轮廓外扩，所述将所述重合度不满足预设重合条件的所述初始切割线进行轮廓数据补偿的步骤包括：
获取预设第一重合阈值；
当所述重合度小于所述第一重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之内，根据所述重合度确定第一增量；
根据所述第一增量确定所述初始切割线的扩展范围，并根据所述扩展范围对所述初始切割线进行向外扩展，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
7.如权利要求5所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述轮廓补偿包括轮廓内缩，所述将所述重合度不满足预设重合条件的所述初始切割线进行轮廓数据补偿的步骤包括：
获取预设第二重合阈值；
当所述重合度大于所述第二重合阈值时，判断所述初始切割线位于所述晶圆的边缘之外，根据所述重合度确定第二增量；
根据所述第二增量确定所述初始切割线的收缩范围，并根据所述收缩范围对所述初始切割线进行向内收缩，以使所述初始切割线的所述重合度位于所述预设切割区间。
8.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述将所述重合度处于预设切割区间的所述初始切割线，作为目标切割线，并根据所述目标切割线对所述晶圆进行加工的步骤包括：
获取所述预设切割区间；
确定所述重合度处于所述预设切割区间的所述初始切割线，得到所述目标切割线；
根据所述目标切割线确定所述晶圆的加工轨迹，并根据所述加工轨迹对所述晶圆进行加工。
9.一种晶圆加工设备，其特征在于，所述晶圆加工设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的晶圆加工方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的晶圆加工方法的步骤。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115546143A (zh) * 2022-09-30 2022-12-30 杭州长川科技股份有限公司 定位晶圆的中心点的方法、装置、存储介质以及电子设备
CN115642098A (zh) * 2022-09-14 2023-01-24 深圳源明杰科技股份有限公司 芯片安装定位方法、装置、设备及可读存储介质
CN116995030A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 武汉华工激光工程有限责任公司 一种晶圆残片全自动切割方法及装置
CN117115261A (zh) * 2023-10-17 2023-11-24 深圳市青虹激光科技有限公司 一种基于薄型晶圆片的刀轮切割定位方法及系统

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115642098A (zh) * 2022-09-14 2023-01-24 深圳源明杰科技股份有限公司 芯片安装定位方法、装置、设备及可读存储介质
CN115642098B (zh) * 2022-09-14 2023-12-26 深圳源明杰科技股份有限公司 芯片安装定位方法、装置、设备及可读存储介质
CN115546143A (zh) * 2022-09-30 2022-12-30 杭州长川科技股份有限公司 定位晶圆的中心点的方法、装置、存储介质以及电子设备
CN116995030A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 武汉华工激光工程有限责任公司 一种晶圆残片全自动切割方法及装置
CN116995030B (zh) * 2023-09-27 2023-12-29 武汉华工激光工程有限责任公司 一种晶圆残片全自动切割方法及装置
CN117115261A (zh) * 2023-10-17 2023-11-24 深圳市青虹激光科技有限公司 一种基于薄型晶圆片的刀轮切割定位方法及系统
CN117115261B (zh) * 2023-10-17 2024-03-19 深圳市青虹激光科技有限公司 一种基于薄型晶圆片的刀轮切割定位方法及系统

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