CN114986358B - 芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质，芯片划片方法包括获取初级晶圆；对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。在划片过程中大大减少外力对晶圆造成的影响，避免内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆正面和背面出现崩缺现象，避免了由于晶圆正面和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均等的现象，提高产品生产良率，降低生产成本和时间。

Description

芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质。

背景技术

目前芯片划片是以采用砂轮切割方法为主，GaAs(Gallium Arsenide，砷化镓)芯片和GaAlAs(Aluminium Gallium Arsenide，砷化镓铝)芯片均是闪锌矿晶体结构，属于硬脆性材料。当受外力作用时，容易延键结合力较弱的地方裂开，造成芯片正背面崩缺，严重影响产品的生产良率。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明提供了一种芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质，降低芯片在进行划片时出现崩边情况的几率，提高产品生产良率。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提出了一种芯片划片方法，包括：获取初级晶圆；对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，所述二级晶圆带有正面激光划痕；基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使所述二级晶圆带有与所述正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于所述背面激光划痕对所述三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对所述三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。

在一些实施例，在所述对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆之前，还包括：对所述初级晶圆的背面作贴膜处理,对所述初级晶圆的正面作保护层处理。

在一些实施例，所述保护层处理包括：在所述初级晶圆的正面涂抹第一厚度的保护液；将涂抹保护液后的初级晶圆放置风干，在所述初级晶圆的正面形成保护层。

在一些实施例，所述基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作激光切割处理，包括：对所述二级晶圆的正面作贴膜处理后翻转所述二级晶圆；通过检测设备对所述正面激光划痕作检测处理，得到检测结果；基于所述检测结果调整所述二级晶圆的位置并对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理。

在一些实施例，在所述基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理之前，还包括：对所述二级晶圆正面的保护层做清除处理。

在一些实施例，所述正面激光切割处理的深度为所述初级晶圆厚度的五分之一。

在一些实施例，所述背面激光切割处理的深度为所述初级晶圆厚度的三分之一。

为实现上述目的，本发明实施例的第二方面提供了一种芯片划片设备，所述芯片划片设备包括：晶圆拾取机构，用于获取初级晶圆；激光切割机构，用于对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，所述二级晶圆带有正面激光划痕，和基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使所述二级晶圆带有与所述正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；砂轮切割机构，用于基于所述背面激光划痕对所述三级晶圆的背面作砂轮切割处理；裂片机构，用于对所述三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。

为实现上述目的，本发明实施例的第三方面提供了一种控制器，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述的芯片划片方法。

为实现上述目的，本发明实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如上述第一方面所述的芯片划片方法。

本发明实施例的有益效果包括：通过获取初级晶圆；对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。采用激光切割处理和砂轮切割处理相结合的方法，划片过程中大大减少外力对晶圆造成的影响，避免内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆正面和背面出现崩缺现象，避免了由于晶圆正面和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均等的现象；减少裂片机构裂片时下刀偏差导致芯片崩缺的现象，大大减少芯片正面和背面崩缺现象的发生，提高产品生产良率，降低生产成本和时间。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1是本发明实施例提供的用于芯片划片方法的系统架构平台的示意图；

图2是本发明实施例提供的芯片划片方法的流程图；

图3是本发明实施例提供的一种保护层处理的流程图；

图4是本发明实施例提供的一种背面切割处理的流程图；

图5是本发明实施例提供的一种芯片划片设备的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

在现有技术中，芯片划片是以采用砂轮切割方法为主，GaAs芯片和GaAlAs芯片均是闪锌矿晶体结构，属于硬脆性材料。当受外力作用时，容易延键结合力较弱的地方裂开，造成芯片正背面崩缺，严重影响产品的生产良率。

基于上述情况，本发明实施例提供了一种芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质，芯片划片方法包括获取初级晶圆；对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。采用激光切割处理和砂轮切割处理相结合的方法，划片过程中大大减少外力对晶圆造成的影响，避免内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆正面和背面出现崩缺现象，避免了由于晶圆正面和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均等的现象；减少裂片机构裂片时下刀偏差导致芯片崩缺的现象，大大减少芯片正面和背面崩缺现象的发生，提高产品生产良率，降低生产成本和时间。

下面结合附图，对本发明实施例作进一步的阐述。

如图1所示，图1是本发明实施例提供的用于芯片划片方法的系统架构平台的示意图。

本发明实施例的系统架构平台100包括一个或多个处理器110和存储器120，图1中以一个处理器110及一个存储器120为例。

处理器110和存储器120可以通过总线或者其他方式连接，图1中以通过总线连接为例。

存储器120作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器120可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器120可选包括相对于处理器110远程设置的存储器120，这些远程存储器可以通过网络连接至该系统架构平台100。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

本领域技术人员可以理解，图1中示出的装置结构并不构成对系统架构平台100的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图2所示，图2是本发明实施例提供的芯片划片方法的流程图，包括但不限于步骤S200、步骤S210、步骤S220、步骤S230和步骤S240。

步骤S200，获取初级晶圆；

步骤S210，对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；

步骤S220，基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；

步骤S230，基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理

步骤S240,对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。

在本发明实施例中，获取初级晶圆；对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。采用激光切割处理和砂轮切割处理相结合的方法，划片过程中大大减少外力对晶圆造成的影响，避免内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆正面和背面出现崩缺现象，避免了由于晶圆正面和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均等的现象；减少裂片机构裂片时下刀偏差导致芯片崩缺的现象，大大减少芯片正面和背面崩缺现象的发生，提高产品生产良率，降低生产成本和时间。

需要说明的是，在本实施例中，正面激光切割处理的第一激光频率为50KHZ，第一激光功率为4W，第一激光出光比例为百分之七十，第一速度为100mm/s，正面激光切割处理的深度为晶圆厚度的五分之一。背面激光切割处理的第二激光频率为30KHZ，第二激光功率为4.2W，第二激光出光比例为百分之六十，速度为50mm/s，背面激光切割处理的深度为初级晶圆厚度的三分之一。砂轮切割处理的砂轮主轴转速为25000rad/s，进刀速度为20mm/s，砂轮切割处理的下刀深度为距离三级晶圆正面蓝膜三分之一至四分之一初级晶圆厚度的位置。

需要说明的是，在本实施例中，在对初级晶圆的正面作正面激光切割处理前，对初级晶圆的背面作贴膜处理，贴膜处理包括把初级晶圆贴到白膜中央位置以使初级晶圆的背面与白膜结合，初级晶圆的正面朝上，对初级晶圆作烘烤处理，烘烤处理时间为三分钟，提高初级晶圆与白膜之间的粘合性。

需要说明的是，在本实施例中，由于激光出光口离放在工作台上晶圆较近，且激光能量高，而水溶性保护液有着良好的缓冲作用，大大降低芯片切割边缘出现卷边、烧结等现象，因此在对初级晶圆的正面作正面激光切割处理前且在对初级晶圆的背面作贴膜处理后，对初级晶圆的正面作保护层处理，如图3所示，图3是本发明实施例提供的一种保护层处理的流程图，包括但不限于步骤S300和步骤S310。步骤S300，在初级晶圆的正面涂抹第一厚度的保护液；步骤S310，将涂抹保护液后的初级晶圆放置风干，在初级晶圆的正面形成保护层。在初级晶圆的正面均匀涂抹第一厚度的水溶性保护液，第一厚度为1um至3um，均匀涂抹保护液后放置风干，在初级晶圆正面形成保护层。

需要说明的是，在本实施例中，在基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理之前，还包括对二级晶圆正面的保护层做清除处理。清除处理包括但不限于用去离子水清洗二级晶圆正面的层，用装有氮气的气枪将二级晶圆表面的水珠吹掉，将二级晶圆放进90℃的烤箱内进行烘烤处理直至表面水珠烘干。

需要说明的是，在本实施例中，在基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理之后，基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理之前还包括但不限于将三级晶圆放进90℃烤箱作烘烤处理，烘烤时间为10min，烘烤处理完待三级晶圆表面温度冷却至室温。

如图4所示，图4是本发明实施例提供的一种背面切割处理的流程图，包括但不限于步骤S400、步骤S410、步骤S420和步骤S430。

步骤S400，对二级晶圆的正面作贴膜处理后；

步骤S410，翻转二级晶圆；

步骤S420，通过检测设备对正面激光划痕作检测处理，得到检测结果；

步骤S430，基于检测结果调整二级晶圆的位置并对二级晶圆的背面作背面激光切割处理。

在本发明实施例中，对二级晶圆的正面作贴膜处理，将进行贴膜处理后的二级晶圆翻转，使得二级晶圆背面朝上，基于正面激光划痕对二级晶圆作水平校准作业，通过检测设备对正面激光划痕作检测处理，得到检测结果，基于检测结果调整二级晶圆的位置，以使二级晶圆处于水平平行的位置，对位置调整后的二级晶圆背面作背面激光切割处理。

需要说明的是，在本实施例中，通过检测设备对正面激光划痕作检测处理，得到检测结果，基于检测结果调整二级晶圆的位置包括但不限于通过设备下CCD(Charge-coupledDevice，电荷耦合元件)透过白膜检测到到正面激光划痕，按照左右正面激光划痕把二级晶圆调整至水平平行的位置，并将软体中线与正面激光划痕重叠，左右移动确保软体中线在正面激光划痕内。

需要说明的是，在本实施例中，背面激光切割处理的第二激光频率为30KHZ，第二激光功率为4.2W，第二激光出光比例为百分之六十，速度为50mm/s，背面激光切割处理的深度为初级晶圆厚度的三分之一。

如图5所示，本发明实施例还提供了一种芯片划片设备，可实现上述的芯片划片方法，该芯片划片设备包括：

晶圆拾取机构500，用于获取初级晶圆；

激光切割机构510，用于对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕，和基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；

砂轮切割机构520，用于基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；

裂片机构530，用于对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。

需说明的是，本发明方法实施例的内容均适用于本设备实施例，本设备实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法达到的有益效果也相同，在此不再赘述。

另外，本发明实施例还提供了一种控制器，该控制器包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序。

处理器和存储器可以通过总线或者其他方式连接。

处理器，可以采用通用的CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、微处理器、应用专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、或者一个或多个集成电路等方式实现，用于执行相关程序，以实现本发明实施例所提供的技术方案；

存储器作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

需要说明的是，本实施例中的控制器，可以应用为如上述实施例的芯片划片方法，本实施例中的控制器与如上述实施例的芯片划片方法具有相同的发明构思，因此这些实施例具有相同的实现原理以及技术效果，此处不再详述。

实现如上述实施例的芯片划片方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器中，当被处理器执行时，执行如上述实施例的芯片划片方法，例如，执行以上描述的图2中的方法步骤S200至S240、图3中的方法步骤S300至S310、图4中的方法步骤S400至步骤S430。

以上所描述的控制器实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本发明实施例方案的目的。

此外，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个处理器或控制器执行，例如，被上述控制器实施例中的一个处理器执行，可使得上述处理器执行如上述实施例的芯片划片方法，例如，执行以上描述的图2中的方法步骤S200至S240、图3中的方法步骤S300至S310、图4中的方法步骤S400至步骤S430。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

本领域技术人员可以理解的是，图1-5中示出的技术方案并不构成对本发明实施例的限定，可以包括比图示更多或更少的步骤，或者组合某些步骤，或者不同的步骤。

以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、设备中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。

本发明的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，上述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括多指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例的方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序的介质。

以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本发明权利要求所限定的范围。

Claims (7)

1.一种芯片划片方法，其特征在于，包括：

获取初级晶圆；

对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，所述二级晶圆带有正面激光划痕；

基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使所述二级晶圆带有与所述正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；

基于所述背面激光划痕对所述三级晶圆的背面作砂轮切割处理；

对所述三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片；

其中，所述基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作激光切割处理，包括：

对所述二级晶圆的正面作贴膜处理后翻转所述二级晶圆；

通过检测设备对所述正面激光划痕作检测处理，得到检测结果；

基于所述检测结果调整所述二级晶圆的位置并对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理；

其中，所述正面激光切割处理的深度为所述初级晶圆厚度的五分之一；

所述背面激光切割处理的深度为所述初级晶圆厚度的三分之一。

2.根据权利要求1所述的芯片划片方法，其特征在于，在所述对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆之前，还包括：

对所述初级晶圆的背面作贴膜处理,对所述初级晶圆的正面作保护层处理。

3.根据权利要求2所述的芯片划片方法，其特征在于，所述保护层处理包括：

在所述初级晶圆的正面涂抹第一厚度的保护液；

将涂抹保护液后的初级晶圆放置风干，在所述初级晶圆的正面形成保护层。

4.根据权利要求3所述芯片划片方法，其特征在于，在所述基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理之前，还包括：

对所述二级晶圆正面的保护层做清除处理。

5.一种芯片划片设备，其特征在于，包括：

晶圆拾取机构，用于获取初级晶圆；

激光切割机构，用于对所述初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，所述二级晶圆带有正面激光划痕，和基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使所述二级晶圆带有与所述正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；

砂轮切割机构，用于基于所述背面激光划痕对所述三级晶圆的背面作砂轮切割处理；

裂片机构，用于对所述三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片；

其中，所述基于所述正面激光划痕对所述二级晶圆的背面作激光切割处理，包括：

对所述二级晶圆的正面作贴膜处理后翻转所述二级晶圆；

通过检测设备对所述正面激光划痕作检测处理，得到检测结果；

基于所述检测结果调整所述二级晶圆的位置并对所述二级晶圆的背面作背面激光切割处理；

其中，所述正面激光切割处理的深度为所述初级晶圆厚度的五分之一；

所述背面激光切割处理的深度为所述初级晶圆厚度的三分之一。

6.一种控制器，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至4中任意一项所述的芯片划片方法。

7.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至4中任意一项所述的芯片划片方法。