CN114975668A - 一种正面浮动结叠加se的p型全背接触太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧，设置有作为浮动结的N型轻掺杂层以及部分位于浮动结中的SE重掺杂区；通过这种正面叠加SE的浮动结结构与所述P型硅基底背光面的发射区的配合，能有效提高背接触电池的载流子的分离和收集效率，有效减少载流子的复合，从而增加电池的转换效率；同时，因为SE设置于正面，可以使得背光面的空间留有富余，能够适当增加基区的宽度，因而降低了制造工艺的难度。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池领域，涉及一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法。
背景技术
目前，随着低碳能源和绿色环境成为全球发展的大方向，我国亟需使用新能源来替代传统的化石燃料；太阳能以其安全可靠、分布广泛及成本低廉等优势，成为最具有发展前景的新能源之一。高效全背接触(Interdigitated Back Contact，IBC)太阳能电池相较于目前产业化主流的PERC晶硅太阳能技术有着明显的优势。IBC电池最大的特点是发射极与金属接触都位于电池的背面，正面没有金属电极的遮挡，因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF，并且，这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，深受欧洲屋顶市场的追捧，成为下一代太阳能电池技术革命研究的热点。
传统的IBC电池采用n型硅基底，以硼作为P型掺杂，磷作为N型掺杂使用，且还需要用到多次掩膜清洗工艺，工艺总体难度大，制造成本高。而P型IBC电池(P-IBC)采用价格相对低廉的P型硅，背面可直接用铝浆烧结形成P+区，不需要掩膜，工艺难度低，制造成本小。此外，随着PERC技术的发展，背面采用磷扩形成P-N结的工艺相对硼扩技术来说已更加成熟。因此，越来越多的企业开始重点关注P-IBC技术的发展和未来前景。
P-N结对太阳能电池的性能好坏起到至关重要的作用。PERC电池的P-N结在正面，而且是整面扩散，结区面积大；而P-IBC背面是交叉排列的P区和N区，因此P-N结结区面积相较于整面扩散的PERC来说要小，因此载流子的分离能力会有所降低。F.Grank等人在2009年发表了一篇题为“high-efficiency back-contactback-junction silicon solar cell”的论文给出了一种解决方案，他们揭露了一种正面覆盖有与基体半导体极性相反的掺杂层的电池结构，即正面浮动结结构；不同于传统的正面减反钝化层，该浮动结结构具有抽取效应，能起到辅助分离载流子的作用，能一定程度上弥补IBC电池背面结区面积不够的问题。
专利CN111108609A揭示了一种适用于产业化的P型指叉背接触式太阳能电池，但该电池结构正面无浮动结结构，载流子分离能力弱，电池效率低；专利CN203071093U揭示了一种背接触太阳能电池，优先选用n-IBC电池结构，正面有掺杂P型层，该电池结构用了磷扩，硼扩工艺，虽然效率有所提升，但工艺过程中需要设置多次掩膜清洗过程，工艺较为复杂，不适合量产化；专利CN103890961A公开了一种具有浮动正面发射极区的交指型背面接点光伏电池，正面具有交叉排列的基区和结区，但工艺实现难度较大，较难实现产业化。
IBC作为一种独特且富有潜力的技术路线，其技术迭代性和可拓展性是非常重要的，将IBC与其他技术路线进行结合从而提高性能是一个重要的研究方向，例如将IBC与TOPcon隧穿氧化层技术结合或将IBC与HJT异质结技术结合等，但上述技术均存在工序繁多而复杂化的问题，且均没有利用到上述提及的浮动结结构。因此，尚需要开发一种新的P型全背接触太阳能电池，能利用浮动结结构并做进步一拓展，使得载流子的抽取和分离效果进一步提升，同时能使制造工艺相对简便以适用于工业化生产。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧，设置有作为浮动结的N型轻掺杂层以及部分位于浮动结中的SE重掺杂区；通过这种正面叠加SE的浮动结结构与所述P型硅基底背光面的发射区的配合，能有效提高背接触电池的载流子的分离和收集效率，有效减少载流子的复合，从而增加电池的转换效率；同时，因为SE设置于正面，可以使得背光面的空间留有富余，能够适当增加基区的宽度，因而降低了制造工艺的难度。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池包括P型硅基体。
在所述P型硅基体的迎光面一侧，由内到外依次设置有SE重掺杂区、N型轻掺杂层及正面减反钝化层；所述SE重掺杂区借助所述N型轻掺杂层与所述正面减反钝化层接触。
在所述P型硅基体的背光面一侧，分别设置有基区与发射极区，所述基区与所述发射极区的外侧设置有背面钝化层，正极与负极穿过所述背面钝化层分别与所述基区及所述发射极区形成欧姆接触。
在背接触电池中，正常情况下，硅基体产生的光生载流子分别通过背面交叉排列的电极引出，即，光生电子通过N区的负电极引出，光生空穴通过P+区的正电极引出。因此，在半导体基区附近产生的光生电子需要经过横向传输才能到达发射极区从而被收集。随着与发射极区的距离增加，相应的横向传输的距离增加，光生电子复合的概率也就越大，这将导致光生载流子收集效率降低，引起电池功率的下降。如果减小与发射极区的距离，则会大大增加工艺难度。因此，本发明针对此问题提出了一种正面浮动结叠加SE(选择性发射极)的P-IBC电池结构，使用所述结构能有效提升载流子收集效率的同时，降低了生产成本和工艺难度，使大规模产业化成为可能。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
作为本发明优选的技术方案，在垂直于所述P型硅基体的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠。
优选地，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠的重叠面积≤所述SE重掺杂区的正投影面积的40％，优选≤10％，例如1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％或40％等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在垂直于本发明的迎光面(正面)的正投影中，SE重掺杂区与背光面(背面)的基区大部分重合，而与发射极区发生部分重合；在该结构的影响下，基区(P+区)附近产生的光生电子会被抽取到SE重掺杂区，而N型轻掺层因掺杂浓度较低，产生的光生电子还是会直接在背面的P-N结中进行分离；但因为正面处没有电极引出，被抽取到SE重掺杂区的光生电子会在此累计并导致与N型轻掺层形成一个浓度差，累计的电子由于浓度差的作用会扩散到SE重掺杂区的边缘处，如图1中4所示，随后由于NPN晶体管的作用(SE重掺杂区的边缘形成此晶体管的集极，发射极区的边缘形成此晶体管的发射极，硅基体形成此晶体管的基极)，电子将从SE重掺杂区的边缘处沿着垂直硅基体的方向传输到发射极区的边缘进而被收集；在此过程中，本来发生在背面基区附近的横向传输过程变成了在正面SE重掺杂区处进行，而由于电子的累计，在SE重掺杂区的光生电子是多数载流子，因此在横向传输的过程中电子复合的几率远小于基区附近，从而达到提高载流子收集效率的目的。此外，正面浮动结的存在还允许背面有着较宽的基区宽度，从而大幅度降低了工艺难度，达到产业化的效果。
值得强调的是，当SE重掺杂区不与发射极区发生重合时，太阳能电池也会因SE重掺杂区的存在而具有更好的性能，SE重掺杂区对于基区载流子的抽取和积累过程受到的影响较小，仅因不发生重叠而失去了如图1中4标示出的纵向传输通路，而被其他横向传输方式所代替，因此在不发生重合时，应保持SE重掺杂区的宽度最大，即，SE重掺杂区的正投影的边缘与发射极区的正投影的边缘相切时，能使SE叠加的浮动结结构的效果得到最大发挥。
作为本发明优选的技术方案，所述SE重掺杂区的掺杂浓度为1018～1023，例如1018、5×1018、1019、5×1019、1020、5×1020、1021、5×1021、1022、5×1022或1023等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述N型轻掺杂层的掺杂浓度为1016～1018，例如1016、5×1016、1017、5×1017或1018等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述发射极区的掺杂浓度为1019～1021，例如1019、5×1019、1020、5×1020或1021等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述发射极区的宽度为600～1500μm，例如600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm、1200μm、1300μm、1400μm或1500μm等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述基区的宽度为400～1000μm，例如400μm、500μm、600μm、700μm、800μm、900μm或1000μm等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述正面减反钝化层与所述背面钝化层的材质均包括氮化硅、氮氧化硅或碳化硅中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括氮化硅与氢氧化硅的组合、氮化硅与碳化硅的组合或氢氧化硅与碳化硅的组合。
优选地，所述正面减反钝化层与背面钝化层的厚度均为10～200nm，例如10nm、50nm、100nm、150nm或200nm等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述正极的材质包括铝。
优选地，所述负极的材质包括银。
第二方面，本发明提供了一种根据第一方面所述的太阳能电池的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
(1)制绒清洗：在所述硅基体的两侧表面进行制绒处理并清洗，得到制绒硅基体；
(2)磷扩：使用磷扩工艺在步骤(1)所述制绒硅基体的迎光面形成N型轻掺杂层，同时在所述制绒硅基体的背光面形成N+掺杂层；
(3)激光处理：在步骤(2)所述N型轻掺杂层上利用激光打出所述SE重掺杂区；同时，在步骤(2)所述的N+掺杂层上利用激光激光开槽，预留出所述基区的位置，未开槽的位置形成所述发射极区，得到开槽硅基体；
(4)制备钝化膜层：在步骤(3)所述开槽硅基体的迎光面及背光面分别制备所述正面减反钝化层及所述背面钝化层；
(5)丝网印刷及烧结：在步骤(4)所述背面钝化层上对应的发射极区的位置并印刷所述负极；在对应的基区的位置开窗并印刷所述正极，同时烧结形成所述基区，得到正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池。
本发明先在正面制备N型轻掺杂层，作为浮动结同时作为重掺杂的基础，后续通过在N型轻掺杂层上使用激光处理，形成所述SE重掺杂区；在此扩散的过程中，于同样厚度位置时，N型轻掺杂层中被激光处理过的区域的掺杂浓度，如图1中22所示，大于未被激光处理的区域的掺杂浓度，如图1中21所示，但小于扩散后形成的SE重掺杂区的掺杂浓度。
作为本发明优选的技术方案，步骤(4)所述制备钝化层的方法包括等离子体增强化学气相沉积。
与现有技术方案相比，本发明至少具有以下有益效果：
(1)本发明通过在电池迎正面设置轻掺杂层叠加SE的浮动结结构，能有效提高背接触电池的载流子收集效率，减少复合，增加电池转换效率；
(2)本发明在电池的背面使用铝浆烧结形成基区，可以减少银浆的消耗，降低电池制造成本；
(3)本发明利用激光技术在轻掺杂层上直接叠加SE，无需二次磷扩，且该浮动结结构的存在能够增加背光面基区的宽度，极大地降低了电池制造工艺难度。
附图说明
图1是本发明实施例1所述正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池的结构示意图；
图中：1-P型硅基体、2-N型轻掺杂层、21-未经过激光SE的区域、22-经过激光SE的区域、3-正面减反钝化层、4-SE重掺杂区和发射极区垂直正投影的重叠部分、5-发射极区、6-背面钝化层、7-正极、8-负极、9-基区、10-SE重掺杂区。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，如图1所示，所述太阳能电池包括P型硅基体1；
在所述P型硅基体1的迎光面一侧，由内到外依次设置有掺杂浓度为1020的SE重掺杂区10、掺杂浓度为1018的N型轻掺杂层2及厚度为80nm的氮化硅正面减反钝化层3；所述SE重掺杂区10借助所述N型轻掺杂层2中经过激光SE的区域22与所述正面减反钝化层3接触，且经过激光SE的区域22的掺杂浓度介于所述SE重掺杂区10与N型轻掺杂层2中余下的未经过激光SE的区域21；
在所述P型硅基体1的背光面一侧，分别设置有宽度为800μm的基区9与宽度为1200μm的发射极区5，所述基区9与所述发射极区5的外侧设置有厚度为80nm的氮化硅背面钝化层6，铝电极7与银电极8分别作为正极与负极穿过所述背面钝化层6分别与所述基区9及所述发射极区5形成欧姆接触；所述发射极区9的掺杂浓度为1021；
在垂直于所述P型硅基体1的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区10与所述发射极区5部分重叠，形成重叠部分4，且重叠面积占所述SE重掺杂区10的正投影面积的10％。
实施例2
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池除了在垂直于所述P型硅基体的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠，且重叠面积占所述SE重掺杂区的正投影面积的80％外，其他条件与实施例1完全相同。
实施例3
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池除了在垂直于所述P型硅基体的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠，且重叠面积占所述SE重掺杂区的正投影面积的60％外，其他条件与实施例1完全相同。
实施例4
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池除了在垂直于所述P型硅基体的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠，且重叠面积占所述SE重掺杂区的正投影面积的40％外，其他条件与实施例1完全相同。
实施例5
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池除了在垂直于所述P型硅基体的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区不发生重叠，仅边缘相切，即重叠面积占所述SE重掺杂区的正投影面积的0％外，其他条件与实施例1完全相同。
实施例6
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池包括P型硅基体；
在所述P型硅基体的迎光面一侧，由内到外依次设置有掺杂浓度为1018的SE重掺杂区、掺杂浓度为1016的N型轻掺杂层及厚度为10nm的氮化硅正面减反钝化层；所述SE重掺杂区穿过所述N型轻掺杂层并与所述正面减反钝化层接触；
在所述P型硅基体的背光面一侧，分别设置有宽度为400μm的基区与宽度为600μm的发射极区，所述基区与所述发射极区的外侧设置有厚度为10nm的氮化硅背面钝化层，铝电极与银电极穿过所述背面钝化层分别与所述基区及所述发射极区形成欧姆接触；所述发射极区的掺杂浓度为1019；
在垂直于所述P型硅基体的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠，且重叠面积占所述SE重掺杂区的正投影面积的5％。
实施例7
本实施例提供了一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池包括P型硅基体；
在所述P型硅基体的迎光面一侧，由内到外依次设置有掺杂浓度为1023的SE重掺杂区、掺杂浓度为1017的N型轻掺杂层及厚度为200nm的氮化硅正面减反钝化层；所述SE重掺杂区穿过所述N型轻掺杂层并与所述正面减反钝化层接触；
在所述P型硅基体的背光面一侧，分别设置有宽度为1000μm的基区与宽度为1500μm的发射极区，所述基区与所述发射极区的外侧设置有厚度为200nm的氮化硅背面钝化层，铝电极与银电极穿过所述背面钝化层分别与所述基区及所述发射极区形成欧姆接触；所述发射极区的掺杂浓度为1020；
在垂直于所述P型硅基体的垂直于迎光面及背光面的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠，且重叠面积占所述SE重掺杂区的正投影面积的20％。
对比例1
本对比例提供了一种正面浮动结的P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池不含有SE重掺区，即：
所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧，由内到外依次设置有掺杂浓度为1018的N型轻掺杂层及厚度为80nm的氮化硅正面减反钝化层；
在所述P型硅基体的背光面一侧，分别设置有宽度为800μm的基区与宽度为1200μm的发射极区，所述基区与所述发射极区的外侧设置有厚度为80nm的氮化硅背面钝化层，铝电极与银电极穿过所述背面钝化层分别与所述基区及所述发射极区形成欧姆接触；所述发射极区的掺杂浓度为1021。
对比例2
本对比例提供了一种P型全背接触太阳能电池，所述太阳能电池不含有N型轻掺杂层及SE重掺杂区构成的浮动结结构，即：
所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧设置有厚度为80nm的氮化硅正面减反钝化层；
在所述P型硅基体的背光面一侧，分别设置有宽度为800μm的基区与宽度为1200μm的发射极区，所述基区与所述发射极区的外侧设置有厚度为80nm的氮化硅背面钝化层，铝电极与银电极穿过所述背面钝化层分别与所述基区及所述发射极区形成欧姆接触；所述发射极区的掺杂浓度为1021。
采用halm I-V测试仪在常温无尘条件下对实施例及对比例所得太阳能电池进行性能测试，测试结果如表1所示。
表1
由表1可以看出：
因为实施例1-7正面均有轻掺杂层叠加SE的浮动结结构，因此整体效率比对比例1和2要高。实施例2，3中由于重叠比例过大，NPN晶体管作用减弱，开压，短流，填充，效率等数据均要略低于实施例1，其中实施例2因为重叠比例更大，因此各项数据均要低于实施例3。实施例5中由于没有重叠部分，电子在基体中存在横向传输，传输路径相对于实施例1变大，复合几率增加，因此开压和转换效率要低于实施例1。对比例1中，由于没有SE重掺区域，正面浮动结作用减弱，整体效率要比实施例1低。对比例2中，由于正面没有N型轻掺杂层及叠加的SE构成的浮动结结构，载流子收集效率变差，复合变多，整体效率最低。
本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括P型硅基体；
在所述P型硅基体的迎光面一侧，由内到外依次设置有SE重掺杂区、N型轻掺杂层及正面减反钝化层；所述SE重掺杂区借助所述N型轻掺杂层与所述正面减反钝化层接触；
在所述P型硅基体的背光面一侧，分别设置有基区与发射极区，所述基区与所述发射极区的外侧设置有背面钝化层，正极与负极穿过所述背面钝化层分别与所述基区及所述发射极区形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述P型硅基体的正投影中，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠；
优选地，所述SE重掺杂区与所述发射极区部分重叠的重叠面积≤所述SE重掺杂区的正投影面积的40％，优选≤10％。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述SE重掺杂区的掺杂浓度为1018～1023。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述N型轻掺杂层的掺杂浓度为1016～1018。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极区的掺杂浓度为1019～1021。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极区的宽度为600～1500μm；
优选地，所述基区的宽度为400～1000μm。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面减反钝化层与所述背面钝化层的材质均包括氮化硅、氮氧化硅或碳化硅中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述正面减反钝化层与背面钝化层的厚度均为10～200nm。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述正极的材质包括铝；
优选地，所述负极的材质包括银。
9.一种根据权利要求1-8任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
(1)制绒清洗：在所述硅基体的两侧表面进行制绒处理并清洗，得到制绒硅基体；
(2)磷扩：使用磷扩工艺在步骤(1)所述制绒硅基体的迎光面形成N型轻掺杂层，同时在所述制绒硅基体的背光面形成N+掺杂层；
(3)激光处理：在步骤(2)所述N型轻掺杂层上利用激光打出所述SE重掺杂区；同时，在步骤(2)所述的N+掺杂层上利用激光开槽，预留出所述基区的位置，未开槽的位置形成所述发射极区，得到开槽硅基体；
(4)制备钝化膜层：在步骤(3)所述开槽硅基体的迎光面及背光面分别制备所述正面减反钝化层及所述背面钝化层；
(5)丝网印刷及烧结：在步骤(4)所述背面钝化层上对应的发射极区的位置并印刷所述负极；在对应的基区的位置开窗并印刷所述正极，同时烧结形成所述基区，得到正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，步骤(4)所述制备钝化层的方法包括等离子体增强化学气相沉积。
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Denomination of invention: A P-type full back contact solar cell with a front floating junction superimposed with SE and its manufacturing method Effective date of registration: 20231102 Granted publication date: 20230721 Pledgee: Dongyang Branch of China Construction Bank Co.,Ltd. Pledgor: HENGDIAN GROUP DMEGC MAGNETICS Co.,Ltd. Registration number: Y2023980063485 |
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