CN114913783B - 一种减少微米级led背光源芯片数量的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。该方法有利于在确保发光亮度和均匀性的情况下，减少微米级LED背光源芯片的数量。

Description

一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法
技术领域
本发明属于微米级LED显示技术领域，具体涉及一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法。
背景技术
近年来，人们不断追求显示器的轻薄和高屏占比，微米级 LED背光应运而生。传统直下式很难满足这一要求。侧入式虽然可以实现超薄设计，但是尺寸越大混光难度越高，很难实现出光面高均匀化效果。微米级直下式则很好的解决了这些难题。微米级 LED背光模组在高清大屏方面有着独特的技术优势。在微米级-LED背光模组的设计时一般从混光距离、芯片间距、发光角度、芯片排列方式来考虑，既要降低混光距离实现超薄设计又要增加背光均匀度提高显示效果。降低混光距离和提高均匀性意味着需要更多数量的微米级LED芯片，更多的芯片意味着更高的成本。
如何减少微米级 LED芯片的密度，且同时保证背光的均匀性和亮度要求，是当前的一个难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，该方法有利于在确保发光亮度和均匀性的情况下，减少微米级LED背光源芯片的数量。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。
进一步地，对微米级LED芯片按正多边形进行阵列排列，包括正三角形、正方形、正五边形、正六边形。
进一步地，对微米级LED芯片按正三角形进行阵列排列，形成正三角形微米级LED芯片阵列，具体为：同一行中的正三角形按同一姿态横向排列，相邻正三角形的顶点重合；相邻行之间的正三角形错位排列，即正三角形的左、右顶点分别作为上一行或下一行中正三角形的下顶点或上顶点；在正三角形的三个顶点分别设置顶点LED芯片，在正三角形的中心点设置中心点LED芯片。
进一步地，对微米级LED芯片按正方形进行阵列排列，形成正方形微米级LED芯片阵列，具体为：正方形沿横纵方向进行阵列，相邻正方形的顶点两两重合；在正方形的四个顶点分别设置顶点LED芯片，在正方形的中心点设置中心点LED芯片。
进一步地，对微米级LED芯片按正六边形进行阵列排列，形成正六边形微米级LED芯片阵列，具体为：正六边形沿横纵方向进行阵列，同一行中以及相邻行之间的相邻正六边形的顶点分别重合；在正六边形的六个顶点分别设置顶点LED芯片，在正六边形的中心点设置中心点LED芯片。
进一步地，设于顶点LED芯片上部的凹形微透镜为反射式微透镜，其发光角度大，四周亮度大于中心亮度；设于中心点LED芯片上部的凸形微透镜为折射式微透镜，其发光角度小于凹形微透镜，中心亮度大于四周亮度。
进一步地，微米级LED芯片阵列与PCB板、反射片、扩散板组成背光模组，所述PCB板上设置所述反射片，所述反射片上设置微米级LED芯片阵列，所述微米级LED芯片阵列上设置所述扩散板。
进一步地，所述微米级LED芯片为大张角的倒装蓝光芯片，芯片尺寸大小为50-300μm。
进一步地，所述微米级LED芯片的封装形式采用COB封装，以利于芯片散热。
进一步地，微米级 LED芯片阵列点胶所用材料包括硅胶树脂、环氧胶、UV胶或OCA胶，透过率大于90%，折射率范围在1.4-1.55。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明提供了一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，该方法对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，在多边形的顶点和中心点分别设置顶点LED芯片和中心点LED芯片，中心点LED芯片与四周的顶点LED芯片亮度互补，中心点LED芯片弥补四周顶点LED芯中心区域亮度不够的缺陷，而顶点LED芯片发光角度大，能拉大芯片排列间距，从而在满足背光均匀性和亮度的情况下，减少了微米级 LED背光源芯片数量。
附图说明
图1是本发明实施例中凸形微透镜的结构示意图。
图2是本发明实施例中凹形微透镜的结构示意图。
图3是本发明实施例中微米级LED芯片按正三角形阵列排列的结构示意图。
图4是本发明实施例中微米级LED芯片按正方形阵列排列的结构示意图。
图5是本发明实施例中微米级LED芯片按正六边形阵列排列的结构示意图。
图6是本发明实施例中背光模组的结构示意图。
图中：1-PCB板，2-反射片，3-微米级LED芯片阵列，4-扩散板。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
本实施例提供了一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。
如图2所示，设于顶点LED芯片上部的凹形微透镜为反射式微透镜，其发光角度大，四周亮度大于中心亮度。如图1所示，设于中心点LED芯片上部的凸形微透镜为折射式微透镜，其发光角度小于凹形微透镜，中心亮度大于四周亮度。
折射式微透镜中心亮度高、发光角度小与反射式微透镜中心亮度低、发光角度大进行互补，中心点LED芯片弥补四周顶点LED芯片中心区域亮度不够的缺陷，同时顶点LED芯片发光角度大，拉大芯片排列间距，从而确保亮度、均匀性的情况下减少 微米级LED背光源芯片的数量。
较佳地，对微米级LED芯片按正多边形进行阵列排列，包括正三角形、正方形、正五边形、正六边形。
如图3所示，对微米级LED芯片按正三角形进行阵列排列，形成正三角形微米级LED芯片阵列，具体为：同一行中的正三角形按同一姿态横向排列，相邻正三角形的顶点重合；相邻行之间的正三角形错位排列，即正三角形的左、右顶点分别作为上一行或下一行中正三角形的下顶点或上顶点；在正三角形的三个顶点分别设置顶点LED芯片，在正三角形的中心点设置中心点LED芯片。
如图4所示，对微米级LED芯片按正方形进行阵列排列，形成正方形微米级LED芯片阵列，具体为：正方形沿横纵方向进行阵列，相邻正方形的顶点两两重合；在正方形的四个顶点分别设置顶点LED芯片，在正方形的中心点设置中心点LED芯片。
如图5所示，对微米级LED芯片按正六边形进行阵列排列，形成正六边形微米级LED芯片阵列，具体为：正六边形沿横纵方向进行阵列，同一行中以及相邻行之间的相邻正六边形的顶点分别重合；在正六边形的六个顶点分别设置顶点LED芯片，在正六边形的中心点设置中心点LED芯片。
如图6所示，形成的微米级LED芯片阵列3与PCB板1、反射片2、扩散板4组成背光模组。PCB板1上方贴有具有一定反射率的白色反射片2，反射片2上设置微米级LED芯片阵列3，微米级 LED芯片外侧有的硅胶微透镜，微米级LED芯片阵列3上设置用于匀光的扩散板4。在本实施例中，反射片的反射率大于95%，厚度为65-85微米。微透镜材质为半透明的具有良好弹性和机械性能的低折射率的有机硅胶，其中折射率为1.41。扩散板采用吸光发光效率高、半高宽窄、吸收频谱宽的量子点扩散板。
在本实施例中，所述微米级LED芯片为具有更好匀光性的大张角倒装蓝光芯片，芯片尺寸大小为50-300μm。微米级LED芯片的封装形式采用COB封装，以利于芯片散热。
进一步地，微米级 LED芯片阵列点胶所用材料包括硅胶树脂、环氧胶、UV胶或OCA胶，透过率大于90%，折射率范围在1.4-1.55。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，对微米级LED芯片按多边形进行阵列排列，所述微米级LED芯片包括上部设有凹形微透镜的顶点LED芯片和上部设有凸形微透镜的中心点LED芯片，在多边形顶点设置发光角度大的顶点LED芯片，在多边形中心点设置中心区域亮度高的中心点LED芯片，以在确保发光亮度的同时拉大芯片排列间距。
2.根据权利要求1所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，对微米级LED芯片按正多边形进行阵列排列，包括正三角形、正方形、正五边形、正六边形。
3.根据权利要求2所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，对微米级LED芯片按正三角形进行阵列排列，形成正三角形微米级LED芯片阵列，具体为：同一行中的正三角形按同一姿态横向排列，相邻正三角形的顶点重合；相邻行之间的正三角形错位排列，即正三角形的左、右顶点分别作为上一行或下一行中正三角形的下顶点或上顶点；在正三角形的三个顶点分别设置顶点LED芯片，在正三角形的中心点设置中心点LED芯片。
4.根据权利要求2所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，对微米级LED芯片按正方形进行阵列排列，形成正方形微米级LED芯片阵列，具体为：正方形沿横纵方向进行阵列，相邻正方形的顶点两两重合；在正方形的四个顶点分别设置顶点LED芯片，在正方形的中心点设置中心点LED芯片。
5.根据权利要求2所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，对微米级LED芯片按正六边形进行阵列排列，形成正六边形微米级LED芯片阵列，具体为：正六边形沿横纵方向进行阵列，同一行中以及相邻行之间的相邻正六边形的顶点分别重合；在正六边形的六个顶点分别设置顶点LED芯片，在正六边形的中心点设置中心点LED芯片。
6.根据权利要求1所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，设于顶点LED芯片上部的凹形微透镜为反射式微透镜，其发光角度大，四周亮度大于中心亮度；设于中心点LED芯片上部的凸形微透镜为折射式微透镜，其发光角度小于凹形微透镜，中心亮度大于四周亮度。
7.根据权利要求1所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，微米级LED芯片阵列与PCB板、反射片、扩散板组成背光模组，所述PCB板上设置所述反射片，所述反射片上设置微米级LED芯片阵列，所述微米级LED芯片阵列上设置所述扩散板。
8.根据权利要求1所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，所述微米级LED芯片为大张角的倒装蓝光芯片，芯片尺寸大小为50-300μm。
9.根据权利要求1所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，所述微米级LED芯片的封装形式采用COB封装，以利于芯片散热。
10.根据权利要求1所述的一种减少微米级LED背光源芯片数量的方法，其特征在于，微米级 LED芯片阵列点胶所用材料包括硅胶树脂、环氧胶、UV胶或OCA胶，透过率大于90%，折射率范围在1.4-1.55。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114236911A (zh) * 2021-12-28 2022-03-25 深圳创维光学科技有限公司 发光结构及其驱动方法、制备方法、显示屏、电子设备
CN116312279B (zh) * 2023-05-22 2023-10-31 武汉华星光电技术有限公司 一种灯板及显示面板

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101435947A (zh) * 2007-11-15 2009-05-20 深圳Tcl工业研究院有限公司 一种led背光模组的排布方式及led液晶背光屏
CN101578549A (zh) * 2007-01-11 2009-11-11 夏普株式会社 带微透镜阵列的液晶显示面板和液晶显示装置
CN203249080U (zh) * 2013-03-18 2013-10-23 晶科电子（广州）有限公司 一种直下式背光模组
CN208335642U (zh) * 2018-07-10 2019-01-04 深圳市创芯精密科技有限公司 Led显示屏面罩
CN212061693U (zh) * 2020-03-17 2020-12-01 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种减小显示装置光晕的结构和Mini LED显示装置
CN212209487U (zh) * 2020-06-18 2020-12-22 深圳雷曼光电科技股份有限公司 显示面板及显示装置
CN212209488U (zh) * 2020-06-18 2020-12-22 深圳雷曼光电科技股份有限公司 像素结构、显示面板及显示装置
JP6842783B1 (ja) * 2019-10-31 2021-03-17 アルディーテック株式会社 マイクロｌｅｄディスプレイの製造方法およびマイクロｌｅｄディスプレイ
CN113376900A (zh) * 2021-01-25 2021-09-10 深圳市隆利科技股份有限公司 一种出光均匀的直下式Mini-LED背光模组
CN113721385A (zh) * 2021-08-18 2021-11-30 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种均匀出光的Mini LED芯片背光模组

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101578549A (zh) * 2007-01-11 2009-11-11 夏普株式会社 带微透镜阵列的液晶显示面板和液晶显示装置
CN101435947A (zh) * 2007-11-15 2009-05-20 深圳Tcl工业研究院有限公司 一种led背光模组的排布方式及led液晶背光屏
CN203249080U (zh) * 2013-03-18 2013-10-23 晶科电子（广州）有限公司 一种直下式背光模组
CN208335642U (zh) * 2018-07-10 2019-01-04 深圳市创芯精密科技有限公司 Led显示屏面罩
JP6842783B1 (ja) * 2019-10-31 2021-03-17 アルディーテック株式会社 マイクロｌｅｄディスプレイの製造方法およびマイクロｌｅｄディスプレイ
CN212061693U (zh) * 2020-03-17 2020-12-01 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种减小显示装置光晕的结构和Mini LED显示装置
CN212209487U (zh) * 2020-06-18 2020-12-22 深圳雷曼光电科技股份有限公司 显示面板及显示装置
CN212209488U (zh) * 2020-06-18 2020-12-22 深圳雷曼光电科技股份有限公司 像素结构、显示面板及显示装置
CN113376900A (zh) * 2021-01-25 2021-09-10 深圳市隆利科技股份有限公司 一种出光均匀的直下式Mini-LED背光模组
CN113721385A (zh) * 2021-08-18 2021-11-30 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种均匀出光的Mini LED芯片背光模组

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