CN114910838A - 磁场增强组件以及磁场增强器件 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。
Description
技术领域
本申请涉及磁共振成像技术领域，特别是涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。
背景技术
MRI(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。但是，静磁场强度的增加会带来如下三个问题：1)射频(RF)场非均匀性增大，调谐难度增加；2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为MRI技术中一个至关重要的问题。
其中，通过在MRI中引入具有高介电常数的板或柱状的介电谐振子来提高射频磁场的强度和降低比吸收率，从而达到提高成像分辨率和减小信噪比的效果，是一种能有效提高MRI特征的新趋势。超构材料的出现为MRI成像质量和效率的提高，提供了一种新颖的更有效的方法。超构材料具有许多天然材料所不具备的特殊性质。通过电磁波与超构材料的金属或电介质基元间的相互作用及基元间的耦合效应，可以实现对电磁波传播路径与电磁场场强分布的控制。其中，具体工作原理是利用超构材料形成的结构中的电磁谐振，实现呈各向异性和梯度分布等电磁参数的调节。并且，通过对超构材料的几何尺寸、形状和介电常数等参数的设计，能够实现对不同频点的谐振增强。
然而，传统的磁场增强组件包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极。第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成平行板电容器。此时，传统的磁场增强组件中形成的两个平行板电容器分别位于电介质板的两端，使得磁场增强组件的谐振频率容易受到受测物体的影响，导致磁场增强组件的增强性能降低。
发明内容
基于此，针对上述问题，有必要提供一种磁场增强组件以及磁场增强器件。
本申请提供一种磁场增强组件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层以及第三谐振电路。第一电介质层具有相对设置的第一表面与第二表面。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。第一电极层设置于所述第一表面，并靠近所述第二端设置。第二电极层设置于所述第一表面，并与所述第一电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置。第三电极层设置于所述第二表面，并靠近所述第二端设置，所述第三电极层在所述第一电介质层的正投影和所述第一电极层在所述第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于所述第二表面，并与所述第三电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置，所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。所述第三谐振电路的一端与所述第二电极层远离所述第一端的一端电连接，所述第三谐振电路的另一端与所述第一电极层远离所述第二端的一端电连接。
上述磁场增强组件以及磁场增强器件中，所述第二电极层除去形成所述第三结构电容的部分，剩余部分形成第一传输线。所述第三结构电容通过所述第一传输线，实现与所述第三谐振电路的串联连接。所述第一电极层除去形成所述第二结构电容的部分，剩余部分形成第二传输线。所述第三谐振电路的另一端通过所述第二传输线，实现与所述第二结构电容的串联连接。通过所述第一传输线和所述第二传输线将所述第三结构电容、所述第三谐振电路与所述第二结构电容串联连接。因此，通过本申请所述磁场增强组件，形成了所述第三结构电容、所述第三谐振电路以及所述第二结构电容的串联连接结构。
所述第三结构电容、所述第三谐振电路以及所述第二结构电容串联连接，使得所述磁场增强组件具有电容值和电感值。所述第三谐振电路、所述第二结构电容和所述第三结构电容之间相互配合，使得所述磁场增强组件形成的增强器件，在MRI系统的射频接收阶段达到最佳谐振频率。所述磁场增强组件形成的增强器件与MRI设备的工作频率相同时，可以增强检测部位的磁场，起到磁场增强作用。
在保证谐振频率相同的情况下，所述第三结构电容、所述第三谐振电路以及所述第二结构电容串联连接，可以使得所述第三结构电容、所述第三谐振电路以及所述第二结构电容采用电容值更大的电容，适用于高频MRI设备。所述第三结构电容、所述第三谐振电路以及所述第二结构电容采用电容值更大的电容，可以避免采用小电容。采用大电容值的电容会使得谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场MRI设备。
所述磁场增强组件在磁场环境中会产生感应电压。所述第三结构电容与所述第三谐振电路之间的所述第二电极层会形成第一传输线。所述第二结构电容与所述第三谐振电路之间的所述第一电极层会形成第二传输线。多个所述磁场增强组件形成增强器件时，所述第一传输线和所述第二传输线会形成寄生电容。
寄生电容分别与所述第三谐振电路、所述第三结构电容以及所述第二结构电容之间是并联关系。所述第三谐振电路、所述第三结构电容和所述第二结构电容串联连接，可以将感应电压分为多个，减小了所述第三谐振电路、所述第三结构电容和所述第二结构电容的分压。
进一步，所述第三谐振电路、所述第三结构电容和所述第二结构电容形成了串联的结构，降低了寄生电容上的电压。寄生电容上的电压减小，降低了寄生电容的危害，从而减小了负载效应。当多个所述磁场增强组件形成增强器件加上负载之后，谐振频率不会有大幅度偏移，进而减小了所述磁场增强组件的负载效应减小，使得谐振频率不容易受到受测物体的影响。谐振频率不容易受到受测物体的影响，可以提高所述磁场增强组件的增强性能，增强了谐振频率的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图2为本申请提供的图1实施例中磁场增强组件的结构示意图；
图3为本申请提供的图1实施例中磁场增强组件的俯视图；
图4为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图5为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图6为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图7为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图8为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图9为本申请提供的一个实施例中第一电极层与第三电极层的重叠部分的结构示意图；
图10为本申请提供的一个实施例中第一电极层与第三电极层的重叠部分的结构示意图；
图11为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图12为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图13为本申请提供的一个实施例中磁场增强组件的侧视图；
图14为本申请提供的磁场增强器件的整体结构示意图；
图15为本申请提供的磁场增强器件的爆炸结构示意图；
图16为本申请提供的传统结构形成的超构材料磁场增强组件、本申请提供的磁场增强组件形成的磁场增强器件以及空载的情况下的谐振频率示意图。
附图标记说明：
磁场增强组件10、第一电介质层100、第一电极层110、第二电极层120、第三电极层130、第四电极层140、第三谐振电路400、第一表面101、第二表面102、第一端103、第二端104、第二结构电容302、第三结构电容303、第六电容306、第五电极层141、第六电极层121、第四电感307、第一结构电容301、第二电感242、第一开口401、第二开口402、第三开口403、第四开口404、磁场增强器件20、筒形支撑结构50、第一环形导电片510、第二环形导电片520、第三端51、第四端53。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。
可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
请参见图1与图2，本申请提供一种磁场增强组件10。所述磁场增强组件 10包括第一电介质层100、第一电极层110、第二电极层120、第三电极层130、第四电极层140以及第三谐振电路400。所述第一电介质层100具有相对设置的第一表面101与第二表面102。所述第一电介质层100具有相对设置的第一端 103与第二端104。
所述第一电极层110设置于所述第一表面101。所述第一电极层110靠近所述第二端104设置。所述第二电极层120设置于所述第一表面101。所述第二电极层120与所述第一电极层110间隔设置。所述第二电极层120靠近所述第一端103设置。所述第三电极层130设置于所述第二表面102。所述第三电极层 130靠近所述第二端104设置。所述第四电极层140设置于所述第二表面102。所述第四电极层140与所述第三电极层130间隔设置。所述第四电极层140靠近所述第一端103设置。
所述第三电极层130设置于所述第二表面102。所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影，表征了所述第三电极层130的结构大小和形状。所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影和所述第一电极层110 在所述第一电介质层100的正投影部分重合，形成第二结构电容302。在重合部位，所述第三电极层130、所述第一电介质层100以及所述第一电极层110形成了所述第二结构电容302。
所述第四电极层140在所述第一电介质层100的正投影，表征了所述第四电极层140的结构大小和形状。所述第四电极层140在所述第一电介质层100 的正投影和所述第二电极层120在所述第一电介质层100的正投影部分重合，形成第三结构电容303。在重合部位，所述第四电极层140、所述第一电介质层 100以及所述第二电极层120形成了所述第三结构电容303。
所述第三谐振电路400的一端与所述第二电极层120远离所述第一端103 的一端电连接。所述第三谐振电路400的另一端与所述第一电极层110远离所述第二端104的一端电连接。所述第三谐振电路400可以设置于所述第二电极层120与所述第一电极层110之间。
所述第二电极层120除去形成所述第三结构电容303的部分，剩余部分形成第一传输线。所述第三结构电容303通过所述第一传输线，实现与所述第三谐振电路400的串联连接。所述第一电极层110除去形成所述第二结构电容302 的部分，剩余部分形成第二传输线。所述第三谐振电路400的另一端通过所述第二传输线，实现与所述第二结构电容302的串联连接。通过所述第一传输线和所述第二传输线将所述第三结构电容303、所述第三谐振电路400与所述第二结构电容302串联连接。因此，通过本申请所述磁场增强组件10，形成了所述第三结构电容303、所述第三谐振电路400以及所述第二结构电容302的串联连接结构。
在一个实施例中，所述第三谐振电路400包括电容或电感或电容和电感的组合结构。所述第三结构电容303、所述第三谐振电路400以及所述第二结构电容302串联连接，使得所述磁场增强组件10具有电容值和电感值。所述第三谐振电路400、所述第二结构电容302和所述第三结构电容303之间相互配合，使得所述磁场增强组件10形成的增强器件，在MRI系统的射频接收阶段达到最佳谐振频率。所述磁场增强组件10形成的增强器件与MRI设备的工作频率相同时，可以增强检测部位的磁场，起到磁场增强作用。
在保证谐振频率相同的情况下，所述第三结构电容303、所述第三谐振电路400以及所述第二结构电容302串联连接，可以使得所述第三结构电容303、所述第三谐振电路400以及所述第二结构电容302采用电容值更大的电容，适用于高频MRI设备。所述第三结构电容303、所述第三谐振电路400以及所述第二结构电容302采用电容值更大的电容，可以避免采用小电容。采用大电容值的电容会使得谐振频率波动较小，提高了谐振频率的稳定性，更加适合用于高场MRI设备。
所述磁场增强组件10在磁场环境中会产生感应电压。所述第三结构电容303 与所述第三谐振电路400之间的所述第二电极层120会形成第一传输线。所述第二结构电容302与所述第三谐振电路400之间的所述第一电极层110会形成第二传输线。多个所述磁场增强组件10形成增强器件时，所述第一传输线和所述第二传输线会形成寄生电容。
寄生电容分别与所述第三谐振电路400、所述第三结构电容303以及所述第二结构电容302之间是并联关系。所述第三谐振电路400、所述第三结构电容 303和所述第二结构电容302串联连接，可以将感应电压分为多个，减小了所述第三谐振电路400、所述第三结构电容303和所述第二结构电容302的分压。
进一步，所述第三谐振电路400、所述第三结构电容303和所述第二结构电容302形成了串联的结构，降低了寄生电容上的电压。寄生电容上的电压减小，降低了寄生电容的危害，从而减小了负载效应。当多个所述磁场增强组件10形成增强器件加上负载之后，多个所述磁场增强组件10形成增强器件的谐振频率不会有大幅度偏移，进而减小了所述磁场增强组件10的负载效应，使得谐振频率不容易受到受测物体的影响。谐振频率不容易受到受测物体的影响，可以提高所述磁场增强组件10的增强性能，增强了谐振频率的稳定性。
所述磁场增强组件10为可减小负载效应的MRI图像增强超构表面阵列单元组件。多个MRI图像增强超构表面阵列单元组件形成的增强器件加上负载之后，多个MRI图像增强超构表面阵列单元组件形成的增强器件的谐振频率不会有大幅度偏移，增强了谐振频率的稳定性。
在一个实施例中，所述第一电极层110、所述第二电极层120、所述第三电极层130以及所述第四电极层140的材料可以为铜、银、金等无磁性金属。所述第一电介质层100的材料可以为耐燃材料等级为FR4的材料、聚亚苯基氧化物(PPE)等耐高温的热塑性树脂或者Rogers 4003C材料等。
在一个实施例中，所述第一电介质层100的宽度为15mm，厚度为0.51mm，长度250mm。
在一个实施例中，所述第一电极层110、所述第二电极层120、所述第三电极层130以及所述第四电极层140的重合长度为30mm。
请参见图3，在一个实施例中，所述第三谐振电路400与所述第三结构电容 303之间的所述第二电极层120的宽度小于所述第一电介质层100的宽度。所述第三谐振电路400与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110的宽度小于所述第一电介质层100的宽度。
本实施例中，所述第三谐振电路400与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120形成传输线，将所述第三谐振电路400与所述第三结构电容303 连接。所述第三谐振电路400与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层 110形成传输线，将所述第三谐振电路400与所述第二结构电容302连接。然而，电极层与电极层之间相对设置会形成杂散电容。所述第三谐振电路400与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120的宽度变小，会使得传输线的宽度变小。所述第三谐振电路400与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110的宽度变小，会使得传输线的宽度变小。
因此，在不影响所述第一结构电容301与所述第二结构电容302连接的情况下，减小了杂散电容，更有利于磁场均匀分布，提高了MRI图像质量。
在一个实施例中，所述第三谐振电路400包括第六电容306。所述第六电容 306的一端与所述第二电极层120远离所述第一端103的一端电连接。所述第六电容306的另一端与所述第一电极层110远离所述第二端104的一端电连接。
在一个实施例中，所述第六电容306可以为可调电容，调节范围为4.5pF至 30pF。所述第六电容306也可以为固定电容。所述第六电容306通过所述第一电极层110形成的传输线部分，实现与所述第二结构电容302的串联连接。所述第六电容306通过所述第二电极层120形成的传输线部分，实现与所述第三结构电容303的串联连接。因此，所述磁场增强组件10形成了所述第三结构电容303、所述第六电容306以及所述第二结构电容302串联连接的结构。通过所述第三结构电容303、所述第六电容306以及所述第二结构电容302将感应电压分为多个，减小了所述第三结构电容303、所述第六电容306以及所述第二结构电容302的分压，降低了寄生电容上的电压。
当所述第三谐振电路400的使用条件确定，例如射频线圈的频率确定后，可以选择合适的固定电容，使得所述固定电容与所述第一结构电容301与所述第二结构电容302配合，使所述磁场增强器件10所在回路的谐振频率与所述射频线圈的频率相等，进而起到增强磁场的作用。当所述磁场增强器件10的使用环境不确定，例如射频线圈的频率不确定时，所述第三谐振电路400中可以采用可调电容。通过调节可调电容可以调节谐振频率，以使所述磁场增强器件10 适用不同的工作环境。
请参见图4，在一个实施例中，沿着所述第一端103至所述第二端104的方向，所述第六电容306与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120的长度和所述第六电容306与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110 的长度的比例为1:9。所述第六电容306与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120形成第一传输线。所述第六电容306与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110形成第二传输线。也就是，所述第一传输线和所述第二传输线的比例为1:9。
本实施例中，有效磁场分布在所述第三结构电容303和所述第二结构电容 302之间。有效磁场形成的区域作为检测区域，对检测部位进行检测。所述第六电容306与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120的长度和所述第六电容306与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110的长度的比例为1:9。所述第六电容306产生电场，所述第一传输线和所述第二传输线的比例为1:9，使得电场远离所述第二传输线形成的磁场区域，提高了所述磁场增强组件10的增强性能。
所述第六电容306产生的电场容易对检测部位造成辐射等伤害。所述第一传输线和所述第二传输线的比例为1:9，能够减小所述第六电容306产生的电场对检测部位造成损伤，提高了所述磁场增强组件10的安全性，减少了对检测部位的伤害。
请参见图5，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括第五电极层141、第六电极层121以及第四电感307。所述第五电极层141设置于所述第一表面 101。所述第五电极层141分别与所述第一电极层110和所述第二电极层120间隔设置。所述第五电极层141设置于所述第一电极层110与所述第二电极层120 之间。所述第六电极层121设置于所述第二表面102。所述第六电极层121与所述第三电极层130和所述第四电极层140均间隔设置。所述第六电极层121设置于所述第四电极层140与所述第三电极层130之间。
所述第六电容306的一端与所述第二电极层120远离所述第一端103的一端电连接。所述第六电容306的另一端与所述第五电极层141靠近所述第二电极层120的一端电连接。所述第六电极层121在所述第一电介质层100的正投影和所述第五电极层141在所述第一电介质层100的正投影部分重合，形成第一结构电容301。在重合部位，所述第六电极层121、所述第一电介质层100以及所述第五电极层141形成所述第一结构电容301。
所述第四电感307的一端与所述第六电极层121靠近所述第三电极层130 的一端电连接。所述第四电感307的另一端与所述第三电极层130远离所述第二端104的一端电连接。
本实施例中，所述第二电极层120除去形成所述第三结构电容303的部分，剩余部分形成第三传输线。所述第五电极层141除去形成所述第一结构电容301 的部分，剩余部分形成第四传输线。所述第六电极层121除去形成所述第一结构电容301的部分，剩余部分形成第五传输线。所述第三电极层130除去形成所述第二结构电容302的部分，剩余部分形成第六传输线。通过所述第三传输线、所述第四传输线、所述第五传输线以及所述第六传输线，将所述第三结构电容303、所述第六电容306、所述第一结构电容301、所述第四电感307以及所述第二结构电容302形成了串联连接结构。
所述第六电容306与所述第三结构电容303、所述第一结构电容301以及所述第二结构电容302形成了多个串联电容结构，降低了寄生电容上的电压，减小了负载效应。所述第四电感307能够产生磁场，结合所述第三传输线、所述第四传输线、所述第五传输线以及所述第六传输线，使得有效磁场集中在检测区域。所述磁场增强组件10中融合了所述第六电容306和所述第四电感307，提高了所述磁场增强组件10的增强性能，并增强了谐振频率的稳定性，不容易受到所述检测部位的影响。
所述第三结构电容303、所述第六电容306、所述第一结构电容301、所述第四电感307以及所述第二结构电容302相互配合，使得所述磁场增强组件10 形成的增强器件，在MRI系统的射频接收阶段达到最佳谐振频率。
请参见图6，在一个实施例中，所述第二电极层120与所述第五电极层141 之间形成第一空隙308。也就是，所述第二电极层120靠近所述第五电极层141 的一端和所述第五电极层141靠近所述第二电极层120的一端之间形成所述第一空隙308。所述第一空隙308露出所述第一表面101。所述第三电极层130与所述第六电极层121之间形成第二空隙309。也就是，所述第三电极层130靠近所述第六电极层121的一端和所述第六电极层121靠近所述第三电极层130的一端之间形成所述第二空隙309。所述第二空隙309露出所述第二表面102。所述第六电容306设置于所述第一空隙308中的所述第一表面101。所述第四电感 307设置于所述第二空隙309中的所述第二表面102。
所述第一空隙308靠近所述第三结构电容303设置。所述第六电容306设置于所述第一空隙308中。所述第六电容306靠近所述第三结构电容303设置。所述第一结构电容301与所述第二结构电容302关于所述第二空隙309对称设置。所述第四电感307设置于所述第二空隙309中。所述第四电感307设置于所述第一结构电容301和所述第二结构电容302的中间位置。
本实施例中，所述第六电容306产生电场，所述第六电容306靠近所述第三结构电容303设置，减少了对检测部位的伤害。所述第四电感307能够产生磁场，设置于所述第一结构电容301和所述第二结构电容302的中间位置，可以结合所述第五传输线以及所述第六传输线，增强检测部位的磁场强度，提高了所述磁场增强组件10的增强性能。有效磁场分布主要分布在了所述第三结构电容303和所述第一结构电容301之间、所述第一结构电容301和所述第二结构电容302之间。所述第六电容306靠近所述第三结构电容303设置，所述第一结构电容301和所述第二结构电容302关于所述第四电感307对称设置，使得有效磁场分布在所述磁场增强组件10的两端之间，使得有效磁场集中在检测区域，更有利于磁场均匀设置，使得增强后的磁场更加均匀，有利于MRI设备的成像。
请参见图7，在一个实施例中，所述第一第三谐振电路400包括第二电感 242。所述第二电感242的一端与所述第二电极层120远离所述第一端103的一端电连接。所述第二电感242的另一端与所述第一电极层110远离所述第二端 104的一端电连接。
本实施例中，所述第二电感242通过所述第一电极层110形成的传输线部分，实现与所述第二结构电容302的串联连接。所述第二电感242通过所述第二电极层120形成的传输线部分，实现与所述第三结构电容303的串联连接。因此，所述磁场增强组件10形成了所述第三结构电容303、所述第二电感242 以及所述第二结构电容302串联连接。所述第三结构电容303、所述第二电感 242以及所述第二结构电容302将感应电压分为多个，减小了所述第三结构电容 303、所述第二电感242以及所述第二结构电容302的分压，降低了寄生电容上的电压。
在一个实施例中，沿着所述第一端103至所述第二端104的方向，所述第二电感242与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120的长度和所述第二电感242与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110的长度相等。也就是，所述第二结构电容302和所述第三结构电容303关于所述第二电感242 对称设置。也就是，所述第二电感242设置于所述第一电介质层100的中心位置。
所述第二电感242与所述第三结构电容303之间的所述第二电极层120形成第一传输线。所述第二电感242与所述第二结构电容302之间的所述第一电极层110形成第二传输线。
本实施例中，所述第二电感242设置于所述第一电介质层100的中间位置。中间位置，需要增大磁场强度，来增强检测部位的磁场强度。所述第二电感242 能够形成磁场，进而可以使得中间位置的磁场增强，可以有效增强检测部位的磁场强度，提高检测效果。
所述第一传输线、所述第二电感242以及所述第二传输线，三者串联连接，在所述第二结构电容302和所述第三结构电容303之间形成检测空间。所述检测部位设置于所述检测空间内时，可以有效增强所述检测部位的磁场强度。
请参见图8，在一个实施例中，所述第三谐振电路400包括所述第六电容 306。所述第三谐振电路400与所述第四谐振电路410相同。所述第四谐振电路 410包括所述第六电容306。所述第三结构电容303、两个所述第六电容306以及所述第二结构电容302串联连接，形成了4个电容串联连接的结构。所述磁场增强组件10形成了所述第三结构电容303、两个所述第六电容306以及所述第二结构电容302串联连接的结构。通过所述第三结构电容303、两个所述第六电容306以及所述第二结构电容302将感应电压分为多个，减小了所述第三结构电容303、两个所述第六电容306以及所述第二结构电容302的分压，降低了寄生电容上的电压。
在一个实施例中，所述第六电容306的电容值与所述第二电感242的电感值，可以根据实际应用中所述磁场增强组件10在磁场环境中会产生的感应电压进行分配，以使得所述磁场增强组件10所在回路，在MRI系统的射频接收阶段达到最佳谐振频率。
在一个实施例中，所述第三谐振电路400靠近所述第一电介质层100的所述第一端103设置。所述第四谐振电路410靠近所述第一电介质层100的所述第二端104设置。所述第三谐振电路400和所述第四谐振电路410分别设置在了所述第一电介质层100的两端。有效磁场主要分布在所述第三谐振电路400 和所述第四谐振电路410之间，更有利于磁场均匀分布。
在一个实施例中，所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影和所述第一电极层110在所述第一电介质层100的正投影部分重合，重合部分的形状为梳齿形。
本实施例中，梳齿形的形状可以为具有至少一个开口的结构。正投影重合部分形成了具有至少一个开口的梳齿形的形状，能够进一步优化局部磁场分布，提高检测部位特定位置的检测效果。
请参见图9，在一个实施例中，所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110设置有第一开口401。所述第二结构电容302对应的所述第三电极层130 设置有第二开口402。所述第一开口401与所述第二开口402在所述第一电介质层100的正投影重合。所述第一开口401与所述第二开口402相对设置。
所述第一开口401与所述第二开口402在所述第一电介质层100的正投影重合。也就是，所述第一开口401与所述第二开口402相对设置于所述第一电介质层100的相对两个表面。
所述第一开口401与所述第二开口402在所述第一电介质层100的正投影重合，重合部分形成了具有一个开口的梳齿形的形状，能够进一步优化局部磁场分布，提高检测部位特定位置的检测效果。
请参见图10，在一个实施例中，所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110设置有第三开口403。所述第三开口403与所述第一开口401间隔设置。所述第二结构电容302对应的所述第三电极层130设置有第四开口404。所述第四开口404与所述第二开口402间隔设置。所述第三开口403与所述第四开口 404在所述第一电介质层100的正投影重合所述第一开口401与所述第二开口 402在所述第一电介质层100的正投影重合。通过所述第一开口401、所述第二开口402、所述第三开口403以及所述第四开口404，使得正投影重合部分形成了具有两个开口的梳齿形的形状，能够进一步优化局部磁场分布，提高检测部位特定位置的检测效果。
在一个实施例中，所述第三结构电容303对应的所述第二电极层120的结构和所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110的结构相同。所述第三结构电容303对应的所述第四电极层140和所述第二结构电容302对应的所述第三电极层130的结构相同。所述第三结构电容303的结构和所述第二结构电容302的结构相同，形成了对称的结构。
请参见图11，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括第一外接电容 440、第一二极管431以及第二二极管432。所述第一外接电容440的两端分别与所述第一电极层110和所述第三电极层130电连接。所述第一二极管431的阳极与所述第一电极层110电连接。所述第一二极管431的阴极与所述第三电极层130电连接。所述第二二极管432的阴极与所述第一电极层110电连接。所述第二二极管432的阳极与所述第三电极层130电连接。
可以理解，所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压可以在0 伏到1伏。在一个实施例中，所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压可以为0.8V。所述第一二极管431和所述第二二极管432并联在所述第一电极层110和所述第三电极层130之间，所述第一二极管431和所述第二二极管432反接。
由于射频的交流特性。所述第一电极层110和所述第二电极层120产生的感应电压也是交流电压。在射频发射阶段，由于所述第一电极层110和所述第三电极层130之间的电压差已经超过所述第一二极管431和所述第二二极管432 的导通电压。因此无论所述第一电极层110和所述第三电极层130哪个的电压高，所述第一二极管431和所述第二二极管432总有一个处于导通状态。因此将所述第一电极层110和所述第三电极层130电连接。所述第二结构电容302 被短路。所述磁场增强组件10形成的磁场增强器件处于失谐状态。
而在射频接收阶段，由于所述第一电极层110和所述第三电极层130之间的电压差小于所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压。因此无论所述第一电极层110和所述第三电极层130哪个的电压高，所述第一二极管 431和所述第二二极管432均处于不导通的状态。所述磁场增强组件10形成的磁场增强器件处于谐振状态。
在一个实施例中，在所述第一电容区11中，所述第一电极层110和所述第四电极层140也可以分别电连接所述第一外接电容440、所述第一二极管431以及所述第二二极管432，且连接关系相同。所述磁场增强装置20在所述第一端 103和所述第二端104，形成对称结构，更有利于磁场均匀分布，提高了MRI 设备的成像质量。
请参见图12，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括第三二极管 451、第四二极管452、第二外接电容442以及第三外接电容443。所述第三二极管451的阳极与所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110电连接。所述第四二极管452的阴极与所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110 电连接。所述第三外接电容443的一端与所述第三电极层130电连接。所述第三外接电容443的另一端分别与所述第三二极管451的阴极、所述第四二极管 452的阳极和所述第二外接电容442一端电连接。所述第二外接电容442的另一端与所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110电连接。
射频发射阶段和射频接收阶段在时间顺序上有几十到几千毫秒的差别。射频发射阶段和射频接收阶段的射频功率相差3个数量级。射频发射阶段结构电容上的电压在几伏到几百伏之间。而在射频接收阶段，所述结构电容两端的电压在毫伏级别。
所述第三二极管451与所述第四二极管452的开启电压可以大于1伏。即当所述第一电极层110和所述第三电极层130两端的压差大于1伏时，所述第三二极管451或所述第四二极管452导通。当所述第一电极层110和所述第三电极层130两端的压差小于1伏时，所述第三二极管451和所述第四二极管452 断开。
可以理解，所述第三二极管451和所述第四二极管452的导通电压可以在0 伏到1伏。在一个实施例中，所述第三二极管451和所述第四二极管452的导通电压可以为0.8V。所述第三二极管451和所述第四二极管452分别串联在所述第一电极层110和所述第三电极层130之间，即所述第三二极管451和所述第四二极管452反接。
由于射频的交流特性。所述第一电极层110和所述第三电极层130产生的感应电压也是交流电压。在射频发射阶段，由于所述第一电极层110和所述第三电极层130之间的电压差已经超过所述第三二极管451和所述第四二极管452 的导通电压。因此无论所述第一电极层110和所述第三电极层130哪个的电压高，所述第三二极管451和所述第四二极管452总有一个处于导通状态。因此所述第二外接电容442被短路。只有所述第三外接电容443连接在所述第一电极层110和所述第三电极层130之间。通过设置合适的所述第三外接电容443 可以降低或避免所述磁场增强组件10所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。
通过所述第三外接电容443可以使在使用所述磁场增强组件10时和使用所述磁场增强组件10前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同，能够消除所述磁场增强器件20对射频发射阶段的影响，使得所述磁场增强器件20能够适用于所有的临床序列，提高了所述磁场增强器件20的临床实用性。
而在射频接收阶段，由于所述第一电极层110和所述第三电极层130之间的电压差小于所述第三二极管451和所述第四二极管452的导通电压。因此无论所述第一电极层110和所述第三电极层130哪个的电压高，所述第三二极管 451和所述第四二极管452均处于不导通的状态，在射频接收的阶段，所述第二外接电容442和所述第三外接电容443串联于所述第一电极层110和所述第三电极层130之间。
请参见图13，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括第一外接电容 440、第五二极管461、第六二极管462以及第五外接电容445。所述第五二极管461的阳极与所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110电连接。所述第六二极管462的阴极与所述第二结构电容302对应的所述第一电极层110 电连接。所述第五外接电容445的一端与所述第三电极层130电连接。所述第五外接电容445的另一端分别与所述第五二极管461的阴极和所述第六二极管 462的阳极电连接。
在发射阶段，所述第二结构电容302的电压较大，所述第五二极管461或者所述第六二极管462导通，使得所述第五外接电容445与所述第一外接电容 440并联连接。所述第一外接电容440和所述第五外接电容445串联于所述第二结构电容302的上下电极层之间。
而在射频接收阶段，所述第二结构电容302的电压较小，所述第五二极管 461和所述第六二极管462全部断开。所述第一外接电容440串联于所述第二结构电容302的上下电极层之间。通过调节所述第一外接电容440，能够调节所述磁场增强组件10所在回路的谐振频率，使得所述谐振频率与MRI设备的工作频率相等，从而大幅增强射频接收场，提高图像信噪比。
所述第五外接电容445和所述第一外接电容440并联。相比于传统结构中两个结构电容串联，当所述磁场增强组件10形成的磁场增强器件的总容值相等时，所述第五外接电容445和所述第一外接电容440并联的容值更大，因此所需的所述第二结构电容302和所述第三结构电容303的容值可以较小，因此所述磁场增强组件10具有更低的损耗。
在射频发射阶段，当所述磁场增强组件10形成的磁场增强器件的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远时，通过调节所述第五外接电容445和所述第一外接电容440，能够保证在磁共振系统的射频发射阶段，使用所述磁场增强组件 10的磁场强度和不使用所述磁场增强组件10的磁场强度相同。可以理解，所述磁场增强组件10的线性响应特性决定了其在射频发射和射频接收阶段具有相同谐振性能。
通过调节所述第一外接电容440和所述第五外接电容445，能够使得所述磁场增强组件10所在的回路在射频接收阶段具有良好的谐振频率。最终使得所述磁场增强组件10所在的回路在接收阶段的谐振频率达到磁共振系统的工作频率。
在一个实施例中，上述实施例中的元件电容可以为固定电容，也可以为调节电容。当射频线圈的频率确定后，元件电容可以选择合适的固定电容，使得所述固定电容与其他结构电容和元件电容配合，使所述磁场增强器件10所在回路的谐振频率与所述射频线圈的频率相等，进而起到增强磁场的作用。当射频线圈的频率不确定时，元件电容可以采用可调电容。通过调节可调电容，调节谐振频率，以使得所述磁场增强器件10适用不同的工作环境。
请参见图14与图15，在一个实施例中，本申请提供一种磁场增强器件20。所述磁场增强器件20包括筒形支撑结构50、多个磁场增强组件10、第一环形导电片510以及第二环形导电片520。所述筒形支撑结构50具有两个间隔相对的第三端51和第四端53。所述磁场增强组件10为上述实施例中任一实施例中所述的磁场增强组件10。所述多个磁场增强组件10间隔设置于所述筒形支撑结构50。所述多个磁场增强组件10沿着所述第三端51向所述第四端53延伸。所述第一环形导电片510设置于所述筒形支撑结构50。所述第一环形导电片510 靠近所述第三端51。所述第一环形导电片510与每个所述磁场增强组件10的所述第四电极层140连接。所述第二环形导电片520设置于所述筒形支撑结构50。所述第二环形导电片520靠近所述第四端53。所述第二环形导电片520与每个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130连接。
在一个实施例中，所述第一环形导电片510与每个所述磁场增强组件10的所述第四电极层140连接。所述第二环形导电片520与每个所述磁场增强组件 10的所述第三电极层130连接。
在一个实施例中，所述第一环形导电片510与每个所述磁场增强组件10的所述第四电极层140连接。所述第二环形导电片520与每个所述磁场增强组件 10的所述第一电极层110连接。
所述筒形支撑结构50具有相对间隔设置的内表面和外表面。所述筒形支撑结构50的内表面可以包围形成一个检测空间509。所述检测空间509可以用于容纳检测部位。所述检测部位可以为手臂、腿、腹部等。所述多个磁场增强组件10间隔的距离相等可以提高局部磁场的均匀性。
多个所述磁场增强组件10可以等间隔设置于所述筒形支撑结构50的外表面。所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片520分别设置于所述筒形支撑结构50相对的两端，并环绕所述筒形支撑结构50的轴线504设置。
每个所述磁场增强组件10的两端分别与所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片520连接。通过所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片 520将多个磁场增强组件10连接。所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片520分别首尾连接，使得所述磁场增强器件20的整个结构各向同性，磁场均匀性提高。
所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片520可以分别环绕所述筒形支撑结构50的轴线504设置，即所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片520均为环状结构。
在一个实施例中，围绕所述筒形支撑结构50的外表面间隔设置有多个限位结构530。在沿着所述第三端51到所述第四端53的方向，每一个所述磁场增强组件10分别对应所述第三端51的所述限位结构530和所述第四端53的所述限位结构530。通过所述第三端51和所述第四端53两端的所述限位结构530，固定一个所述磁场增强组件10，进而将所述磁场增强组件10固定于所述筒形支撑结构50的外表面。
在一个实施例中，所述限位结构530可以通槽。所述通槽可以用于插入所述磁场增强组件10。所述两个通槽分别限制所述磁场增强组件10的两端。通过所述限位结构530可以将所述磁场增强组件10固定于所述筒形支撑结构50的外表面。
在一个实施例中，所述磁场增强器件20可以包括12块所述磁场增强组件 10，围绕所述轴线504等间隔排列于所述筒形支撑结构50的外表面。
请参见图16，在一个实施例中，将传统结构形成的超构材料磁场增强组件、本申请提供的磁场增强组件10形成的磁场增强器件20以及空载的情况进行对比，获得如图13所示频率对比图。其中，图13中空载是指没有磁场增强组件的情况下，MRI设备的原始谐振频率。图13中传统结构带负载是指传统超构材料磁场增强组件，对负载(也就是检测部位)进行检测的情况。本申请结构带负载是指本申请磁场增强组件10形成的磁场增强器件20，对负载(也就是检测部位)进行检测的情况。其中，传统超构材料磁场增强组件和本申请磁场增强器件20进行对比时，采用对同一个负载进行检测。通过对比可以看出，相比于 MRI设备的原始谐振频率，传统结构单元形成的磁场增强组件的谐振频率降低了3.8MHz左右，大幅度偏移了原始频率。然而，相比于MRI设备的原始谐振频率，本申请磁场增强组件10形成的磁场增强器件20，谐振频率只降低了 2.3MHz。因此，本申请磁场增强组件10具有很好地带负载能力，可以有效的降低结构的负载效应，具有更好的频率稳定性。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件包括：
第一电介质层(100)，具有相对设置的第一表面(101)与第二表面(102)，所述第一电介质层(100)具有相对设置的第一端(103)与第二端(104)；
第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并靠近所述第二端(104)设置；
第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，并与所述第一电极层(110)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置；
第三电极层(130)，设置于所述第二表面(102)，并靠近所述第二端(104)设置，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第二结构电容(302)；
第四电极层(140)，设置于所述第二表面(102)，并与所述第三电极层(130)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置，所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第三结构电容(303)；
第三谐振电路(400)，所述第三谐振电路(400)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第三谐振电路(400)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端电连接。
2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的宽度小于所述第一电介质层(100)的宽度；
所述第三谐振电路(400)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的宽度小于所述第一电介质层(100)的宽度。
3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)包括：
第六电容(306)，所述第六电容(306)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第六电容(306)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端电连接。
4.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，沿着所述第一端(103)至所述第二端(104)的方向，所述第六电容(306)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的长度和所述第六电容(306)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的长度的比例为1:9。
5.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件还包括：
第五电极层(141)，设置于所述第一表面(101)，并与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)均间隔设置，所述第五电极层(141)设置于所述第一电极层(110)与所述第二电极层(120)之间；
所述第六电容(306)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第六电容(306)的另一端与所述第五电极层(141)靠近所述第二电极层(120)的一端电连接；
第六电极层(121)，设置于所述第二表面(102)，并与所述第三电极层(130)和所述第四电极层(140)均间隔设置，所述第六电极层(121)设置于所述第四电极层(140)与所述第三电极层(130)之间，所述第六电极层(121)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第五电极层(141)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第一结构电容(301)；
第四电感(307)，所述第四电感(307)的一端与所述第六电极层(121)靠近所述第三电极层(130)的一端电连接，所述第四电感(307)的另一端与所述第三电极层(130)远离所述第二端(104)的一端电连接。
6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二电极层(120)与所述第五电极层(141)之间形成第一空隙(308)，并露出所述第一表面(101)，所述第三电极层(130)与所述第六电极层(121)之间形成第二空隙(309)，并露出所述第二表面(102)；
所述第六电容(306)设置于所述第一空隙(308)中的所述第一表面(101)，所述第四电感(307)设置于所述第二空隙(309)中的所述第二表面(102)；
所述第一空隙(308)靠近所述第三结构电容(303)设置，所述第一结构电容(301)与所述第二结构电容(302)关于所述第二空隙(309)对称设置。
7.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)包括：
第二电感(242)，所述第二电感(242)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第二电感(242)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端电连接。
8.如权利要求7所述的磁场增强组件，其特征在于，沿着所述第一端(103)至所述第二端(104)的方向，所述第二电感(242)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的长度和所述第二电感(242)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的长度相等。
9.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，重合部分的形状为梳齿形。
10.一种磁场增强器件，其特征在于，包括：
筒形支撑结构(50)，具有两个间隔相对的第三端(51)和第四端(53)；
多个磁场增强组件(10)，每个所述磁场增强组件(10)包括：
第一电介质层(100)，具有相对设置的第一表面(101)与第二表面(102)，所述第一电介质层(100)具有相对设置的第一端(103)与第二端(104)；
第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，靠近所述第二端(104)设置；
第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，并与所述第一电极层(110)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置；
第三电极层(130)，设置于所述第二表面(102)，靠近所述第二端(104)设置，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第二结构电容(302)；
第四电极层(140)，设置于所述第二表面(102)，并与所述第三电极层(130)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置，所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第三结构电容(303)；
第三谐振电路(400)，所述第三谐振电路(400)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第三谐振电路(400)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端电连接；
所述多个磁场增强组件(10)间隔设置于所述筒形支撑结构(50)，并沿着所述第三端(51)向所述第四端(53)延伸；
第一环形导电片(510)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第三端(51)，所述第一环形导电片(510)与每个所述磁场增强组件(10)的所述第四电极层(140)连接；以及
第二环形导电片(520)，设置于所述筒形支撑结构(50)，并靠近所述第四端(53)，所述第二环形导电片(520)与每个所述磁场增强组件(10)的所述第三电极层(130)连接。
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