CN114908334A - 下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法 - Google Patents

Abstract

一种下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法，其中，下电极组件包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，用于向所述凹坑空间内基片的背面输送导热气体。利用所述化学气相沉积装置有利于提高基片不同区域温度的一致性。

Description

下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法。

背景技术

化学气相沉积工艺是半导体领域非常重要的一种工艺方法，其主要用于在基片的表面沉积薄膜。化学气相沉积工艺通常在化学气相沉积装置内进行，所述化学气相沉积装置包括：反应腔和位于所述反应腔内的加热盘，所述加热盘内设有若干个加热单元，所述加热单元用于对基片进行加热，且所述加热盘设有凹陷于其表面的凹坑空间，所述所述凹坑空间内设有若干个凸台用于支撑基片，使基片底部与凹坑空间底部形成一空间，那么化学气相沉积工艺过程中的工艺气体易进入所述空间内，但是，工艺气体的传热能力较差，使基片的加热方式主要来自于凹坑空间底部的辐射加热。

然而，由于若干个加热单元相互分立设置，使基片下方有的区域与加热单元相对，有些区域下方无加热单元，因此，基片不同区域温度的一致性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种下电极组件、化学气相沉积装置及基片温度控制方法，以提高基片不同区域温度的均匀性。

为了实现以上目的，本发明提供一种下电极组件，包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，所述凸台用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，所述进气口用于向所述凹坑空间内所述基片的背面输送导热气体，所述导热气体在所述凹坑空间内扩散，最后从所述基片边缘与基片槽侧壁之间的间隙释放出去。

可选的，所述导热气体的流量为1标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟。

可选的，所述导热气体包括：氢气、氮气、氩气或氦气中的一种或者多种。

可选的，所述进气口的个数为多个，多个所述进气口在所述基片槽的底部均匀分布。

可选的，所述基片槽的底部设有若干个第一气道，所述导热气体由所述进气口进入所述第一气道。

可选的，所述若干个第一气道同心设置，所述进气口与内圈的第一气道连通，不同圈的第一气道之间通过连接通道连通。

可选的，还包括：位于所述加热盘下方中心区域的支撑筒，所述支撑筒包括：内支撑筒和外支撑筒。

可选的，所述内支撑筒与外支撑筒内外套设，在所述内支撑筒与外支撑筒之间形成第二气道，所述第二气道与进气口连通。

可选的，所述内支撑筒位于所述加热盘下方的中心，所述外支撑筒为多个，多个所述外支撑筒环绕设置在所述内支撑筒的外围，所述外支撑筒内为第二气道，所述第二气道与进气口连通。

可选的，所述加热盘不旋转，还包括：位于所述支撑筒下方的密封件，所述密封件内设有气体传输通道，所述气体传输通道与所述进气口连通，用于输送导热气体。

可选的，所述加热盘旋转沿其中心轴旋转，还包括：磁流体装置，位于所述支撑筒的下方，所述磁流体装置包括：磁流体内轴和磁流体外轴，所述磁流体内轴的外侧壁与磁流体外轴的内侧壁之间通过磁流体环形成轴间气道，所述磁流体内轴内部设置有内轴气道，所述内轴气道包括纵向气道和横向气道，所述纵向气道包括第一端和第二端，所述横向气道包括第三端和第四端，所述第一端为磁流体出气口，所述磁流体出气口与进气口连通，所述第二端与第三端连通，所述第四端与所述轴间气道连通，所述磁流体外轴侧壁设置若干个磁流体进气口，所述磁流体进气口与所述轴间气道连通。

可选的，不同的所述磁流体进气口与不同的轴间气道连通，使基片的不同区域的温度可调。

可选的，还包括：若干个气体流量控制器，分别用于控制若干个所述外支撑筒内的各种导热气体的流量；至少一个检测传感器，用于监控基片不同的温度；控制模块，接收所述检测传感器反馈的基片的温度，根据预设定条件发送相应的控制命令给所述多个气体流量控制器，控制每个气体流量控制器所对应的各个外支撑筒内各种导热气体的流量，以调整基片不同区域下方的凹坑空间的气体的配比。

可选的，还包括：供气装置，所述供气装置包括多个气源，每一所述气体流量控制器控制不同气源的流量，混合形成多种所述导热气体，并将所述导热气体对应输送到各个独立的所述外支撑筒内。

可选的，所述下电极组件的转速为：0转/分钟～100转/分钟。

相应的，本发明还提供一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；气体喷淋头，用于向所述反应腔内输送工艺气体；上述下电极组件，位于所述反应腔内的底部，所述加热盘内的凸台用于承载基片，所述工艺气体在所述基片的表面沉积形成薄膜。

可选的，所述导热气体在凹坑空间的压力大于反应腔内的压力，且小于反应腔的压力和基片的重量之和。

相应的，本发明还提供一种基片温度控制方法，包括：提供上述的化学气相沉积装置；将基片放置于所述基片槽内被凸台所支撑，所述基片与基片槽之间形成凹坑空间；通过所述第一气道向所述凹坑空间内通入导热气体，所述基片未被所述凹坑空间内的气体托起；所述加热盘内的加热元件控制所述凹坑空间内的导热气体的温度，通过所述凹坑空间内导热气体的热传导实现基片的温度控制。

本发明与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明提供的化学气相沉积装置中，所述加热盘的基片槽内设于凸台，所述凸台用于支撑基片，因此，在所述基片的底部与基片槽的底部形成凹坑空间。尽管若干个加热元件的分布不均匀性，使得对基片不同区域的热辐射不一样，但是，通过所述进气口向所述凹坑空间通入导热气体，而导热气体的传热能力较强，那么凹坑空间内温度较高区域的导热气体很容易将热量传递给温度较低的区域，因此，有利于降低凹坑空间内导热气体内不同区域温度的差异，所述导热气体用于直接对基片加热，因此，有利于提高基片不同区域温度的一致性。

在沉积工艺过程中，下电极组件沿其轴向旋转，检测传感器实时监控基片不同区域的温度状况，并将温度值反馈给控制模块，根据预先设定的算法，控制模块将命令发送到气体流量控制器，独立调整基片不同区域下部导热气体的配比，从而保持基片不同区域之间温度的一致性，由此可知上述调节方法简单便捷，降低基片制备成本，产率提升。

附图说明

图1为本发明一种化学气相沉积装置的结构示意图；

图2为本发明一种下电极组件的截面示意图；

图3为图2中加热盘的截面示意图；

图4为图2中加热器的立体图；

图5为图4沿A-A1线的剖面示意图；

图6为本发明一实施例提供的在不同温度下的氮气，氢气和氦气之间的热传导率对比的示意图；

图7为本发明另一种加热盘的俯视图；

图8为图2中磁流体装置的立体图；

图9为图8沿B-B1线的剖面示意图；

图10为本发明另一种下电极组件的结构示意图；

图11为图10中加热器的立体图；

图12为图11沿C-C1的剖面示意图；

图13为图10中流体装置的立体图；

图14为图13沿D-D1线的剖面示意图；

图15为基片的俯视图；

图16为本发明又一种下电极组件的结构示意图；

图17为本发明一种基片温度控制方法的流程图。

具体实施方式

正如背景技术所述，利用现有化学气相沉积装置处理的基片的温度均匀性较差，为此，本发明致力于提供一种化学气相沉积装置，以提高基片温度的均匀性，以下进行详细说明：

图1为本发明一种化学气相沉积装置的结构示意图。

请参考图1，化学气相沉积装置包括：反应腔10；气体喷淋头11，用于向所述反应腔10内输送工艺气体；下电极组件12，位于所述反应腔10内的底部，用于承载基片W，所述基片W的表面在所述反应腔10内被处理。

所述气体喷淋头11与一工艺气体源连接，用于向反应腔10内输送工艺气体，所述工艺气体包括：氮气。所述化学气相沉积装置1还包括：真空泵14，用于抽出反应腔10内的气体，使反应腔10内为真空环境。所述下电极组件12包括加热元件，所述加热元件用于对基片W进行加热，所述工艺气体在所述基片W的表面发生化学反应形成薄膜。

在本实施例中，所述下电极组件12在工艺处理的过程中，沿其轴向ω转动从而带动基片W转动。

在其它实施例中，所述下电极组件也可不转动。

在本实施例中，所述下电极组件12的转速为：0转/分钟～100转/分钟。

以下对所述下电极组件12进行详细说明：

其中图2至图14为本发明下电极组件沿其中心轴转动的结构示意图。

图2至图9为本发明一种下电极组件的结构示意图。

请参考图2至图5，下电极组件12包括：加热器，其包括加热盘120和支撑筒121，所述加热盘120设有凹陷于其表面的基片槽1206(见图3)，所述基片槽1206内设有凸台1204(见图3)，所述凸台1204用于支撑基片W，所述基片W与基片槽1206的底部之间形成凹坑空间V，所述基片槽1206的底部内设有若干个加热元件H，所述基片槽1206的底部设有进气口1201(见图4)，用于向所述凹坑空间V内基片W的背面输送导热气体；所述支撑筒121位于所述加热盘120下方的中心区域；磁流体装置122，位于所述支撑筒121下方。

由于所述基片W置于所述加热盘120的基片槽1206内的凸台1204上，使所述基片W与基片槽1206的底部之间形成凹坑空间V，因此，所述基片W的加热模式有两种，其中一种是接受凹坑空间V底部表面对基片W的辐射加热，另一种是凹坑空间V内的导热气体热传导加热所述基片W。

在本实施例中，所述导热气体的流量为1标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟。所述导热气体的流量不至于过小，也不至于过大，使得基片W被吹起。并且，所述导热气体在凹坑空间V内的压力大于反应腔10内的压力，使凹坑空间V内的导热气体能够从基片槽1206的侧壁与基片W边缘的间隙流出，同时，所述导热气体在凹坑空间V内的压力小于反应腔10内的压力和基片W的重量，使基片W不至于被导热气体吹起。

在本实施例中，若干个加热元件相互分立设置，这样与加热元件相对位置对基片W的热辐射较强，而相邻加热元件之间因没有加热元件，因此该区域对基片W相应区域的热辐射较弱。尽管若干个加热元件H的分布不均匀性，使得对基片W不同区域的热辐射不一样，但是，通过所述进气口1201向所述凹坑空间V通入导热气体，而导热气体的传热能力较强，那么凹坑空间V内温度较高区域的导热气体很容易将热量传递给温度较低的区域，即：加热元件上方的导热气体很容易将热量传递给相邻加热元件之间上方的导热气体，因此，有利于降低凹坑空间V内导热气体内不同区域温度的差异，所述导热气体用于直接对基片W加热，因此，有利于提高基片W不同区域温度的一致性。

在本实施例中，所述基片槽1206的底部设有若干个第一气道1202，所述若干个第一气道1202同心设置，所述进气口1201与内圈的第一气道1202连通，不同圈的第一气道1202之间通过连接通道1203连通，所述第一气道1202传输导热气体的具体方式为：导热气体由进气口1201进入内圈的第一气道1202，而不同圈的第一气道1202之间通过连接通道1203连通，因此，内圈的第一气道1202通过连接气道1203依次向外圈的第一气道1202依次传递，最终从凹坑空间V边缘区域与基片W之间的缝隙流出。所述第一气道1202多圈同心设置，有利于引导导热气体的扩散，进一步提高基片W不同半径区域温度的一致性。

在其它实施例中，若干个所述第一气道还可以以其它方式设置。

并且，所述导热气体的成分独立可调，因此，可根据基片W温度需要，选择合适的导热气体。例如：当希望基片W的温度高一些时，则选择传热能力较好的导热气体；当希望基片W的温度低一些时，则选择传热能力差一些的导热气体。

所述导热气体包含氢气、氮气、氦气、氩气中的一种或多种。

具体的，关于气体传热，考虑到温度梯度的存在，以及分子的相互作用和多原子气体的分子动能，有如下经典公式可计算分子的热传导率K：

式中，K表示气体热传导率；η表示气体粘滞系数；γ绝热系数；cV表示定容热容。

通常的化学气相沉积工艺压力高于1Torr，在此条件下，气体的密度与平均自由程的乘积为常数，因此气体热传导率K是关于温度的函数，与压力无关，请继续参加图6，图6为不同温度下的氮气，氢气和氦气的热传导率对比，可见在化学气相沉积的工艺温度范围(500～1100℃)内，氢气的热传导率是氮气的7倍左右，氦气的热传导系数是氮气的5.5倍左右。

图7为本发明另一种加热盘的俯视图。

在本实施例中，所述加热盘320包括基片槽3206，设有所述基片槽3206的底部的凸台3204，所述凸台3204用于支撑基片，所述基片槽3206的底部设有多个进气口3201，多个所述进气口3201在所述基片槽3206的底部均匀分布，使从各个进气口3201出来的导热气体能够接触到基片背面的不同区域，因此，有利于提高基片不同区域温度的一致性。

请返回继续参考图2、图4和图5，所述支撑筒121包括：内支撑筒1211和外支撑筒1212，所述内支撑筒1211与外支撑筒1212内外套设，所述内支撑筒1211与外支撑筒1212之间形成第二气道1213，所述第二气道1213与第一气道1202相互连通。

所述支撑筒121的下方还设置有磁流体装置122，请参考图2、图8和图9，所述磁流体装置122包括：磁流体内轴1221和磁流体外轴1222，所述磁流体内轴1221顶部支撑所述内支撑筒1211，所述磁流体内轴1221的顶部设有磁流体出气口1223，所述磁流体出气口1223与所述第二气道1213连通，且所述磁流体外轴1222的侧壁设有磁流体进气口1225，所述磁流体内轴1221与所述磁流体外轴1222之间通过多个磁流体环1226实现密封，相邻的所述磁流体环1226之间形成轴间气道1224，所述磁流体内轴1221内部设置有内轴气道，所述内轴气道包括纵向气道1229a和横向气道1229b，所述纵向气道1229a包括第一端和第二端，所述横向气道1229b包括第三端和第四端，所述第一端为磁流体出气口1223，所述磁流体出气口1223与第二气道1213连通，所述第二端与第三端连通，所述第四端与所述轴间气道1224连通，所述磁流体外轴1222侧壁设置若干个磁流体进气口1225，所述磁流体进气口1225与所述轴间气道1224连通则所述导热气体通过磁流体进气口1225进入轴间气道1224，再经内轴气道的磁流体出气口1223进入第二气道1213，再由第二气道1213进入第一气道1202，而所述第一气道1202多圈同心设置，所述导热气体用于缩小凹坑空间V内导热气体内不同区域温度的差异，因此，有利于提高基片W不同半径区域上温度的一致性。

图10至图14为本发明另一种下电极组件的结构示意图。

请参考图10至图12，下电极组件22包括：加热器，其包括加热盘220和支撑筒221，所述加热盘220内设有加热元件H，所述加热盘220设有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽内设有凸台，所述凸台用于支撑基片W，所述基片W与基片槽的底部之间形成凹坑空间V，所述基片槽内设置有进气口2201，用于向所述凹坑空间V内输送导热气体，所述支撑筒221位于所述加热盘220下方的中心区域；磁流体装置222，位于所述支撑筒221下方。

在本实施例中，所述支撑筒221包括：内支撑筒2211和外支撑筒2212，所述内支撑筒2211的个数为1个，所述外支撑筒2212的个数为多个，多个所述外支撑筒2212环绕设置在所述内支撑筒2211的外围，所述外支撑筒2212内的通道为第二气道2213，所述第二气道2213与第一气道2202连通。

请参考图10、图13和图14，所述磁流体装置222包括：磁流体内轴2221和磁流体外轴2222，所述磁流体内轴2221的顶部设有若干个磁流体出气口2223，所述磁流体内轴2221与磁流体外轴2222之间通过若干个磁流体环2226实现密封，相邻所述磁流体环2226之间形成轴间气道2224，且所述磁流体外轴2222的侧壁设有磁流体进气口2225。

所述导热气体通过磁流体进气口2225进入磁流体装置222的轴间气道2224，再经所述轴间气道2224通过磁流体出气口2223流出，通过所述磁流体出气口2223进入外支撑筒2212内(第二气道2213)，所述磁流体出气口2223与外支撑筒2212一一对应设置，使一个磁流体出气口2223流出的导热气体进入一个外支撑筒2212内，经所述外支撑筒2213进入第一气道2202。所述导热气体的传热能力较强，那么凹坑空间V内温度较高区域的导热气体很容易将热量传递给温度较低的区域，即：加热元件上方的导热气体很容易将热量传递给相邻加热元件之间上方的导热气体，因此，有利于降低凹坑空间V内导热气体内不同区域温度的差异，所述导热气体用于直接对基片W加热，因此，有利于提高基片W不同区域温度的一致性。

在本实施例中，所述外支撑筒2212内的通道为第二气道2213，由于多个所述外支撑筒2212相互分立，使通过外支撑筒2212输送至第一气道2202之前的导热气体没有进行混合，因此，可根据基片W不同区域温度的需求，对应独立调整相应外支撑筒2212内导热气体的成分。

如图15所示为基片W的俯视图，在此以所述基片W为四个区域(M1～M2)为例进行说明。所述下电极组件12还包括：若干个气体流量控制器，分别用于控制若干个所述外支撑筒内的各种导热气体的流量；至少一个检测传感器，用于监控基片不同的温度；控制模块，接收所述检测传感器反馈的基片的温度，根据预设定条件发送相应的控制命令给所述多个气体流量控制器，控制每个气体流量控制器所对应的各个外支撑筒内各种导热气体的流量，以调整基片不同区域下方的凹坑空间的气体的配比。所述下电极组件12还包括：供气装置，所述供气装置包括多个气源，每一所述气体流量控制器控制不同气源的流量，混合形成所述多种所述导热气体，并将所述导热气体对应输送到各个独立的所述外支撑筒内。

利用图10所示下电极组件22可分别单独调节基片W区域M1、M2、M3和M4的温度，区域M1、M2、M3和M4各自对应一个外支撑筒2212，每个所述外支撑筒2212用于向对应的区域输送导热气体，这样能够达到基片区域M1、M2、M3和M4各自的温度设定需求，这主要应用于要求基片W不同区域的温度不一样的情形。当然，也适用于使区域M1、M2、M3和M4的温度一致的情形。

图2和图10所示的下电极组件沿其中心轴转动，实际上，本发明还使用于下电极组件不沿其中心轴转动的方案，请参考图16，图16为本发明又一种下电极组件的结构示意图。

在本实施例中，当所述下电极组件不沿其中心轴转动时，所述下电极组件42包括：加热盘420、位于所述加热盘420下方的支撑筒421和位于所述支撑筒421下方的密封件422。所述密封件422内设有气体传输通道4223，所述气体传输通道4223与所述支撑筒421的第二气道连通4213，用于输送导热气体。

在本实施例中，所述支撑筒421包括：内支撑筒4211和外支撑筒4212，所述内支撑筒4211位于所述加热盘420下方的中心，所述外支撑筒4212为多个，多个所述外支撑筒4212环绕设置在所述内支撑筒4211的外围，所述外支撑筒4212内为第二气道4213，所述第二气道4213与进气口连通。

在其它实施例中，所述内支撑筒与外支撑筒内外套设，在所述内支撑筒与外支撑筒之间形成第二气道，所述第二气道与进气口连通。

在本实施例中，所述下电极组件42不旋转，通过气体传输通道4223输入导热气体，所述导热气体经第二气体通道4213通过进气口进入所述基片底部与基片槽底部的凹坑空间内。所述导热气体的传热能力较强，那么凹坑空间内温度较高区域的导热气体很容易将热量传递给温度较低的区域，因此，有利于降低凹坑空间内导热气体内不同区域温度的差异，所述导热气体用于直接对基片加热，因此，有利于提高基片不同区域温度的一致性。

图17为本发明一种基片温度控制方法的流程图。

请参考图17，步骤S1：提供上述化学气相沉积装置；步骤S2：将基片放置于所述基片槽内被凸台所支撑，所述基片与基片槽之间形成凹坑空间；步骤S3：向所述凹坑空间内通入导热气体，所述基片未被所述凹坑空间内的气体托起；步骤S4：所述加热盘内的加热元件控制所述凹坑空间内的导热气体的温度，通过所述凹坑空间内导热气体的热传导实现基片的温度控制。

所述加热盘的基片槽内设于凸台，所述凸台用于支撑基片，因此，在所述基片的底部与基片槽的底部形成凹坑空间。尽管若干个加热元件的分布不均匀性，使得对基片不同区域的热辐射不一样，但是，通过所述第一气道向所述凹坑空间通入导热气体，而导热气体的传热能力较强，那么凹坑空间内温度较高区域的导热气体很容易将热量传递给温度较低的区域，因此，有利于降低凹坑空间内导热气体内不同区域温度的差异，所述导热气体用于直接对基片加热，因此，有利于提高基片不同区域温度的一致性。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (18)

1.一种下电极组件，其特征在于，包括：

加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，所述凸台用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，所述进气口用于向所述凹坑空间内所述基片的背面输送导热气体，所述导热气体在所述凹坑空间内扩散，最后从所述基片边缘与基片槽侧壁之间的间隙释放出去。

2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述导热气体的流量为1标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟。

3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述导热气体包括：氢气、氮气、氩气或氦气中的一种或者多种。

4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述进气口的个数为多个，多个所述进气口在所述基片槽的底部均匀分布。

5.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述基片槽的底部设有若干个第一气道，所述导热气体由所述进气口进入所述第一气道。

6.如权利要求5所述的下电极组件，其特征在于，所述若干个第一气道同心设置，所述进气口与内圈的第一气道连通，不同圈的第一气道之间通过连接通道连通。

7.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括：位于所述加热盘下方中心区域的支撑筒，所述支撑筒包括：内支撑筒和外支撑筒。

8.如权利要求7中所述的下电极组件，其特征在于，所述内支撑筒与外支撑筒内外套设，在所述内支撑筒与外支撑筒之间形成第二气道，所述第二气道与进气口连通。

9.如权利要求7所述的下电极组件，其特征在于，所述内支撑筒位于所述加热盘下方的中心，所述外支撑筒为多个，多个所述外支撑筒环绕设置在所述内支撑筒的外围，所述外支撑筒内为第二气道，所述第二气道与进气口连通。

10.如权利要求7所述的下电极组件，其特征在于，所述加热盘不旋转，还包括：位于所述支撑筒下方的密封件，所述密封件内设有气体传输通道，所述气体传输通道与所述进气口连通，用于输送导热气体。

11.如权利要求7所述的下电极组件，其特征在于，所述加热盘沿其中心轴旋转，还包括：磁流体装置，位于所述支撑筒的下方，所述磁流体装置包括：磁流体内轴和磁流体外轴，所述磁流体内轴的外侧壁与磁流体外轴的内侧壁之间通过磁流体环形成轴间气道，所述磁流体内轴内部设置有内轴气道，所述内轴气道包括纵向气道和横向气道，所述纵向气道包括第一端和第二端，所述横向气道包括第三端和第四端，所述第一端为磁流体出气口，所述磁流体出气口与进气口连通，所述第二端与第三端连通，所述第四端与所述轴间气道连通，所述磁流体外轴侧壁设置若干个磁流体进气口，所述磁流体进气口与所述轴间气道连通。

12.如权利要求11所述的下电极组件，其特征在于，不同的所述磁流体进气口与不同的轴间气道连通，使基片的不同区域的温度可调。

13.如权利要求9所述的下电极组件，其特征在于，还包括：

若干个气体流量控制器，分别用于控制若干个所述外支撑筒内的各种导热气体的流量；

至少一个检测传感器，用于监控基片不同区域的温度；

控制模块，接收所述检测传感器反馈的基片的温度，根据预设定条件发送相应的控制命令给所述多个气体流量控制器，控制每个气体流量控制器所对应的各个外支撑筒内各种导热气体的流量，以调整基片不同区域下方的凹坑空间的导热气体的配比。

14.如权利要求13所述的下电极组件，其特征在于，还包括：供气装置，

所述供气装置包括多个气源，每一所述气体流量控制器控制不同气源的流量，混合形成多种所述导热气体，并将所述导热气体对应输送到各个独立的所述外支撑筒内。

15.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件的转速为：0转/分钟～100转/分钟。

16.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：

反应腔；

气体喷淋头，用于向所述反应腔内输送工艺气体；

如权利要求1至权利要求15任一项所述的下电极组件，位于所述反应腔内的底部，所述加热盘内的凸台用于承载基片，所述工艺气体在所述基片的表面沉积形成薄膜。

17.如权利要求16所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述导热气体在凹坑空间的压力大于反应腔内的压力，且小于反应腔的压力和基片的重量之和。

18.一种基片温度控制方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求16或17中任一项所述的化学气相沉积装置；

将基片放置于所述基片槽内被凸台所支撑，所述基片与基片槽之间形成凹坑空间；

通过所述进气口向所述凹坑空间内通入导热气体，所述基片未被所述凹坑空间内的气体托起；

所述加热盘内的加热元件控制所述凹坑空间内的导热气体的温度，通过所述凹坑空间内导热气体的热传导实现基片的温度控制。

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