CN114899063A - 延时断开熔体的激励保护装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电力控制和电动汽车领域，公开了一种延时断开熔体的激励保护装置，包括激励源、冲击装置、导体；还包括熔断器，所述熔断器内设置有灭弧腔室，至少一根熔体穿过所述灭弧腔室与所述导体并联；所述熔体上设置有至少一个断开装置，所述断开装置一端伸出熔断器外部保留有位移间隙；当激励源驱动冲击装置断开导体后，驱动熔断器带动所述断开装置一同位移至所述断开装置停止位移，所述熔断器继续位移，所述断开装置断开所述熔体。本发明的激励保护装置，可使并联熔体延时断开，提高激励保护装置的分断能力。

Description

延时断开熔体的激励保护装置

技术领域

本发明涉及电力控制和电动汽车领域，尤其是指用于电路保护的保护装置。

背景技术

传统电路保护器件一般采用的热熔熔断器，热熔熔断器存在以下一些不足：功耗高(发热量大)、体积重量较大、抗电流冲击能力有限、分断时间长、分断过程不受控。为解决传统热熔熔断器的不足，目前已经经存在一种快速切断导体预断口的结构(即激励熔断器)并逐渐扩大应用范围，其普遍结构组成为：电子点火装置(激励源)、活塞、带一个预断口的导电母排和壳体。工作原理为：激励熔断器串联在电路中，车辆处于正常工作状态时，电流通过激励熔断器的导体流通，产品可视为一个导体。当车辆处于异常工作状态需要切断电路时，车辆发送信号触发激励源，激励源驱动活塞运动切断导体，从而电路断开。

虽然此结构相比热熔熔断器的分断受控有了提高，但是也存在以下不足：空气断口自身灭弧能力不足，可分断较小的故障电流，难以分断较大的故障电流。电弧电流越大，越难以熄灭；受制于导体结构和运动空间限制，难以设计更大的断口，因此单个断口耐压能力有限。在电压较低(例如500V)，单断口可有有效分断，而面对高压时，单断口能力明显不足，难以有效分断。

因此又开发了集成熔断器的激励熔断器，其结构在原始激励熔断器上并联了一个熔断器。其工作原理为：车辆发送信号触发激励源，激励源推动活塞依次打断导体和灭弧熔体，从而利用灭弧熔体来实现灭弧。由活塞打断导体和灭弧熔体间有一段时间差，因此可以利用这段时间，通过灭弧介质来降低或切断故障电流，从而提高分断性能。但由于活塞的运动速度很快，因此实际上留给灭弧介质工作的时间很短，很多情况下灭弧介质难以有效发挥作用，活塞就已经开始切断熔体，从而导致以下不足：活塞速度太快，而熔体未充分限流或灭弧熔断，因此熔体活塞必须在较大的故障电流下切断电路，导致难以分断或断后绝缘性能降低；熔体活塞切断大电流，熔体断口处电弧压力迅速上升，造成产品开裂；主活塞和熔体难配合，主活塞受制于加工精度、配合公差以及激励源能量大小差异等因素，速度有可能会有较大的波动，熔体设计需要满足各个条件，设计困难；主活塞通常会在数百微秒内运动到底，难以实现大延时，无法继续提高分断电流的上限。

发明内容

本发明的目的提供一种能够在导体断开后，其并联熔体能够延时断开的激励保护装置。通过并联熔体的延时断开，提高分段能力和灭弧能力。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案是一种延时断开熔体的激励保护装置，包括激励源、冲击装置、导体；还包括熔断器，所述熔断器内设置有灭弧腔室，至少一根熔体穿过所述灭弧腔室与所述导体并联；所述熔体上设置有至少一个断开装置，所述断开装置一端伸出熔断器外部保留有位移间隙；当激励源驱动冲击装置断开导体后，驱动熔断器带动所述断开装置一同位移至所述断开装置停止位移，所述熔断器继续位移，所述断开装置断开所述熔体。

优选地，在所述熔体上间隔设置有至少两个断开装置时，所述断开装置位移间隙相同或不同。

优选地，所述断开装置夹持在所述熔体上。

优选地，所述熔断器的壳体设置有容置所述断开装置的空腔，所述熔体穿过所述熔断器的壳体和所述空腔。

优选地，在容置所述断开装置的空腔外侧的熔断器的壳体中设置有所述灭弧腔室。

优选地，所述熔断器的壳体、所述冲击装置上分别设置有限定初始位置的限位结构。

优选地，所述熔体与所述导体的连接一端伸出所述熔断器外部，当所述熔断器位移时，所述熔体与导体保持导电连接。

优选地，所述熔体连接一端为波浪折叠结构。

优选地，还包括激励保护装置壳体，所述激励源、冲击装置、熔断器分别设置在所述激励保护装置壳体内；所述导体穿设在所述激励保护装置壳体中；在所述激励保护装置壳体上设置有减压气道和与之连接的减压空腔；当处于初始位置时，所述冲击装置封闭所述减压气道；当所述冲击装置位移断开所述导体后，所述减压气道与所述激励源和冲击装置之间的空腔连通。

优选地，所述冲击装置包括活塞、套筒；所述活塞包括头部和冲击部，所述套筒封闭所述减压气道；所述活塞冲击部穿过所述套筒，并与之保留有间隙；所述活塞头部与所述套筒之间保留有位移距离；当所述活塞位移断开导体后，所述活塞头部带动所述套筒同步位移，所述减压气道与所述激励源和活塞头部之间的空腔连通；所述活塞与经过减压气道和减压空腔的气体一起驱动熔断器位移，或经过减压气道和减压空腔的气体单独驱动熔断器位移。

优选地，当经过减压气道和减压空腔的气体单独驱动熔断器位移时，所述导体对所述活塞头部和套筒位移进行限位。

优选地，所述导体上设置有至少一个断开薄弱处。

优选地，当所述导体上间隔设置有两个断开薄弱处时，所述冲击装置的冲击端正对两断开薄弱处间的所述导体断开部分，冲击装置的冲击端面形状与其正对的导体表面形状相匹配。

优选地，激励保护装置壳体包括相互拼接密封的第一壳体、第二壳体、上盖和底盖；所述导体设置在第一壳体和第二壳体之间，所述激励源设置所述上盖中，所述冲击装置设置于所述第一壳体中，所述熔断器设置于所述第二壳体中，所述底盖封闭所述第二壳体。

本发明的激励保护装置，利用冲击装置或气体推动集成熔断器运动，由于熔断器质量较大，因此运动加速度较小、速度较慢，因此需要更长的时间运动到停止位置，在此时间内灭弧熔体能够有效的工作，从而完成限流和灭弧熔断的工作。当熔断器运动到底时，断开装置断开熔体，提升断后绝缘能力。本发明的激励熔断器，通过增大延时切断灭弧熔体的时间，让灭弧熔体有了充分限流和灭弧熔断的时间，因此降低了主活塞和熔体活塞工作压力，提高了分断电压和分断电流，也提升了产品的断后绝缘性能。

具体的优势在于：

1)使用冲击装置推动熔断器向下运动时，由于熔断器重量较大，相同作用力条件下产生的加速度和速度小于利用其他装置断开熔体的方案。冲击装置的重量在几克左右，而集成的熔断器重量在几十克以上，在相同空间尺寸上，产生的延迟时间相差在几倍以上，从而给熔断器更多的工作时间充分限流并灭弧。

2)熔断器的熔体有充分的时间工作，因而故障电流被迅速降低，此时熔体上的断开装置需要切断的故障电流变低，从而更轻易的完成分断故障电流。

3)熔断器底部空间较大，可以轻松布置更多的断开装置，因而可以承受分断更大的故障电流。

4)熔断器被被保护在第二壳体和底盖内，可按照容错设计，即使分断过程中集成熔断器的壳体承受过大的压力导致轻微开裂并释放压力，也不会影响产品性能或给客户造成不便。

5)多组断开装置可以设置为与底盖距离不同，并逐一参与切断熔体，因此进一步延长了分断时间，从而降低分断过程中产生的过电压。

6)确保冲击装置断开导体后，利用减压气道，降低高压气体的压力，降低施加在冲击装置上的驱动力，达到降低冲击装置运动速率的目的，更进一步的延长熔断器位移时间和熔体断开时间，实现更大的延时效果。

附图说明

图1是激励保护装置正常工作状态下的结构示意图。

图2是冲击装置断开导体还未到达熔断器时的结构示意图。

图3是冲击装置断开导电驱动熔断器，断开装置(806、808)先接触底盖时的结构示意图。

图4是冲击装置断开导体、驱动熔断器相对断开装置(806、808)位移断开熔体、断开装置807接触底盖时的结构示意图。

图5是熔断器与底盖接触，断开装置全部反向为断开熔体的结构示意图。

图6是实施例2正常工作状态下局部剖视立体结构示意图。

图7是实施例2正常工作状态下另一角度局部剖视立体结构示意图。

图8是实施例2正常工作状态下结构示意图。

图9是实施例2冲击装置动作到达导体处、还未进入套筒的结构示意图。

图10是实施例2冲击装置动作断开导体、部分进入套筒结构示意图。

图11是实施例2冲击装置动作断开导体、冲击装置头部完全进入套筒、冲击装置冲击端到达熔断器盖子处的结构示意图。

图12是实施例2冲击装置带动套筒驱动熔断器运动，断开装置(806、808)先接触底盖、减压气道与激励源和冲击装置之间的空腔连通时的结构示意图。

图13是实施例2冲击装置带动套筒断开导体后，驱动熔断器相对断开装置(806、808)位移断开熔体、断开装置807接触底盖时的结构示意图。

图14是实施例2熔断器与底盖接触，断开装置全部反向为断开熔体的结构示意图。

图15是实施例3正常工作状态下局部剖视立体结构示意图。

图16是实施例3正常工作状态下另一角度局部剖视立体结构示意图。

图17是实施例3正常工作状态下结构示意图。

图18是实施例3冲击装置动作断开导体、还未进入套筒结构示意图。

图19是实施例3冲击装置动作断开导体、冲击装置头部完全进入套筒带动套筒位移，减压气道开口与冲击装置与激励源之间的空腔连通，气体开始驱动熔断器位移的结构示意图。

图20是实施例3冲击装置带动套筒驱动至导体处，形成运动死点，冲击装置冲击端面和导体断开部分位于熔断器盖子上方，与熔断器盖子不接触；减压气道开口完全打开，气体驱动熔断器运动，断开装置(806、808)先接触底盖的结构示意图。

图21是实施例3气体驱动熔断器相对断开装置(806、808)位移断开熔体、断开装置807接触底盖时的结构示意图。

图22是实施例3熔断器与底盖接触，断开装置全部反向为断开熔体的结构示意图。

上盖10、限位结构101、第一壳体20、第二壳体30、减压空腔301、底盖40、缓冲垫401、导体50、断开薄弱处501、导体断开部分502、激励源60、冲击装置70、活塞头部701、活塞冲击部702、限位凸棱703、密封圈704、套筒710、熔断器盖子801、熔断器底壳802、熔体803、灭弧腔室805、断开装置806、断开装置807、断开装置808、减压气道90

具体实施方式

针对上述技术方案，现举较佳实施例并结合图示进行具体说明。

本发明的激励保护装置，包括壳体、激励源、冲击装置、导体、熔断器，熔断器的熔体上设置有至少一个断开装置，断开装置伸出熔断器壳体外部，并与激励保护装置壳体内壁间保留有运动间隙；熔断器与导体并联连接；在激励源接收激励信号后动作，驱动冲击装置位移断开导体后，冲击装置驱动熔断器运动，当熔断器上的断开装置与激励保护装置的壳体内壁接触后停止位移，而带有熔体的熔断器本体继续位移，从而使断开装置断开熔体。激励保护装置的壳体、冲击装置、熔断器壳体、断开装置的材质均为绝缘材质。

针对上述技术方案，现举较佳实施例并结合图示进行具体说明。

实施例1

激励保护装置壳体，参看图1，包括密封对接的第一壳体20和第二壳体30，在第一壳体20和第二壳体30之间穿设有导体50，位于壳体外部分别设置有连接端，导体50的两端分别与连接端连接，连接方式一体连接、焊接连接或其他导电连接方式。在第一壳体和第二壳体与导体之间设置有用于密封接触面的密封装置。在本实施例中，密封装置为密封圈。在第一壳体20上设置有上盖10，在第二壳体30底部设置有底盖40。

上盖10与第一壳体20接触面间设置有相互卡设的限位结构101进行限位，限位结构为相互嵌套的凸棱和凹槽，在凸棱和凹槽中设置有密封圈密封接触面。在上盖10、第一壳体20、第二壳体30上分别开设有贯通空腔。

在上盖10的空腔中设置有激励源60，激励源60与上盖10接触面间设置有密封装置密封接触面，防止激励源60动作后释放的高压气体从接触面间泄漏出去。激励源60的触发连接器一端位于壳体外部，可与激励信号发送端连接。激励源60可以通过注塑埋模方式设置在上盖中。激励源60为微型气体发生装置，当其接收到激励信号时，点火释放高压气体，从而为冲击装置提供驱动力。

在第一壳体20与上盖10相接的一端的空腔开口端呈喇叭状，与相邻的上盖10一端形成楔形缺口。

冲击装置70，设置在第一壳体20的空腔中。冲击装置70为活塞结构。包括活塞头部701和活塞冲击部702。活塞头部701可通过过盈配合、限位结构等方式设置在第一壳体20的空腔中，保持活塞70的初始位置。在本实施例中，通过限位结构来实现，具体地，在活塞头部一端外侧设置有相对楔形缺口的限位凸棱703，活塞头部的限位凸棱703卡设在上盖与第一壳体连接一端处的楔形缺口处形成限位结构，保证活塞的初始位置。当活塞位移时，可以克服限位凸棱703的限位。

活塞头部与第一壳体空腔接触面间通过密封圈704密封，防止激励源释放的高压气体从活塞与第一壳体接触面间泄漏，降低驱动力。活塞头部与第一壳体空腔接触面也可以通过过盈配合实现密封，或者活塞头部与第一壳体空腔接触面紧密贴合实现密封。

活塞头部701针对激励源的端面上设置有凹槽，以便激励源释放的高压气体集中作用于凹槽处。

活塞冲击部702端面设置有U形凹槽结构作为断开导体的冲击端，U形凹槽结构的宽度对应导体断开部分502，在U形凹槽结构的长度与导体宽度一致，活塞冲击部702的端面侧边角位于U形凹槽结构的前方及导体的外侧，形成容置腔。在活塞冲击部702断开导体时，导体断开部分502部分容置在U形凹槽结构中，全部容置于活塞冲击部702的端部。

导体50，为长条板状结构，穿过第一壳体和第二壳体的空腔。导体50的两端位于壳体外部作为连接端。导体50与第一壳体和第二壳体的接触面间保持密封接触，可以通过密封圈进行密封实现密封接触。位于第一壳体和第二壳体的空腔处的导体50上开设有断开薄弱处501。断开薄弱处目的降低导体机械强度。在本实施例中，断开薄弱处为贯通导体宽度的V型槽。活塞冲击部702的端面的U形凹槽结构突出的两侧边缘对应导体的断开薄弱处，以便从导体的断开薄弱处断开导体。同时，活塞冲击部702的U形凹槽形状与正对的导体表面上的两断开薄弱处间的导体部分形状相匹配，当活塞冲击部断开导体后，断开的导体部分正好可以容置在活塞冲击部702端面凹槽中，使活塞带动导体断开部分一起运动以方便驱动熔断器。活塞冲击部端面设置凹槽带动导体断开部分一起运动，使熔断器受力面积大，各受力点受力平衡，熔断器运动更平稳。

当然，活塞冲击部的端面也可以不设置凹槽结构，活塞冲击部正对两断开薄弱处间的导体部分，使导体从断开薄弱处断开，然后活塞驱动导体断开部分驱动熔断器。

当导体如图1设置两断开薄弱处时，第二壳体靠近导体处的空腔面积与两断开薄弱处间的导体面积、活塞冲击部横截面面积一致或略大于两断开薄弱处间的导体面积、活塞冲击部横截面面积，确保导体断开部分产生的电弧在第二壳体空腔处受到挤压，便于灭弧。

熔断器，设置在第二壳体空腔中，位于冲击装置和导体断开部分运动的前方。熔断器包括底壳802和盖在底壳上的盖子801，在盖子801和底壳802对接面上分别对应开设有数个凹槽，当盖子与底壳拼接形成熔断器壳体后，盖子801和底壳802上的凹槽分别对接形成数个灭弧腔室805，在灭弧腔室中填充有灭弧介质。在熔断器壳体内还设置有至少一个空腔，在本实例中，设置有三处空腔。熔体803穿设在底壳802和盖子801形成的接触面间，并通过盖子和底壳接触压紧固定熔体803。位于空腔两侧的盖子和底壳接触面设置为斜面结构，空腔两侧的盖子和底壳接触面呈八字形结构。

熔断器盖子801位于导体50一侧的表面设置有凹槽结构，当冲击装置断开导体后，其冲击端面进入凹槽结构中，驱动熔断器位移。盖子上设置凹槽结构，可以延长冲击装置位移距离，使激励保护装置的结构更紧凑，体积更小。

熔体803同时穿过灭弧腔室和空腔后，其两端与导体导电连接，使熔断器与导体并联连接。在盖子801靠近熔体与导体连接表面处开设有缺口，熔体在缺口处呈波浪状折叠后与导体导电连接。如此结构，当熔断器运动时，熔体与导体连接一端可一直保持处于连接装置，不会从连接端处被拉断。在三处空腔处的熔体803上分别设置有断开装置(806、807、808)。断开装置位于冲击装置和导体位移的前方。熔体803电阻远大于导体电阻，在正常工作状态下，电流经导体流过，仅有很小的电流可经熔体803流过。

熔体803穿设在断开装置上。比如断开装置一侧横向开设凹槽，熔体置于凹槽中。或者，断开装置由相互卡接的两部分组成，将熔体夹持在卡接部分间。断开装置一端伸出熔断器壳体外部，与底盖40间保留有间隙，另一端在空腔中也保留有运动间隙。在底盖40上铺设有一层绝缘的缓冲垫401。缓冲垫可以充分吸收熔断器产生的冲击力，从而避免底保护盖变形。

断开装置伸出壳体的一端距离底盖的距离可以相同也可以不同。在本实施例中，断开装置(806、808)距离底盖的距离相同，断开装置807距离底盖的距离大于断开装置(806、808)距离底盖的距离。

在熔断器与第二壳体间设置有限位结构，限制熔断器的初始位置。限位结构可以是在第二壳体上设置限位凸棱，熔断器的盖子或底壳外部设置限位台阶卡设在限位凸棱上实现位置限定。或者在第二壳体上设置限位凹槽，熔断器的壳体外部设置限位凸块，通过限位凸块卡设在限位凹槽中实现位置限定。

不论冲击装置的初始位置限定还是熔断器初始位置限定，其限位结构不止本实施例描写的结构。

工作流程

图1为激励保护装置正常工作状态。

当故障发生时，激励源接收激励信号动作，释放高压气体，高压气体驱动冲击装置克服限位结构后运动，断开导体，参考图2，冲击装置驱动导体断开部分502进入第二壳体空腔中继续位移，同时通过与第二壳体接触面间的挤压进行灭弧；

参看图3，冲击装置驱动熔断器克服限位结构后位移，带动断开装置向底盖方向位移，在冲击装置驱动下，断开装置(806、808)首先与底盖40接触后停止位移，断开装置807随熔断器继续位移，保持与底盖未接触状态；

参看图4，冲击装置继续驱动下，熔断器相对断开装置(806、808)位移，断开装置(806、808)断开熔体，在熔体上形成两个断口，此时熔断器还未与底盖接触，同时断开装置807与底盖接触停止位移；

参考图5，冲击装置继续驱动熔断器相对断开装置807位移，断开装置807断开熔体，在熔体上形成第三个断口，彻底完成电路断开。此时，熔断器底壳与底盖处的缓冲垫接触，冲击装置也位移到死点。

断开装置先后断开熔体，在熔体上形成多个断口，可以避免同时切断熔体，有利于降低分断故障电流时产生的过电压。

工作原理

故障电流产生时，冲击装置断开导体形成断口，由于并联有熔断器，大部分故障电流则流经熔断器上的熔体，导体上断口处产生电弧很小，通过空气就可以灭弧；随着冲击装置位移首先驱动熔断器运动，熔断器运动过程中，熔体随着运动并不会被切断，仅当断开装置位移到与底盖接触后停止位移，随着熔断器相对断开装置位移时，才可以切断熔体，通过熔断器和断开装置一同位移以及熔断器相对于断开装置位移增加了位移距离，实现了熔体的延时断开，拉长了灭弧介质参与灭弧的时间。通过在熔体上形成至少一个断口，通过灭弧介质实现很好的灭弧。

实施例2

参看图6至图7，在第一壳体20开设有减压气道90，减压气道90与设置在第二壳体30上的减压空腔301连通，减压空腔301与熔断器的盖子与导体之间的空腔连通。减压气道90的开口位于第一壳体的空腔处。参看图8，在第一壳体20的空腔中设置有套筒710封闭减压气道90的开口(未图示)。套筒70为中空环状结构，其距离活塞头部保留有一定距离。活塞冲击部702穿过套筒710中空部位于导体50一侧。套筒70的初始位置通过限位结构进行限定，比如凸块凹槽结构、凸块台阶结构、过盈配合结构等。

工作流程：

图8为激励保护装置正常工作状态下结构示意图；

故障发生时，参看图9，激励源接收激励信号动作，释放高压气体，驱动冲击装置70克服限位结构，冲击装置70的冲击端位移至导体50处，冲击装置70与套筒710处于待接触状态；

参看图10，冲击装置70继续位移断开导体50，使导体断开部分502容置于冲击装置端面处的容置腔中，冲击装置70的头部进入套筒70中；

参看图11，冲击装置70继续位移至熔断器盖子上方，此时，冲击装置70完全进入套筒中，其外部设置的密封圈与套筒内壁紧密接触，带动套筒710克服套筒的限位结构；

参看图12，冲击装置70带动套筒710一起继续位移，驱动熔断器位移，此时减压气道90开口与激励源释放的高压气体所在的第一壳体空腔处连通，高压气体经减压气道90进入减压空腔中，降低高压气体的压力，从而降低高压气体的驱动力，同时，通过减压空腔进入了熔断器盖子一侧气体也对冲击装置提供反向作用力，从而减缓冲击装置的位移速率，熔断器在降低了速率的冲击装置和气体共同作用下位移。相对于实施例1，熔断器的断开装置(806、808)延长一段时间与底盖40处的缓冲垫接触；

参看图13，冲击装置70带动套筒710一起继续驱动熔断器相对断开装置(806、808)位移，断开装置(806、808)断开熔体，在熔体上形成两个断口；同时，断开装置807与底盖处的缓冲垫接触；

参看图14，冲击装置70带动套筒710一起继续驱动熔断器相对断开装置(806、807、808)位移，断开装置807断开熔体，在熔体上形成第三个断口。此时，熔断器底壳与底盖处的缓冲垫接触，冲击装置也位移到死点。

实施例3

参看图15至图17，实施例3的正常状态下结构示意图。相对于实施例2，冲击装置70的冲击部长度比较短，在正常状态下，套筒710封闭减压气道90的开口。

当冲击装置70断开导体50后，带动套筒一起运动至导体处时，导体对套筒和冲击装置形成限位，冲击装置停止运动，减压气道90在套筒位移时，开始与冲击装置与激励源之间的空腔连通，气体逐渐进入熔断器盖子与导体之间的空腔内，通过降低了压力的气体驱动熔断器位移实现熔体断开。实施例3相对于实施例1和实施例2，其延时效果最佳。

工作流程：

图15至图17为激励保护装置正常工作状态下结构示意图；

故障发生时，参看图18，激励源接收激励信号动作，释放高压气体，驱动冲击装置70克服限位结构，冲击装置70断开导体50，冲击装置70与套筒710处于刚接触接触状态，减压气道90依旧被套筒710封闭；

参看图19，冲击装置70继续位移，冲击装置70头部进入完全进入套筒克服套筒限位结构，并驱动套筒位移，减压气道90的开口与冲击装置与激励源之间的空腔连通，气体经过减压气道90进入减压空腔301中，降压后的气体开始缓慢驱动熔断器位移；

参看图20，冲击装置70带动套筒继续位移至导体处，导体对冲击装置和套筒形成位置限定，冲击装置和套筒停止位移，冲击装置冲击端和导体断开部分位于熔断器盖子上方，与熔断器盖子未接触；减压气道90的开口完全打开，气体大量进入减压空腔中，驱动熔断器位移，断开装置(806、808)与底盖接触；

参看图21，气体继续驱动熔断器相对断开装置(806、808)位移，断开装置(806、808)断开熔体，在熔体上形成两个断口；同时，断开装置807与底盖处的缓冲垫接触；

参看图22，气体继续驱动熔断器相对断开装置(806、807、808)位移，断开装置807断开熔体，在熔体上形成第三个断口。此时，熔断器底壳与底盖处的缓冲垫接触。

上述三个实施例相比较，实施例1通过冲击装置断开导体后再驱动熔断器位移，先后延时断开熔体，其延时时间相对比较短；实施例2通过冲击装置和气体共同作用驱动熔断器位移，但是由于降压后的气体驱动力降低，同时对冲击装置形成反向作用力，降低了冲击装置的运动速率，因此，实施例2相对实施例1，延时时间长，延时效果更好；实施例3仅通过冲击装置断开导体，完全通过降压后的气体驱动熔断器位移断开熔体，由于降压后的气体驱动力降低，熔断器位移速率缓慢，实施例3相对于实施例1和实施例2，其延时时间最长，延时效果最好。

Claims (14)

1.一种延时断开熔体的激励保护装置，包括激励源、冲击装置、导体；其特征在于，还包括熔断器，所述熔断器内设置有灭弧腔室，至少一根熔体穿过所述灭弧腔室与所述导体并联；所述熔体上设置有至少一个断开装置，所述断开装置一端伸出熔断器外部保留有位移间隙；当激励源驱动冲击装置断开导体后，驱动熔断器带动所述断开装置一同位移至所述断开装置停止位移，所述熔断器继续位移，所述断开装置断开所述熔体。

2.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，在所述熔体上间隔设置有至少两个断开装置时，所述断开装置位移间隙相同或不同。

3.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，所述断开装置夹持在所述熔体上。

4.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，所述熔断器的壳体上设置有容置所述断开装置的空腔，所述熔体穿过所述熔断器的壳体和所述空腔。

5.根据权利要求4所述的激励保护装置，其特征在于，在容置所述断开装置的空腔外侧的熔断器的壳体中设置有所述灭弧腔室。

6.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，所述熔断器的壳体、所述冲击装置上分别设置有限定初始位置的限位结构。

7.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，所述熔体与所述导体的连接一端伸出所述熔断器外部，当所述熔断器位移时，所述熔体与导体保持导电连接。

8.根据权利要求7所述的激励保护装置，其特征在于，所述熔体连接一端为波浪折叠结构。

9.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，还包括激励保护装置壳体，所述激励源、冲击装置、熔断器分别设置在所述激励保护装置壳体内；所述导体穿设在所述激励保护装置壳体中；在所述激励保护装置壳体上设置有减压气道和与之连接的减压空腔；当处于初始位置时，所述冲击装置封闭所述减压气道；当所述冲击装置位移断开所述导体后，所述减压气道与所述激励源和冲击装置之间的空腔连通。

10.根据权利要求9所述的激励保护装置，其特征在于，所述冲击装置包括活塞、套筒；所述活塞包括头部和冲击部，所述套筒封闭所述减压气道；所述活塞冲击部穿过所述套筒，并与之保留有间隙；所述活塞头部与所述套筒之间保留有位移距离；当所述活塞位移断开导体后，所述活塞头部带动所述套筒同步位移，所述减压气道与所述激励源和活塞头部之间的空腔连通；所述活塞与经过减压气道和减压空腔的气体一起驱动熔断器位移，或经过减压气道和减压空腔的气体单独驱动熔断器位移。

11.根据权利要求10所述的激励保护装置，其特征在于，当经过减压气道和减压空腔的气体单独驱动熔断器位移时，所述导体对所述活塞头部和套筒位移进行限位。

12.根据权利要求1所述的激励保护装置，其特征在于，所述导体上设置有至少一个断开薄弱处。

13.根据权利要求12所述的激励保护装置，其特征在于，当所述导体上间隔设置有两个断开薄弱处时，所述冲击装置的冲击端正对两断开薄弱处间的所述导体断开部分，冲击装置的冲击端面形状与其正对的导体表面形状相匹配。

14.根据权利要求1至13任一所述的激励保护装置，其特征在于，激励保护装置壳体包括相互拼接密封的第一壳体、第二壳体、上盖和底盖；所述导体设置在第一壳体和第二壳体之间，所述激励源设置所述上盖中，所述冲击装置设置于所述第一壳体中，所述熔断器设置于所述第二壳体中，所述底盖封闭所述第二壳体。

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