CN114868030A

CN114868030A - 通过有源匀场减少磁场(b0)伪影

Info

Publication number: CN114868030A
Application number: CN202080083872.2A
Authority: CN
Inventors: A·赖高斯基; A·基尔; T·奥尔蒂斯; S·金; R·卡尔德隆里科; P·F·雷德
Original assignee: Koninklijke Philips NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2019-11-04
Filing date: 2020-10-27
Publication date: 2022-08-05
Also published as: US11921177B2; WO2021089366A1; US20220397620A1; JP2023500507A; EP4055404A1

Abstract

一种电子装置(10)包括电子部件(14)；围绕电子部件设置的至少一个导电环圈或绕组(18)；以及电子控制器(24)，其被配置成：从所接收到的环境磁场测量信号中获得(102)磁场方向；基于所获得的磁场方向确定(104)至少一个磁场匀场电流；以及激励(106)至少一个导电环圈或绕组，以使所确定的至少一个磁场匀场电流流过。

Description

通过有源匀场减少磁场(B0)伪影

技术领域

以下内容总体上涉及成像技术、磁共振成像技术、磁共振图像质量技术、磁场匀场电流技术和相关技术。

背景技术

磁共振成像(MRI)扫描仪逐渐采用位于磁体孔道内的电子部件。这些部件使用集成电路(IC)芯片，比如现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、微处理器、存储芯片、片上系统(SoC)芯片、系统级封装(SiP)芯片等。这些IC芯片包括与封装或屏蔽材料一起的磁性材料，例如在镀金中用作导线接合凸点和倒装芯片接合凸点的扩散阻挡层的镍。用非磁性材料替代通常是不可能的，或者需要购买定制的IC芯片，这可能不具有成本效益。IC芯片的磁性材料局部扭曲了静态(B₀)磁场，这可能导致成像伪影。由于这些可能是大型芯片(例如，FPGA可能是1.7cm米×1.7cm见方)，IC芯片引入的图像失真量可能相当大。

磁体孔道内的电子部件也需要电力。电力线缆可耦合到磁场梯度和/或射频(RF)信号，而且还可能出现线缆路由问题。电池供电是一种有吸引力的替代性方法。然而，电池也通常包括可引入图像失真的磁性材料。

下面公开了克服这些问题和其他问题的某些改进。

发明内容

在一个方面中，一种电子装置包括：电子部件；围绕电子部件设置的至少一个导电环圈或绕组；以及电子控制器，其被配置成：从所接收到的环境磁场测量信号获得磁场方向；基于所获得的磁场方向确定至少一个磁场匀场电流；以及激励至少一个导电环圈或绕组，以使所确定的至少一个磁场匀场电流流过。

在另一方面中，一种电子装置包括：IC芯片；被配置成测量环境磁场测量信号的磁场传感器；围绕IC芯片设置的多个导电环圈或绕组；以及电子控制器，其被配置成：从由磁场传感器测量到的环境磁场测量信号获得磁场方向；基于所获得的磁场方向确定至少一个磁场匀场电流；以及激励多个导电环圈或绕组，以使所确定的至少一个磁场匀场电流流过。

在另一方面中，一种用于确定磁场匀场电流的方法，包括：从所接收到的环境磁场测量信号获得磁场方向；基于所获得的磁场方向确定至少一个磁场匀场电流；以及激励至少一个导电环圈或绕组，以使所确定的至少一个磁场匀场电流流过。

一个优点在于消除由一个或多个磁性部件引起的图像中的伪影。

另一个优点在于产生有源匀场电流以消除图像中的磁性伪影。

另一个优点在于产生相等但相反的磁化以消除图像中的磁伪影。

另一个优点在于通过产生相应的匀场电流来隐藏磁性部件对图像的影响。

给出的实施例可以不提供、提供一个、两个、多个或所有的上述优点，并且/或者可以提供本领域普通技术人员在阅读和理解本公开后将变得明显的其他优点。

附图说明

本公开可采取各种部件和部件的布置结构的形式，以及各种步骤和步骤的排布的形式。附图仅用于例示说明优选的实施例，不应理解为对本公开的限制。

图1示出了根据一个方面的用于MRI系统的电子装置的示例性实施例。

图2示出了根据一个方面的用于MRI系统的电子装置的另一示例性实施例。

图3示出了图1和图2的装置的操作的示例性流程图。

具体实施方式

本文公开的系统和方法利用这样的观点，即IC芯片(或其他磁性物体)在B₀场中的影响可以被建模为在IC芯片的表面上流动的束缚电流，其产生集中的磁矩M。在一个示例性实施例中，导电线或环圈被缠绕在IC芯片的外部，并且电流在这些导体中流过以消除磁矩M。

在本文公开的一些实施例中，环境磁场(即，IC芯片被嵌置在其中的磁场)是使用被安装在磁性物体上或与磁性物体一起安装的能够测量三维(3D)的磁场的三轴霍尔传感器或其他磁场传感器测量的。然而，为了去除图像伪影，简单地使所测量的磁场失效是不合适的。目标不是要去除磁场，而是要将B₀恢复到其未扭曲的值。与B₀磁场的量度相比，由IC芯片中的磁性材料引入的扭曲磁矩M通常较小，即|M|<<|B₀|。此外，B₀和M都是向量，它们可能在不同的方向上定向。因此，难以确定要通过磁场测量去除的磁矩M向量。

为了补救这些问题，在本文公开的一些实施例中，使用模拟或实验针对IC芯片相对于B₀向量的各种空间取向对由导电线或环圈施加的用于补偿B₀失真的电流进行预校准。例如，可以将IC芯片以给定的取向放置在孔道中，获取图像，并调整补偿环圈电流，直到图像伪影最小化。类似的方法可以使用电磁模拟器来完成，其中目标是调整补偿环圈电流，直到失真被消除。这种校准是在多个不同的取向上进行的。

此后，IC芯片与3D霍尔传感器一起布设。霍尔传感器仅被用于确定IC芯片相对于B₀场的取向；所施加的补偿环圈电流是用于该取向的校准的补偿环圈电流。(如果有几个不同的分立取向校准，可以采用内插法)。

有利地，霍尔传感器不需要安装在IC芯片上，或甚至靠近IC芯片。相反，霍尔传感器必须仅以相对于IC芯片的固定取向安装。通常情况下，最简单的做法是将霍尔传感器安装在IC芯片安装于其上的相同PCB上。此外，由于磁场测量仅被用于确定B₀场的方向，由于IC芯片(如果它靠近霍尔传感器)产生的磁矩M而在霍尔传感器处产生的任何磁场扭曲通常由于量度的不同而会对所确定的B₀方向产生可忽略不计的影响，即|B₀|>>|M|。

在本文公开的一些实施例中，IC芯片是可编程的IC芯片，例如FPGA或微处理器。在这些情况下，用于驱动环圈补偿电流的控制器可以在IC芯片本身上实现。导电环圈可被添加到现成的IC芯片上，因为它们是在IC芯片的外部。此外，补偿环圈电流是DC电流，在一些实施例中，DC电流可以从数字电源轨(例如，V_CC-GND电位差)提取。因此，通过添加必要的板载控制程序和周围的导电环圈，以及安装在电路板上的单个3D霍尔传感器(或其他3D磁场传感器)，可以使电路板上的所有IC芯片在扭曲B₀场方面被有效地“自我封闭”。

所提出的设计也易于被布设在采用不同B₀强度的MRI扫描仪中。在这种情况下，除了确定B₀取向外，霍尔传感器还确定其量度|B₀|。预计校准补偿环圈电流应与|B₀|线性地缩放。替代性地，补偿电流的校准可以针对几个不同的标准场强(例如1.5特斯拉、3.0特斯拉)进行。

在本文公开的一些实施例中，当装置不进行成像时，可以关闭补偿环圈电流，以节省电力。

在本文公开的一些实施例中，通过实时测量环境磁场量度并补偿作为时间的函数的量度变化，所公开的方法可被用于补偿磁场梯度。另一个设想到的变体需要测量导数，d|B₀|/dt，其应与PCB的接地平面内的感应涡流成比例。在这种情况下，实验或模拟校准将针对PCB上的IC芯片进行，并且通过应用预计将在MRI成像期间遇到的不同磁场循环模式来校准作为d|B₀|/dt的函数的涡流补偿。

在本文公开的其他实施例中，所公开的方法可被用于补偿由适时移动的磁性部件的影响引起的磁场梯度。这种移动导致磁矩M的空间梯度dB/dx(t)随时间变化，这在IC芯片中诱发变化的场。

虽然例示说明性实施例提供了针对IC芯片的伪影减少，但所公开的方法也可适用于放置在MRI孔道内的含有磁性材料的其他装置，例如板载电池、大型电容器或电感器、屏蔽和/或包装材料等。

如本文所用，术语“环境磁场”(及其变体)是指围绕电子部件安装于其上的电路的周围区域或环境中的磁场。以另一种方式说，环境磁场是电路被嵌置在其中的磁场。在MRI的情景下，环境磁场通常是由设置在MRI扫描仪中的(通常是超导的)磁体产生的静态B₀磁场，或由MRI扫描仪的磁场梯度线圈叠加的磁场梯度调整的B₀磁场。应注意的是，如本文使用的，“环境磁场”通常不是指地球的磁场。地球磁场对MRI孔道内的环境磁场的任何影响都是完全可以忽略不计的，例如，地球表面的磁场通常在25-65微特斯拉左右；而一些商用MRI扫描仪的一些标准B₀磁场的值是0.23特斯拉、1.5特斯拉、3.0特斯拉，甚至更高。

如本文所使用的，导电环圈(及其变体)是单个导体匝；而导电绕组(及其变体)包括两个或更多个导体匝，其感应的磁场以添加的方式组合，例如螺线管(尽管更一般而言，两个或更多个导体匝不必像螺线管中通常的情况那样具有相同的半径)。

图1示出了用于相关医疗成像装置(例如，MRI扫描仪)12的电子装置10的一个示例性实施例。电子装置10包括电子部件14。在一些实施例中，电子部件14可以是电池15，例如例示说明性的扁平圆柱形钮扣电池。在其他实施例中，电子部件14可以是IC芯片16，例如FPGA、微处理器芯片，或诸如此类。

电子装置10还包括围绕电子部件14设置的至少一个导电环圈或绕组18。至少一个导电环圈或绕组18被配置成使磁场匀场电流流过。如图1所示，至少一个导电环圈或绕组18包括围绕电子部件14设置的三个导电环圈或绕组18；然而，可以使用任何适当数量的环圈或绕组。图1中所示的三个环圈18具有相互正交的环圈法线(例如，相应环圈被设置在其中的相应平面的相应法向量是相互正交的)。这种三个相互正交的环圈形成的布置结构能够实现补偿，而不管电子装置10相对于环境磁场的方向的取向。然而，设想到采用少于三个环圈--例如，如果事先知道电子装置相对于B₀磁场的大致取向，那么只有两个，或可能甚至只有一个导电环圈就足够了。作为这种情况的一示例，被设计成与俯卧或仰卧的患者一起布设的头部线圈可具有与相对于B₀的大致预定取向，因此安装在该头部线圈上的IC芯片也可具有相对于B₀的大致预定取向。

继续参考图1并参考图2，电子装置10还包括磁场传感器20，其被配置成产生环境磁场信号，该环境磁场信号指示环境磁场的量度和方向(3D)。在一些示例中，磁场传感器20包括三轴霍尔效应传感器，但其他类型的磁强计也被设想到作为磁场传感器20，如磁阻式传感器、磁通门磁强计等等。电子装置10还包括(或者，替代性地看做是，被设置于)印刷电路板(PCB)22，电子部件14被安装在该印刷电路板上。如图2所示，电子部件14和磁场传感器20被安装在(相同的)PCB 22上，而三个导电环圈18环绕着电子部件。然而，在一些实施例中，磁场传感器20不需要被安装在PCB 22上，而只需要相对于电子部件14以固定的取向安装。(在电子部件14和磁场传感器20被安装在相同的PCB 22上时，假设PCB 22不是柔性PCB，这种固定的取向被实现)。

电子装置10还包括电子控制器24(也被称为处理器或控制单元)，其被配置成确定并向每个导电环圈或绕组18传送匀场电流。电子控制器与至少一个导电环圈或绕组18电连接，并且在一些实施例中，与磁场传感器20电连接。

导电环圈或绕组18可以以各种方式制造。在一种方法中，导电环圈或绕组18包括围绕电子部件14缠绕的一匝或多匝导线。这种方法便于在现成的电子部件上追溯性地添加导电环圈或绕组18。在另一种方法中，导电环圈或绕组18包括在电子部件14的壳体上沉积的电迹线或一组迹线，例如使用真空蒸发或类似方法，在蒸发期间中使用适当的掩模或使用光刻技术来划定电迹线。在另一种方法中，一个导电环圈或绕组18被形成为PCB22的PCB电迹线，其被布置成环绕其中电子部件14被安装在PCB 22上的位置。(这种方法通常只适用于其平面与PCB 22的平面平行的导电环圈或绕组18)。在另一种方法中，在IC芯片14的制造期间，一个导电环圈或绕组18被形成为在IC芯片的硅晶片上制造的电迹线。(这假定电子部件14是IC芯片，而且一般将只适用于其平面与硅晶片的平面平行的导电环圈或绕组18，而不能用于改装现成的IC芯片)。在另一种方法中，电子部件14可被容纳在包括导电环圈或绕组18的外部壳体(未示出)内。这种方法例如在图1的电池15的情况下可能是合适的，其中壳体可以是电池壳体或电池15被安装在其中的容器。通过这种方式，可以使用现成的电池。这些仅仅是提供导电环圈或绕组18的一些非限制性的例示说明性的方法。

每个导电环圈或绕组18应相对于电子部件14布置，使得由流经导电环圈或绕组18的电流产生的感应磁场穿过电子部件14。这在导电环圈或绕组18围绕电子部件14缠绕时是易于实现的。然而，它也可以通过其他方式实现。例如，在前面提到的实施例中，导电环圈或绕组18被形成为PCB22上的环绕电子部件14的安装位置的导电PCB轨迹，导电PCB迹线的平面在空间上偏离电子部件14，但由流经环绕的PCB迹线的电流产生的磁场仍将穿过电子部件14。一般来说，期望导电环圈或绕组18围绕电子部件14缠绕或以其他方式与之紧密耦合；因此，虽然在图2的示例中，环绕PCB22的外周边的PCB迹线将产生穿过电子部件14的磁场，但仅该磁场的一小部分将实际上穿过电子部件，从而使得扭曲补偿的效率非常低。

电子控制器24与导电环圈或绕组18的操作性电连接可以通过各种方式来实现。如果电子控制器24被安装在PCB 22上，那么可以提供PCB 22的导电PCB迹线(在PCB 22的制造期间)，以将电子控制器24的线接合或表面安装接触焊盘连接到导电环圈或绕组18被钎焊到其上的焊盘。其中在电子控制器24被在IC芯片14上一体地实现的实施例中，例如，通过在包括FPGA或微处理器的IC芯片14中实现的合适的控制器编程，那么IC芯片14的表面安装焊盘(未示出)(IC芯片被编程以向其引导驱动电流)与导电环圈或绕组18连接。在其中数字电源轨(例如，V_CC-GND电位差)提供用于驱动导电环圈或绕组18的电力的实施例中，不需要任何额外的电源来提供用于导电环圈或绕组18的驱动电力。由于IC芯片中的磁性材料或其他大部分非磁性部件导致的磁化M预计较小，数字电源轨预计在许多具体应用中是足够的。如果需要额外的电力，则提供单独的电源，在这种情况下，电子控制器24与导电环圈或绕组18的操作性电连接可以适当地通过电源控制电路，从而控制输送到导电环圈或绕组18的电力的量，且电子控制器24控制电源控制电路。同样，这些是一些非限制性的例示说明性的示例。

继续参考图1和图2，并进一步参考图3，电子控制器24被配置成执行用于确定磁场匀场电流的方法或过程100。为此，电子处理器24被配置成：从所接收到的环境磁场测量信号中获得102磁场方向；基于所获得的磁场方向确定104至少一个磁场匀场电流；以及激励106至少一个导电环圈或绕组18，以使所确定的至少一个磁场匀场电流流过。

在一些实施例中，获得操作102包括利用磁场传感器20测量或确定磁场方向。在其他实施例中，获得操作102包括利用磁场传感器20测量或确定环境磁场的磁场强度。在这个示例中，确定操作104包括使用磁场方向(可选地，和磁场强度)来确定至少一个磁场匀场电流。如果环境磁场的量度是事先已知的(例如，电子装置10将与标准的3特斯拉磁体一起使用)，那么唯一的变量是B₀场的取向。图3中示出了合适的匀场电流校准105，其中校准表的每一行存储了以下形式的元组：

(DX,I1X,I2X,I3X)

其中“DX”表示(环境)B₀磁场的取向，I1X、I2X、I3X表示(例示说明性的)三个导电环圈或绕组18中的每一个的适合“DX”取向的匀场电流。如果所测量的B₀取向不与任何表格条目精确地对齐，那么可以选择最接近的条目，或者在两个最接近的条目之间进行内插。如果环境磁场强度是事先不知道的，那么可以从磁场测量中获得，且匀场电流校准可以修改为：

(DX,MY,I1XY,I2XY,I3XY)

其中“MY”表示环境磁场强度，且每个环圈或绕组的适当的匀场电流通过方向(X)和幅度(Y)两者进行参数化。如前所述，匀场电流校准105通过实验(例如，将该装置以不同的取向置于MRI中，且针对每个取向调整匀场电流，直到图像失真最小化)或通过模拟(通过在电磁模拟器中模拟上述过程)适当地离线生成。在另外的实施例中，获得操作102包括确定环境磁场的磁场强度的时间导数，并在操作104处使用该时间导数(与方向一起)来确定至少一个磁场匀场电流。磁场的时间导数在PCB 22的接地平面中诱发涡流，这继而又诱发了使图像扭曲的磁矩，且这些都被匀场化。

在另一些实施例中，激励操作106包括仅当MRI扫描仪12正在获取成像数据时激励至少一个导电环圈或绕组18。这就需要向电子控制器24提供关于何时正在进行成像的信息。例如，该信息可由MRI扫描仪12的MRI成像控制器(未示出)来提供。在另一种方法中，由磁场传感器20对时间变化磁场的检测提供了关于何时正在进行成像的指示。当不成像时，不应该有磁场梯度被施加，因此环境磁场应是静态的；相反，在成像期间，所施加的磁场梯度将动态地改变环境磁场，且这可以由磁场传感器20检测到，以确定何时正在进行成像。由于磁共振成像序列的某些部分可能不涉及磁场梯度，该方法优选地在一检测到动态变化的环境磁场时就立即打开匀场电流，并且仅在环境磁场变成静态后的某个时间间隔后关闭匀场电流(例如，在磁场变成静态后等待一或两秒再关闭匀场电流)。

在一些实施例中，IC芯片14包括电子处理器或控制单元，例例如微处理器、微控制器或FPGA。例如，IC芯片14本身被编程以执行获取操作102、确定操作104和激励操作106。在该实施例中，除了通过为微处理器或微控制器或FPGA提供操作电力的微处理器或微控制器或FPGA的电源引脚外，微处理器或微控制器或FPGA14不接收电力。

至少一个磁场匀场电流是DC电流，在一些实施例中，DC电流可以从数字电源轨(例如，V_CC-GND电位差)提取。因此，通过添加必要的板载控制程序和周围的导电环圈，以及安装在PCB 22上的单个磁场传感器20，可以使安装在PCB 22上的所有电子部件14在扭曲环境磁场方面被有效地“自我封闭”。

在其他实施例中，电子部件14包括多个电子部件(例如，多个电池、多个IC芯片、一个或多个电池和一个或多个IC芯片的组合，等等)，它们各自被安装在PCB 22上。每个电子部件14具有围绕其设置的至少一个导电环圈或绕组18。电子控制器24被配置成针对每个电子部件14执行获取操作102、确定操作104和激励操作106。

在操作104处确定至少一个磁场匀场电流的过程中，至少一个磁场匀场电流的值应将环境磁场恢复到未扭曲的值，而不是去除环境磁场。然而，根据磁场传感器20的测量结果，这样的未扭曲的值将是多少并不明显。

为了解决这个问题，可以针对电子部件14相对于环境磁场的各种取向对电子装置10进行校准(例如，通过将电子部件置于MRI扫描仪12的孔道中，获取图像，并调整至少一个导电环圈或绕组18的电流，直到伪影最小化或消除)。此后，当磁场传感器20确定该装置相对于环境磁场中的取向时；所施加的补偿环圈电流是用于该取向的校准的补偿环圈电流。

已经参考优选实施例对本公开进行了描述。在阅读和理解前面的详细描述后，对于其他人来说，可以产生修改和改变。旨在将示例性实施例解释为包括所有此类修改和变更，只要它们在所附权利要求或其等同方案的范围内。

Claims

1.一种电子装置(10)，包括：

电子部件(14)；

围绕所述电子部件设置的至少一个导电环圈或绕组(18)；以及

电子控制器(24)，其被配置成：

从所接收到的环境磁场测量信号中获得(102)磁场方向；

基于所获得的所述磁场方向确定(104)至少一个磁场匀场电流；以及

激励(106)所述至少一个导电环圈或绕组，以使所确定的所述至少一个磁场匀场电流流过。

2.根据权利要求1所述的电子装置(10)，其中，所述电子部件(14)是集成电路(IC)芯片(16)。

3.根据权利要求2所述的电子装置(10)，其中：

所述IC芯片(16)是微处理器或微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)；且

所述电子控制器(24)包括所述微处理器或所述微控制器或所述FPGA，并被编程以：

从所接收到的所述环境磁场测量信号中获得(102)所述磁场方向；

基于所获得的所述磁场方向确定(104)所述至少一个磁场匀场电流；和

激励(106)所述至少一个导电环圈或绕组(18)，以使所确定的所述至少一个磁场匀场电流流过。

4.根据权利要求3所述的电子装置(10)，其中，所述微处理器或所述微控制器或所述FPGA除了通过为所述微处理器或所述微控制器或所述FPGA提供操作电力的所述微处理器或所述微控制器或所述FPGA的电源引脚外，不接收电力。

5.根据权利要求1所述的电子装置(10)，其中，所述电子部件(14)是电池(15)。

6.根据权利要求1-5中的任一项的所述电子装置(10)，其中，围绕所述电子部件(14)设置的所述至少一个导电环圈或绕组(18)包括具有相互正交的环圈法线的三个导电环圈或绕组。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述电子装置还包括：

印刷电路板(PCB)(22)，所述电子部件(14)被安装在所述印刷电路板上；以及

被安装在所述PCB上的磁场传感器(20)，所述磁场传感器产生所述环境磁场测量信号，所述环境磁场测量信号在所述电子控制器(24)处被接收。

8.根据权利要求7所述的电子装置(10)，其中，所述磁场传感器(20)包括霍尔效应传感器。

9.根据权利要求7和8中的任一项所述的电子装置(10)，其中，

所述电子部件(14)包括多个电子部件，每个电子部件被安装在所述PCB(22)上，并且每个电子部件具有围绕所述电子部件设置的至少一个导电环圈或绕组(18)；以及

所述电子控制器(24)被配置成：

从通过所述磁场传感器(20)接收到的所述环境磁场测量信号中获得(102)所述磁场方向；

基于所获得的所述磁场方向，为所述多个电子部件中的每个电子部件确定(104)至少一个磁场匀场电流；和

激励(106)所述多个电子部件中的每个电子部件的所述至少一个导电环圈或绕组，以使用于所述电子部件的所确定的所述至少一个磁场匀场电流流过。

10.根据权利要求7-9中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述至少一个导电环圈或绕组(18)包括包含所述PCB(22)的环绕被安装在所述PCB上的所述电子部件的印刷电路的导电环圈或绕组。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述电子控制器(24)被配置成仅在相关的磁共振成像(MRI)扫描仪(12)正在获取成像数据时才激励所述至少一个导电环圈或绕组(18)，以使所确定的所述至少一个磁场匀场电流流过。

12.根据权利要求1-11的中任一项所述的电子装置(10)，其中，所述电子控制器(24)被进一步配置成：

从所接收到的所述环境磁场测量信号中获得磁场强度；以及

基于所获得的所述磁场方向和所获得的所述磁场强度确定所述至少一个磁场匀场电流。

13.一种电子装置(10)，包括：

集成电路(IC)芯片(16)；

磁场传感器(20)，其被配置成测量环境磁场测量信号；

围绕所述IC芯片设置的多个导电环圈或绕组(18)；以及

电子控制器(24)，其被配置成：

从由所述磁场传感器测量到的所述环境磁场测量信号中获得(102)磁场方向；

激励(106)所述多个导电环圈或绕组，以使所确定的所述至少一个磁场匀场电流流过。

14.根据权利要求13所述的电子装置(10)，其中，

所述IC芯片(16)是被编程以执行获取、确定和激励操作的微处理器或微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)。

15.根据权利要求13和14中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述电子装置还包括：

印刷电路板(PCB)(22)，所述IC芯片(16)和所述磁场传感器(20)中的至少一个被安装在所述印刷电路板上。

16.根据权利要求15所述的电子装置(10)，其中，所述多个导电环圈或绕组包括所述PCB(22)的环绕所述IC芯片(16)的印刷电路。

17.根据权利要求13-16中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述磁场传感器(20)包括霍尔效应传感器。

18.根据权利要求14-17中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述电子控制器(24)还被配置成：

从由所述磁场传感器(20)测量到的所述环境磁场测量信号中获得磁场强度；和

19.根据权利要求14-18中的任一项所述的电子装置(10)，其中，所述电子控制器(24)还被配置成：

从由所述磁场传感器(20)测量到的所述环境磁场测量信号中获得所述磁场强度的时间导数；和

基于所获得的所述磁场方向和所获得的所述磁场强度的所述时间导数确定所述至少一个磁场匀场电流。

20.一种用于确定磁场匀场电流的方法(100)，所述方法包括：

从所接收到的环境磁场测量信号中获得(102)磁场方向；

基于所获得的所述磁场方向，确定(104)至少一个磁场匀场电流；以及

激励(106)所述至少一个导电圈或绕组，以使所确定的所述至少一个磁场匀场电流流过。