CN114864737A - 一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 18
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 16
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 11
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 InAlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1133—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a conductor-insulator-semiconductor diode or a CCD device
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03044—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds comprising a nitride compounds, e.g. GaN
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1856—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising nitride compounds, e.g. GaN
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种基于GaN MIS‑HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层；复合缓冲层，设置于所述衬底层之上；沟道层，置于所述复合缓冲层之上；势垒层，设置于所述沟道层之上；源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极均设置于所述势垒层之上，且所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；绝缘介质层，设置于所述势垒层和所述栅电极之间。本发明在太赫兹探测器里面引用基于半导体领域的GaN MIS‑HEMT结构，并在GaN HEMT太赫兹探测器的栅电极下面引入绝缘介质层，利用GaN MIS‑HEMT结构降低栅电流，降低栅极闪烁噪声，从而达到改善太赫兹探测器噪声等效功率的性能，提升探测器的灵敏度。
Description
技术领域
本发明属于太赫兹探测器技术领域，具体涉及一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法。
背景技术
太赫兹波是指频率在0.1～10THz，波长在3000～30μm范围内的电磁波。在其频段范围以下的电磁波称为微波或者毫米波，在此频率范围以上的是红外光。太赫兹波广泛应用于雷达探测、安全检测、工业质量检测、信号通信、数据传输等领域。
太赫兹波在成像领域有巨大前景。可见光成像因其波长短易散射，易受环境和气候干扰；微波或者毫米波在成像方面可以避免环境和气候干扰，但是其波长过长，导致分辨率比较低。因此，太赫兹在成像方面可以达到很好的平衡，对环境、气候的干扰抑制高，并且分辨率比较高。
太赫兹成像的基本部件要用到太赫兹探测器。太赫兹探测器基于不同的探测原理，有很多种类型。基于半导体材料制作的太赫兹探测器，例如硅肖特基二极管、化合物半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)结构，具有可以室温工作、集成度高、高响应度、低噪声等优点。
氮化镓(GaN)材料具有宽带隙、高临界电场强度、高电子饱和速度、高自发极化系数等优点，基于GaN的电子器件，尤其是GaN HEMT，具有高输出功率、高效率、耐高温、抗辐射等多种优点，引起了射频电子器件、电力电子器件性能的极大提升。GaN HEMT器件也可以应用于太赫兹探测器，利用HEMT结构中二维电子气(2DEG)在太赫兹波辐照下产生等离子激元的机理，在漏极产生对入射太赫兹波响应的直流信号。GaN HEMT太赫兹探测器具有响应度高、可集成、可高温工作的优点。
然而，常规GaN HEMT结构的太赫兹探测器的栅电极采用肖特基接触，栅漏电比较大，引入较高的栅闪烁造成，从而对探测器造成较大的噪声等效功率。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，所述太赫兹探测器包括：
衬底层；
复合缓冲层，所述复合缓冲层设置于所述衬底层之上；
沟道层，所述沟道层设置于所述复合缓冲层之上；
势垒层，所述势垒层设置于所述沟道层之上，所述复合缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的材料为三族氮化物半导体；
源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极均设置于所述势垒层之上，且所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；
绝缘介质层，设置于所述势垒层和所述栅电极之间；
其中，所述太赫兹探测器接受太赫兹辐射后，在所述源电极和所述漏电极之间产生直流电压以实现太赫兹辐射的探测。
在本发明的一个实施例中，所述衬底层的材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、金刚石或者玻璃单晶衬底层。
在本发明的一个实施例中，所述复合缓冲层，包括：
成核层，所述成核层设置于所述衬底层之上，所述成核层的材料包括AlN，所述成核层的厚度为100-300nm；
过渡层，所述过渡层设置于所述成核层之上，所述过渡层的材料包括AlGaN，所述过渡层的厚度为200-1000nm；
缓冲层，所述缓冲层设置于所述过渡层之上，所述缓冲层的材料包括GaN或AlGaN，所述缓冲层的厚度为100-3000nm。
在本发明的一个实施例中，所述沟道层的材料包括GaN或者InGaN，所述沟道层的厚度为50nm-500nm。
在本发明的一个实施例中，所述势垒层的材料包括AlGaN、InAlN、AlN或者InAlGaN，所述势垒层的厚度为2-40nm。
在本发明的一个实施例中，所述绝缘介质层的材料包括SiO2、SiN、Al2O3、HfO2或者ZrO2，所述绝缘介质层的厚度为1-30nm。
在本发明的一个实施例中，所述源电极和所述漏电极最下面两层的材料包括Ti/Al、Ta/Al或者Mo/Al，所述栅电极下面第一层的材料包括Ti、Ni、Al、Ta、TiN或者TaN。
在本发明的一个实施例中，所述太赫兹探测器还包括隔离层，所述隔离层设置于所述沟道层和所述势垒层之间，所述隔离层的材料包括AlN，所述隔离层的厚度为0.5-2nm。
在本发明的一个实施例中，所述太赫兹探测器还包括帽层，所述帽层设置于所述势垒层之上，且位于所述绝缘介质层、所述源电极和所述漏电极之下，所述帽层的材料包括GaN、InGaN或者SiN，所述帽层的厚度为0.5-2nm。
本发明的一个实施例还提供一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法，用于制备上述任一项实施例所述的太赫兹探测器，所述太赫兹探测器的制备方法包括：
S1、选取衬底层并清洗所述衬底层表面；
S2、利用外延技术方法在所述衬底层上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层；
S3、采用台面刻蚀方法将部分区域内的所述沟道层和所述势垒层刻蚀去除，以实现台面隔离；
S4、在所述势垒层上淀积源电极和漏电极，然后进行热退火形成欧姆接触；
S5、在所述势垒层上淀积绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述源电极和所述漏电极之间；
S6、在所述绝缘介质层上淀积栅电极。
本发明的有益效果：
第一、与现有的太赫兹探测器相比，本发明在太赫兹探测器里面引用基于半导体领域的GaN MIS-HEMT结构，并在GaN HEMT太赫兹探测器的栅电极下面引入绝缘介质层，利用GaN MIS-HEMT结构降低栅电流，降低栅极闪烁噪声，从而达到改善太赫兹探测器噪声等效功率的性能，提升探测器的灵敏度。
第二、本发明提出的太赫兹探测器的制备方法与原有工艺兼容，工艺简单，效果显著。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法的流程示意图；
图5a-图5f是本发明实施例提供的一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法的过程示意图。
附图标记的含义：
1-衬底层，2-复合缓冲层，3-沟道层，4-势垒层，5-绝缘介质层，6-源电极，7-漏电极，8-栅电极，41-隔离层，42-帽层。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的结构示意图。本发明实施例提供一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，该基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器包括：
衬底层1；
复合缓冲层2，复合缓冲层2设置于衬底层1之上；
沟道层3，沟道层3设置于复合缓冲层2之上；
势垒层4，势垒层4设置于沟道层3之上，复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4的材料为三族氮化物半导体，由此不会出现晶格失配的问题；
源电极6、漏电极7和栅电极8，源电极6、漏电极7和栅电极8均设置于势垒层4之上，且栅电极8位于源电极6和漏电极7之间；
绝缘介质层5，设置于势垒层4和栅电极8之间；
其中，太赫兹探测器接受太赫兹辐射后，在源电极6和漏电极7之间产生直流电压以实现太赫兹辐射的探测。
本发明的太赫兹探测器采用GaN MIS-HEMT结构，并且在势垒层4和栅电极8之间设置了一层绝缘介质层5，从而可以降低栅电流，降低了栅电极8漏电，从而降低了栅电极8的闪烁噪声，减少栅电极8噪声电流，降低了太赫兹探测器的等效噪声功率，提高了太赫兹探测器的灵敏度，进一步提高了GaN太赫兹探测器的性能。
在一个具体实施例中，衬底层1的材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、金刚石或者玻璃单晶衬底层。
优选的，衬底层1选择直径为200mm的高阻值硅，厚度为725μm，选取高阻(111)面的高阻si，不仅减少晶格失配，而且其价格便宜，si工艺很成熟，做成衬底的质量高，厚度选择根据价格和击穿电压而决战，由于GaN的击穿电压高，要是衬底太薄，衬底会先被击穿，要是衬底太厚，则成本高，因此高阻值硅的厚度选择725μm。
在一个具体实施例中，复合缓冲层2，包括：
成核层，成核层设置于衬底层1之上，成核层的材料包括AlN，成核层的厚度为100-300nm；
过渡层，过渡层设置于成核层之上，过渡层的材料包括AlGaN，过渡层的厚度为200-1000nm；
缓冲层，缓冲层设置于过渡层之上，缓冲层的材料包括GaN或AlGaN，缓冲层的厚度为100-3000nm。
非故意掺杂(UID)的半绝缘缓冲层具有高阻性，用于形成2DEG，并降低背景载流子浓度以减小缓冲层陷阱效应引起的漏极电流崩塌。由于介质基板与GaN缓冲层存在晶格不匹配问题(GaN基板除外)，如SiC与GaN间晶格失配率为3.5％，需要引入成核层。由于过渡层可以进一步减小晶格失配，需要引入一定厚度(纳米级)的过渡层来减小该失配引起的界面张力。该过渡层对减小界面失配、缺陷或陷阱效应引起的电流崩塌，降低静态电流泄漏及射频传导和改善射频性能有重要作用。
优选地，成核层的材料为AlN，厚度为200nm；过渡层包括从下之上依次层叠的300nm的Al0.75Ga0.25N、350nm Al0.5Ga0.5N和200nm Al0.2Ga0.8N；缓冲层的材料为GaN，厚度为1000nm。
在一个具体实施例中，沟道层3的材料包括GaN或者InGaN，沟道层3的厚度为50nm-500nm，
优选地，沟道层3材料是GaN，厚度为300nm。
在一个具体实施例中，势垒层4的材料包括AlGaN、InAlN、AlN或者InAlGaN，势垒层4的厚度为2-40nm。势垒层材料的选择是为GaN的二维电子气浓度和迁移率受Al组分掺杂的影响，AlGaN、InAlN、AlN或者InAlGaN这些材料的选择是为了更好的形成二维电子气，同时也提高迁移率，两者的综合考量。势垒层4厚度太大会引起势垒层的应变弛豫，太小二维电子气浓度低，因此势垒层4的厚度设置为2-40nm。
优选地，势垒层4材料是Al0.25Ga0.75N，厚度为20nm。
在一个具体实施例中，绝缘介质层5的材料包括SiO2、SiN、Al2O3、HfO2或者ZrO2，绝缘介质层5的厚度为1-30nm。绝缘介质层5太薄可能会漏电还有容易被击穿，由此不能起作用，太厚可能影响阈值电压，对二维电子气的控制减弱，对于射频特性也会有所影响，因此绝缘介质层5的厚度设置为1-30nm。
优选地，绝缘介质层5的材料为Al2O3，厚度为10nm。
在一个具体实施例中，源电极6和漏电极7最下面两层的材料包括Ti/Al、Ta/Al或者Mo/Al，即下面一层为Ti、Ta或者Mo，对应的上面一层为均Al，且在Al上还可以根据实际需求设置其它材料，本实施例对此不做具体限定，栅电极8下面第一层的材料包括Ti、Ni、Al、Ta、TiN或者TaN，且栅电极8在第一层之上还可以根据实际需求设置其它材料，本实施例对此不做具体限定。
优选地，源电极6和所漏电极7的材料从下往上依次为Ti/Al/Ni/Au，厚度依次为20/120/40/50nm，栅电极8的材料从下往上依次为Ni/Au，厚度为50/300nm。
通常选择Ti作为接触金属，这是因为在高温退火的过程中，GaN材料中N原子会发生热扩散，Ti作为一种高活性的金属可以非常容易的与N原子发生固相化学反应，生成具有较强导电性的化合物TiN，同时在GaN材料中产生高密度的氮原子空位，这些氮原子空位起施主的作用，有利于实现欧姆接触。此外，Ti也是一种熔点很高的金属，其熔点高达1668℃，可以有效地在高温过程中阻挡上层金属的扩散。虽然A1的功函数也比较低，但是并不适合作为欧姆接触的接触金属，因为A1的熔点低(660℃)且热稳定性较差，通常，A1作为接触金属Ti的上层金属，起到催化的作用，促进固相化学反应的发生，同时与接触金属Ti形成致密的TiAI合金。但是Ti、Al金属活泼性较强，在高温过程中容易被氧化成TiO2和A12O3，因此，通常采用化学性质稳定的Au作为覆盖层，避免Ti、AI金属氧化带来的不利影响。但Au在高温过程中会与A1和Ti发生严重的互扩散，因此需要在A1和Au之间插入Ni作为隔离层，防止Au的扩散。
在一个具体实施例中，请参见图2，该太赫兹探测器还包括隔离层41，隔离层41设置于沟道层3和势垒层4之间，隔离层41的材料包括AlN，隔离层41的厚度为0.5-2nm。隔离层能够提高势垒层和沟道层的有效导带带阶，有利于加成势阱，提高二维电子气的限域性，在温度变化很大的时候有另外的好处，抑制热激活引起的沟道外平行电导。
优选地，隔离层41的材料为AlN，厚度为1nm。AlN隔离层过薄作用不大，过厚则会给势垒层引入极大的应力(晶格失配约为2.4％)，降低AlGaN层的外延质量，导致迁移率降低，由此AlN隔离层的厚度设置为1nm。
在一个具体实施例中，请参见图3，该太赫兹探测器还包括帽层42，帽层42设置于势垒层4之上，且位于绝缘介质层5、源电极6和漏电极7之下，帽层42的材料包括GaN、InGaN或者SiN，帽层42的厚度为0.5-5nm。帽层和钝化层对于减小漏极电流崩塌，维持极化特性产生的2DEG有重要作用。同时也能减小栅极泄漏电流,增强源、漏极欧姆接触和击穿电压。
优选地，帽层42的材料为GaN，厚度为2nm。
与现有的太赫兹探测器相比，本实施例在太赫兹探测器里面引用基于半导体领域的GaN MIS-HEMT结构，并在GaN HEMT太赫兹探测器的栅电极下面引入绝缘介质层，利用GaNMIS-HEMT结构降低栅电流，降低栅极闪烁噪声，从而达到改善太赫兹探测器噪声等效功率的性能，提升探测器的灵敏度。
实施例二
请参见图4、图5a-图5f，图4是本发明实施例提供的一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法的流程示意图，图5a-图5f是本发明实施例提供的一种基于GaNMIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法的过程示意图。本发明在上述实施例的基础上，提供一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法，该制备方法用于制备实施例一所述的太赫兹探测器，太赫兹探测器的制备方法包括：
S1、请参见图5a，选取衬底层1并清洗衬底层1表面；
S2、请参见图5b，利用外延技术方法在衬底层1上依次生长复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4；
S3、请参见图5c，采用台面刻蚀方法将部分区域内的所述沟道层3和所述势垒层4刻蚀去除，以实现台面隔离；
S4、请参见图5d，在势垒层4上淀积源电极6和漏电极7，然后进行热退火形成欧姆接触；
S5、请参见图5e，在势垒层4上淀积绝缘介质层5，绝缘介质层5位于源电极6和漏电极7之间；
S6、请参见图5f，在绝缘介质层5上淀积栅电极8。
本发明提出的太赫兹探测器的制备方法与原有工艺兼容，工艺简单，效果显著。
实施例三
在上述实施例的基础上，本实施例提供了一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法，请参照图4和图5a-图5e，该太赫兹探测器的制备方法的具体制备过程如下：
S1、选取衬底层1并清洗表面。
具体地，选取电阻率为1000-30000Ω·cm，厚度为725μm，晶向为<111>的高阻硅，在1200℃左右的高温下，将氢气通入反应室，去除硅衬底层表面的污染物，并在衬底层表面形成台阶结构，参照图5a。
S2、利用外延技术方法在衬底层1表面依次生长复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4。
具体地，采用MOCVD技术在衬底层1表面依次生长复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4，参照图5b。
S3、进行器件隔离。
具体地，采用台面刻蚀的方法，使用RIE设备或者ICP-RIE设备，将部分区域内的势垒层4和部分沟道层3刻蚀去除，从而实现台面隔离；或者具体地，采用离子注入的方法，使用离子注入机，在部分区域的势垒层4和部分沟道层3中注入Ar离子，实现高阻区域，从而实现台面隔离，参照图5c。
S4、在势垒层4淀积源电极6和漏电极7，然后进行高温热退火形成欧姆接触。
具体地，首先进行清洗，在丙酮中对样品进行3分钟的超声清洗；然后在65℃的正胶剥离液中蒸煮8分钟；然后样品再次放入丙酮中进行3分钟超声清洗；最后用氢氟酸溶液清洗2分钟。
具体地，结合电子束蒸发工艺和金属剥离工艺，在势垒层4上方淀积金属Ti/Al/Ni/Au，形成源电极6和漏电极7，并在850℃，流速为1.5m/s的氮气下热退火30s形成欧姆接触，参照图5d。
S5、在样品表面淀积绝缘介质层5。
具体地，采用ALD技术，在300℃时，采用TMA和H2O为前驱体，淀积10nm Al2O3，参照图5e。
S6、在绝缘介质层5淀积栅电极8。
具体地，结合电子束蒸发工艺和金属剥离工艺，在绝缘介质层5上淀积金属Ni/Au，形成栅电极8，并在400℃，流速为1m/s的氮气下进行热退火，参照图5f。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
尽管在此结合各实施例对本申请进行了描述，然而，在实施所要求保护的本申请过程中，本领域技术人员通过查看所述附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现所述公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述太赫兹探测器包括：
衬底层(1)；
复合缓冲层(2)，所述复合缓冲层(2)设置于所述衬底层(1)之上；
沟道层(3)，所述沟道层(3)设置于所述复合缓冲层(2)之上；
势垒层(4)，所述势垒层(4)设置于所述沟道层(3)之上，所述复合缓冲层(2)、所述沟道层(3)和所述势垒层(4)的材料为三族氮化物半导体；
源电极(6)、漏电极(7)和栅电极(8)，所述源电极(6)、所述漏电极(7)和所述栅电极(8)均设置于所述势垒层(4)之上，且所述栅电极(8)位于所述源电极(6)和所述漏电极(7)之间；
绝缘介质层(5)，设置于所述势垒层(4)和所述栅电极(8)之间；
其中，所述太赫兹探测器接受太赫兹辐射后，在所述源电极(6)和所述漏电极(7)之间产生直流电压以实现太赫兹辐射的探测。
2.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述衬底层(1)的材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、金刚石或者玻璃单晶衬底层。
3.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述复合缓冲层(2)，包括：
成核层，所述成核层设置于所述衬底层(1)之上，所述成核层的材料包括AlN，所述成核层的厚度为100-300nm；
过渡层，所述过渡层设置于所述成核层之上，所述过渡层的材料包括AlGaN，所述过渡层的厚度为200-1000nm；
缓冲层，所述缓冲层设置于所述过渡层之上，所述缓冲层的材料包括GaN或AlGaN，所述缓冲层的厚度为100-3000nm。
4.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述沟道层(3)的材料包括GaN或者InGaN，所述沟道层(3)的厚度为50nm-500nm。
5.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述势垒层(4)的材料包括AlGaN、InAlN、AlN或者InAlGaN，所述势垒层(4)的厚度为2-40nm。
6.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述绝缘介质层(5)的材料包括SiO2、SiN、Al2O3、HfO2或者ZrO2，所述绝缘介质层(5)的厚度为1-30nm。
7.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述源电极(6)和所述漏电极(7)最下面两层的材料包括Ti/Al、Ta/Al或者Mo/Al，所述栅电极(8)下面第一层的材料包括Ti、Ni、Al、Ta、TiN或者TaN。
8.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述太赫兹探测器还包括隔离层(41)，所述隔离层(41)设置于所述沟道层(3)和所述势垒层(4)之间，所述隔离层(41)的材料包括AlN，所述隔离层(41)的厚度为0.5-2nm。
9.根据权利要求1所述的基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述太赫兹探测器还包括帽层(42)，所述帽层(42)设置于所述势垒层(4)之上，且位于所述绝缘介质层(5)、所述源电极(6)和所述漏电极(7)之下，所述帽层(42)的材料包括GaN、InGaN或者SiN，所述帽层(42)的厚度为0.5-2nm。
10.一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至9任一项所述的太赫兹探测器，所述太赫兹探测器的制备方法包括：
S1、选取衬底层(1)并清洗所述衬底层(1)表面；
S2、利用外延技术方法在所述衬底层(1)上依次生长复合缓冲层(2)、沟道层(3)和势垒层(4)；
S3、采用台面刻蚀方法将部分区域内的所述沟道层(3)和所述势垒层(4)刻蚀去除，以实现台面隔离；
S4、在所述势垒层(4)上淀积源电极(6)和漏电极(7)，然后进行热退火形成欧姆接触；
S5、在所述势垒层(4)上淀积绝缘介质层(5)，所述绝缘介质层(5)位于所述源电极(6)和所述漏电极(7)之间；
S6、在所述绝缘介质层(5)上淀积栅电极(8)。
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