CN114825872A - 低损耗且开关速度快的pwm驱动电路及方法 - Google Patents

低损耗且开关速度快的pwm驱动电路及方法 Download PDF

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CN114825872A CN202210617905.8A CN202210617905A CN114825872A CN 114825872 A CN114825872 A CN 114825872A CN 202210617905 A CN202210617905 A CN 202210617905A CN 114825872 A CN114825872 A CN 114825872A
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Abstract

本发明涉及低损耗且开关速度快的PWM驱动电路及方法。PWM驱动电路包括：包括：单片机、第一延时单元、第二延时单元、触发器、第一功率器件开关单元及第二功率器件开关单元；单片机分别向第一延时单元、第二延时单元输出PWM信号；在高电平时，第一延时单元的延时时长比第二延时单元的延时时长较短；在低电平时，第一延时单元的延时时长比第二延时单元的延时时长较长；第一延时单元的输出端和第二延时单元的输出端分别与触发器的第一输入端和第二输入端连接一一对应连接；第一功率器件开关单元及第二功率器件开关单元分别与触发器U1的第一输出端、第二输出端连接。本发明的PWM驱动电路及方法在确保开关速度快的同时有效降低了功耗。

Description

低损耗且开关速度快的PWM驱动电路及方法
技术领域
本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种低损耗且开关速度快的PWM驱动电路及方法。
背景技术
在降压式变换电路(BUCK电路)中，MOS管开关损耗是一个主要的损耗，而MOS管的开关速度是影响开关损耗的主要因素。
在大功率应用场合，优选选用内阻小且开关速度快的MOS管。但是，内阻小的MOS管开关速度比较慢，导致功耗比较大。
也就是说，现有技术中，MOS管的开关速度和内阻是一组矛盾因素，导致总功耗不能降低。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种低损耗且开关速度快的PWM驱动电路及方法，克服了MOS管的开关速度与内阻的矛盾问题，在确保开关速度快的同时有效降低了功耗。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，包括：单片机、第一延时单元、第二延时单元、触发器、第一功率器件开关单元及第二功率器件开关单元；
所述单片机分别向所述第一延时单元、所述第二延时单元输出PWM信号；
在高电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较短；在低电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较长；所述第一延时单元的输出端和所述第二延时单元的输出端分别与所述触发器的第一输入端和第二输入端连接一一对应连接；
所述第一功率器件开关单元包括第一电子开关功率器件，所述第二功率器件开关单元包括第二电子开关功率器件；所述第一电子开关功率器件的内阻R1大于所述第二电子开关功率器件的内阻R2；所述第一电子开关功率器件的开关速度比所述第二电子开关功率器件的开关速度快；
所述第一功率器件开关单元与所述触发器U1的第一输出端连接，所述第二功率器件开关单元与所述触发器U1的第二输出端连接。
在其中一个实施例中，所述第一功率器件开关单元与所述第二功率器件开关单元并联。
在其中一个实施例中，所述第一电子开关功率器件为第一MOS管Q1，所述第二电子开关功率器件为第二MOS管Q2；或
所述第一电子开关功率器件为第一IGBT管，所述第二电子开关功率器件为第二IGBT管；或
所述第一电子开关功率器件为第一MOS管Q1，所述第二电子开关功率器件为第二IGBT管；或
所述第一电子开关功率器件为第一IGBT管，所述第二电子开关功率器件为第二MOS管Q2。
在其中一个实施例中，所述第一功率器件开关单元还包括第一电阻R1、第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端与所述第一MOS管Q1的G极连接；所述第一电阻R1的另一端与所述触发器U1的第一输出端连接；
所述第一MOS管Q1的G极还串联第二电阻R2后接地；所述第一MOS管Q1的S极接地；所述第一MOS管Q1的D极与所述第二MOS管Q2的D极或与所述第二IGBT管的E极连接。
在其中一个实施例中，所述第二功率器件开关单元还包括第三电阻R3、第四电阻R4；所述第三电阻R3的一端与所述第二MOS管Q2的G极连接；所述第三电阻R3的另一端与所述触发器U1的第二输出端连接；
所述第二MOS管Q2的G极还串联第四电阻R4后接地；所述第二MOS管Q2的S极接地；所述第二MOS管Q2的D极与所述第一MOS管Q1的D极或与所述第一IGBT管的E极连接。
在其中一个实施例中，所述第一功率器件开关单元还包括第一电阻R1、第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端与所述第一IGBT管的G极连接；所述第一电阻R1的另一端与所述触发器U1的第一输出端连接；所述第一IGBT管的G极还串联所述第二电阻R2后接地；所述第一IGBT管的E极接地；所述第一IGBT管的C极与所述第二IGBT管的C极或与所述第二MOS管Q2的D极连接。
在其中一个实施例中，所述第二功率器件开关单元还包括第三电阻R3、第四电阻R4；所述第三电阻R3的一端与所述第二IGBT管的G极连接；所述第三电阻R3的另一端与所述触发器U1的第二输出端连接；所述第二IGBT管的G极还串联所述第四电阻R4后接地；所述第二IGBT管的E极接地；所述第二IGBT管的C极与所述第一IGBT管的C极或与所述第一MOS管Q1的D极连接。
在其中一个实施例中，所述低损耗且开关速度快的PWM驱动电路还包括抗浪涌单元；所述抗浪涌单元的输入端与所述单片机的PWM_IN引脚连接，另一端与所述第一延时单元的输入端和所述第二延时单元的输入端连接。
在其中一个实施例中，所述抗浪涌单元包括第五电阻R5；所述第五电阻R5的一端与所述单片机的PWM_IN引脚连接，另一端与所述第一延时单元的输入端和所述第二延时单元的输入端连接。
在其中一个实施例中，所述第一延时单元为RC延时网络单元，所述第二延时单元为RC延时网络单元。
在其中一个实施例中，所述第一延时单元包括：第一二极管D1、第六电阻R6及第一电容C1；
所述第一二极管D1的正极与所述单片机的PWM_IN引脚连接，负极与所述触发器U1的第一输入端连接；
所述第六电阻R6与所述第一二极管D1并联；所述第一二极管D1的负极还串联所述第一电容C1后接地。
在其中一个实施例中，所述第二延时单元包括：第二二极管D2、第七电阻R7及第二电容C2；
所述第二二极管D2的负极与所述单片机的PWM_IN引脚连接，正极与所述触发器U1的第二输入端连接；
所述第七电阻R7与所述第二二极管D2并联；所述第二二极管D2的正极还串联所述第二电容C2后接地。
本发明公开的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，克服了MOS管的开关速度与内阻的矛盾问题，在确保开关速度快的同时有效降低了功耗。
本发明还公开一种低损耗且开关速度快的PWM驱动方法，采用所述低损耗且开关速度快的PWM驱动电路；且，包括以下步骤：
通过单片机分别向第一延时单元、第二延时单元输出PWM信号；
所述第一延时单元、所述第二延时单元分别对PWM信号进行延时；且在高电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较短；在低电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较长；
经过所述第一延时单元、所述第二延时单元分别延时的PWM信号分别先后触发触发器；
触发器根据所述第一延时单元延时后的PWM信号触发第一功率器件开关单元，根据所述第二延时单元延时后的PWM信号触发第二功率器件开关单元。
本发明公开的低损耗且开关速度快的PWM驱动方法克服了MOS管的开关速度与内阻的矛盾问题，在确保开关速度快的同时有效降低了功耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路的其中一个实施例的原理框图；
图2为本发明的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路的另一个实施例的原理框图；
图3为图2所示的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路的部分电路原理图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
如图1所示，本发明公开一种低损耗且开关速度快的PWM驱动电路10，包括：单片机20、第一延时单元30、第二延时单元40、触发器50、第一功率器件开关单元60及第二功率器件开关单元70。触发器50可以对输入的PWM波形进行整形触发，同时还具有驱动能力。
如图1所示，其中，单片机20分别向第一延时单元30、第二延时单元40输出PWM信号。在高电平时，第一延时单元30的延时时长比第二延时单元40的延时时长较短；在低电平时，第一延时单元30的延时时长比第二延时单元40的延时时长较长。第一延时单元30的输出端和第二延时单元40的输出端分别与触发器50的第一输入端和第二输入端连接一一对应连接。第一功率器件开关单元与第二功率器件开关单元并联。
需要说明的是，第一功率器件开关单元60包括第一电子开关功率器件；第二功率器件开关单元70包括第二电子开关功率器件。第一电子开关功率器件的内阻R1大于第二电子开关功率器件的内阻R2。第一电子开关功率器件的开关速度比第二电子开关功率器件的开关速度快。
如图3所示，在本实施例中，第一电子开关功率器件为第一MOS管Q1，第二电子开关功率器件为第二MOS管Q2。第一MOS管Q1的内阻r1大于第二MOS管Q2的内阻r2。第一MOS管Q1的开关速度比第二MOS管Q2的开关速度快。
如图3所示，第一功率器件开关单元60与触发器U1的第一输出端连接，第二功率器件开关单元与触发器U1的第二输出端连接，且第一功率器件开关单元与第二功率器件开关单元并联。
如图3所示，在本实施例中，第一功率器件开关单元60还包括第一电阻R1、第二电阻R2。第一电阻R1的一端与第一MOS管Q1的G极连接。第一电阻R1的另一端与触发器U1的第一输出端连接。第一MOS管Q1的G极还串联第二电阻R2后接地。第一MOS管Q1的S极接地；第一MOS管Q1的D极与第二MOS管Q2的D极连接。
如图3所示，在本实施例中，第二功率器件开关单元70还包括第三电阻R3、第四电阻R4。第三电阻R3的一端与第二MOS管Q2的G极连接。第三电阻R3的另一端与触发器U1的第二输出端连接。第二MOS管Q2的G极还串联第四电阻R4后接地。第二MOS管Q2的S极接地。第二MOS管Q2的D极与第一MOS管Q1的D极连接。
如图2所示，作为优选的实施方式，低损耗且开关速度快的PWM驱动电路还包括抗浪涌单元80。抗浪涌单元80的输入端与单片机20的PWM_IN引脚连接，另一端与第一延时单元30的输入端和第二延时单元40的输入端连接。在本实施例中，抗浪涌单元80包括第五电阻R5。第五电阻R5的一端与单片机20的PWM_IN引脚连接，另一端与第一延时单元30的输入端和第二延时单元40的输入端连接。抗浪涌单元80用于限制单片机20的输出引脚PWM_IN输出的浪涌驱动电流，从而改善电路的电磁干扰的能力(EMC)。
作为优选的实施方式，第一延时单元30为RC延时网络单元，第二延时单元40为RC延时网络单元。如图3所示，在本实施例中，第一延时单元包括：第一二极管D1、第六电阻R6及第一电容C1。第一二极管D1的正极与单片机的PWM_IN引脚连接，负极与触发器U1的第一输入端连接。第六电阻R6与第一二极管D1并联。第一二极管D1的负极还串联第一电容C1后接地。
如图3所示，在本实施例中，第二延时单元包括：第二二极管D2、第七电阻R7及第二电容C2。第二二极管D2的负极与单片机的PWM_IN引脚连接，正极与触发器U1的第二输入端连接。第七电阻R7与第二二极管D2并联。第二二极管D2的正极还串联第二电容C2后接地。
下面以实施例1为例，对低损耗且开关速度快的PWM驱动电路的工作原理进行说明：
需要说明的是，第一MOS管Q1和第二MOS管Q2分别为两种不同规格的MOS管；其中，第一MOS管Q1的内阻r1较大，但开关速度较快；第二MOS管Q2的内阻r2较小，但开关速度较慢；即，r1＞r2；第一MOS管Q1的开关速度比第二MOS管Q2的开关速度快；且，第一功率器件开关单元与第二功率器件开关单元处于并联关系；
在导通过程中，第一MOS管Q1的开关速度快，故第一MOS管Q1先导通，开关损耗也小；当第一MOS管Q1导通并延时一段时间后，第二MOS管Q2才导通；由于此时第一MOS管Q1已经导通了，又因为第二MOS管Q2的内阻r2小，所以第二MOS管Q2的导通的损耗小，从而电路总的损耗也小；
在关断过程中，第二MOS管Q2先关断，因为此时第一MOS管Q1还处于导通状态，所以第二MOS管Q2的关断损耗较小；在第二MOS管Q2关断并延迟一段时间后，第一MOS管Q1也关闭，因为第一MOS管Q1的开关速度快，故第一MOS管Q1损耗较小，从而电路总的损耗也小；
当然，为了实现前述的第一MOS管Q1比第二MOS管Q2先导通，则需要对单片机输出的PWM信号进行不同时长的延时处理；具体实现的原理如下：
在开启过程中：
当单片机20的PWM_IN引脚输出的PWM为高电平时，触发器U1的第一输入端IN1经过第一二极管D1快速给第一电容C1充电，从而使得触发器U1的第一输入端IN1快速达到规定的高电平而触发触发器U1的第一输出端OUT1输出高电平，第一MOS管Q1先导通；
触发器U1的第二输入端IN2则需要经过第七电阻R7给第二电容C2充电；第七电阻R7给第二电容C2充电的速度较慢，从而使得触发器U1的第二输入端IN2到达规定的高电平的时间比触发器U1的第一输入端IN1到达规定的高电平的时间迟；因此，触发触发器U1的第二输出端OUT2输出高电平的时间比第一输出端OUT1的时间要晚，即第二MOS管Q2比第一MOS管后导通；
在关闭过程中：
当单片机20的PWM_IN引脚输出的PWM为低电平时，触发器U1的第二输入端IN2经过第二二极管D2快速给第二电容C2放电，从而使得触发器U1的第二输入端IN2快速达到规定的低电平，进而触发触发器U1的第二输出端OUT2输出低电平，故第二MOS管Q2先关闭；
触发器U1的第一输入端IN1需要经过第六电阻R6给第一电容C1放电，第六电阻R6给第一电容C1放电的速度较慢；因此，触发器U1的第一输入端IN1到达规定的低电平的时间比触发器的第二输入端IN2到达规定的低电平的时间迟；故，第一输出端OUT1输出低电平的时间比触发器U1的第二输出端OUT2输出低电平的时间晚，即第一MOS管Q1的关闭比第二MOS管Q2慢。
本发明通过将具有不同内阻及不同开关速度的第一功率器件开关单元和第二功率器件开关单元进行配合，使得本发明的驱动电路在实现快速启动的同时电路的总损耗显著减小。
实施例2
实施例2与实施例1相比，除下述技术特征，其他技术特征与实施例1相同：
在本实施例中，第一电子开关功率器件为第一IGBT管，第二电子开关功率器件为第二IGBT管。第一IGBT管的内阻r1大于第二IGBT管的内阻r2。第一IGBT管的开关速度比第二IGBT管的开关速度快。
在本实施例中，第一功率器件开关单元60还包括第一电阻R1、第二电阻R2。第一电阻R1的一端与第一IGBT管的G极连接。第一电阻R1的另一端与触发器U1的第一输出端连接。第一IGBT管的G极还串联第二电阻R2后接地。第一IGBT管的E极接地；第一IGBT管的C极与第二IGBT管的C极连接。
在本实施例中，第二功率器件开关单元70还包括第三电阻R3、第四电阻R4。第三电阻R3的一端与第二IGBT管的G极连接。第三电阻R3的另一端与触发器U1的第二输出端连接。第二IGBT管的G极还串联第四电阻R4后接地。第二IGBT管的E极接地。第二IGBT管的C极与第一IGBT管的C极连接。
实施例3
实施例3与实施例1相比，除下述技术特征，其他技术特征与实施例1相同：
在本实施例中，第一电子开关功率器件为第一IGBT管，第二电子开关功率器件为第二MOS管Q2。第一IGBT管的内阻r1大于第二MOS管Q2的内阻r2。第一IGBT管的开关速度比第二MOS管Q2的开关速度快。
在本实施例中，第一功率器件开关单元60还包括第一电阻R1、第二电阻R2。第一电阻R1的一端与第一IGBT管的G极连接。第一电阻R1的另一端与触发器U1的第一输出端连接。第一IGBT管的G极还串联第二电阻R2后接地。第一IGBT管的E极接地；第一IGBT管的C极与第二MOS管Q2的D极连接。
在本实施例中，第二功率器件开关单元70还包括第三电阻R3、第四电阻R4。第三电阻R3的一端与第二MOS管Q2的G极连接。第三电阻R3的另一端与触发器U1的第二输出端连接。第二MOS管Q2的G极还串联第四电阻R4后接地。第二MOS管Q2的S极接地。第二MOS管Q2的D极与第一IGBT管的C极连接。
实施例4
实施例4与实施例1相比，除下述技术特征，其他技术特征与实施例1相同：
在本实施例中，第一电子开关功率器件为第一MOS管Q1，第二电子开关功率器件为第二IGBT管。第一MOS管Q1的内阻r1大于第二IGBT管的内阻r2。第一MOS管Q1的开关速度比第二IGBT管的开关速度快。
在本实施例中，第一功率器件开关单元60还包括第一电阻R1、第二电阻R2。第一电阻R1的一端与第一MOS管Q1的G极连接。第一电阻R1的另一端与触发器U1的第一输出端连接。第一MOS管Q1的G极还串联第二电阻R2后接地。第一MOS管Q1的S极接地；第一MOS管Q1的D极与第二IGBT管的C极连接。
在本实施例中，第二功率器件开关单元70还包括第三电阻R3、第四电阻R4。第三电阻R3的一端与第二IGBT管的G极连接。第三电阻R3的另一端与触发器U1的第二输出端连接。第二IGBT管的G极还串联第四电阻R4后接地。第二IGBT管的E极接地。第二IGBT管的C极与第一MOS管Q1的D极连接。
实施例5
本发明还公开一种低损耗且开关速度快的PWM驱动方法，采用前述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路；且，包括以下步骤：
通过单片机20分别向第一延时单元30、第二延时单元40输出PWM信号；
第一延时单元30、第二延时单元40分别对PWM信号进行延时；且在高电平时，第一延时单元30的延时时长比第二延时单元40的延时时长较短；在低电平时，第一延时单元30的延时时长比第二延时单元40的延时时较长；
经过第一延时单元30、第二延时单元40分别延时的PWM信号分别先后触发触发器；
触发器50根据第一延时单元30延时后的PWM信号触发第一功率器件开关单元60，根据第二延时单元40延时后的PWM信号触发第二功率器件开关单元70。
本发明公开的低损耗且开关速度快的PWM驱动方法克服了电子开关功率器件的开关速度与内阻的矛盾问题，在确保开关速度快的同时有效降低了功耗。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，包括：单片机、第一延时单元、第二延时单元、触发器、第一功率器件开关单元及第二功率器件开关单元；
所述单片机分别向所述第一延时单元、所述第二延时单元输出PWM信号；
在高电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较短；在低电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较长；所述第一延时单元的输出端和所述第二延时单元的输出端分别与所述触发器的第一输入端和第二输入端连接一一对应连接；
所述第一功率器件开关单元包括第一电子开关功率器件，所述第二功率器件开关单元包括第二电子开关功率器件；所述第一电子开关功率器件的内阻R1大于所述第二电子开关功率器件的内阻R2；所述第一电子开关功率器件的开关速度比所述第二电子开关功率器件的开关速度快；
所述第一功率器件开关单元与所述触发器U1的第一输出端连接，所述第二功率器件开关单元与所述触发器U1的第二输出端连接。
2.根据权利要求1所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第一功率器件开关单元与所述第二功率器件开关单元并联。
3.根据权利要求2所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第一电子开关功率器件为第一MOS管Q1，所述第二电子开关功率器件为第二MOS管Q2；或
所述第一电子开关功率器件为第一IGBT管，所述第二电子开关功率器件为第二IGBT管；或
所述第一电子开关功率器件为第一MOS管Q1，所述第二电子开关功率器件为第二IGBT管；或
所述第一电子开关功率器件为第一IGBT管，所述第二电子开关功率器件为第二MOS管Q2。
4.根据权利要求3所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第一功率器件开关单元还包括第一电阻R1、第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端与所述第一MOS管Q1的G极连接；所述第一电阻R1的另一端与所述触发器U1的第一输出端连接；
所述第一MOS管Q1的G极还串联第二电阻R2后接地；所述第一MOS管Q1的S极接地；所述第一MOS管Q1的D极与所述第二MOS管Q2的D极或与所述第二IGBT管的E极连接。
5.根据权利要求3所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第二功率器件开关单元还包括第三电阻R3、第四电阻R4；所述第三电阻R3的一端与所述第二MOS管Q2的G极连接；所述第三电阻R3的另一端与所述触发器U1的第二输出端连接；
所述第二MOS管Q2的G极还串联第四电阻R4后接地；所述第二MOS管Q2的S极接地；所述第二MOS管Q2的D极与所述第一MOS管Q1的D极或与所述第一IGBT管的E极连接。
6.根据权利要求3所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第一功率器件开关单元还包括第一电阻R1、第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端与所述第一IGBT管的G极连接；所述第一电阻R1的另一端与所述触发器U1的第一输出端连接；所述第一IGBT管的G极还串联所述第二电阻R2后接地；所述第一IGBT管的E极接地；所述第一IGBT管的C极与所述第二IGBT管的C极或与所述第二MOS管Q2的D极连接。
7.根据权利要求3所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第二功率器件开关单元还包括第三电阻R3、第四电阻R4；所述第三电阻R3的一端与所述第二IGBT管的G极连接；所述第三电阻R3的另一端与所述触发器U1的第二输出端连接；所述第二IGBT管的G极还串联所述第四电阻R4后接地；所述第二IGBT管的E极接地；所述第二IGBT管的C极与所述第一IGBT管的C极或与所述第一MOS管Q1的D极连接。
8.根据权利要求1所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，还包括抗浪涌单元，所述抗浪涌单元的输入端与所述单片机的PWM_IN引脚连接，另一端与所述第一延时单元的输入端和所述第二延时单元的输入端连接。
9.根据权利要求1所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路，其特征在于，所述第一延时单元为RC延时网络单元，所述第二延时单元为RC延时网络单元。
10.一种低损耗且开关速度快的PWM驱动方法，其特征在于，采用权利要求1-9中任意一项所述的低损耗且开关速度快的PWM驱动电路；且，包括以下步骤：
通过单片机分别向第一延时单元、第二延时单元输出PWM信号；
所述第一延时单元、所述第二延时单元分别对PWM信号进行延时；且在高电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较短；在低电平时，所述第一延时单元的延时时长比所述第二延时单元的延时时长较长；
经过所述第一延时单元、所述第二延时单元分别延时的PWM信号分别先后触发触发器；
触发器根据所述第一延时单元延时后的PWM信号触发第一功率器件开关单元，根据所述第二延时单元延时后的PWM信号触发第二功率器件开关单元。
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