CN114824013A - 一种柔性氮化镓基led及其制备方法 - Google Patents
一种柔性氮化镓基led及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114824013A CN114824013A CN202210549340.4A CN202210549340A CN114824013A CN 114824013 A CN114824013 A CN 114824013A CN 202210549340 A CN202210549340 A CN 202210549340A CN 114824013 A CN114824013 A CN 114824013A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible
- layer
- gallium nitride
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 21
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 15
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性氮化镓基LED及其制备方法，属于光电子、发光显示领域；所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：衬底；依附于衬底的晶圆层；设置于晶圆层下表面的p型电极；设置于晶圆层的LED器件台面；设置于晶圆层上表面的n型电极；所述衬底为柔性材料制成；本发明可以制备具有柔性、透明、双面发光、可寻址的垂直结构氮化镓基LED显示器件；相对于其他多次衬底转移、复杂的拾放技术、引线键合技术等，本发明能够使器件制作工艺简单化，实现柔性衬底、透明、双面发光的垂直结构氮化镓基LED，在此基础上进一步实现了可寻址的显示器件的制备。另外，本发明制备的镂空n型电极增加电极可延展程度，降低了样品弯曲时电极断裂的概率，使样品具备更好的柔性。
Description
技术领域
本发明涉及光电子、发光显示领域，特别涉及一种柔性氮化镓基LED及其制备方法。
背景技术
柔性光电子技术被广泛的开发并可能地应用于更先进的领域，例如可穿戴显示器件、柔性半导体LED等，柔性、弯曲、透光等更具体的特征是柔性光电子应用方面的必然要求。近些年来，虽然有机柔性显示器件、量子点柔性LED显示器件等发展速度较快，但是，这些材料的可靠性、稳定性等相对较差，而氮化镓基无机材料显示器件更具备高亮度、高对比度、高分辨率以及高可靠性的特点，甚至可以在更加恶劣的条件下应用。
而制备这些柔性器件最关键的步骤是将无机材料与柔性聚合物衬底集成，这需要将制备的微小、极薄的芯片从刚性衬底上转移至柔性聚合物衬底上。已提出的转印技术一般有运动控制转印、剪切辅助转移印花、仿壁虎表面辅助特定转印、仿蚜虫转印技术等。但现有技术的不足在于采用的制备工艺方法多需要多次转移衬底，且转印成功的关键取决于印章/油墨界面粘合强度，对操作者的要求较高，除此之外，在这些方案中，均依赖于外在的设备辅助转移芯片，增加了制备工艺的复杂程度。除了转印工艺之外，电极的制备也是需要考虑的因素，目前主要采用的方法是引线键合技术，主要应用于普通结构的芯片，上述工艺过程均表现出相对比较复杂的特点，且良品率较低，这些都是抑制柔性、透明、双面发光芯片进一步发展的因素。
因此，针对以上困难，迫切需要开发出一种新的柔性GaN基LED器件结构以及制备工艺，如果采用一种柔性氮化镓基LED及其制备方法，不仅能够简化工艺过程，而且通过制备连通的电极能够控制单个芯片的发光，然后，通过控制多个独立芯片的发光，实现图样的显示与应用。因此，申请人提出一种柔性氮化镓基LED及其制备方法。
发明内容
(一)技术方案
本发明通过如下技术方案实现：一种柔性氮化镓基LED，所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：
柔性衬底；
依附于衬底的晶圆层以及，
设置于晶圆层下表面的P型电极；
设置于晶圆层的LED器件台面；
设置于晶圆层上表面的镂空n型电极；
所述柔性衬底为柔性材料制成。
作为上述方案的进一步说明，所述晶圆层包括：n型GaN层、量子阱有源区、p型GaN层以及，
沉积于p型GaN层的ITO电流扩展层；
设置于ITO电流扩展层的单行连通、叉指形的p型电极。
作为上述方案的进一步说明，所述的p型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单行连通且每行互相平行的金属电极。
作为上述方案的进一步说明，所述衬底由环氧树脂，或聚对苯二甲酸乙二醇酯，或聚萘二甲酸乙二醇酯制成。
作为上述方案的进一步说明，所述LED台面侧壁及部分表面覆盖有绝缘材料。
作为上述方案的进一步说明，所述n型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单列连通。
本发明提出一种柔性氮化镓基LED制备方法，所述方法用于制备一种柔性氮化镓基LED；
S1、在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基外延层；
S2、在所述外延层上沉积ITO电流扩展层以及p型电极层；
S3、在p型电极层上旋涂透明的柔性材料，形成柔性衬底，并激光剥离去除蓝宝石衬底；
S4、减薄外延层厚度并分离出台面，使得台面与台面之间形成沟道；在沟道中填充绝缘层；
S5、制备n型电极层，并剥离沟道填充的绝缘层，完成制作。
作为上述方案的进一步说明，所述的蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基外延层为依次外延非故意掺杂的氮化镓(u-GaN)层、n型GaN层、量子阱有源区以及p型GaN层；
所述的p型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单行连通且每行互相平行的金属电极。
作为上述方案的进一步说明，所述S3具体的在p型电极层上旋涂一定厚度的环氧树脂通过烘烤或紫外照射固化后可作为后续激光剥离过程中的支撑，去除蓝宝石后自发形成柔性衬底。
作为上述方案的进一步说明，所述S4减薄样品厚度的方法采用ICP法，或抛光法；
所述S4分离台面的方法采用ICP法分离；
所述n型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单列连通；
所述剥离沟道填充的绝缘层采用化学腐蚀法。
(三)有益效果
本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：
本发明提出一种新的柔性LED的制备方法，可实现透明、双面发光、垂直结构以及可寻址的显示器件。相比于普通芯片的键合工艺、多次衬底转移技术等，本发明以直接旋涂环氧树脂的方式自发形成柔性衬底，且只需一次衬底剥离与转移，避免了复杂、易错的工艺过程，最大可能地提高芯片的成功率；本发明中透明、双面出光的特性能最大程度利用器件发光、提升光提取效率，并能满足更多样的显示设计需求；垂直结构的LED芯片也可避免出现普通结构LED芯片的电流拥堵效应；镂空的n型电极增加了电极有效长度及可延展程度，降低了由于样品弯曲导致电极断裂的概率；而且通过单行p型电极和单列n型电极的结合，本发明可实现可寻址的显示器件的制作。
本发明使用简单的工艺方法以及一次衬底转移技术可以实现具有柔性、透明、双面发光、可寻址的垂直结构氮化镓基LED显示器件。相对于其他多次衬底转移、复杂的拾放技术、引线键合技术等，本发明能够使器件制作工艺简单化，实现柔性衬底、透明、双面发光的垂直结构氮化镓基LED，在次基础上进一步实现了可寻址的显示器件的制备。另外，本发明制备的镂空n型电极增加电极可延展程度，降低了样品弯曲时电极断裂的概率，使样品具备更好的柔性。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例中带有蓝宝石衬底的氮化镓外延层结构示意图；
图2为本发明实施例中外延片沉积ITO后结构示意图；
图3为本发明实施例中外延片沉积ITO后结构晶圆三维剖面示意图；
图4为本发明实施例中沉积p型电极后的样品结构示意图；
图5为本发明实施例中旋涂一定厚度环氧树脂后样品结构示意图；
图6为本发明实施例中激光剥离去除蓝宝石后样品结构示意图；
图7为本发明实施例中分离LED器件台面后的样品结构示意图；
图8为本发明实施例中沟道中填充绝缘层的结构示意图；
图9为本发明实施例中沉积n型电极后的结构示意图；
图10为本发明实施例中去除填充物后的完整器件的结构示意图；
图11为本发明实施例中完整器件的剖面图；
图12为本发明实施例中完整器件的俯视图。
具体实施方式
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
实施例
S1、在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基外延层；请参阅图1，采用MOCVD方法在蓝宝石衬底1上依次外延生长：非故意掺杂氮化镓(u-GaN)的外延层2、n型GaN外延层3、多量子阱有源层4、p型GaN外延层5。
S2、在所述外延层上沉积ITO电流扩展层以及p型电极层，所述的p型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单行连通且每行互相平行的金属电极。请参阅图2至图3，在p型GaN表面沉积一层ITO层6，经过退火工艺作为欧姆接触层与电流扩展层，外延层2-5加ITO层6总称为晶圆层21。请参阅图4，使用光刻或沉积工艺在晶圆层21上沉积单行连通、叉指形的p型金属电极，形成p型电极层22，其材料可以为Ni/Au、Ti/Au、Cr/Au等金属组合。
S3、在p型电极层22上旋涂透明的柔性材料，形成柔性衬底，并激光剥离去除蓝宝石衬底；请参阅图5，具体的在p型电极层上旋涂一定厚度的透明的环氧树脂，通过烘烤或紫外照射固化后可作为后续激光剥离过程中的支撑，去除蓝宝石后自发形成柔性衬底31。柔性衬底31的厚度可以为10-1000μm。另外，在此步骤中，也可将样品倒置粘合在目前商用的柔性衬底材料如PET、PEN等基底上作为柔性衬底，之后进行激光剥离等工艺步骤。请参阅图6，采用激光剥离的方法去除蓝宝石衬底1，将外延层转移至柔性衬底31上，并使用ICP或抛光的方式去除非故意掺杂氮化镓(u-GaN)的外延层2。
S4、减薄外延层厚度并分离出台面，使得台面与台面之间形成沟道；在沟道中填充绝缘层；请参阅图7，采用ICP刻蚀将S3中处理后的晶圆层21进行分离，刻蚀出LED台面；请参阅图8，LED器件台面之间的沟道中填充光刻胶、二氧化硅等有机或者无机绝缘材料32。填充物厚度大于LED器件台面，并覆盖LED台面侧壁及部分表面，防止电极发生短路。
S5、制备n型电极层，并剥离沟道填充的绝缘层，完成制作；所述n型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单列连通；请参阅图9，采用光刻、沉积等方式在晶圆层制备垂直于p型电极方向的单列连通、叉指形的n型电极23，其材料可以为Ni/Au、Ti/Au、Cr/Au等金属组合；请参阅图10，通过化学腐蚀等方法去除LED器件台面之间的沟道中的填充物32。在LED器件台面之间的沟道中形成向上拱起的悬空电极结构，使得n型金属电极23形成镂空的n型金属电极。n型电极为镂空状态增加了有效长度以及电极可延展程度，降低了由于样品弯曲导致电极断裂概率，增加了器件的可延展性。完成整个器件的制作，整个器件的剖面图和俯视图如图11、12所示。
本发明的优点在于：
本发明提出一种新的柔性LED的制备方法，可实现透明、双面发光、垂直结构以及可寻址的显示器件。相比于普通芯片的键合工艺、多次衬底转移技术等，本发明以直接旋涂环氧树脂的方式自发形成柔性衬底，且只需一次衬底剥离与转移，避免了复杂、易错的工艺过程，最大可能地提高芯片的成功率；本发明中透明、双面出光的特性能最大程度利用器件发光、提升光提取效率，并能满足更多样的显示设计需求；垂直结构的LED芯片也可避免出现普通结构LED芯片的电流拥堵效应；镂空的n型电极增加了电极有效长度及可延展程度，降低了由于样品弯曲导致电极断裂的概率；而且通过单行p型电极和单列n型电极的结合，本发明可实现可寻址的显示器件的制作。
本发明使用简单的工艺方法以及一次衬底转移技术可以实现具有柔性、透明、双面发光、可寻址的垂直结构氮化镓基LED显示器件。相对于其他多次衬底转移、复杂的拾放技术、引线键合技术等，本发明能够使器件制作工艺简单化，实现柔性衬底、透明、双面发光的垂直结构氮化镓基LED，在次基础上进一步实现了可寻址的显示器件的制备。另外，本发明制备的镂空n型电极增加电极可延展程度，降低了样品弯曲时电极断裂的概率，使样品具备更好的柔性。
进一步提出一种柔性氮化镓基LED，所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：柔性衬底31；依附于衬底的晶圆层21；设置于晶圆层的LED器件台面，台面侧壁及部分表面覆盖有绝缘材料；设置于晶圆层表面的n型电极23；所述柔性衬底31为环氧树脂制成。其中晶圆层21包括：n型GaN层3、量子阱有源区4、p型GaN层5以及沉积于p型GaN层5的ITO电流扩展层6；设置于ITO电流扩展层6的单行连通、叉指形的p型电极22。所述的p型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单行连通且每行互相平行的金属电极。所述n型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单列连通。
需要进一步指出的是，本实施例制备的柔性氮化镓基LED为柔性、双面发光、可寻址的LED，且电流注入方式为垂直型，且最终器件的衬底为柔性、可弯曲的，阵列为16*16或者32*32的数量，进而可以实现柔性显示功能；而现有技术往往为串联的LED阵列，不具备柔性弯曲和可寻址的特性，且注入方式为横向注入型。实现该技术效果的主要原因有三点：(1)环氧树脂衬底的制备；(2)单行p型电极和单列镂空n型电极实现可寻址。
现有技术往往只用环氧树脂制备绝缘层或封装层使用，本发明直接使用环氧树脂作为柔性衬底使用，提升柔性弯曲性能。对于现有的外延结构来说，可寻址功能往往是建立在一个转移衬底(玻璃等不导电的衬底)。而本发明采用的是环氧树脂制成的柔性衬底(PET等可弯曲的衬底)。同时需要指出的是，环氧树脂通过光固化或者烘烤成型后，除了柔性的特性以外，还具备一定强度。可寻址建立在垂直结构的芯片基础上，每个器件都可以通过单行p型电极和单列n型电极进行控制发光，独立控制的基础还是n、p型电极是各自单列以及单行连通。而对可寻址做出贡献的部分还是n、p型电极的单列以及单行连通特殊设计(请参阅图9)。只有采用这种方式才能够实现一定的显示数字或者字母、图样以及柔性可穿戴或者柔性显示。
上述实施例中的实施方案可以进一步组合或者替换，且实施例仅仅是对本发明的优选实施例进行描述，并非对本发明的构思和范围进行限定，在不脱离本发明设计思想的前提下，本领域中专业技术人员对本发明的技术方案作出的各种变化和改进，均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种柔性氮化镓基LED，其特征在于，所述柔性氮化镓基LED从上至下依次包括：
柔性衬底；
依附于衬底的晶圆层以及，
设置于晶圆层下表面的P型电极；
设置于晶圆层的LED器件台面；
设置于晶圆层上表面的镂空n型电极；
所述柔性衬底为柔性材料制成。
2.根据权利要求1所述的一种柔性氮化镓基LED，其特征在于，
所述晶圆层包括n型GaN层、量子阱有源区、p型GaN层以及，
沉积于p型GaN层的ITO电流扩展层；
设置于ITO电流扩展层的单行连通、叉指形的p型电极。
3.根据权利要求1或2所述的一种柔性氮化镓基LED，其特征在于，
所述的p型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单行连通且每行互相平行的金属电极。
4.根据权利要求1所述的一种柔性氮化镓基LED，其特征在于，
所述衬底由环氧树脂，或聚对苯二甲酸乙二醇酯，或聚萘二甲酸乙二醇酯制成。
5.根据权利要求1所述的一种柔性氮化镓基LED，其特征在于，
所述LED台面侧壁及部分表面覆盖有绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的一种柔性氮化镓基LED，其特征在于，
所述n型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单列连通。
7.一种柔性氮化镓基LED制备方法，其特征在于，所述方法用于制备权利要求1-6所述的一种柔性氮化镓基LED；
S1、在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基外延层；
S2、在所述外延层上沉积ITO电流扩展层以及p型电极层；
S3、在p型电极层上旋涂透明的柔性材料，形成柔性衬底，并激光剥离去除蓝宝石衬底；
S4、减薄外延层厚度并分离出台面，使得台面与台面之间形成沟道，形成单个器件；在沟道中填充绝缘层；
S5、制备n型电极层，并剥离沟道填充的绝缘层，完成制作。
8.根据权利要求7所述的一种柔性氮化镓基LED制备方法，其特征在于，
所述的蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基外延层为依次外延非故意掺杂的氮化镓(u-GaN)层、n型GaN层、量子阱有源区以及p型GaN层；
所述的p型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单行连通且每行互相平行的金属电极。
9.根据权利要求7所述的一种柔性氮化镓基LED制备方法，其特征在于，
所述S3具体的在p型电极层上旋涂一定厚度的环氧树脂通过烘烤或紫外照射固化后可作为后续激光剥离过程中的支撑，去除蓝宝石后自发形成柔性衬底。
10.根据权利要求7所述的一种柔性氮化镓基LED制备方法，其特征在于，
所述S4减薄样品厚度的方法采用ICP法，或抛光法；
所述S4分离台面的方法采用ICP法分离；
所述n型电极为两元合金制成，电极形状为叉指形、单列连通；
所述剥离沟道填充的绝缘层采用化学腐蚀法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210549340.4A CN114824013A (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种柔性氮化镓基led及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210549340.4A CN114824013A (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种柔性氮化镓基led及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114824013A true CN114824013A (zh) | 2022-07-29 |
Family
ID=82515477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210549340.4A Pending CN114824013A (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种柔性氮化镓基led及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114824013A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101075651A (zh) * | 2006-09-05 | 2007-11-21 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 有电流扩展层和阻挡层的GaN基垂直LED功率芯片制备方法 |
| US20110076791A1 (en) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED FILM LED |
| CN102983234A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-03-20 | 中国科学院半导体研究所 | 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法 |
| CN107887331A (zh) * | 2017-11-11 | 2018-04-06 | 福州大学 | 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法 |
| CN108364972A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-08-03 | 中山大学 | 柔性薄膜GaN基纳米柱LED阵列微显示器件及其制作方法 |
-
2022
- 2022-05-20 CN CN202210549340.4A patent/CN114824013A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101075651A (zh) * | 2006-09-05 | 2007-11-21 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 有电流扩展层和阻挡层的GaN基垂直LED功率芯片制备方法 |
| US20110076791A1 (en) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED FILM LED |
| CN102983234A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-03-20 | 中国科学院半导体研究所 | 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法 |
| CN107887331A (zh) * | 2017-11-11 | 2018-04-06 | 福州大学 | 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法 |
| CN108364972A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-08-03 | 中山大学 | 柔性薄膜GaN基纳米柱LED阵列微显示器件及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8344412B2 (en) | Chip level package of light-emitting diode | |
| KR102625489B1 (ko) | 마이크로 led 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
| US9190569B2 (en) | Flip-chip light emitting diode and fabrication method | |
| US7064356B2 (en) | Flip chip light emitting diode with micromesas and a conductive mesh | |
| KR102590362B1 (ko) | 식각 정지 층을 갖는 iii-질화물 다중 파장 led 어레이들 | |
| CN107706279A (zh) | 半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法 | |
| CN101969089A (zh) | 一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法 | |
| JP7285491B2 (ja) | ナノワイヤ発光スイッチデバイス及びその方法 | |
| CN106449661B (zh) | 一种GaN基LED与TFT异质单片集成的LED微显示像素单元结构 | |
| CN110268534B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN118173571A (zh) | 一种led显示单元、显示器及其制造方法 | |
| CN110676355B (zh) | 发光元件的制作方法 | |
| CN116404027A (zh) | 一种Micro-LED微显示器及其制备方法 | |
| KR20080002264A (ko) | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 | |
| CN108364972B (zh) | 柔性薄膜GaN基纳米柱LED阵列微显示器件及其制作方法 | |
| CN114824013A (zh) | 一种柔性氮化镓基led及其制备方法 | |
| CN117253955A (zh) | 一种Micro LED显示芯片及其制备方法 | |
| US10263093B2 (en) | Optoelectronic semiconductor device and fabrication method thereof | |
| CN111627949A (zh) | 微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板 | |
| CN115881863A (zh) | 三色氮化物发光二极管的制造方法 | |
| CN101855737A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| CN111180379B (zh) | 微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法 | |
| KR20230074724A (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
| US8253160B2 (en) | Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof | |
| CN112909136A (zh) | 发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |