CN114823798A - 颜色转换面板 - Google Patents

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CN114823798A CN202210053543.4A CN202210053543A CN114823798A CN 114823798 A CN114823798 A CN 114823798A CN 202210053543 A CN202210053543 A CN 202210053543A CN 114823798 A CN114823798 A CN 114823798A
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金种勋
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Abstract

提供了颜色转换面板。颜色转换面板包括第一衬底、在彼此分离的情况下布置在第一衬底上的阻光构件、各自布置在阻光构件之间的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层以及布置在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上的覆盖层。覆盖层为包含具有不同组成的SiON的多层结构。

Description

颜色转换面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年1月20日提交的第10-2021-0008133号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文，如同在本文中全面阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式总体上涉及颜色转换面板和包括颜色转换面板的显示装置。
背景技术
发光元件为通过从阳极供给的空穴和从阴极供给的电子在阳极与阴极之间形成的发射层中结合来形成激子的元件，并且在激子稳定化的同时发射光。
由于发光元件具有诸如宽视角、快响应速度、小厚度和低功耗的各种期望的特性，因此它们被广泛应用于诸如电视、显示器和移动电话的各种电气和电子装置。
近来，包括颜色转换面板的显示装置已被提出，以实现高效率的显示装置。颜色转换面板将入射光转换为不同的颜色。在这种情况下，光源通常发射蓝色光，并且蓝色光分别被颜色转换为红色和绿色，或本身作为蓝色光发射。
在本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，并因此其可包含不形成在本国对本领域普通技术人员已经已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式提供了在增加颜色转换效率的同时解决了污点生成的问题的颜色转换面板和包括颜色转换面板的显示装置。
本发明概念的附加的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过该描述而显而易见，或者可通过实践本发明概念而习得。
本发明的实施方式提供了颜色转换面板，其包括第一衬底、在彼此分离的情况下布置在第一衬底上的阻光构件、各自布置在阻光构件之间的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层以及布置在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上的覆盖层。覆盖层为包含具有不同组成的SiON的多层结构。
覆盖层可包括第二层和布置在第二层与颜色转换层(例如，第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层中的至少一个)之间的第一层。
在第一层中，氮(N)含量和氧(O)含量可不同于第二层的N含量和O含量。
第一层的N含量可高于第二层的N含量。
第二层的O含量可高于第一层的O含量
第一层可包含具有1.0至1.2的O/Si摩尔比的SiON。
第二层可包含具有1.7至1.9的O/Si摩尔比的SiON。
第一层的厚度可小于第二层的厚度。
第一层的厚度可为第二层厚度的5％至20％。
第一层可与第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层直接接触。
本发明的另一实施方式提供了显示装置，其包括颜色转换面板和在与颜色转换面板重叠的情况下布置的显示面板。颜色转换面板包括第一衬底、布置在第一衬底上并且彼此分离的阻光构件、各自布置在阻光构件之间的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层以及布置在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上的覆盖层，并且覆盖层具有包括具有不同组成的SiON的多层结构。
覆盖层可包括第二层和布置在第二层与颜色转换层之间的第一层。
第一层的氮(N)含量可大于第二层的氮(N)含量，并且第二层的氧(O)含量可大于第一层的氧(O)含量。
第一层可包括具有1.0至1.2的O/Si摩尔比的SiON。
第二层可包括具有1.7至1.9的O/Si摩尔比的SiON。
第一层的厚度可为第二层厚度的5％至20％。
根据实施方式，可提供能够在增加颜色转换效率的同时解决污点生成问题的颜色转换面板以及包括颜色转换面板的显示装置。
将理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述两者为说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的说明性实施方式并且与描述一同用于解释本发明概念。
图1为根据实施方式的颜色转换面板的示意性剖面视图。
图2详细地示出了图1中的颜色转换层和覆盖层中的一些。
图3示出了根据实施方式的显示装置。
附图标记说明
100：显示面板 300：颜色转换面板
110：第二衬底 210：第一衬底
320：阻光构件 330B：透射层
330R：红色转换层
330G：绿色转换层
360：分隔壁 350：低折射层
400：覆盖层
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们为采用本文中所公开的本发明概念中的一种或多种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者在一个或多个等同排列的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和装置以框图形式示出以便避免不必要地混淆各种实施方式。另外，各种实施方式可为不同的，但不必是排他的。例如，在不背离本发明概念的情况下，实施方式的具体形状、配置和特性可使用或实现在另一实施方式中。
除非另有说明，否则所示的实施方式将被理解为提供可在实践中实现本发明概念的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明概念的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新排列。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非说明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对特定材料、材料性能、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的大小和相对大小可被夸大。当实施方式可以不同方式实现时，可与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，相似的附图标记表示相似的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”，“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上，连接到或联接到另一元件或层，或者可存在有居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”，“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或层。为此，措辞“连接”可是指在具有或不具有居间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接。另外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴，诸如x-轴、y-轴和z-轴，并且可被解释为更广泛的意义。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。为了这种公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
虽然措辞“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些措辞的限制。这些措辞用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件能被称作第二元件。
空间相对措辞诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更大(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)和类似词可在本文中出于描述性目的使用，并因此，用以描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。除了图中描绘的取向以外，空间相对措辞还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，措辞“下方”能涵盖上方和下方的取向两者。此外，装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向处)，并由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
本文中所使用的专业用语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当措辞“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。也注意的是，如本文中所使用的，措辞“基本上(substantially)”、“约(about)”以及其它相似措辞被用作近似的措辞而不是程度的措辞，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
本文中参照作为理想化实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示对各种实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化将被预期到。因此，本文中所公开的实施方式不应必须被解释为限于特定所示的区的形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。通过这种方式，附图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并由此并不必须旨在进行限制。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地这样限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。
图1为根据实施方式的颜色转换面板的示意性剖面视图。
参照图1，根据本实施方式的颜色转换面板300包括布置在第一衬底210上的蓝色滤色器230B。在与蓝色滤色器230B相同的层中可布置有虚拟滤色器231B。虚拟滤色器231B可布置成与蓝色滤色器230B分开。
在虚拟滤色器231B之间可布置有红色滤色器230R。在红色滤色器230R与蓝色滤色器230B之间可布置有绿色滤色器230G。
在红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B以及虚拟滤色器231B上可布置有低折射层350和低折射覆盖层351。低折射层350可包括具有低折射率的材料，并且低折射覆盖层351可布置在低折射层350上。
在低折射覆盖层351上布置有阻光构件320。阻光构件320可布置为形成在与第一衬底210的平面垂直的方向上与相应的红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B重叠的开口。
在阻光构件320之间布置有红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B。也就是说，如图1中所示，红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B可分别布置在由阻光构件320划分的空间中。在红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B上可布置有覆盖层400。
覆盖层400可包括SiON。更具体地，覆盖层400可具有多层结构，该多层结构包括具有不同组成的SiON。稍后将对覆盖层400的详细配置进行描述。
阻光构件320可包括黑色材料。红色转换层330R可在与第一衬底210的平面垂直的方向上与红色滤色器230R重叠的情况下被布置，并且绿色转换层330G可在与第一衬底210的平面垂直的方向上与绿色滤色器230G重叠的情况下被布置。透射层330B在与第一衬底210的平面垂直的方向上与蓝色滤色器230B重叠的情况下被定位。
红色转换层330R可将被供给的蓝色光转换为红色光。为此，红色转换层330R可包括第一量子点。第一量子点可将入射的蓝色光转换为红色光。具体地，由第一量子点发射的光的最大发光峰值波长可为约600nm或更大，例如，大于等于610nm、615nm、或620nm且小于等于650nm、645nm、640nm、635nm、或630nm。
第一量子点的直径可为约5nm至6nm。然而，这仅是实例，并且本发明概念不限于此。红色转换层330R中第一量子点的含量可为30wt％至50wt％。红色转换层330R还可包括散射体，并且散射体可为TiO2。红色转换层330R中的TiO2的含量可为4wt％至5wt％。
绿色转换层330G可将被供给的蓝色光转换为绿色光。绿色转换层330G可包括第二量子点。第二量子点可将入射的蓝色光转换为绿色光。具体地，由第二量子点发射的光的最大发光峰值波长为480nm或更大，例如，大于等于500nm、510nm、520nm、或530nm且小于等于560nm、550nm、545nm、540nm、或535nm。
第二量子点的直径可为3nm至4nm。然而，这仅是实例，并且本发明概念不限于此。绿色转换层330G中的第二量子点的含量可为30wt％至50wt％。绿色转换层330G可包括散射体，并且散射体可为TiO2。绿色转换层330G中的TiO2的含量可为4wt％至5wt％。
透射层330B透射入射的蓝色光。透射层330B可包含透明聚合物，并且被供给的蓝色光透射并且表现蓝色。透射层330B可包括散射体，并且散射体可为TiO2。透射层330B中的TiO2的含量可为5wt％至6wt％。
本发明概念的第一量子点和第二量子点中的每个可具有下述特征。
在本发明概念中，量子点(在下文中也被称为半导体纳米晶体)可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。
II-VI族化合物可选自由二元素化合物、三元素化合物和四元素化合物构成的集群，二元素化合物选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及它们的混合物构成的集群，三元素化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及它们的混合物构成的集群，四元素化合物选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及它们的混合物构成的集群。II-VI族化合物还可包括III族金属。
III-V族化合物可选自由二元素化合物、三元素化合物和四元素化合物构成的集群，二元素化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及它们的混合物构成的集群，三元素化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及它们的混合物构成的集群，四元素化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及它们的混合物构成的集群。III-V族化合物还可包括II族金属(例如，InZnP)。
IV-VI族化合物可选自由二元素化合物、三元素化合物和四元素化合物构成的集群，二元素化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及它们的混合物构成的集群，三元素化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及它们的混合物构成的集群，四元素化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及它们的混合物构成的集群。
I-III-VI族化合物的实例包括AgInS、AgInS2、CuInS、CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS，但是不限于此。I-II-IV-VI族化合物的实例包括CuZnSnSe和CuZnSnS，但是不限于此。IV族元素或化合物可选自单元素和二元素化合物构成的集群，单元素选自由Si、Ge及其混合物构成的集群，二元素化合物选自由SiC、SiGe及其混合物构成的集群。
II-III-VI族化合物可选自由ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnGaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe及其组合构成的集群，但是不限于此。
在一种实现方式中，量子点可不包括镉。量子点可包括基于包括铟和磷的III-V族化合物的半导体纳米晶体。该III-V族化合物还可包含锌。量子点可包括基于包括硫族元素(例如，硫、硒、碲或其组合)和锌的II-VI族化合物的半导体纳米晶体。
在量子点中，上述二元素化合物、三元素石化合物和/或四元素化合物可存在于具有均匀浓度的颗粒中，或者可存在于浓度分布被部分划分为不同状态的相同颗粒中。此外，一个量子点可具有围绕另一个量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可具有存在于壳中的元素的浓度的朝向中心降低的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可具有核/壳结构，该核/壳结构包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可用作通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层，和/或用作为量子点赋予电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。量子点的壳的实例包括金属或非金属氧化物、半导体化合物、或其组合。
例如，金属或非金属氧化物可为诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO和类似物的二元素化合物，或诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4和类似物的三元素化合物，但是本发明不限于此。
此外，半导体化合物可选自诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb和类似物，但是本发明不限于此。
此外，半导体纳米晶体可具有包括一个半导体纳米晶体的核和围绕该半导体纳米晶体的核的多层的壳的结构。在一个实施方式中，多层的壳可具有两层或更多层，例如，两层、三层、四层、五层或更多层。壳的两个相邻层可具有单一组成或不同组成。在多层的壳中，每层可具有沿半径改变的组成。
量子点可具有约45nm或更小(优选地，约40nm或更小，并且更优选地，约30nm或更小)的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且能改善在这个范围内的颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可改善光学视角。
在量子点中，壳材料和核材料可具有不同的能带隙。例如，壳材料的能带隙可大于核材料的能带隙。在其它实施方式中，壳材料的能带隙可小于核材料的能带隙。量子点可具有多层的壳。在多层的壳中，外层的能带隙可大于内层(即，靠近核的层)的能带隙。在多层的壳中，外层的能带隙可小于内层的能带隙。
量子点可通过调整其组成和大小来控制吸收/发光波长。量子点的最大发光峰值波长可具有从紫外(UV)波长到红外波长或更大波长的范围内的波长。
量子点可具有约10％或更大(例如，约30％或更大、约50％或更大、约60％或更大、约70％或更大、约90％或更大、或者甚至100％)的量子效率。量子点可具有相对窄的光谱。量子点可具有例如约50nm或更小(例如，约45nm或更小、约40nm或更小、或约30nm或更小)的发光波长光谱的半宽。
量子点可具有约1nm或更大且约100nm或更小的粒径。粒径是指颗粒的直径或者通过假设由透射电子显微镜分析获得的2D图像的球体所转换的直径。量子点可具有约1nm至约50nm(例如，大于等于2nm、3nm、或4nm且小于等于50nm、40nm、30nm、20nm、15nm、或10nm)的大小。量子点的形状没有特别限制。例如，量子点的形状可包括球体、多面体、金字塔、多枝状、正方形、矩形平行六面体、纳米管、纳米棒、纳米线、纳米片或其组合，但是不限于此。
量子点为已市售的或者能适当地被合成。在胶体合成期间，量子点的粒径可相对自由且均匀地控制。
量子点可包含有机配体(例如，具有疏水部分和/或亲水部分)。有机配体部分可结合到量子点的表面。有机配体包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或其组合，其中每个R可独立地为：被取代或未被取代烷基、被取代或未被取代烯基和类似物的C3至C40(例如，C5或以上并且C24或以下)；被取代或未被取代脂肪族烃基团、被取代或未被取代C6至C40芳基和类似物的C3至C40；被取代或未被取代芳香烃基团的C6至C40(例如，C6或以上并且C20或以下)；或其组合。
有机配体可例如包括：诸如甲烷硫醇、乙烷硫醇、丙烷硫醇、丁烷硫醇、戊烷硫醇、己烷硫醇、辛烷硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇和苄基硫醇的硫醇化合物；诸如甲烷胺、乙烷胺、丙烷胺、丁烷胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、十六胺、十八胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺和三辛胺的胺；诸如甲烷酸、乙烷酸、丙烷酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二酸、十六酸、十八酸、油酸和苯甲酸的羧酸化合物；诸如甲基磷化氢、乙基磷化氢、丙基磷化氢、丁基磷化氢、戊基磷化氢、辛基磷化氢、二辛基磷化氢、三丁基磷化氢、三辛基磷化氢和类似物的磷化氢化合物；诸如甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化膦、三辛基氧化膦及其化合物或氧化物的膦；磷酸二苯酯自旋、磷酸三苯酯自旋的化合物或其氧化物；诸如己基膦酸、辛基膦酸、十二烷膦酸、十四烷膦酸、十六烷膦酸、十八烷膦酸的C5至C20烷基膦酸(alkylphosphinic acid or alkyl phosphonic acid)；和类似物，但是不限于此。量子点可包含单独的或作为多于一个的混合的疏水性有机配体。疏水性有机配体(例如，丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团和类似物)可不包含光聚合部分。
在下文中，将参照图2对根据本发明的实施方式的颜色转换面板的覆盖层400进行描述。图2进一步详细地示出了图1中所示的颜色转换层330和覆盖层400的一部分。颜色转换层330可包括红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B中的至少一个。
参照图2，根据本实施方式的颜色转换面板的覆盖层400包括第一层410和第二层420。
第一层410布置在第二层420与颜色转换层330之间，并且可直接接触颜色转换层330。第二层420可不直接接触颜色转换层330，并且定位在颜色转换面板300的最外侧中。
第一层410可包括富N的SiON。具体地，第一层410可包括具有1.0至1.2的O/Si摩尔比的SiON。
第二层420可包含富O的SiON。具体地，第二层420可包括具有1.7至1.9的O/Si摩尔比的SiON。
也就是说，与颜色转换层330直接接触的第一层410可包含富N的SiON，并且不与颜色转换层330直接接触的第二层420可包含富O的SiON。当覆盖层400包括具有不同O/Si组成的SiON时，可增加颜色转换面板300的效率。
在这种情况下，包括富N的SiON的第一层410的厚度可为
Figure BDA0003475296700000121
或更小。当第一层410的厚度为
Figure BDA0003475296700000122
或更大时，覆盖层400可能由于第一层410的膜的氧化而分离，这不是优选的。
包含富O的SiON的第二层420的厚度可大于第一层410的厚度。例如，第二层420的厚度可为
Figure BDA0003475296700000123
或更大。
第一层410的厚度可为第二层420的厚度的5％至20％。尽管稍后将单独描述，但是包括富N的SiON的第一层410有助于颜色转换面板300的效率改善。然而，如果厚度大于某一厚度，则覆盖层400可能由于膜的氧化而分离。也就是说，当第一层410小于第二层420的厚度的5％时，该覆盖层400的颜色转换面板的效率改善效果可能是不显著的，并且当第一层410大于第二层420的厚度的20％时，覆盖层400可能由于第一层410的膜的氧化而分离。
在下文中，将对本发明的效果进行描述。
表1示出了当具有各种组成的SiON作为单层应用时，每个颜色转换面板的效率和相对效率。
制备了具有不同组成的SiON，并且在实验例1至实验例3中的每个中使用的SiON的组成如下。
(表1)
类型 N1s O1s Si2p O/Si
实验例1 富O 0.25 65.00 34.75 1.87
实验例2 富O 0.47 64.76 34.77 1.86
实验例3 富N 17.40 44.60 38.00 1.17
通过将具有实验例1至实验例3中的组成的SiON应用为单个覆盖层来测量效率，并且其在表2中示出。
(表2)
Figure BDA0003475296700000131
参照表1和表2，可确定当实验例3的O/Si比为1.17的SiON被应用为覆盖层时，效率最佳。
然而，当具有实验例3的组成的SiON被应用为覆盖层时，存在显示面板的整个表面上发生污点的问题。
下面的表3示出了通过将具有表1的组成的实验例1至实验例3的SiON应用为单个覆盖层所测量的效率，并且同时示出了污点。通过将实验例1中的效率设置为100％来示出相对效率。
(表3)
Figure BDA0003475296700000132
参照表3，为了最大效率，优选地应用具有实验例3的组成的SiON，但是存在的问题在于当仅应用具有实验例3的组成的SiON时，在整个表面上生成污点，这不是优选的。
然而，根据本发明概念的颜色转换面板通过将具有不同组成的SiON形成为多层结构来在确保最大效率的同时改善表面污点的发生。
具体地，具有实验例2的组成的SiON和具有实验例3的组成的SiON可应用为多层结构。在这种情况下，在与颜色转换层接触的表面上形成富N的SiON(实验例3)，并且在不与颜色转换层接触的表面上形成富O的SiON(实验例2)。当覆盖层400由富N的SiON和富O的SiON的多层结构形成时，可在最大化效率的同时防止污点的生成。
典型地，氢等离子体处理被用于改善覆盖层400的效率。然而，根据本实施方式，由富N的SiON和富O的SiON的多层结构形成的覆盖层400可在不进行氢等离子体处理的情况下获得高效率并且改善污点问题。
下面的表4示出了针对覆盖层为单层并且被等离子体处理的情况以及覆盖层形成为富N的SiON和富O的SiON的多层结构并且未经受等离子体处理的实施方式的效率测量和结果，。
在表4中，示出了等离子体处理条件和时间。在实施方式7中，描述了每层的厚度。
(表4)
Figure BDA0003475296700000141
Figure BDA0003475296700000151
参照表4，可确定覆盖层是多层而无等离子体处理的实施方式7的效率改善大于执行了等离子体处理的实施方式1至实施方式6。
在下文中，将参照图3对包括根据本实施方式的颜色转换面板300的显示装置进行描述。图3示出了根据实施方式的显示装置。
图3包括显示面板100和颜色转换面板300。显示面板100包括第二衬底110、多个晶体管TFT和布置在第二衬底110上的绝缘层180。在绝缘层180上布置有第一电极191和分隔壁360，并且第一电极191布置在分隔壁360的开口中并且连接到晶体管TFT。尽管未具体示出，但是晶体管TFT可包括半导体层、连接到半导体层的源电极和漏电极以及与半导体层绝缘的栅电极。在分隔壁360上布置有第二电极270，并且在第一电极191与第二电极270之间布置有发光元件层370。第一电极191、第二电极270和发光元件层370被统称为发光二极管ED。
颜色转换面板300与图1的颜色转换面板相同。将省略对相同构成元件的详细描述。也就是说，在第一衬底210上布置有蓝色滤色器230B、虚拟滤色器231B、红色滤色器230R和绿色滤色器230G。
在红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B以及虚拟滤色器231B上可布置有低折射层350。在低折射层350上布置有低折射覆盖层351，并且在低折射覆盖层351上可布置有红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B。在红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B之间布置有阻光构件320。
颜色转换面板300的阻光构件320可在与第一衬底210的平面垂直的方向上与显示面板100的分隔壁360重叠。此外，红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B可在与第一衬底210的平面垂直的方向上分别与发光二极管ED重叠。
如前所述，在红色转换层330R、绿色转换层330G和透射层330B上可布置有覆盖层400。
覆盖层400可包括SiON。更具体地，覆盖层400可具有多层结构，该多层结构包括具有不同组成的SiON。
具体地，覆盖层400包括第一层410和第二层420，并且第一层410可包括富N的SiON。具体地，第一层410可包括1.0至1.2的O/Si比的SiON。第二层420可包含富O的SiON。具体地，第二层420可包括1.7至1.9的O/Si比的SiON。
第一层410布置在第二层420与颜色转换层330之间，并且可直接接触颜色转换层330。第二层420不直接接触颜色转换层330，而是为布置在颜色转换面板300的最外侧的区。
如上所述，由于覆盖层400为包含具有不同组成的SiON的多层结构，因此可在最大化颜色转换面板的效率的同时解决污点问题。
虽然已在本文中描述了某些实施方式和实现方式，但是其它实施方式和变型将通过本描述而显而易见。相应地，对于本领域普通技术人员显而易见的是，本发明概念不限于这些实施方式，而是限于随附的权利要求书的较宽范围以及各种明显的变型和等同排列。

Claims (10)

1.一种颜色转换面板，包括：
第一衬底；
阻光构件，所述阻光构件在彼此分离的情况下布置在所述第一衬底上；
第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层，所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层各自布置在所述阻光构件之间；以及
覆盖层，所述覆盖层布置在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层上，
其中，所述覆盖层为包含具有不同组成的SiON的多层结构。
2.如权利要求1所述的颜色转换面板，其中，所述覆盖层包括第二层和布置在所述第二层与所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层中的至少一个之间的第一层。
3.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，在所述第一层中，氮含量和氧含量不同于所述第二层的氮含量和氧含量。
4.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，所述第一层的氮含量大于所述第二层的氮含量。
5.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，所述第二层的氧含量大于所述第一层的氧含量。
6.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，所述第一层包含具有1.0至1.2的O/Si摩尔比的SiON。
7.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，所述第二层包含具有1.7至1.9的O/Si摩尔比的SiON。
8.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，所述第一层的厚度小于所述第二层的厚度。
9.如权利要求8所述的颜色转换面板，其中，所述第一层的所述厚度为所述第二层的所述厚度的5％至20％。
10.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中，所述第一层直接接触所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层。
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