CN114806540A

CN114806540A - 量子点及包含量子点的油墨组合物、光学构件和电子器件

Info

Publication number: CN114806540A
Application number: CN202210030114.5A
Authority: CN
Inventors: 刘相喜; 朴家原; 张胜熙; 李庆植; 李宅焌
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-01-20
Filing date: 2022-01-12
Publication date: 2022-07-29
Also published as: US20220228055A1

Abstract

本发明提供了一种量子点以及包含该量子点的油墨组合物、电子器件和光学构件，该量子点包括：核，其包含第一半导体的晶体；壳，其位于核上并且包含至少一种第二半导体的晶体；第一区域，其位于壳上并且包含第一配体；和外层，其位于第一区域上并且包含含有金属和极性有机基团的低聚物或聚合物。

Description

量子点及包含量子点的油墨组合物、光学构件和电子器件

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求向韩国知识产权局于2021年1月20日提交的第10-2021-0008260号的韩国专利申请和于2021年8月13日提交的第10-2021-0107537号的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

背景

1、技术领域

一个或多个实施方案涉及量子点以及包含该量子点的油墨组合物、光学构件和电子器件。

2、相关技术的描述

作为半导体材料的纳米晶体的量子点是显示量子限制效应的材料。当量子点在接收到来自激发源的光达到能量激发态时，它们发射对应于它们自身带隙的能量。在这种情况下，因为相同材料的波长可以根据粒子尺寸而变化，所以可以通过调节量子点的尺寸来获得具有期望波长的光，并且由于例如优异的色纯度和高发光效率的特性，因此量子点可以应用于各种器件。

此外，在光学构件中，量子点可以用作执行各种光学功能(例如，光转换功能)的材料。量子点是尺寸为几纳米的半导体纳米晶体，通过调节纳米晶体的尺寸和组成，可以具有不同的能量带隙，从而发射各种波长的光。

包含这种量子点的光学构件可以具有薄膜形状，例如为每个子像素图案化的薄膜形状。这种光学构件可以用作包括各种光源的器件的颜色转换构件。

发明内容

一个或多个实施方案包括量子点和包含该量子点的油墨组合物、光学构件和电子器件，该量子点在极性溶剂中具有优异的分散性并且具有提高的效率，而非极性配体不会从与非极性配体表面配位的量子点上脱落。

其它方面将在下面的描述中部分阐述，并且其它方面遵循描述,以及部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实施本发明中所提出的实施方案来了解。

根据一个或多个实施方案，量子点包括：核，其包含第一半导体的晶体；壳，其位于核上并且包含至少一种第二半导体的晶体；第一区域，其位于壳上并且包含第一配体；和外层，其位于第一区域上并且包含含有金属和极性有机基团的低聚物或聚合物。

根据一个或多个实施方案，油墨组合物包含量子点。

根据一个或多个实施方案，光学构件包含量子点。

根据一个或多个实施方案，电子器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、被插入在第一电极和第二电极之间的中间层以及被设置为面对中间层的第一电极和第二电极中的一个或多个的外部的颜色转换构件，其中颜色转换构件包含量子点。

附图说明

从以下结合附图的描述中，本发明的某些实施方案的上述和其他方面、特征和优点将变得更加明显，其中

图1是根据本发明的实施方案的量子点的示意图；

图2为示出根据本发明的实施方案的发光器件的结构的示意图；

图3为示出根据本发明的实施方案的发光器件的结构的示意图；图4为显示使用QE-2100装置测量的对照1和对照2的光致发光量子效率的图；以及图5为显示在24小时后对照1和对照2的分散性的图像。

具体实施方式

现在将详细参考实施方案，其实例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这点上，本发明的实施方案可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方案，以解释本描述的各个方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个以上的相关列出项目的任何和所有组合。贯穿公开内容，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，a、b和c全部，或其变体。

由于本发明在下文中允许各种变化和许多实施方案，所以特定的实施方案将在附图中示出并在书面描述中详细描述。通过参考下面结合附图描述的实施方案，本发明的效果和特征以及实现这些效果和特征的方法将变得显而易见。然而，本发明不受这些实施方案的限制，而是可以以许多不同的形式实现。

在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的实施方案。在附图中，相同的附图标记表示具有基本相同功能的相同元件或组件，并且将省略重复的描述。

在以下实施方案中，术语“第一”、“第二”等被用于区分一个组件和其它组件，因此，组件不受该术语的限制。

单数形式的表达涵盖复数形式的表达，除非其在上下文中具有明显不同的含义。

在以下实施方案中，应当理解，术语“包括”或“具有”旨在表明说明书中公开的元件的存在，并且不旨在排除一个或多个其它元件可能存在或可能被添加的可能性。

在以下实施方案中，应当理解，当一个元件(例如层、膜、区域或板)被称作位于另一元件“上面”时，它可以直接位于其它元件的上面，或者在两者间也可以存在中间元件。此外，为了便于解释，附图中元件的尺寸可能被放大或缩小。例如，由于为了便于解释，附图中组件的尺寸和厚度被任意示出，因此以下实施方案不限于此。

【量子点】

图1是示出根据本发明的实施方案的量子点的结构的示意图。

参考图1，量子点1包括：核11，其包含第一半导体的晶体；壳12，其位于核上并且包含至少一种第二半导体的晶体；第一区域13，其位于壳上并且包含第一配体；和外层14，其位于第一区域13上并且包含含有金属和极性有机基团的聚合物或低聚物。

因为量子点具有包含半导体晶体的核/壳结构，所以包含非极性配体的第一区域位于壳的表面上，并且外层位于第一区域上以包围第一区域并且外层包含由下式1表示的单体的聚合物，可以防止半导体金属的损失和第一配体的脱落，从而抑制量子点的劣化。

此外，因为量子点包括外层，该外层包含含有金属和极性有机基团的聚合物，所以从壳表面损失的金属被部分补偿以提高量子效率，并且量子点在极性溶剂中的分散性和相容性也通过含有极性有机基团的聚合物得到改善以提高可加工性。

根据实施方案，金属可以包括Cd、Zn、Hg、Mg、Ga、Al、In、Sn、Pb、Si、Ge、Ag、Cu或其任意组合，但不限于此。

例如，金属可以是Zn、In、Cd或Ga。

根据实施方案，金属可以包含与第二半导体的晶体中包含的金属相同的金属。

例如，在第二半导体的晶体包含两种或更多种金属的组合的情况下，低聚物或聚合物可以包含该两种或更多种金属中的至少一种。

根据实施方案，极性有机基团可以包括羟基、羰基、丙烯酰基、酯基、醚基、羧基、环氧基、卤素基团或其任意组合，但不限于此，也可以使用能够为分子提供极性的任何官能团。

例如，极性有机基团可以是丙烯酰基、环氧基、醚基或羧基。

根据实施方案，聚合物或低聚物可以包含由下式1表示的单体的聚合产物：

<式1>

在式1中，

M包括Cd、Zn、Hg、Mg、Ga、Al、In、Sn、Pb、Si、Ge、Ag、Cu或其任意组合，

Y是离子基团，

A₁和A₂各自独立地选自未取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基和未取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚链烯基，

a1和a2各自独立地为选自0至10的整数，

当a1是2或更大的整数时，2个或更多个A₁相同或不同，以及当a2是2或更大的整数时，2个或更多个A₂相同或不同，

P₁和P₂各自独立地选自*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(＝O)(O)-*'、*-C(R₁)＝C(R₂)-C(＝O)OR₃-*'、*-O-C(＝O)-C(R₁)＝C(R₂)-*'和*-C(R₁)(R₂)-*'，

b1和b2各自独立地为选自1至10的整数，

当b1是2或更大的整数时，2个或更多个P₁相同或不同，以及当b2是2或更大的整数时，2个或更多个P₂相同或不同，

c1和c2为选自0至10的整数，

当c1是2或更大的整数时，2个或更多个*–(A₁)_a1-(P₁)_b1–*'相同或不同，以及当c2是2或更大的整数时，2个或更多个*–(A₂)_a2-(P₂)_b2–*'相同或不同，

R₁至R₃各自独立地选自氢、羟基、烷氧基、环氧基和卤素基团，

R_10a选自氢、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基，

n为选自1至5的整数，

当n是2或更大的整数时，2个或更多个

相同或不同，以及

Z是可交联基团，其包含烯键式不饱和基团、环氧基、烷氧基和异氰酸酯基中的至少一种。

根据实施方案，离子基团可以是阴离子基团。例如，离子基团可以是巯基、羧基、胺基、磷酸根基团、硫酸根基团或硝酸根基团。如本文所用，术语“离子基团”是指在水溶液中以离子形式存在并能够与金属形成盐的官能团。

根据实施方案，离子基团可以是羧基。

根据实施方案，聚合物可以进一步包括离子基团，并且离子基团可以结合到金属上以金属盐的形式存在。

根据实施方案，外层可以进一步包括上述单体。

根据实施方案，式1的M可以包括与第二半导体的晶体中包含的金属相同的金属。因此，没有构成聚合物的一些单体分散在第一区域中，以修正壳表面的缺陷，因此，可以提高量子点的量子效率。

根据实施方案，聚合物可以包括通过光(例如UV光)、热或交联基团来交联可交联基团而产生的交联的聚合物。

例如，交联聚合物可以是网络交联聚合物。

根据实施方案，当a1为0时，A₁是单键，并且与Y相邻的基团可以直接与其结合。当a2为0时，A₂是单键，并且与P₁相邻的基团可以直接与其结合。

根据实施方案，A₁和A₂可以各自独立地是C₁-C₁₀亚烷基。例如，A₁和A₂可以分别是亚乙基。

根据实施方案，P₁和P₂可以各自独立地是*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'或*-C(＝O)(O)-*'。例如，P₁和P₂可能分别是*-O-*'。

根据实施方案，Z可以是选自以下式1-1至1-6的基团：

在式1-1至1-6中，

R₁₁至R₁₅可以各自独立地选自氢、-F、-Cl、-Br、-I、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基。

例如，R₁₁至R₁₅可以各自独立地选自：

氢、-F、-Cl、-Br、-I、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基，而不限于此。

例如，R₁₁至R₁₃可以各自独立地选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基和叔己基。

根据实施方案，第一配体可以包含C₁-C₂₀烃基。

例如，第一配体可以包含具有至少一个烯属不饱和基团的C₁-C₂₀烃基。

根据实施方案，第一配体可以进一步包含离子基团。例如，离子基团可以是巯基、羧基、胺基、磷酸根基团、硫酸根基团或硝酸根基团。

根据实施方案，第一配体可以包含离子基团和C₁-C₂₀烃基。例如，离子基团经由配位共价键结合到壳的表面，并且C₁-C₂₀烃基可以朝向外层。例如，第一配体可以是油酸。

根据实施方案，第一半导体和第二半导体可以各自独立地包含：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或它们的任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe；或它们的任意组合。

III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和InPSb；和四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb；或它们的任意组合。同时，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP。

III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂Se₃和InTe；三元化合物，例如InGaS₃和InGaSe₃；或它们的任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和AgAlO₂；或它们的任意组合。

IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和PbTe；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和SnPbTe；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe和SnPbSTe；或它们的任意组合。

IV元素或化合物可以包括：单一元素，例如Si和Ge；二元化合物，例如SiC和SiGe；或它们的任意组合。

在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中包含的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于量子点粒子中。

同时，量子点可以具有单结构或核壳双结构，其中在量子点中包含的每种元素具有均匀的浓度。例如，核中包含的材料可以不同于壳中包含的材料。

量子点的壳可以用作保护层，用于通过抑制核的化学改性来保持半导体性能；和/或用作充电层，用于为量子点提供电泳性能。壳可以具有单层或多层结构。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低。

根据实施方案，第一半导体可以包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、InZnP、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb，或它们的任意组合，以及第二半导体可以包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe，或它们的任意组合，而不限于此。

根据实施方案，壳可以具有单层或多层结构。

根据实施方案，壳可以是包含两种不同类型的第二半导体的晶体的复合单层壳。在这种情况下，包含第一配体的上述第一区域可以设置在复合单层壳的至少一部分上，或者覆盖复合单层壳的整个外表面。

根据实施方案，壳可以包含两种不同类型的含有Zn金属的半导体粒子。

根据实施方案，壳可以包含两种不同类型的II-IV族半导体化合物。例如，壳可以包括ZnSe和ZnS。

根据实施方案，壳可以包含含有第一壳和第二壳的双层壳，并且第一壳可以被插入在核和第二壳之间。在这种情况下，第一壳和第二壳可以包括不同的第二半导体的晶体。

例如，第一壳可以包括ZnSe，以及第二壳可以包括ZnS。

量子点发射可见光。例如，量子点可以根据直径发射具有各种最大发射波长的光。作为实例，量子点可以发射最大发射波长为430nm至800nm的光。因此，当量子点应用于颜色转换构件时，可以实现高亮度和高色纯度。

根据实施方案，量子点可以具有1nm至15nm的平均直径。例如，量子点可以具有2nm至13nm或2nm至10nm的平均直径。

根据实施方案，量子点的形状没有特别限制，并且量子点可以具有本领域中常用的任何形状。例如，量子点可以是具有球形、金字塔形、多臂或立方体的形状的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

【油墨组合物】

根据另一实施方案，提供了包含上述量子点的油墨组合物。

根据实施方案，油墨组合物可以是基本上不含溶剂的无溶剂型油墨组合物。例如，油墨组合物可以包含在制备量子点后不可避免地残留的溶剂，并且溶剂的量可以是基于组合物总重量的约5wt％或更少。量子点中残留的溶剂可以通过额外的纯化过程去除。

因为油墨组合物不包括溶剂，所以通过省略溶剂去除阶段可以实现简化的工艺和经济可行性。

根据实施方案，在油墨组合物中，基于组合物的总重量，量子点的量可以是0.1wt％至50wt％，具体地，10wt％至50wt％，或10wt％至45wt％。

油墨组合物在室温(例如25℃)下的粘度可为1cP至30cP。例如，油墨组合物的粘度可以是5cp至30cp、10cp至30cp、或20cp至25cp。具有满足上述范围的粘度的油墨组合物可适用于制备位于发光器件外部的颜色转换构件或制备量子点发光层。

根据实施方案，油墨组合物可以进一步包含聚合引发剂。聚合引发剂可以包括热聚合引发剂和/或光聚合引发剂。

作为热聚合引发剂，可以使用能够通过加热形成自由基的任何化合物，而不受限制。热聚合引发剂的实例可以包括：基于过硫酸盐的化合物，例如过硫酸钠(Na₂S₂O₈)、过硫酸钾(K₂S₂O₈)和过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)；偶氮化合物，例如2,2-偶氮二(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2-偶氮二-(N,N-二亚甲基)异丁脒二盐酸盐、2-(氨甲酰基偶氮)异丁腈、2,2-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、4,4-偶氮二-(4-氰基戊酸)；过氧化氢，或它们的任意组合。

当使用热聚合引发剂时，基于油墨组合物的总重量，其量可以为0.01重量份至15重量份。

作为光聚合引发剂，可以使用能够通过最大发射波长为200nm至400nm的UV光形成自由基的任何化合物而不受限制，并且光聚合引发剂的实例可以包括含有选自芳基锍、芳基重氮鎓或芳基铵中的阳离子和选自AsF₆ ^-、SbF₆ ^-、PF₆ ^-或四(五氟苯基)硼酸根中的阴离子的组合的化合物，或者有机硅烷化合物。

当使用光聚合引发剂时，基于油墨组合物的总重量，其量可以为0.01重量份至15重量份。

根据实施方案，油墨组合物可以进一步包含各种添加剂以改善油墨组合物的喷射和适用性，从而在不影响量子点物理性能的范围内改善由其固化的薄膜的光学性能。

例如，油墨组合物可以进一步包括本领域公知的分散剂、粘度调节剂等，以改善喷射性能和适用性，并且可以进一步包括本领域公知的表面活性剂、散射体、消泡剂、UV稳定剂、吸湿剂、抗氧化剂等，以改善固化薄膜的光学性能。在这种情况下，添加剂可以在不影响量子点物理性能的量范围内使用。

根据实施方案，油墨组合物可以进一步包含基于二丙烯酸酯的单体。例如，基于二丙烯酸酯的单体可以包括烷基二醇二丙烯酸酯单体。例如，烷基二醇二丙烯酸酯单体可以包括二丙烯酸己二醇酯单体。

根据另一实施方案，油墨组合物可以任选地进一步包含溶剂。

溶剂没有特别限制，只要溶剂能够均匀分散量子点即可。例如，溶剂可以是有机溶剂。

具体地，溶剂可以选自氯基溶剂、醚基溶剂、酯基溶剂、酮基溶剂、脂肪烃基溶剂和芳香烃基溶剂，但不限于此。

更具体地，溶剂可以包括二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯或环己基苯；四氢呋喃、二噁烷、苯甲醚、4-甲基苯甲醚、丁基苯基醚；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯、正己基苯、环己基苯、三甲基苯或四氢萘；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、十二烷、十六烷或氧癸烷(oxadecane)；丙酮、甲乙酮、环己酮或苯乙酮；乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丁酯、3-苯氧基苯甲酸酯或它们的任意组合，但不限于此。

在油墨组合物中，基于组合物的总重量，溶剂的量可以为80重量份至99.9重量份，具体地，90重量份至99.8重量份，但不限于此。当满足上述范围时，量子点可以适当地分散在油墨组合物中，并且油墨组合物可以具有在溶液中适当的固体浓度。

根据实施方案，包括上述量子点的油墨组合物可以被涂布到发光器件的外部以形成光学构件。在这种情况下，光学构件可以是具有吸收从发光器件发射的光并发射具有不同波长带的光的功能的颜色转换构件。

【电子器件】

在下文中，将描述包括上述量子点的电子器件。

电子器件可以包括量子点和发光器件，该发光器件包括第一电极；第二电极；和被插入在第一电极和第二电极之间的中间层。

根据实施方案，电子器件可以包括液晶显示器、有机发光显示器件或无机发光显示器件。

例如，当电子器件进一步包括液晶时，电子器件可以是液晶显示器。在这种情况下，发光器件可以用作光源，并且量子点可以在被包含在发光器件和液晶的外部中的状态下被用作颜色转换构件。

作为另一实例，当发光器件的中间层包括发光层并且发光层包含有机材料时，电子器件可以是有机发光显示器件。在这种情况下，发光器件可以用作光源，并且量子点可以在包含在发光器件外部的状态下用作颜色转换构件。

作为另一实例，当发光器件的中间层包括发光层并且发光层包括无机材料，例如量子点时，电子器件可以是无机发光显示器件。

除了上述发光器件之外，电子器件可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，并且源电极和漏电极中的一个可以电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘层等。

有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子器件可以进一步包括密封发光器件的密封部分。密封部分允许光从发光器件中透出，同时防止外部空气和湿气渗入发光器件。密封部分可以为包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部分可以是包括一个或多个有机层和/或无机层的薄膜封装层。当密封部分是薄膜封装层时，电子器件可以是柔性的。

根据电子器件的用途，各种功能层可以进一步位于密封部分上。功能层的实例可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层和偏光层。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。

在下文中，将参考图2详细描述根据实施方案的包括发光器件320的电子器件3。

电子器件3包括第一衬底310、发光器件320和第二衬底340。

量子点可以被包含在发光器件320的外部中(即，在第一电极和/或第二电极上)。具体地，量子点可以被包含在位于发光器件320外部的第二衬底340中。第二衬底340可以用作颜色转换构件，并且发光器件320可以用作光源。

发光器件320包括第一电极321、第二电极323以及被插入在第一电极321和第二电极323之间的中间层322。

电子器件3可以是有机发光显示器件。因此，发光器件320可以包括在中间层322中的有机发光层。

像素限定层330可以在第一电极321上。像素限定层330暴露第一电极321的预定区域，以及中间层322可以位于暴露区域上。

在实施方案中，第二衬底340的一个区域341可以包含半导体的纳米粒子。在这种情况下，第二衬底340可以位于从发光器件320发射的光的行进方向上。

量子点可以通过吸收蓝光来发射可见光。因此，第二衬底340可以被设计成通过吸收蓝光来发射具有各种波长的光。因此，发光器件320可以发射蓝光，例如最大发射波长为400nm至490nm的蓝光，并且薄膜可以通过吸收蓝光来发射可见光，例如最大发射波长为445nm至650nm的可见光。

在实施方案中，第二衬底340可以进一步包括散射体。

在实施方案中，第二衬底340进一步包括不同于前一区域341的另一区域(未示出)，并且后一区域不包含半导体的纳米粒子，并且可以透射从发光器件(未示出)发射的蓝光。具体而言，只有前一区域341包括半导体的纳米粒子，而后一区域可以只包括散射体。

在实施方案中，第二衬底340可以进一步包括在前一区域和后一区域之间的遮光图案344。

在下文中，将参考图3详细描述根据另一实施方案的电子器件4。

电子器件4包括第一衬底410和发光器件420。

发光器件420包括第一电极421、第二电极423以及被插入在第一电极421和第二电极423之间的中间层422。

量子点可以被包含在中间层422中，具体地，被包含在中间层422中的发光层中。

量子点可以发射可见光。因此，发光器件420可以被设计成发射具有各种波长的光。例如，量子点可以发射最大发射波长为445nm至650nm的可见光。

中间层422可以进一步包括发光层和第一电极421之间和/或发光层和第二电极423之间的辅助层。辅助层可以与发光层直接接触。辅助层可以改善发光层的薄膜性能。

中间层422可以进一步包括被插入在发光层和第一电极421之间的第一电荷传输区域和/或被插入在发光层和第二电极423之间的第二电荷传输区域。

【制备量子点的方法】

将详细描述制备量子点的方法。

制备量子点的方法可以包括：使用第一半导体化合物形成核粒子，通过使核粒子与第二半导体化合物前体接触来形成包括由第二半导体形成的壳的核/壳粒子，以及在核/壳粒子上形成外层。

第一半导体化合物可以包含铟(In)、镓(Ga)和磷(P)，以及第二半导体化合物可以包含锌(Zn)、硒(Se)和硫(S)。

根据实施方案，第二半导体化合物前体可以包含第二半导体化合物的第一前体和第二前体。例如，第一前体可以包含锌(Zn)和硒(Se)，以及第二前体可以包含锌(Zn)和硫(S)。

根据实施方案，使核粒子与第二半导体化合物前体接触的过程可以包括(i)将核粒子带入第二半导体化合物的第一前体化合物的操作，以及(ii)将第二半导体化合物的第二前体化合物带入其中的操作。

操作(i)可以在290℃至350℃(例如300℃至340℃)的温度下进行30分钟至90分钟，例如50分钟至70分钟，操作(ii)可以在290℃至350℃，(例如300℃至340℃)的温度下进行60分钟至120分钟，例如80分钟至100分钟。

因此，包括两种类型的第二半导体化合物的复合单层壳或双层壳可以形成在核粒子上。

根据实施方案，在核/壳粒子上形成外层可以包括在核/壳粒子上设置包含金属和极性有机基团的低聚物或聚合物。在这种情况下，该金属是构成第二半导体化合物的金属，例如Zn。

在实施方案中，该方法可以进一步包括在形成核粒子之后的纯化和/或分离过程，并且这些过程可以省略。

在实施方案中，溶剂可以是有机溶剂。例如，溶剂可以是三辛胺、油胺、1-十八碳烯(ODE)等。

制备半导体纳米粒子的方法的细节可以由本领域技术人员参考稍后描述的实施例来认知。

【术语定义】

在整个说明书中，C₃-C₆₀碳环基团是指仅包含3至60个碳原子的环状基团，而C₁-C₆₀杂环基团是指包含1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步包含杂原子的环状基团。

在整个说明书中，环状基团包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团两者。

在整个说明书中，术语，环状基团、C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，是指根据其中使用的式的结构缩合成环状基团的基团，即单价或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)。例如，“苯基团”可以为苯并基团、苯基基团或亚苯基基团，根据包含有“苯基团”的结构，本领域普通技术人员可以容易地理解它们。

例如，一价C₃-C₆₀碳环基团和一价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基或C₁-C₆₀杂芳基、一价非芳族稠合多环基团和一价非芳族稠合杂多环基团，以及二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团以及二价非芳族稠合杂多环基团。

在整个说明书中，C₁-C₆₀烷基是指包含1至60个碳原子的直链或支链脂族烃一价基团，其实例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。在整个说明书中，C₁-C₆₀亚烷基是指具有与C₁-C₆₀烷基的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₂-C₆₀链烯基是指包含在C₂-C₆₀烷基的中间或一个末端的一个碳-碳双键的一价烃基，以及其实例可以包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。在整个说明书中，C₂-C₆₀亚链烯基是指具有与C₂-C₆₀链烯基的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₂-C₆₀炔基是指包含在C₂-C₆₀烷基的中间或一个末端的碳-碳三键的一价烃基，以及其实例可以包括乙炔基和丙炔基。在整个说明书中，C₂-C₆₀亚炔基是指具有与C₂-C₆₀炔基的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₁-C₆₀烷氧基是指由-OA₁₀₁表示的一价基团(其中，A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，以及其实例可以包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

在整个说明书中，C₃-C₁₀环烷基是指包含3至10个碳原子的一价饱和烃基，其实例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基和环辛基。

在整个说明书中，C₁-C₁₀杂环烷基是指包含1至10个碳原子并且除了碳原子之外进一步包含至少一个杂原子作为成环原子的一价环状基团。在整个说明书中，C₁-C₁₀亚杂环烷基可以是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₃-C₁₀环烯基是指具有3至10个碳原子和在环中的至少一个碳-碳双键且没有芳香性的一价环状基团，其实例可以包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。在整个说明书中，C₃-C₁₀亚环烯基是指具有与C₃-C₁₀环烯基的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₁-C₁₀杂环烯基是指包含1至10个碳原子和除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子且包含至少一个在环中的双键的一价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。在整个说明书中，C₁-C₁₀亚杂环烯基是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₆-C₆₀芳基是指具有包含6至60个碳原子的碳环芳族体系的一价基团，以及C₆-C₆₀亚芳基是指具有包含6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基的实例可以包括苯基基团、并环戊二烯基(pentalenyl)、萘基、薁基、引达省基、苊基、萉基(phenalenyl)、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲、芘基、

基、苝基、戊芬基(pentaphenyl)、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基包括两个或更多个环时，两个或更多个环可以是稠合的。

在整个说明书中，C₁-C₆₀杂芳基是指具有包含1至60个碳原子且进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的杂环芳族体系的一价基团，以及C₁-C₆₀亚杂芳基是指具有包含1至60个碳原子和除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的杂环芳族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基的实例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基包括两个或更多个环时，该两个或更多个环可以彼此稠合。

在整个说明书中，一价非芳族稠合多环基团是指其中两个或更多个环彼此稠合，仅碳原子用于形成环，并且整个分子具有非芳香性(例如，包括8至60个碳原子)的一价基团。一价非芳族稠合多环基团的实例可以包括茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。在整个说明书中，二价非芳族稠合多环基团是指具有与一价非芳族稠合多环基团的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，一价非芳族稠合杂多环基团是指其中两个或更多个环彼此稠合，除了碳原子之外的至少一个杂原子被用作成环原子，并且整个分子具有非芳香性(例如，包括1至60个碳原子)的一价基团。一价非芳族稠合杂多环基团的实例可以包括：吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并苯并噻吩基。在整个说明书中，二价非芳族稠合杂多环基团是指具有与一价非芳族稠合杂多环基团的结构相同的结构的二价基团。

在整个说明书中，C₆-C₆₀芳氧基表示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基)，以及C₆-C₆₀芳硫基表示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基)。

在整个说明书中，“R_10a”可以为

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀链烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，它们未被取代或被如下基团取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)，或它们的任意组合；

C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，它们未被取代或被如下基团取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀链烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)，或它们的任意组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在整个说明书中，Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀链烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，其未被取代或被如下基团取代：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基基团、联苯基基团(nonphenyl group)、或者它们的任意组合。

在整个说明书中，杂原子是指除碳原子外的任何原子。杂原子的实例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se、或它们的任意组合。

在整个说明书中，“Ph”是苯基基团，“Me”是甲基，“Et”是乙基，“ter-Bu”或“Bu^t”是叔丁基，并且“OMe”是甲氧基。

在整个说明书中，“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。“联苯基基团”属于具有“C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“取代苯基基团”。

在整个说明书中，“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。“三联苯基基团”属于具有“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“取代苯基基团”。

在整个说明书中，除非另有定义，否则在式中的*和*'是指与相邻原子的结合位点。

在下文中，将参考下面的实施例更详细地描述根据本发明的一个或多个实施方案的化合物和发光器件。

实施例

在配体交换反应之前/后InGaP-ZnSe-ZnS量子点的量子效率的评价

使用大冢(Otsuka)电子的QE-2100装置测量包含InGaP-ZnSe-ZnS量子点的量子点分散体(“参考实施例1”)的光致发光量子效率(PLQY)。随后，在通过纯化分散体从分散体中去除杂质之后(“参考实施例2”)，以相同的方式测量光致发光量子效率。

随后，将聚乙二醇(PEG)配体加入其中分散有InGaP-ZnSe-ZnS量子点的量子点分散体中，以获得PEG改性的量子点(“对照1”)，其中InGaP-ZnSe-ZnS量子点的表面被PEG配体部分取代。将Zn-PEG加入到分散有相同量子点的量子点分散体中，以获得Zn-PEG改性的量子点(“对照2”)，其中InGaP-ZnSe-ZnS量子点的表面被Zn-PEG配体部分取代。

使用QE-2100装置测量对照1和对照2的光致发光量子效率。

测量的光致发光量子效率示于图4中。

参考图4，证实了与参考实施例1相比，纯化一次的参考实施例2的量子效率降低。在其中量子点的表面被PEG配体取代的对照1的情况下，证实了量子效率显著降低。在其中量子点的表面被Zn-PEG配体取代的对照2的情况下，证实了与对照1相比，量子效率显著增加。在对照2的情况下，证实了量子效率等同于在配体取代之前量子点的量子效率。

在参考实施例2的情况下，认为量子效率降低是因为在纯化过程中一些金属从量子点上脱落。在对照1的情况下，认为量子效率显著降低是因为与配体连接的过渡金属(例如，Zn)通过配体交换反应而被去除。相反，在对照2的情况下，认为量子点的量子效率显著增加是因为通过配体交换反应去除的过渡金属(例如，Zn)被Zn-PEG配体的Zn金属补偿，因此证实了在量子效率没有显著降低的情况下配体交换反应是可能的。

Zn-PEG配体取代的相容性评价

进行如以上所描述的制备的对照1和对照2在二丙烯酸己二醇酯(HDDA)中的分散性测试。二丙烯酸己二醇酯是用于量子点组合物的反应性稀释剂。成膜后的发光性能可以基于量子点在HDDA中的分散性是否被保持的测试来鉴定。

通过向对照1和对照2中加入5mL的HDDA并将它们维持24小时来进行测试。目测分散性。结果示于图5中。虽然在对照1中保持了分散性，但是在对照2中没有保持分散性。

在对照2的情况下，认为量子点没有分散在HDDA中，因为Zn-PEG溶解在其中。

配体溶解度的计算

M-PEG5-Zn、丙烯酰基-PEG5-Zn、交联的PEG2-Zn、交联的PEG3-Zn被用作包含经由配体交换反应引入到量子点表面上的金属和极性有机基团的低聚物或聚合物的实例。计算其相对于HDDA的R_a值，以及结果显示在下表1中。在这方面，使用汉森溶解度参数(HansenSolubility Parameter，HSP)计算R_a值，其由如下方程定义。高于HDDA值的R_a值表示低溶解度和高分散性。

R_a＝4x(δD_配体-δD_HDDA)²+(δP_配体-δP_HDDA)²+(δH_配体-δH_HDDA)²)^1/2

δD_配体为配体分子间的分散力产生的能量(单位：Mpa^0.5)；

δD_HDDA为HDDA分子间的分散力产生的能量；

δP_配体为配体分子之间的偶极分子间力产生的能量；

δP_HDDA为HDDA分子之间的偶极分子间力产生的能量；

δH_配体为配体分子之间的氢键产生的能量；以及

δD_HDDA为HDDA分子间的氢键产生的能量。

表1

如上表1所示，包含丙烯酸基团的丙烯酰基-PEG5-Zn的R_a值高于不包括丙烯酸基团的m-PEG5-Zn的R_a值。此外，当包含交联基团时，在HDDA中的溶解度进一步降低，这由增加的R_a值证实。

因此，当量子点的表面被交联的Zn-PEG覆盖时，由于通过交联的Zn-PEG获得的低溶解度和高分散性，预期可以制备具有高相容性的量子点。

根据本发明，通过将包含极性配体的涂层引入到与非极性配体表面配位的量子点中，不仅可以增加量子点在极性溶剂中的分散性而不使非极性配体脱离，而且可以通过引入涂层抑制半导体金属从非极性配体和量子点的损失来提高量子点的效率。

应该理解，本文描述的实施方案应该仅被认为是描述性的，而不是出于限制的目的。每个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方案，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的实质和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims

1.一种量子点，其包含：

核，其包含第一半导体的晶体；

壳，其位于所述核上并且包含至少一种第二半导体的晶体；

第一区域，其位于所述壳上并且包含第一配体；和

外层，其位于所述第一区域上和包含含有金属和极性有机基团的低聚物或聚合物。

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述金属包括Cd、Zn、Hg、Mg、Ga、Al、In、Sn、Pb、Si、Ge、Ag、Cu或其组合。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述金属包括与所述第二半导体的晶体中包含的金属相同的金属。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述极性有机基团包括羟基、羰基、丙烯酰基、酯基、醚基、羧基、环氧基、卤素基团或其组合。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述低聚物或所述聚合物包含由下式1表示的单体的聚合产物：

<式1>

其中，在式1中，

M包括Cd、Zn、Hg、Mg、Ga、Al、In、Sn、Pb、Si、Ge、Ag、Cu或其组合，

Y是离子基团，

a1和a2各自独立地为选自0至10的整数，

b1和b2各自独立地为选自1至10的整数，

c1和c2为选自0至10的整数，

R_10a选自氢、C₁-C₂₀烷基和C₂-C₂₀链烯基，

n为选自1至5的整数，

当n是2或更大的整数时，2个或更多个

相同或不同，以及

6.根据权利要求5所述的量子点，其中，所述离子基团是巯基、羧基、胺基、磷酸根基团、硫酸根基团或硝酸根基团。

7.根据权利要求5所述的量子点，其中，所述聚合物包含通过光、热或交联基团来交联所述可交联基团而制备的交联的聚合物。

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一配体包含C₁-C₂₀烃基。

9.根据权利要求8所述的量子点，其中，所述第一配体进一步包含离子基团。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一配体经由配位共价键结合到所述壳上。

11.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一半导体和所述第二半导体各自独立地包含：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或其组合。

12.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一半导体和所述第二半导体各自独立地包含：

CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；

GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、InZnP、InGaZnP或InAlZnP；

GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂Se₃、InTe、InGaS₃或InGaSe₃，

AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；

SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、Si、Ge、SiC或SiGe；

或其组合。

13.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一半导体包含GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、InZnP、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或其任意组合，以及

所述第二半导体包含CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或其组合。

14.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述壳为包含第一壳和第二壳的双层壳，

其中，所述第一壳被插入在所述核和所述第二壳之间。

15.根据权利要求14所述的量子点，其中，所述第一壳和所述第二壳包含不同的第二半导体的晶体。

16.一种油墨组合物，其包含根据权利要求1所述的量子点。

17.一种光学构件，其包含根据权利要求1所述的量子点。

18.根据权利要求17所述的光学构件，其中，所述光学构件为颜色转换构件。

19.一种电子器件，其包括：

第一电极；

第二电极，其面对所述第一电极；

中间层，其被插入在所述第一电极和所述第二电极之间，和

颜色转换构件，其被设置为面对所述中间层的所述第一电极和所述第二电极中的一个或多个的外部，

其中，所述颜色转换构件包含根据权利要求1所述的量子点。

20.根据权利要求19所述的电子器件，其进一步包括薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，

其中，所述电子器件的所述第一电极被电连接到所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。