CN114792594B - 一种超导悬浮磁场衰减抑制装置及抑制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超导悬浮磁场衰减抑制装置及方法,涉及悬浮磁场衰减抑制,所述装置中超导转子的上侧设置上衰减抑制线圈,超导转子的下侧设置下衰减抑制线圈;上衰减抑制线圈的上侧设置上悬浮线圈,下衰减抑制线圈的下侧设置下悬浮线圈;上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈和下衰减抑制线圈分别连接一个超导开关。本发明能实现对超导悬浮磁场衰减的抑制。
Description
技术领域
本发明涉及悬浮磁场衰减抑制领域,特别是涉及一种超导悬浮磁场衰减抑制装置及抑制方法。
背景技术
利用超导体的完全抗磁性和零电阻效应等特殊性质发展起来的超导磁悬浮技术主要有两个方面的优势:一方面可以使悬浮体实现无接触的悬浮,当悬浮体旋转时不存在机械摩擦,从而保持旋转的长期稳定性;另一方面利用超导开关技术和超导接头技术对超导悬浮线圈闭环之后,由于零电阻效应,与常规的通电线圈相比,超导悬浮线圈内的电流衰减比较慢,从而使得超导悬浮磁场也衰减较慢。然而,在工程实际中,受超导接头技术的限制,超导接头部分的电阻距离完全理想的零电阻状态仍有一定差距。在大部分的超导应用中,采用成熟的超导开关技术和超导接头技术可以满足实际应用需求。但是,在利用超导磁悬浮技术进行一些长期的精密测量应用时,由于超导接头部分的电阻引起的悬浮磁场衰减会给测量系统带来不可忽略的漂移误差。因此,利用超导磁悬浮技术进行长期精密测量时,需要对超导悬浮磁场的衰减进行抑制。
目前,采用超导接头衰减补偿装置实现衰减抑制,该装置通过将电感串联进入超导接头与悬浮线圈的闭环回路中,来抑制超导接头电阻带来的电流衰减,进而对超导悬浮磁场的衰减实现抑制,但是该装置需要串联的电感尺寸较大,挤占了低温下的有限空间,不利于装置小型化,且成本较高。
发明内容
基于此,本发明实施例提供一种超导悬浮磁场衰减抑制装置及抑制方法,结构简便,以降低成本实现对超导悬浮磁场衰减的抑制。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,包括:上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈、下衰减抑制线圈、超导开关和控制装置;
所述上衰减抑制线圈位于超导转子的上侧;所述下衰减抑制线圈位于所述超导转子的下侧;所述上衰减抑制线圈的上侧设置所述上悬浮线圈,所述下衰减抑制线圈的下侧设置所述下悬浮线圈;所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈分别连接一个所述超导开关;所述控制装置与所述超导开关连接;
所述控制装置,用于:
控制所有的超导开关通电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于开环状态;
在开环状态下,当所述超导转子处于所述上衰减抑制线圈与所述下衰减抑制线圈之间的中间位置时,控制所述超导转子加转至额定转速;
当所述超导转子处于额定转速时,控制所有的超导开关断电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于闭环状态;
在闭环状态下,当所述上悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述上衰减抑制线圈实现对所述上悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制,当所述下悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述下衰减抑制线圈实现对所述下悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制。
可选地,所述超导悬浮磁场衰减抑制装置,还包括:悬浮磁场整形极瓦;
所述悬浮磁场整形极瓦具有球形空间;所述球形空间用于放置所述超导转子;所述悬浮磁场整形极瓦的上侧设置所述上衰减抑制线圈,所述悬浮磁场整形极瓦的下侧设置所述下衰减抑制线圈;所述悬浮磁场整形极瓦用于对所述上悬浮线圈和所述下悬浮线圈之间产生的磁场进行整形。
可选地,所述超导悬浮磁场衰减抑制装置,还包括:直流电流源;
所述直流电流源的第一输出通道与所述上悬浮线圈连接;所述直流电流源的第二输出通道与所述下悬浮线圈连接;当所述上悬浮线圈处于开环状态时,所述直流电流源的第一输出通道用于向所述上悬浮线圈通电;当所述下悬浮线圈处于开环状态时,所述直流电流源的第二输出通道用于向所述下悬浮线圈通电。
可选地,所述超导开关,包括:超导骨架、超导引线、加热丝和温度计;
所述超导引线缠绕在所述超导骨架上;所述加热丝缠绕在所述超导引线的外部;所述超导引线的一端的两个线头与相应的线圈连接;所述超导引线的另一端的两个线头相互连接形成超导接头;所述温度计用于测量所述加热丝的温度;当所述超导开关通电时,通过控制所述加热丝的温度确保所述超导开关处于打开状态,此时,与所述超导开关连接的线圈处于开环状态。
可选地,所述超导开关,还包括:加热丝电源;
所述加热丝电源与所述加热丝连接。
可选地,所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈均采用NiTi超导线绕制而成。
可选地,所述超导转子和所述悬浮磁场整形极瓦均由纯铌材料加工而成。
可选地,所述加热丝采用锰铜线加工而成。
可选地,所述超导悬浮磁场衰减抑制装置,还包括:制冷系统;
所述制冷系统与所述控制装置连接;所述控制装置还用于:
控制所有的超导开关通电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于开环状态,控制所述制冷系统打开,以使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈保持在设定温度值。
本发明还提供了一种超导悬浮磁场衰减抑制方法,所述抑制方法用于上述所述的超导悬浮磁场衰减抑制装置;所述方法,包括:
控制所有的超导开关通电,使得上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈和下衰减抑制线圈处于开环状态;
在开环状态下,当超导转子处于所述上衰减抑制线圈与所述下衰减抑制线圈之间的中间位置时,控制所述超导转子加转至额定转速;
当所述超导转子处于额定转速时,控制所有的超导开关断电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于闭环状态;
在闭环状态下,当所述上悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述上衰减抑制线圈实现对所述上悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制,当所述下悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述下衰减抑制线圈实现对所述下悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制。
可选地,在所述控制所有的超导开关通电,使得上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈和下衰减抑制线圈处于开环状态之前,还包括:
控制制冷系统打开,以使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈保持在设定温度值。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明实施例提出了一种超导悬浮磁场衰减抑制装置及方法,该装置通过在超导磁悬浮场的上下悬浮线圈的邻近位置设置衰减抑制线圈,利用电磁感应原理,当邻近的悬浮线圈磁场衰减时会在闭环之后的衰减抑制线圈内生成感应电流,由于超导体的零电阻效应,在衰减抑制线圈内生成的感应电流可长期维持恒定,因此对悬浮线圈磁场的衰减抑制可长期维持。本发明装置结构简单,成本较低,实施效果好,大幅削弱了长期运行时悬浮磁场衰减给精密超导磁悬浮测量系统带来的漂移误差。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的超导悬浮磁场衰减抑制装置的结构图;
图2为本发明实施例提供的超导悬浮磁场衰减抑制装置的剖面图;
图3为本发明实施例提供的超导开关的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参见图1-图3,本实施例的超导悬浮磁场衰减抑制装置,包括:上悬浮线圈1、上衰减抑制线圈2、下悬浮线圈5、下衰减抑制线圈4、超导开关7和控制装置。
所述上衰减抑制线圈2位于超导转子3的上侧;所述下衰减抑制线圈4位于所述超导转子3的下侧;所述上衰减抑制线圈2的上侧设置所述上悬浮线圈1,所述下衰减抑制线圈4的下侧设置所述下悬浮线圈5。所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4分别连接一个所述超导开关7,如图1所示,所述上悬浮线圈1连接超导开关一、所述上衰减抑制线圈2连接超导开关二、所述下悬浮线圈5连接超导开关四,所述下衰减抑制线圈4连接超导开关三。所述控制装置与所述超导开关7连接。所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4均为超导线圈。
所述控制装置,用于:
控制所有的超导开关通电,并当所有的超导开关处于打开状态时,此时所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4处于开环状态;
在开环状态下,当所述超导转子3处于所述上衰减抑制线圈2与所述下衰减抑制线圈4之间的中间位置时,控制所述超导转子3加转至额定转速;
当所述超导转子3处于额定转速时,控制所有的超导开关断电,并当所有的超导开关处于关闭状态时,使得所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4处于闭环状态;
在闭环状态下,当所述上悬浮线圈1产生的磁场发生衰减时,所述上衰减抑制线圈2实现对所述上悬浮线圈1产生的磁场的衰减抑制,当所述下悬浮线圈5产生的磁场发生衰减时,所述下衰减抑制线圈4实现对所述下悬浮线圈5产生的磁场的衰减抑制。
所述超导悬浮磁场衰减抑制装置是利用衰减抑制线圈进行超导悬浮磁场的抑制,其抑制原理为:以上衰减抑制线圈2对上悬浮线圈1生成磁场的抑制为例进行说明。当上悬浮线圈1产生的磁场发生衰减时,由于电磁感应原理,会在邻近的已经闭环的上衰减抑制线圈2内生成感应电流,由于超导体的零电阻效应,在上衰减抑制线圈2内生成的感应电流可长期维持恒定,衰减极小,使得上衰减抑制线圈2内感应电流生成的磁场也可长期维持,从而实现上衰减抑制线圈2对上悬浮线圈1生成磁场的长期有效抑制。下衰减抑制线圈4对下悬浮线圈5生成磁场的抑制原理相同。通过上下衰减抑制线圈分别对上下悬浮线圈生成磁场的衰减进行抑制即可实现对超导转子3悬浮磁场的抑制,从而保证超导转子3悬浮磁场的长期稳定。
在一个示例中,参见图2,所述超导悬浮磁场衰减抑制装置,还包括:悬浮磁场整形极瓦6。所述悬浮磁场整形极瓦6具有球形空间;所述球形空间用于放置超导转子3;所述悬浮磁场整形极瓦6的上侧设置所述上衰减抑制线圈2,所述悬浮磁场整形极瓦6的下侧设置所述下衰减抑制线圈4;所述悬浮磁场整形极瓦6用于对上悬浮线圈1和下悬浮线圈5产生的磁场进行整形,使超导转子3外表面附近的悬浮磁场增强,提高悬浮线圈对超导转子3的支承效果。其中,当所述超导转子3处于所述球形空间的中间位置时,即认为所述超导转子3处于所述上衰减抑制线圈2与所述下衰减抑制线圈4之间的中间位置。
在一个示例中,由于衰减线圈距离悬浮线圈越近互感越强,抑制效果越好,本示例为了保证较好的抑制效果,上衰减抑制线圈2的上表面与上悬浮线圈1的下表面间距不超过2mm,下衰减抑制线圈4的下表面与下悬浮线圈5的上表面间距不超过2mm,上衰减抑制线圈2与下衰减抑制线圈4之间的距离不小于60mm。
在一个示例中,所述超导悬浮磁场衰减抑制装置,还包括:直流电流源;所述直流电流源的第一输出通道(即图1中的直流电流源通道一)与所述上悬浮线圈1连接;所述直流电流源的第二输出通道(即图1中的直流电流源通道二)与所述下悬浮线圈5连接;当所述上悬浮线圈1处于开环状态时,所述直流电流源的第一输出通道用于向所述上悬浮线圈1通电;当所述下悬浮线圈5处于开环状态时,所述直流电流源的第二输出通道用于向所述下悬浮线圈5通电。
如图1所示,上悬浮线圈1引出线同时与直流电流源通道一和超导开关一电气连接,当超导开关一处于打开状态时,上悬浮线圈1处于开环状态,直流电流源通道一可对上悬浮线圈1通电;上衰减抑制线圈2引出线与超导开关二电气连接,当超导开关二处于打开状态时,上衰减抑制线圈2处于开环状态;下悬浮线圈5引出线同时与直流电流源通道二和超导开关四电气连接,当超导开关四处于打开状态时,下悬浮线圈5处于开环状态,直流电流源通道二可对下悬浮线圈5通电;下衰减抑制线圈4引出线与超导开关三电气连接,当超导开关三处于打开状态时,下衰减抑制线圈4处于开环状态。
在一个示例中,如图3所示,所述超导开关,包括:超导骨架、超导引线9、加热丝8和温度计11。
所述超导引线9缠绕在所述超导骨架上;所述加热丝8缠绕在所述超导引线9的外部;所述超导引线9的一端的两个线头与相应的线圈连接;所述超导引线9的另一端的两个线头相互连接形成超导接头10;所述温度计11用于测量所述加热丝8的温度;当所述超导开关7通电时,通过控制所述加热丝8的温度确保所述超导开关7处于打开状态,此时,与所述超导开关7连接的线圈处于开环状态。
具体的,超导线圈的引出线(即超导引线9)的一部分与加热丝8密绕在超导骨架上;温度计11固定在超导骨架上,以检测超导线圈的引出线与加热丝8密绕部分的温度;超导引线9的一端的两个线头与相应的线圈(上悬浮线圈1、上衰减抑制线圈2、下悬浮线圈5或下衰减抑制线圈4)连接;超导引线9的另一端的两个线头通过压接或者焊接的方法形成超导接头10,使超导线圈形成闭环。
在一个示例中,所述超导开关,还包括:加热丝电源;所述加热丝电源与所述加热丝8电气连接。通过加热丝电源可以控制加热丝8的加热功率,进而控制超导线圈的引出线与加热丝8密绕部分是否处于超导态,最终控制与超导开关7相连的相应的线圈的开闭环状态。
在一个示例中,所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4均采用NiTi超导线绕制而成。
在一个示例中,所述超导转子3和所述悬浮磁场整形极瓦6均由纯铌材料加工而成。悬浮磁场整形极瓦6采用纯铌材料加工,低温下具有完全抗磁性,可以对上悬浮线圈1和下悬浮线圈5产生的磁场进行整形,使超导转子3外表面附近的磁通线加密,磁场增强,提高悬浮线圈对超导转子3的支承效果。
在一个示例中,所述加热丝8采用锰铜线加工而成。
在一个示例中,所述超导悬浮磁场衰减抑制装置,还包括:制冷系统;所述制冷系统与所述控制装置连接;所述控制装置还用于:
控制所有的超导开关通电,使得所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4处于开环状态,控制所述制冷系统打开,以使得所述上悬浮线圈1、所述上衰减抑制线圈2、所述下悬浮线圈5和所述下衰减抑制线圈4保持在设定温度值。
上述实施例的所述超导悬浮磁场衰减抑制装置的工作过程为:
(1)利用制冷系统将超导转子3、上悬浮线圈1、下悬浮线圈5、上衰减抑制线圈2、下衰减抑制线圈4、悬浮磁场整形极瓦6和超导开关等超导部件降至设定温度值,如4.2K;
(2)对超导开关一、超导开关二、超导开关三和超导开关四同时通电,观察各超导开关内温度计11的温度确保超导开关处于打开状态,此时上悬浮线圈1、下悬浮线圈5、上衰减抑制线圈2和下衰减抑制线圈4均处于开环状态;
(3)调节直流电流源通道一和直流电流源通道二的输出电流值,使超导转子3悬浮在球形空间的中心位置,此时利用旋转驱动系统将超导转子3加转至额定转速,然后关闭旋转驱动系统;
(4)停止对超导开关一和超导开关四的加热丝8通电,观察超导开关一和超导开关四的温度计11温度值,当温度降至设定温度值,如4.2K时,超导开关一和超导开关四处于关闭状态,此时上悬浮线圈1和下悬浮线圈5处于闭环状态;
(5)停止对超导开关二和超导开关三的加热丝8通电,观察超导开关二和超导开关三的温度计11温度值,当温度降至4.2K时,超导开关二和超导开关三处于关闭状态,此时上衰减抑制线圈2和下衰减抑制线圈4处于闭环状态;
(6)至此,上悬浮线圈1和下悬浮线圈5内的电流处于近恒流状态,当悬浮线圈内电流产生衰减时,上衰减抑制线圈2可抑制上悬浮线圈1内的电流和磁场衰减,下衰减抑制线圈4可抑制下悬浮线圈5内的电流和磁场衰减。通过上衰减抑制线圈2和下衰减抑制线圈4即可抑制整体超导磁悬浮场的衰减。
在实际实施时,在对整体装置闭环之后,如果需要调节上下悬浮线圈5的电流,需要先打开相应衰减抑制线圈的超导开关,使其处于开环状态。当对上下悬浮线圈5电流的调节结束后,再关闭相应衰减抑制线圈的超导开关,从而防止调节悬浮线圈电流时,由于电流变化,在闭环状态的衰减抑制线圈内生成额外的感应电流。
上述实施例的所述超导悬浮磁场衰减抑制装置的优点如下:
通过在超导磁悬浮场上下悬浮线圈邻近位置设置衰减抑制线圈,利用电磁感应原理,当邻近的悬浮线圈磁场衰减时会在闭环之后的衰减抑制线圈内生成感应电流,由于超导体的零电阻效应,在衰减抑制线圈内生成的感应电流可长期维持恒定,因此对悬浮线圈磁场的衰减抑制可长期维持。本发明装置结构简单,成本较低,实施效果好,大幅削弱了长期运行时悬浮磁场衰减给精密超导磁悬浮测量系统带来的漂移误差。
本发明还提供了一种超导悬浮磁场衰减抑制方法,所述抑制方法用于上述实施例中的超导悬浮磁场衰减抑制装置;所述方法,包括:
步骤101:控制所有的超导开关通电,使得上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈和下衰减抑制线圈处于开环状态。
步骤102:在开环状态下,当超导转子处于悬浮磁场整形极瓦的球形空间的中间位置时,控制所述超导转子加转至额定转速。
步骤103:当所述超导转子处于额定转速时,控制所有的超导开关断电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于闭环状态。
步骤104:在闭环状态下,当所述上悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述上衰减抑制线圈实现对所述上悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制,当所述下悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述下衰减抑制线圈实现对所述下悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制。
在一个示例中,在步骤101之前,还包括:
控制制冷系统打开,以使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈保持在设定温度值。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言,由于其与实施例公开的装置相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见装置部分说明即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,包括:上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈、下衰减抑制线圈、超导开关和控制装置;
所述上衰减抑制线圈位于超导转子的上侧;所述下衰减抑制线圈位于所述超导转子的下侧;所述上衰减抑制线圈的上侧设置所述上悬浮线圈,所述下衰减抑制线圈的下侧设置所述下悬浮线圈;所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈分别连接一个所述超导开关;所述控制装置与所述超导开关连接;
所述控制装置,用于:
控制所有的超导开关通电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于开环状态;
在开环状态下,当所述超导转子处于所述上衰减抑制线圈与所述下衰减抑制线圈之间的中间位置时,控制所述超导转子加转至额定转速;
当所述超导转子处于额定转速时,控制所有的超导开关断电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于闭环状态;
在闭环状态下,当所述上悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述上衰减抑制线圈实现对所述上悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制,当所述下悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述下衰减抑制线圈实现对所述下悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制。
2.根据权利要求1所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,还包括:悬浮磁场整形极瓦;
所述悬浮磁场整形极瓦具有球形空间;所述球形空间用于放置所述超导转子;所述悬浮磁场整形极瓦的上侧设置所述上衰减抑制线圈,所述悬浮磁场整形极瓦的下侧设置所述下衰减抑制线圈;所述悬浮磁场整形极瓦用于对所述上悬浮线圈和所述下悬浮线圈之间产生的磁场进行整形。
3.根据权利要求1所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,还包括:直流电流源;
所述直流电流源的第一输出通道与所述上悬浮线圈连接;所述直流电流源的第二输出通道与所述下悬浮线圈连接;当所述上悬浮线圈处于开环状态时,所述直流电流源的第一输出通道用于向所述上悬浮线圈通电;当所述下悬浮线圈处于开环状态时,所述直流电流源的第二输出通道用于向所述下悬浮线圈通电。
4.根据权利要求1所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,所述超导开关,包括:超导骨架、超导引线、加热丝和温度计;
所述超导引线缠绕在所述超导骨架上;所述加热丝缠绕在所述超导引线的外部;所述超导引线的一端的两个线头与相应的线圈连接;所述超导引线的另一端的两个线头相互连接形成超导接头;所述温度计用于测量所述加热丝的温度;当所述超导开关通电时,通过控制所述加热丝的温度确保所述超导开关处于打开状态,此时,与所述超导开关连接的线圈处于开环状态。
5.根据权利要求4所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,所述超导开关,还包括:加热丝电源;
所述加热丝电源与所述加热丝连接。
6.根据权利要求1所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈均采用NiTi超导线绕制而成。
7.根据权利要求2所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,所述超导转子和所述悬浮磁场整形极瓦均由纯铌材料加工而成。
8.根据权利要求1所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制装置,其特征在于,还包括:制冷系统;
所述制冷系统与所述控制装置连接;所述控制装置还用于:
控制所有的超导开关通电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于开环状态,控制所述制冷系统打开,以使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈保持在设定温度值。
9.一种超导悬浮磁场衰减抑制方法,其特征在于,所述抑制方法用于如权利要求8所述的超导悬浮磁场衰减抑制装置;所述方法,包括:
控制所有的超导开关通电,使得上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈和下衰减抑制线圈处于开环状态;
在开环状态下,当超导转子处于所述上衰减抑制线圈与所述下衰减抑制线圈之间的中间位置时,控制所述超导转子加转至额定转速;
当所述超导转子处于额定转速时,控制所有的超导开关断电,使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈处于闭环状态;
在闭环状态下,当所述上悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述上衰减抑制线圈实现对所述上悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制,当所述下悬浮线圈产生的磁场发生衰减时,所述下衰减抑制线圈实现对所述下悬浮线圈产生的磁场的衰减抑制。
10.根据权利要求9所述的一种超导悬浮磁场衰减抑制方法,其特征在于,在所述控制所有的超导开关通电,使得上悬浮线圈、上衰减抑制线圈、下悬浮线圈和下衰减抑制线圈处于开环状态之前,还包括:
控制制冷系统打开,以使得所述上悬浮线圈、所述上衰减抑制线圈、所述下悬浮线圈和所述下衰减抑制线圈保持在设定温度值。
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