CN114787416A - 用于cvd反应器的进气装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有多个相叠地布置的进气区域(E1至E5)的气体分配装置，所述进气区域能够通过接通、关闭或者切换一个或多个输入管路(18)被调节，处理气体能够通过所述输入管路馈送到层状地相叠地布置的排气区(Z1至Z12)的气体分配容积(17)中，其中，通过每个进气区域(E1至E5)分别仅有一种相同的处理气体能够进入处理室(7)中。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于CVD(化学气相沉积)反应器的进气装置，所述进气装置具有多个相叠地布置的进气区域，每个进气区域都具有排气口，处理气体通过所述排气口被馈送到CVD反应器的处理室中。通过每个进气区域分别仅有一种处理气体被导入处理室中。
本发明还涉及一种装备有这种进气装置的CVD反应器和一种向处理室内馈送处理气体的方法。
背景技术
文献DE 102008055582 Al和DE 102014104218 A1描述了一种具有多个竖向相叠地布置的排气区的进气装置，这些排气区竖向相叠地布置并且分别通过输入管路与气体源连接。
进气装置的竖向相叠地布置的排气区具有不同高度，这种进气装置用于执行不同的处理过程，在处理过程中沉积不同的层、尤其由多种组分、尤其III-V主族组分构成的层。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于向CVD反应器中馈送处理气体的方法和CVD反应器，并且尤其为此改进配属于所述CVD反应器的气体混合系统。
所述技术问题通过在权利要求中给出的发明解决，其中，从属权利要求不仅是并列的权利要求的有利的扩展设计，而且是所述技术问题的独立解决方案。
本发明提供了一种措施，借助该措施能够将其它处理气体可选地馈送到至少一个气体分配容积中。进气装置通常具有三至五个相叠地布置的进气区域。III主族化合物的氢化物、例如砷化氢、磷化氢或氨可以与运载气体、例如氢气共同通过最上部和最下部的进气区域馈送到处理室中。有机金属化合物，特别是III主族-MO化合物同样能够通过通过位于最上部和最下部的进气区域之间的中部进气区域与运载气体共同馈送到处理室中。III主族化合物和V主族化合物可以在基座的被加热的表面上分解。分解产物可以在构成III主族-V主族的情况下沉积在布置在处理室中的基板上。对于彼此不同的处理过程，按照本发明，多个气体分配容积，尤其多个直接相互邻接的气体分配容积共同连接成进气区域，相同的处理气体能够通过该进气区域流入处理室中。由此使相同的处理气体流入处理室中的进气区域的高度可以改变。惰性气体也可以在沉积过程中通过最上部的排气区和/或通过最下部的排气区、即直接与处理室顶盖或者基座相邻的排气区逸出，以保护基座的表面和/处理室顶盖的表面以防寄生沉积。尤其规定，被相同的处理气体流过的每个进气区域由至少一个、优选两个排气区构成。按照本发明的进气装置优选可以具有至少五个、七个、九个、十个或者十二个分别由底板相互分隔的气体分配容积，其中，每个气体分配容积构成排气区并且多个排气区联接成用于馈送相同处理气体的进气区域。其中尤其规定，多个气体分配容积以不同的组合方式联接。在本发明的一种变型方案中建议，独立地配属于相应的气体分配容积的输入管路连通每个气体分配容积。输入管路在此可以具有连通气体分配容积中的唯一的连通口。气体管路可以连通每个输入管路。气体管路可以通过能够打开和关闭的多个阀选择性地与多个馈送管路中的一个馈送管路连接。其它气体、例如惰性气体或者其中一种处理气体可以馈送到每个馈送管路中。由此能够通过阀的开闭使处理气体以不同的组合方式从气体分配容积馈送并且由此以不同的组合方式从排气区逸出。多个排气区或者气体分配容积可以被分为多个组。一个组例如可以具有多个与处理室底板邻接的排气区和/或多个邻接处理室顶盖的排气区。第二组例如可以具有多个布置在处理室中央的排气区。成组的排气区可以分别构成进气区域，其中，属于一个组的排气区相互紧邻并且相同的处理气体或者惰性气体分别通过同一个组的排气区逸出到处理室中。其他气体分别通过两个相邻的组的排气区域逸出到处理室中，这样的两个相邻的组相互邻接，使得布置在边界上的排气区能够通过切换阀选择性地配属于在边界上相互邻接的组的其中一个组或者另一个组。排气区在此可以配属于边界区域并且与配属于相应边界区域的排气区所对应的气体管路能够选择性地与不同的馈送管路连接。而布置在边界区域之外的、即不配属于边界区域的排气区的气体管路则仅能够与一个馈送管路连接。由此使得布置在边界区域中的排气区能够选择性地配属于在边界区域中相互邻接的组的其中一个组或者另一个组。这些排气区由此能够用于扩大或者缩小分别用于馈送相同的处理气体的进气区域。由此能够通过切换用于将馈送管路与气体管路连接的阀，来增大或者减小进气区域的高度。形式为阀的切换元件在此可以布置在进气装置之外并且尤其布置在反应器之外。切换元件在此是气体混合系统的部件。然而备选地，切换元件也可以布置在反应器中并尤其布置在进气装置中。在本发明的一种变型设计中规定，输入管路由管构成。所述管具有连通气体分配容积中的开口。按照这种变型方案，管可以这样移动，使得其开口选择性地连通彼此不同的气体分配容积。这可以通过管的轴向移动或者通过管的转动实现。可以设置止挡部，当开口完全连通气体分配容积时，管分别止挡在所述止挡部上。还可以在两个气体分配容积之间设置开口，所述开口能够借助封闭元件选择性地打开或者封闭，从而馈送到两个气体分配容积的其中一个气体分配容积中的处理气体能够通过开口流入另一个气体分配容积中。由管构成的输入管路也可以具有多个开口，所述开口能够通过管的移动、例如通过管的转动或者线性的平移在外管中被封闭。在这种将切换元件布置在进气装置中的布置方式中，输入管路可以选择性地连通不同的气体分配容积。可以规定，输入管路同时连通多个气体分配容积。然而也可以规定，与气体管路连接的输入管路根本没有连通气体分配容积，而是气体分配容积可以通过封闭或者打开流通口选择性地与相邻的气体分配容积流体连接。为此优选设置能够从反应器或者进气装置之外操作的机械的操作元件，通过所述操作元件能够在空间上移动输入管或者封闭元件。
附图说明
以下借助附图对本发明的实施例进行阐述。在附图中：
图1示意性地示出具有具备五个相叠地布置的排气区Z1至Z5的进气装置10的CVD反应器，其中，每个排气区Z1至Z5独立地与输入管路和气体管路L1至L5连接，其中，气体管路L1至L5能够以在以下附图中描述的方式之一选择性地与馈送管路G1至G4流体连接，
图2示意性地示出具有十二个相叠地布置的排气区Z1至Z12的进气装置10的实施例，在进气装置10之外示意性地示出了气体混合系统的区域，在所述区域中，气体管路L1至L12能够选择性地借助阀20与馈送管路G1至G4连接，其中，空心的圆示出了闭锁的阀并且实心的圆示出了打开的阀，从而在该实施例中形成三个进气区域E1至E3，
图3在按照图2的视图中示意性地示出第二实施例，其中，排气区域E1至E3在与气体管路的可连接性方面不同，
图4在按照图2的视图中示意性地示出具有五个排气区域E1至E5的第三实施例，
图5在变型的视图中示出本发明的第四实施例，其中，示出了用于阀20的质量流控制器27，通过所述质量流控制器能够调节流向阀20的处理气体或者惰性气体的质量流，
图6示出第五实施例的处于第一运行位置中的进气装置10的局部区域，在所述第一运行位置中，输入管路18的连通口19连通上部的气体分配容积17中，
图7示出按照图6的处于第二位置中的视图，在所述第二位置中，连通口19连通下部的气体分配容积17'中，
图8示出处于第一位置中的第六实施例，在所述第一位置中，封闭元件25封闭上部的气体分配容积17'和下部的气体分配容积17之间的底板14中的开口22，
图9示出处于第二位置中的第六实施例，在所述第二位置中，开口22打开，
图10示出第七实施例，其中，能够通过封闭元件25的竖直升高来选择性地封闭相互邻接的气体分配容积17、17'的底板14中的两个开口22、22'，
图11示出第八实施例，其中，排气口19能够通过旋转打开或者关闭，
图12在第一位置中示出按照图11中的线XII-XII的剖面，并且
图13在第二位置中示出按照图12的剖面。
具体实施方式
所述实施例涉及具有至少五个、七个、九个、十一个或者十二个竖向相叠地布置的排气区Z1至Z12的进气装置，不同的气体、尤其处理气体或者惰性气体能够馈送到所述排气区中。进气装置10例如可以如图1示意性所示的那样在CVD反应器中使用。CVD反应器具有气密性的反应器壳体1。尤其由石墨制造的基座2位于反应器壳体1中，所述基座具有一个或多个基板9，所述基板在CVD反应器的处理室7中被一个或多个层地覆层、尤其III-V主族的层。为此借助加热装置3、尤其射频加热装置从下方加热基座2。基座2可以借助可转动的杆6围绕轴线转动驱动。基座2向下限定处理室7的边界，同时处理室顶盖8向上限定处理室7的边界。在所述实施例中，基座2具有朝向处理室7敞开的凹部，基板固持件4分别布置在所述凹部中，所述基板固持件能够支承一个或多个基板9。借助未示出的吹扫气体管路可以将吹扫气体馈送到凹部5中，所述吹扫气体使基板固持件保持悬浮地转动。进气装置10如图所示地位于处理室7的中心。
图2所示的进气装置10具有十二个相叠地布置的排气区Z1至Z12，其中，每个排气区具有相同的高度。然而排气区Z1至Z12也可以具有彼此不同的高度。最下部的排气区Z1由底板13向下限定边界。所述最下部的排气区由底板14相对于相邻的排气区Z2向上限定边界。分别通过底板14彼此分隔的其它排气区Z3至Z12布置在排气区Z2上方。最上部的排气区Z12具有盖板15。
每个排气区具有环形地包围的并且由彼此平行地延伸的底板14分隔的腔室，所述腔室构成气体分配容积17。气体分配容积17由在柱形外周面上延伸的排气壁11限定。排气壁11具有多个排气口12，馈送到气体分配容积17中的气体能够通过所述排气口参照排气装置10的轴线沿径向逸出。
设有多个输入管路18。所述输入管路可以由小管构成。每个输入管路18具有连通气体分配容积17中的连通口19。输入管路18在中心区域中连通气体分配容积中。气体容积17的中心区域被压力屏障16包围，以便在方位角方向上实现处理气体的均匀的逸出。压力屏障16可以由在圆弧线上延伸的壁构成，所述壁平行于排气壁11延伸。
每个输入管路18与气体管路L1至L12连接。气体管路L1至L12配属于气体混合系统。这在图2中示意性地示出。在此，平行地示出的气体管路L1至L12与四个馈送管路G1至G4交叉。在交叉位置上，空心的圆示出了关闭的阀并且实心的圆示出了打开的阀，气体管路L1至L12通过所述打开的阀在交叉位置上与馈送管路G1至G4连接。每个气体管路L1至L12在所述实施例中通过阀与每个馈送管路G1至G4连接，从而每种处理气体或者惰性气体都能够馈送到气体分配容积17中。在图2所示的实施例中，馈送管路G3可以以运载气体、例如H2、N2或者Ar进行馈送。馈送管路G2可以以氨或者其它氢化物进行馈送。馈送管路G1可以以三甲基铝或者其它III主族有机金属化合物进行馈送。
阀20这样连接，从而构成三个进气区域E1、E2、E3。第一进气区域E1由排气区Z1至Z5构成。V主族化合物通过这些进气区域E1的排气口流入处理室中。第二进气区域E2由排气区Z6至Z8构成。III主族化合物通过配属于进气区域E2的排气口12流入处理室中。排气区Z9至Z12构成第三进气区域E3，V主族化合物同样通过所述第三进气区域E3流入处理室中。在此附加地将氢气馈送到进气区域E3中。
通过改变阀位置、例如将馈送管路G2与气体管路L5连接的阀的阀位置能够缩小进气区域E1并且增大进气区域E2。通过在馈送管路G2与气体管路L1的交叉点和馈送管路G3与气体管路L1的交叉点上改变阀20的阀位置可以将惰性气体馈送到排气区Z1中。通过在气体管路L12与馈送管路G2的交叉点上改变阀20的阀位置能够实现，仅有惰性气体馈送到排气区Z12中。在馈送管路G2与气体管路L9、L10、L11的交叉位置上打开的阀使馈送到进气区域E3中的处理气体被稀释。通过关闭该阀可以消除稀释的作用。
图3所示的实施例与图2所示的实施例的区别主要在于，第一组A、A'气体管路L1至L4或者L9至L12能够选择性地仅与馈送管路G1连接，并且第二组B气体管路L3至L10能够选择性地与馈送管路G2连接。重要的是，气体管路L3、L4和L9、L10既属于第一组A也属于第二组B，从而能够通过这些气体管路L3、L4、L9、L10选择性地馈送III主族或者V主族化合物。通过切换相应的阀由此能够扩大或者缩小用于使III主族化合物馈送到处理室中的进气区域E2或者用于使V主族化合物馈送到处理室中的两个进气区域E1、E2。这仅通过阀的切换实现。
然而在图3所示的实施例中也可以设置其它馈送管路，通过所述其它馈送管路在不同交叉点(阀)上将惰性气体馈送到气体管路L1至L12中。通过布置在交叉位置L3/G1、L4/G1、L3/G2和L4/G1上的阀能够改变进气区域E1和E2的高度。通过布置在交叉位置L9/G1、L9/G2、L10/G2和L10/G2上的阀20能够改变进气区域E2和E3的高度。
图4所示的实施例与图2或者图3所示的实施例的主要区别在于，能够通过馈送管路G3附加地将H2馈送到最上部或者最下部的排气区Z1或者Z12中。在该情况中不将III主族或者V主族的处理气体馈送到最下部的排气区Z1或者最上部的排气区Z12中。
在此设置有五个进气区域E1、E2、E3、E4、E5，其中，进气区域E1仅具有唯一的排气区Z1，氢气馈送到该排气区中。进气区域E5也仅有唯一的排气区Z12，氢气通过该排气区馈送到处理室29中。进气区域E2具有三个排气区Z2至Z4，然而也可以通过改变阀位置缩小至排气区Z2或者扩大至四个排气区Z1至Z4。进气区域E3最多可以具有八个排气区Z3至Z9。然而在按照图4的阀位置中，进气区域E3仅具有五个排气区Z5至Z9。进气区域E4最多可以具有四个排气区Z8至Z12。在所述实施例中，多个阀如此开关，使得进气区域E4仅具有两个排气区Z10、Z11。所属的进气装置具有排气区Z1至Z12，所述排气区具有相同的高度，从而能够通过切换阀调节出具有不同高度的进气区域。这可以在沉积过程中、例如在更换处理气体时实现用于沉积不同性质的层。
图5示意性地示出了用于实现前述实施例的混合装置的示例。来自气体源的气体流被馈送到馈送管路G1、G2、G3之一中。借助质量流调节器27调节气体的质量流。通过阀20能够使质量流被分配至不同的排气区Z1至Z12。馈送管路G1至G3为此通过阀与气体管路L1至L12连接，所述气体管路分别连通输入管路18，所述输入管路又通过连通口19连通气体分配容积17。
在此也可以通过改变阀20的阀位置改变多个进气区域E1至E5的数量和高度，其中，每个进气区域E1至E5的特征在于，相同的处理气体通过所有对应于所述进气区域的排气区Z1至Z12流入处理室中并且进气区域E1至E5的所有排气区Z1至Z12相互邻接，即构成统一的、连贯的排气面。按照本发明，进气区域E1至E5的高度被理解为垂直于基座2的上侧延伸的处理室高度的区域。所述高度能够通过转换元件的转换改变，其中，所述转换元件可以是阀。
图6和图7所示的实施例示出了进气装置10的局部区域。构造为管的输入管路18可以沿着轴向移动。输入管路18具有止挡部24、24'，所述止挡部在图6和图7所示的两个端部位置中分别与底板14、14'接触。在图6所示的位置中，输入管路18的连通口19连通上部的气体分配容积17。在图7所示的位置中，输入管路18的连通口19连通位于所述上部的气体分配容积下方的气体容积17'。在转换时使用未示出的机械的切换装置，所述切换装置使输入管路18移动通过底板14的孔23。在此可以通过输入管路18将处理气体或者惰性气体选择性地馈送到相互邻接的气体分配容积17、17'中。
在图8和图9所示的实施例中，输入管路18连通下部的气体分配容积17。输入管路18没有连通位于所述下部的气体分配容积上方的气体分配容积17'。两个气体分配容积17、17'之间的底板14具有开口22，所述开口在图8所示的位置中被封闭元件25的端面25'气密地封闭。封闭元件25能够由未示出的机械的切换装置移动到图9所示的位置中，在所述位置中，开口22是开放的，从而处理气体能够从气体分配容积17流入气体分配容积17'中。
备选地也可以设置连通上部的气体分配溶剂17'的输入管路18，从而通过开口22产生混合。然而也可以规定，在开口22打开时处理气体仅流动通过其中一个输入管路18。在未示出的实施例中，可以在气体分配容积17'上方设置另外的气体分配容积17"，输入管路18连通所述另外的气体分配容积。通过与封闭元件25类似的其它封闭元件能够打开或者封闭容积17'、17"之间的底板中的另外的开口。通过这种布置方式能够实现交替切换，通过所述交替切换能够分别将三个容积17'、17"其中的两个容积相连。
在图10所示的实施例中，两个可以被馈送彼此不同的处理气体的气体分配容积17邻接气体分配容积17'。输入管路18、18'连通气体分配容积17。气体分配容积17'可以通过具有切换阀功能的封闭元件选择性地与上部的气体分配容积17"或者下部的气体分配容积17流体连接。布置在两个相邻的底板14中的开口22为此相互对齐，封闭元件25能够在所述底板之间运动，以便在封闭其中一个开口22时打开另一个开口22'。
如在图8和图9所示的实施例中那样，在图10所示的实施例中可以设置机械的操作元件，封闭元件25或者封闭元件25的杆能够通过所述操作元件机械地移动。
图11至13所示的实施例具有多个优选延伸通过进气装置10的整个轴向延伸尺寸的输入管路18。输入管路18具有一个或者多个径向的开口19，所述径向的开口分别连通排气区Z1至Z12中。输入管路18可以设计为能够围绕其轴线转动的管，所述管可以在彼此不同的方位角位置上具有开口19。通过转动构成输入管路18的管能够使开口19与外管26的排出口21到达相叠位置。输入管路18为此布置在外管内(图12)。在输入管路18的另一转动位置中(图13)，开口19封闭。通过转动或者备选地通过轴向移动构成输入管路18的管能够将不同处理气体馈送到气体分配容积17中。为了调节输入管路18可以设置机械的切换装置。然而备选地也可以以相似的方式转动外管26，从而使开口19、21相互对齐或者分别被其它管18、26的壁封闭。
在图6至图13所示的实施例中设置有未示出的机械的驱动器件，切换元件能够通过所述驱动器件移动，以便改变进气区域的排气区的数量并且由此改变所述进气区域的高度。
被视为本发明的一项特别的优点的是，能够借助布置在反应器壳体之内或者布置反应器壳体之外的切换元件改变进气区域E1至E5的排气面的有效尺寸。这优选通过接通、关闭或者切换一个或者多个输入管路18实现，其中，所述接通或者关闭优选借助阀20实现，所述阀可以布置在气体混合系统中。进气区域E1至E5总体上构成在圆柱形周向壁上延伸的排气区域，所述排气区域由多个优选相同地设计的排气区Z1至Z12构成。排气区Z1至Z12可以以不同的组合方式结合成连贯的进气区域E1至E5。为此有利的是，可以选择性地分别与不同的馈送管路G1至G4连接的独立的输入管路18至少分别连通其中几个气体分配容积17、即可以选择性地配属于彼此不同的进气区域E1至E5的气体分配容积。
上述实施方式用于阐述全部包含在本申请中的发明，本发明至少通过以下技术特征分别对现有技术进行创造性的改进，其中，两个、多个或全部技术特征组合也都可以结合，也即：
一种气体分配装置，具有多个相叠地布置的进气区域E1至E5，彼此不同的处理气体或者至少一种运载气体能够从所述进气区域进入CVD反应器的处理室7中，所述气体分配装置具有至少五个层状地相叠地布置的排气区Z1至Z12，所述排气区分别具有可被馈送气体流的气体分配容积17，所述气体分配容积通过中间隔板14与相邻的气体分配容积17'相分隔并且具有具备排气口12的排气壁11，其中，这些排气区Z1至Z12的排气壁11朝向相同的方向，并且多个相互邻接的排气壁11共同构成进气区域E1至E5，相同的处理气体能够分别通过所述进气区域排出到处理室7中，其中，通过接通、关闭或者切换一个或多个输入管路18来调节所述进气区域E1至E5的高度，处理气体通过输入管路18可以被馈送到气体分配容积17中。
一种气体分配装置，其特征在于，每个排气区Z1至Z12均具有连通气体分配容积17、17'的输入管路18，其中，所述输入管路18能够与用于馈送运载气体或者处理气体的馈送通道G1至G4连接，并且其中，彼此相邻的排气区Z1至Z12通过底板14、14’彼此相隔，或者这些排气区Z1至Z12中的至少几个排气区能够选择性地与不同的馈送通道G1至G4流体连接。
一种气体分配装置，其特征在于，第一组A、A'的排气区Z1至Z4、Z9至Z12)能够借助所述阀(20)与第一馈送管路G1连接，并且第二组B的排气区Z3至Z10能够借助所述阀20与第二馈送管路G2连接，其中，这些排气区Z3、Z4、Z9、Z10中的至少几个排气区能够选择性地与所述第一馈送管路G1或者所述第二馈送管路G2连接。
一种气体分配装置，其特征在于，两个或多个彼此不同的排气区Z1至Z12能够选择性地相互流体连接。
一种气体分配装置，其特征在于，设有多个机械的切换元件，通过多个机械的切换元件能够在打开或者封闭的位置之间切换所述输入管路18的开口19或者两个或多个排气区Z1至Z12之间的开口22、22'。
一种气体分配装置，其特征在于，设置有至少五个或者至少八个或者至少十个或者至少十二个排气区Z1至Z12。
一种气体分配装置，其特征在于，每个排气区Z1至Z12具有单独地配属于该排气区的输入管路18、18'，并且每个输入管路18、18'与气体混合系统的气体管路L1至L12连接，其中，这些输入管路18、18'中的至少多个输入管路能够通过多个阀20与多个馈送管路G1至G4之一流体连接，其中，每个馈送管路G1至G4具有质量流控制器27。
一种气体分配装置，其特征在于，构成输入管路18的管能够沿着横向于底板14、14'的延伸平面的方向移动，使得所述输入管路18的连通口19选择性地连通两个气体分配容积17、17'中的一个气体分配容积。
一种气体分配装置，其特征在于，构成输入管路18的管具有一个或多个开口19，所述开口连通气体分配容积17并且能够通过转动所述管或者外管26被封闭，所述管插入所述外管中。
一种气体分配装置，其特征在于，借助所述封闭元件能够选择性地打开或者封闭两个气体分配容积17、17'之间的底板14中的开口22。
一种气体分配装置，其特征在于，多个输入管路18和/或多个封闭元件25能够通过所述机械的切换元件在进气装置内进行位置移动。
一种方法，其特征在于，使用根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其中，通过联接多个相互邻接的排气区Z1至Z12调节进气区域E1至E5的高度。
一种CVD反应器，其特征在于，根据前述权利要求之一所述的进气装置布置在所述处理室7的中央，其中，在处理室底板和处理室顶盖之间相叠地布置的排气区Z1至Z12的排气壁11具有位于共同的柱形外周面中的排气壁11。
一种设备，其特征在于，所述气体混合系统具有多个馈送管路G1至G4，这些馈送管路分别与其它处理气体或者运载气体的源头连接，其中，多个气体管路L1至L12分别为排气区Z1至Z12的气体分配容积17供给处理气体或者运载气体，其中，多个气体管路L1至L12分别通过阀20与多个馈送管路G1至G4分别流体连接，从而通过改变阀20的位置能够选择性地将不同的处理气体或者运载气体馈送到各个气体分配容积17中。
所有公开的特征(作为单个特征或特征组合)都为发明本质所在。因此，本申请的公开内容也包含相关/所附的优先权文件(在先申请副本)公开的全部内容，为此，优先权文件的特征也一并纳入本申请的权利要求中。从属权利要求即使在不具有所引用的权利要求的特征的情况下也以它们的特征表明对现有技术的独立的有创造性的扩展设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。每项权利要求中所给出的实用新型可以另外具有在前述说明中尤其设有附图标记和/或在附图标记列表中给出的一个或多个特征。本发明还涉及多种设计方式，其中，在上述说明中提到的某些特征并未实施，尤其在其被认为对于相应的使用目的无关紧要或能够被其它技术作用相同的手段替换时。
附图标记列表
1 反应器壳体
2 基座
3 加热装置
4 基板固持件
5 凹部
6 杆
7 处理室
8 处理室顶盖
9 基体
10 进气装置
11 排气壁
12 排气口
13 底板
14 底板
14’ 底板
15 盖板
16 屏障
17 气体分配容积
17' 气体分配容积
18 输入管路
18' 输入管路
19 连通口
20 阀
21 排出口
22 开口
22' 开口
23 孔
24 止挡部
24' 止挡部
25 封闭元件
25' 封闭元件
26 外管
27 质量流调节器
A 第一组
A' 第二组
B 第二组
E1-E5 进气区域
L1-L12 气体管路
G1-G4 馈送管路
Z1-Z12 排气区
Claims (15)
1.一种气体分配装置，具有多个相叠地布置的进气区域(E1至E5)，彼此不同的处理气体或者至少一种运载气体能够从所述进气区域进入CVD反应器的处理室(7)中，所述气体分配装置具有至少五个层状地相叠地布置的排气区(Z1至Z12)，所述排气区分别具有气体分配容积(17)，用于馈送气体流的输入管路(18)连通所述气体分配容积，所述气体分配容积通过中间隔板(14)与相邻的气体分配容积(17、17'、17")相分隔并且具有具备排气口(12)的排气壁(11)，其中，这些排气区(Z1至Z12)的排气壁(11)朝向相同的方向，并且多个相互邻接的排气壁(11)共同构成进气区域(E1至E5)，相同的处理气体能够分别通过所述进气区域排出到处理室(7)中，其特征在于，设有配属于多个输入管路(18)的多个阀(20)或者多个机械的切换元件，从而能够通过接通、关闭或者切换一个或多个输入管路(18)来调节所述进气区域(E1至E5)的高度。
2.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述输入管路(18)能够与用于馈送惰性气体或者处理气体的馈送通道(G1至G4)连接，其中，这些排气区(Z1至Z12)中的至少几个排气区通过底板(14、14')相互分隔，或者这些排气区(Z1至Z12)中的至少几个排气区能够选择性地与不同的馈送通道(G1至G4)流体连接。
3.根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其特征在于，第一组(A、A')的排气区(Z1至Z4、Z9至Z12)能够借助所述阀(20)与第一馈送管路(G1)连接，并且第二组(B)的排气区(Z3至Z10)能够借助所述阀(20)与第二馈送管路(G2)连接，其中，这些排气区(Z3、Z4、Z9、Z10)中的至少几个排气区能够选择性地与所述第一馈送管路(G1)或者所述第二馈送管路(G2)连接。
4.根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其特征在于，两个彼此不同的排气区(Z1至Z12)能够选择性地相互流体连接。
5.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，通过多个机械的切换元件能够在打开或者封闭的位置之间切换所述输入管路(18)的开口(19)或者两个排气区(Z1至Z12)之间的开口(22、22')。
6.根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其特征在于，设置有至少五个或者至少八个或者至少十个或者至少十二个排气区(Z1至Z12)。
7.根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其特征在于，每个排气区(Z1至Z12)具有单独地配属于该排气区的输入管路(18、18')，并且每个输入管路(18、18')与气体混合系统的气体管路(L1至L12)连接，其中，这些输入管路(18、18')中的至少多个输入管路能够通过多个阀(20)与多个馈送管路(G1至G4)之一流体连接，其中，每个馈送管路(G1至G4)具有质量流控制器(27)。
8.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述机械的切换元件由构成至少一个输入管路(18)的管构成，所述管能够沿着横向于底板(14、14')的延伸平面的方向移动，使得所述输入管路(18)的连通口(19)选择性地连通两个气体分配容积(17、17')中的一个气体分配容积。
9.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述机械的切换元件由至少一个构成输入管路(18)的管构成，所述管具有一个或多个开口(19)，所述开口连通气体分配容积(17)并且能够通过转动所述管或者外管(26)被封闭，所述管插入所述外管中。
10.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述机械的切换元件由封闭元件(25)构成，借助所述封闭元件能够选择性地打开或者封闭两个气体分配容积(17、17')之间的底板(14)中的开口(22)。
11.根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其特征在于，多个输入管路(18)和/或多个封闭元件(25)能够通过所述机械的切换元件在进气装置内进行位置移动。
12.一种向CVD反应器的处理室(7)内馈送处理气体的方法，其特征在于，使用根据前述权利要求之一所述的气体分配装置，其中，通过联接多个相互邻接的排气区(Z1至Z12)调节进气区域(E1至E5)的高度。
13.一种CVD反应器，具有能够围绕转动轴线转动的基座(2)，所述基座具有朝向处理室(7)敞开的凹部(5)，基板固持件(4)分别位于所述凹部中，其中，所述处理室(7)在所述基座(2)和处理室顶盖(8)之间延伸，其特征在于，根据前述权利要求之一所述的进气装置布置在所述处理室(7)的中央，其中，在处理室底板和处理室顶盖之间相叠地布置的排气区(Z1至Z12)的排气壁(11)具有位于共同的柱形外周面中的排气壁(11)。
14.一种由CVD反应器和气体混合系统构成的设备，所述CVD反应器尤其是根据权利要求13所述的CVD反应器，其特征在于，所述气体混合系统具有多个馈送管路(G1至G4)，这些馈送管路分别与其它处理气体或者运载气体的源头连接，其中，多个气体管路(L1至L12)分别为排气区(Z1至Z12)的气体分配容积(17)供给处理气体或者运载气体，其中，多个气体管路(L1至L12)分别通过阀(20)与多个馈送管路(G1至G4)分别流体连接，从而通过改变阀(20)的位置能够选择性地将不同的处理气体或者运载气体馈送到各个气体分配容积(17)中。
15.一种气体分配装置或者方法或者CVD反应器或者设备，其特征在于，具有前述权利要求之一所述的一个或多个特定技术特征。
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