CN114779404B - 一种dmux器件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光通信技术领域，提供了一种DMUX器件，其中包括分光组件、第一偏振起检组件、第二偏振起检组件和单一磁体，在磁体的两侧且垂直于磁体的磁通方向上，以通光面垂直于磁通方向的方式，分别布置旋光介质，第一偏振起检组件、旋光介质和第二偏振起检组件依次排布在每一束出射光的光路上；第一偏振起检组件和第二偏振组件用于根据光的偏振方向，选择允许光通过或阻止光通过；磁体用于为旋光介质提供外磁场，使通过旋光介质的光产生磁致旋光效应，从而改变光的偏振方向，使出射光能够射出，且与出射光方向相反的光无法通过。本发明避免了因多个磁体导致器件安装困难或影响器件的使用寿命或导致器件损坏。

Description

一种DMUX器件

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，特别是涉及一种DMUX器件。

背景技术

在光通信中，DMUX作为最基础的元器件，广泛应于光通信系统中用于光信号的分波。但通常的DMUX的分波波段固定且单一，且分波数越多，其体积越大，所耗费的成本越高。

而为了防止DMUX中分光后的出射光被反射回来或因其他光的入射而影响分光过程，通常会装入光隔离器等光学元件。光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件，常用的光隔离器由磁环和填塞于磁环内侧的法拉第旋磁组件组成，通常，一个光隔离器用于一束光的隔离，但在分波器中，需要为分出的多束光实现光隔离效果，现有技术中所使用的方式是光隔离器的并列排布，但由于磁环之间存在相互排斥的作用力，其安装与固定较困难，使得出厂的DMUX器件存在一定的不合格率。且由于其排斥力长期存在，必然对用于固定磁环的器件产生持续的反作用力，从而影响DMUX器件的使用寿命，甚至导致DMUX器件损坏。

鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是在分出多束光出射时，需要使用多个隔离器实现光隔离，多个隔离器之间存在排斥力影响器件的安装和器件的使用寿命。

本发明进一步要解决的技术问题是提供一种DMUX器件，包括分光组件1、第一偏振起检组件2、第二偏振起检组件3和单一磁体4，在磁体4的两侧，且垂直于磁体4的磁通方向上，以通光面垂直于所述磁通方向的方式，分别布置旋光介质5，具体的：所述分光组件1用于将单束入射光分为至少两束出射光。

所述第一偏振起检组件2、旋光介质5和第二偏振起检组件3依次排布在每一束出射光的光路上。

所述第一偏振起检组件2和第二偏振组件用于根据光的偏振方向，选择允许光通过或阻止光通过。

所述磁体4用于为旋光介质5提供外磁场，使通过旋光介质5的光产生磁致旋光效应，从而改变光的偏振方向，使出射光能够通过第二偏振组件射出，且与出射光方向相反的光无法通过第一偏振组件到达分光组件1。

优选的，所述磁体4上设置有通槽41，用于将旋光介质5穿插到通槽41中，使旋光介质5被磁体4分隔为分别位于磁体4两侧的第一部分和第二部分，从而作用于至少两条光路。

优选的，所述旋光介质5的通光面的中心位置设置有防滑垫51，在将旋光介质5穿插到通槽41中时，通过防滑垫51与通槽41内壁的摩擦，使磁体4固定在旋光介质5的中心位置，从而使磁体4作用于第一部分与第二部分的磁通量大小一致。

优选的，所述分光组件1包括至少一个反射片11和至少两个滤片12，具体的：所述滤片12用于将接收到的光部分反射至反射片11，并将另一部分光透射射出，从而实现光的分束。

所述反射片11和滤片12相对设置，所述反射片11用于将由滤片12反射回来的光全反射至下一个滤片12，并通过下一个滤片12实现再次分束，从而将单束光分为多束出射光。

优选的，所述分光组件1还包括楔形台13，具体的：所述反射片11和滤片12相对设置于楔形台13的斜面的两端，每一个反射片11和滤片12位于斜面的不同高度位置。

在滤片12和反射片11之间反射的光在斜面上方传输，并与斜面平行，且通过使反射的光向上或向下爬伸，到达不同高度位置的滤片12，从而实现多束出射光在上下方向的错位射出，从而增大每条出射光之间的间隔。

优选的，所述DMUX器件还包括复位组件，具体的：所述复位组件位于第二偏振起检组件3的一侧，用于改变经过光隔离后错位出射的多束出射光的出射高度，使多束出射光之间的高度差维持在预设范围内。

优选的，所述楔形透镜6的斜面61与底面成45°夹角，所述楔形透镜6底面排列有多个相同高度的直角槽位62；

所述斜面用于将水平射至斜面上不同高度位置的光折射至直角槽位内，并通过直角槽位的槽面之间的反射和透射，使光从直角槽水平出射，从而使不同高度的入射光在出射时的高度差维持在预设范围内。

优选的，所述分光组件1还包括折射组件14，所述折射组件14用于将水平方向的入射光弯折预设角度后射至滤片12，使滤片12能够对入射光进行分束。

优选的，所述反射片11的反射面设置有高反射膜。

优选的，所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3分别是起偏器和检偏器，或所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3均为双折射晶体楔角片。

本发明通过在单一磁体的两侧，分别安装旋磁介质的方式，使磁体的磁场作用于多个旋磁介质，从而对多个光路实现光隔离效果，从而避免了因多个隔离器的多个磁体之间的排斥力而导致器件安装困难或影响器件的使用寿命更甚至导致器件损坏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本发明实施例提供的一种DMUX器件的俯视图；

图2是本发明实施例提供的一种DMUX器件磁体作用给旋光介质的磁场的俯视图；

图3是本发明实施例提供的一种DMUX器件中光隔离的原理示意图；

图4是本发明实施例提供的一种DMUX器件中光隔离的原理示意图；

图5是本发明实施例提供的一种DMUX器件中第一偏振起偏组件与第二偏振起偏组件的侧视示意图；

图6是本发明实施例提供的一种DMUX器件中磁体与旋光介质的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的一种DMUX器件中旋光介质的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种DMUX器件的俯视图；

图9是本发明实施例提供的一种DMUX器件中分光组件的俯视图；

图10是本发明实施例提供的一种DMUX器件的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的一种DMUX器件磁体作用给旋光介质的磁场的俯视图；

图12是本发明实施例提供的一种DMUX器件中复位组件的侧视图；

图13是本发明实施例提供的一种DMUX器件中复位组件的侧视图。

在所有附图中，附图标记如下，其中：

1、分光组件；11、反射片；12、滤片；13、楔形台；14、折射组件；2、第一偏振起检组件；3、第二偏振起检组件；4、磁体；41、通槽；5、旋光介质；51、防滑垫；6、楔形透镜；61、斜面；62、直角槽位；620、第一槽面；621、第二槽面。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，未经特殊说明，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本发明的限制。

此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

实施例1:

本发明实施例1提供了一种DMUX器件，如图1所示，包括分光组件1、第一偏振起检组件2、第二偏振起检组件3和单一磁体44，在磁体4的两侧，且垂直于磁体4的磁通方向上，以通光面垂直于所述磁通方向的方式，分别布置旋光介质5，具体的：

所述分光组件1用于将单束入射光分为至少两束出射光。

所述第一偏振起检组件2、旋光介质5和第二偏振起检组件3依次排布在每一束出射光的光路上。

所述偏振起检组件用于根据光的偏振方向，选择允许光通过或阻止光通过。

所述磁体4用于为旋光介质5提供外磁场，使通过旋光介质5的光产生磁致旋光效应，从而改变光的偏振方向，使出射光能够通过第二偏振组件射出，且与出射光方向相反的光无法通过第一偏振组件到达分光组件1。

其中，为了使输入分光组件1的光为单束光，可在分光组件1左侧设置单通道准直器，使输入光聚焦为一束，所述输入光可以是从输入光纤输入的，也可以是由光电转换组件将电信号转换为光信号输入，同理，所述出射光可以出射到光纤，或出射到相应的光电转换组件转换为电信号。

所述在磁体4的两侧并非是基于附图所示的方位和位置关系，而是在磁体4外围的磁通方向上，任何与磁通方向垂直且相对的两个方位均可视做磁体4的两侧，当以图2所示的方位和位置关系进行说明时，若磁体4的磁通方向为左右经行，则旋光介质5可安置在磁体4的上下两侧或前后两侧。在每一侧安装的旋光介质5可以为一个或多个，通过控制光路上作用的旋光介质5的数量，可控制光路上的光的偏振方向所改变的大小。所述磁体4施加给旋光介质5的磁场如图4中虚线所示，磁场与旋光介质5垂直，箭头所指方向为磁场方向，图4中仅为一种可能的磁场方向，磁场方向是由本领域技术人员根据第一偏振起检组件2、第二偏振起检组件3以及旋光介质5的性质所共同分析得出并设置的。

所述通光面为旋光介质5位于光路上时，光从旋光介质5中出射或入射时所经过的面。

其中，所述旋光介质5通常为法拉第旋光晶片，所述磁致旋光效应为：当在法拉第旋光晶片中作用有与光路平行的外磁场时，法拉第旋光晶片会对所有经过光路的偏振光产生作用，使不论光的传输方向，均使光的偏振方向向同一方向改变一定角度，所改变的角度与光在法拉第旋光晶片通过的距离、磁感应强度以及法拉第旋光晶体的材料特性有光，通常，光在法拉第旋光晶片通过的距离越长或磁感应强度越强，则所改变的角度越大。

所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3分别是起偏器和检偏器，或所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3均为双折射晶体楔角片。

当所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3是双折射晶体楔角片时，则所述选择光通过或阻止光通过是根据光的偏振方向及光的传播方向，选择将光水平射出至光纤或光电转换器件，或通过改变光的传播方向，使光无法射入光纤或光电转换器件。如图5所示：两个双折射晶体楔角片将旋光介质夹住，从而使光在出入双折射晶体楔角片时被折射从而改变光的传播方向。

当所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3为起偏器和检偏器时，则所述选择光通过或阻止光通过是根据光的偏振方向，选择或阻止其通过起偏器或检偏器。在选择通过或阻止的同时，还可对不同波长的光，设置不同的隔离度。

所述第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3可以是同一结构器件也可以是不同结构的器件，当使用同一结构器件时，如均采用偏振片，通过设置偏振片的放置方向，来改变偏振片所允许通过的光的偏振方向。

所述偏振片的作用原理为允许规定偏振方向的光通过，并阻止规定偏振方向以外的光通过。

当采用偏振片时，通常会使第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3所允许通过的偏振方向设置为不同偏振方向，如所述第一偏振起检组件2用于允许第一预设偏振方向的光通过，并阻止第一预设偏振方向以外的光通过；所述第二偏振起检组件3用于允许第二预设偏振方向的光通过，并阻止第二预设偏振方向以外的光通过。

所述磁体4和旋磁介质用于将第一预设偏振方向的光变为第二预设偏振方向，并将第二预设偏振方向的光变为第一预设方向以外的光，从而使光只能够从第一偏振起检组件2一侧向第二偏振起检组件3一侧单向传输。所述第一偏振方向与第二偏振方向通常夹角为45°或135°。

每一条出射光的光路可公用一个第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3，也可针对每一条出射光的光路，分别设置第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3。

当采用起偏器和检偏器作为第一偏振起检组件2、第二偏振起检组件3时，通过第一偏振起检组件2、第二偏振起检组件3、以及由磁体4的磁场所作用的旋光介质5共同实现光隔离的原理图如图3和图4所示，其中，图3为光在光路上正向传输，即从第一偏振起检组件2的一侧传播至第二偏振起检组件3的一侧的示意图，其中，第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3上的箭头指代两组件分别所允许通过的光的偏振方向，设第一偏振起检组件2所允许通过的光的偏振方向为垂直方向，第二偏振起检组件3所允许通过的光的偏振方向与垂直方向呈45°夹角。旋光介质5上的箭头指代在外磁场的作用下，光通过旋光介质5时光的偏振方向所改变的方向，如图3和图4所示为顺时针偏转，设其偏转的角度为45°。位于第一偏振起检组件2、第二偏振起检组件3以及旋光介质5以外的箭头指代光在传输过程中的偏振方向。

如图3中所示，设存在一束无偏振的光从第一偏振起检组件2一侧射入，当其通过第一偏振起检组件2时，由于第一偏振起检组件2的作用，将其变为垂直方向偏振的光，在通过旋光介质5时，其偏振方向被顺时针旋转45°，即偏振方向变为与垂直方向呈45°夹角，恰与第二偏振起检组件3所允许通过的光的偏振方向一致，故该光可正常射出。

如图4所示，设存在一束无偏振的光从第二偏振起检组件3一侧射入，当其通过第二偏振起检组件3时，由于第二偏振起检组件3的作用，将其变为与垂直方向呈45°方向偏振的光，在通过旋光介质5时，其偏振方向被顺时针旋转45°，即偏振方向变为水平方向，与第一偏振起检组件2所允许通过的光的偏振方向不一致，从而无法继续传输，从而起到隔离反向输入的光的作用。

本实施例通过在单一磁体4的两侧，分别安装旋磁介质的方式，使磁体4的磁场作用于多个旋磁介质，从而对多个光路实现光隔离效果，从而避免了因多个隔离器的多个磁体4之间的排斥力而导致器件安装困难或影响器件的使用寿命更甚至导致器件损坏。

在上述实施例中，对多个光道实现了磁体4的复用，使器件更小型化，并节省物料成本，为了进一步降低成本，可将旋光介质5进行复用，结合上述实施例，如图6所示，存在以下优选的实施例：

所述磁体4上设置有通槽41，用于将旋光介质5穿插到通槽41中，使旋光介质5的通光面被磁体4分隔为分别位于磁体4两侧的第一部分和第二部分，从而作用于至少两条光路。

所述通槽41可以是从磁体4内部贯穿的，也可以设置在磁体4的边缘，通槽41的设置应不改变与旋光介质5的通光面垂直的磁场方向。

本优选的实现方式通过将旋光介质5穿插到通槽41中，使旋光介质5被磁体4分隔，实现单个旋光介质5复用于磁体4两侧分别的光路，从而降低物料成本。

由于磁体4的磁场通常是在周围均匀分布的，而在上述优选的实施例中，将旋光介质5穿插到通槽41中时，可能由于第一部分与第二部分的面积不同，从而导致第一部分和第二部分所受到的磁通量不同，从而对各自光路中所改变的光的偏振方向的大小不同，当磁体4两侧的光路使用同一个第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3进行光隔离时，可能存在出射光能够从一侧的第二偏振起检组件3中射出，而另一侧不能的情况，或两侧的出射光均不能正常射出，且即使在设置时保持了第一部分与第二部分的磁通量相同，但在安装进器件外壳中后，由于壳体的碰撞或外部受力使两者的磁通量发生改变，影响出射光的正常射出，针对此问题，如图7所示，存在以下优选的实施例：

所述旋光介质5的通光面的中心位置设置有防滑垫51，在将旋光介质5穿插到通槽41中时，通过防滑垫51与通槽41内壁的摩擦，使磁体4固定在旋光介质5的中心位置，从而使磁体4作用于第一部分与第二部分的磁通量大小一致。

所述中心位置是当将所述旋光介质5插入到通槽41中，且使第一部分和第二部分的磁通量大小一致时，与通槽41内壁接触的任意位置。

本优选实施例通过在旋光介质5上设置防滑垫51，使旋光介质5与磁体4能够保持相对位置固定，从而使第一部分与第二部分磁通量大小一致，使两侧光路中对光的偏振方向所改变的大小一致，从而在使用同一个第一偏振起检组件2和第二偏振起检组件3时，两侧光路均能够达到正常的光隔离效果。

在上述实施例中，所述分光组件1的一种实现形式为所述分光组件1包括至少一个反射片11和至少两个滤片12，如图8所示，具体为：

所述滤片12用于将接收到的光部分反射至反射片11，并将另一部分光透射射出，从而实现光的分束。

所述反射片11和滤片12相对设置，所述反射片11用于将由滤片12反射回来的光全反射至下一个滤片12，并通过下一个滤片12实现再次分束，从而将单束光分为多束出射光。

所述滤片12用于对应的波长范围内的光透射射出，并将对应的波长范围外的光反射，对每一个滤片12可设计对应不同的波长范围，以使不同的波长的光出射，从而可对每一束出射光的波长实现精准控制。

所述反射到下一个滤片12上，具体为：由第一滤片12反射至第一反射片11的光，经第一反射片11反射到达第二滤片12，同样的，由第二滤片12反射至第二反射片11的光，经第二反射片11反射到达第三滤片12，依次对应，当存在n个滤片12时，应同时存在n-1个反射片11。

其中，如图9所示，各滤片12与反射片11平行相对放置，光在由滤片12反射至反射片11时或从反射片11反射至滤片12时的反射角相同，反射角的大小由本领域技术人员根据器件的需求分析得出，并通过改变滤片12与反射片11的相对位置以及入射光的射入角度，改变反射角的大小，从而改变分光组件1的大小和出射光的光路之间的间距。

在上述优选的实现方式中，通过滤光片和反射片11构成滤光组件和反射组件，从而在降低光的损耗和控制出射光的波长的同时，节省加工成本，降低加工难度。

由于在实际情况中，在光从光纤或光电转换器件输入到分光组件1时，通常从水平方向入射，为了使入射光能够以特定角度到达滤片12，如图9所示，还存在以下优选的实现方式,具体包括：

所述分光组件1还包括折射组件14，所述折射组件14用于将水平方向的入射光弯折预设角度后射至滤片12，使滤片12能够对入射光进行分束。

其中，所述预设角度由本领域技术人员根据滤片12、反射片11以及入射光的相对位置关系分析得出。

所述折射组件14可以是透镜、反射片11等，在此不做限定，如图9中为透镜。本优选的实现方式通过在入射光的光路上设置反射组件，从而使水平入射光能够到达滤片12并进行后续的正常分光过程。

作为一种优选的实现方式，结合上述优选实施例，还包括：

所述反射片11的反射面设置有高反射膜。用于加强光的全反射效果，降低光的反射损耗。

本实施例中的“第一”、“第二”和“第三”没有特殊的限定的含义，之所以用其做描述仅仅是为了方便在一类对象中差异出不同的个体进行表述，不应当将其作为顺序或者其他方面带有特殊限定含义解释。

实施例2：

在实施例1的基础上，为了使各个光路间存在一定间隔而不相互影响，且在在保持较高集成度的基础上出射4条出射光，如图10所示，提供了以下优选的实施例：

所述分光组件1还包括楔形台13，具体的：

所述反射片11和滤片12相对设置于楔形台13的斜面的两端，每一个反射片11和滤片12位于斜面的不同高度位置。

在滤片12和反射片11之间反射的光在斜面上方传输，并与斜面平行，且通过使反射的光向上或向下爬伸，到达不同高度位置的滤片12，从而实现多束出射光在上下方向的错位射出，从而增大每条出射光之间的间隔。

为了使入射光能够保持水平射入，而无需更改其射入方向，在入射光路上放置折射组件14，将水平射入的光折射为滤光片所需方向。

由于滤片12和反射片11的放置方向影响光的传输方向，通常，为了实现光的反射线路在同一水平面上，会将滤片12和反射片11垂直于水平面放置，在此实现方式下，为了使光沿斜面向上或向下爬伸，滤片12和反射片11与水平面之间的夹角应小于90°或大于90°，从而使光的方向存在一个向上或向下的分量。

本实施例通过在上下各放置两个旋光介质5，从而作用于4束出射光，使器件的竖直方向的空间得到利用，而无需要求器件提供更多的水平空间，且不仅使光在水平方向上错位射出，还使光在垂直方向错位射出，减少光路排布的密集度。

在上述实施例中，为了增大光路之间的间隔，使光在上下方向上错落出射，对此优选实施例，磁体4与旋光介质5所设置的相对位置关系如图10所示。

在磁体4上方和下方安装旋光介质5，使磁体4位于多个旋光介质5的相对中心位，对多个旋光介质5施加的磁场均与光路平行，使每一个旋光介质5中的磁场的大小相对保持较少的差距，再通过每一个光路上旋光介质5的数量的增减实现每一条光路中对光的偏振方向所改变的大小的一致。

如图11所示的虚线为磁体4的磁场走向正视图，当旋光介质5分别位于磁体4的上下时，由于磁体4上下的磁通量相同，故对每一个旋光介质5所作用的磁场大小相对差距较少。

在实际情况中，DMUX器件的输出光纤通常为水平设置的，当使用光电转换器时，同样为水平设置，光从左端进入分光组件11，从右端射出到光纤或光电转换器件，且在有多束出射光时，所对应的多个光纤通常位于同一水平面，而在上述优选实施例中，实现了出射光的上下错位，若在射入光纤或光电转换器件前，其错位若未被恢复，可能无法进入到相应的光纤或光电转换器件中，针对此问题，存在以下优选的实现方式：

所述DMUX器件还包括复位组件，具体的：所述复位组件位于第二偏振起检组件3的一侧，用于改变经过光隔离后错位出射的多束出射光的出射高度，使多束出射光之间的高度差维持在预设范围内。

所述预设范围由本领域技术人员根据输出光纤的位置和大小或光电转换器件的输入光口的大小和位置分析得出的。所述复位组件可以是对每一条光路所分别设计的不同角度放置的一个或反射片11，或对每一条光路所分别设计的不同形状的透镜，通过光的折射反射使光路回归到水平位置对齐。

所述复位组件还可以是两个反射片11，其中，第一反射片11与出射光的出射方向的垂面中的任一水平线平行，且第一反射片11与出射光的出射方向呈45°夹角，使出射光经过第一反射片11变为在同一垂直面垂直向下的光射到第二反射片11上，第二反射片11与垂直向下的出射光的出射方向呈45°夹角，使出射光变为平行出射的光。

所述复位组件还可以是一个楔形透镜6，如图12所示，具体为：所述楔形透镜(6)的斜面(61)与底面成45°夹角，所述楔形透镜(6)底面排列有多个相同高度的直角槽位(62)；

所述斜面用于将水平射至斜面上不同高度位置的光折射至直角槽位内，并通过直角槽位的槽面之间的反射和透射，使光从直角槽水平出射，从而使不同高度的入射光在出射时的高度差维持在预设范围内。

下面提供了一种详细的楔形透镜的实现方式：所述直角槽位62的第一槽面620与斜面61垂直，所述直角槽位62的第二槽面621与斜面61平行。

所述斜面61用于将水平入射的光弯折为垂直方向射至楔形透镜6的底部，所述第一槽面620用于将来自楔形透镜6内部且垂直的光水平反射给第二槽面621，所述第二槽面621用于将来自第一槽面620的光透射出楔形透镜6。通过将不同高度的光经过斜面61后弯折为垂直的光，并从楔形透镜6内部依次射至第一槽面620和第二槽面621后水平射出，使多束出射光之间的高度差维持在预设范围内。

在此优选的实施例中，当存在多束光时，需要调整楔形透镜6的位置，将光折射至第一槽面620才能够实现相应的效果，针对此问题，如图12所示，存在以下优选的实现方式：所述第二槽面621用于将垂直入射的光折射至水平方向并出射到楔形透镜6外部，并将水平入射的光全透射到楔形透镜6外部。

如图13所示，其中，出射光从楔形透镜6的斜面61射入透镜，变为垂直向下的光，变为垂直向下的出射光从楔形透镜6内部射入到第一槽面620上，被反射为水平方向的出射光从第二槽面621射出楔形透镜6，后再经过一个或多个第一槽面620与第二槽面621的透射最终从楔形透镜6的底部水平射出，从而使出射光能够水平射出到光纤或光电转换器件。所述水平射出并非指多束光绝对处于同一水平面上，而是多束光的垂直间距不超过预设范围，根据预设范围调整反射槽的大小，当反射槽越小，分布越密集，光射出的垂直间距越小。

本优选实施例通过对上下错位后的出射光再度复位，使出射光均恢复到同一水平面射出，从而使在光纤或光电转换器件均设置在同一水平面时，出射光能够正常射出。

本实施例中的“第一”、“第二”和“第三”没有特殊的限定的含义，之所以用其做描述仅仅是为了方便在一类对象中差异出不同的个体进行表述，不应当将其作为顺序或者其他方面带有特殊限定含义解释。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种DMUX器件，其特征在于，包括分光组件（1）、第一偏振起检组件（2）、第二偏振起检组件（3）和单一磁体（4），在磁体（4）的两侧，且垂直于磁体（4）的磁通方向上，以通光面垂直于所述磁通方向的方式，分别布置旋光介质（5），具体的：

所述分光组件（1）用于将单束入射光分为至少两束出射光；

所述第一偏振起检组件（2）、旋光介质（5）和第二偏振起检组件（3）依次排布在每一束出射光的光路上；

所述第一偏振起检组件（2）和第二偏振起检组件（3）用于根据光的偏振方向，选择允许光通过或阻止光通过；

所述磁体（4）用于为旋光介质（5）提供外磁场，使通过旋光介质（5）的光产生磁致旋光效应，从而改变光的偏振方向，使出射光能够通过第二偏振起检组件（3）射出，且与出射光方向相反的光无法通过第一偏振起检组件（2）到达分光组件（1）。

2.根据权利要求1所述的DMUX器件，其特征在于，所述磁体（4）上设置有通槽（41），用于将旋光介质（5）穿插到通槽（41）中，使旋光介质（5）被磁体（4）分隔为分别位于磁体（4）两侧的第一部分和第二部分，从而作用于至少两条光路。

3.根据权利要求2所述的DMUX器件，其特征在于，所述旋光介质（5）的通光面的中心位置设置有防滑垫（51），在将旋光介质（5）穿插到通槽（41）中时，通过防滑垫（51）与通槽（41）内壁的摩擦，使磁体（4）固定在旋光介质（5）的中心位置，从而使磁体（4）作用于第一部分与第二部分的磁通量大小一致。

4.根据权利要求1所述的DMUX器件，其特征在于，所述分光组件（1）包括至少一个反射片（11）和至少两个滤片（12），具体的：

所述滤片（12）用于将接收到的光部分反射至反射片（11），并将另一部分光透射射出，从而实现光的分束；

所述反射片（11）和滤片（12）相对设置，所述反射片（11）用于将由滤片（12）反射回来的光全反射至下一个滤片（12），并通过下一个滤片（12）实现再次分束，从而将单束光分为多束出射光。

5.根据权利要求4所述的DMUX器件，其特征在于，所述分光组件（1）还包括楔形台（13），具体的：

所述反射片（11）和滤片（12）相对设置于楔形台（13）的斜面的两端，每一个反射片（11）和滤片（12）位于斜面的不同高度位置；

在滤片（12）和反射片（11）之间反射的光在斜面上方传输，并与斜面平行，且通过使反射的光向上或向下爬伸，到达不同高度位置的滤片（12），从而实现多束出射光在上下方向的错位射出，从而增大每条出射光之间的间隔。

6.根据权利要求5所述的DMUX器件，其特征在于，所述DMUX器件还包括复位组件，具体的：

所述复位组件位于第二偏振起检组件（3）的一侧，用于改变经过光隔离后错位出射的多束出射光的出射高度，使多束出射光之间的高度差维持在预设范围内。

7.根据权利要求6所述的DMUX器件，其特征在于，所述复位组件是一个楔形透镜（6），具体的：

所述楔形透镜（6）的斜面（61）与底面成45°夹角，所述楔形透镜（6）底面排列有多个相同高度的直角槽位（62）；

所述斜面（61）用于将水平射至斜面（61）上不同高度位置的光折射至直角槽位（62）内，并通过直角槽位（62）的槽面之间的反射和透射，使光从直角槽（62）水平出射，从而使不同高度的入射光在出射时的高度差维持在预设范围内。

8.根据权利要求4所述的DMUX器件，其特征在于，所述反射片（11）的反射面设置有高反射膜。

9.根据权利要求4或5所述的DMUX器件，其特征在于，所述分光组件（1）还包括折射组件（14），所述折射组件（14）用于将水平方向的入射光弯折预设角度后射至滤片（12），使滤片（12）能够对入射光进行分束。

10.根据权利要求1-8任一所述的DMUX器件，其特征在于，所述第一偏振起检组件（2）和第二偏振起检组件（3）分别是起偏器和检偏器，或所述第一偏振起检组件（2）和第二偏振起检组件（3）均为双折射晶体楔角片。