CN114772592A - 钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供的钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：获取目标图像，从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置；当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机；控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。本发明可以智能调节电机，使光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏差在允许的误差范围内，从而可以保证各个钻石均匀生长，保证钻石质量。

Description

钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本发明涉及钻石培育技术领域，具体而言，涉及钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

目前，基于微波等离子体化学气相沉积（MicrowavePlasmaChemicalVaporDeposition，简称MPCVD）方法生产钻石（例如单晶钻石）具有生长速度较快，质量好，尺寸大等优点。

通常，MPCVD设备的生长腔内的等离子体通过聚集形成光球，光球的光能够照射到样本基台上的钻石上，促使钻石生长。在实际生产钻石的过程中，容易出现各个钻石生长速度不一致，生长出来的钻石的质量参差不齐的缺陷，而且，生长速度快的区域温度要高于生长速度慢的区域温度，这就导致整个生长环境温差较大，巨大的温差可能导致晶体裂开。因此，如何提供一种调节策略，提高钻石生长均匀度和质量，是需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质，用以提高提高钻石生长均匀度和质量。

第一方面，本发明提供一种钻石培育设备调节方法，所述钻石培育设备包括电机系统、腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体，所述等离子气体在所述腔体内通过聚集形成光球，所述方法包括：获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。

第二方面，本发明提供一种钻石培育设备调节装置，所述钻石培育设备包括腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体；所述等离子气体通过聚集形成光球；所述样本基台上具有钻石，包括：获取模块，用于获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；确定模块，用于从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；控制模块，用于控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。

第三方面，本发明提供一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序，所述处理器可执行所述计算机程序以实现第一方面所述的方法。

第四方面，本发明提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。

本发明实施例提供的钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质，首先获取目标图像，进而从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置；当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机；控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。本发明实施例可以基于图像识别出光球的中心位置和样本基台的中心位置，在确定这两个中心位置之间的距离差值大于第一预设阈值时自动调节电机，以使这两个中心位置之间的距离差值小于第一预设阈值，以使光球的中心位置能够允许的误差范围内，从而可以保证各个钻石均匀生长，保证钻石质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的一种钻石培育设备的部分结构示意图；

图2为本发明实施例提供的钻石培育设备调节方法的示意性流程图；

图3为本发明实施例提供的一种场景示意图；

图4为本发明实施例提供的步骤S203的示意性流程图；

图5为本发明实施例提供一种示例图；

图6为本发明实施例提供的步骤S204的示意性流程图；

图7为本发明实施例提供的另一种钻石培育设备调节方法的示意性流程图；

图8为本发明实施例提供的步骤S206的示意性流程图；

图9为本发明实施例提供的钻石培育设备调节装置的功能模块图；

图10为本发明实施例提供的一种电子设备的功能模块图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

目前，基于微波等离子体化学气相沉积（MicrowavePlasmaChemicalVaporDeposition，简称MPCVD）方法生产钻石（例如单晶钻石）具有生长速度较快，质量好，尺寸大等优点。请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种钻石培育设备的部分结构示意图。

如图1所示，钻石培育设备100的腔体内设置有样本基台，样本基台可以但不限于是钼基台，钼基台上放置有钻石晶体，腔体内具有充斥有等离子气体，等离子气体在腔体内通过聚集形成光球。

钻石培育设备100还具有电机系统，电机系统中主要有：短路活塞调节电机、耦合天线调节电机、以及三销钉调配器电机子系统。可以理解的是，通过对电机系统内各个电机进行控制调节，可以改变等离子气体在腔体内聚焦而成的光球的位置。

钻石培育设备100还安装有图像采集系统，该图像采集系统是由多个图像采集装置组成的，图像采集装置可以是一个或者多个，例如，图像采集系统是由图1中的左相机、右相机和后相机组成的，左相机和右相机相对于基台表面存在一定的拍摄角度，拍摄角度可以根据实际需求进行调整，后相机相对于钼基台表面的拍摄角度接近于0度，这三个相机从三个不同方向对腔体内进行图像采集，图像采集系统可以实时对腔体内目标物进行图像采集，采集的图像可以用来分析钻石生长状态信息。

通常，钻石培育设备的生长腔内的等离子体通过聚集形成光球，光球的光能够照射到样本基台上的钻石上，促使钻石生长。然而在实际场景中，通容易出现各个钻石生长速度不一致，生长出来的钻石的质量参差不齐的缺陷，而且，生长速度快的区域温度要高于生长速度慢的区域温度，这就导致整个生长环境温差较大，巨大的温差可能导致晶体裂开。

为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种钻石培育设备调节方法，请参见图2，图2为本发明实施例提供的钻石培育设备调节方法的示意性流程图，该方法包括：

S201，获取目标图像。

目标图像中具有光球和样本基台，该目标图像指得是将具有对称关系的多张图像合成而来的图像，如图1所示，上述所说的目标图像即是由左相机和右相机各自采集的图像合成而来。

S202，从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置。

获得目标图像之后，可以通过轮廓识别技术识别出光球和样本基台各自的轮廓信息，并基于确定的轮廓确定光球的中心位置和样本基台的中心位置。确定出来的光球的中心位置和样本基台的中心位置可以如图3所示，图3为本发明实施例提供的一种场景示意图。

S203，当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机。

可以理解的是，当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间出现偏差，说明光球的光线无法均匀覆盖在各个钻石表面，这就导致偏离位方向上的钻石生长较快，而其他位置上的钻石生长较快，而且偏离方向处的生长温度会较高，不仅影响钻石质量，还出现安全隐患。

结合图1所示可以看出，通过短路活塞和耦合天线的位置可以改变光球的位置，通过调节各个电机从而促使短路活塞或耦合天线位置改变，实现光球中心位置的改变。因此，为了准确调节光球位置，需要先确定需要调节电机是短路活塞对应的调节电机，还是耦合天线对应的调节电机。

需要说明的是，这里涉及的第一预设阈值和后续实施例中的用于控制微波反射功率的第二预设阈值仅仅是为了区分，并不是对预设阈值的限定。而且，第一预设阈值和第二阈值均可以根据实际需求进行设定，此处不作限定。

S204，控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。

在本发明实施例中，预设步数可以根据实际需求进行设定，此处不再设定，待调节电机每旋转预设步数之后，即可返回执行上述S201至S203，确定调节后的距离差值，并根据调节后的距离差值来确定待调节电机，直到距离差值小于第一预设阈值。

例如，继续以图1为例，假设待调节电机为短路活塞调节电机，控制短路活塞调节电机按照预设步数旋转之后，获得新的目标图像，从新的目标图像中确定调节后的光球的中心位置，并计算调节后的光球的中心位置与样本基台的中心位置之间新的距离差值，若新的距离差值小于第一预设阈值，则可以停止调节流程。但在调节过程中，很容易旋转过度或者旋转不足的情况，因此，若新的距离差值仍然大于第一预设阈值但偏离方向没有改变，说明电机旋转步数不足，则可以继续调节短路活塞调节电机，若新的距离差值仍然大于第一预设阈值但偏离方向发生改变，说明电机调节过度，则需要重新确定待调节电机，循环往复，直到距离差值小于第一预设阈值。

根据本发明实施例提供的钻石培育设备的调节方法，首先获取目标图像，进而从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置；当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机；控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。本发明实施例可以基于图像识别出光球的中心位置和样本基台的中心位置，在确定这两个中心位置之间的距离差值大于第一预设阈值时自动调节电机，以使这两个中心位置之间的距离差值小于第一预设阈值，以使光球的中心位置能够允许的误差范围内，从而可以保证各个钻石均匀生长，保证钻石质量。

请参见图4，图4为本发明实施例提供的步骤S203的示意性流程图，该示意性流程图展示了本发明实施例如何确定待调节电机的可能的实施方式，其中步骤S203可以包括如下步骤：

步骤S203-1，以目标图像的左上角为原点，以目标图像的长边为横坐标轴，并以目标图像的短边为纵坐标轴，构建图像坐标系；

步骤S203-2，在图像坐标系中，以样本基台的中心位置为原点，构建第一基准线和第二基准线，其中，第一基准线平行于横坐标轴，第二基准线平行于纵坐标轴；第一基准线和第二基准线垂直相交于原点；

步骤S203-3，根据预设的样本基台尺寸、以及样本基台的中心位置，确定偏离区域的坐标信息，以及第一基准线和第二基准线各自的坐标信息。

可以理解的是，偏离区域范围与样本基台的尺寸大小一致或者小于样本基台的尺寸。

步骤S203-4，根据光球的中心位置、以及偏离区域的坐标信息，第一基准线和第二基准线各自的坐标信息，确定光球的偏离方向；

步骤S203-5，根据预设的偏离方向与电机的对应的关系，确定待调节电机。

在本发明实施例中，不同偏离方向对应不同的电机，以图像坐标系为参考对象，短路活塞调节电机可以控制光球的中心位置在相对于样本基台中心位置的竖直方向移动，而耦合天线调节电机可以控制光球在相对于样本基台中心位置的水平方向移动。

上述竖直方向对应样本基台表面的前后方向（这里的前后方向可以以图1中的后相机为参照物，靠近后相机则表明向后偏移，远离后相机表明向前），水平方向对应样本基台表明的左右方向，（这里的左右方向可以以图1中的左相机和右相机为参照物，靠近左相机则表明向左偏移，靠近右相机表明向右偏移）。

也就是说，本发明实施例可以基于图像坐标系确定在目标图像中，该光球的中心位置相对于样本基台中心位置的偏离位置；然后基于该偏离位置确定样本基台表面上，该光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏移方向，然后基于偏移方向与电机的对应关系，确定待调节电机。

为了方便上述偏离情况，请参见图5，图5为本发明实施例提供一种示例图，其中A为样本基台的中心位置，B为光球的中心位置,图5中展示了五种不同的偏离情况，首先，情形1和情形2均表示B位于第二基准线上，情形3和情形4均表示B位于第一基准线上，情形5表示B位于偏离区域范围内。

结合图5和图1，在上述步骤S203-4中，若光球的中心位置的横坐标与第二基准线的坐标信息相同，则确定光球的偏离方向在第二基准线上（如情形1和情形2），即表明偏离方向为竖直方向，也就是样本基台的前后方向，则对应的待调节电机为短路活塞调节电机；若光球的中心与第一基准线的坐标相同，则确定光球的偏离方向在第一基准线上（如情形3和情形4），即表明偏离方向为水平方向，也就是样本基台的左右方向，则对应的待调节电机为耦合天线调节电机；否则确定光球的偏离方向在偏离区域范围内（如情形5），则需要协同调节耦合天线调节电机和短路活塞调节电机。

参见图6，图6为本发明实施例提供的步骤S204的示意性流程图，其中步骤S204可以包括如下步骤：

步骤S204-1，根据起始旋转方向，控制待调节电机按照预设步数旋转。

可以理解的是，该起始旋转方向可能是顺时针旋转方向或者是逆时针旋转方向。

步骤S204-2，确定调节后的距离差值的变化趋势是增大还是减小。

在本发明实施例中，可以将调节后的距离差值和调节前的距离差值进行比较，确定距离差值的变化趋势。若调节后的距离差值大于调节前的距离差值，说明化趋势是增大；若调节后的距离差值小于调节前的距离差值，说明化趋势是减小。

步骤S204-3，若变化趋势为增大，则沿与起始旋转方向相反的旋转方向，控制待调节电机按照预设步数旋转,直到距离差值小于第一预设阈值，停止调节待调节电机。

步骤S204-4，若变化趋势为减小，则继续执行根据起始旋转方向，控制待调节电机按照预设步数旋转，直到距离差值小于第一预设阈值，停止调节待调节电机。

可以理解的是，若变化趋势为增大，说明待调节电机当前的旋转方向无法起到缩小距离差值的效果，因此需要更改待调节电机的旋转方向，若变化趋势为减小，说明待调节电机当前的旋转方向起到缩小距离差值的效果，可以继续按照起始旋转方向控制待调节电机旋转，直到距离差值小于第一预设阈值。

下面结合图1以及图5，具体阐述上述实施方式给出具体的调节原理：

1）光球中心向前方偏离：控制短路活塞调节电机顺时针方向旋转（短路活塞向后方向移动），直至调节后的距离差值小于第一预设阈值后，停止调节；

2）光球中心向后方偏离：控制短路活塞调节电机逆时针方向旋转（短路活塞向前方向移动），直至向后方的偏离值小于设定值停止。

3）光球中心向左方偏离：控制耦合天线调节电机顺时针方向旋转（耦合天线向下方向移动），如果向左方的偏离值变小，调节电机继续顺时针旋转直至向左方的偏离值小于设定值停止；如果向左方的偏离值变大，调节电机将转为逆时针方向旋转，直至调节后的距离差值小于第一预设阈值后，停止调节；

4）光球中心向右方偏离：控制耦合天线调节电机逆时针方向旋转（耦合天线向上方向移动），如果向右方的偏离值变小，调节电机继续逆时针旋转直至向右方的偏离值小于设定值停止；如果向右方的偏离值变大，调节电机将转为顺时针方向旋转，直至调节后的距离差值小于第一预设阈值后，停止调节；

5）光球中心在偏离区域内，则协同控制耦合天线调节电机和短路活塞调节电机，直至调节后的距离差值小于第一预设阈值后，停止调节。在协同控制的过程中，对不同电机的控制流程如上述步骤S203-1至步骤S203-4所示，此处不再赘述。

通常在晶体生长过程中，还需要保证钻石设备输出的微波能够全部被利用，这样才能保证钻石的生长质量，还能降低能源浪费，但是在实际场景中，容易出现微波利用率低的情况，因此，本发明实施例提供了一种实施方式，请参见图7，图7为本发明实施例提供的另一种钻石培育设备调节方法的示意性流程图，该方法还包括：

步骤S205，获取钻石培育设备的微波反射功率。

步骤S206，当微波反射功率大于第二预设阈值，控制调节三销钉调配器电机子系统，直到微波反射功率小于第二预设阈值。

结合图1可以看出，三销钉调配器电机子系统至少包含有3个电机，因此，对于如何调节这多个电机，本发明实施例给出了一种可能的实施方式，请参见图8，图8为本发明实施例提供的步骤S206的示意性流程图，其中步骤S206可以包括如下步骤：

步骤S206-1，当微波反射功率大于第二预设阈值，确定多个电机的调节顺序。

在一种实施方式中，多个电机的调节顺序可以是随机确定的。

例如，以图1所示的三个三销钉调节电机为例，假设从左到右的电机分别为电机1，电机2和电机3，那么可以随机确定这三个电机的调节顺序，例如，调节顺序可以是电机1->电机2->电机3,还可以是电机2->电机3->电机1，还可以是其他组合形式，这里不再一一列举。

在另一种实施方式中，还可以按照多个电机与微波输出口的距离确定调节顺序。

继续以上述电机1，电机2和电机3为例，可以看出，电机1，电机2和电机3与微波出口的距离依次变道，因此，可以按照距离从小到大的顺序，确定调节顺序为电机1->电机2->电机3，或者按照距离从大到小的顺序，确定调节顺序为电机3->电机2->电机1。

步骤S206-2，按照调节顺序对多个电机进行调节，直到微波反射功率小于第二预设阈值。

在本发明实施例中，对这多个电机进行调节的过程，和对上述待调节电机的调节过程类似，即对任意一个电机，先从起始旋转方向，按照预设旋转步数进行旋转，确定调节后的微波反射功率的变化趋势是增大还是减小，若是增大则将旋转方向调整为与起始旋转方向相反的方向进行旋转，若是减小，继续以起始旋转方向进行旋转。

在执行步骤S206-2的过程中，可以按照如下方式进行：

a1，在按照调节顺序进行调节的过程中，针对任意一个电机，若确定调节后的微波反射功率小于第二预设阈值，则停止调节；

a2，若确定调节后的微波反射功率大于第二预设阈值且调节后的微波反射功率不再改变，则停止调节任意一个电机，控制调节剩余电机，直到微波反射功率小于第二预设阈值。

为了方便理解，继续以上述电机1，电机2和电机3为例，假设调节顺序为电机1->电机2->电机3。

先控制电机1顺时针旋转，如果微波反射功率变小，则控制电机1将继续顺时针旋转，如果微波反射功率变大，调节电机1将转为逆时针旋转，在调节电机1的过程中，若调节后的微波反射功率小于第二预设阈值，则停止调节。若确定调节后的微波反射功率大于第二预设阈值且调节后的微波反射功率不再改变，则停止调节电机1，按照调节顺序，启动调节电机2。

以此类推，控制电机2顺时针旋转，如果微波反射功率变小，调节电机2将继续顺时针旋转，直至微波反射功率小于第二预设阈值，或者微波反射功率降到某一个值后不再继续降低时停止；如果微波反射功率变大，调节电机2将转为逆时针旋转，直至微波反射功率小于第二预设阈值，或者微波反射功率降到某一个值后不再继续降低时停止。

当微波反射功率降到某一个值后不再继续降低但还大于第二预设阈值时，控制电机3顺时针旋转，如果微波反射功率变小，调节电机3将继续顺时针旋转，直至微波反射功率小于第二预设阈值，或者微波反射功率降到某一个值后不再继续降低时停止；如果微波反射功率变大，调节电机2将转为逆时针旋转，直至微波反射功率小于第二预设阈值，或者微波反射功率降到某一个值后不再继续降低时停止。

在可选地实施方式中，当对多个电机依次调节之后，调节后的微波反射功率大于第二预设阈值，则输出报警提示信息。

例如，继续以上述调节顺序电机1->电机2->电机3为例。当对这三个电机依次调节完之后，微波反射功率还大于第二预设阈值时，重复调节电机1、2、3的调节顺序，当重复调节预设的次数反射功率值还大于设定值时，报警提示人工干预。

通过上述调节方式，可以提高微波利用率，降低能源浪费，保证钻石的生长质量。

基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种钻石培育设备调节装置，请参见图9，图9为本发明实施例提供的钻石培育设备调节装置的功能模块图，钻石培育设备包括腔体、样本基台；腔体内具有等离子气体；等离子气体通过聚集形成光球；样本基台上具有钻石，钻石培育设备调节装置300包括：

获取模块310，用于获取目标图像；目标图像中具有光球和样本基台；

确定模块320，用于从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置；当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机；

控制模块330，用于控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。

可以理解的是，获取模块310、确定模块320和控制模块330可以协同的执行图2中的各个步骤以实现相应的技术效果。

在可选的实施方式中，确定模块320还可以用来执行图4中的各个步骤，控制模块还可以用来执行图6、图7、图8中的各个步骤、以及步骤a1至步骤a2以实现相应的技术效果。

本发明实施例还提供了一种电子设备，可以用来执行本发明实施例提供的钻石培育设备调节方法，请参见图10，图10为本发明实施例提供的一种电子设备400的功能模块图，参照图10所示，电子设备400包括存储器401、处理器402和通信接口403，该存储器401、处理器402和通信接口403相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。

存储器401可用于存储软件程序及模块，如本发明实施例提供的钻石培育设备调节装置300指令/模块，可以软件或固件（firmware）的形式存储于存储器401中或固化在电子设备400的操作系统（operatingsystem，OS）中，处理器402通过执行存储在存储器401内的软件程序及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理。该通信接口403可用于与其他节点设备进行信令或数据的通信。

其中，存储器401可以是但不限于，随机存取存储器(RandomAccessMemory，RAM)，只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM)，可编程只读存储器(ProgrammableRead-OnlyMemory，PROM)，可擦除只读存储器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EPROM)，电可擦除只读存储器(ElectricErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)等。

处理器402可以是一种集成电路芯片，具有信号处理能力。该处理器402可以是通用处理器，包括中央处理器(CentralProcessingUnit，CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，NP)等；还可以是数字信号处理器(DigitalSignalProcessing，DSP)、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field－ProgrammableGateArray，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

在可选的实施方式中，上述电子设备400可以是钻石培育设备；在另一种可选的实施方式中，上述电子设备400可以但不限于是工控机、上位机、计算机、平板电脑、移动终端等，可以与钻石培育设备100之间连接，并可以相互通信，通信方式及接口可以是多样化的，比如HDMI通过接口、USB通信接口、RJ45网口通信接口等等。

可以理解，图10所示的结构仅为示意，电子设备400还可以包括比图10中所示更多或者更少的组件，或者具有与图10所示不同的配置。图10所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。

本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如前述实施方式中任一项的钻石培育设备调节方法。该计算机可读存储介质可以是，但不限于，U盘、移动硬盘、ROM、RAM、PROM、EPROM、EEPROM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

应该理解到，在本发明所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-OnlyMemory）、随机存取存储器（RAM，RandomAccessMemory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

Claims (10)

1.一种钻石培育设备调节方法，其特征在于，所述钻石培育设备包括电机系统、腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体，所述等离子气体在所述腔体内通过聚集形成光球，所述方法包括：

获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；

从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；

当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；

控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。

2.根据权利要求1所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机，包括：

以所述目标图像的左上角为原点，以所述目标图像的长边为横坐标轴，并以所述目标图像的短边为纵坐标轴，构建图像坐标系；

在所述图像坐标系中，以所述样本基台的中心位置为原点，构建第一基准线和第二基准线，其中，所述第一基准线平行于所述横坐标轴，所述第二基准线平行于所述纵坐标轴；所述第一基准线和所述第二基准线垂直相交于所述原点；

根据预设的样本基台尺寸、以及所述样本基台的中心位置，确定偏离区域的坐标信息，以及所述第一基准线和所述第二基准线各自的坐标信息；

根据所述光球的中心位置、以及所述偏离区域的坐标信息，所述第一基准线和所述第二基准线各自的坐标信息，确定所述光球的偏离方向；

根据预设的偏离方向与电机的对应的关系，确定所述待调节电机。

3.根据权利要求1或2所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机，包括：

根据起始旋转方向，控制所述待调节电机按照预设步数旋转；

确定调节后的所述距离差值的变化趋势是增大还是减小；

若所述变化趋势为增大，则沿与所述起始旋转方向相反的旋转方向，控制所述待调节电机按照预设步数旋转,直到所述距离差值小于所述第一预设阈值，停止调节所述待调节电机;

若所述变化趋势为减小，则继续执行所述根据起始旋转方向，控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到所述距离差值小于所述第一预设阈值，停止调节所述待调节电机。

4.根据权利要求1所述的钻石培育设备调节方法，所述电机系统还包括三销钉调配器电机子系统，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述钻石培育设备的微波反射功率；

当所述微波反射功率大于第二预设阈值，控制调节所述三销钉调配器电机子系统，直到所述微波反射功率小于第二预设阈值。

5.根据权利要求4所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，所述三销钉调配器电机子系统中包含多个电机；

当所述微波反射功率大于第二预设阈值，控制调节所述三销钉调配器电机子系统，直到所述微波反射功率小于第二预设阈值，包括：

当所述微波反射功率大于第二预设阈值，确定所述多个电机的调节顺序；

按照所述调节顺序对所述多个电机进行调节，直到所述微波反射功率小于第二预设阈值。

6.根据权利要求5所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，按照所述调节顺序对所述多个电机进行调节，直到所述微波反射功率小于第二预设阈值，包括：

在按照所述调节顺序进行调节的过程中，针对任意一个电机，若确定调节后的微波反射功率小于第二预设阈值，则停止调节；

若确定调节后的微波反射功率大于所述第二预设阈值且调节后的微波反射功率不再改变，则停止调节所述任意一个电机，控制调节剩余电机，直到所述微波反射功率小于第二预设阈值。

7.根据权利要求5或6所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，所述方法还包括：

当对所述多个电机依次调节之后，调节后的所述微波反射功率大于第二预设阈值，则输出报警提示信息。

8.一种钻石培育设备调节装置，其特征在于，所述钻石培育设备包括电机系统、腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体，所述等离子气体在所述腔体内通过聚集形成光球，包括：

获取模块，用于获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；

确定模块，用于从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；

控制模块，用于控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器；所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序，所述处理器可执行所述计算机程序以实现权利要求1-7任一项所述的方法。

10.一种存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序；所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的方法。

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