CN114760746A - 一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置,所述等离子体发生单元至少包括:低压电极片,两侧涂覆有绝缘介质片;高压电极片,两侧涂覆有所述绝缘介质片,且所述高压电极片与所述低压电极片平行设置,且所述低压电极片与所述高压电极片螺旋卷绕;以及壳体,包覆在所述低压电极片和所述高压电极片外部,且所述壳体封闭所述高压电极片和所述低压电极片的两端,相邻的所述低压电极片和所述高压电极片之间形成放电通道。本发明提供的一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置,能有效产生高浓度的臭氧水。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体发生器技术领域,具体为一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置。
背景技术
臭氧是一种极有效的杀菌剂,可采用等离子体发生装置将氧气电离以产生等离子体,从而高效制备高浓度臭氧。由于产生臭氧的反应是放热反应,同时产生等离子体的高压放电本身也将产生大量的热量,导致在放电间隙将产生大量的热量,等离子体发生装置温度升高。而臭氧受热容易分解,且高温也会限制臭氧的溶解效率,导致产生的臭氧利用率不高。而且现有的等离子体发生装置的放电面积不够大,从而限制了等离子体放电效率。因此急需一种杀菌能力强、效率高且无公害的等离子体臭氧杀菌装置。
发明内容
本发明提出了一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置,能够增大等离子体放电的面积以及提高等离子体产生的臭氧水的溶解效率,高效产生高浓度的臭氧水,一方面能够提高臭氧的利用率,减少能源的浪费,另一方面高浓度的臭氧水也有利于增强消杀病毒的效果。
为解决上述技术问题,本发明是通过如下的技术方案实现的:
本发明提出一种等离子体发生单元,所述等离子体发生单元至少包括:
低压电极片,两侧涂覆有绝缘介质片;
高压电极片,两侧涂覆有所述绝缘介质片,且所述高压电极片与所述低压电极片平行设置,且所述低压电极片与所述高压电极片螺旋卷绕;以及
壳体,包覆在所述低压电极片和所述高压电极片外部,且所述壳体封闭所述高压电极片和所述低压电极片的两端,相邻的所述低压电极片和所述高压电极片之间形成放电通道。
在本发明一实施例中,所述等离子体发生单元还包括保护罩,所述壳体设置在所述保护罩内,且所述保护罩上设置有多个第一类型孔。
在本发明一实施例中,所述保护罩包括多个第一弯折部,在每个所述弯折部处设置有所述壳体,以及设置在所述壳体内的所述低压电极片和所述高压电极片。
在本发明一实施例中,所述第一类型孔的孔径为500-1200μm。
本发明还提供一种等离子体臭氧发生装置,至少包括:
氧气进气单元;
等离子体发生单元,与所述氧气进气单元连通,且所述等离子体发生单元包括:
低压电极片,两侧涂覆有绝缘介质片;
高压电极片,两侧涂覆有所述绝缘介质片,且所述高压电极片与所述低压电极片平行设置,且所述低压电极片与所述高压电极片螺旋卷绕;以及
壳体,包覆在所述低压电极片和所述高压电极片外部,且所述壳体封闭所述高压电极片和所述低压电极片的两端,相邻的所述低压电极片和所述高压电极片之间形成放电通道;
纯净水雾化单元,设置在所述等离子体发生单元的一侧,且所述纯净水雾化单元靠近所述等离子体发生单元的一侧设有多个第二类型孔。
在本发明一实施例中,所述纯净水雾化单元包括纯净水输送管,且所述纯净水输送管包括多个第二弯折部,所述第二类型孔设置在所述第二弯折部靠近所述等离子体发生单元的一侧。
在本发明一实施例中,所述第二类型孔的孔径为500-800μm。
在本发明一实施例中,所述装置包括外舱,所述等离子体发生单元与所述纯净水雾化单元设置在所述外舱内相对的两侧。
在本发明一实施例中,所述装置还包括冷凝单元,所述冷凝单元位于所述外舱的一侧,且所述冷凝单元与所述外舱连通。
在本发明一实施例中,所述装置还包括动力源,所述动力源与所述纯净水雾化单元连接,以调节所述第二类型孔和所述第一类型孔之间的所述孔间距。
本发明提出一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置,能够增大等离子体放电的面积以及提高等离子体产生的臭氧水的溶解效率,高效产生高浓度的臭氧水,一方面能够提高臭氧的利用率,减少能源的浪费,另一方面高浓度的臭氧水也有利于增强杀菌效果。
附图说明
图1是本发明中一种等离子体臭氧发生装置的结构示意图。
图2是本发明中一种等离子体臭氧发生装置的局部结构示意图。
图3是本发明中一种等离子体发生单元的结构示意图。
图4是本发明中一种等离子体发生单元内部结构示意图。
图5是图4中等离子体发生单元内部结构的俯视图。
图6是本发明中一种高压电极片和低压电极片的结构示意图。
图7是本发明图1中冷凝单元的结构示意图。
附图标记说明:
100、外舱;200、等离子体发生单元;201、高压电极片;202、低压电极片;203、绝缘介质片;204、第一弯折部;205、第一类型孔;206、第一激光传感器组;207、保护罩;208、壳体;2081、放电通道;300、氧气进气单元;301、氧气供气部;302、连接管;303、阀门;400、纯净水雾化单元;401、超声片;402、纯净水输送管;403、第二类型孔;404、驱动杆;405、动力源;406、第二激光传感器组;407、蓄水部;408、第二弯折部;500、冷凝单元;501、制冷片;502、制热片;503、风扇;504、出水管。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
下面结合若干实施例及附图对本发明的技术方案做进一步详细说明,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
臭氧具有较高的氧化还原电位,因此臭氧具有极强的氧化能力,能够降解水中多种杂质和杀灭多种致病菌、霉菌、病毒,以及杀死诸如饰贝科软体动物幼虫及水蚤轮虫等。臭氧杀菌可运用在生活用水、废水、工业生产空气氧化、食品工业和冷藏、药业生成、室内空间杀菌等行业。工业应用的臭氧发生器是根据介质阻挡放电产生等离子体的原理制作的,介质阻挡放电是一种有绝缘介质插入放电空间的气体放电形式,贯穿两电极的放电通道被气隙中的绝缘介质阻挡,从而在通道中产生大面积、高密度的臭氧产物。
请参阅图1所示,本发明提出一种等离子体臭氧发生装置,包括外舱100、等离子体发生单元200、氧气进气单元300、纯净水雾化单元400以及冷凝单元500。通过氧气进气单元300提供氧气,在等离子体发生单元200的作用下将氧气电离成臭氧气体分子,臭氧气体分子与纯净水雾化单元400产生的纳米颗粒的雾化水分子大面积接触,之后在冷凝单元500中形成臭氧水溶液。本发明提供的一种等离子体臭氧发生装置,可提高等离子体产生的臭氧水的溶解效率,进而提高臭氧水的形成效率。
请参阅图1所示,氧气进气单元300设置在外舱100的一侧,且与外舱100连通。氧气进入外舱100后,在等离子体发生单元200的作用下被电离成臭氧。在本发明一实施例中,氧气进气单元300包括氧气供气部301、连接管302和阀门303。在本发明一实施例中,氧气供气部301通过连接管302连接在外舱100的一端,连接管302上设置有阀门303,以控制氧气进气流量。
请参阅图1所示,在本发明一实施例中,氧气供气部301例如可以为氧气瓶。在其他实施例中,氧气供气部301例如还可以为氧气发生器。更进一步,氧气供气部301例如为大功率空气压缩分离制氧机。在本发明一实施例中,氧气供气部301的压强例如设置为2-10个大气压,进一步的,可设置为2-5个大气压。连接管302采用耐腐蚀的材料制成,且本发明对连接管302的材质不加以限制。在本实施例中,连接管302为高纯度硅胶导管,在其他实施例中,连接管302还可以为例如聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene,PTFE)导管、玻璃连接导管、不锈钢导管。为实现进入外舱100中氧气流量的精密控制,将阀门303设置为一种高精密度气体流量阀。本发明对阀门303的种类不加以限制,具体的,阀门303例如为陶瓷内芯精密流量阀。可通过紧固或松弛阀门303来调控氧气进气流量,在本发明一实施例中,氧气进气流量可以控制在例如0.1-5L/min范围内。
请参阅图1-图6所示,等离子体发生单元200设置在外舱100内,且位于外舱100靠近氧气供气部301的一侧。等离子体发生单元200通过连接管302与氧气进气单元300连通,以将氧气电离成臭氧。在本发明一实施例中,等离子体发生单元200为平板式的电极结构,等离子体发生单元200包括高压电极片201、低压电极片202、绝缘介质片203、壳体208和保护罩207。高压电极片201两侧涂覆有绝缘介质片203,低压电极片202两侧涂覆有绝缘介质片203,涂覆有绝缘介质片203的低压电极片202与涂覆有绝缘介质片203的高压电极片201之间具有预设距离,贯穿高压电极片201和低压电极片202两电极的放电通道2081被绝缘介质片203阻挡,氧气在通道中被电离产生大面积、高密度的臭氧产物。
请参阅图1-图2所示,在本发明一实施例中,保护罩207设置在外舱100内。本发明对保护罩207的形状不加以限制,可依据等离子体发生单元200的形状设置,可容纳等离子体发生单元200即可。在本实施例中,为增加氧气电离的速率,在保护罩207内设置多个等离子体发生单元200,将保护罩207的形状例如设置为蛇形。在其他实施例中,保护罩207的形状例如设置为桶状。
请参阅图1-图2所示,在本发明一实施例中,保护罩207包括多个第一弯折部204。在本实施例中,多个第一弯折部204沿外舱100的侧壁并排设置,且头尾相连接,形成呈蛇形排布的保护罩207。在本发明一实施例中,第一弯折部204例如设置为半圆形,且第一弯折部204的直径d1可以为例如2-6cm,相邻第一弯折部204之间的圆心距离d2可以为例如2-6cm。进一步,在本实施例中,第一弯折部204的直径d1可以为例如5cm,相邻第一弯折部204之间的圆心距离d2可以为例如5cm。在本发明一实施例中,第一弯折部204的数量可以在例如15-30个范围内。第一弯折部204的弯折处是顺滑圆弧,没有死体积,有利于气流在等离子体发生单元200内均匀分布。
请参阅图1-图3所示,在本发明一实施例中,保护罩207一端敞开,一端封闭,且敞开的一端与连接管302连通,以便氧气无障碍流入等离子体发生单元200内。且当保护罩207的一端封闭时,可通过控制氧气的进气流量达到控制保护罩207开孔处的气体流速的目的。
请参阅图1-图6所示,在本发明一实施例中,保护罩207内设置由高压电极片201、低压电极片202、绝缘介质片203和壳体208组成的放电结构。且本发明对所述放电结构的数量不加以限制,所述放电结构的数量可以为1个,也可以为多个。
请参阅图3-图6所示,在本发明一实施例中,低压电极片202位于壳体208内,且低压电极片202上下两侧涂覆有绝缘介质片,形成低压电极。低压电极片202与外部电源高压端电性连接。在本发明一实施例中,低压电极片202的材质例如为氧化铟锡导电玻璃。
请参阅图3-图6所示,在本发明一实施例中,高压电极片201设置在壳体208内,且与低压电极片202平行设置。在本发明一实施例中,高压电极片201上下两侧均涂覆有绝缘介质片203,形成高压电极。高压电极片201与外部电源低压端电性连接。
请参阅图3至图6所示,在本发明一实施例中,高压电极片201和低压电极片202螺旋卷绕,且在高压电极片201和低压电极片202外侧,设置壳体208。壳体208封闭高压电极片201和低压电极片202的两端,则相邻的高压电极片201和低压电极片202形成放电通道2081。与高压电极片201和低压电极片202的螺旋卷绕相匹配,将壳体208设置为蜗壳状。
请参阅图4和图5所示,在本发明一实施例中,在图中具有箭头的线条表示气体在放电通道2081中的流向,本实施例仅以一种流向为例,气体的流向也可以相反。在本实施例中,连接管302可直接与放电通道2081中,气体的入口连通。在电离后,经过放电通道2081的出口流出,进入保护罩207,并经过保护罩207上的第一类型孔205流出,且放电通道2081的出口可对准保护罩207上的第一类型孔205。
请参阅图3-图6所示,在本发明一实施例中,涂覆有绝缘介质片203的高压电极片201与涂覆有绝缘介质片203的低压电极片202之间存在预设距离,且预设距离为例如1-5mm。在本发明一实施例中,涂覆有绝缘介质片203的高压电极片201与涂覆有绝缘介质片203的低压电极片202螺旋卷绕,两端设置有壳体208。壳体208包覆在低压电极片202和高压电极片201外部,且壳体208封闭高压电极片201和低压电极片202的两端,形成放电结构。在所述放电结构中,高压电极片201与低压电极片202间隔设置,且每个相邻高压电极片201与低压电极片202之间均形成放电通道2081,大大增加了介质阻挡放电的面积,提高了介质阻挡放电的效率。氧气从涂高压电极片201与低压电极片202之间的空隙中进入所述放电结构中,贯穿高压电极片201和低压电极片202两电极的放电通道2081被绝缘介质片203阻挡,氧气在通道中被电离产生大面积、高密度的等离子体,等离子体从氧气进入通道的相邻通道中流出至保护罩207内,并从第一类型孔205中喷射到外舱100内。
请参阅图3-图6所示,在本发明一实施例中,高压电极选用导电能力优良的导体,本发明对高压电极片201的材质不加以限制,在本实施例中,高压电极片201为高压金属片,进一步,可选的,高压电极片201为镀锌铜片。在其他实施中,高压电极片201的材质可灵活选择。
请参阅图3图6所示,在本发明一实施例中,低压电极片202两侧与高压电极片201两侧均涂覆有绝缘介质片203。本发明对绝缘介质片203的材质不加以限制,在本实施例中,绝缘介质片203例如可以为石英片,其他实施例中,绝缘介质片203例如还可以为陶瓷片、玻璃片、硅胶片等。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,在保护罩207上设有多个第一类型孔205,且第一类型孔205设置在靠近纯净水雾化单元400的一侧。具体的,第一类型孔205位于第一弯折部204的弯折处,且第一类型孔205位于每个第一弯折部204靠近纯净水雾化单元400的一侧。本发明并不限制每个第一弯折部204上第一类型孔205的数量以及具体位置。在本实施例中,每个第一弯折部204上设置有例如1个第一类型孔205,且第一类型孔205位于每个第一弯折部204与纯净水雾化单元400距离最小的凸出上。在其他实施例中,在每个第一弯折部204靠近纯净水雾化单元400的一侧设置有多个第一类型孔205,且多个第一类型孔205在第一弯折部204靠近纯净水雾化单元400的一侧均匀排列。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,第一类型孔205例如可以设置成圆形,且第一类型孔205的孔径可以设置为例如500-1200μm。第一类型孔205的孔径设置在此范围内,可将通过第一类型孔205的臭氧气体速度维持在5-15m/s范围内,从而能够在第一类型孔205附近得到稳定气流层。通过调控氧气进气流量,在第一类型孔205附近形成均匀气流层,并且气流层与纯水雾化层能够在气液两相碰撞中,得到最好的分子层面的结合,从而提高臭氧水溶解效率。本申请对第一类型孔205的材质不加以限制,在本实施例中,第一类型孔205例如可以由高密度氧化锆陶瓷制成,在其他实施例中,第一类型孔205例如也可以由高硼硅玻璃或者聚四氟乙烯等材料制成。由上述材料制成的第一类型孔205表面光滑、气阻低、绝缘、耐腐蚀,能够抵抗高气压冲击。在本发明一实施例中,第一类型孔205内例如可以设置曝气薄膜,以产生微纳米气泡。在其他实施例中,第一类型孔205内例如还可以设置曝气陶瓷球,来产生微纳米气泡。
请参阅图1-图4所示,在本发明一实施例中,对等离子体发生单元200施加的电压可以在例如1-20kv范围内,进一步,施加的电压例如可以为10kv。且施加的电压频率可以控制在例如50-600kHz,电压波例如可以采用正弦波或三角波。当对等离子体发生单元200施加交流高压时,贯穿高压电极片201和低压电极片202两电极的放电通道2081被绝缘介质管203阻挡,从氧气进气单元300输送到等离子体发生单元200内的氧气被电离成大面积、高密度的臭氧及活性自由基,并从第一类型孔205内喷射到外舱100内。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,纯净水雾化单元400设置在外舱100内,且位于与等离子体发生单元200相对的一侧。在本发明一实施例中,纯净水雾化单元400包括超声片401、纯净水输送管402和蓄水部407。超声片401设置在蓄水部407底部,蓄水部407与纯净水输送管402连通,在纯净水输送管402上设置有多个第二类型孔403,多个第二类型孔403设置在纯净水输送管402管壁上,且靠近等离子体发生单元200,以便将超声雾化处理后的纯净水雾输送至第二类型孔403并喷出,并与等离子体发生单元200产生的臭氧分子接触。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,纯净水输送管402与蓄水部407连通,以便将蓄水部407内产生的纯净水雾输送至等离子体发生单元200附近。在本发明一实施例中,纯净水输送管402相对保护罩207设置,且纯净水输送管402包括多个第二弯折部408。在本实施例中,多个第二弯折部408沿外舱100的另一侧壁并排设置,且头尾相连接,形成呈蛇形排布的纯净水输送管402。在本发明一实施例中,纯净水输送管402开设有多个第二类型孔403,且第二类型孔403位于纯净水输送管402的第二弯折部408上,相邻两个第二类型孔403之间的距离可以为例如2-6cm。具体的,第二类型孔403位于每个第二弯折部408靠近等离子体发生单元200的一侧。本发明并不限制每个第二弯折部408上第二类型孔403的数量以及具体位置。在本实施例中,每个第二弯折部408上设置有例如1个第二类型孔403,且第二类型孔403位于每个第二弯折部408与等离子体发生单元200距离最小的凸出上,此时第二类型孔403与第一类型孔205距离最近,能有效加快第一类型孔205喷射的臭氧与第二类型孔403喷射的纯净水雾的溶解。在其他实施例中,在每个第二弯折部408靠近等离子体发生单元200的一侧设置有多个第二类型孔403,且多个第二类型孔403在第二弯折部408靠近等离子体发生单元200的一侧均匀排列。此时,第二类型孔403附近形成的纯水雾化层的面积增大,纯水雾化层与第一类型孔205附近形成的均匀气流层重叠区域增大,有利于提高臭氧的溶解率。在本发明一实施例中,第二类型孔403例如可以设置成圆形,第二类型孔403的孔径可以为例如500-800μm。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,第二类型孔403与第一类型孔205相对设置。在本发明一实施例中,第二类型孔403与第一类型孔205平行设置,且第二类型孔403的水平高度高于第一类型孔205的水平高度,第一类型孔205喷射出的气体向上自然流动,第二类型孔403喷射出的水雾在自然重力作用向下移动,以便第二类型孔403形成的纯水雾化层与第一类型孔205形成的均匀气流层重叠,有利于提高臭氧的溶解效率。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,通过第一类型孔205的气体流量与通过第二类型孔403的水雾流量的比例为例如4:1-6:1,具体的,流量比例为例如5:1。流量比例设置在上述范围内,能够达到出口气体与纯净水雾相对运动的效果,能够在外舱100的轴心处形成旋转混合气液混合流,在与冷凝单元500的连接处能够造成气液密度比为1:1000的气液旋涡流,通过气液接触界面的高强剪切和高频振动压力,高效得到微纳米气泡溶解的活性氧自由基、高能臭氧分子等。
请参阅图1和图3所示,在本发明一实施例中,超声片401设置在蓄水部407底部,且超声片401均匀排列在蓄水部407内,以将蓄水部407内的纯净水经过高能振荡为微纳米颗粒的雾化水分子,并通过纯净水输送管402输送至等离子体发生单元200附近。在本发明一实施例中,超声片401的数量可以为例如4-8个,且超声片401例如可以为压电陶瓷片。在超声片401的超声震荡作用下,纯净水可被雾化成微纳米级别的粒子,从第二类型孔403喷出,在第二类型孔403附近形成纯水雾化层。
请参阅图1和图2所示,第二类型孔403与第一类型孔205之间的孔间距可以调节,本发明对孔间距的调节方式不加以限制,在本实施例中,例如可以通过驱动纯净水雾化单元400朝着等离子体发生单元200移动,来调节孔间距,在其他实施例中,例如还可以通过同时驱动纯净水雾化单元400和等离子体发生单元200相向或相对移动,达到调节孔间距的目的。
请参阅图1和图3所示,本发明可增加驱动装置以驱动纯净水雾化单元400移动,在本发明一实施例中,动力源405一端固定连接在外舱100上,动力源405另一端通过驱动杆404与蓄水部407固定连接,以驱动纯净水雾化单元400朝着靠近或远离等离子体发生单元200的方向移动,从而达到调节孔间距的目的。本发明对动力源405不加以限制,在本实施例中,动力源405例如可以为电机,在其他实施例中,例如还可以为气缸。在本发明一实施例中,驱动杆404为可伸缩的连接杆,动力源405驱动驱动杆404相对等离子体发生单元200的方向伸缩或相向等离子体发生单元200的方向延伸,从而促使纯净水雾化单元400朝着远离或靠近等离子体发生单元200的方向移动,以调节孔间距。
请参阅图1-图3所示,在本发明一实施例中,等离子体发生单元200上设置有第一激光传感器组206,第一激光传感器组206设置在保护罩207侧壁上,且第一激光传感器组206位于靠近第一类型孔205的一端。纯净水雾化单元400上设置有第二激光传感器组406,第二激光传感器组406设置在纯净水输送管402侧壁上,且第二激光传感器组406位于靠近第二类型孔403的一端。第一激光传感器组206探测与第二激光传感器组406之间的距离,并将信号传输至此装置的电控系统(图中未显示),电控系统控制动力源405驱动纯净水雾化单元400移动,从而调节孔间距在30-70mm范围内。
请参阅图1和图4所示,冷凝单元500与外舱100的一侧固定连接,且冷凝单元500与外舱100连通,以将外舱100内产生的溶解臭氧水冷凝、收集,防止臭氧受热分解。在本发明一实施例中,冷凝单元500基于珀耳帖效应制冷,冷凝单元500例如可以为半导体压电制冷模组。在本发明一实施例中,冷凝单元500包括制冷片501、制热片502、风扇503。在本发明一实施例中,制冷片501设置在靠近外舱100的一端,能够吸收等离子体发生单元200产生大量等离子体所释放的热量,以便将外舱100内产生的臭氧水进行冷凝、收集。在本发明一实施例中,制热片502设置在相对制冷片501的一端,且靠近制热片502的一端设置有风扇503,能够将制热片502产生的热量吹散。在一些实施例中,冷凝单元500的一侧还设置有出水管504,以将冷凝后的臭氧水容易排出。
请参阅图1和图7所示,在本发明一实施例中,可对冷凝单元500施加负压,负压的真空度例如可以控制在30-80kPa,以便将产生的臭氧水进行冷凝、收集。
由本发明提出的等离子体臭氧发生装置产生的高浓度臭氧水,具有较强的氧化能力和杀菌能力,可用于水体污染物的降解,如挥发性有机化合物(VOCs)的降解,也可用于机场、高铁站等公众场所的消毒。
综上所述,本发明提出了一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置,通过低温(常温)等离子体把氧气电离成臭氧分子,让臭氧气体分子与雾化微纳米水分子大面积的接触,提高了等离子体产生的臭氧水的溶解效率,产生高浓度的臭氧水,对臭氧杀菌消毒具有重要应用价值。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明,本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案,例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
除说明书所述的技术特征外,其余技术特征为本领域技术人员的已知技术,为突出本发明的创新特点,其余技术特征在此不再赘述。
Claims (10)
1.一种等离子体发生单元,其特征在于,至少包括:
低压电极片,两侧涂覆有绝缘介质片;
高压电极片,两侧涂覆有所述绝缘介质片,且所述高压电极片与所述低压电极片平行设置,且所述低压电极片与所述高压电极片螺旋卷绕;以及
壳体,包覆在所述低压电极片和所述高压电极片外部,且所述壳体封闭所述高压电极片和所述低压电极片的两端,相邻的所述低压电极片和所述高压电极片之间形成放电通道。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体发生单元,其特征在于,所述等离子体发生单元还包括保护罩,所述壳体设置在所述保护罩内,且所述保护罩上设置有多个第一类型孔。
3.根据权利要求2所述的一种等离子体发生单元,其特征在于,所述第一类型孔的孔径为500-1200μm。
4.根据权利要求2所述的一种等离子体发生单元,其特征在于,所述保护罩包括多个第一弯折部,在每个所述弯折部处设置有所述壳体,以及设置在所述壳体内的所述低压电极片和所述高压电极片。
5.一种等离子体臭氧发生装置,其特征在于,至少包括:
氧气进气单元;
等离子体发生单元,与所述氧气进气单元连通,且所述等离子体发生单元包括:
低压电极片,两侧涂覆有绝缘介质片;
高压电极片,两侧涂覆有所述绝缘介质片,且所述高压电极片与所述低压电极片平行设置,且所述低压电极片与所述高压电极片螺旋卷绕;以及
壳体,包覆在所述低压电极片和所述高压电极片外部,且所述壳体封闭所述高压电极片和所述低压电极片的两端,相邻的所述低压电极片和所述高压电极片之间形成放电通道;
纯净水雾化单元,设置在所述等离子体发生单元的一侧,且所述纯净水雾化单元靠近所述等离子体发生单元的一侧设有多个第二类型孔。
6.根据权利要求5所述的一种等离子体臭氧发生装置,其特征在于,所述纯净水雾化单元包括纯净水输送管,且所述纯净水输送管包括多个第二弯折部,所述第二类型孔设置在所述第二弯折部靠近所述等离子体发生单元的一侧。
7.根据权利要求5所述的一种等离子体臭氧发生装置,其特征在于,所述第二类型孔的孔径为500-800μm。
8.根据权利要求5所述的一种等离子体臭氧发生装置,其特征在于,所述装置包括外舱,所述等离子体发生单元与所述纯净水雾化单元设置在所述外舱内相对的两侧。
9.根据权利要求8所述的一种等离子体臭氧发生装置,其特征在于,所述装置还包括冷凝单元,所述冷凝单元位于所述外舱的一侧,且所述冷凝单元与所述外舱连通。
10.根据权利要求5所述的一种等离子体臭氧发生装置,其特征在于,所述装置还包括动力源,所述动力源与所述纯净水雾化单元连接,以调节所述第二类型孔和所述第一类型孔之间的所述孔间距。
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CN202210676948.3A CN114760746A (zh) | 2022-06-16 | 2022-06-16 | 一种等离子体发生单元及等离子体臭氧发生装置 |
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JP2001110549A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Nippon Alum Co Ltd | オゾン発生器 |
CN107308833A (zh) * | 2017-08-22 | 2017-11-03 | 依格安顾问(香港)有限公司 | 超声波雾化臭氧水的制造装置及方法 |
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2022
- 2022-06-16 CN CN202210676948.3A patent/CN114760746A/zh active Pending
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