CN114719967B - 一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器 - Google Patents

一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或同时接收太赫兹波信号和本振信号，或分别接收太赫兹波信号和本振信号；所述场效应晶体管用于输出探测信号；第一天线和第二天线均引出一个馈电端口，分别经过第一匹配网络和第二匹配网络，与场效应晶体管的栅极和源极连接，场效应晶体管的漏极输出探测信号，场效应晶体管的源极和栅极分别接入外部偏置电压。本发明通过两个天线来接收太赫兹信号或本振信号，增加了接收的太赫兹波信号和功率，从而增加输出探测信号。

Description

一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器
技术领域
本发明涉及太赫兹波探测技术领域，具体地说是一种可用于直接探测或外差探测的太赫兹波探测器。
背景技术
太赫兹波通常是指频率为0.1-10THz区间的电磁波，太赫兹波具有许多独特的特性，太赫兹波光子能量低，不会对生物组织产生有害的电离；太赫兹波与许多生物大分子的振动同频，构成了相应的太赫兹波“指纹谱”；与毫米波相比，太赫兹波具有更短的波长，因此太赫兹波成像具有更高的空间分辨率。正是太赫兹波的这些特点使其具有广泛的应用前景。
太赫兹波探测器是上述应用中的核心器件，由于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺具有体积小、易大规模集成和廉价等特点，近些年来基于CMOS工艺的太赫兹波探测器被广泛研究。
目前，国际上现有的基于场效应晶体管的太赫兹波探测器大都采用一个天线结构同时接收太赫兹波信号和本振信号，虽然这样的设计方案可减少探测器面积，但其输出信号幅值低，并且会导致太赫兹波信号与本振信号的隔离度很差。
发明内容
本发明提供一种可在CMOS制造工艺上实现的用于直接探测或外差探测的太赫兹波探测器，采用两个天线接收太赫兹波信号或本振信号。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；
所述两个天线用于接收以下任一种情况的信号：
两个天线均用于接收太赫兹波信号；
两个天线均用于同时接收太赫兹波信号和本振信号；
两个天线分别接收太赫兹波信号和本振信号；
所述场效应晶体管用于输出探测信号；
第一天线和第二天线均引出一个馈电端口，分别经过第一匹配网络和第二匹配网络，与场效应晶体管的栅极和源极连接，场效应晶体管的漏极输出探测信号，场效应晶体管的源极和栅极分别接入外部偏置电压。
所述场效应晶体管漏极连接负载一端，负载的另一端接入外部偏置电压；所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号。
所述场效应晶体管替换为N个场效应晶体管顺次连接构成的晶体管单元；
第一个场效应晶体管的栅极和源极分别与第一匹配网络和第二匹配网络连接，第i个场效应晶体管的源极与第i-1个场效应晶体管的漏极连接，1<i≤N，第i个场效应晶体管的漏极与第i+1个场效应晶体管的源极连接，第i个场效应晶体管的栅极接入外部偏置电压，第N个场效应晶体管的漏极作为晶体管单元的输出端。
所述两个天线相位差为180度。
所述两个天线均采用贴片天线。
两个贴片天线位于同一平面，且设置为中心对称结构，用于接收同一方向的太赫兹波。
所述两个天线辐射方向相反，用于每个天线接收太赫兹波信号和本振信号，或者分别用于接收太赫兹波信号和本振信号。
所述两个天线为缝隙天线、贴片天线、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。
所述负载为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。
所述场效应晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管或异质结场效应晶体管中的一种。
本发明具有以下有益效果及优点：
1.本发明通过两个天线来接收太赫兹信号或本振信号，增加了接收的太赫兹波信号和功率，从而增加输出探测信号。
2.本发明在用于外差探测时，将两个天线的辐射方向设置为相反方向，本发明将本振信号和太赫兹信号分别从正负两方向入射，有效减少了本振信号和太赫兹信号的耦合。
3.本发明采用两个天线接收太赫兹波信号和本振信号，可有效增加探测器的输出信号，并且当采用辐射方向相反的两个天线方案时，天线的辐射方向可分别设置为芯片的正面和背面，从而提高太赫兹信号和本振信号的隔离度，且很大程度上减小实际成像等应用的系统设计复杂度。
附图说明
图1为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例1示意图；
图2为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例2示意图；
图3为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例3示意图；
图4为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例4示意图；
图5为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例5示意图；
图6为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例6示意图；
图7是本发明的负载采用场效应晶体管组成共源共栅电流源结构实施例1示意图；
图8是本发明的负载采用场效应晶体管组成共源共栅电流源结构实施例2示意图；
图9是本发明以贴片天线为例说明两个天线结构中心对称，即相位相差180度的实施方案；
图10是本发明以贴片天线为例说明两个天线辐射方向相反的实施方案；
其中1和2为天线；3和4为匹配网络；5为场效应晶体管；6为5的漏极；7和8为天线；9和10为匹配网络；11为场效应晶体管；12为11的漏极；13为负载；14为13的端口；15和16为天线；17和18为匹配网络；19和20为场效应晶体管；21为20的栅极；22为21的漏极；23为负载；24为23的端口；25为天线；26和27为匹配网络；28和29为场效应晶体管；30为天线；31和32为匹配网络；33为28和29的漏极相连处；34为天线；35和36为匹配网络；37和38为场效应晶体管；39为天线；40和41为匹配网络；42为37和48漏极相连处；43为负载；44为43的端口；45为天线；46和47为匹配网络；48、49、50和51为场效应晶体管；52为天线；53和54为匹配网络；55为50的栅极；56为51的栅极；57为50和51的漏极相连处；58为负载；59为58的端口；60和61为场效应晶体管；62为60的栅极；63为61的栅极；64、65、66和67为场效应晶体管；68为64的栅极；69为65的栅极；70为66的栅极；71为67的栅极；72和73为贴片天线；74和75为匹配网络；76和77为场效应晶体管；78为77的栅极；79为77的漏极；80为负载；81为80的端口；82和83为贴片天线；84和85为太赫兹波信号和本振信号，二者可互换；86和87为为匹配网络；88和89为场效应晶体管；90为89的栅极；91为89的漏极；92为负载；93为92的端口。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步的详细说明。
一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号；所述天线1和2均引出一个馈电端口，分别经过匹配网络3和4连接场效应晶体管5的栅极和源极，场效应晶体管的漏极6处于开路状态并输出探测信号，场效应晶体管的源极和栅极分别连接外部偏置电压。
一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号；所述天线7和8均引出一个馈电端口，分别经过匹配网络9和10连接场效应晶体管11的栅极和源极，场效应晶体管的漏极12输出探测信号，场效应晶体管的漏极12连接负载13，场效应晶体管的源极和栅极分别连接外部偏置电压，负载13的另一端14也连接外部偏置电压。
一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号；所述天线15和16均引出一个馈电端口，分别经过匹配网络17和18连接场效应晶体管19的栅极和源极，场效应晶体管19串联一个或几个场效应晶体管，在场效应晶体管20的漏极处连接负载23，并在场效应晶体管20的漏极22处输出探测信号，场效应晶体管19的源极和栅极、场效应晶体管20的栅极和负载23的另一端24分别连接外部偏置电压。
一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号；所述天线25和30均引出两个馈电端口，天线25的两个馈电端口分别经过匹配网络26和27连接场效应晶体管28和29的源极，天线30的两个馈电端口分别经过匹配网络31和32连接场效应晶体管28和29的栅极，场效应晶体管28和29的漏极相连并输出探测信号，场效应晶体管28和29的源极和栅极分别连接外部偏置电压。
一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号；所述天线34和39均引出两个馈电端口，天线34的两个馈电端口分别经过匹配网络35和36连接场效应晶体管37和38的源极，天线39的两个馈电端口分别经过匹配网络40和41连接场效应晶体管37和38的栅极，场效应晶体管37和38的漏极相连于42，并在42处输出探测信号，42连接负载43，场效应晶体管37的源极和栅极、场效应晶体管38的源极和栅极、以及负载43的另一端44分别连接外部偏置电压。
一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号；所述天线45和52均引出两个馈电端口，天线45的两个馈电端口分别经过匹配网络46和47连接场效应晶体管48和49的源极，天线52的两个馈电端口分别经过匹配网络53和54连接场效应晶体管48和49的栅极，场效应晶体管48和49分别串联一个或几个场效应晶体管，场效应晶体管50和51的漏极相连于57，在57处连接负载58，并在57处输出探测信号，场效应晶体管48的源极和栅极、场效应晶体管49的源极和栅极、场效应晶体管50的栅极、场效应晶体管51的栅极、以及负载58的另一端59分别连接外部偏置电压。
所述两个天线相位相差180度。所述两个天线辐射方向相反。
所述两个天线为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。
所述匹配网络为单个传输线段、并联短截线、串联短截线、双短截线、共面波导或螺旋电感中的一种。
所述负载为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。
所述场效应晶体管60的源极连接输出端12、22、42、57，场效应晶体管60串联一个或几个场效应晶体管，场效应晶体管60的栅极以及场效应晶体管61的栅极和漏极分别连接外部偏置电压。
所述采用场效应晶体管组成共源共栅电流源由四个或四个以上场效应晶体管组成；所述场效应晶体管64和65的源极相连，并连接输出端12、22、42、57，场效应晶体管64和65分别串联一个或几个场效应晶体管，场效应晶体管66和67的漏极相连，并连接14、24、44、59，场效应晶体管64的栅极、场效应晶体管65的栅极、场效应晶体管66的栅极、场效应晶体管67的栅极以及场效应晶体管66与67漏极连接处14、24、44、59分别连接外部偏置电压。
本发明公开了一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于：包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；所述两个天线用于接收太赫兹波信号或用于同时接收太赫兹波信号和本振信号或用于分别接收太赫兹波信号和本振信号，所述场效应晶体管用于输出探测信号。
如图1所示为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例1示意图。天线1和2均引出一个馈电端口，分别经过匹配网络3和4连接场效应晶体管5的栅极和源极，场效应晶体管的漏极6处于开路状态并输出探测信号，场效应晶体管的源极和栅极分别连接外部偏置电压。这两个天线为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。对于环形天线、偶极子天线或蝶形天线等为双端口馈电的天线来说，可经由巴伦转换成单端馈电或者将其中一个端口置地，另一个端口作为馈电端。匹配网络3和4的作用是将天线接收到的太赫兹波信号最大化地传输给场效应晶体管5。匹配网络可为单个传输线段、并联短截线、串联短截线、双短截线或螺旋电感中的一种。场效应晶体管5的栅极和源极连接外置偏压以使得场效应晶体管工作在合适的状态，可采用通过天线连接外置偏压或者通过采用传输线连接外置偏压，所述传输线的特点需要对太赫兹信号形成高阻抗。
如图2所示为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例2示意图。实施例2与实施例1整体结构相似，仅在场效应晶体管的漏极处连接了负载，以给场效应晶体管的漏极提供合适的偏置电压，使得场效应晶体管的直流工作状态有别于实施例1。负载可为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。
如图3所示为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例3示意图。与实施例1和实施例2相似。天线15和天线16分别引出一个馈电端，分别经过匹配网络17和18连接到场效应晶体管19的栅极和源极。天线15和天线16为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。对于环形天线、偶极子天线或蝶形天线等为双端口馈电的天线来说，可经由巴伦转换成单端馈电或者将其中一个端口置地，另一个端口作为馈电端。匹配网络的作用是将天线接收到的太赫兹波信号最大化地传输给场效应晶体管19。匹配网络可为单个传输线段、并联短截线、串联短截线、双短截线或螺旋电感中的一种。场效应晶体管19连接一个或多个场效应晶体管以增加整体探测结构的阻抗值，在场效应晶体管20的漏极输出探测信号。负载23的作用是为了给场效应晶体管提供合适的电压偏置点，以使场效应晶体管工作在合适的状态。负载可为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。场效应晶体管19的源极和栅极外接合适的电压偏置以使场效应晶体管工作在合适的状态，可采用通过天线连接外置偏压或者通过采用传输线连接外置偏压，所述传输线的特点需要对太赫兹信号形成高阻抗。
如图4所示为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例4示意图。天线25和天线30分别引出两个馈电端，天线25引出的两个馈电端分别经过匹配网络26和27连接场效应晶体管28和29的源极。天线30引出的两个馈电端分别经过匹配网络31和32连接场效应晶体管28和29的栅极。天线为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。对于喇叭天线等为单端口馈电的天线来说，可经由巴伦转换成双端馈电。匹配网络的作用是将天线接收到的太赫兹波信号最大化地传输给场效应晶体管。匹配网络可为单个传输线段、并联短截线、串联短截线、双短截线或螺旋电感中的一种。场效应晶体管28和29作为太赫兹混频器，28和29的漏极相连并输出信号。场效应晶体管28和29的栅极及源极连接外置偏压以使得场效应晶体管工作在合适的状态，可采用通过天线连接外置偏压或者通过采用传输线连接外置偏压，所述传输线的特点需要对太赫兹信号形成高阻抗。
如图5所示为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例5示意图。实施例5与实施例4整体结构相似，仅在场效应晶体管的漏极处连接了负载，以给场效应晶体管的漏极提供合适的偏置电压，使得场效应晶体管的直流工作状态有别于实施例4。负载可为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。
如图6所示为本发明的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器实施例6示意图。天线45和天线52分别引出两个馈电端，天线45引出的两个馈电端分别经过匹配网络46和47连接场效应晶体管48和49的源极。天线52引出的两个馈电端分别经过匹配网络53和54连接场效应晶体管48和49的栅极。天线为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。对于喇叭天线等为单端口馈电的天线来说，可经由巴伦转换成双端馈电。匹配网络的作用是将天线接收到的太赫兹波信号最大化地传输给场效应晶体管。匹配网络可为单个传输线段、并联短截线、串联短截线、双短截线或螺旋电感中的一种。场效应晶体管48和49分别连接一个或多个场效应晶体管以增加整体探测结构的阻抗值，场效应晶体管50和51漏极相连与57，并在57处输出探测信号。负载58的作用是为了给场效应晶体管提供合适的电压偏置点，以使场效应晶体管工作在合适的状态。负载可为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。为了使探测器正常工作，场效应晶体管48和49的源极与栅极需要偏置在合理的直流电压下，可采用通过天线连接外置偏压或者通过采用传输线连接外置偏压，所述传输线的特点需要对太赫兹信号形成高阻抗。场效应晶体管50和51的栅极连接外置偏压以使场效应晶体管工作在合适的状态。负载可为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。当负载为采用场效应晶体管组成共源共栅电流源时，有两种实施方案：
如图7所示是本发明的负载采用场效应晶体管组成共源共栅电流源结构实施例1示意图。场效应晶体管60的源极连接输出端(12)(22)(42)(57)，60串联一个或几个场效应晶体管，60的栅极以及场效应晶体管61的栅极和漏极分别连接外部偏置电压。
如图8所示是本发明的负载采用场效应晶体管组成共源共栅电流源结构实施例2示意图。其由四个或四个以上场效应晶体管组成；场效应晶体管64和65的源极相连，并连接输出端(12)(22)(42)(57)，64和65分别串联一个或几个场效应晶体管，场效应晶体管66和67的漏极相连，并连接(14)(24)(44)(59)，64的栅极、65的栅极、66的栅极、67的栅极以及66与67漏极连接处(14)(24)(44)(59)分别连接外部偏置电压。
图9是本发明以贴片天线为例说明两个天线结构中心对称，即相位相差180度的实施方案。以实施例3的结构为例，两个贴片天线作为实施例3中天线具体结构进行说明，贴片天线用于接收同一方向的太赫兹波，两个天线在平面内处于中心对称结构，所以两个天线的馈电端的太赫兹信号相位相差180度，无论是用于直接探测还是外差探测，这样做都使得场效应晶体管76栅极和源极接收到的太赫兹信号相位相差180度，从而增强了场效应晶体管内部的太赫兹波信号，从而增加了输出。本实施例中虽然是以贴片天线为例，但两个天线并不需要是同一种，只有可以实现相位差为180度即可。天线可为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。本实施例虽然以实施例3结构进行说明，两个天线结构相位相差180度的实施方案同样适用于实施例1～2、4～6。
图10是本发明以贴片天线为例说明两个天线辐射方向相反的实施方案。同样以实施例3的结构为例，两个贴片天线作为实施例3中天线具体结构进行说明，两个天线辐射方向相反，如图中所示贴片天线82辐射方向向上，天线83的辐射方向向下，分别用于接收太赫兹波信号和本振信号(或者分别用于接收本振信号和太赫兹波信号)。例如在CMOS工艺上实施时可将两个天线辐射方向分别设计为芯片的正向和背向，这样做的好处是可从芯片两侧接收太赫兹波信号和本振信号，很好的隔离了两个信号，在应用中可有效减小后续太赫兹成像系统等应用的系统复杂度。本实施例中虽然是以贴片天线为例，但两个天线并不需要是同一种，只有可以实现辐射方向相反即可。天线可为缝隙天线、贴片天线(微带天线)、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。本实施例虽然以实施例3结构进行说明，两个天线辐射方向相反的实施方案同样适用于实施例1～2、4～6。
所述场效应晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管或异质结场效应晶体管中的一种。

Claims (8)

1.一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于：包括两个天线、匹配网络和场效应晶体管；
所述两个天线用于接收以下任一种情况的信号：
两个天线均用于接收太赫兹波信号；
两个天线均用于同时接收太赫兹波信号和本振信号；
两个天线分别接收太赫兹波信号和本振信号；
所述场效应晶体管用于输出探测信号；
第一天线(1)和第二天线(2)均引出一个馈电端口，分别经过第一匹配网络(3)和第二匹配网络(4)，与场效应晶体管(5)的栅极和源极连接，场效应晶体管(5)的漏极(6)输出探测信号，场效应晶体管(5)的源极和栅极分别接入外部偏置电压；
所述场效应晶体管(5)漏极连接负载一端，负载的另一端接入外部偏置电压；所述场效应晶体管用于输出探测信号或中频信号；
所述场效应晶体管(5)替换为N个场效应晶体管顺次连接构成的晶体管单元；
第一个场效应晶体管的栅极和源极分别与第一匹配网络(3)和第二匹配网络(4)连接，第i个场效应晶体管的源极与第i-1个场效应晶体管的漏极连接，1<i≤N，第i个场效应晶体管的漏极与第i+1个场效应晶体管的源极连接，第i个场效应晶体管的栅极接入外部偏置电压，第N个场效应晶体管的漏极作为晶体管单元的输出端。
2.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于：所述两个天线相位差为180度。
3.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于，所述两个天线均采用贴片天线。
4.根据权利要求3所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于，两个贴片天线位于同一平面，且设置为中心对称结构，用于接收同一方向的太赫兹波。
5.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于：所述两个天线辐射方向相反，用于每个天线接收太赫兹波信号和本振信号，或者分别用于接收太赫兹波信号和本振信号。
6.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于：所述两个天线为缝隙天线、贴片天线、喇叭天线、偶极子天线、环形天线、蝶形天线、对数周期天线中的一种或者为任意其中的两种。
7.根据权利要求1所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于，所述负载为电阻、电感、电流源或采用场效应晶体管组成共源共栅电流源中的一种。
8.根据权利要求1和7中任一项所述的一种基于场效应晶体管和双天线结构的太赫兹波探测器，其特征在于：所述场效应晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管或异质结场效应晶体管中的一种。
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