CN114706025B - 一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器 - Google Patents

一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN114706025B
CN114706025B CN202210399917.8A CN202210399917A CN114706025B CN 114706025 B CN114706025 B CN 114706025B CN 202210399917 A CN202210399917 A CN 202210399917A CN 114706025 B CN114706025 B CN 114706025B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magneto
electric
sensitive unit
section
semi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210399917.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114706025A (zh
Inventor
张明吉
祁玉超
彭程远
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Technology University
Original Assignee
Shenzhen Technology University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Technology University filed Critical Shenzhen Technology University
Priority to CN202210399917.8A priority Critical patent/CN114706025B/zh
Publication of CN114706025A publication Critical patent/CN114706025A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114706025B publication Critical patent/CN114706025B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • G01R33/0029—Treating the measured signals, e.g. removing offset or noise

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本发明公开一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，包括传感器封装外壳、永磁体、激励线圈、磁电敏感单元及外围信号处理电路；其中传感器外壳前后两侧封装有永磁体；传感器中部封装有磁电敏感单元；且传感器中部缠绕激励线圈。通过外围信号处理电路对本发明传感器进行控制，由信号发生器产生正弦波信号经电压放大器放大后接激励线圈，通过激励线圈产生的激励磁场使磁电敏感单元达到谐振状态；另外通过通过两侧永磁体施加偏置磁场，提高磁电效应传感器的灵敏度。本发明利用DC磁场对磁电敏感单元的调控作用，突破传统磁电效应磁传感器仅能测量AC磁场的局限性，实现对DC磁场的测量。

Description

一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器
技术领域
本发明属于传感器技术领域，涉及一种基于磁电效应的磁传感器发明及其外围激励电路和信号采集电路的设计。
背景技术
磁传感器在科学研究、工业生产、电子产品和生物医学等领域中有着广泛的应用，如在电力系统中实现电流的非接触式测量、工业生产中利用产品的磁特征实现无损检测以及如今便携式电子产品中的磁导航和地磁特征识别等等。
基于磁电效应(ME)的磁传感器由磁致伸缩材料和压电材料复合构成磁电效应敏感单元，其基本原理为当磁电敏感单元受到外部磁场作用时，磁致伸缩材料会在磁场作用下产生机械应力/应变，这种机械应力/应变动态耦合到压电材料从而产生与外部磁场成比例的输出电压信号。ME磁传感器的应用包括诸如基于地磁特征的导航，磁异常探测以及生物医学中磁场的检测，这些应用都对ME磁传感器的DC和低频AC磁场输出响应提出了更高的要求。
目前基于磁电效应的磁传感器对DC磁场不敏感的特性极大的限制了其应用范围，且现有技术大都处于实验室阶段，存在成本高、灵敏度低等缺陷。
发明内容
本发明提供一种基于磁电效应的谐振式DC磁场传感器，采用磁致伸缩材料和压电材料复合结构作为磁电敏感单元，通过外部激励线圈激发敏感单元的谐振状态，利用DC磁场对磁电敏感单元谐振状态参数的调控作用，实现基于磁电效应磁传感器对DC磁场的测量。
本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，包括传感器封装外壳、永磁体、激励线圈、磁电敏感单元及外围信号处理电路。
其中，传感器外壳前后两侧设计由永磁体安装腔，内部安装永磁体。中部设计有磁电敏感单元安装腔，内部安装磁电敏感单元。磁电敏感单元经传感器外壳内部设计的走线通道引出至传感器外壳外部。同时中部设计为柱状段，外壁缠绕套激励线圈。
外围信号处理电路包括激励电路和信号检测电路。其中，激励电路由信号发生器产生正弦波信号经电压放大器放大后接激励线圈；正弦波的频率与磁电敏感单元的谐振频率一致，通过激励线圈产生的激励磁场使磁电敏感单元达到谐振状态；另外通过通过两侧永磁体施加偏置磁场，提高磁电效应传感器的灵敏度。
本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其显著优点在于：
1、本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，利用DC磁场对磁电敏感单元谐振状态参数的调控作用，实现基于磁电效应的磁传感器对DC磁场的测量。
2、本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，采用磁致伸缩材料和压电材料复合结构作为磁电敏感单元，其低频响应好，稳定性高。
3、本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，结构简单、体积小巧便于集成到测量系统中。
4、本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，使用方便，通过对信号处理电路的设计，可将谐振式DC磁传感器的探头集成到电路板上，实现便携式设计，大大提高了使用的方便性。
附图说明
图1为本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器整体结构示意图；
图2为本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器的内部结构示意图；
图3为本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器的封装外壳下部分结构示意图；
图4为本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器的封装外壳上部分结构示意图；
图5为本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器控制部分结构框图；
图6为本发明谐振式DC磁传感器的频率响应关系曲线；
图7为本发明谐振式DC磁传感器的DC磁场响应关系曲线。
图中：
1-传感器封装外壳 2-永磁体 3-激励线圈
4-磁电敏感单元 101-上壳体 102-下壳体
103-前段 104-后段 105-中段
106-永磁体安装槽 107-磁电敏感单元安装槽 108-走线槽
109-插槽 110-插头
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
本发明基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，包括传感器封装外壳1、永磁体2、激励线圈3与磁电敏感单元4，如图1，图2所示。
所述传感器封装外壳1用来实现永磁体2、激励线圈3与磁电敏感单元4的封装。传感器封装外壳1由上壳体101与下壳体102构成。其中，上壳体101与下壳体102结构相同具有前中后三段；前段103与后段104为等尺寸长方体段；中段105为半圆柱段，如图3、图4所示。
其中，长方体段前后对称设置。半圆柱段直径与两个长方体段的长边相等。半圆柱段前后两端分别与两个长方体段面积较大的侧面相接，形成整体；且半圆柱段的矩形截面部分与两个长方体段顶面齐平，同时半圆柱段左右侧边分别与两个长方体段的左右侧面共面。
上述两个长方体段内部设计横截面为矩形的永磁体安装槽106。半圆柱段的矩形截面部分中部设计有横截面为矩形的磁电敏感单元安装槽107，且设计磁电敏感单元安装槽107前后侧边与分别平行于半圆柱段前后端面,与半圆柱段前后端面垂直距离相等；同时设计磁电敏感单元安装槽107的左右侧边与半圆柱段左右侧边垂直距离相等。
上述上壳体101与下壳体102中，半圆柱段的矩形截面部分上沿半圆柱段轴线设计有矩形截面的走线槽108，走线槽108一端与磁电敏感单元安装槽107相通，另一端与一侧永磁体安装槽106相通；且其中下壳体102中的走线槽108还由半圆柱段端面垂直向下延伸至与外部连通。
上述结构的上壳体101与下壳体102上下对称设置，且两者间对扣固定，固定方式通过在下壳体102的半圆柱段的截面部分四角位置设计矩形插槽109，分别与上壳体101半圆柱段的截面部分上对应位置设计的矩形块状插头110配合插接实现。
通过上述设计，最终形成整体传感器封装外壳1，且上壳体101与下壳体102前部的永磁体安装槽106形成整体前永磁体安装腔；上壳体101与下壳体102后部的具有前部矩形段永磁体安装槽106形成整体后永磁体安装腔；上壳体101与下壳体102上的走线槽108间形成L形走线通道；上壳体101与下壳体102中部的磁电敏感单元安装槽107形成整体磁电敏感单元安装腔；上壳体101与下壳体102的半圆柱段形成整体圆柱结构的线圈缠绕段。
上述前永磁体安装腔与后永磁体安装腔的具体尺寸根据内部所安装的永磁体2具体设计，保证前永磁体安装腔与后永磁体安装腔内安装的永磁体2不会出现晃动，进而保证偏置磁场的稳定。本发明中永磁体2大小设计为10mm×10mm×2mm；且位于前永磁体安装腔与后永磁体安装腔中的永磁体2相互吸引，以施加沿着磁电敏感单元4长度(前后方向)方向的偏置磁场。
同样上述磁电敏感单元安装腔具体尺寸根据内部所安装的磁电敏感单元具体设计，使磁电敏感单元安装腔尺寸略大于磁电敏感单元。磁电敏感单元安装时，在磁电敏感单元外壁与磁电敏感单元安装腔内壁间铺设减震材料，使两者间达到最大程度的贴合。本发明中磁电敏感单元4由两侧的磁致伸缩材料及中间的压电材料复合而成的三明治结构，其中磁致伸缩材料尺寸大小为12mm×6mm×1mm，压电材料尺寸为12mm×6mm×1mm。
所述激励线圈3绕制于前述线圈缠绕段外部，产生与磁电敏感单元4长度方向(前后方向)平行的激励磁场，使磁电敏感单元4处于谐振状态，从而使传感器有良好的输出响应和灵敏度。
磁致伸缩材料连接信号引出线；信号引出线通过走线通道引出到传感器封装外壳1外部，连接待测试设备及电路。
上述结构的谐振式DC磁传感器的工作原理为：当磁电敏感单元受到外部磁场作用时，磁致伸缩材料会在磁场作用下产生机械应力/应变，这种机械应力/应变动态耦合到压电材料从而产生与外部磁场成比例的压电电压输出。
如图5所示，本发明谐振式DC磁传感器的控制通过外围信号处理电路实现。外围信号处理电路包括激励电路和信号检测电路。其中，激励电路由信号发生器产生正弦波信号经电压放大器放大后接传感器的激励线圈3，其中正弦波的频率与磁电敏感单元1的谐振频率一致，通过激励线圈3产生的激励磁场使磁电敏感单元4达到谐振状态。当磁电敏感单元4处于谐振状态下，传感器的输出响应显著增强，分辨率和灵敏度也有所提高。另外外部偏置磁场对磁电效应具有一定的调控作用，通过两侧永磁体2施加一定程度的偏置磁场，可以提高磁电效应传感器的灵敏度；且本发明中磁电敏感单元采用L-T的工作模式，即磁致伸缩材料处于纵向磁化模式，受到永磁体2所提供的偏置磁场和激励线圈3提供的激励磁场影响。压电材料处于横向极化模式，有较好的压电输出响应。
对本发明谐振式DC磁传感器进行测试，待测磁场由直流电流源和亥姆赫兹线圈产生，本发明谐振式DC磁传感器的输出信号VME分别接锁相放大器和频谱分析仪，其中锁相放大器的参考信号Vref由电压放大器输出信号给定，经锁相放大器检测后可获得传感器输出信号的幅值和相位信息，经频谱分析仪检测后可获得传感器输出信号的频谱特性。本发明谐振式DC磁传感器的输出特征在谐振状态下明显增大，传感器的精度显著提高。利用外部DC磁场对传感器谐振状态的偏置作用，可知本发明能对一定范围内的DC磁场进行测量，突破传统磁电效应传感器测量AC磁场的局限性。
图6和图7为实施方式中谐振式DC磁传感器的响应曲线，其中图4为所述传感器的频率响应关系曲线，图5为所述传感器的DC磁场响应关系曲线。从图4中可以发现所述传感器在谐振状态下的输出响应相较于非谐振状态下明显增大，而且外部DC磁场对本发明所提出的传感器存在偏置作用，传感器谐振峰所处的位置随着外部DC偏置磁场的增加而改变。图5为传感器对待测DC磁场的响应，从测量结果可以发现本发明所提出的传感器对测量范围内的DC磁场表现出线性相关。

Claims (8)

1.一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:包括传感器封装外壳、永磁体、激励线圈、磁电敏感单元及外围信号处理电路；
所述传感器封装外壳由上壳体与下壳体构成；其中，上壳体与下壳体结构相同具有前中后三段；前段与后段为等尺寸长方体段；中段为半圆柱段；
其中，长方体段前后对称设置；半圆柱段直径与两个长方体段的长边相等；半圆柱段前后两端分别与两个长方体段面积较大的侧面相接，形成整体；且半圆柱段的矩形截面部分与两个长方体段顶面齐平，同时半圆柱段左右侧边分别与两个长方体段的左右侧面共面；
上述两个长方体段内部设计横截面为矩形的永磁体安装槽；半圆柱段的矩形截面部分中部设计有横截面为矩形的磁电敏感单元安装槽，且设计磁电敏感单元安装槽前后侧边与分别平行于半圆柱段前后端面,与半圆柱段前后端面垂直距离相等；同时设计磁电敏感单元安装槽的左右侧边与半圆柱段左右侧边垂直距离相等；
所述上壳体与下壳体中，半圆柱段的矩形截面部分上沿半圆柱段轴线设计有矩形截面的走线槽，走线槽一端与磁电敏感单元安装槽相通，另一端与一侧永磁体安装槽相通；且其中下壳体中的走线槽还由半圆柱段端面垂直向下延伸至与外部连通；
所述上壳体与下壳体上下对称设置，且两者间对扣固定，固定方式通过在下壳体的半圆柱段的截面部分四角位置设计矩形插槽，分别与上壳体半圆柱段的截面部分上对应位置设计的矩形块状插头配合插接实现；
所述上壳体与下壳体前部的永磁体安装槽形成整体前永磁体安装腔；上壳体与下壳体后部的具有前部矩形段永磁体安装槽形成整体后永磁体安装腔；上壳体与下壳体上的走线槽间形成L形走线通道；上壳体与下壳体中部的磁电敏感单元安装槽形成整体磁电敏感单元安装腔，磁电敏感单元安装时，在磁电敏感单元外壁与磁电敏感单元安装腔内壁间铺设减震材料；上壳体与下壳体的半圆柱段形成整体圆柱结构的线圈缠绕段，外壁缠绕套激励线圈；
外围信号处理电路包括激励电路和信号检测电路；其中，激励电路由信号发生器产生正弦波信号经电压放大器放大后接激励线圈；正弦波的频率与磁电敏感单元的谐振频率一致，通过激励线圈产生的激励磁场使磁电敏感单元达到谐振状态；另外通过两侧永磁体施加偏置磁场，提高磁电效应传感器的灵敏度；
待测磁场由直流电流源和亥姆赫兹线圈产生，谐振式DC磁传感器的输出信号VME分别接锁相放大器和频谱分析仪，其中锁相放大器的参考信号Vref由电压放大器输出信号给定，经锁相放大器检测后获得传感器输出信号的幅值和相位信息，经频谱分析仪检测后获得传感器输出信号的频谱特性。
2.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:永磁体安装腔为矩形截面的腔体，与内部安装的永磁体尺寸匹配，保证永磁体不发生晃动。
3.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:磁电敏感单元安装腔尺寸略大于磁电敏感单元，内部磁电敏感单元外壁与磁电敏感单元安装腔内壁间铺设减震材料，使两者间达到最大程度的贴合。
4.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:传感器封装外壳由上壳体与下壳体构成，两者对扣形成整体，通过两者相对平面部分上设计的插槽与插头配合，插接固定。
5.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:永磁体大小设计为10mm×10mm×2mm。
6.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:磁电敏感单元由两侧的磁致伸缩材料及中间的压电材料复合而成的三明治结构，其中磁致伸缩材料尺寸大小为12mm×6mm×1mm，压电材料尺寸为12mm×6mm×1mm。
7.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:两侧永磁体以及激励线圈分别产生沿前后方向的偏置磁场与激励磁场。
8.如权利要求1所述一种基于磁电效应的谐振式DC磁传感器，其特征在于:磁电敏感单元采用L-T的工作模式，磁致伸缩材料处于纵向磁化模式，受到永磁体所提供的偏置磁场和激励线圈提供的激励磁场影响；压电材料处于横向极化模式。
CN202210399917.8A 2022-04-15 2022-04-15 一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器 Active CN114706025B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210399917.8A CN114706025B (zh) 2022-04-15 2022-04-15 一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210399917.8A CN114706025B (zh) 2022-04-15 2022-04-15 一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114706025A CN114706025A (zh) 2022-07-05
CN114706025B true CN114706025B (zh) 2024-03-22

Family

ID=82174819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210399917.8A Active CN114706025B (zh) 2022-04-15 2022-04-15 一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114706025B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116338536A (zh) * 2023-02-28 2023-06-27 南京理工大学 磁场测量传感器、系统及方法
CN117728158A (zh) * 2023-12-20 2024-03-19 苏州万联磁感应通讯科技有限公司 一种组合式微型化低频接收天线

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0450680A (ja) * 1990-06-13 1992-02-19 Fujikura Ltd 光ファイバ磁界センサ
CN2241345Y (zh) * 1995-07-06 1996-11-27 陈立民 磁敏传感器
US5998995A (en) * 1997-10-03 1999-12-07 The Johns Hopkins University Microelectromechanical (MEMS)-based magnetostrictive magnetometer
WO2015058733A1 (en) * 2013-10-25 2015-04-30 Czech Technical University In Prague, University Centre For Energy Efficient Buildings Contactless magnetic sensor of the magnetic or electrically conductive objects´position
CN110118946A (zh) * 2019-04-19 2019-08-13 华中科技大学 一种谐振式磁传感器
CN110389308A (zh) * 2018-04-16 2019-10-29 南京理工大学 磁致伸缩/压电复合灵敏度倍增的磁力梯度探头
CN110632537A (zh) * 2019-09-27 2019-12-31 宁波大学 一种直流磁场强度的测试方法
CN110794346A (zh) * 2019-09-26 2020-02-14 西安交通大学 一种基于磁扭电效应的磁场传感器及其制造方法
CN111273204A (zh) * 2020-02-25 2020-06-12 杭州电子科技大学 宽温区ac场增强dc场传感精度的谐振腔磁场传感系统
CN111323737A (zh) * 2020-04-09 2020-06-23 西安交通大学 一种阻抗敏感型磁传感器及其硬件检测电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070236213A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Paden Bradley E Telemetry method and apparatus using magnetically-driven mems resonant structure
CN102590768B (zh) * 2012-03-14 2014-04-16 江苏多维科技有限公司 一种磁电阻磁场梯度传感器

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0450680A (ja) * 1990-06-13 1992-02-19 Fujikura Ltd 光ファイバ磁界センサ
CN2241345Y (zh) * 1995-07-06 1996-11-27 陈立民 磁敏传感器
US5998995A (en) * 1997-10-03 1999-12-07 The Johns Hopkins University Microelectromechanical (MEMS)-based magnetostrictive magnetometer
WO2015058733A1 (en) * 2013-10-25 2015-04-30 Czech Technical University In Prague, University Centre For Energy Efficient Buildings Contactless magnetic sensor of the magnetic or electrically conductive objects´position
CN110389308A (zh) * 2018-04-16 2019-10-29 南京理工大学 磁致伸缩/压电复合灵敏度倍增的磁力梯度探头
CN110118946A (zh) * 2019-04-19 2019-08-13 华中科技大学 一种谐振式磁传感器
CN110794346A (zh) * 2019-09-26 2020-02-14 西安交通大学 一种基于磁扭电效应的磁场传感器及其制造方法
CN110632537A (zh) * 2019-09-27 2019-12-31 宁波大学 一种直流磁场强度的测试方法
CN111273204A (zh) * 2020-02-25 2020-06-12 杭州电子科技大学 宽温区ac场增强dc场传感精度的谐振腔磁场传感系统
CN111323737A (zh) * 2020-04-09 2020-06-23 西安交通大学 一种阻抗敏感型磁传感器及其硬件检测电路

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Phase-sensitive dc magnetometer based on magnetic–electromagnetic–magnetostrictive–piezoelectric heterostructureric heterostructure;Mingji Zhang et al.;AIP Advances 7;20170206;第1-7页 *
磁致伸缩传感器的灵敏度提升方法及实验研究;丛沫岳;中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑(第09期);I140-171 *
自偏置磁电复合材料及磁传感特性研究;徐晓玉;中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑(第03期);I140-654 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114706025A (zh) 2022-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114706025B (zh) 一种基于磁电效应的谐振式dc磁传感器
Jahns et al. Noise performance of magnetometers with resonant thin-film magnetoelectric sensors
US4314202A (en) Flexural vibration sensor with magnetic field generating and sensing
US10444096B2 (en) Distance compensation
Burdin et al. High-sensitivity dc field magnetometer using nonlinear resonance magnetoelectric effect
US6622577B1 (en) Single coil magnetostrictive sensors
US20050200353A1 (en) Sensor according to the runtime principle with a detector unit for mechanical-elastic waves
Bian et al. A resonant magnetic field sensor with high quality factor based on quartz crystal resonator and magnetostrictive stress coupling
Ou et al. Self-biased magnetoelectric current sensor based on SrFe12O19/FeCuNbSiB/PZT composite
CN108205118B (zh) 一种谐振型磁传感器敏感单元及数字频率输出磁传感器
CN105487024B (zh) 基于磁光耦合的弱磁传感器及磁场测量方法
CN112379315B (zh) 一种适用于磁电耦合传感器的微弱直流磁场测量方法
Lu et al. Magnetoelectric composite Metglas/PZT-based current sensor
RU2414717C1 (ru) Датчик электростатического поля и способ измерения электростатического поля
CN102252795B (zh) 一种电容式索力传感器
Ma et al. High sensitive nonlinear modulation magnetoelectric magnetic sensors with a magnetostrictive metglas structure based on bell-shaped geometry
RU136189U1 (ru) Датчик переменного магнитного поля
CN106932739A (zh) 基于f‑p结构的光纤微悬桥磁场传感探头
US7282822B2 (en) Sensor
CN206975197U (zh) 基于超磁致伸缩效应的十字微悬桥光纤磁场传感探头
Umapathy et al. Piezoelectric based resonance displacement sensor
RU218324U1 (ru) Магнитоэлектрический датчик тока
JP3065114B2 (ja) 渦電流測定法による変位トランスデューサ測定シーケンスを平衡させるための方法および装置
RU2298202C1 (ru) Способ измерения напряженности магнитного поля
RU198261U1 (ru) Датчик электрического поля магнитоэлектрический

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant