CN114679140A - 高线性度射频功率放大器 - Google Patents

高线性度射频功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN114679140A
CN114679140A CN202210409298.6A CN202210409298A CN114679140A CN 114679140 A CN114679140 A CN 114679140A CN 202210409298 A CN202210409298 A CN 202210409298A CN 114679140 A CN114679140 A CN 114679140A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
circuit
power amplifier
radio frequency
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210409298.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114679140B (zh
Inventor
刘文永
刘鑫海
谷远辉
孙洪铮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxscend Microelectronics Co ltd
Original Assignee
Maxscend Microelectronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maxscend Microelectronics Co ltd filed Critical Maxscend Microelectronics Co ltd
Priority to CN202210409298.6A priority Critical patent/CN114679140B/zh
Publication of CN114679140A publication Critical patent/CN114679140A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114679140B publication Critical patent/CN114679140B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Abstract

本申请涉及一种高线性度射频功率放大器，包括：放大电路和偏置电路，偏置电路包括两个以上的自适应线性化偏置电路，各自适应线性化偏置电路连接对应的控制电源，且均连接放大电路；各自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数。对放大电路配置两个以上的不同电路参数的自适应线性化偏置电路，仅通过调整各自适应线性化偏置电路对应的控制电源的大小和比值即可实现对射频功率放大器的线性度指标的动态调整，结构简单，控制方便，有效地提升了高线性度射频功率放大器的设计和调试效率。

Description

高线性度射频功率放大器
技术领域
本申请涉及射频前端技术领域，特别是涉及一种高线性度射频功率放大器。
背景技术
随着智能移动终端和5G技术的普及，射频通信系统需要远远高于以前蜂窝数据的数据传输速率，更低的网络延时，因此更多复杂的调制技术得到应用，使得射频信号更多的表现为具有高峰均比的非恒定包络信号。因此，为了使射频功率放大器在5G应用中实现有效的传输信号，必须提高射频功率放大器的线性功率。
射频功率放大器可分为两部分，第一部分是对射频信号进行功率放大的放大电路结构，第二部分是控制放大电路偏置点的偏置电路部分。传统的高线性度的功率放大器多采用自适应线性化偏置电路结构，自适应线性化偏置电路结构的电路参数往往在设计时就已经给定，因此需要额外设计调试结构，给调试带来了极大的困难，往往需要进行多次调试迭代才能收敛性能。因此，如何提供一种能有效地提升设计和调试效率的高线性度的射频功率放大器，是一个亟待解决的问题。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种能有效地提升设计和调试效率的高线性度射频功率放大器。
一种高线性度射频功率放大器，包括：放大电路和偏置电路，所述偏置电路包括两个以上的自适应线性化偏置电路，各所述自适应线性化偏置电路连接对应的控制电源，且均连接所述放大电路；各所述自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数。
在其中一个实施例中，所述偏置电路包括第一自适应线性化偏置电路和第二自适应线性化偏置电路，所述控制电源包括第一控制电源和第二控制电源；所述第一自适应线性化偏置电路连接所述放大电路和所述第一控制电源，所述第二自适应线性化偏置电路连接所述放大电路和所述第二控制电源，所述第一自适应线性化偏置电路和所述第二自适应线性化偏置电路设置为不同的电路参数，共同起到为所述放大电路提供静态偏置点和动态调整射频功率放大器线性度指标的作用。
在其中一个实施例中，所述第一自适应线性化偏置电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一线性化电容、第一镇流电阻和第一限流电阻，所述第一镇流电阻的第一端与所述放大电路相连接，所述第一镇流电阻的第二端与所述第一晶体管的输出端相连接，所述第一晶体管的输入端连接直流电源，所述第一晶体管的控制端与所述第一线性化电容的第一端和所述第二晶体管相连接，所述第一线性化电容的第二端接地，所述第二晶体管通过所述第三晶体管接地，所述第二晶体管与所述第一限流电阻的第一端相连接，所述第一限流电阻的第二端与所述第一控制电源相连接。
在其中一个实施例中，所述第一晶体管为三极管，所述第二晶体管为三极管或二极管，所述第三晶体管为三极管或二极管。
在其中一个实施例中，所述第二自适应线性化偏置电路包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第二线性化电容、第二镇流电阻和第二限流电阻，所述第二镇流电阻的第一端与所述放大电路相连接，所述第二镇流电阻的第二端与所述第四晶体管的输出端相连接，所述第四晶体管的输入端连接直流电源，所述第四晶体管的控制端与所述第二线性化电容的第一端和所述第五晶体管相连接，所述第二线性化电容的第二端接地，所述第五晶体管通过所述第六晶体管接地，所述第五晶体管与所述第二限流电阻的第一端相连接，所述第二限流电阻的第二端与所述第二控制电源相连接。
在其中一个实施例中，所述第四晶体管为三极管，所述第五晶体管为三极管或二极管，所述第六晶体管为三极管或二极管。
在其中一个实施例中，所述电路参数包括线性化电容的容值、镇流电阻的阻值以及晶体管的尺寸中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述放大电路包括主功放管、输入匹配电路、输入隔直电容、输出隔直电容和输出匹配电路，所述输入匹配电路的第一端接收输入射频信号，所述输入匹配电路的第二端与所述输入隔直电容的第一端相连接，所述输入隔直电容的第二端与所述主功放管的输入端相连接，所述主功放管的输出端与所述输出隔直电容的第一端相连接，所述输出隔直电容的第二端与所述输出匹配电路的第一端相连接，所述输出匹配电路的第二端输出经主功放管功率放大后的射频信号。
在其中一个实施例中，所述放大电路还包括扼流电感和去耦电容，所述扼流电感的第一端与所述主功放管的输出端相连接，所述扼流电感的第二端与所述去耦电容的第一端相连接，并接到直流电源，所述去耦电容的第二端接地。
在其中一个实施例中，所述控制电源为控制电流源或控制电压源。
上述高线性度射频功率放大器，对放大电路配置两个以上的不同电路参数的自适应线性化偏置电路，仅通过调整各自适应线性化偏置电路对应的控制电源的大小和比值即可实现对射频功率放大器的线性度指标的动态调整，结构简单，控制方便，有效地提升了高线性度的射频功率放大器的设计和调试效率。
附图说明
图1为一实施例中高线性度射频功率放大器的结构框图；
图2为一实施例中高线性度射频功率放大器的结构原理图；
图3为另一实施例中高线性度射频功率放大器的结构原理图；
图4为又一实施例中高线性度射频功率放大器的结构原理图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
传统的高线性度的功率放大器多采用自适应线性化偏置电路结构，通过调整自适应线性化偏置电路结构的电路参数，让偏置点随输入信号功率而变化，实现效率和线性度的良好折中。然而现有的电路设计中，自适应线性化偏置电路结构的电路参数往往在设计时就已经给定，一般需要额外设计一些调试结构，这给调试带来了极大的困难，尤其是对IC(Integrated Circuit，集成电路)电路，往往需要进行多次调试迭代才能收敛性能，无疑额外增加了设计难度、调试复杂度、时间和成本，因此，需要优化设计。
本申请的目的在于改善射频功率放大器的线性度，从单音信号情况下功率放大器的线性度指标AM-AM(Amplitude Modulation-Amplitude Modulation，幅度调制-幅度调制)和AM-PM(Amplitude Modulation-Phase Modulation，幅度调制-相位调制)角度考虑，提供了一种可动态调整AM-AM和AM-PM的射频功率放大器及其偏置电路方法，该方法同样适用于调整射频功率放大器的IMD3(Third Order Intermodulation Distortion，三阶互调失真)、ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio，相邻频道泄漏比)等从其它角度考虑的线性度指标。在射频功率放大器的偏置电路部分配置多组自适应线性化偏置电路结构，每组电路结构往往配置不同的电路参数，仅通过调整各组控制电源的大小和比值即可实现与传统自适应线性化偏置电路需要调整电路参数才能达到的效果，即有效地实现了对射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的动态调整，结构简单，控制方便，有效地提升设计和调试效率以及产品的收敛速度。
在一个实施例中，提供了一种高线性度射频功率放大器，可以是单级射频功率放大器或多级功率放大器或平衡式、推挽式等其它架构的射频功率放大器。如图1所示，高线性度射频功率放大器包括放大电路10和偏置电路20，偏置电路20包括两个以上的自适应线性化偏置电路，各自适应线性化偏置电路连接对应的控制电源，且均连接放大电路10；各自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数。其中，放大电路10用作进行射频信号功率放大，偏置电路20用作控制放大电路10的偏置点。偏置电路20具体可以是包括两个、三个或更多的自适应线性化偏置电路，每个自适应线性化偏置电路连接对应的控制电源，且各自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数。控制电源的类型并不唯一，例如可以是控制电流源或控制电压源。进一步地，电路参数的类型也并不是唯一的，本实施例中，电路参数具体可包括线性化电容的容值、镇流电阻的阻值以及晶体管的尺寸中的至少一种。
具体地，在一个实施例中，如图2所示，放大电路10包括主功放管101、输入匹配电路102、输入隔直电容103、输出隔直电容104和输出匹配电路105，输入匹配电路102的第一端接收输入射频信号，输入匹配电路102的第二端与输入隔直电容103的第一端相连接，输入隔直电容103的第二端与主功放管101的输入端相连接，主功放管101的输出端与输出隔直电容104的第一端相连接，输出隔直电容104的第二端与输出匹配电路105的第一端相连接，输出匹配电路105的第二端输出经主功放管101功率放大后的射频信号。其中，输入匹配电路102和输出匹配电路105的具体结构并不唯一，可根据实际需要进行设置。端口RFIN接入的射频信号通过输入匹配电路102的第一端输入电路中，射频信号经主功放管101进行功率放大，通过输出匹配电路105后由端口RFOUT输出经主功放管101功率放大后的射频信号。在其他实施例中，输入隔直电容103也可包含在输入匹配电路102中，输出隔直电容104也可包含在输出匹配电路105中。
进一步地，在一个实施例中，放大电路10还包括扼流电感106和去耦电容107，扼流电感106的第一端与主功放管101的输出端相连接，扼流电感106的第二端与去耦电容107的第一端相连接，并接到直流电源VCC，去耦电容107的第二端接地。扼流电感106和去耦电容107为主功放管101提供所需要的直流电源，起到防止直流电源与射频信号相互影响，以提高直流电源的电压稳定性的作用。
在一个实施例中，继续参照图2，偏置电路20包括第一自适应线性化偏置电路201和第二自适应线性化偏置电路202，控制电源包括第一控制电源和第二控制电源；第一自适应线性化偏置电路201连接放大电路10和第一控制电源，第二自适应线性化偏置电路202连接放大电路10和第二控制电源，第一自适应线性化偏置电路201和第二自适应线性化偏置电路202设置为不同的电路参数，共同起到为放大电路10提供静态偏置点和动态调整射频功率放大器线性度指标的作用。
具体地，以第一控制电源为第一控制电流源IREF1、第二控制电源为第二控制电流源IREF2为例，偏置电路20包括受第一控制电流源IREF1控制的第一自适应线性化偏置电路201，和受第二控制电流源IREF2控制的第二自适应线性化偏置电路202。第一自适应线性化偏置电路201与第二自适应线性化偏置电路202分别与主功放管101的输入端相连接，设置为不同的电路参数，共同起到为放大电路10部分提供静态偏置点和动态调整射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的作用。
具体地，第一控制电流源IREF1控制第一自适应线性化偏置电路201为主功放管101提供静态偏置点；第二控制电流源IREF2控制第二自适应线性化偏置电路202为主功放管101提供静态偏置点。第一自适应线性化偏置电路201和第二自适应线性化偏置电路202配置为不同的电路参数，主要的电路参数包括线性化电容的容值和镇流电阻的阻值，也可以是晶体管的尺寸。第一控制电流源IREF1和第二控制电流源IREF2配置不同的电流大小和比值，即可实现与传统自适应线性化偏置电路需要调整电路参数才能达到的效果，有效地实现了对射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的动态调整。
第一自适应线性化偏置电路201和第二自适应线性化偏置电路202的具体结构并不唯一，在一个实施例中，第一自适应线性化偏置电路201包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第一线性化电容HCAP1、第一镇流电阻Rb1和第一限流电阻R1，第一镇流电阻Rb1的第一端与放大电路10相连接，第一镇流电阻Rb1的第二端与第一晶体管Q1的输出端相连接，第一晶体管Q1的输入端连接直流电源VBAT，第一晶体管Q1的控制端与第一线性化电容HCAP1的第一端和第二晶体管Q2相连接，第一线性化电容HCAP1的第二端接地，第二晶体管Q2通过第三晶体管Q3接地，第二晶体管Q2与第一限流电阻R1的第一端相连接，第一限流电阻R1的第二端与第一控制电源IREF1相连接。
具体地，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及第三晶体管Q3的具体结构并不唯一，第一晶体管Q1可以是三极管或MOS管，第二晶体管Q2、第三晶体管Q3可以是三极管、MOS管或二极管。以第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及第三晶体管Q3均选择三极管为例，第一镇流电阻Rb1的第一端与主功放管101的输入端相连接，第一镇流电阻Rb1的第二端与第一晶体管Q1的发射极相连接，第一晶体管Q1的集电极与直流电源VBAT相连接，第一晶体管Q1的基极与第二晶体管Q2的基极、集电极和第一线性化电容HCAP1的第一端相连接，第一线性化电容HCAP1的第二端接地，第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的基极和集电极相连接，第三晶体管Q3的发射极接地，第二晶体管Q2的集电极与第一限流电阻R1第一端相连接，第一限流电阻R1的第二端与第一控制电流源IREF1相连接。在其他实施例中，第二晶体管Q2和第三晶体管Q3均选择二极管时，可以是将其中一个二极管的阳极连接第一限流电阻R1，阴极连接另一个二极管的阳极，另一个二极管的阴极接地。第一晶体管Q1的基极连接两个二极管的公共端。此外，第一控制电流源IREF1也可以采用控制电压源VREF1替代。
在一个实施例中，第二自适应线性化偏置电路202包括第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第二线性化电容HCAP2、第二镇流电阻Rb2和第二限流电阻R2，第二镇流电阻Rb2的第一端与放大电路10相连接，第二镇流电阻Rb2的第二端与第四晶体管Q4的输出端相连接，第四晶体管Q4的输入端连接直流电源VBAT，第四晶体管Q4的控制端与第二线性化电容HCAP2的第一端和第五晶体管Q5相连接，第二线性化电容HCAP2的第二端接地，第五晶体管Q5通过第六晶体管Q6接地，第五晶体管Q5与第二限流电阻R2的第一端相连接，第二限流电阻R2的第二端与第二控制电源IREF2相连接。
具体地，第四晶体管Q4、第五晶体管Q5以及第六晶体管Q6的具体结构并不唯一，第四晶体管Q4可以是三极管或MOS管，第五晶体管Q5、第六晶体管Q6可以是三极管、MOS管或二极管。以第四晶体管Q4、第五晶体管Q5以及第六晶体管Q6均选择三极管为例，第二镇流电阻Rb2的第一端与主功放管101的输入端相连接，第二镇流电阻Rb2的第二端与第四晶体管Q4的发射极相连接，第四晶体管Q4的集电极与直流电源VBAT相连接，第四晶体管Q4的基极与第五晶体管Q5的基极、集电极和第二线性化电容HCAP2的第一端相连接，第二线性化电容HCAP2的第二端接地，第五晶体管Q5的发射极与第六晶体管Q6的基极和集电极相连接，第六晶体管Q6的发射极接地，第五晶体管Q5的集电极与第二限流电阻R2第一端相连接，第二限流电阻R2的第二端与第二控制电流源IREF2相连接。在其他实施例中，第五晶体管Q5以及第六晶体管Q6均选择二极管时，可以是将其中一个二极管的阳极连接第二限流电阻R2，阴极连接另一个二极管的阳极，另一个二极管的阴极接地。第四晶体管Q4的基极连接两个二极管的公共端。此外，第二控制电流源IREF2也可以采用控制电压源VREF2替代。
此外，不同的自适应线性化偏置电路中还可以共用晶体管。例如，如图3所示，第二自适应线性化偏置电路202与第一自适应线性化偏置电路201共用一个第二晶体管Q2，简化结构并达到相同效果，还能减小版图占用面积。
需要说明的是，通过单独调整单路自适应线性化偏置电路的电路参数(如第一线性化电容HCAP1的容值)，即可实现对射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的调整，而单路自适应线性化偏置电路控制射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的具体方式并不唯一，例如可采用现有技术实现。但对于固定的电路设计，电路参数的调整往往比较麻烦，一般需要设计额外的调试结构或设计不同电路版本进行参数覆盖。
而在申请中采用两路自适应线性化偏置电路，配置不同容值的第一线性化电容HCAP1和第二线性化电容HCAP2，设置第一控制电流源IREF1和第二控制电流源IREF2的电流大小和比值，即可实现与调整单路自适应线性化偏置电路参数相同的效果，实现对射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的动态调整。例如，两个自适应线性化偏置电路由于参数不同以及控制电流源产生的电流大小不同，因此产生的第一偏置电流和第二偏置电流不同，而自适应线性化偏置电路为主功放管101提供的最终偏置电流是由第一偏置电流和第二偏置电流共同决定的，因此可以通过调整第一控制电流源IREF1和第二控制电流源IREF2的电流大小和比值来改变最终偏置电流。其中，第一控制电流源IREF1和第二控制电流源IREF2的电流大小主要可根据主功放管101的所需要的静态电流决定。对每一路自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数，通过调整各控制电流源的大小，让每一路自适应线性化偏置电路在电路中发挥作用强度不同，对射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的调整的效果不同，从而实现所需要的整体效果。
可选地，图4为本申请另一种射频功率放大器的结构示意图，在上述各技术方案的基础上，偏置电路20还可以包括n组自适应线性化偏置电路20n。通过控制各路自适应线性化偏置电路的控制电流源IREF的电流大小和比值，实现对射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的动态调整。需要说明的是，自适应线性化偏置电路的数量并不是越多越好，过多的自适应线性化偏置电路也会导致电路复杂度更高，还会占用版图面积，成本更高。本实施例中，自适应线性化偏置电路的数量具体设置为两组或三组即可。
此外，本申请提供的可动态调整射频功率放大器的AM-AM和AM-PM的偏置电路方法同样适用于多级射频功率放大器的设计或者平衡式、推挽式等不同架构的射频功率放大器的设计。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种高线性度射频功率放大器，其特征在于，包括：放大电路和偏置电路，所述偏置电路包括两个以上的自适应线性化偏置电路，各所述自适应线性化偏置电路连接对应的控制电源，且均连接所述放大电路；各所述自适应线性化偏置电路配置不同的电路参数。
2.根据权利要求1所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述偏置电路包括第一自适应线性化偏置电路和第二自适应线性化偏置电路，所述控制电源包括第一控制电源和第二控制电源；所述第一自适应线性化偏置电路连接所述放大电路和所述第一控制电源，所述第二自适应线性化偏置电路连接所述放大电路和所述第二控制电源，所述第一自适应线性化偏置电路和所述第二自适应线性化偏置电路设置为不同的电路参数，共同起到为所述放大电路提供静态偏置点和动态调整射频功率放大器线性度指标的作用。
3.根据权利要求2所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述第一自适应线性化偏置电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一线性化电容、第一镇流电阻和第一限流电阻，所述第一镇流电阻的第一端与所述放大电路相连接，所述第一镇流电阻的第二端与所述第一晶体管的输出端相连接，所述第一晶体管的输入端连接直流电源，所述第一晶体管的控制端与所述第一线性化电容的第一端和所述第二晶体管相连接，所述第一线性化电容的第二端接地，所述第二晶体管通过所述第三晶体管接地，所述第二晶体管与所述第一限流电阻的第一端相连接，所述第一限流电阻的第二端与所述第一控制电源相连接。
4.根据权利要求2所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管为三极管，所述第二晶体管为三极管或二极管，所述第三晶体管为三极管或二极管。
5.根据权利要求2所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述第二自适应线性化偏置电路包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第二线性化电容、第二镇流电阻和第二限流电阻，所述第二镇流电阻的第一端与所述放大电路相连接，所述第二镇流电阻的第二端与所述第四晶体管的输出端相连接，所述第四晶体管的输入端连接直流电源，所述第四晶体管的控制端与所述第二线性化电容的第一端和所述第五晶体管相连接，所述第二线性化电容的第二端接地，所述第五晶体管通过所述第六晶体管接地，所述第五晶体管与所述第二限流电阻的第一端相连接，所述第二限流电阻的第二端与所述第二控制电源相连接。
6.根据权利要求5所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述第四晶体管为三极管，所述第五晶体管为三极管或二极管，所述第六晶体管为三极管或二极管。
7.根据权利要求3或5所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述电路参数包括线性化电容的容值、镇流电阻的阻值以及晶体管的尺寸中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述放大电路包括主功放管、输入匹配电路、输入隔直电容、输出隔直电容和输出匹配电路，所述输入匹配电路的第一端接收输入射频信号，所述输入匹配电路的第二端与所述输入隔直电容的第一端相连接，所述输入隔直电容的第二端与所述主功放管的输入端相连接，所述主功放管的输出端与所述输出隔直电容的第一端相连接，所述输出隔直电容的第二端与所述输出匹配电路的第一端相连接，所述输出匹配电路的第二端输出经主功放管功率放大后的射频信号。
9.根据权利要求1所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述放大电路还包括扼流电感和去耦电容，所述扼流电感的第一端与所述主功放管的输出端相连接，所述扼流电感的第二端与所述去耦电容的第一端相连接，并接到直流电源，所述去耦电容的第二端接地。
10.根据权利要求1所述的高线性度射频功率放大器，其特征在于，所述控制电源为控制电流源或控制电压源。
CN202210409298.6A 2022-04-19 2022-04-19 高线性度射频功率放大器 Active CN114679140B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210409298.6A CN114679140B (zh) 2022-04-19 2022-04-19 高线性度射频功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210409298.6A CN114679140B (zh) 2022-04-19 2022-04-19 高线性度射频功率放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114679140A true CN114679140A (zh) 2022-06-28
CN114679140B CN114679140B (zh) 2023-05-23

Family

ID=82078550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210409298.6A Active CN114679140B (zh) 2022-04-19 2022-04-19 高线性度射频功率放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114679140B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116054756A (zh) * 2023-01-04 2023-05-02 江苏卓胜微电子股份有限公司 偏置电路及功率放大器
CN116317977A (zh) * 2023-01-10 2023-06-23 江苏卓胜微电子股份有限公司 新型功率放大器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106230392A (zh) * 2016-07-18 2016-12-14 东南大学 一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器
CN211791447U (zh) * 2020-04-23 2020-10-27 锐磐微电子科技(上海)有限公司 一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器
CN112910420A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 温州大学 一种高线性度射频功率放大器
CN213990604U (zh) * 2020-10-30 2021-08-17 锐石创芯(重庆)科技有限公司 放大器偏置电路和射频功率放大器
CN114362699A (zh) * 2021-12-14 2022-04-15 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106230392A (zh) * 2016-07-18 2016-12-14 东南大学 一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器
CN211791447U (zh) * 2020-04-23 2020-10-27 锐磐微电子科技(上海)有限公司 一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器
CN213990604U (zh) * 2020-10-30 2021-08-17 锐石创芯(重庆)科技有限公司 放大器偏置电路和射频功率放大器
CN112910420A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 温州大学 一种高线性度射频功率放大器
CN114362699A (zh) * 2021-12-14 2022-04-15 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于功率自适应偏置调节技术的放大器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116054756A (zh) * 2023-01-04 2023-05-02 江苏卓胜微电子股份有限公司 偏置电路及功率放大器
CN116317977A (zh) * 2023-01-10 2023-06-23 江苏卓胜微电子股份有限公司 新型功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
CN114679140B (zh) 2023-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11855586B2 (en) Power amplifier module
CN114679140B (zh) 高线性度射频功率放大器
US20020017954A1 (en) Linearized power amplifier based on active feedforward-type predistortion
US20050242875A1 (en) High efficiency linear amplifier employing dynamically controlled back off
JP6680235B2 (ja) 電力増幅回路および高周波モジュール
US10355653B2 (en) Power amplifier circuit
CN105515539B (zh) 改善射频功率放大器线性度的方法、补偿电路及通信终端
CN213990604U (zh) 放大器偏置电路和射频功率放大器
CN109818587B (zh) 一种自适应偏置的射频功率放大器
EP1380100A2 (en) Self-boosting circuit for a power amplifier
CN211791447U (zh) 一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器
JP3631060B2 (ja) 線形増幅器及びこれを用いた無線通信装置
CN101919158A (zh) 微波功率放大器的平均功效增强和线性度改善
KR102178526B1 (ko) 전력 증폭기
US20020113656A1 (en) Amplifier
US6972627B2 (en) High frequency power amplifier module
CN115622514A (zh) 负载调制推挽式功率放大器
CN113489461A (zh) 一种射频预失真线性化电路及射频功率放大器
CN213990615U (zh) 一种功率放大模块及电路
CN115940837A (zh) 功率放大器及电子设备
US10879847B2 (en) Transmission unit
CN111262534A (zh) 一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路
CN214380828U (zh) 功率放大系统
CN115913155B (zh) 一种适用于5g系统的高线性功率放大器
CN211791445U (zh) 一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant