CN114678471A - 一种钙钛矿太阳能电池组件及其加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池组件及其加工方法,该钙钛矿太阳能电池组件包括依次层叠设置的透明载体、底部透明电极、第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层、修饰层、顶电极、顶部绝缘层、胶膜和封装层;通过设置第二刻线,可有效避免顶电极对刻线外的钙钛矿活性层的侵蚀。另外,第四刻线上设置顶部绝缘层,一方面能够有效阻止空气的水氧与第四刻线处裸露的钙钛矿活性层接触,保护钙钛矿活性层;另一方面,可有效防止胶膜与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,从而提高钙钛矿太阳能电池组件的稳定性。最后,钙钛矿太阳能电池的电性连接结构在制备过程中能够用激光分四步制成,可使得钙钛矿太阳能电池组件结构更为紧凑。
Description
技术领域
本发明涉及光伏器件技术领域,具体涉及一种钙钛矿太阳能电池组件及其加工方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是目前快速发展的第三代太阳能电池,具备高效率、低成本以及工艺简单等优点。这些年来,越来越多的科研人员大力推广钙钛矿太阳能组件的技术开发和实际应用。现在,小面积(<1cm2)钙钛矿太阳能电池效率已经突破25%,而且,钙钛矿太阳能电池组件的效率也已经达到了商用的标准。但是,钙钛矿太阳能电池组件的稳定性仍需进一步提升才能满足商用的要求。
现有技术中,钙钛矿太阳能组件工艺在第三刻线区域刻线完成后直接去制作顶电极,顶电极可通过第三刻线与钙钛矿活性层直接接触后发生缓慢的化学反应,导致钙钛矿活性层发生降解,导致钙钛矿太阳能电池组件的光伏性能和稳定性受到影响。另外,钙钛矿太阳能组件在第四刻线区域刻线完成后直接进行胶膜的封装,胶膜在熔融过程中会直接流入第四刻线区域刻线凹槽处,但是,由于胶膜存在应力作用,在正常使用中仍然会有水汽进入,导致裸露在第四刻线凹槽处的钙钛矿活性层被水氧破坏,从而对钙钛矿太阳能组件的光伏性能和稳定性造成不良的影响。此外,胶膜与钙钛矿活性层接触后会与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,从而破坏钙钛矿活性层,导致钙钛矿太阳电池组件的稳定性和光伏性能有所下降。针对现有技术的这一问题,有必要改进工艺解决这一难题。
发明内容
为了克服现有钙钛矿太阳能电池组件的不足,本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,首先设置第二载流子传输层后设置第二刻线,在第二刻线上设置修饰层,填充在第二刻线的修饰层起到隔绝钙钛矿活性层和顶电极的作用,可有效避免顶电极对刻线外的钙钛矿活性层的侵蚀。此外,通过在第四刻线沉积顶部绝缘层,一方面能够有效阻止空气的水氧与第四刻线处裸露的钙钛矿活性层接触,保护钙钛矿活性层;另一方面顶部绝缘层的设置,可有效防止胶膜与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,防止钙钛矿活性层分解,从而提高钙钛矿太阳能电池组件的稳定性。最后,钙钛矿太阳能电池的电性连接结构在制备过程中能够用激光分四步制成,结合钙钛矿太阳能电池中的各层结构的加工顺序特点,具有良好的加工便利性,可使得钙钛矿太阳能电池组件结构更为紧凑。
相应的,本发明还提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,包括依次层叠设置的透明载体、底部透明电极、第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层、修饰层、顶电极、顶部绝缘层、胶膜和封装层;并且所述钙钛矿太阳能电池组件还包括与第四刻线配合的顶部绝缘层,所述顶部绝缘层至少用于将裸露在第四刻线内的钙钛矿活性层与外界环境隔离。
所述钙钛矿太阳能电池组件具有若干道第一刻线、若干道第二刻线、若干道第三刻线、若干道第四刻线和顶部绝缘层;
所述若干道第一刻线中的任一道第一刻线沿横向贯穿所述底部透明电极;
所述若干道第二刻线中的任一道第二刻线沿横向贯穿所述第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层;
所述若干道第三刻线中的任一道第三刻线沿横向贯穿所述修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层;
所述若干道第四刻线中的任一道第四刻线沿横向贯穿顶电极、修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层;
所述第一载流子传输层还包括填充在第一刻线中的第一填充结构;所述修饰层包括填充在第二刻线的第二填充结构;所述顶电极还包括填充在所述第三刻线的第三填充结构;所述顶部绝缘层还包括填充在第四刻线的第四天冲结构。
可选的实施方式,所述第一刻线、第二刻线、第三刻线和第四刻线为平面式整体贯穿结构;
相应的,本发明还提供了一种钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,用于所述的钙钛矿太阳能电池组件的加工,包括:
于底部透明电极加工出若干道第一刻线;
于所述底部透明电极上加工出第一载流子传输层;
于所述第一载流子传输层上加工出钙钛矿活性层;
于所述钙钛矿活性层上加工出第二载流子传输层;
于所述第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层上加工出若干道第二刻线;
于所述第二载流子传输层上加工出修饰层;
于所述修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层上加工出若干道第三刻线;
于所述修饰层上加工出顶电极;
于所述顶电极、修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层上加工出若干道第四刻线;
于所述顶电极上加工出顶部绝缘层;
可选的实施方式,所述透明载体为玻璃、PET、PI、PE或PVC衬底。
可选的实施方式,所述底部透明电极为ITO、FTO和AZO中的单体材料或它们的组合。
所述底部透明电极上的微电路分布根据预设结构加工。
可选的实施方式,所述第一刻线、第二刻线、第三刻线和第四刻线为激光划线。
可选的实施方式,所述第一载流子传输层通过但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,原子层沉积,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备。
可选的实施方式,所述钙钛矿活性层通过但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备。
可选的实施方式,所述第二载流子传输层通过但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,原子层沉积,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备。
可选的实施方式,所述修饰层可以为SnO2、ZnO2或TiO2的单体材料或它们的组合,所述修饰层通过但不限于蒸镀,溅射,热喷雾分解,原子层沉积或化学气相沉积的一种或多种工艺制备。
可选的实施方式,所述顶电极通过但不限于蒸镀或溅射的工艺制备。
可选的实施方式,所述顶部绝缘层可以为SiO2、Si3N4、SiC、Al2O3和AlN的单体材料或它们的组合,通过但不限于蒸发、溅射或化学气相沉积的一种或多种工艺制备。
可选的实施方式,所述胶膜可以为EVA、POE、PVB或TPU的单体材料或它们的组合,采用空压机加热熔融封装。
可选的实施方式,所述封装层可以为普通玻璃、钢化玻璃或光伏背板的其中一种。
本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,首先设置第二载流子传输层后设置第二刻线,在第二刻线上设置修饰层,填充在第二刻线的修饰层起到隔绝钙钛矿活性层和顶电极的作用,可有效避免顶电极对刻线外的钙钛矿活性层的侵蚀。此外,通过在第四刻线沉积顶部绝缘层,一方面能够有效阻止空气的水氧与第四刻线处裸露的钙钛矿活性层接触,保护钙钛矿活性层;另一方面顶部绝缘层的设置,可有效防止胶膜与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,提高钙钛矿太阳能电池组件的稳定性。最后,钙钛矿太阳能电池的电性连接结构在制备过程中能够用激光分四步制成,结合钙钛矿太阳能电池中的各层结构的加工顺序特点,具有良好的加工便利性,可使得钙钛矿太阳能电池组件结构更为紧凑。
附图说明
图1为本发明实施例的钙钛矿太阳能电池组件剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:钙钛矿太阳能电池组件
具体的,本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,包括多个任意相邻的钙钛矿太阳能电池通过电性连接,该钙钛矿太阳能电池组件连接方式为:通过设置第三刻线,使其中一个钙钛矿太阳能电池的顶电极与另外一个钙钛矿太阳能电池的底部透明电极形成回路。
具体的,本发明实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,该钙钛矿太阳能电池组件由多个钙钛矿太阳能电池组成;考虑到商业应用及降低成本问题,需对钙钛矿太阳能电池面积进行放大,由于导电玻璃寄生电阻限制,单个钙钛矿太阳能电池的尺寸不能过大,因此,本发明实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,以满足实际使用需求。
具体的,本发明实施例的钙钛矿太阳能电池组件还包括设置在第四刻线顶部绝缘层,通过在第四刻线设置与第四刻线配合的防护结构,能够有效防止空气中水氧和第四刻线处裸露的钙钛矿活性层接触;除此之外,还能有效防止胶膜与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,防止钙钛矿活性层的降解,从而提高钙钛矿太阳电池组件的稳定性。
图1为本发明实施例的钙钛矿太阳能电池组件剖面结构示意图。
具体的,本发明实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池组件的具体结构以供参考。
具体的,本发明实施例的钙钛矿太阳能电池组件包括依次层叠设置的透明载体10、底部透明电极20、第一载流子传输层30、钙钛矿活性层40、第二载流子传输层50、修饰层60、顶电极70、顶部绝缘层80、胶膜90,和封装层100。
所述钙钛矿太阳能电池组件还具有若干道第一刻线P1、若干道第二刻线P2、若干道第三刻线P3和若干道第四刻线P4。
所述若干道第一刻线P1沿横向贯穿切断底部透明电极20形成预设微电路。
所述若干道第二刻线P2沿横向贯穿所述第二载流子传输层50、钙钛矿活性层40和第一载流子传输层30,目的是将顶电极70和钙钛矿活性层40分隔开,防止顶电极70和钙钛矿活性层40直接接触导致钙钛矿活性层40发生降解。
所述若干道第三刻线P3沿横向贯穿所述修饰层60、第二载流子传输层50、钙钛矿活性层40和第一载流子传输层30,目的是将任意相邻钙钛矿太阳能电池的顶电极70和底部透明电极20构成回路,将钙钛矿太阳能电池形成钙钛矿太阳能电池组件。
所述若干道第四刻线P4沿横向贯穿所述顶电极70、修饰层60、第二载流子传输层50、钙钛矿活性层40、第一载流子传输层30和底部透明电极20;主要目的是切断顶电极,防止短路。
所述顶部绝缘层80可以为SiO2、Si3N4、SiC、Al2O3和AlN的单体材料或它们的组合,可通过但不限于蒸发、溅射或化学气相沉积的一种或多种工艺制备,所述顶部绝缘层80的厚度取值范围为[10nm,1000nm]。
具体的,由于第一刻线P1、第二刻线P2、第三刻线P3和第四刻线P4的加工,相应的,所述底部透明电极20、第一载流子传输层30、钙钛矿活性层40、第二载流子传输层50、修饰层60、顶电极70和顶部绝缘层80的结构具有相应的变化。
具体的,所述第一载流子传输层30还包括填充在第一刻线中的第一填充结构;所述修饰层60包括填充在第二刻线的第二填充结构;所述顶电极70还包括填充在所述第三刻线的第三填充结构;所述顶部绝缘层80还包括填充在所述第四刻线的第四填充结构。
具体的,结合附图图1示意,图1所示的为钙钛矿太阳能电池组件中的两个相邻的钙钛矿太阳能电池分别命名为第一钙钛矿太阳能电池和第二钙钛矿太阳能电池。
具体的,为了保证钙钛矿太阳能电池的加工便利性和结构的精简以及钙钛矿的稳定性,本发明实施例的钙钛矿太阳能电池组件用激光分四步制成,并利用钙钛矿太阳能电池中每一层结构的重设计实现钙钛矿太阳能电池电性连接,任意两个相邻的半透明钙钛矿太阳能电池电性连接方式为:通过第三刻线,使其中一个钙钛矿太阳能电池的顶电极与另外一个钙钛矿太阳能电池的底部透明电极形成回路。
具体的,第一刻线P1的作用是将底部透明电极20划分为相互独立的底部透明电极单元,因此,在本发明实施例中,在附图图1的钙钛矿太阳能电池组件中,任意相邻的钙钛矿太阳能电池的底部透明电极之间并不会产生电导通能力。
相应的,由于加工工艺的关系,第一载流子传输层30的材料会填充至第一刻线P1中。
相应的,为了防止顶电极70对刻线外的钙钛矿活性层40的侵蚀,利用第二刻线P2将第二载流子传输层50、钙钛矿活性层40和第一载流子传输层30进行平面式整体贯穿切割;相应的,在第二刻线P2上加工修饰层60,利用修饰层60将刻线外的钙钛矿活性层40和顶电极70分隔开。
相应的,为了对相邻的两个钙钛矿太阳能电池进行串联,第三刻线P3将第一载流子传输层30、钙钛矿层40、第二载流子传输层50和修饰层60进行平面式整体贯穿切割;第四刻线P4的设置主要是为了避免相邻钙钛矿太阳能电池的顶电极70短路。
相应的,在第四刻线P4上进行顶部绝缘层80的加工,构成钙钛矿太阳能电池组件的一部分,顶部绝缘层80能够将空气中水氧和第四刻线P4处裸露的钙钛矿活性层分隔开,同时防止胶膜90与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,防止钙钛矿活性层的降解,提升钙钛矿太阳能电池组件的稳定性。
相应的,胶膜90采用层压机加热熔融封装,胶膜90需要和封装层100同时加工。加热温度的取值范围为[50℃,170℃],压力的取值范围为[30KPa,100KPa],加热时间的取值范围为[5min,50min]。
需要说明的是,对于第一刻线P1、第二刻线P2、第三刻线P3和第四刻线P4为平面式整体贯穿结构。
具体实施例中,为了给钙钛矿太阳能电池组件提供一支撑载体,因此,本发明实施例的钙钛矿太阳能电池组件还包括透明载体10,所述底部透明电极20设置在所述透明载体10上。
实施例二:钙钛矿太阳能电池组件加工方法
相应的,本发明实施例还提供了一种钙钛矿太阳能电池组件加工方法,包括:
S101:于透明载体上加工出底部透明电极;
具体的,透明载体可以为玻璃、PET、PI、PE或PVC衬底的单体材料或它们的组合,底部透明电极可以为FTO、ITO、IZO和AZO的单体材料或它们的组合,底部透明电极的微电路分布需要根据预设结构实施。
S102:于底部透明电极上加工出若干道第一刻线;
第一刻线为平面整体贯穿设置结构,若干道第一刻线将底部透明电极划分为若干个单元。
第一刻线的加工方式可以为激光刻线。
S103:于所述底部透明电极上加工出第一载流子传输层;
具体的,第一载流子传输层通过但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,原子层沉积,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备,第一载流子传输层需要填充所述第一刻线,第一载流子传输层的顶面需要保持为一平面。
S104:于所述第一载流子传输层上加工出钙钛矿活性层;
具体的,钙钛矿活性层可以采用但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备。
S105:于所述钙钛矿活性层上加工出第二载流子传输层;
具体的,第二载流子传输层可采用但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,原子层沉积,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备
S106:于所述第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层上加工出第二刻线,第二刻线按照平面式整体贯穿设置,可采用激光划线等手段实现第二刻线的加工,目的是将顶电极和刻线外的钙钛矿分隔开,防止顶电极对刻线外的钙钛矿进行侵蚀。
S107:于第二刻线上加工出修饰层;
具体的,修饰层通过但不限于蒸镀,溅射,热喷雾分解,原子层沉积或化学气相沉积的一种或多种工艺制备,修饰层需要填充所述第二刻线,修饰层的顶面需要保持为一平面。
S108:于所述修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层上加工出第三刻线,第三刻线按照平面式整体贯穿设置,可采用激光划线等手段实现第三刻线的加工;
S109:于所述修饰层上加工出顶电极;
具体的,顶电极可通过但不限于蒸镀或溅射的工艺制备。
S110:于所述顶电极、修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层上加工出第四刻线;
具体的,第四刻线为平面式整体贯穿设置,可采用激光划线等手段实现第四刻线的加工,将所述钙钛矿太阳能电池组件中任意相邻钙钛矿太阳能电池的顶电极、修饰层、第二载流子传输层、钙钛矿活性层和第一载流子传输层分隔开,防止短路。
S111:于所述第四刻线上加工出所述顶部绝缘层,顶部绝缘层可以为SiO2、Si3N4、SiC、Al2O3和AlN的单体材料或它们的组合;具体的,顶部绝缘层可通过但不限于蒸发、溅射或化学气相沉积的一种或多种工艺制备,顶部绝缘层需要填充所述第四刻线,顶部绝缘层的顶面需要保持为一平面。
S112:于所述顶部绝缘层上同时加工出胶膜和封装层,采用层压机进行加工。
综合上述两个实施例,本发明实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池组件,通过第二刻线的设置,可有效避免顶电极对刻线外的钙钛矿活性层的侵蚀。此外,通过在第四刻线沉积顶部绝缘层,除了能够有效防止空气中水氧和第四刻线处裸露的钙钛矿活性层接触,还能有效防止胶膜与钙钛矿活性层发生缓慢的化学反应,防止钙钛矿活性层的降解,从而提高钙钛矿太阳能电池组件的稳定性。最后,钙钛矿太阳能电池的电性连接结构在制备过程中能够用激光分四步制成,结合钙钛矿太阳能电池中的各层结构的加工顺序特点,具有良好的加工便利性,可使得钙钛矿太阳能电池组件结构更为紧凑。本发明实施例还提供了一种钙钛矿太阳能电池组件加工方法,结合钙钛矿太阳能电池组件更层次结构的成型顺序和成型工艺特点,以生产出满足结构需求的钙钛矿太阳电池组件,具又良好的加工便利性。
以上对本发明实施例进行了详细介绍,本文中应采用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于,包括依次层叠设置的透明载体、底部透明电极、第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层、修饰层、顶电极、顶部绝缘层、胶膜和封装层;
所述钙钛矿太阳能电池组件具有若干道第一刻线、若干道第二刻线、若干道第三刻线和若干道第四刻线;
所述若干道第一刻线沿横向贯穿所述底部透明电极;
所述若干道第二刻线沿横向贯穿所述第一载流子传输层、所述钙钛矿活性层和第二载流子传输层;
所述若干道第三刻线沿横向贯穿所述第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层和修饰层;
所述若干道第四刻线沿横向贯穿所述第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层、修饰层和顶电极;
所述钙钛矿太阳能电池组件还包括与第四刻线配合的顶部绝缘层,所述顶部绝缘层至少用于将裸露在第四刻线的钙钛矿活性层与外界环境隔离。
所述胶膜和封装层设置在顶部绝缘层的上面;
所述第一载流子传输层还包括填充在第一刻线中的第一填充结构;所述修饰层包括填充在第二刻线的第二填充结构;所述顶电极还包括填充在所述第三刻线的第三填充结构;所述顶部绝缘层还包括填充在所述第四刻线的第四填充结构。
2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池组件,其特征在于,所述第一刻线、第二刻线、第三刻线和第四刻线为平面式整体贯穿结构。
3.一种钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,用于权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池组件的加工,包括:
于透明载体上加工出底部透明电极;
于底部透明电极上加工出若干道第一刻线;
于所述底部透明电极上加工出第一载流子传输层;
于所述第一载流子传输层上加工出钙钛矿活性层;
于所述钙钛矿活性层加工出第二载流子传输层;
于所述第二载流子传输层上加工出若干道第二刻线;
于所述第一载流子传输层、钙钛矿活性层和第二载流子传输层上加工出修饰层;
于所述修饰层上加工出若干道第三刻线;
于所述修饰层上加工出顶电极;
于所述第一载流子传输层、钙钛矿活性层、第二载流子传输层、修饰层和顶电极加工出若干道第四刻线;
于所述顶电极上加工出顶部绝缘层;
于所述顶部绝缘层上同时加工出胶膜和封装层。
4.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,所述第二刻线设置在第一刻线和第三刻线之间,用于将顶电极与刻线外的钙钛矿活性层分隔开。
5.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,所述第一刻线、第二刻线、第三刻线和第四刻线的加工方式为激光划线。
6.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,所述底部透明电极为FTO、ITO、IZO和AZO的单体材料或它们的组合。
7.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,所述第一载流子传输层通过蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,原子层沉积,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备;所述钙钛矿活性层通过蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备;所述第二载流子传输层通过但不限于蒸镀,溅射,喷涂,热喷雾分解,原子层沉积,化学气相沉积,印刷或狭缝涂布的一种或多种工艺制备。
8.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,所述修饰层通过蒸镀,溅射,热喷雾分解,原子层沉积或化学气相沉积的一种或多种工艺制备。
9.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,所述顶部绝缘层通过蒸发、溅射或化学气相沉积的一种或多种工艺制备,所述顶部绝缘层用于将所述第四刻线内腔与外部环境隔离,厚度取值范围为[20nm,1000nm]。
10.根据权利要求3-9中任一项所述的钙钛矿太阳能电池组件加工方法,其特征在于,还包括封装结构,所述封装结构主要由胶膜和封装层形成。
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CN117119859A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-24 | 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 | 钙钛矿太阳电池的制备装置及钙钛矿太阳电池的制备方法 |
CN117119859B (zh) * | 2023-10-18 | 2024-01-23 | 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 | 钙钛矿太阳电池的制备装置及钙钛矿太阳电池的制备方法 |
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