CN114639945A - 一种高带宽的封装天线装置 - Google Patents

一种高带宽的封装天线装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114639945A
CN114639945A CN202210220769.9A CN202210220769A CN114639945A CN 114639945 A CN114639945 A CN 114639945A CN 202210220769 A CN202210220769 A CN 202210220769A CN 114639945 A CN114639945 A CN 114639945A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radiator
substrate
plate portion
antenna device
feed path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210220769.9A
Other languages
English (en)
Inventor
张海伟
胡豪涛
张跃江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to CN202210220769.9A priority Critical patent/CN114639945A/zh
Publication of CN114639945A publication Critical patent/CN114639945A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/002Protection against seismic waves, thermal radiation or other disturbances, e.g. nuclear explosion; Arrangements for improving the power handling capability of an antenna
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2258Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles used with computer equipment
    • H01Q1/2266Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles used with computer equipment disposed inside the computer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H01Q1/241Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
    • H01Q1/242Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
    • H01Q1/243Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/27Adaptation for use in or on movable bodies
    • H01Q1/273Adaptation for carrying or wearing by persons or animals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48Earthing means; Earth screens; Counterpoises
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/02Waveguide horns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/08Radiating ends of two-conductor microwave transmission lines, e.g. of coaxial lines, of microstrip lines
    • H01Q13/085Slot-line radiating ends
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q19/00Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
    • H01Q19/10Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces
    • H01Q19/108Combination of a dipole with a plane reflecting surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q19/00Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
    • H01Q19/28Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using a secondary device in the form of two or more substantially straight conductive elements
    • H01Q19/30Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using a secondary device in the form of two or more substantially straight conductive elements the primary active element being centre-fed and substantially straight, e.g. Yagi antenna
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/067Two dimensional planar arrays using endfire radiating aerial units transverse to the plane of the array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/24Combinations of antenna units polarised in different directions for transmitting or receiving circularly and elliptically polarised waves or waves linearly polarised in any direction
    • H01Q21/26Turnstile or like antennas comprising arrangements of three or more elongated elements disposed radially and symmetrically in a horizontal plane about a common centre
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/28Combinations of substantially independent non-interacting antenna units or systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/16Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
    • H01Q9/28Conical, cylindrical, cage, strip, gauze, or like elements having an extended radiating surface; Elements comprising two conical surfaces having collinear axes and adjacent apices and fed by two-conductor transmission lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/30Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

一种高带宽封装天线(AiP,Antenna in Package)装置,涉及封装天线领域,用于实现高带宽天线的封装。该封装天线装置包括相对设置的、电连接的两个基板。其中,天线的一部分设置于其中一个基板中,天线的另一部分设置于另一基板中,天线的上述两个部分通过焊接在两个基板之间的锡球进行连接。上述天线可以包括辐射体(辐射元件),以及为辐射体馈电的馈电路径。通过将天线从一个基板延伸到另一基板中,使得天线的等效高度增大,从而增加垂直极化电流路径,提高天线的增益和带宽。

Description

一种高带宽的封装天线装置
本申请是分案申请,原申请的申请号是201880092395.9,原申请日是2018年10月26日,原申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及半导体领域,尤其涉及封装天线领域。
背景技术
随着5G(5th-Generation)通信时代的来临,毫米波传输成为全球各大运营商的重要选择。在毫米波传输中,毫米波天线作为末端收发器件起着至关重要的作用。随着通信信号频率的升高,信号在传输线上的损耗也会急剧增大,从而影响通信质量。AiP(Antenna inPackage,封装天线)可以较好地解决信号在传输线上损耗较大的问题。AiP将天线与芯片集成并封装在一个封装结构中,降低了天线与芯片之间的传输损耗,同时提高了系统集成度。
5G毫米波终端设备在与基站、数据中心等通信时,由于手持设备姿态的特殊性,终端设备中的天线除了需要具备边射辐射(broadside radiation)功能外,还需要具备端射辐射(endfire radiation)功能。此外,为了增加通信质量,通常采用双极化收发天线进行极化分集接收,或者以双极化天线的两个极化方向组建MIMO(Multiple-Input Multiple-Output,多入多出)通信。如图1所示的是现有技术中一种封装天线100,包括边射天线110、端射天线120,其中芯片(die)130被倒装于封装天线100的底部,并通过馈电路径140向边射天线110和端射天线120,以分别完成双极化。由于终端设备的小型化趋势对封装天线的厚度限制日益严格,端射天线120的垂直极化难以实现。例如,终端设备中封装天线的厚度被限制在0.9mm左右,而端射天线120正常工作需要的物理尺寸约为谐振频率的半波长(如毫米波28GHz频段半波长约5mm),因此在有限的厚度下使端射天线120垂直极化的难度较大。在现有技术中,可以通过弯折端射天线120来实现较小封装天线厚度下的端射天线120的垂直极化。然而,上述弯折处理使得端射天线120的垂直极化有效电流路径缩短,从而限制了天线的带宽,无法满足5G毫米波28GHz频段的带宽要求。
发明内容
本申请的实施例提供一种封装天线装置,可以用于解决终端设备中端射天线的垂直极化电流路径较短、带宽较低的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种封装天线装置,包括第一辐射体部分、第二辐射体部分、第一馈电路径、第一金属件,以及相对设置的第一基板和第二基板,其中上述第一辐射体部分和第一馈电路径设置于上述第一基板中,第二辐射体部分设置于上述第二基板中,第一馈电路径用于对第一辐射体部分馈电,上述两个辐射体部分通过设置于两个基板之间的第一金属件连接。
由于第一金属件将上述两个辐射体部分连接,天线增加的等效高度等于第一金属件和第二辐射体部分的高度,使得天线产生的垂直极化电流路径不仅可以分布在第一辐射体部分,还可以分布在第一金属件和第二辐射体部分,因此增加了垂直极化电流路径,从而提高了封装天线装置中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括设置于第二基板中的第二馈电路径,以及用于连接上述两个基板中的两个馈电路径的第二金属件,上述第二馈电路径用于对上述第二辐射体部分馈电。由于第二金属件连接了上述两个馈电路径,使得馈电路径的等效高度也得到了增加,因此增加了馈电路径中的垂直极化电流路径,更有利于对上述两个辐射体部分馈电,从而提高天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一接地板部分,上述第二辐射体部分包括第二接地板部分,且两个接地板部分通过上述第一金属件连接。将上述两个接地板连接起来,增加了接地板上的垂直极化电流路径,减小天线的后向辐射,从而提升天线的增益。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分,上述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分,且两个主辐射板部分通过上述第一金属件连接。将上述两个主辐射板部分连接起来,增加了主辐射板上的垂直极化电流路径,从而提高了天线的带宽和增益。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一寄生辐射板部分,上述第二辐射体部分包括第二寄生辐射板部分,且两个寄生辐射板部分通过上述第一金属件连接。将上述两个寄生辐射板部分连接起来,增加了寄生辐射板上的垂直极化电流路径,从而提高了天线的方向性。
在一种可能的实施方式中,上述第一主辐射板部分和第二主辐射板部分包括±45°极化的双极化振子。其中,第一主辐射板部分包括夹角为90°的第一正极化振子和第一负极化振子,第二主辐射板部分包括夹角为90°的第二正极化振子和第二负极化振子。通过调整上述两个主辐射板部分的方向,可以实现±45°双极化天线,使得封装天线装置中天线的极化方式更加灵活。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分,上述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分,且上述两个主辐射板部分没有直接连接,其中第一馈电路径用于对第一主辐射板部分耦合馈电,第二馈电路径用于对第二主辐射板部分耦合馈电。采用耦合馈电的方式进行耦合,使得在增加上述两个主辐射板部分的垂直极化电流路径的情况下,馈电的方式更加灵活。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括第一芯片,该第一芯片设置于第一基板朝向第二基板的一侧,该第一芯片用于为上述两个馈电路径提供射频信号。封装天线装置将芯片和天线集成并封装在一起,使得射频信号在传输线上的损耗变小,从而提升通信质量。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分和第二辐射体部分的最大辐射方向与上述第一芯片的法线垂直。即,上述两个辐射体部分为封装天线装置中的端射天线。通过提高端射天线的等效高度,从而增加垂直极化电流路径,因此提升了天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括与上述第一芯片的法线平行的第三辐射体。即,上述第三辐射体为封装天线装置中的边射天线。将边射天线和改进后的端射天线集成在同一个封装天线中,有利于提高天线整体的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第一金属件和第二金属件为球栅阵列BGA球。将BGA球作为金属件的材料,成本较低且可以较好地控制两个基板之间的距离。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分、第二辐射体部分、第一馈电路径和第二馈电路径中的至少一个通过过孔来实现。通过过孔实现上述结构可以降低工艺的复杂度。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分、第二辐射体部分、第一馈电路径和第二馈电路径中的至少一个通过错位排布的过孔阵列和走线来实现,其中走线用于在水平方向上连接过孔阵列。通过过孔阵列和走线实现上述结构,使得天线以及馈电路径的方向和结构更加灵活,例如可以实现±45°的极化,或者根据实际的天线阵列排布的需求进行过孔布局和走线。
在一种可能的实施方式中,上述第二辐射体部分设置于第二基板朝向第一基板的一侧,并且第二辐射体部分包括焊垫或走线。当对天线的高度需求较小时,可以仅通过第二金属件和第二基板表面的焊垫或走线来增加垂直极化电流路径,而无需在第二基板内部设置天线结构。此时垂直极化电流路径的增加量即第二金属件的高度。采用上述结构可以简化封装天线装置的结构,降低成本。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括第二芯片,该第二芯片设置于第二基板背对第一基板的一侧。第二芯片可以是数据处理芯片,例如CPU(CentralProcessing Unit,中央处理器),或者数据缓存芯片,例如DRAM(Dynamic Random AccessMemory,动态随机存取存储器)。将第二芯片与第一芯片、天线集成于封装天线装置中,可以使封装天线装置的功能更加完善,数据处理能力更强。
在一种可能的实施方式中,上述第一基板为中介层。将中介层作为第一基板的材料,使得封装天线装置结构的稳定性更强。
在一种可能的实施方式中,上述第二基板为第一印制电路板PCB。例如,第二基板为高频PCB,并在该高频PCB上还可以设置其他的芯片或电路,使得封装天线装置具有其他的数据处理或传输功能。
在一种可能的实施方式中,上述第一主辐射板部分与第一接地板部分连接,第二主辐射板部分与第二接地板部分连接,且第一接地板部分和第二接地板部分通过第一金属件连接,第一馈电路径和第二馈电路径分别设置于第一基板和第二基板中,并且通过第二金属件连接,以对第一主辐射板部分和第二主辐射板部分耦合馈电。上述两个馈电路径可以设置于两个基板内部,也可以设置于两个基板相对的两个表面上。通过耦合馈电的方式馈电,使得封装天线装置中天线的设计更加灵活。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置包括维瓦尔第天线,其中上述第一接地板部分、第二接地板部分、第一主辐射板部分、第二主辐射板部分、第一馈电路径和第二馈电路径均通过层间走线和过孔或过孔阵列来实现。通过调整层间走线,以及过孔或过孔阵列的布局,可以形成多种天线的实现方式,使得封装天线装置的天线种类的设计更加灵活。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置包括单极子天线。通过将第二主辐射板部分进行弯折处理,可以满足天线低频工作的需要,使得封装天线装置的天线种类的设计更加灵活。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置包括八木天线,其中第一馈电路径用于对第一主辐射板部分馈电,第二馈电路径用于将第二主辐射板部分和第二接地板部分短接。通过改变上述两个馈电路径的馈电方式,使得封装天线装置的天线种类的设计更加灵活。
第二方面,本申请实施例提供一种终端设备,该终端设备包括如第一方面及其可能的实施方式所述的封装天线装置。
由于第一金属件将上述两个辐射体部分连接,天线增加的等效高度等于第一金属件和第二辐射体部分的高度,使得天线产生的垂直极化电流路径不仅可以分布在第一辐射体部分,还可以分布在第一金属件和第二辐射体部分,因此增加了垂直极化电流路径,从而提高了终端设备中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述终端设备还包括第三辐射体部分、第一结构件和第三金属件,其中第一结构件设置于第二基板背对第一基板的一侧,第三辐射体部分设置于第一结构件中,且与第二辐射体部分通过第三金属件连接,上述第一馈电路径还用于对第三辐射体部分馈电。将天线延伸到上述封装天线装置之外的结构件中,充分利用终端设备的有限空间,有利于进一步增大天线的等效高度,增加垂直极化电流路径,从而提高终端设备中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述终端设备还包括第四辐射体、第二结构件和第四金属件,其中第二结构件设置于第一基板背对第二基板的一侧,第四辐射体部分设置于第二结构件中,且与第一辐射体部分通过第三金属件连接,上述第一馈电路径还用于对第四辐射体部分馈电。将天线延伸到上述封装天线装置之外的结构件中,充分利用终端设备的有限空间,有利于进一步增大天线的等效高度,增加垂直极化电流路径,从而提高终端设备中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述终端设备还包括第五辐射体部分、第二PCB和第五金属件,其中第二PCB设置于第二基板背对第一基板的一侧,第五辐射体部分设置于第二PCB种,并通过第五金属件和第二辐射体部分连接,第一馈电路径还用于对第五辐射体部分馈电。将天线延伸到其他PCB中,使得终端设备在包含多个层叠设置的PCB的情况下,充分利用终端设备的有限空间,有利于进一步增大天线的等效高度,增加垂直极化电流路径,从而提高终端设备中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第三金属件、第四金属件和第五金属件为金属搭接线。使用金属搭接线连接各个辐射体部分,使得垂直极化电流能够更好的在上述各个辐射体部分之间分布,从而提高设备中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第三辐射体部分、第四辐射体部分和第五辐射体部分中的至少一个包括金属柱和镀金属走线。通过在结构件和PCB的表面或内部设置金属柱和镀金属走线,可以以较低的成本实现上述辐射体部分的结构。
第三方面,本申请实施例提供一种封装天线装置,包括第一辐射体部分、第一馈电路径、第一金属件,以及第一基板,其中第一辐射体部分和第一馈电路径设置于第一基板中,第一金属件用于连接第一基板中的第一辐射体部分和第二基板中的第二辐射体部分,第一馈电路径用于对第一辐射体部分馈电。
由于第一金属件将上述两个辐射体部分连接,天线增加的等效高度等于第一金属件和第二辐射体部分的高度,使得天线产生的垂直极化电流路径不仅可以分布在第一辐射体部分,还可以分布在第一金属件和第二辐射体部分,因此增加了垂直极化电流路径,从而提高了封装天线装置中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括第二金属件,该第二金属件用于连接第一馈电路径,以及上述第二基板中的第二馈电路径,该第二馈电路径用于对第二辐射体部分馈电。由于第二金属件连接了上述两个馈电路径,使得馈电路径的等效高度也得到了增加,因此增加了馈电路径中的垂直极化电流路径,更有利于对上述两个辐射体部分馈电,从而提高天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一接地板部分,上述第二辐射体部分包括第二接地板部分,且两个接地板部分通过上述第一金属件连接。将上述两个接地板连接起来,增加了接地板上的垂直极化电流路径,减小天线的后向辐射,从而提升天线的增益。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分,上述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分,且两个主辐射板部分通过上述第一金属件连接。将上述两个主辐射板部分连接起来,增加了主辐射板上的垂直极化电流路径,从而提高了天线的带宽和增益。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分包括第一寄生辐射板部分,上述第二辐射体部分包括第二寄生辐射板部分,且两个寄生辐射板部分通过上述第一金属件连接。将上述两个寄生辐射板部分连接起来,增加了寄生辐射板上的垂直极化电流路径,从而提高了天线的方向性。
在一种可能的实施方式中,上述第一主辐射板部分和第二主辐射板部分可以包括±45°极化的双极化振子。其中,第一主辐射板部分包括夹角为90°的第一正极化振子和第一负极化振子,第二主辐射板部分包括夹角为90°的第二正极化振子和第二负极化振子。通过调整上述两个主辐射板部分的方向,可以实现±45°双极化天线,使得封装天线装置中天线的极化方式更加灵活。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括第一芯片,该第一芯片设置于第一基板朝向第二基板的一侧,该第一芯片用于为上述两个馈电路径提供射频信号。封装天线装置将芯片和天线集成并封装在一起,使得射频信号在传输线上的损耗变小,从而提升通信质量。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分和第二辐射体部分的最大辐射方向与上述第一芯片的法线垂直。即,上述两个辐射体部分为封装天线装置中的端射天线。通过提高端射天线的等效高度,从而增加垂直极化电流路径,因此提升了天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第一金属件和第二金属件为球栅阵列BGA球。将BGA球作为金属件的材料,成本较低且可以较好地控制两个基板之间的距离。
在一种可能的实施方式中,上述封装天线装置还包括与上述第一芯片的法线平行的第三辐射体。即,上述第三辐射体为封装天线装置中的边射天线。将边射天线和改进后的端射天线集成在同一个封装天线中,有利于提高天线整体的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分和第一馈电路径中的至少一个通过过孔来实现。通过过孔实现上述结构可以降低工艺的复杂度。
在一种可能的实施方式中,上述第一辐射体部分和第一馈电路径中的至少一个通过错位排布的过孔阵列和走线来实现,其中走线用于在水平方向上连接过孔阵列。通过过孔阵列和走线实现上述结构,使得天线以及馈电路径的方向和结构更加灵活,例如可以实现±45°的极化,或者根据实际的天线阵列排布的需求进行过孔布局和走线。
第四方面,本申请实施例提供一种终端设备,包括后盖、边框、显示装置、中框,以及封装天线装置,其中,上述显示装置、中框和封装天线装置依次层叠设置,上述后盖设置于封装天线装置背对中框的一侧,其中中框和显示装置与边框的一端连接,边框的另一端与后盖连接,上述封装天线装置为如第一方面及其可能的实施方式所述的封装天线装置
由于第一金属件将上述两个辐射体部分连接,天线增加的等效高度等于第一金属件和第二辐射体部分的高度,使得天线产生的垂直极化电流路径不仅可以分布在第一辐射体部分,还可以分布在第一金属件和第二辐射体部分,因此增加了垂直极化电流路径,从而提高了终端设备中天线的增益和带宽。
在一种可能的实施方式中,上述终端设备还包括设置于中框和封装天线装置之间的第二PCB。终端设备中设置多个PCB,并在该PCB上还可以设置其他的芯片或电路,使得终端设备具有其他的数据处理或传输功能。
在一种可能的实施方式中,上述终端设备还包括设置于封装天线装置和第二PCB之间的第一屏蔽框,该第一屏蔽框用于屏蔽和干扰第二PCB和第二基板之间的电磁波。第一屏蔽框能够减少第二PCB和第二基板中的电磁波对其他电路的影响。
在一种可能的实施方式中,上述终端设备还包括设置于第二PCB和中框之间的第二屏蔽框,该第二屏蔽框用于屏蔽和干扰第二PCB和中框之间的电磁波。第二屏蔽框能够减少第二PCB中的电磁波对其他电路的影响。
在一种可能的实施方式中,上述边框包括凹槽,该凹槽靠近封装天线装置。将边框部分挖空并形成凹槽结构,使得边框在保证天线进行端射辐射的同时有较好的支撑力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为现有技术中的一种封装天线。
图2为本申请实施例中一种终端设备的剖面结构示意图。
图3为本申请实施例中一种封装天线装置的剖面结构示意图。
图4为本申请实施例中另一种封装天线装置的剖面结构示意图。
图5为本申请实施例中又一种封装天线装置的剖面结构示意图。
图6为本申请实施例中一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图。
图7为本申请实施例中另一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图。
图8为本申请实施例中另一种终端设备的剖面结构示意图。
图9为本申请实施例中又一种终端设备的剖面结构示意图。
图10(a)为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图;
图10(b)为该封装天线装置的3D视图。
图11(a)为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图;
图11(b)为该封装天线装置的3D视图。
图12为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图。
图13(a)为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图;
图13(b)为该封装天线装置的3D视图。
图14(a)为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图;
图14(b)为该封装天线装置的3D视图。
图15(a)为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图;
图15(b)为该封装天线装置的3D视图。
图16(a)为本申请实施例中又一种更为具体的封装天线装置的剖面结构示意图;
图16(b)为该封装天线装置的3D视图。
图17为本申请实施例中一种更为具体的终端设备的剖面结构示意图。
附图标记:封装天线装置250;第一基板300;第二基板260;射频处理芯片310;BGA球312;边射天线320;第一辐射体部分330;第一金属件350;第二金属件352;第二辐射体部分340;第一馈电路径360;第一接地板部分332;第二接地板部分342;第一馈电路径360;第二馈电路径362;第一主辐射板部分334;第二主辐射板部分344;第一寄生辐射板部分336;第二寄生辐射板部分346;第一正极化振子3342;第一负极化振子3344;第二正极化振子3444;第二负极化振子3442;第一结构件370;第三辐射体部分371;第三金属件372;第二结构件373;第四辐射体部分374;第四金属件375;PCB262;第五辐射体部分376;第五金属件377。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图2所示的是本申请实施例提供的一种终端设备200的剖面结构示意图,该终端设备200可以为智能手机、便携式电脑、平板电脑、电子手环或其他具有通信功能的终端设备。上述终端设备200可以包括后盖210、边框220、显示装置230和中框240,其中后盖210和显示装置230相对设置,并通过边框220连接,以在后盖210和显示装置230之间形成空腔。中框240设置于显示装置230朝向后盖210的一侧。后盖210和中框240之间设置有封装天线装置250和PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)262,该封装天线装置250设置于PCB262朝向后盖210的一侧,并通过锡球与PCB262形成电连接。上述封装天线装置250可以用于接收、发射和处理电磁波信号。封装天线装置250包括第一基板300和第二基板260,上述第一基板300和第二基板260可以通过锡球等金属连接件进行连接。
如图3所示的是本申请实施例提供的一种封装天线装置250的剖面结构示意图。上述封装天线装置250包括相对设置的第一基板300和第二基板260。上述第一基板300可以为采用无源硅片实现的中介层(interposer);上述第二基板260也可以为中介层,或者为采用覆铜箔层压板实现的印制电路板。第一基板300和第二基板260通过设置于二者间的BGA球312形成电连接。第一基板300的下表面的一侧,即第一基板300朝向第二基板260的一侧设置有射频处理芯片310,该射频处理芯片310用于处理射频信号,并通过锡球或其他金属焊接材料与第一基板300形成电连接。第一基板300的上表面的一侧,即第一基板300背对第二基板260的一侧设置有边射天线320,该边射天线320的最大辐射方向与射频处理芯片310的法线平行。需要注意的是,在本申请中,将射频处理芯片310朝向第一基板300的方向定义为射频处理芯片310的法线方向,例如图3中的垂直方向为射频处理芯片310的法线方向。射频处理芯片310可以通过设置于第一基板300中的馈电路径对边射天线320馈电,使得边射天线320被激励,以接收和发射电磁波信号。封装天线装置250还包括端射天线,该端射天线的最大辐射方向与射频处理芯片310的法线垂直。上述端射天线包括方向一致的第一辐射体部分330和第二辐射体部分340。
在上述封装天线装置250中,第一辐射体部分330设置于第一基板300中,第二辐射体部分340设置于第二基板260中,第一辐射体部分330和第二辐射体部分340通过第一金属件350形成电连接。可以在第一辐射体部分330靠近第二基板260的一端,以及第二辐射体部分340靠近第一基板300的一端设置焊垫,从而使得第一金属件350与第一辐射体部分330和第二辐射体部分340之间的连接更加稳固。射频处理芯片310也可以通过设置于第一基板300中的第一馈电路径360对第一辐射体部分330馈电,使得第一辐射体部分330和第二辐射体部分340被激励,以接收和发射电磁波信号。被激励的第一辐射体部分330、第一金属件350和第二辐射体部分340中存在垂直极化电流,其方向与射频处理芯片310的法线方向平行。上述天线极化的方式包括水平极化和垂直极化,也可以包括±45°极化。例如,当上述端射天线被垂直极化激励或±45°极化激励,则在该端射天线中会产生±45°极化的电流。
由于第一金属件350将第二辐射体部分340与第一辐射体部分330连接,使得端射天线的等效高度从原来的第一辐射体部分330的高度变为第一辐射体部分330、第一金属件350以及第二辐射体部分340的高度。端射天线的等效高度的增加,使得端射天线产生的垂直极化电流路径可以分布在第一辐射体部分330、第一金属件350和第二辐射体部分340上,即增加了端射天线在垂直方向的极化电流路径,因此提高了端射天线的增益和带宽。需要注意的是,本申请中天线的等效高度均指上述端射天线在垂直方向,也就是平行于射频处理芯片310法线的方向上的高度。
在一种实施方式中,上述封装天线装置250还可以包括设置于第二基板250背对第一基板的一侧的芯片,该芯片可以为CPU(Central Processing Unit,中央处理器)芯片,也可以为缓存芯片,例如DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。该芯片通过锡球或其他金属连接件与第二基板250形成电连接。
上述第一辐射体部分330和第二辐射体部分340可以通过如图3所示的过孔(via)实现,其中第一辐射体部分330、第一金属件350和第二辐射体部分340位于一条直线上。如图4所示的是上述封装天线装置250的另一种实施方式的剖面结构示意图,其中图4中的相同标记可以参考图3。与图3不同的是,根据所需要的天线类型和布线要求,图4中的第一辐射体部分330和第二辐射体部分340也可以通过错位排布的过孔阵列(via array)以及层间走线来实现(层间走线用于连接错位排布的过孔),即将第一辐射体部分330和第二辐射体部分340进行弯折等处理,以提高天线的带宽。与过孔相比,通过错位排布的过孔阵列以及层间走线来实现的实际等效高度相同,并且同样可以使得垂直极化电流路径分别在第一辐射体部分330、第一金属件350和第二辐射体部分340上,以提高端射天线的增益和带宽。
如图5所示的是上述封装天线装置250的又一种实施方式的剖面结构示意图,其中图5中的相同标记可以参考图3。与图3不同的是,图5中的封装天线装置250中的第二辐射体部分340还可以通过设置于第二基板260朝向第一基板300一侧的走线或焊垫来实现。由于第一金属件350(例如锡球)有一定的体积和高度,因此垂直极化电流也可以分布在第一金属件350和第二辐射体部分340中,以提高端射天线的增益和带宽。
如图6所示的是本申请实施例提供的一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,其中图6中的相同标记可以参考图3。不同的是,图6中的封装天线装置250中的辐射体可以进一步包括接地板、主辐射板和寄生辐射板中的至少一种。接地板用于反射电磁波信号,同时也是信号参考地;主辐射板被馈电并发射或接收电磁波信号;寄生辐射板作为引向器,可以增强电磁波信号的方向性。具体来说,第一辐射体部分330包括第一接地板部分332、第一主辐射板部分334和第一寄生辐射板336,相对应的,第二辐射体部分340包括第二接地板部分342、第二主辐射板部分344和第二寄生辐射板346。第一接地板部分332和第二接地板部分342、第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344、第一寄生辐射板336和第二寄生辐射板346均通过独立的第一金属件350连接。射频处理芯片310通过第一馈电路径360对第一主辐射板部分334馈电,使得第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344被激励。第一寄生辐射板336和第二寄生辐射板346分别与第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344产生谐振,以提高天线辐射的方向性。第一接地板部分332和第二接地板部分342与射频处理芯片310的地端连接,以提供信号参考地。由于第一金属件350分别将第一接地板部分332和第二接地板部分342、第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344、第一寄生辐射板336和第二寄生辐射板346连接,使得端射天线的接地板、主辐射板和寄生辐射板的等效高度增大,从而增加了端射天线在垂直方向的极化电流路径,因此提高了端射天线的增益和带宽。
需要注意的是,可以根据天线设计的需求和基板布线的需求设置上述第一接地板部分332、第一主辐射板部分334、第一寄生辐射板336,以及第二接地板部分342、第二主辐射板部分344和第二寄生辐射板346。例如,在第一基板300中设置第一接地板332、第一馈电路径360、第一主辐射板334和第一寄生辐射板336,同时在第二基板260中设置第二接地板342、第二主辐射板344和第二寄生辐射板346,也可以仅在第二基板260中设置第二接地板342。本申请不对接地板、主辐射板和寄生辐射板的数量和具体位置做其他限定,但需要第二基板260包括第二接地板342、第二主辐射板344和第二寄生辐射板346中的至少一种。第一馈电路径360可以为对第一主辐射板部分334的直接馈电,也可以为对第一主辐射板部分334的耦合馈电,本申请不对馈电方式做任何限定。此外,本申请也不对接地板、主辐射板和寄生辐射板的高度做限定。例如,第一基板300包括4层布线层(其中最靠近第二基板260的布线层为第4层),则第一接地板332可以包括从第一基板300的第3层到第4层的过孔,也可以包括从第一基板300的第1层到第4层的过孔。
如图7所示的是本申请实施例提供的另一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,其中图7中的相同标记可以参考图6。与图6不同的是,图7中的封装天线装置250还包括设置于第二基板260中的第二馈电路径362,该第二馈电路径362与第一馈电路径360通过设置于第一基板300和第二基板260之间的第二金属件352连接。与图6不同的是,图7中的第一馈电路径360对第一主辐射板部分334耦合馈电,第二馈电路径362对第二主辐射板部分344耦合馈电,上述第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344之间没有直接的物理连接。由于馈电路径和主辐射板部分形成了耦合馈电,使得第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344中均存在垂直极化电流,使得主辐射板的等效高度增大,从而增加了端射天线在垂直方向的极化电流路径,因此提高了端射天线的增益和带宽。
与第一辐射体部分330和第二辐射体部分340类似,上述第一馈电路径360和上述第二馈电路径362也可以通过过孔,或者通过过孔阵列以及层间走线来实现(层间走线用于连接错位排布的过孔),以缩小封装天线装置250的体积,提高天线的带宽。
上述第一金属件350和第二金属件352可以为锡球,例如球栅阵列BGA(Ball GridArray,球栅阵列)球,或者其他具有导电性能的结构件。可以在第一馈电路径360靠近第二基板260的一端,以及第二馈电路径362靠近第一基板300的一端设置焊垫,从而使得第二金属件352与第一馈电路径360和第二馈电路径362之间的连接更加稳固。
如图8所示的是根据本申请实施例的另一种终端设备200的剖面结构示意图,包括封装天线装置250、第一结构件370和第二结构件373,该封装天线装置250可以为本申请实施例提供的任意一种封装天线装置。其中,第一结构件370设置于第二基板260的下方,即背向第一基板300的一侧。第一结构件370包括设置于其中的第三辐射体部分371,该第三辐射体部分371通过第三金属件372与第二辐射体部分340连接,上述第三金属件372设置于第二基板260和第一结构件370之间。第二结构件373设置于第一基板300的上方,即背向第二基板260的一侧。第二结构件373包括设置于其中的第四辐射体部分374,该第四辐射体部分374通过第四金属件375与第一辐射体部分330连接,上述第四金属件375设置于第一基板300和第二结构件373之间。
上述第一结构件370和第二结构件373可以为终端设备中的边框或中框,也可以为其他终端设备中的结构件。上述第三金属件372和第四金属件375可以为金属搭接线,也可以为其他具有导电功能的搭接线或连接球。上述第三辐射体部分371和第四辐射体部分374可以通过过孔,或者通过过孔阵列以及层间走线来实现(层间走线用于连接错位排布的过孔),也可以通过金属柱和镀金属走线实现。在一种实施方式中,可以根据终端设备200的设计需求在上述第一结构件370背对第一基板300的一侧设置其他结构件、辐射体部分和金属件。在一种实施方式中,可以在上述第二结构件373背对第一基板300的一侧设置其他结构件、辐射体部分和金属件。在另一种实施方式中,也可以只设置第一结构件370、第三辐射体部分371和第三金属件372,或者只设置第二结构件373、第四辐射体部分374和第四金属件375。本申请不对终端设备200中结构件、辐射体部分和金属件的个数做任何限定。
如图9所示的是根据本申请实施例的又一种终端设备200的剖面结构示意图,其中图9中的相同标记可以参考图8。与图8不同的是,图9中的终端设备200还包括PCB262,该PCB262可以设置于第二基板260和第一结构件370之间。具体来说,上述PCB262包括设置于PCB262中的第五辐射体部分376,该第五辐射体部分376的一端与第二辐射体部分340通过设置于第二基板260和PCB262之间的第五金属件377连接,同时该第五辐射体部分376的另一端与第三辐射体部分371通过设置于PCB262和第一结构件370之间的第三金属件372连接。在一种实施方式中,第二基板260可以为高频PCB板,用于传输和处理高频信号;PCB262可以为低频PCB板,用于传输和处理中频和低频信号。在一种实施方式中,可以根据设计需求在第一结构件370朝向第一基板300的一侧,或者第二结构件373朝向第一基板300的一侧设置其他PCB。本申请不对终端设备200中PCB的个数和位置做任何限定。
上述第五金属件377可以为金属搭接线,也可以为其他具有导电功能的搭接线或连接球。上述第五辐射体部分376可以通过过孔实现,或者通过过孔阵列以及层间走线来实现(层间走线用于连接错位排布的过孔),也可以通过金属柱和镀金属走线实现。与第一辐射体部分330和第二辐射体部分340类似,上述第三辐射体部分371、第四辐射体部分374和第五辐射体部分376分别至少包括接地板、主辐射板和寄生辐射板中的至少一种,此处不再赘述。
如图10(a)所示的是本申请实施例提供的又一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,图10(b)为该封装天线装置250的3D视图。图10(a)和图10(b)中的相同标记可以参考图8。与图8不同的是,图10(a)和图10(b)中的封装天线装置250采用“η”形弯折结构馈电路径对第一主辐射板部分334和第二主辐射板344耦合馈电。具体来说,第一主辐射板部分334与第一接地板部分332电连接,第二主辐射板部分344与第二接地板部分342电连接,且第一接地板部分332和第二接地板部分342通过第一金属件350连接,而第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344之间没有形成直接的连接关系。第一馈电路径360和第二馈电路径362分别设置于第一基板300和第二基板260中,通过第二金属件352连接,并对第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344耦合馈电。在一种实施方式中,上述第一馈电路径360和第二馈电路径362可以分别设置于第一基板300和第二基板260的中间布线层中;在另一种实施方式中,上述第一馈电路径360和第二馈电路径362也可以分别设置于第一基板300朝向第二基板260的一侧,以及第二基板260朝向第一基板300的一侧。上述第一馈电路径360和第二馈电路径362通过第二金属件352连接,以形成“η”形的弯折结构,其中第一馈电路径360主要用于对第一主辐射板部分334耦合馈电,第二馈电路径362主要用于对第二主辐射板部分344耦合馈电。上述第一主辐射板部分334、第二主辐射板部分344、第一接地板部分332和第二接地板部分342均可以采用对称振子形态,并通过加宽处理以增加工作带宽。
如图11(a)所示的是本申请实施例提供的又一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,图11(b)为该封装天线装置250的3D视图。图11(a)和图11(b)中的相同标记可以参考图10(a)和图10(b)。不同的是,图11(a)和图11(b)的封装天线装置250中的天线为±45°双极化天线。具体来说,封装天线装置250中的第一主辐射板部分334包括第一正极化振子3342和第一负极化振子3344,第二主辐射板部分344包括第二正极化振子3444和第二负极化振子3442,其中上述第一正极化振子3342和第一负极化振子3344的夹角为90°,第二正极化振子3444和第二负极化振子3442也为90°。通过上述结构可以实现天线的±45°双极化,其中第一馈电路径360中的部分馈电路径用于对第一负极化振子3344进行-45°极化,第二馈电路径362中的部分馈电路径用于对第二负极化振子3442进行-45°极化,且上述两部分的馈电路径通过第二金属件352进行连接;第一馈电路径360中的另一部分馈电路径用于对第一正极化振子3342进行+45°极化,第二馈电路径362中的另一部分馈电路径用于对第二正极化极子3444进行+45°极化,且上述两部分馈电路径通过第二金属件352进行连接。上述用于﹢45°极化的馈电路径和用于-45°极化的馈电路径分别通过第二金属件352进行交叉走线,并通过调整第二金属件352前后位置以及走线的弯折保证两路馈电信号的幅相需求,以形成完整的±45°双极化天线。
如图12所示的是本申请实施例提供的又一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,其中图12中的相同标记可以参考图10(a)。与图10(a)不同的是,图12的封装天线装置250中的第一馈电路径260和第二馈电路径362通过耦合馈电的方式对第一主辐射板部分334和第二主辐射板344馈电。具体来说,封装天线装置250还包括第一寄生辐射板部分336和第二寄生辐射板部分346,且上述第一寄生辐射板部分336和第二寄生辐射板部分346通过第一金属件350连接。封装天线装置250中的第一馈电路径360、第二馈电路径362、第一接地板部分332、第二接地板部分342、第一主辐射板部分334、第二主辐射板344、第一寄生辐射板336和第二寄生辐射板346均可以通过对称的、错位排布的过孔阵列和走线来实现。其中,第一馈电路径360和第二馈电路径362通过第二金属件352部分连通并形成耦合缝隙,该耦合缝隙的宽度可以根据第二金属件352的大小进行调整,该耦合缝隙的长度可以通过调整第一金属件350的数量来控制。
如图13(a)所示的是本申请实施例提供的又一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,图13(b)为该封装天线装置250的3D视图。图13(a)和图13(b)中的相同标记可以参考图12。不同的是,图13(a)和图13(b)中的封装天线装置250中的天线为vivaldi(维瓦尔第)天线。其中,封装天线装置250的第一主辐射板部分334(设置于第一基板300中)和第二主辐射板部分344(设置于第二基板260中)呈喇叭状,通过指数形状的缝隙结构来控制电磁波从缝隙的一端向开口端辐射电磁能量。其中,第一接地板部分332、第二接地板部分342、第一主辐射板部分334、第二主辐射板部分344、第一馈电路径360和第二馈电路径362均通过层间走线和过孔或过孔阵列来实现。馈电位置和耦合量可以分别调整上述过孔的位置和偏移量来控制。为了增大喇叭天线的口径,可以采用多层基板和多层PCB的方式增大第一主辐射板部分334和第二主辐射板部分344的等效高度。
如图14(a)所示的是本申请实施例提供的又一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,可以用于实现喇叭天线,图14(b)为该封装天线装置250的3D视图。图14(a)和图14(b)中的相同标记可以参考图12。不同的是,图14(a)和图14(b)中的封装天线装置250中的天线为喇叭天线。具体来说,封装天线装置250中的第一辐射体部分330(设置于第一基板300中)和第二辐射体部分340(设置于第二基板260中)可以为对称结构,并通过层间走线,以及过孔阵列形成喇叭状的辐射体。由于第一辐射体部分330和第二辐射体部分340形成腔体结构,使得电场在腔内形成谐振,并辐射出电磁波。为了增大喇叭天线的口径,也可以采用多层基板和多层PCB的方式增大第一辐射体部分330和第二辐射体部分340的等效高度。该封装天线装置250可以采用直接馈电的方式,也可以采用耦合馈电的方式,本申请不对具体的馈电方式做限定。
如图15(a)所示的是本申请实施例提供的一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,图15(b)为该封装天线装置250的3D视图。图15(a)和图15(b)中的相同标记可以参考图10(a)和图10(b)。不同的是,图15(a)和图15(b)的封装天线装置250中的天线为单极子天线。具体来说,封装天线装置250中的第一主辐射板部分334和第一接地板部分332连接,第一馈电路径360对第一主辐射板部分334馈电。根据天线设计的需要,可以将第二主辐射板部分344进行弯折处理,以满足天线低频工作的需要。
如图16(a)所示的是本申请实施例提供的一种更为具体的封装天线装置250的剖面结构示意图,图16(b)为该封装天线装置250的3D视图。图16(a)和图16(b)中的相同标记可以参考图14(a)和图14(b)。不同的是,图16(a)和图16(b)的封装天线装置250中的天线为八木天线。具体来说,封装天线装置250还包括第一寄生辐射板部分336和第二寄生辐射板部分346,并通过第一金属件350连接。第一馈电路径360用于对第一主辐射板部分334馈电,第二馈电路径362用于将第二主辐射板部分344和第二接地板部分342短接,从而构成具有端射特性的八木天线。
本申请实施例还提供一种更为具体的终端设备1700,其中图17为该终端设备1700的剖面结构示意图。上述终端设备1700包括后盖210、边框220、显示装置230、中框240、第一屏蔽框242、第二屏蔽框244、封装天线装置250、PCB262和电子器件270。该封装天线装置250可以为本申请实施例中任意一种封装天线装置。为了便于描述,将垂直于中框240的方向作为垂直方向,将与中框240平行的方向作为水平方向。上述中框240设置于显示装置230的一侧,上述第一屏蔽框242、PCB262、第二屏蔽框244和封装天线装置250依次在远离中框240的垂直方向上层叠设置,其中封装天线装置250包括电连接的第一基板300和第二基板260。可以根据终端设备1700的剖面高度和实际需求选择是否设置第一屏蔽框242和PCB262。上述中框240和显示装置230与边框220的一端连接,另一端与后盖210连接。电子器件270设置于上述中框240背对显示装置230的一侧,并位于上述封装天线装置250远离边框220的水平方向。后盖210设置于上述封装天线装置250和电子器件270背对中框240的一侧,并可以通过结构件或粘合剂与边框220进行连接并固定。上述电子器件270可以为传感器,或其他电子器件。上述第一屏蔽框242和第二屏蔽框244用于屏蔽PCB262和第二基板260的干扰电磁波。上述第二基板260和PCB262均可以为高频或低频的印制电路板,且可以对第二基板260和PCB262进行元器件的设置和电路布局布线。如图17所示,为了使电磁波可以更好地从后盖210和边框220之间进行端射辐射,可以将边框220的靠近封装天线装置250的部分挖空,使得边框220在保证天线进行端射辐射的同时有较好的支撑力。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (36)

1.一种封装天线装置,其特征在于,所述封装天线装置包括端射天线,所述端射天线包括第一辐射体部分和第二辐射体部分,所述封装天线装置还包括第一金属件,以及第一基板和第二基板,其中:
所述第一辐射体部分设置于所述第一基板中;
所述第二辐射体部分设置于所述第二基板中所述第二辐射体部分与所述第一辐射体部分通过设置于所述第一基板和所述第二基板之间的所述第一金属件连接,所述第一基板为中介层,所述第二基板为第一印制电路板PCB。
2.如权利要求1所述的封装天线装置,其特征在于,还包括:
第一馈电路径,设置于所述第一基板中,所述第一馈电路径用于对所述第一辐射体部分馈电。
3.如权利要求1或2所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分包括第一接地板部分,所述第二辐射体部分包括第二接地板部分,所述第一接地板部分和所述第二接地板部分通过设置于所述第一基板和所述第二基板之间的所述第一金属件连接。
4.如权利要求1或2所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分包括第一寄生辐射板部分,所述第二辐射体部分包括第二寄生辐射板部分,所述第一寄生辐射板部分和所述第二寄生辐射板部分通过设置于所述第一基板和所述第二基板之间的所述第一金属件连接。
5.如权利要求1或2所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分、第一接地板部分和第一寄生辐射板,所述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分、第二接地板部分和第二寄生辐射板,所述第一接地板部分和所述第二接地板部分、所述第一主辐射板部分和所述第二主辐射板部分、所述第一寄生辐射板和所述第二寄生辐射板分别通过独立的所述第一金属件连接。
6.如权利要求5所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一主辐射板部分包括第一正极化振子和第一负极化振子,所述第二主辐射板部分包括第二正极化振子和第二负极化振子。
7.如权利要求2所述的封装天线装置,其特征在于,所述封装天线装置还包括第二馈电路径和第二金属件,所述第二馈电路径设置于所述第二基板中,所述第一馈电路径和所述第二馈电路径通过所述第二金属件连接,所述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分、第一接地板部分和第一寄生辐射板,所述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分、第二接地板部分和第二寄生辐射板,所述第一接地板部分和所述第二接地板部分、所述第一寄生辐射板和所述第二寄生辐射板分别通过独立的所述第一金属件连接,所述第一主辐射板部分和所述第二主辐射板部分物理隔离,其中所述第一馈电路径用于对所述第一主辐射板部分耦合馈电,所述第二馈电路径用于对所述第二主辐射板部分耦合馈电。
8.如权利要求2所述的封装天线装置,其特征在于,所述封装天线装置还包括第一芯片,所述第一芯片设置于所述第一基板的一侧,所述第一芯片用于为所述第一馈电路径提供射频信号。
9.如权利要求8所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分和所述第二辐射体部分的最大辐射方向与所述第一芯片的法线垂直。
10.如权利要求7所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一金属件和所述第二金属件为球栅阵列BGA球。
11.如权利要求7至10任意一项所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分、所述第二辐射体部分、所述第一馈电路径和所述第二馈电路径的至少一个通过过孔实现。
12.如权利要求7至10任意一项所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分、所述第二辐射体部分、所述第一馈电路径和所述第二馈电路径的至少一个通过错位排布的过孔阵列和走线实现,所述走线用于连接所述过孔阵列。
13.如权利要求1至10任意一项所述的封装天线装置,其特征在于,所述第二辐射体部分具体设置于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧,所述第二辐射体部分包括所述第二基板的焊垫或走线。
14.一种终端设备,其特征在于,所述终端设备包括如权利要求2至13任意一项所述的封装天线装置。
15.如权利要求14所述的终端设备,其特征在于,所述终端设备还包括第一结构件和第三金属件,所述端射天线还包括第三辐射体部分,其中:
所述第一结构件设置于所述第二基板背对所述第一基板的一侧;
所述第三辐射体部分设置于所述第一结构件中,所述第一馈电路径还用于对所述第三辐射体部分馈电,所述第三辐射体部分与所述第二辐射体部分通过设置于所述第二基板和所述第一结构件之间的所述第三金属件连接。
16.如权利要求14或15所述的终端设备,其特征在于,所述终端设备还包括第二结构件和第四金属件,所述端射天线还包括第四辐射体部分,其中:
所述第二结构件设置于所述第一基板背对所述第二基板的一侧;
所述第四辐射体部分设置于所述第二结构件中,所述第一馈电路径还用于对所述第四辐射体部分馈电,所述第四辐射体部分与所述第一辐射体部分通过设置于所述第一基板和所述第二结构件之间的所述第四金属件连接。
17.如权利要求14至16任一项所述的终端设备,其特征在于,所述终端设备还包括第三金属件、第二PCB和第五金属件,所述端射天线还包括第五辐射体部分,其中:
所述第二PCB设置于所述第二基板背对所述第一基板的一侧;
所述第五辐射体部分设置于所述第二PCB中,所述第一馈电路径还用于对所述第五辐射体部分馈电,所述第五辐射体部分的一端与所述第二辐射体部分通过设置于所述第二基板和所述第二PCB之间的所述第五金属件连接,所述第五辐射体部分的另一端与所述第三辐射体部分通过设置于所述第二PCB和所述第一结构件之间的所述第三金属件链接。
18.如权利要求17所述的终端设备,其特征在于,所述第三金属件、所述第四金属件和所述第五金属件为金属搭接线。
19.如权利要求17所述的终端设备,其特征在于,所述第三辐射体部分、所述第四辐射体部分和所述第五辐射体部分的至少一个通过金属柱和镀金属走线实现。
20.一种封装天线装置,其特征在于,所述封装天线装置包括第一辐射体部分、第一金属件,以及第一基板,其中:
所述第一辐射体部分设置于所述第一基板中;
所述第一金属件用于连接所述第一辐射体部分和第二辐射体部分,所述第二辐射体部分设置于第二基板中,所述第二基板设置于所述第一基板的所述第一金属件的一侧,所述第一辐射体和所述第二辐射体部分构成端射天线的至少一部分,所述第一基板为中介层,所述第二基板为印制电路板PCB。
21.如权利要求20所述的封装天线装置,其特征在于,还包括:
第一馈电路径,设置于所述第一基板中,所述第一馈电路径用于对所述第一辐射体部分馈电。
22.如权利要求20或21所述的封装天线装置,其特征在于,所述封装天线装置还包括第二金属件,其中:
所述第二金属件用于连接所述第一馈电路径和第二馈电路径,所述第二馈电路径设置于所述第二基板中,所述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分、第一接地板部分和第一寄生辐射板,所述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分、第二接地板部分和第二寄生辐射板,所述第一接地板部分和所述第二接地板部分、所述第一寄生辐射板和所述第二寄生辐射板分别通过独立的所述第一金属件连接,所述第一主辐射板部分和所述第二主辐射板部分物理隔离,其中所述第一馈电路径用于对所述第一主辐射板部分耦合馈电,所述第二馈电路径用于对所述第二主辐射板部分耦合馈电。
23.如权利要求20或21所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分包括第一接地板部分,所述第二辐射体部分包括第二接地板部分,所述第一接地板部分和所述第二接地板部分通过设置于所述第一基板和所述第二基板之间的所述第一金属件连接。
24.如权利要求20或21所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分包括第一主辐射板部分,所述第二辐射体部分包括第二主辐射板部分,所述第一主辐射板部分和所述第二主辐射板部分通过设置于所述第一基板和所述第二基板之间的所述第一金属件连接。
25.如权利要求20或21所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分包括第一寄生辐射板部分,所述第二辐射体部分包括第二寄生辐射板部分,所述第一寄生辐射板部分和所述第二寄生辐射板部分通过设置于所述第一基板和所述第二基板之间的所述第一金属件连接。
26.如权利要求24所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一主辐射板部分包括第一正极化振子和第一负极化振子,所述第二主辐射板部分包括第二正极化振子和第二负极化振子,所述第一正极化振子和所述第一负极化振子的夹角为90°,所述第二正极化振子和所述第二负极化振子的夹角为90°。
27.如权利要求22所述的封装天线装置,其特征在于,所述封装天线装置还包括第一芯片,所述第一芯片设置于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧,所述第一芯片用于为所述第一馈电路径和所述第二馈电路径提供射频信号。
28.如权利要求27所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分和所述第二辐射体部分的最大辐射方向与所述第一芯片的法线垂直。
29.如权利要求20至28任意一项所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一金属件和所述第二金属件为球栅阵列BGA球。
30.如权利要求20至28任意一项所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分和所述第一馈电路径的至少一个通过过孔实现。
31.如权利要求20至28任意一项所述的封装天线装置,其特征在于,所述第一辐射体部分和所述第一馈电路径的至少一个包括错位排布的过孔阵列和走线,所述走线用于连接所述过孔阵列。
32.一种终端,其特征在于,包括端射天线,所述端射天线包括第一辐射体部分和第四辐射体部分,所述终端还包括第一基板,第二结构件和第四金属件,其中:
所述第一辐射体部分设置于所述第一基板中;
所述第四辐射体部分设置于所述第二结构件中,所述第四辐射体部分与所述第一辐射体部分通过设置于所述第一基板和所述第二结构件之间的所述第四金属件连接。
33.如权利要求32所述的终端,其特征在于,所述第一基板为中介层。
34.如权利要求32或33所述的终端,其特征在于,所述第二结构件为所述终端的边框或中框。
35.如权利要求32至34任一项所述的终端,其特征在于,所述第四金属件为搭接线或连接球。
36.一种终端,其特征在于,包括后盖、边框、显示装置和中框,其中所述后盖和所述显示装置相对设置,并通过所述边框链接,所述中框设置于所述显示装置朝向所述后盖的一侧。
CN202210220769.9A 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置 Pending CN114639945A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210220769.9A CN114639945A (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2018/112186 WO2020082361A1 (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置
CN201880092395.9A CN111971851B (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置
CN202210220769.9A CN114639945A (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880092395.9A Division CN111971851B (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114639945A true CN114639945A (zh) 2022-06-17

Family

ID=70330379

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210220769.9A Pending CN114639945A (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置
CN201880092395.9A Active CN111971851B (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880092395.9A Active CN111971851B (zh) 2018-10-26 2018-10-26 一种高带宽的封装天线装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11929543B2 (zh)
EP (1) EP3846286A4 (zh)
CN (2) CN114639945A (zh)
WO (1) WO2020082361A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11201119B2 (en) 2018-06-06 2021-12-14 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft RF functionality and electromagnetic radiation shielding in a component carrier
KR102663103B1 (ko) * 2019-01-24 2024-05-07 삼성전자주식회사 복수의 인쇄 회로 기판들이 적층된 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20210009531A (ko) 2019-07-17 2021-01-27 삼성전자주식회사 안테나 모듈 및 그것을 포함하는 전자 장치
CN111129711A (zh) * 2020-01-10 2020-05-08 深圳市信维通信股份有限公司 5g双极化天线模组及终端设备
US11817617B2 (en) 2020-08-19 2023-11-14 Infineon Technologies Ag Antenna package with via structure and method of formation thereof
CN216563498U (zh) * 2021-04-30 2022-05-17 荣耀终端有限公司 一种电子元件连接结构以及电子设备
CN115189119A (zh) * 2022-05-24 2022-10-14 深圳市信维通信股份有限公司 天线模组、通信设备及天线模组的制造方法
US20240039141A1 (en) * 2022-07-28 2024-02-01 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Integrated Antennas on Side Wall of 3D Stacked Die
CN115513153B (zh) * 2022-11-11 2023-02-07 成都华芯天微科技有限公司 一种大功率多通道多芯片3d立体封装结构

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000341026A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Kokusai Electric Co Ltd アンテナ基板及びそれを用いた無線通信機
US7444734B2 (en) * 2003-12-09 2008-11-04 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for constructing antennas using vias as radiating elements formed in a substrate
US7830312B2 (en) * 2008-03-11 2010-11-09 Intel Corporation Wireless antenna array system architecture and methods to achieve 3D beam coverage
US9711866B1 (en) * 2010-12-21 2017-07-18 Rockwell Collins, Inc. Stacked parasitic array
US9721920B2 (en) * 2012-10-19 2017-08-01 Infineon Technologies Ag Embedded chip packages and methods for manufacturing an embedded chip package
US9819098B2 (en) 2013-09-11 2017-11-14 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations
US9806422B2 (en) * 2013-09-11 2017-10-31 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations
KR101905507B1 (ko) 2013-09-23 2018-10-10 삼성전자주식회사 안테나 장치 및 그를 구비하는 전자 기기
US9912071B2 (en) 2014-01-08 2018-03-06 Qualcomm Incorporated Quasi-yagi-type antenna
KR102151425B1 (ko) 2014-08-05 2020-09-03 삼성전자주식회사 안테나 장치
KR102138909B1 (ko) 2014-09-19 2020-07-28 삼성전자주식회사 안테나 장치 및 그의 운용 방법
KR102305975B1 (ko) 2014-10-22 2021-09-28 삼성전자주식회사 무선 기기의 안테나 장치
US9667290B2 (en) 2015-04-17 2017-05-30 Apple Inc. Electronic device with millimeter wave antennas
KR102333559B1 (ko) * 2015-05-11 2021-12-01 삼성전자 주식회사 안테나 장치 및 그를 포함하는 전자 장치
US10186779B2 (en) * 2016-11-10 2019-01-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
CN107196059B (zh) * 2017-07-10 2023-09-22 京信通信技术(广州)有限公司 一种天线及其天线封装装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111971851A (zh) 2020-11-20
WO2020082361A1 (zh) 2020-04-30
US11929543B2 (en) 2024-03-12
EP3846286A4 (en) 2021-08-18
US20240178547A1 (en) 2024-05-30
US20210242568A1 (en) 2021-08-05
CN111971851B (zh) 2022-04-29
EP3846286A1 (en) 2021-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111971851B (zh) 一种高带宽的封装天线装置
US10944181B2 (en) Antenna module and communication device
US10498025B2 (en) Wireless communication module
US11264703B2 (en) Chip antenna
US11211689B2 (en) Chip antenna
US11069954B2 (en) Chip antenna
US11637362B2 (en) Antenna module
US10965004B2 (en) Chip antenna module
US10978785B2 (en) Chip antenna module
US20080122726A1 (en) Low cost chip package with integrated RFantenna
CN113169441B (zh) 波束控制天线结构和包括所述结构的电子设备
CN113678318B (zh) 一种封装天线装置及终端设备
KR102382241B1 (ko) 칩 안테나 및 이를 포함하는 칩 안테나 모듈
US20200091583A1 (en) Chip antenna module

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination