CN114639694A - 一种光敏传感器、显示面板及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种光敏传感器、显示面板及电子设备。光敏传感器包括：基底及设于基底的用作感光元件的第一薄膜晶体管和用作控制开关的第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括间隔设置的第一有源层和第一栅极层，及与第一有源层电连接的第一极和第二极，第二薄膜晶体管包括间隔设置的第二有源层和第二栅极层，及与第二有源层电连接的第三极和第四极；第一极和第二极中的一者与第三极和第四极中的一者电连接，以使第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管电连接；第一薄膜晶体管包括光敏介电层，光敏介电层能够接收光辐射信号，以调节第一薄膜晶体管输出电流的大小。第一薄膜晶体管设置了光敏介电层，使得光敏传感器的光敏效果更好，识别效率及速度更高。
Description
技术领域
本发明涉及传感器技术领域，特别是涉及一种光敏传感器、显示面板及电子设备。
背景技术
随着科技的发展，光敏传感器具有轻便化、广泛应用的发展趋势。目前，光敏传感器一般将薄膜晶体管与光敏元件结合，由于光敏元件的光敏效果不好，且识别效率及速度较低，难以满足实际需要，因此亟需一种光敏效果更好，识别效率及速度更高的光敏传感器。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种光敏效果更好，识别效率及速度更高的光敏传感器、显示面板及电子设备。具体技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提出一种光敏传感器，包括：
基底；
设于所述基底的用作感光元件的第一薄膜晶体管和用作控制开关的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括间隔设置的第一有源层和第一栅极层，以及与所述第一有源层电连接的第一极和第二极，所述第二薄膜晶体管包括间隔设置的第二有源层和第二栅极层，以及与所述第二有源层电连接的第三极和第四极；
所述第一极和所述第二极中的一者与所述第三极和所述第四极中的一者电连接，以使所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接；
所述第一薄膜晶体管还包括光敏介电层，所述光敏介电层能够接收光辐射信号，以调节所述第一薄膜晶体管输出电流的大小。
在本申请的一些实施例中，所述第一栅极层、所述光敏介电层、所述第一有源层依次层叠布置。
在本申请的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一有源层和所述第一栅极层之间。
在本申请的一些实施例中，所述第一栅极层、所述第一绝缘层、所述光敏介电层和所述第一有源层依次层叠布置。
在本申请的一些实施例中，所述第一栅极层、所述光敏介电层、所述第一绝缘层和所述第一有源层依次层叠布置。
在本申请的一些实施例中，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一栅极层、所述第一子绝缘层、所述光敏介电层、所述第二子绝缘层、第一有源层依次层叠布置。
在本申请的一些实施例中，所述第一有源层位于所述第一栅极层和所述基底之间，所述光敏介电层位于所述第一栅极层和所述第一有源层之间，所述第一栅极层至少能够透过部分辐射光。
在本申请的一些实施例中，所述第一有源层位于所述第一栅极层和所述基底之间，所述第一栅极层包括第一导电层和第二导电层，沿远离所述基底的方向，所述第一导电层、所述光敏介电层、所述第二导电层依次层叠布置，第二导电层至少能够透过部分辐射光。
在本申请的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管包括金属遮挡层，所述金属遮挡层贴附于所述基底，所述金属遮挡层为所述第一栅极层。
在本申请的一些实施例中，所述第一栅极层位于所述第一有源层和所述基底之间，所述光敏介电层位于所述第一栅极层和所述基底之间，所述第一栅极层至少能够透过部分辐射光。
在本申请的一些实施例中，所述光敏传感器还包括设于所述基底的第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管用于给予复位电压，所述第三薄膜晶体管包括第三有源层、第三绝缘层和第三栅极层，以及与所述第三有源层电连接的第五极和第六极；所述第五极或所述第六极中的一者与所述第一薄膜晶体管的第一栅极层电连接。
第二方面，本申请实施例提出一种显示面板，所述显示面板包括以上所述的光敏传感器。
第三方面，本申请实施例提出一种电子设备，所述电子设备包括以上所述的显示面板。
根据本申请实施例提供的光敏传感器、显示面板及电子设备，光敏传感器包括用作感光的第一薄膜晶体管和用作控制开关的第二薄膜晶体管，作为感光使用的第一薄膜晶体管还包括光敏介电层，光敏介电层在接受到光照射时，光敏介电层的电学性质(如电阻)会因为光导效应、光电效应或其他物理效应而发生变化，最终改变第一薄膜晶体管输出电流的大小。因此在第一薄膜晶体管中设置光敏介电层，当有光照射到光敏介电层时，由于光敏介电层电学性质的变化，改变第一薄膜晶体管的第一极和第二极之间输出的电流的大小，使得作为控制开关的第二薄膜晶体管能够有效区分不同光线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，提升光敏传感器的灵敏度。可选地，第二薄膜晶体管作为控制开关，按一定的时间间隔进行导通和断开，第二薄膜晶体管导通时，第一薄膜晶体管中的电流通过第二薄膜晶体管能够被外部检测电路读取，外部检测电路根据读取到的电流值的变化即可准确判断出光敏传感器感应到的触发信号。通过光敏介电层接受不同强度的光照射，导致其光敏介电层的电学性质发生不同的变化，从而引起第一薄膜晶体管输出的电流相较于不接受光照射时有一个明显的变化量，通过检测电流的变化量能够有效区分检测信号的不同，从而提高光敏传感器的灵敏度和分辨率。相较于现有技术而言，光敏介电层能够提升对光线强弱的感应灵敏度，对于不同强度的光线，第一薄膜晶体管输出电流的大小不同，因此根据检测到的输出电流信号的强弱即可触发不同的信号，提高光敏传感器的检测灵敏度；而且，相比于光敏二极管的识别而言，由薄膜晶体管组成的光敏传感器的识别效率以及速度更高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
附图标记：
图1为本申请实施例所提供的光敏传感器在一种实施例中的结构示意图；
图2为图1中光敏传感器的电路图；
图3为本申请实施例所提供的光敏传感器在第二种实施例中的简化结构示意图；
图4为本申请实施例所提供的光敏传感器在第三种实施例中的简化结构示意图；
图5为本申请实施例所提供的光敏传感器在第四种实施例中的简化结构示意图；
图6为本申请实施例所提供的光敏传感器在第五种实施例中的简化结构示意图；
图7为本申请实施例所提供的光敏传感器在第六种实施例中的结构示意图；
图8为本申请实施例所提供的光敏传感器在第七种实施例中的简化结构示意图；
图9为本申请实施例所提供的光敏传感器在第八种实施例中的简化结构示意图；
图10为光敏介电层在一种实施例中的结构示意图；
图11为光敏介电层在另一种实施例中的结构示意图；
图12为光敏介电层与第一有源层的一种位置关系图；
图13为光敏介电层与第一有源层的另一种位置关系图；
图14为本申请实施例所提供的电子设备在一种实施例中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1、图2所示，本申请提出一种光敏传感器，光敏传感器包括基底100和设于基底100的用作感光元件的第一薄膜晶体管200和用作控制开关的第二薄膜晶体管300，第一薄膜晶体管200包括间隔设置的第一有源层240和第一栅极层230，以及与第一有源层240电连接的第一极210和第二极220，第二薄膜晶体管300包括间隔设置的第二有源层340和第二栅极层330，以及与第二有源层340电连接的第三极310和第四极320；第一薄膜晶体管200的第一极210和第二极220中的一者与第二薄膜晶体管300的第三极310和第四极320中的一者电连接，以使第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300电连接；第一薄膜晶体管200还包括光敏介电层260，光敏介电层260位于第一有源层240和第一栅极层230之间，或者光敏介电层260位于第一栅极层230背向第一有源层240的一侧；其中，光敏介电层260能够接收光辐射信号，以调节第一薄膜晶体管200输出电流的大小。
基底100可以由多层复合而成，一般包括第一衬底层、第二衬底层和位于第一衬底层和第二衬底层之间的第一防水氧层以及位于第二沉底层之上的第二防水氧层，第一衬底层和第二衬底层可以为柔性沉底，柔性衬底可以由柔性的有机材料制成，该有机材料例如是聚酰亚胺(英文：Polyimide，简称：PI)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。
如图1所示，基底100和薄膜晶体管之间布置有缓冲层500(英文：Buffer)。缓冲层500用于保护薄膜晶体管，确保薄膜晶体管与基底100隔开，避免基底100的杂质影响薄膜晶体管，保证薄膜晶体管能够正常工作。示例性地，缓冲层500可为氧化硅层、氮化硅层或者氮氧化硅层，保证缓冲层500的绝缘效果，能够将薄膜晶体管与基底100隔开。
如图1及图3-8所示，第一薄膜晶体管200包括间隔设置于缓冲层500上的第一有源层240和第一栅极层230，以及与第一有源层240电连接的第一极210和第二极220，其中，第一极210可以为源极或漏极中的一者，第二极220可以为源极或漏极中的另一者。第二薄膜晶体管300包括间隔设置于缓冲层500上的第二有源层340和第二栅极层330，以及与第二有源层340电连接的第三极310和第四极320，同样地，第三极310可以为源极或漏极中的一者，第四极320可以为源极或漏极中的另一者。通过第一极210或第二极220中的一者与第三极310或第四极320中的一者电连接而实现第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300之间的电连接。如图2所示，第一薄膜晶体管200用于感光，作为感光元件使用的第一薄膜晶体管200还包括光敏介电层260，光敏介电层260在接受到光照射时，光敏介电层260的电学性质会发生变化，例如光敏介电层260可以随着光照强度增大，光敏介电层260的介电常数减小；或者光敏介电层260可以随着光照强度增大，光敏介电层260的介电常数增大。因此在第一薄膜晶体管200中设置光敏介电层260，当有光照射到光敏介电层260时，由于光敏介电层260电学性质的变化，会改变第一薄膜晶体管200的第一极210和第二极220之间输出的电流的大小，使得作为控制开关的第二薄膜晶体管300能够有效区分不同光线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，提升光敏传感器的灵敏度。可选地，如图2所示，第二薄膜晶体管300作为控制开关，按一定的时间间隔进行导通和断开，第二薄膜晶体管300导通时，第一薄膜晶体管200中的电流通过第二薄膜晶体管300能够被外部检测电路读取，外部检测电路根据读取到的电流值的变化即可准确判断出光敏传感器感应到的触发信号。通过光敏介电层260接受不同强度的光照射，导致其电学性质发生不同的变化，从而引起第一薄膜晶体管200输出的电流相较于不接受光照射时有一个明显的变化量，通过检测电流的变化量能够有效区分检测信号的不同，从而提高光敏传感器的灵敏度和分辨率。相较于现有技术而言，光敏介电层260能够提升对光线强弱的感应灵敏度，对于不同强度的光线，第一薄膜晶体管200输出电流的大小不同，因此根据检测到的输出电流信号的强弱即可触发不同的信号，提高光敏传感器的检测灵敏度；而且，相比于光敏二极管的识别而言，由薄膜晶体管组成的光敏传感器的识别效率以及速度更高。
如图10所示，光敏介电层260可以为单一材料或者单一膜层，如图11所示，光敏介电层260也可以为复合膜层材料，光敏介电层260包括依次层叠设置的第一层、第二层和第三层，第一层为电子传输层或者空穴传输层中的一层，第二层为正常介电层，第三层为电子传输层或者空穴传输层中的另一层。或者光敏介电层260也可以是两层复合材料在第二层的一侧设置电子传输层或者空穴传输层。
本申请实施例对于光敏介电层260的位置不做具体限定，只要能保证光敏介电层260接受到光照并且可以改变第一薄膜晶体管200输出电流的大小即可，例如图3-6所示，光敏介电层260可以位于第一有源层240和第一栅极金属层之间，如图1及图7-9所示，光敏介电层260也可以位于第一栅极层230背向第一有源层240的一侧。
为了进一步提高光敏传感器的触发准确性，如图1、图7所示，光敏传感器还包括设于基底100的第三薄膜晶体管400，第三薄膜晶体管400用于给予复位电压，第三薄膜晶体管400包括第三有源层440、第三绝缘层450和第三栅极层430，以及与第三有源层440电连接的第五极410和第六极420；第五极410或第六极420中的一者与第一薄膜晶体管200的第一栅极层230电连接。可选地，如图1所示，第三薄膜晶体管400的第五极410通过第一金属走线与第一薄膜晶体管200的第一栅极层230电连接。第一极210、第二极220、第三极310、第四极320、第五极410、第六极420以及第一金属走线之间通过层间绝缘层700隔开，以保证第一薄膜晶体管200、第二薄膜晶体管300和第三薄膜晶体管400相互独立工作。层间绝缘层700上方还覆盖有透明金属层800，比如氧化铟锡层(英文：Indium Tin Oxide，简称：ITO)。
通过第三薄膜晶体管400对第一薄膜晶体管200的初始电位进行复位，保证每次触发信号的初始状态是一致的，减少外部干扰因素带来的影响，提高检测准确性。具体的，第三薄膜晶体管400打开，电信号能够通过第三薄膜晶体管400对第一薄膜晶体管200的第一栅极层230点位进行复位，使得每次被触发时的初始值保持一致。
需要说明的是，图3-6及图8-9中光敏传感器均是由第一薄膜晶体管200、第二薄膜晶体管300和第三薄膜晶体管400组成，由于第二薄膜晶体管300和第三薄膜晶体管400都是常规设置的薄膜晶体管，并未做其他改变，因此在图3-6及图8-9中做了不同的简化。
根据本申请的一些实施例，如图3所示，第一栅极层230、光敏介电层260、第一有源层240依次层叠布置。
第一栅极层230、光敏介电层260第一有源层240依次层叠布置，即光敏介电层260位于第一栅极层230和第一有源层240之间并单独作为栅极绝缘层600使用，由于光敏介电层260的在一定条件下具有类似绝缘体的特性，因此可以作为栅极绝缘层600使用，且光敏介电层260的介电常数随着光强会发生变化，比如光敏介电层260的介电常数可以随着光强增大而减小或者光敏介电层260的介电常数可以随着光强增大而增大。因此利用光敏介电层260的这一特性，在接受光照射时能够起到改变第一栅极层230和第一有源层240之间的电容，从而会改变第一薄膜晶体管200的电流输出大小。示例性的，当光敏介电层260接受光照射时，光敏介电层260的介电常数减小，使得第一栅极层230电位增大从而使得第一极210和第二极220之间的导通电流增大，当第二薄膜晶体管300导通时，输出的电流较大，被外部检测电路感知到的电流也越大，起到提高检测信号强度的作用，提高光敏传感器的灵敏度。
此外，在第一栅极层230和第一有源层240之间不用专门布置栅极绝缘层600，能够简化光敏传感器的生产工艺。
本实施中，贴附于基底100设置的可以为第一栅极层230，也可以为第一有源层240，
可以理解的，光敏介电层260也可以不单独作为栅极绝缘层600使用，甚至光敏介电层260也可以不作为栅极绝缘层600使用。如图4-6所示，第一薄膜晶体管200还包括第一绝缘层250，第一绝缘层250位于第一有源层240和第一栅极层230之间。
第一绝缘层250位于第一有源层240和第一栅极层230之间，通过第一绝缘层250将第一有源层240和第一栅极层230隔开，保证第一有源层240和第一栅极层230相互隔开能够独立传输信号。
第一绝缘层250可以为无机绝缘层，例如氮化硅绝缘层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。
根据本申请的一些实施例，如图4所示，第一栅极层230、第一绝缘层250、光敏介电层260和第一有源层240依次层叠布置。
需要说明的是，第一有源层240、第二有源层340和第三有源层440可以为单晶硅的有源层、多晶硅的有源层或者氧化物的有源层，每个有源层都包括一个中间未掺杂的沟道区以及位于沟道区两侧的掺杂区(源、漏极区)。
光敏介电层260贴附于第一有源层240背向基底100的一面，第一绝缘层250和光敏介电层260用于隔开第一栅极层230和第一有源层240，保证第一栅极层230和第一有源层240能够独立的传输信号。光敏介电层260与沟道区一起能够形成光敏沟道层，由于光敏介电层260的感光特性，光线照射到光敏介电层260时，会使光敏介电层260的电阻增大或减小，从而使得第一薄膜晶体管200输出的电流增大或减小，读取端读取到的电流的变化量更大，因此，电流的变化量可以更为准确的被检测到，提升光敏传感器的灵敏度。此外，大部分光线能够被光敏介电层260吸收，有效减少了照射到第一有源层240的光线，从而减小了光激励导致第一有源层240发生电流泄露的情况，表现在第一薄膜晶体管200上则是输出的电流更稳定，能够有效降低环境中光照对光敏传感器造成干扰的现象。
此外，如图12、13所示，光敏介电层260与第一有源层240的沟道区沿基底100的厚度方向不一定产生交叠，对于光敏介电层260与沟道区的位置不做限定。
根据本申请的一些实施例，第一栅极层230、光敏介电层260、第一绝缘层250和第一有源层240依次层叠布置。
不难想到，光敏介电层260也可以贴附于第一栅极层230朝向第一有源层240的表面设置，第一绝缘层250和光敏介电层260用于将第一栅极层230和第一有源层240隔开，保证第一有源层240和第一栅极层230能够独立的传输信号。光敏介电层260与第一栅极层230一起形成光敏栅极层，当光线照射到光敏介电层260时，引起光敏介电层260介电常数的变化，介电常数的变化影响第一栅极层230和第一有源层240之间的电容，从而改变第一薄膜晶体管200输出电流的大小，当第二薄膜晶体管300打开时，第二薄膜晶体管300的输出端能够读取到该电流的变化，从而触发不同的信号，提高光敏传感器的灵敏度。
根据本申请的一些实施例，如图5、图6所示，第一绝缘层250包括第一子绝缘层251和第二子绝缘层252，第一栅极层230、第一子绝缘层251、光敏介电层260、第二子绝缘层252、第一有源层240依次层叠布置。
光敏介电层260位于第一子绝缘层251和第二子绝缘层252之间，第一子绝缘层251和第二子绝缘层252用于将第一栅极层230和第一有源层240隔开，保证第一有源层240和第一栅极层230能够独立的传输信号。光敏介电层260位于第一子绝缘层251和第二子绝缘层252之间，当接收到光照射时，光敏介电层260的介电常数发生变化，从而改变光敏介电层260的电阻的大小，使得第一薄膜晶体管200导通时的输出电流发生改变，使得光敏传感器能够在不同光照强度下，触发不同的信号，提高光敏传感器的灵敏度。
以上各实施例对于第一薄膜晶体管200是底栅还是顶栅不做限制，只要保证光敏介电层260能够接受到光照即可。需要说明的是，当第一薄膜晶体管200为顶栅时，为了便于同层设置，第二薄膜晶体管300和第三薄膜晶体管400也为顶栅。可选地，第一绝缘层250、第二绝缘层350、第三绝缘层450也可以同层设置，使得第一绝缘层250、第二绝缘层350和第三绝缘层450可以做成一个整体，即栅极绝缘层600，栅极绝缘层600用于将第一有源层240和第一栅极层230、第二有源层340和第二栅极层330以及第三有源层440和第三栅极层430隔开，且栅极绝缘层600也可以设置有多层。
针对第一薄膜晶体管200为顶栅的情况，即第一有源层240位于第一栅极层230和基底100之间，光敏介电层260位于第一栅极层230和第一有源层240之间，第一栅极层230至少能够透过部分辐射光。
可以理解的，当第一薄膜晶体管200为顶栅时，如图1、图4、图5、图7所示的为第一薄膜晶体管200为顶栅的情况，又如图4、图5所示为光敏介电层260位于第一栅极层230和第一有源层240之间的情况，光线入射时依次经过第一栅极层230光敏介电层260和第一有源层240，为了保证光线能够照射到光敏介电层260，第一栅极层230必须允许光线透过，为了满足这个要求，第一栅极层230一般选择透明金属材料，比如氧化铟锡(英文：Indium TinOxide，简称：ITO)。氧化铟锡的电阻率较小，避免第一栅极层230消耗较多的电能，且氧化铟锡的透光性好，避免第一栅极层230影响光线透过的情况。如图7所示为光敏介电层260位于远离第一栅极层230背向基底100的一侧，第一栅极层230的选材则不做限制。
同样针对第一薄膜晶体管200为顶栅的情况，与上一实施例不同的是，如图1所示，第一栅极层230包括两层导电层，即第一栅极层230包括第一导电层231和第二导电层232，沿远离基底100的方向，第一导电层231、光敏介电层260、第二导电层232依次层叠布置，第二导电层232至少能够透过部分辐射光。
光线入射时依次经过第一导电层231、光敏介电层260和第二导电池层，为了保证光线照射到光敏介电层260，第一导电层231要求必须允许光线透过，第二导电层232则不做限制，只要具有较好的导电性即可。同样第一导电层231可以为透明金属材料，比如氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide，简称：ITO)。氧化铟锡的电阻率较小，避免第一导电层231消耗较多的电能，且氧化铟锡的透光性好，避免第一导电层231影响光线透过的情况。
光敏介电层260位于第一导电层231和第二导电层232之间，由第一导电层231、光敏介电层260和第二导电层232组成的三明治结构类似于光敏二极管。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。当光线照射第一薄膜晶体管200时，可以使光敏介电层260中产生电子——空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
此外，如图1、图4、图5所示，当第一薄膜晶体管200为顶栅且第一栅极层230为透明金属材料时，由于第二薄膜晶体管300和第三薄膜晶体管400不作为感光单元使用，为了减小光线照射对第二薄膜晶体管300和第三薄膜晶体管400的影响，可以在第一栅极层230远离基底100的一侧设置金属遮挡层900，减少照射到第二有源层340和第三有源层440上的光线，从而降低光线对沟道区信号的干扰。
可以理解的，如图3、图6、图8、图9所示，当第一薄膜晶体管200为底栅时，即第一栅极层230位于第一有源层240和基底100之间光敏，又如图3、图6所示，当光敏介电层260位于第一有源层240和第一栅极层230之间时，光线入射时依次经过第一有源层240、光敏介电层260和第一栅极层230，由于第一有源层240本身具有一定的透过性，能够保证光敏介电层260能够接受到光线照射，因而对于第一栅极层230的透光性则不做限制。
在一种实施例中，如图3、图6所示，第一薄膜晶体管200包括金属遮挡层900，金属遮挡层900贴附于基底100，金属遮挡层900为第一栅极层230。
本实施例中，为了减少第一薄膜晶体管200从基底100一侧产生的漏光，在基底100朝向第一有源层240的方向设置有金属遮挡层900，由于该金属遮挡层900也具有导电性，因此该金属遮挡层900可以作为第一栅极层230使用，使得金属遮挡层900同时具有遮光和导电两种功能，简化结构设置。
进一步的，如图8、图9所示，所述第一栅极层230位于所述第一有源层240和所述基底100之间，所述光敏介电层260位于所述第一栅极层230和所述基底100之间，所述第一栅极层230至少能够透过部分辐射光。
光线入射时依次经过第一有源层240、第一栅极层230、光敏介电层260和基底100，为了保证光敏介电层260能够接受到光线照射，第一栅极层230必须允许光线透过，因此，在本实施例中，第一栅极层230一般选择透明金属材料，比如氧化铟锡(英文：Indium TinOxide，简称：ITO)。
可以理解的，第一栅极层230和金属遮挡层900也可以同时设置，光敏介电层260位于第一栅极层230和金属遮挡层900之间，当接受到光照时，光敏介电层260的介电常数发生变化，从而影响第一栅极层230和第一有源层240之间的电容，最终改变第一薄膜晶体管200的输出电流。
第二方面，本申请实施例提供一种显示面板，其包括以上所述的光敏传感器。该电子设备中的光敏传感器通过设置光敏介电层260的第一薄膜晶体管200感应光线强弱的变化，且由薄膜晶体管构成的光敏传感器的识别效率和速度更高。
第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，电子设备可以为显示装置、手机、平板电脑、可穿戴设备等，但是不限于以上电子设备，电子设备包括以上所述的显示面板，可应用于环境光传感、指纹识别等领域。该电子设备中的光敏传感器通过设置光敏介电层260的第一薄膜晶体管200感应光线强弱的变化，且由薄膜晶体管构成的光敏传感器的识别效率和速度更高，因此使得电子设备的成像更清晰，动态效果更好，灵敏度更高。如图14所示为一种OLED显示集成结构，包括光敏传感器的所有膜层，在以上膜层的基础上还包括由阳极1020层和阴极1010层组成的发光层1000，沿远离基底100的方向还依次设有第二光学胶层1100、触控功能层1200、第一光学胶层1300以及最外侧的盖板1400。盖板1400可以为玻璃盖板1400，用来保护内部的各个膜层，第一光学胶层1300和第二光学胶层1100均为透明光学胶层，保证OLED能够显示。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (13)
1.一种光敏传感器，其特征在于，包括：
基底；
设于所述基底的用作感光的第一薄膜晶体管和用作控制开关的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括间隔设置的第一有源层和第一栅极层，以及与所述第一有源层电连接的第一极和第二极，所述第二薄膜晶体管包括间隔设置的第二有源层和第二栅极层，以及与所述第二有源层电连接的第三极和第四极；
所述第一极和所述第二极中的一者与所述第三极和所述第四极中的一者电连接，以使所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管电连接；
所述第一薄膜晶体管还包括光敏介电层，所述光敏介电层能够接收光辐射信号，以调节所述第一薄膜晶体管输出电流的大小。
2.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一栅极层、所述光敏介电层、所述第一有源层依次层叠布置。
3.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一有源层和所述第一栅极层之间。
4.根据权利要求3所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一栅极层、所述第一绝缘层、所述光敏介电层和所述第一有源层依次层叠布置。
5.根据权利要求3所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一栅极层、所述光敏介电层、所述第一绝缘层和所述第一有源层依次层叠布置。
6.根据权利要求3所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一栅极层、所述第一子绝缘层、所述光敏介电层、所述第二子绝缘层、第一有源层依次层叠布置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一有源层位于所述第一栅极层和所述基底之间，所述光敏介电层位于所述第一栅极层和所述第一有源层之间，所述第一栅极层至少能够透过部分辐射光。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一有源层位于所述第一栅极层和所述基底之间，所述第一栅极层包括第一导电层和第二导电层，沿远离所述基底的方向，所述第一导电层、所述光敏介电层、所述第二导电层依次层叠布置，第二导电层至少能够透过部分辐射光。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括金属遮挡层，所述金属遮挡层贴附于所述基底，所述金属遮挡层为所述第一栅极层。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一栅极层位于所述第一有源层和所述基底之间，所述光敏介电层位于所述第一栅极层和所述基底之间，所述第一栅极层至少能够透过部分辐射光。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器还包括设于所述基底的第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管用于给予复位电压，所述第三薄膜晶体管包括第三有源层、第三绝缘层和第三栅极层，以及与所述第三有源层电连接的第五极和第六极；
所述第五极或所述第六极中的一者与所述第一薄膜晶体管的第一栅极层电连接。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至11中任一项所述的光敏传感器。
13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求12所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210255095.6A CN114639694A (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种光敏传感器、显示面板及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210255095.6A CN114639694A (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种光敏传感器、显示面板及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114639694A true CN114639694A (zh) | 2022-06-17 |
Family
ID=81946958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210255095.6A Pending CN114639694A (zh) | 2022-03-15 | 2022-03-15 | 一种光敏传感器、显示面板及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114639694A (zh) |
-
2022
- 2022-03-15 CN CN202210255095.6A patent/CN114639694A/zh active Pending
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