CN114639690A - 图像感测装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及图像感测装置。一种图像感测装置可以包括：一个或更多个第一单位像素，其被构造为通过转换经由第一滤色器入射的光来生成像素信号；多个第二单位像素，其被定位为与第一单位像素相邻，并且被构造为通过转换经由第二滤色器入射的光来生成像素信号；第一栅格，其包括位于第一滤色器和第二滤色器之间的光吸收层；以及第二栅格，其包括位于相邻的第二滤色器之间的光反射层。

Description

图像感测装置
技术领域
本专利文档中所公开的技术和实现方式总体上涉及图像感测装置。
背景技术
图像传感器是用于通过使用对光起反应的光敏半导体材料将光转换成电信号来捕获光图像的装置。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的最新发展，在诸如智能电话、数码相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、视频游戏控制台、IoT(物联网)、机器人、监视摄像机、医疗微型摄像机等的各种领域中对高性能图像传感器的需求不断增加。
发明内容
所公开技术的实施方式涉及图像感测装置，该图像感测装置包括栅格结构，该栅格结构可以仅通过一次曝光来获取短曝光像素信号和正常像素信号两者。
在实施方式中，一种图像感测装置可以包括：一个或更多个第一单位像素，其被构造为通过转换经由第一滤色器入射的光来生成像素信号；多个第二单位像素，其被定位为与第一单位像素相邻，并且被构造为通过转换经由第二滤色器入射的光来生成像素信号；第一栅格，其包括位于第一滤色器和第二滤色器之间的光吸收层；以及第二栅格，其包括位于相邻的第二滤色器之间的光反射层。
在实施方式中，一种图像感测装置可以包括：多个滤色器，其以行和列布置；以及栅格结构，其位于相邻的滤色器之间，其中，多个滤色器包括一个或更多个第一滤色器和一个或更多个第二滤色器，并且其中，栅格结构包括：第一栅格，该第一栅格包括与一个或更多个第一滤色器相邻定位的光吸收层；以及第二栅格，该第二栅格包括与第一滤色器间隔开并且与一个或更多个第二滤色器相邻定位的光反射层。
在所公开技术的一些实施方式中，图像感测装置可以仅通过一次曝光来获取短曝光像素信号和正常像素信号两者。
附图说明
图1是示出基于所公开技术的一些实施方式的图像感测装置的示例的框图。
图2是示出图1中的像素阵列的一部分的图。
图3是示出图2的沿着线A-A'截取的像素阵列的示例横截面的图。
图4是示出图2的沿着线B-B'截取的像素阵列的示例横截面的图。
图5是示出图2的沿着线C-C'截取的像素阵列的示例横截面的图。
图6A示出图3的第一栅格的制造工艺的示例。图6B示出图4的第二栅格的制造工艺的示例。
图7A示出图3的第一栅格的制造工艺的示例，并且图7B示出图4的第二栅格的制造工艺的示例。
图8A示出图3的第一栅格的制造工艺的示例，并且图8B示出图4的第二栅格的制造工艺的示例。
图9A示出图3的第一栅格的制造工艺的示例，并且图9B示出图4的第二栅格的制造工艺的示例。
图10示出图2的沿着线B-B'截取的像素阵列的横截面的另一示例。
图11示出图2的沿着线C-C'截取的像素阵列的横截面的另一示例。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述各种实施方式。然而，应当理解，本公开不限于具体实施方式，而是包括实施方式的各种修改、等同物和/或替代物。本公开的实施方式可以提供能够通过本公开直接或间接地识别的各种效果。
图1是示出基于所公开技术的一些实施方式的图像感测装置的示例的框图。
参照图1，图像感测装置可包括像素阵列100、行驱动器200、CDS(相关双耦合器)300、ADC(模数转换器)400、输出缓冲器500、列驱动器600及定时控制器700。
像素阵列100可包括在行方向和列方向上连续排列的多个子像素块PB。每个子像素块PB可以包括多个单位像素，每个单位像素被配置为通过转换入射光来生成与入射光相对应的电信号(像素信号)。子像素块PB中的每一个可以具有这样的结构：其中具有相同颜色的滤色器的多个单位像素以NxN矩阵彼此相邻地布置，其中N是大于或等于2的自然数。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
像素阵列100可从行驱动器200接收诸如行选择信号、复位信号以及传输信号之类的驱动信号。当接收到驱动信号时，单位像素中的每一个可以被启用以执行与行选择信号、复位信号或传输信号对应的操作。
行驱动器200可以基于从诸如定时控制器700之类的控制电路提供的控制信号来操作单位像素。行驱动器200可选择联接到像素阵列100的一条或更多条行线的一个或更多个单位像素。行驱动器200可生成用于在多条行线当中选择至少一条行线的行选择信号。行驱动器200可依次启用用于被选行线的单位像素的复位信号和传输信号。由被选行线的单位像素生成的像素信号可被输出到CDS 300。
CDS 300可以通过使用CDS方法去除单位像素的不期望的偏移值。例如，CDS 300可以比较在由入射光生成的光电荷累积在感测节点(浮置扩散节点)中之后和之前获取的单位像素的输出电压，以便去除单位像素的不期望的偏移值。通过该操作，可以获取仅由入射光生成的像素信号而没有噪声分量。CDS 300可以基于从定时控制器700提供的时钟信号，依次对参考信号的电压电平和通过多条列线从像素阵列100接收的像素信号的电压电平进行采样和保持。CDS 300可以将参考信号和像素信号作为CDS信号输出到ADC 400。
ADC 400可将从CDS 300接收的CDS信号转换成数字信号。ADC 400可以包括斜坡比较型ADC。ADC 400可通过比较从定时控制器700提供的斜坡信号与从CDS 300提供的CDS信号来生成比较信号。ADC 400可以基于从定时控制器700提供的斜坡信号来对比较信号的电平转换时间进行计数，并且将计数值输出到输出缓冲器500。
输出缓冲器500可以在定时控制器700的控制下临时存储从ADC 400提供的基于列的数据。输出缓冲器500可作为用于补偿图像感测装置与联接到该图像感测装置的另一装置之间的传输(或处理)速度的差的接口而操作。
列驱动器600可在定时控制器700的控制下选择输出缓冲器500的列并依次输出临时存储在输出缓冲器500的被选列中的数据。当从定时控制器700接收到地址信号时，列驱动器600可以基于地址信号生成列选择信号，并且选择输出缓冲器500的列，使得来自输出缓冲器500的被选列的图像数据被输出为输出信号。
定时控制器700可以生成用于控制行驱动器200、ADC 400、输出缓冲器500和列驱动器600的操作的信号。定时控制器700可以向行驱动器200、列驱动器600、ADC 400和输出缓冲器500提供图像感测装置的相应组件的操作所需的时钟信号、用于定时控制的控制信号以及用于选择行或列的地址信号。在实施方式中，定时控制器700可以包括逻辑控制电路、PLL(锁相环)电路、定时控制电路、通信接口电路等。
图2是示出图1中的像素阵列的一部分的图。
像素阵列100可以包括多个子像素块PB_R、PB_G和PB_B。子像素块PB_R、PB_G和PB_B中的每一个可以包括多个单位像素。每个单位像素可包括将入射光转换成对应于入射光的电信号(像素信号)的半导体器件(例如，光电二极管)。子像素块PB_R、PB_G和PB_B中的每一个可以包括多个单位像素，所述多个单位像素具有以NxN矩阵彼此相邻地布置的相同颜色的滤色器，其中N是大于或等于2的自然数。这样的滤色器被设计为捕获彩色图像，并且被构造为包括不同颜色的滤色器，以适当地捕获待成像的场景或对象的颜色信息。合适的滤色器布置之一是不同颜色滤色器的拜耳滤色器阵列，其包括：总滤色器的50％是绿色(G)，总滤色器的25％是蓝色(B)，以及总滤色器的25％是红色(R)。在实现拜耳滤色器阵列时，同一行或同一列的两个相邻滤色器可以是不同的颜色，或者另选地，可以是相同的颜色。用于在行或列中放置相同颜色的相邻滤色器的拜耳滤色器阵列的一个特定实现方式是四拜耳像素结构，其中4-像素块的相邻2×2像素具有与基本构建块相同的颜色，同时通过使总4-像素滤色器块的50％为绿色(G)、总4-像素滤色器块的25％为蓝色(B)以及总4-像素滤色器块的25％为红色(R)来实现拜耳颜色布置。例如，这种四拜耳像素结构的一个示例可以包括一个4-像素块的蓝色滤色器、一个4-像素块的红色滤色器和两个4-像素块的绿色滤色器的4x4 4-像素块图案。
图2示出了子像素块PB_R、PB_G和PB_B，子像素块PB_R、PB_G和PB_B各自具有四元结构，其中具有相同颜色的滤色器的四个单位像素以2×2矩阵布置。尽管图2仅示出了四个子像素块PB_R、PB_G和PB_B，但是可以在像素阵列100中在行方向和列方向上连续布置多个子像素块PB_R、PB_G和PB_B。
子像素块PB_R可以具有其中各自包括红色滤色器的四个红色像素以2×2矩阵布置的结构。红色滤色器允许第一波长带处的光(例如，红光)透射到半导体器件(例如，光电二极管)。子像素块PB_G可以具有其中各自包括绿色滤色器的四个绿色像素以2×2矩阵布置的结构。绿色滤色器允许在比第一波长带短的第二波长带处的光(例如，绿光)透射到半导体器件(例如，光电二极管)。子像素块PB_B可以具有其中各自包括蓝色滤色器的四个蓝色像素以2×2矩阵布置的结构。蓝色滤色器允许在比第二波长带短的第三波长带处的光(例如，蓝光)透射到半导体器件(例如，光电二极管)。这样的红色子像素块PB_R、绿色子像素块PB_G和蓝色子像素块PB_B可以以拜耳图案连续地布置。
在一些实现方式中，栅格结构120可以形成在单位像素PXNR、PXNG、PXNB、PXSR、PXSG和PXSB的相邻滤色器之间，以防止相邻滤色器之间的串扰。
子像素块PB_R、PB_G和PB_B可以分别包括一个或更多个短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB，以实现HDR(高动态范围)模式。在一些实现方式中，四元结构可用于在四个像素的组内实现两个或更多个曝光模式，由此改进图像质量。在本专利文档中，除了短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB之外的单位像素被称为正常像素PXNR、PXNG和PXNB。在相同曝光时间内，与正常像素PXNR、PXNG和PXNB相比，短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB可以被构造为通过基板内的光电转换区域接收更少量的光。因此，像素阵列100可仅通过一次曝光来生成不同量的光的像素信号(例如，正常像素信号和短曝光像素信号)。
在执行该操作时，基于所公开的技术的一些实施方式的栅格结构120可以包括位于短曝光像素PXSR、PXSG或PXSB的滤色器与正常像素PXNR、PXNG和PXNB的滤色器之间的第一栅格120M以及位于相应的正常像素PXNR、PXNG和PXNB的滤色器之间的第二栅格120A。第一栅格120M和第二栅格120A可以具有不同的结构。例如，在栅格结构120中，第一栅格120M可以指示与短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的滤色器相邻定位的区域，并且第二栅格120A可以指示不与短曝光像素PXSR、PXSG或PXSB的滤色器相邻定位而是仅与正常像素PXNR、PXNG和PXNB的滤色器相邻定位的区域。
第一栅格120M可以包括光吸收层。这里，光吸收层可以包括金属层。金属层可以形成为环形形状，以围绕短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的滤色器。也就是说，短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的滤色器可以被金属层围绕。
第二栅格120A可以包括光反射层。此处，光反射层可包括诸如空气层之类的低折射率材料层。例如，第二栅格120A可以具有其中金属层和空气层层叠的混合结构。
因此，在被吸收光的金属层围绕的短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB中，大量的光可以被第一栅格120M的金属层吸收，而不是到达光电转换区域。另一方面，入射在正常像素PXNR、PXNG和PXNB上的光线可以被空气层反射并且被引入到正常像素PXNR、PXNG和PXNB的光电转换区域中。因此，在相同的曝光时间期间，由短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的光电转换区域吸收的光的量可以变得小于由正常像素PXNR、PXNG和PXNB的光电转换区域吸收的光的量。
在实现方式中，第一栅格120M可以包括作为光吸收层的金属层。在另一实现方式中，第一栅格120M可以包括除了金属层之外的能够吸收光的另一材料层。此外，在实现方式中，第二栅格120A可以包括作为光反射层的空气层。在另一实现方式中，第二栅格120A可以包括除了空气层之外的能够反射光的另一材料层。
图3是示出图2的沿着线A-A'截取的像素阵列的横截面的示例的图，图4是示出图2的沿着线B-B'截取的像素阵列的横截面的示例的图，并且图5是示出图2的沿着线C-C'截取的像素阵列的横截面的示例的图。
参照图3至图5，像素阵列100可包括基板层110、栅格结构120M和120A、滤色器层130和透镜层140。
基板层110可以包括基板112、光电转换区域114和隔离结构116。基板层110可以包括位于其相对两侧的第一表面和第二表面。这里，第一表面可以指示光从外部入射的表面。
基板112可以包括含有单晶硅的半导体基板。基板112可以包括P型杂质。
光电转换区域114可以形成在半导体基板112中并且对应于相应的单位像素。光电转换区域114可以通过转换由滤色器层130过滤的可见光来生成光电荷。光电转换区域114可以包括N型杂质。
隔离结构116可以形成在相邻的单位像素的光电转换区域114之间，以将光电转换区域114彼此隔离。隔离结构116可以包括诸如BDTI(背深沟槽隔离)或FDTI(前深沟槽隔离)之类的沟槽结构。另选地，隔离结构116可以包括通过将高浓度杂质(例如，P型杂质)注入到基板112中所形成的结隔离结构。
栅格结构120可以位于滤色器R、G和B之间，以防止相邻滤色器R、G和B之间的串扰。栅格结构120可以形成在基板层110的第一表面上方。栅格结构120可以在垂直方向上与隔离结构116交叠。栅格结构120可以包括第一栅格120M和第二栅格120A。
第一栅格120M可以包括金属层122、第一封盖层124和第二封盖层128，并且第二栅格120A可以包括金属层122、第一封盖层124、空气层126和第二封盖层128。
金属层122可以包括钨，并且第一栅格120M和第二栅格120A两者都可以包括金属层122。金属层122可以包括位于钨下方的阻挡金属层(未示出)。
空气层126可以形成在第一封盖层124上方，并且可以在第二栅格120A中与金属层122交叠。也就是说，第二栅格120A可以包括其中金属层122和空气层126层叠的混合结构。
在实施方式中，空气层126可以形成在第二栅格120A中的金属层122上方，而在第一栅格120M中的金属层122上方不形成空气层。在这种情况下，如图3所示，入射光线当中的与第一栅格120M碰撞的光可以被金属层122吸收。然而，如图4所示，入射光线当中的与第二栅格120A碰撞的光可以被空气层126反射并且被引入到光电转换区域114中。因此，在相同的曝光时间期间，引入到其四个表面全部被第一栅格120M围绕(如图2所示)的短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的光电转换区域114中的光的量可以变得小于引入到正常像素PXNR、PXNG和PXNB的光电转换区域114中的光的量。
此外，可以调整金属层122的高度以控制引入到短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的光电转换区域114中的光的量。
第一封盖层124可以由氮化物制成，并且在覆盖金属层122的同时延伸到滤色器层130的底部。在热处理工艺期间，第一封盖层124可以防止金属层122的膨胀。第一封盖层124中的形成在滤色器层130下方的区域可以用作抗反射层的一部分。
作为形成在栅格结构120的最外部分处的材料层的第二封盖层128可以在第二栅格120A中限定其中形成空气层126的区域，并且在第一栅格120M中与第一封盖层124交叠。第二封盖层128可以由氧化物制成，并且在覆盖空气层126的同时延伸到滤色器层130的底部。氧化物可包括诸如氧化硅(SiO2)之类的ULTO(超低温度氧化物)。第二封盖层128中的形成在滤色器层130下方的区域可以用作抗反射层的一部分。
在第一封盖层124和第二封盖层128中，形成在滤色器层130下方的区域可以用作抗反射层，该抗反射层补偿滤色器层130和基板112之间的折射率的差，使得穿过滤色器层130的光能够有效地入射在基板112上。因此，在实施方式中，在滤色器层130和基板112之间可以不提供单独的抗反射层。
滤色器层130可以包括滤色器R、G和B，滤色器R、G和B从通过透镜层140入射的光中过滤可见光，并且将经过滤的光传送到对应的光电转换区域114。例如，滤色器层130可以包括：多个红色滤色器R，其被配置为使第一波长带中的红色可见光穿过；多个绿色滤色器G，其被配置为使比第一波长带短的第二波长带中的绿色可见光穿过；以及多个蓝色滤色器B，其被配置为使比第二波长带短的第三波长带中的蓝色可见光穿过。滤色器层130可以在基板层110上方形成在由第一栅格120M和第二栅格120A限定的区域中。
透镜层140可以包括包覆层142和微透镜144。包覆层142可形成在滤色器层130上方。包覆层142可以用作用于补偿由于滤色器层130而可能发生的高度差的平坦化层。微透镜144可以形成在包覆层142上方。微透镜144可以以半球形状形成，并且形成在相应的单位像素中。微透镜144可以聚集入射光，并将聚集的光传送到对应的滤色器R、G和B。包覆层142和微透镜144可以由相同的材料形成。
图6A至图9A是示出图3的第一栅格的制造工艺的截面图，并且图6B至图9B是示出图4的第二栅格的制造工艺的截面图。
参照图6A和图6B，在包括光电转换区域和隔离结构的基板层110上方形成金属层122。
例如，可以通过在基板层110的整个表面上方形成金属，并且使用限定了栅格结构区域的掩模图案(未示出)作为蚀刻掩模来蚀刻金属的工艺来形成金属层122。这里，金属可以包括钨。
然后，可以在基板层110和金属层122上方形成第一封盖层124。这里，第一封盖层124可以包括氮化物。
参照图7A和图7B，在第一封盖层124上方要形成第二栅格120A的区域中形成牺牲层图案125。
例如，可以在第一封盖层124的整个表面上方形成牺牲层(未示出)，然后可以在牺牲层上方形成掩模图案(未示出)以便限定第二栅格120A。这里，牺牲层可以包括含有碳的SOC。然后，通过使用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻牺牲层，可以在第二栅格120A的区域中形成牺牲层图案125。
参照图8A和图8B，可以在第一封盖层124和牺牲层图案125上方形成第二封盖层128。
这里，第二封盖层128可以包括ULTO。第二封盖层128可以形成为通过在随后的等离子体工艺中使用的气体和牺牲层图案125的碳的组合而产生的分子能够容易地逸出到外部的厚度。
参照图9A和图9B，可以在图8A和图8B的所得结构上执行等离子体工艺，以便去除牺牲层图案125，并且可以在去除了牺牲层图案125的位置处形成空气层126。这里，等离子体工艺可以包括使用包含氧、氮和氢中的一种或更多种的诸如O2、N2、H2、CO、CO2或CH4之类的气体的等离子体工艺。
例如，当在图9B的所得结构上执行O2等离子体工艺时，氧自由基O*可以通过第二封盖层128被引入到牺牲层图案125中，并且与牺牲层图案125的碳结合，从而生成CO或CO2。所生成的CO或CO2通过第二封盖层128逸出到外部。
通过这样的工艺，可以去除牺牲层图案125，并且可以在去除了牺牲层图案125的位置处形成空气层126。
然后，可以在第二封盖层128上方形成滤色器层130，使得由第一栅格120M和第二栅格120A限定的区域掩埋于其中，并且可以在滤色器层130上方形成透镜层140。
图10和图11示出了图2的沿着线B-B'和C-C'截取的像素阵列的横截面的其它示例。
参照图10和图11，第二栅格120A'可以包括第一封盖层124、空气层126'和第二封盖层128。
也就是说，在上述实施方式中，形成在第一栅格120M中的金属层122延伸到形成第二栅格120A的区域。然而，在一个实施方式中，金属层122'可以仅形成在第一栅格120M中，而不形成在第二栅格120A'中。
即使在这里，也可以调整在第一栅格120M中形成的金属层122'的高度，以控制引入到短曝光像素PXSR、PXSG和PXSB的光电转换区域114中的光的量。
虽然上文已描述了各种实施方式，但本领域技术人员应理解，所描述的实施方式仅为示例。因此，本文中所描述的图像感测装置不应基于所描述的实施方式而收到限制。
相关申请的交叉引用
本专利文件要求于2020年12月15日提交的韩国专利申请No.10-2020-0175696的优先权和权益，该专利申请以引用方式并入本文中，作为本专利文件的公开内容的一部分。

Claims (18)

1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
一个或更多个第一单位像素，所述一个或更多个第一单位像素通过转换经由第一滤色器入射的光来生成像素信号；
多个第二单位像素，所述多个第二单位像素与所述第一单位像素相邻地设置，并且通过转换经由第二滤色器入射的光来生成像素信号；
第一栅格，所述第一栅格包括位于所述第一滤色器与所述第二滤色器之间的光吸收层；以及
第二栅格，所述第二栅格包括位于相邻的第二滤色器之间的光反射层。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一栅格以环形形状形成以围绕所述第一滤色器。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二栅格被定位为与所述第二滤色器相邻并且与所述第一滤色器间隔开。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述光吸收层延伸到形成有所述第二栅格的区域。
5.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，所述第二栅格包括：
所述光吸收层；
第一封盖层，所述第一封盖层覆盖所述光吸收层；
所述光反射层，所述光反射层位于所述第一封盖层上方以与所述光吸收层交叠；以及
第二封盖层，所述第二封盖层覆盖所述光反射层。
6.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二栅格包括：
第一封盖层，所述第一封盖层包括与所述光吸收层不交叠的部分；
所述光反射层，所述光反射层形成在所述第一封盖层上方；以及
第二封盖层，所述第二封盖层覆盖所述光反射层。
7.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述光吸收层包括金属层。
8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述光反射层包括空气层。
9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一滤色器和所述第二滤色器具有相同的颜色。
10.根据权利要求9所述的图像感测装置，其中，所述第一单位像素和所述第二单位像素以2×2矩阵阵列彼此相邻地布置。
11.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
多个滤色器，所述多个滤色器以行和列布置；以及
栅格结构，所述栅格结构位于相邻的滤色器之间，
其中，所述多个滤色器包括一个或更多个第一滤色器和一个或更多个第二滤色器，并且
其中，所述栅格结构包括第一栅格和第二栅格，所述第一栅格包括与所述一个或更多个第一滤色器相邻定位的光吸收层，所述第二栅格包括与所述第一滤色器间隔开并且与所述一个或更多个第二滤色器相邻定位的光反射层。
12.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述第一栅格以环形形状形成以围绕所述第一滤色器。
13.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述光吸收层延伸到形成有所述第二栅格的区域。
14.根据权利要求13所述的图像感测装置，其中，所述第二栅格还包括：
光吸收层；
第一封盖层，所述第一封盖层覆盖所述光吸收层；以及
第二封盖层，所述第二封盖层覆盖所述光反射层，
其中，所述光反射层位于所述第一封盖层上方以与所述光吸收层交叠。
15.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述第二栅格还包括：
第一封盖层，所述第一封盖层包括与所述光吸收层不交叠的部分；以及
第二封盖层，所述第二封盖层覆盖所述光反射层，
其中，所述光反射层位于所述第一封盖层上方。
16.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述光吸收层包括金属层。
17.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述光反射层包括空气层。
18.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述多个滤色器以2×2矩阵阵列彼此相邻地布置。
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