CN114628466A

CN114628466A - 显示装置

Info

Publication number: CN114628466A
Application number: CN202111527878.7A
Authority: CN
Inventors: 朴镇佑; 杨正镇; 尹水晶; 李硕宰
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-12-14
Filing date: 2021-12-14
Publication date: 2022-06-14
Also published as: KR20220085066A; US20220190052A1

Abstract

本发明涉及一种显示装置。显示装置包括：基板，定义有第一像素区域以及第二像素区域；第一电极，以与第一像素区域以及第二像素区域重叠的方式布置在基板上；空穴传输区域；第一有机层，布置在空穴传输区域上，并且与第一像素区域重叠；第二有机层，布置在空穴传输区域上，并且与第二像素区域重叠；电子传输区域，以与第一像素区域以及第二像素区域重叠的方式布置在第一有机层以及第二有机层上；以及第二电极，以与第一像素区域和第二像素区域重叠的方式布置在电子传输区域上，其中，第一有机层包括：多个第一发光层，发出第一光；以及电荷生成层，布置在多个第一发光层之间，多个第一发光层中的至少一个与第一像素区域以及第二像素区域均重叠。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，涉及一种寿命得到改善的显示装置。

背景技术

有机发光元件是响应速度快，并且以低电压驱动的自发光型元件。因此，包括有机发光元件的有机发光显示装置可以省略额外的光源，从而具有能够实现轻量薄型，亮度优异，并且对视角没有依赖性等多种优点。

有机发光元件为在阳极电极与阴极电极之间具有利用有机物构成的发光层的显示元件。在由阳极电极提供的空穴与由阴极电极提供的电子在发光层结合而形成激子之后，从激子生成相当于空穴与电子之间的能量的光。

串联(Tandem)有机发光元件为空穴传输层/发光层/电子传输层的叠层(stack)在阳极电极与阴极电极之间形成为两个以上的多个的结构，在各叠层之间存在有助于电荷的生成及移动的电荷生成层(Charge Generation Layer)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种亮度寿命得到改善，且不良率减少的显示装置。

根据本发明的一实施例的显示装置，包括：基板，定义有第一像素区域以及第二像素区域，所述第一像素区域发出第一光，所述第二像素区域发出具有与所述第一光不同的发光波长的第二光；第一电极，以与所述第一像素区域以及所述第二像素区域重叠的方式布置在所述基板上；第一有机层，布置在所述第一电极上，并且与所述第一像素区域重叠；第二有机层，布置在所述第一电极上，并且与所述第二像素区域重叠；以及第二电极，以与所述第一像素区域以及所述第二像素区域重叠的方式布置在所述第一有机层以及所述第二有机层上，其中，所述第一有机层包括：第一空穴传输区域，布置在所述第一电极上；多个第一发光层，发出所述第一光；电荷生成层，布置在所述多个第一发光层之间；以及第一电子传输区域，所述多个第一发光层中的至少一个与所述第一像素区域以及所述第二像素区域均重叠。

在一实施例中，所述第二有机层包括依次布置在所述第一电极上的第二空穴传输区域、发出所述第二光的第二发光层以及第二电子传输区域，其中，在所述第一电极上可以布置有一个所述第二发光层。

在一实施例中，所述第一光是蓝色光，所述第二光可以是绿色光或者红色光。

在一实施例中，在所述基板定义有第三像素区域，所述第三像素区域发出具有与所述第一光以及所述第二光不同的发光波长的第三光，所述显示装置还可以包括布置在所述第一电极上，并且与所述第三像素区域重叠的第三有机层。

在一实施例中，所述第三有机层包括依次布置在所述第一电极上的第三空穴传输区域、发出所述第三光的一个第三发光层以及第三电子传输区域，其中，在所述第一电极上可以布置有一个所述第三有机层。

在一实施例中，所述多个第一发光层可以包括：第一子发光层，布置于所述第一空穴传输区域与所述电荷生成层之间；以及第二子发光层，布置在所述电荷生成层与所述第一电子传输区域之间。

在一实施例中，所述第一子发光层可以与所述第一像素区域至所述第三像素区域均重叠。

在一实施例中，所述第二子发光层可以与所述第二像素区域和所述第三像素区域均不重叠。

在一实施例中，所述第一子发光层以及所述第二子发光层中的每一个可以与所述第一像素区域至所述第三像素区域均重叠。

在一实施例中，所述第三有机层包括发出所述第三光的第三发光层，所述第三发光层可以布置在所述第一子发光层与所述第二子发光层之间。

在一实施例中，所述电荷生成层可以包括：n型电荷生成层，与所述第一子发光层相邻地布置；以及p型电荷生成层，与所述第二子发光层相邻地布置。

在一实施例中，所述第一空穴传输区域可以包括布置在所述多个第一发光层下方的空穴传输层。

在一实施例中，所述第一电子传输区域可以包括布置在所述多个第一发光层上的电子传输层。

在一实施例中，还包括：封盖层，布置在所述第二电极上，所述封盖层的折射率可以为1.6以上。

根据本发明的一实施例的显示装置，包括：基板，定义有第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域，所述第一像素区域发出第一光，所述第二像素区域发出与所述第一光不同的第二光，所述第三像素区域发出与所述第一光以及所述第二光不同的第三光；第一发光元件，与所述第一像素区域重叠；第二发光元件，与所述第二像素区域重叠；以及第三发光元件，与所述第三像素区域重叠，其中，所述第一发光元件包括发出所述第一光的多个第一发光层，所述第二发光元件包括发出所述第二光的一个第二发光层，所述第三发光元件包括发出所述第三光的一个第三发光层，所述多个第一发光层中的至少一个与所述第一像素区域、所述第二像素区域以及所述第三像素区域均重叠。

在一实施例中，所述第一光是蓝色光，所述第二光以及所述第三光中的任意一个为红色光，另一个可以为绿色光。

在一实施例中，所述第一发光元件还可以包括：第一电极以及第一空穴传输区域，布置在所述多个第一发光层下方；以及第一电子传输区域以及第二电极，布置在所述多个第一发光层上。

在一实施例中，所述第一发光元件还可以包括布置在所述多个第一发光层之间的电荷生成层。

在一实施例中，所述第二发光元件还可以包括：第二空穴传输区域，布置在所述第二发光层下方；以及第二电子传输区域，布置在所述第二发光层上。

在一实施例中，所述第二发光元件还可以包括布置在所述第二发光层与所述第二空穴传输区域之间的附加空穴传输层。

根据本发明的一实施例的显示装置可以通过在多个发光元件中的一部分发光元件布置多个发光结构叠层，在其余发光元件布置一个发光结构叠层而在使显示装置的亮度寿命得到改善的同时，减少制造时的不良率。

附图说明

图1是根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。

图2a及图2b是示出与图1的I-I'线对应的显示装置的剖面图。

图3是示出与图1的II-II'线对应的显示装置的剖面图。

图4a及图4b是根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图。

图5是根据本发明的一实施例的第一发光元件的剖面图。

图6a及图6b是根据本发明的一实施例的第二发光元件的剖面图。

图7a及图7b是根据本发明的一实施例的第三发光元件的剖面图。

图8a是示出Ref 1、实施例A以及实施例B的波长光谱的曲线图。

图8b是示出Ref 2、实施例C以及实施例D的波长光谱的曲线图。

图9是对根据本发明的一实施例的第一发光元件的随时间的亮度和根据比较例的第一发光元件的随时间的亮度进行比较而示出的曲线图。

【附图标记说明】

DD：显示装置 ED-1：第一发光元件

ED-2：第二发光元件 ED-3：第三发光元件

EL1：第一电极 EL2：第二电极

EML：发光层 ETR：电子传输区域

HTR：空穴传输区域 CGL1：电荷生成层

EML1-1：第一子发光层 EML1-2：第二子发光层

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施例。在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”、与另一构成要素“连接”或者“结合”时，其表示可以直接布置于另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。

相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸为了针对技术内容进行有效的说明而被夸大。“和/或者”包括可以由相关的构成定义的一个以上的全部的组合。

第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅作为将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的情形下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述只要在语境中没有明确表示出不同含义，便包括复数的表述。

并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成的相关关系。所述术语为相对概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。

“包括”或者“具有”等术语应当被理解为旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。

以下参照附图针对根据本发明的一实施例的显示装置以及显示装置的制造方法进行说明。

图1是根据本发明的一实施例的显示装置DD的平面图。图2a及图2b是示出与图1的I-I'线对应的显示装置DD的剖面图。

如图1所示，显示装置DD可以通过显示面DP-IS显示图像。显示面DP-IS可以是与由第一方向DR1和第二方向DR2定义的面平行的面。显示面DP-IS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。在显示区域DA可以定义有非像素区域NPXA和像素区域PX。像素区域PX可以包括多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。非像素区域NPXA可以围绕像素区域PX。

非显示区域NDA沿显示面DP-IS的边沿而被定义。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。

显示面DP-IS的法线方向(即，显示装置DD的厚度方向)可以与第三方向DR3对应。以下说明的各层或单元的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)借由第三方向DR3而区分。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此对向(opposing)。此外，第一方向至第三方向DR1、DR2、DR3指向的方向为相对性的概念，可以转换为其他方向。虽然在本发明的一实施例示出了配备有平面型显示面DP-IS的显示装置DD，但并不限于此。显示装置DD还可以包括曲面型显示面或者立体型显示面。立体型显示面还可以包括指向彼此不同的方向的多个显示区域。

图2a及图2b示出了与图1的I-I'线对应的显示装置DD的剖面。一实施例的显示装置DD可以包括多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3，例如，多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3可以包括第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2以及第三发光元件ED-3。第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2以及第三发光元件ED-3中的每一个可以包括第一电极EL1、第二电极EL2以及布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的有机层。

例如，第一发光元件ED-1包括布置在第一电极EL1上并与第一像素区域PXA-B重叠的第一有机层OL1。第二发光元件ED-2包括布置在第一电极EL1上并与第二像素区域PXA-G重叠的第二有机层OL2。第三发光元件ED-3包括布置在第一电极EL1上并与第三像素区域PXA-R重叠的第三有机层OL3。

多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3中的一个发光元件(例如，第一发光元件ED-1)可以包括多个发光层(例如，多个第一发光层EML1)，其他发光元件(例如，第二发光元件ED-2、第三发光元件ED-3)可以包括一个发光层(例如，第二发光层EML2、第三发光层EML3)。在一实施例的显示装置DD中，第一发光元件ED-1包含包括于第一有机层OL1的两个第一发光层EML1(即，第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2)。在两个第一发光层EML1之间布置有电荷生成层CGL1。例如，在第一子发光层EML1-1与第二子发光层EML1-2之间布置有电荷生成层CGL1。虽然在图2a示例性地示出了第一发光元件ED-1包括两个第一发光层EML1的情形，但并不限于此，第一发光元件ED-1也可以包括三个以上的发光层。在一实施例中，第一发光元件ED-1可以发出蓝色光。

第二发光元件ED-2包含包括于第二有机层OL2的一个第二发光层EML2。例如，第二发光元件ED-2可以包括一个第二发光层EML2，而不包括两个以上的第二发光层EML2。在一实施例中，第二发光元件ED-2可以发出绿色光。

第三发光元件ED-3包含包括于第三有机层OL3的一个第三发光层EML3。例如，第三发光元件ED-3可以包括一个第三发光层EML3，而不包括两个以上的第三发光层EML3。在一实施例中，第三发光元件ED-3可以发出红色光。

在一实施例中，第一发光元件ED-1的第一有机层OL1所包括的第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2中的至少一个可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。例如，第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2中的每一个可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。

在一实施例中，第二发光元件ED-2的第二有机层OL2所包括的第二发光层EML2可以与第二像素区域PXA-G重叠，而不与第一像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-R重叠。在第二像素区域PXA-G，第二发光层EML2可以布置于第一子发光层EML1-1与第二子发光层EML1-2之间。

在一实施例中，第三发光元件ED-3的第三有机层OL3所包括的第三发光层EML3可以与第三像素区域PXA-R重叠，而不与第一像素区域PXA-B和第二像素区域PXA-G重叠。在第三像素区域PXA-R，第三发光层EML3可以布置于第一子发光层EML1-1与第二子发光层EML1-2之间。

由于包括于第一发光元件ED-1的第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2全面地布置在第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R，可以提高显示装置的制造工艺的效率。具体地，由于第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2均布置为与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠，因此在制造多个第一发光层EML1时可以不需要额外的掩模。相比多个第一发光层EML1全部仅形成在第一像素区域PXA-B的以往的显示装置，本发明的显示装置通过使多个第一发光层EML1中的至少一个共同布置在第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R，从而可以减少制造工艺的时间，提高制造工艺的效率，并且可以最小化可能在掩模图案化过程中发生的不良。

根据一实施例的显示装置DD的显示面板DP可以包括：基础层BS；电路层DP-CL，布置在基础层BS上；以及显示元件层DP-ED，布置在电路层DP-CL上。基础层BS可以提供用于布置显示元件层DP-ED的基础面。基础层BS可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，并不限于此。

在一实施例中，电路层DP-CL可以布置在基础层BS上。电路层DP-CL可以包括多个晶体管(未示出)。晶体管(未示出)可以分别包括控制电极、输入电极以及输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括用于驱动显示元件层DP-ED的多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3的开关晶体管和驱动晶体管。

一实施例的显示元件层DP-ED可以包括：像素限定膜PDL；多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3，布置在像素限定膜PDL之间；以及封装层TFE，布置在多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3上。

在图2a示出了如下所述的实施例：在定义于像素限定膜PDL的开口部OH2、OH3内布置有发光元件ED-2、ED-3的发光层EML2、EML3，并且第一发光层EML1、第一空穴传输区域至第三空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3、第一电子传输区域至第三电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第二电极EL2作为公共层而布置在整个发光元件ED-1、ED-2、ED-3。即，包括于第一发光元件ED-1的第一空穴传输区域HTR1、包括于第二发光元件ED-2的第二空穴传输区域HTR2以及包括于第三发光元件ED-3的第三空穴传输区域HTR3中的每一个的一部分可以布置于像素限定膜PDL上，并且第一空穴传输区域HTR1、第二空穴传输区域HTR2以及第三空穴传输区域HTR3中的每一个可以在像素限定膜PDL上彼此连接，从而形成具有一体的形状的一个空穴传输区域HTR。并且，包括于第一发光元件ED-1的第一电子传输区域ETR1、包括于第二发光元件ED-2的第二电子传输区域ETR2以及包括于第三发光元件ED-3的第三电子传输区域ETR3中的每一个的至少一部分可以布置于像素限定膜PDL上，第一电子传输区域ETR1、第二电子传输区域ETR2以及第三电子传输区域ETR3中的每一个可以在像素限定膜PDL上彼此连接，从而形成具有一体的形状的一个电子传输区域ETR。然而，实施例并不限于此，与图2a所示不同地，在一实施例中，电子传输区域ETR和空穴传输区域HTR可以被图案化而布置于定义在像素限定膜PDL的开口部OH1、OH2、OH3内部。例如，在一实施例中，多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3的第一空穴传输区域至第三空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3、多个发光层EML1、EML2、EML3以及第一电子传输区域至第三电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3等可以通过喷墨印刷法进行图案化，从而布置于第一开口部至第三开口部OH1、OH2、OH3中的每一个的内部。

封装层TFE可以覆盖多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3。封装层TFE可以密封显示元件层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是一层或者由多个层堆叠而成。封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据一实施例的封装层TFE可以包括至少一个无机膜(以下，称作封装无机膜)。并且，根据一实施例的封装层TFE可以包括至少一个有机膜(以下，称作封装有机膜)和至少一个封装无机膜。

封装无机膜保护显示元件层DP-ED免受水分/氧气的影响，封装有机膜保护显示元件层DP-ED免受诸如灰尘颗粒等异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或者氧化铝等，但并不特别限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸系化合物、环氧系化合物等。封装有机膜可以包括能够光聚合的有机物质，但并不特别限于此。

封装层TFE可以布置在第二电极EL2上，并且可以布置为填充开口部OH1、OH2、OH3的一部分。

参照图1和图2a，像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以分别是发出由多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3中的每一个生成的光的区域。多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以在平面上彼此相隔。

多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B中的每一个可以是被像素限定膜PDL划分的区域。非像素区域NPXA作为相邻的像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B之间的区域，可以是与像素限定膜PDL对应的区域。此外，在本说明书中，多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B中的每一个可以与像素区域PX对应。像素限定膜PDL可以划分多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3。多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3的多个发光层EML1、EML2、EML3可以布置于定义在像素限定膜PDL的开口部OH1、OH2、OH3而被划分。

多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以根据在多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3生成的光的颜色而被划分为多个组。在图1及图2a示出的一实施例的显示装置DD中示例性地示出了发出红色光、绿色光以及蓝色光的三个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。例如，一实施例的显示装置DD可以包括彼此划分的第一像素区域PXA-B、第二像素区域PXA-G以及第三像素区域PXA-R。在一实施例中，第一像素区域PXA-B可以被称作蓝色像素区域PXA-B，第二像素区域PXA-G可以被称作绿色像素区域PXA-G，第三像素区域PXA-R可以被称作红色像素区域PXA-R。在一实施例的显示装置DD中，一个红色像素区域PXA-R、一个绿色像素区域PXA-G以及一个蓝色像素区域PXA-B可以被组合在一起而被称作单位像素组PXG。虽然未示出，但包括于单位像素组PXG的红色像素区域PXA-R、绿色像素区域PXA-G以及蓝色像素区域PXA-B中的至少一个也可以提供为多个。例如，单位像素组PXG也可以包括两个绿色像素区域PXA-G、一个红色像素区域PXA-R以及一个蓝色像素区域PXA-B。

在根据一实施例的显示装置DD中，发光元件ED-1、ED-2、ED-3可以发出彼此不同的波段的光。例如，在一实施例中，显示装置DD可以包括发出蓝色光的第一发光元件ED-1、发出绿色光的第二发光元件ED-2以及发出红色光的第三发光元件ED-3。即，显示装置DD的蓝色像素区域PXA-B、绿色像素区域PXA-G以及红色像素区域PXA-R可以分别与第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2以及第三发光元件ED-3对应。

根据一实施例的显示装置DD中的多个像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以以条形形态排列。参照图1，多个红色像素区域PXA-R、多个绿色像素区域PXA-G以及多个蓝色像素区域PXA-B可以分别沿第二方向DR2排列。并且，可以沿第一方向DR1以红色像素区域PXA-R、绿色像素区域PXA-G以及蓝色像素区域PXA-B的顺序交替排列。

虽然在图1和图2a示出了像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的面积均相似的情形，但实施例并不限于此，像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的面积可以根据发出的光的波段而彼此不同。此外，像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的面积可以表示从由第一方向DR1和第二方向DR2定义的平面上观察时的面积。

此外，像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的排列形态并不限于图1所示的内容，红色像素区域PXA-R、绿色像素区域PXA-G以及蓝色像素区域PXA-B的排列顺序可以根据显示装置DD所要求的显示品质的特性而被多样地组合并提供。例如，像素区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的排列形态可以具有五片瓦(pentile)排列形态或者钻石排列形态。

一实施例的显示装置DD可以包括布置在显示面板DP上的基底基板BL和偏振层POL。然而，实施例并不限于此。

基底基板BL可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。基底基板BL可以是提供用于布置偏振层POL等的基底面的部件。

一实施例的显示装置DD还可以包括偏振层POL。偏振层POL可以阻断从外部入射到显示装置DD的外部光。偏振层POL可以阻断外部光中的一部分。并且，偏振层POL可以减少由于外部光而在显示面板DP产生的反射光。即，偏振层POL可以是防反射层。例如，偏振层POL可以起到阻断从显示装置DD的外部入射的光入射到显示面板DP并再次射出的情形的反射光的功能。

此外，虽然在图2a示出了偏振层POL布置在基底基板BL上而暴露的情形，但实施例并不限于此。例如，偏振层POL可以布置在基底基板BL下部。

虽然在图2a示例性地示出了显示装置DD包括偏振层POL的情形，但并不限于此，偏振层POL可以被省略。例如，如图2b所示，在一实施例中，显示装置DD-1可以包括作为防反射层的滤色器层CFL而不包括偏振层。滤色器层CFL可以包括与红色像素区域PXA-R、绿色像素区域PXA-G以及蓝色像素区域PXA-B分别对应的的滤色器部CF-R、CF-G、CF-B。滤色器层CFL可以包括与红色像素区域PXA-R重叠的红色滤色器部CF-R、与绿色像素区域PXA-G重叠的绿色滤色器部CF-G以及与蓝色像素区域PXA-B重叠的蓝色滤色器部CF-B。滤色器层CFL可以包括与非像素区域NPXA重叠且布置在滤色器部CF-R、CF-G、CF-B之间的遮光部BM。

图3是示出与图1的II-II'线对应的显示装置的剖面图。

参照图3，显示装置DD的电路层DP-CL可以包括缓冲层BFL、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3、第四绝缘层IL4以及第五绝缘层VIA1。

在本发明的一实施例中，第一绝缘层至第三绝缘层IL1、IL2、IL3中的每一个包括有机膜和/或无机膜。在本发明的一实施例中，第一绝缘层至第三绝缘层IL1、IL2、IL3中的每一个可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层和氧化硅层。第四绝缘层IL4和第五绝缘层VIA1可以包括有机物。

缓冲层BFL可以布置在基础层BS上。缓冲层BFL可以包括单层或多个层。缓冲层BFL防止存在于基础层BS的杂质流入像素区域PX。尤其是，防止杂质扩散到构成像素区域PX的晶体管T1。杂质可能从外部流入或者由于基础层BS的热分解而产生。杂质可以为从基础层BS排出的气体或钠。并且，缓冲层BFL可以阻断从外部流入像素区域PX的水分。

在缓冲层BFL上可以布置有包括半导体图案的晶体管T1。如图3所示，晶体管T1的源极S1、有源区域C1、漏极D1以及控制电极G1由半导体图案形成。图中示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。虽然未单独示出，但连接信号线SCL可以在平面上连接到构成像素驱动电路的另一晶体管(例如，驱动晶体管)。

第一绝缘层IL1可以覆盖晶体管T1的源极S1、有源区域C1、漏极D1以及连接信号线SCL。控制电极G1可以布置在第一绝缘层IL1与第二绝缘层IL2之间。在第二绝缘层IL2与第三绝缘层IL3之间可以布置有上部电极UE。在上部电极UE可以定义有开口部UE-OP。

在第四绝缘层IL4上可以布置有连接电极CNE1。连接电极CNE1可以通过贯通孔而与连接信号线SCL连接。连接电极CNE1可以连接连接信号线SCL和第一电极EL1。

如图3所示，显示元件层DP-ED可以包括发光元件ED-2和像素限定膜PDL。发光元件ED-2可以包括第一电极EL1、第二发光层EML2以及第二电极EL2。在图3仅示出了作为包括于发光元件ED-2的部分构成的第一电极EL1、第二发光层EML2以及第二电极EL2，省略了空穴传输区域和电子传输区域。

第一电极EL1可以布置在第五绝缘层VIA1上。第一电极EL1可以通过贯通孔而与连接信号线SCL连接。例如，连接电极CNE1可以将连接信号线SCL和第一电极EL1电连接。

像素限定膜PDL可以布置在第五绝缘层VIA1上，并且暴露第一电极EL1的至少一部分。第二发光层EML2可以布置在第一电极EL1上。第二电极EL2可以布置在第二发光层EML2上。

在发光元件ED-2为有机发光二极管(OLED)的情形下，第二发光层EML2可以包括有机物。封装层TFE可以密封发光元件ED-2，保护发光元件ED-2免受外部的氧气或水分的影响。封装层TFE可以是有机膜和无机膜混合的层。

然而，实施例并不限于此，在第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3上还可以布置有包括金属的导电图案。

图4a和图4b是示意性地示出根据本发明的一实施例的显示装置DD的剖面图。

图4a和图4b示出了在如图2a和图2b的与图1的I-I'线对应的显示装置的剖面中，包括多个发光层的发光元件与在图2a和图2b所示的情形不同的实施例的显示装置的剖面图。以下，在说明图4a及图4b的一实施例的显示装置时，对与在先说明的构成相同的构成赋予相同的附图标记，并省略详细说明。

参照图4a，第一发光元件ED-1的第一有机层OL1所包括的多个第一发光层EML1中的至少一个可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。即，多个第一发光层EML1中的至少一个可以与第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2、ED-3全部重叠。即，例如，多个第一发光层EML1中的第一子发光层EML1-1可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。第二子发光层EML1-2可以与第一像素区域PXA-B重叠，而不与第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-R重叠。

在一实施例中，第二发光元件ED-2的第二有机层OL2所包括的第二发光层EML2可以与第二像素区域PXA-G重叠，而不与第一像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-R重叠。在第二像素区域PXA-G中，在第二发光层EML2下方可以布置有第一子发光层EML1-1。例如，在第二发光层EML2与第二空穴传输区域HTR2之间可以布置有第一子发光层EML1-1。然而，实施例并不限于此，第一子发光层EML1-1和第二空穴传输区域HTR2的顺序可以彼此替换。

在一实施例中，第三发光元件ED-3的第三有机层OL3所包括的第三发光层EML3可以与第三像素区域PXA-R重叠，而不与第一像素区域PXA-B和第二像素区域PXA-G重叠。在第三像素区域PXA-R中，在第三发光层EML3下方可以布置有第一子发光层EML1-1。例如，在第三发光层EML3与第三空穴传输区域HTR3之间可以布置有第一子发光层EML1-1。然而，实施例并不限于此，第一子发光层EML1-1和第三空穴传输区域HTR3的顺序可以彼此替换。

参照图4b，第一发光元件ED-1的第一有机层OL1所包括的多个第一发光层EML1中的至少一个可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。例如，在多个第一发光层EML1中，第一子发光层EML1-1可以与第一像素区域PXA-B重叠，而不与第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-R重叠。第二子发光层EML1-2可以与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。

在第二像素区域PXA-G中，在第二发光层EML2上可以布置有第二子发光层EML1-2。例如，在第二发光层EML2与第二电子传输区域ETR2之间可以布置有第二子发光层EML1-2。然而，实施例并不限于此，第二子发光层EML1-2和第二电子传输区域ETR2的顺序可以彼此替换。

在第三像素区域PXA-R中，在第三发光层EML3上可以布置有第二子发光层EML1-2。例如，在第三发光层EML3与第三电子传输区域ETR3之间可以布置有第二子发光层EML1-2。然而，实施例并不限于此，第二子发光层EML1-2和第三电子传输区域ETR3的顺序可以彼此替换。

图5是根据本发明的一实施例的第一发光元件ED-1的剖面图。

参照图5，根据一实施例的第一发光元件ED-1包括：第一电极EL1；第二电极EL2，与第一电极EL1相面对；以及多个第一发光单元结构ST1，布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。根据一实施例的第一发光元件ED-1可以包括：作为多个第一发光单元结构ST1的第一子发光单元结构ST1-1和第二子发光单元结构ST1-2，布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间；以及电荷生成层CGL1，布置在第一子发光单元结构ST1-1与第二子发光单元结构ST1-2之间。

第一子发光单元结构ST1-1和第二子发光单元结构ST1-2中的每一个包括发出第一光的第一发光层EML1。第一子发光单元结构ST1-1可以包括：第一子发光层EML1-1，发出第一光；第一空穴传输区域HTR1，将由第一电极EL1提供的空穴传输到第一子发光层EML1-1；以及第一中间电子传输区域METR1，将由电荷生成层CGL1生成的电子传输到第一子发光层EML1-1。

第二子发光单元结构ST1-2可以包括：第二子发光层EML1-2，发出第一光；第一中间空穴传输区域MHTR1，将由电荷生成层CGL1生成的空穴传输到第二子发光层EML1-2；以及第一电子传输区域ETR1，将由第二电极EL2提供的电子传输到第二子发光层EML1-2。

第一空穴传输区域HTR1可以包括：第一空穴注入层HIL1，布置在第一电极EL1上；第一空穴传输层HTL1，布置在第一空穴注入层HIL1上；以及第一空穴侧附加层EBL1，布置在第一空穴传输层HTL1上。第一空穴侧附加层EBL1可以包括空穴缓冲层、发光辅助层以及电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以是通过补偿根据从发光层发出的光的波长的谐振距离而提高发光效率的层。电子阻挡层可以是起到防止电子从电子传输区域注入到空穴传输区域的层。第一空穴侧附加层EBL1可以与第一子发光层EML1-1接触。然而，并不限于此，第一空穴侧附加层EBL1可以被省略，也可以第一空穴传输层HTL1与第一子发光层EML1-1接触。

第一中间电子传输区域METR1可以包括：第一中间电子侧附加层MBFL1，布置在第一子发光层EML1-1上；以及第一中间电子传输层METL1，布置在第一中间电子侧附加层MBFL1上。第一中间电子侧附加层MBFL1可以包括电子缓冲层和空穴阻挡层中的至少一个。第一中间电子侧附加层MBFL1可以与第一子发光层EML1-1接触。然而，并不限于此，第一中间电子侧附加层MBFL1可以被省略。并且，在第一中间电子传输层METL1与电荷生成层CGL1之间也可以布置有第一中间电子注入层。

第一中间空穴传输区域MHTR1可以包括：第一中间空穴传输层MHTL1，布置在电荷生成层CGL1上；以及第一中间空穴侧附加层MEBL1，布置在第一中间空穴传输层MHTL1上。第一中间空穴侧附加层MEBL1可以包括空穴缓冲层、发光辅助层以及电子阻挡层中的至少一个。第一中间空穴侧附加层MEBL1可以与第二子发光层EML1-2接触。然而，并不限于此，第一中间空穴侧附加层MEBL1可以被省略，也可以第一中间空穴传输层MHTL1与第二子发光层EML1-2接触。并且，在电荷生成层CGL1与第一中间空穴传输层MHTL1之间也可以布置有第一中间空穴注入层。

第一电子传输区域ETR1可以包括：第一电子侧附加层BFL1，布置在第二子发光层EML1-2上；第一电子传输层ETL1，布置在第一电子侧附加层BFL1上；以及第一电子注入层EIL1，布置在第一电子传输层ETL1上。第一电子侧附加层BFL1可以包括电子缓冲层和空穴阻挡层中的至少一个。第一电子侧附加层BFL1可以与第二子发光层EML1-2接触。然而，并不限于此，也可以第一电子侧附加层BFL1被省略，第一电子传输层ETL1与第二子发光层EML1-2接触。

在第一子发光单元结构ST1-1与第二子发光单元结构ST1-2之间可以布置有电荷生成层CGL1。如果电荷生成层CGL1被施加电压，则可以通过氧化-还原反应形成络合物而生成电荷(电子和空穴)。电荷生成层CGL1可以将生成的电荷分别提供至相邻的第一发光单元结构ST1。电荷生成层CGL1可以使在一个第一发光单元结构ST1产生的电流效率成倍增加，并且可以起到在第一子发光单元结构ST1-1与第二子发光单元结构ST1-2之间调节电荷的均衡的作用。

电荷生成层CGL1可以具有第一子电荷生成层nCGL1和第二子电荷生成层pCGL1彼此接合的层结构。作为一例，第一子电荷生成层nCGL1可以为与第一子发光单元结构ST1-1相邻布置而向第一子发光单元结构ST1-1提供电子的n型电荷生成层。第二子电荷生成层pCGL1可以为与第二子发光单元结构ST1-2相邻布置而向第二子发光单元结构ST1-2提供空穴的p型电荷生成层。虽然未示出，但在第一子电荷生成层nCGL1与第二子电荷生成层pCGL1之间还可以布置有缓冲层。

电荷生成层CGL1可以包括n型芳胺系物质或者p型金属氧化物。例如，电荷生成层CGL1可以包括由芳胺系的有机化合物、金属、金属的氧化物、碳化物、氟化物或它们的混合物构成的电荷产生化合物。

例如，芳胺系的有机化合物可以是α-NPD、2-TNATA、TDATA、MTDATA、螺-TAD或者螺-NPB。例如，金属可以为铯(Cs)、钼(Mo)、钒(V)、钛(Ti)、钨(W)、钡(Ba)或锂(Li)。并且，例如，金属的氧化物、碳化物以及氟化物可以为Re₂O₇、MoO₃、V₂O₅、WO₃、TiO₂、Cs₂CO₃、BaF、LiF或者CsF。

在第一发光元件ED-1中，多个第一发光层EML1中的每一个与第一电极EL1相隔的光学距离可以不同。在本说明书中，“光学距离”可以表示由发光层生成的光从反射界面反射而进行谐振(resonance)的距离。在本说明书中，发光层的光学距离可以表示为从发光层中心到作为反射界面的第一电极EL1的上表面的最小距离。发光层的发光中心可以为发光层的厚度的1/2处的位点。

在一实施例中，第一子发光层EML1-1可以布置在具有第1-1光学距离OD1-1的位点，第二子发光层EML1-2可以布置在具有第1-2光学距离OD1-2的位点。第1-1光学距离OD1-1可以是从第一子发光层EML1-1生成的第一光进行n次谐振的距离。第1-2光学距离OD1-2可以是从第二子发光层EML1-2生成的第一光进行n+a次谐振的距离。在本说明书中，n和a可以分别独立地为1以上的整数。例如，第一子发光层EML1-1可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第一光进行一次谐振的距离，第二子发光层EML1-2可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第一光进行两次谐振的距离。或者，第一子发光层EML1-1可以与第一电极EL1相隔相当于第一光进行两次谐振的距离，第二子发光层EML1-2可以与第一电极EL1相隔相当于第一光进行三次谐振的距离。然而，并不限于此，第一子发光层EML1-1可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第一光进行一次谐振的距离，第二子发光层EML1-2可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第一光进行三次谐振的距离。

在具有包括多个第一发光层EML1以及布置在多个第一发光层EML1之间的电荷生成层CGL1的串联结构的第一发光元件ED-1中，可以通过控制多个第一发光层EML1中的每一个的光学距离而使谐振特性得到强化。

图6a及图6b是根据本发明的一实施例的第二发光元件ED-2的剖面图。

参照图6a，根据一实施例的第二发光元件ED-2包括：第一电极EL1；第二电极EL2，与第一电极EL1相面对；以及一个第二发光单元结构ST2，布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。

在第二发光单元结构ST2包括有发出第二光的第二发光层EML2。第二发光单元结构ST2可以包括：第二发光层EML2，发出第二光；第二空穴传输区域HTR2，将由第一电极EL1提供的空穴传输到第二发光层EML2；以及第二电子传输区域ETR2，将由第二电极EL2提供的电子传输到第二发光层EML2。

第二空穴传输区域HTR2可以包括：第二空穴注入层HIL2，布置在第一电极EL1上；第二空穴传输层HTL2，布置在第二空穴注入层HIL2上；以及第二空穴侧附加层EBL2，布置在第二空穴传输层HTL2上。第二空穴侧附加层EBL2可以包括空穴缓冲层、发光辅助层以及电子阻挡层中的至少一个。第二空穴侧附加层EBL2可以与第二发光层EML2接触。然而，并不限于此，第二空穴侧附加层EBL2可以被省略，也可以第二空穴传输层HTL2与第二发光层EML2接触。

第二电子传输区域ETR2可以包括：第二电子侧附加层BFL2，布置在第二发光层EML2上；第二电子传输层ETL2，布置在第二电子侧附加层BFL2上；第二电子注入层EIL2，布置在第二电子传输层ETL2上。第二电子侧附加层BFL2可以包括电子缓冲层以及空穴阻挡层中的至少一个。第二电子侧附加层BFL2可以与第二发光层EML2接触。然而，并不限于此，也可以第二电子侧附加层BFL2被省略，第二电子传输层ETL2与第二发光层EML2接触。

在一实施例中，包括于第一发光元件ED-1的多个第一发光层EML1(参照图2a)中的至少一个与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。据此，与第二像素区域PXA-G重叠的第二发光元件ED-2可以包括多个第一发光层EML1中的至少一个。例如，第二发光元件ED-2可以包括第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2两者。具体地，第二发光元件ED-2可以具有依次堆叠有第一电极EL1、第二空穴传输区域HTR2、第一子发光层EML1-1、第二发光层EML2、第二子发光层EML1-2、第二电子传输区域ETR2、第二电极EL2的结构。然而，实施例并不限于此。例如，第一子发光层EML1-1可以布置在包括于第二空穴传输区域HTR2的多个层HIL2、HTL2、EBL2中的任意两个之间。例如，第二子发光层EML1-2可以布置在包括于第二电子传输区域ETR2的多个层EIL2、ETL2、BFL2中的任意两个之间。

在一实施例中，第二发光层EML2可以布置为与第一电极EL1相隔相当于作为第二光进行n次谐振的距离的第二光学距离OD2。例如，第二发光层EML2可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第二光进行两次谐振的距离。然而，实施例并不限于此。例如，第二发光层EML2可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第二光进行一次谐振的距离或者进行三次谐振的距离。

参照图6b，根据一实施例的第二发光元件ED-2可以包括多个第一发光层EML1(参照图2a)中的至少一个。例如，第二发光元件ED-2可以包括第二子发光层EML1-2，而不包括第一子发光层EML1-1。具体地，第二发光元件ED-2可以具有依次堆叠有第一电极EL1、第二空穴传输区域HTR2、第二发光层EML2、第二子发光层EML1-2、第二电子传输区域ETR2、第二电极EL2的结构。

图7a及图7b是根据本发明的一实施例的第三发光元件ED-3的剖面图。

参照图7a，根据一实施例的第三发光元件ED-3包括：第一电极EL1；第二电极EL2，与第一电极EL1相面对；以及一个第三发光单元结构ST3，布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。

在第三发光单元结构ST3包括有发出第三光的第三发光层EML3。第三发光单元结构ST3可以包括：第三发光层EML3，发出第三光；第三空穴传输区域HTR3，将由第一电极EL1提供的空穴传输到第三发光层EML3；以及第三电子传输区域ETR3，将由第二电极EL2提供的电子传输到第三发光层EML3。

第三空穴传输区域HTR3可以包括：第三空穴注入层HIL3，布置在第一电极EL1上；第三空穴传输层HTL3，布置在第三空穴注入层HIL3上；以及第三空穴侧附加层EBL3，布置在第三空穴传输层HTL3上。第三空穴侧附加层EBL3可以包括空穴缓冲层、发光辅助层以及电子阻挡层中的至少一个。第三空穴侧附加层EBL3可以与第三发光层EML3接触。然而，并不限于此，第三空穴侧附加层EBL3可以被省略，也可以第三空穴传输层HTL3与第三发光层EML3接触。

第三电子传输区域ETR3可以包括：第三电子侧附加层BFL3，布置在第三发光层EML3上；第三电子传输层ETL3，布置在第三电子侧附加层BFL3上；第三电子注入层EIL3，布置在第三电子传输层ETL3上。第三电子侧附加层BFL3可以包括电子缓冲层以及空穴阻挡层中的至少一个。第三电子侧附加层BFL3可以与第三发光层EML3接触。然而，并不限于此，也可以第三电子侧附加层BFL3被省略，第三电子传输层ETL3与第三发光层EML3接触。

在一实施例中，包括于第一发光元件ED-1(参照图2a)的多个第一发光层EML1中的至少一个与第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R重叠。据此，与第三像素区域PXA-R重叠的第三发光元件ED-3可以包括多个第一发光层EML1中的至少一个。例如，第三发光元件ED-3可以包括第一子发光层EML1-1和第二子发光层EML1-2两者。具体地，第三发光元件ED-3可以具有依次堆叠有第一电极EL1、第三空穴传输区域HTR3、第一子发光层EML1-1、第三发光层EML3、第二子发光层EML1-2、第三电子传输区域ETR3、第二电极EL2的结构。然而，实施例并不限于此。例如，第一子发光层EML1-1可以布置在包括于第三空穴传输区域HTR3的多个层HIL3、HTL3、EBL3中的任意两个之间。例如，第二子发光层EML1-2可以布置在包括于第三电子传输区域ETR3的多个层EIL3、ETL3、BFL3中的任意两个之间。

在一实施例中，第三发光层EML3可以布置为与第一电极EL1相隔相当于作为第三光进行n次谐振的距离的第三光学距离OD3。例如，第三发光层EML3可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第三光进行两次谐振的距离。然而，实施例并不限于此。例如，第三发光层EML3可以布置为与第一电极EL1相隔相当于第三光进行一次谐振的距离或者进行三次谐振的距离。

参照图7b，根据一实施例的第三发光元件ED-3可以包括多个第一发光层EML1(参照图2a)中的至少一个。例如，第三发光元件ED-3可以包括第二子发光层EML1-2，而不包括第一子发光层EML1-1。具体地，第三发光元件ED-3可以具有依次堆叠有第一电极EL1、第三空穴传输区域HTR3、第三发光层EML3、第二子发光层EML1-2、第三电子传输区域ETR3、第二电极EL2的结构。

在根据一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3中，第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以利用金属材料、金属合金或者导电性化合物形成。第一电极EL1可以是阳极(anode)或者阴极(cathode)。然而，实施例并不限于此。并且，第一电极EL1可以为像素电极。

在根据一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3中，第一电极EL1可以是反射型电极。例如，第一电极EL1可以包括透射率高的Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、它们的化合物和混合物(例如，Ag和Mg的混合物、LiF/Ca、LiF/Al)中的至少一个。或者，第一电极EL1可以是包括利用上述物质形成的反射膜以及利用氧化铟锡(ITO：indiumtin oxide)、氧化铟锌(IZO：indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO：zinc oxide)、氧化铟锡锌(ITZO：indium tin zinc oxide)等形成的透明导电膜的多个层结构。例如，第一电极EL1可以具有ITO/Ag的双层结构以及ITO/Ag/ITO的三层结构，但并不限于此。并且，实施例并不限于此，第一电极EL1可以包括上述金属材料、选自上述金属材料中的两种以上的金属材料的组合或者上述金属材料的氧化物等。第一电极EL1的厚度可以为大约

至大约

例如，第一电极EL1的厚度可以为大约

至大约

在根据一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3中，空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3布置在第一电极EL1上。在布置有多个第一发光层EML1的第一发光元件ED-1中，第一中间空穴传输区域MHTR1布置在电荷生成层CGL1上。

空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3以及第一中间空穴传输区域MHTR1可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。

空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3以及第一中间空穴传输区域MHTR1分别可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB法(Langmuir-Blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(LITI：Laser Induced Thermal Imaging)等多种方法形成。

空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3以及第一中间空穴传输区域MHTR1分别可以包括：铜酞菁(copper phthalocyanine)等的酞菁(phthalocyanine)化合物、N¹,N^1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(N¹-苯基-N⁴,N⁴-二-间甲苯基苯-1,4-二胺)(DNTPD：N¹,N^1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N¹-phenyl-N⁴,N⁴-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine))、4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA：4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA：4,4',4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine)、4,4',4"-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(2-TNATA：4,4',4"-tris[N-(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS：Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA：Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA：Polyaniline/Camphorsulfonicacid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS：Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB：N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)、含有三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐](4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium[Tetrakis(pentafluorophenyl)borate])、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HATCN：dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)等。

空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3以及第一中间空穴传输区域MHTR1分别还可以包括N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等咔唑系衍生物、芴(fluorene)系衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD：N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA：4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)等三苯胺系衍生物、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC：4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine])、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD：4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP：1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene)等。

并且，空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3以及第一中间空穴传输区域MHTR1分别可以包括：9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi：9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP：9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP：1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene)或者1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP：1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)等。

空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3可以在空穴注入层HIL1、HIL2、HIL3、空穴传输层HTL1、HTL2、HTL3以及空穴侧附加层EBL1、EBL2、EBL3中的至少一个包括上述的空穴传输区域的化合物。第一中间空穴传输区域MHTR1可以在第一中间空穴传输层MHTL1以及第一中间空穴侧附加层MEBL1中的至少一个包括上述的空穴传输区域的化合物。

空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3和第一中间空穴传输区域MHTR1中的每一个的厚度可以为大约

至大约

例如，可以为大约

至大约

在空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3包括空穴注入层HIL1、HIL2、HIL3的情形下，空穴注入层HIL1、HIL2、HIL3的厚度可以为例如大约

至大约

在空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3包括空穴传输层HTL1、HTL2、HTL3的情形下，空穴传输层HTL1、HTL2、HTL3的厚度可以为大约

至大约

在空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3包括空穴侧附加层EBL1、EBL2、EBL3的情形下，空穴侧附加层EBL1、EBL2、EBL3的厚度可以为大约

至大约

包括于第一中间空穴传输区域MHTR1的第一中间空穴传输层MHTL1的厚度可以为大约

至大约

包括于第一中间空穴传输区域MHTR1的第一中间空穴侧附加层MEBL1的厚度可以为大约

至大约

当空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3和第一中间空穴传输区域MHTR1以及包括于它们的各层的厚度满足如前所述的范围时，可以在驱动电压没有实质上的上升的情况下获得令人满意的程度的空穴传输特性。

除了在先提及的物质之外，为了提高导电性，空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3以及第一中间空穴传输区域MHTR1还可以分别包括电荷生成物质。电荷生成物质可以均匀或不均匀地分散在空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3和第一中间空穴传输区域MHTR1内。电荷生成物质例如可以为p-掺杂剂(dopant)。p-掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌(quinone)衍生物、金属氧化物以及含氰(cyano)基的化合物中的至少一个，但并不限于此。例如，p-掺杂剂的示例可以有CuI和RbI等卤化金属化合物、诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ：Tetracyanoquinodimethane)以及2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ：2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)等醌衍生物、诸如钨氧化物以及钼氧化物等金属氧化物等，但实施例并不限于此。

发光层EML1、EML2、EML3布置于空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3或者第一中间空穴传输区域MHTR1上。第一子发光层EML1-1、第二发光层EML2以及第三发光层EML3布置在空穴传输区域HTR1、HTR2、HTR3上，第二子发光层EML1-2布置在第一中间空穴传输区域MHTR1上。

发光层EML1、EML2、EML3例如可以具有大约

至大约

或者大约

至大约

的厚度。发光层EML1、EML2、EML3可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。

在一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3中，发光层EML1、EML2、EML3可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、

衍生物、二氢苯并蒽衍生物或者苯并[9,10]菲衍生物。具体地，发光层EML1、EML2、EML3可以包括蒽衍生物或芘衍生物。

发光层EML1、EML2、EML3还可以包括本领域已知的一般材料作为主体物质。例如，发光层EML可以作为主体物质而包括：双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO：Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP：4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP：1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF：2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA：4,4',4”-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)以及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi：1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene)中的至少一个。然而，并不限于此，例如，可以将以下物质用作主体材料：三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃：tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK：poly(N-vinylcarbazole))、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN：2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA：distyrylarylene)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP：4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)、2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽(MADN：2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、六苯基环三磷腈(CP1：Hexaphenylcyclotriphosphazene)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2：1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO₃：Hexaphenyl cyclotrisiloxane)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO₄：Octaphenylcyclotetra siloxane)等。

在一实施例中，发光层EML1、EML2、EML3可以作为公知的掺杂剂材料而包括：苯乙烯衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCz VB：1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB：4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi：N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine)、4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi：4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl)、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP：2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘(1,1'-dipyrene)、1,4-二芘基苯(1,4-dipyrenylbenzene)、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘(1,4-Bis(N,N-Diphenylamino)pyrene))等。

发光层EML1、EML2、EML3可以包括公知的磷光掺杂剂物质。例如，磷光掺杂剂可以使用包括铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或者铥(Tm)的金属络合物。具体地，可以将双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(III)(FIrpic：bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2)(picolinato)iridium(III))、双(2,4-二氟苯基吡啶基)-四(1-吡唑基)硼酸铱(Ⅲ)(Fir6：Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ))或者八乙基卟啉铂(PtOEP：platinum octaethyl porphyrin)用作磷光掺杂剂。然而，实施例并不限于此。

第一发光层EML1发出第一光。第二发光层EML2发出第二光。第三发光层EML3发出第三光。在根据一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3中，第一光至第三光可以是波段实质上彼此不同的光。例如，第一光可以是410nm至480nm波段的蓝色光。例如，第二光可以是500nm至570nm波段的绿色光。例如，第三光可以是625nm至675nm波段的红色光。

电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个布置在发光层EML1、EML2、EML3上。在布置有多个第一发光层EML1的第一发光元件ED-1中，第一中间电子传输区域METR1可以布置在第一子发光层EML1-1与电荷生成层CGL1之间，第一电子传输区域ETR1可以布置在第二子发光层EML1-2与第二电极EL2之间。电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个可以具有由单一物质构成的单一层结构、由多个彼此不同的物质构成的单一层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。

电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB法(Langmuir-Blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(LITI：Laser Induced Thermal Imaging)等多种方法形成。

电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个可以包括蒽系化合物。然而，并不限于此，电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃：Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪(2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine)、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘蒽(2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi：1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP：2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen：4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ：3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ：4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD：2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq：Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq₂：berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(BmPyPhB：1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene)或者它们的混合物。

并且，电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个可以包括：卤化金属，诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI、KI等；镧系金属，诸如Yb等；以及所述卤化金属和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3可以包括KI：Yb、RbI：Yb等作为共沉积材料。此外，电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3可以使用诸如Li₂O、BaO等金属氧化物或者8-羟基-喹啉锂(Liq)等，但实施例并不限于此。电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3还可以利用混合有电子传输物质和绝缘性的有机金属盐(organo metal salt)的物质构成。有机金属盐可以是具有大约4eV以上的能带隙的物质。具体地，例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐(metal acetate)、金属苯甲酸盐(metal benzoate)、金属乙酰乙酸盐(metal acetoacetate)、金属乙酰丙酮酸盐(metal acetylacetonate)或者金属硬脂酸盐(stearate)。

除了在先提及的材料之外，电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个还可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP：2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)以及4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen：4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)中的至少一个，但实施例并不限于此。

电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3可以在电子注入层EIL1、EIL2、EIL3、电子传输层ETL1、ETL2、ETL3以及电子侧附加层BFL1、BFL2、BFL3中的至少一个包括上述的电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3的化合物。第一中间电子传输区域METR1可以在第一中间电子传输层METL1以及第一中间电子侧附加层MBFL1中的至少一个中包括上述的电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3的化合物。

电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3以及第一中间电子传输区域METR1中的每一个的厚度例如可以为大约

至大约

在电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3包括电子传输层ETL1、ETL2、ETL3的情形下，电子传输层ETL1、ETL2、ETL3的厚度可以为大约

至大约

例如，可以为大约

至大约

在电子传输层ETL1、ETL2、ETL3的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以获得令人满意的程度的电子传输特性并且驱动电压没有实质上的上升。在电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3包括电子注入层EIL1、EIL2、EIL3的情形下，电子注入层EIL1、EIL2、EIL3的厚度可以为大约

至大约

大约

至大约

在电子注入层EIL1、EIL2、EIL3的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以获得令人满意的程度的电子注入特性并且驱动电压没有实质上的上升。包括于第一中间电子传输区域METR1的第一中间电子传输层METL1的厚度可以为大约

至大约

例如，大约

至大约

第二电极EL2布置在电子传输区域ETR1、ETR2、ETR3上。第二电极EL2可以为公共电极。第二电极EL2可以是阴极(cathode)或阳极(anode)，但实施例并不限于此。例如，在第一电极EL1为阳极的情形下，第二电极EL2可以为阴极，在第一电极EL1为阴极的情形下，第二电极EL2可以为阳极。

第二电极EL2可以是半透射型电极或者透射型电极。在第二电极EL2为透射型电极的情形下，第二电极EL2可以利用透明金属氧化物构成，例如，利用氧化铟锡(ITO：indiumtin oxide)、氧化铟锌(IZO：indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO：zinc oxide)、氧化铟锡锌(ITZO：indium tin zinc oxide)等构成。

在第二电极EL2为半透射型电极的情形下，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W、包括它们的化合物和混合物(例如，AgYb、MgAg、LiF/Ca、LiF/Al)中的至少一个。或者，第二电极EL2可以是包括由所述物质形成的反射膜或者半透射膜以及由氧化铟锡(ITO：indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO：indium zincoxide)、氧化锌(ZnO：zinc oxide)、氧化铟锡锌(ITZO：indium tin zinc oxide)等形成的透明导电膜的多层结构。例如，第二电极EL2可以包括上述金属材料、选自上述金属材料中的两种以上的金属材料的组合或者上述金属材料的氧化物等。

虽然未示出，但第二电极EL2可以与辅助电极连接。如果第二电极EL2与辅助电极连接，则可以减小第二电极EL2的电阻。

此外，在一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3的第二电极EL2上还可以布置有封盖层CPL。封盖层CPL可以包括多层或者单层。

在一实施例中，封盖层CPL可以为有机层或无机层。例如，在封盖层CPL包括无机物的情形下，无机物可以包括：碱金属化合物，LiF等；碱土金属化合物，MgF₂等；SiON、SiN_x、SiO_y等。

例如，在封盖层CPL包括有机物的情形下，有机物可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq₃、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15：N4,N4,N4',N4'-tetra(biphenyl-4-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA：4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)等，或者可以包括诸如环氧树脂或甲基丙烯酸酯等丙烯酸酯。然而，实施例并不限于此，封盖层CPL可以包括如下所述的化合物P1至化合物P5中的至少一个。

此外，封盖层CPL的折射率可以为1.6以上。具体地，针对550nm以上且660nm以下的波段的光，封盖层CPL的折射率可以为1.6以上。

(实施例)

以下，参照具体的实施例对本发明的显示装置的色纯度以及发光效率的特性评价结果进行说明。本发明并不限于下述实施例。

(第二发光元件以及第三发光元件的特性评价)

在下述表1和表2评价了从本发明的第二发光元件及第三发光元件分别发出的第二光和第三光的色纯度以及发光效率。在一实施例中，第二发光元件可以发出绿色光，第三发光元件可以发出红色光。

在表1中，“Ref 1”表示从不包括第一发光层的第二发光元件发出的绿色光。实施例A是从包括本发明的第一子发光层且不包括第二子发光层的第二发光元件发出的绿色光。针对第一子发光层和第二子发光层可以相同地适用前述内容。具体地，第一子发光层和第二子发光层中的至少一个可以包括于第一发光元件至第三发光元件全部。

实施例B是从本发明的包括第一子发光层和第二子发光层两者的第二发光元件发出的绿色光。

表1中记载的X坐标和Y坐标为CIE色坐标值。

【表1】

区分	X坐标	Y坐标	发光效率(cd/A)
				Ref 1	0.226	0.724	136.1
实施例A	0.238	0.722	137.9
				实施例B	0.218	0.729	135.3

参照表1，实施例A和实施例B各自的X坐标值与Ref 1的X坐标值相似。并且，实施例A和实施例B的Y坐标值与Ref 1的Y坐标值相似。

若比较发光效率，则实施例A及实施例B各自的发光效率具有与Ref 1的发光效率相似的值。具体地，实施例A具有高于Ref 1的发光效率的值，实施例B具有低于Ref 1的发光效率的值，但具有与Ref 1相似的数值，并且具有良好的水平的发光效率特性。

在表2中，“Ref 2”表示从不包括第一发光层的第三发光元件发出的红色光。

实施例C是从包括本发明的第一子发光层且不包括第二子发光层的第三发光元件发出的红色光。

实施例D是从包括本发明的第一子发光层和第二子发光层两者的第三发光元件发出的红色光。

表2中记载的X坐标和Y坐标为CIE色坐标值。

【表2】

区分	X坐标	Y坐标	发光效率(cd/A)
				Ref 2	0.688	0.312	39.1
实施例C	0.686	0.314	37.1
				实施例D	0.687	0.313	38.0

参照表2，实施例C和实施例D各自的X坐标值与Ref 2的X坐标值相似。并且，实施例C和实施例D的Y坐标值与Ref 2的Y坐标值相似。若比较发光效率，则实施例C和实施例D各自的发光效率具有低于Ref 2的发光效率的值，但具有与Ref 2的发光效率相似的数值，并且具有良好的水平的发光效率特性。

可以与实施例一同参照图8a和8b。

图8a是示出Ref 1、实施例A以及实施例B的波长光谱的曲线图。图8b是示出Ref 2、实施例C以及实施例D的波长光谱的曲线图。

在图8a及图8b的曲线图中，在x轴记载了波长(wavelength)，在y轴记载了强度(intensity)。

参照图8a，Ref 1的中心波长为520nm。实施例A和实施例B的中心波长具有520nm以上且543nm以下的值。即，可以确认实施例A和实施例B具有与Ref 1相似的中心波长值，并且表现出绿色光的波长。

参照图8b，Ref 2的中心波长为628nm。实施例C和实施例D的中心波长具有610nm以上且633nm以下的值。即，可以确认实施例C和实施例D具有与Ref 2相似的中心波长值，并且表现出红色光的波长。

一同参照表1、表2、图8a以及图8b，可以确认在本发明的一实施例的显示装置中，即使包括于第一发光元件的多个第一发光层中的至少一个与第二发光元件以及第三发光元件重叠，从第二发光元件发出的第二光以及从第三发光元件发出的第三光也没有混色问题。

据此，可以确认，尽管在本发明的显示装置中第一子发光层和第二子发光层中的至少一个共同布置在第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件，本发明的显示装置仍然可以表现出优异的色纯度和良好的发光效率。

根据本发明的一实施例的显示装置包括发出彼此不同的波长的光的多个发光元件，多个发光元件中的某一个包括多个发光层，其余发光元件包括一个发光层。例如，发出蓝色光的第一发光元件ED-1可以是如下的发光元件：包括多个第一发光层EML1，并且具有在多个第一发光层EML1之间布置有电荷生成层CGL1的串联(Tandem)结构。除了第一发光元件ED-1之外的其余发光元件(即，第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3)可以分别是包括一个发光层EML2、EML3的发光元件。

与包括一个发光层的一般发光元件相比，具有串联结构的公知的发光元件具有更加优异的发光效率，但是在发光元件的制造工艺中，需要用于图案化有机层的多个掩模(mask)图案化工序，并且在制造工艺中，不良率也可能增加。

在根据本发明的一实施例的显示装置中，可以通过使包括于第一发光元件的多个第一发光层中的至少一个与第一像素区域至第三像素区域重叠，使多个第一发光层中的至少一个共同地形成于第二发光元件和第三发光元件。据此，可以减少制造显示装置时所需的掩模数量和掩模图案化工序。本发明的显示装置可以提高制造工艺效率并且降低不良率。

在图9中，“实施例”示出了如图2a所示地包括多个第一发光层，并且发出蓝色光的第一发光元件的亮度寿命。“比较例”示出了与图2a所示不同地，不包括多个第一发光层而包括一个发光层并发出蓝色光的第一发光元件的亮度寿命的曲线图。

在实施例和比较例中，如果比较第一发光元件从初始亮度100％劣化至97％的亮度的时间，则实施例需要600小时以上的时间，与此相比，比较例连200小时都不需要。即，与比较例相比，实施例的亮度寿命改善了2.5倍以上。

据此，本发明的显示装置可以通过使第一发光元件ED-1具有包括多个第一发光层EML1以及布置在多个第一发光层EML1之间的电荷生成层CGL1的串联结构而改善第一发光元件ED-1的亮度寿命，并且可以良好地保持第二发光元件和第三发光元件的色纯度和发光效率。

并且，在本发明的发光元件中，可以通过使多个第一发光层EML1中的至少一个共同形成于第一像素区域至第三像素区域PXA-B、PXA-G、PXA-R而减少形成发光元件的工序所需的掩模的数量，由此可以减少显示装置的制造过程的费用、时间、不良率。

虽然以上参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是相应技术领域的熟练技术人员或者在相应技术领域具有普通知识的人员便可以理解，在不脱离权利要求书所记载的本发明的思想以及技术领域的范围内，可以对本发明进行多种修改以及变更。因此，本发明的技术范围并不限于说明书的详细说明中记载的内容，而应当根据权利要求书确定。

Claims

1.一种显示装置，包括：

基板，定义有第一像素区域以及第二像素区域，所述第一像素区域发出第一光，所述第二像素区域发出具有与所述第一光不同的发光波长的第二光；

第一电极，以与所述第一像素区域以及所述第二像素区域重叠的方式布置在所述基板上；

第一有机层，布置在所述第一电极上，并且与所述第一像素区域重叠；

第二有机层，布置在所述第一电极上，并且与所述第二像素区域重叠；以及

第二电极，以与所述第一像素区域以及所述第二像素区域重叠的方式布置在所述第一有机层以及所述第二有机层上，

其中，所述第一有机层包括：第一空穴传输区域，布置在所述第一电极上；多个第一发光层，发出所述第一光；电荷生成层，布置在所述多个第一发光层之间；以及第一电子传输区域，

所述多个第一发光层中的至少一个与所述第一像素区域以及所述第二像素区域均重叠。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二有机层包括依次布置在所述第一电极上的第二空穴传输区域、发出所述第二光的第二发光层以及第二电子传输区域，

其中，在所述第一电极上布置有一个所述第二发光层。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一光是蓝色光，所述第二光是绿色光或者红色光。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，

在所述基板定义有第三像素区域，所述第三像素区域发出具有与所述第一光以及所述第二光不同的发光波长的第三光，

所述显示装置还包括布置在所述第一电极上且与所述第三像素区域重叠的第三有机层。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第三有机层包括依次布置在所述第一电极上的第三空穴传输区域、发出所述第三光的一个第三发光层以及第三电子传输区域，

其中，在所述第一电极上布置有一个所述第三有机层。

6.如权利要求4所述的显示装置，其中，

所述多个第一发光层包括：第一子发光层，布置于所述第一空穴传输区域与所述电荷生成层之间；以及

第二子发光层，布置在所述电荷生成层与所述第一电子传输区域之间。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一子发光层与所述第一像素区域至所述第三像素区域均重叠，

所述第二子发光层与所述第二像素区域和所述第三像素区域均不重叠。

8.如权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一子发光层以及所述第二子发光层中的每一个与所述第一像素区域至所述第三像素区域均重叠。

9.如权利要求8所述的显示装置，其中，

所述第三有机层包括发出所述第三光的第三发光层，

所述第三发光层布置在所述第一子发光层与所述第二子发光层之间。

10.如权利要求6所述的显示装置，其中，

所述电荷生成层包括：n型电荷生成层，与所述第一子发光层相邻地布置；以及

p型电荷生成层，与所述第二子发光层相邻地布置。

11.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一空穴传输区域包括布置在所述多个第一发光层下方的空穴传输层，

所述第一电子传输区域包括布置在所述多个第一发光层上的电子传输层。

12.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：

封盖层，布置在所述第二电极上，所述封盖层的折射率为1.6以上。

13.一种显示装置，包括：

基板，定义有第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域，所述第一像素区域发出第一光，所述第二像素区域发出与所述第一光不同的第二光，所述第三像素区域发出与所述第一光以及所述第二光不同的第三光；

第一发光元件，与所述第一像素区域重叠；

第二发光元件，与所述第二像素区域重叠；以及

第三发光元件，与所述第三像素区域重叠，

其中，所述第一发光元件包括发出所述第一光的多个第一发光层，

所述第二发光元件包括发出所述第二光的一个第二发光层，

所述第三发光元件包括发出所述第三光的一个第三发光层，

所述多个第一发光层中的至少一个与所述第一像素区域、所述第二像素区域以及所述第三像素区域均重叠。

14.如权利要求13所述的显示装置，其中，

所述第一光是蓝色光，

所述第二光以及所述第三光中的任意一个为红色光，另一个为绿色光。

15.如权利要求13所述的显示装置，其中，

所述第一发光元件还包括：

第一电极以及第一空穴传输区域，布置在所述多个第一发光层下方；以及

第一电子传输区域以及第二电极，布置在所述多个第一发光层上。

16.如权利要求15所述的显示装置，其中，

所述第一发光元件还包括布置在所述多个第一发光层之间的电荷生成层。

17.如权利要求15所述的显示装置，其中，

所述第二发光元件还包括：

第二空穴传输区域，布置在所述第二发光层下方；以及第二电子传输区域，布置在所述第二发光层上。

18.如权利要求17所述的显示装置，其中，

所述第二发光元件还包括布置在所述第二发光层与所述第二空穴传输区域之间的附加空穴传输层。