CN114622265A - 一种电化学沉积预分析方法、装置、设备以及介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电化学沉积预分析方法、装置、设备以及介质。该方法包括：在Miniled基板镀铜过程中实时采集过程参数的生产数据；根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，控制图以生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制；利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果；分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。本发明提供的方法对处于稳态的生产过程进行预分析，利用统计学原理及时发现电化学沉积设备的运行异常趋势，通过及时调整各项参数以保证设备稳定运行，从而提高产品良率，降低了资源浪费和成本。

Description

一种电化学沉积预分析方法、装置、设备以及介质

技术领域

本发明涉及Mini-LED制程设备领域，特别是涉及一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法、装置、设备以及介质。

背景技术

Mini LED作为一种市场前景广阔的新技术，具有“薄膜化，微小化，阵列化”的优势，将逐步导入产业应用。从终端应用场景来分，Mini LED的应用领域可以分为直接显示和背光两大场景。受益于两大场景的双重驱动，Mini LED市场规模有望迎来快速成长，2018年全球Mini LED的应用市场规模达到3亿元，预测2020年底Mini LED市场规模将达22亿元，年复合增长率高达175％。

当前主流技术中，电化学沉积设备是Mini LED制程中的关键工艺设备，其能否保持稳定运行状态，对终端产品能否顺利出货存在极大影响。

发明内容

为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法，应用于控制器，包括：

在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据；

分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制；

分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果；

分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

进一步的，所述检测阈值包括数据阈值和形态阈值，所述分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果进一步包括：

分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点，若符合所述数据阈值则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果；

分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点，若不符合则输出异常结果的预判结果。

进一步的，所述数据阈值包括设置在所述第二数轴上的第一检测阈值、第二检测阈值和检测中心阈值，所述分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点，若符合所述数据阈值则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果进一步包括：

分别利用预设置的与各过程参数对应的第一检测阈值和第二检测阈值检测所述控制图中的各数据点，若均在所述第一检测阈值和第二检测阈值的范围内则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果。

进一步的，所述形态阈值包括距离阈值和形状阈值，所述分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点，若不符合则输出异常结果的预判结果进一步包括：

判断所述相邻两个数据点在所述第二数轴上的距离是否小于所述距离阈值并且判断所述各数据点形成的点序列是否符合所述形状阈值。

进一步的，在所述在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据之前，所述电化学沉积预分析方法还包括：

设置各过程参数的第一检测阈值、第二检测阈值、检测中心阈值、距离阈值和形状阈值。

进一步的，所述在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据进一步包括：

在Miniled基板镀铜过程中控制检测各过程参数的传感器采集对应的过程参数的生产数据；

接收所述检测各过程参数的传感器输出的生产数据。

进一步的，所述多个过程参数包括阴阳极距、喷流流量、上电电流值、电流密度、药水温度、流量布局和药水PH值中的至少一个。

本发明第二个实施例提供一种使用上述电化学沉积预分析方法的电化学沉积预分析装置，包括控制器和检测各过程参数的传感器，其中

所述传感器，配置为实时检测对应的过程参数并输出该过程参数的生产数据至所述控制器；

所述控制器，配置为在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据，分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制，分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果，分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

本发明第三个实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上述的方法。

本发明第四个实施例提供一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述的方法。

本发明的有益效果如下：

本发明针对目前现有的问题，制定一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法，该方法应用于控制器，通过在MiniLED基板生产过程中实时采集电化学沉积工艺中的多个关键的过程参数的生产数据，绘制对应过程参数的控制图，利用预设置的检测阈值分析控制图并输出预判结果，根据预判结果发出警报，能够实现对处于稳态的生产过程进行预分析，及时发现电化学沉积设备的过程参数异常趋势，在有异常趋势但还未出现不良品时及时调整各项参数以保证设备持续稳定的运行，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率，极大地降低了资源浪费和成本，具有广泛的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出本发明的一个实施例所述电化学沉积预分析方法的流程图；

图2示出本发明的一个实施例所述电化学沉积预分析方法的实施流程图；

图3示出本发明的一个实施例所述喷流流量参数的控制图；

图4～9示出本发明实施例所述采集时间内数据点不同排布方式的控制图；

图10示出本发明的一个实施例所述电化学沉积预分析装置的结构框架图；

图11示出本发明的另一个实施例所述的一种计算机设备的结构示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

需要说明的是，本文中所述的诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

为了降低MiniLED的能耗及避免长时间显示导致MiniLED过热的问题，需要尽可能降低MiniLED的走线通道阻抗。目前降低MiniLED走线阻抗通常通过导电层加厚来实现，就当前主流工艺而言，主要有磁控溅射和电化学沉积两种工艺方案，但在磁控溅射工艺中，MiniLED膜层越厚，导致其基板的形变量越大，制程中容易破片。而电化学沉积工艺是一种低成本的化学性成膜方式，可以沉积2～20um的厚金属，从而获得较低的电阻，电化学沉积具有效率高、应力低、风险小等优点。因此，电沉积工艺在MiniLED制备中极为常用。

然而现有技术中利用电化学沉积设备制作MiniLED基板的工艺过程中，极易出现因电化学沉积设备的运行不稳定导致制成的MiniLED基板为缺陷产品的现象，并且，加工人员无法及时发现问题，通过对MiniLED基板进行测试时才确定当前批次MiniLED基板为缺陷产品，进一步导致了当该问题被发现时已经生产了许多的缺陷产品，造成了严重的资源浪费和成本增加，给企业造成了极大的经济损失。

为解决上述问题，发明人经大量实验和研究发现，电化学沉积设备生产的缺陷产品多为基板镀铜厚度均匀性不良，进一步的，发明人发现当发生基板的镀铜厚度均匀性不良时，电化学沉积工艺中的过程参数发生变化并在一定范围内波动，当这些过程参数超出规格限时，会使得基板的镀铜厚度均匀性下降，从而产生缺陷品。

因此，发明人提出一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法、装置、计算机设备以及存储介质。

如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法，包括：

S1、在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据；

S2、分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制；

S3、分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果；

S4、分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

在本实施例中，该方法应用于控制器，通过在MiniLED基板生产过程中实时采集电化学沉积工艺中的多个关键的过程参数的生产数据，绘制对应过程参数的控制图，利用预设置的检测阈值分析控制图并输出预判结果，根据预判结果发出警报，能够实现对处于稳态的生产过程进行预分析，利用统计学原理及时发现电化学沉积设备的过程参数异常趋势，在有异常趋势但还未出现不良品时及时调整各项参数以保证设备持续稳定的运行，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率，极大地降低了资源浪费和成本，具有广泛的应用前景。

如图2所示，现以一实施例对该方法进行说明，具体的：

S1、在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据。

在电沉积工艺设备生产的过程中，其涉及较多的过程参数，发明人经过大量研究和实验后发现了对基板的镀铜厚度均匀性影响较大的过程参数。在一个可选的实施例中，所述多个过程参数包括阴阳极距、喷流流量、上电电流值、电流密度、药水温度、流量布局和药水PH值中的至少一个。

在一个可选的实施例中，该步骤S1进一步包括：

S11、在Miniled基板镀铜过程中控制检测各过程参数的传感器采集对应的过程参数的生产数据。

在一个具体示例中，上述过程参数通过对应的传感器进行获取，例如：使用激光测距传感器获取阴阳极距，使用流量计计量电沉积工艺设备的喷流流量(L/min)，使用电流计获取电沉积工艺设备的上电电流值(A)，通过电流计获取特定位置的电流值并利用计算公式得到电流密度(ASD)，使用温度传感器获取电沉积工艺中的药水温度(℃)，通过获取多组特定位置的喷流流量值得到流量布局，使用PH值传感器获取药水PH值。

在本实施例中，通过各传感器实时采集过程参数的生产数据，通过对过程参数的预分析分析以确认当前电化学沉积设备的运行状态，在有异常趋势但还未出现不良品时及时调整各项参数以保证设备持续稳定的运行，提高整个生产工艺过程的稳定性。

S2、分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制。

考虑为电化学沉积工艺中获取的各过程参数提供可视化的直观的生产数据变化情况，本实施例通过绘制控制图的方式分析各过程参数的变化。如图3所示，在一个具体示例中，以绘制喷流流量参数的控制图为例，横向上的采集时间为第一数轴，竖向的喷流流量数值为第二数轴，以第一数轴和第二数轴形成的平面区域为绘制区域，将随采集时间变化的过程参数的生产数据作为数据点绘制在该绘制区域内，从而得到生产数据直观变化的控制图，提高分析速度非分析的准确性。

值得说明的是，在本申请的构思下，本领域技术人员还可通过制作生产数据表等其他方式进行控制图的绘制，以采集时间和生产数据能够表征过程参数的数据变化为设计准则，在此不再赘述。

S3、分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果。

在本实施例中，通过利用各过程参数的预设检测阈值对其对应的控制图进行实时分析，及时判断当前的电化学沉积设备的运行状态。在一个可选的实施例中，检测阈值包括数据阈值和形态阈值，通过两者实现准确的电化学沉积设备的运行状态判断。

在一个可选的实施例中，步骤S3进一步包括：

S31、分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点，若符合所述数据阈值则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果。

在本实施例中，先利用各过程参数对应的数据阈值对控制图中每一数据点进行数据阈值检测，能够快速地得到当前采集时间内电化学沉积工艺是否出现异常的初步预判结果。当数据阈值检测无异常时，本实施例则进一步通过对数据点进行形态分析，以精准判断电化学沉积设备是否处于正常运行状态，从而提高了分析效率以及提高了分析准确性，避免出现误报或漏报的情况。

在一个可选的实施例中，如图3所示，本实施例的数据阈值包括设置在所述第二数轴上的第一检测阈值(控制上限UCL)、第二检测阈值(控制下限LCL)和检测中心阈值(控制中心线CL)。控制上限UCL和控制下限LCL限制了过程参数的生产数据的数据点的上限值和下限值，控制中心线CL作为过程参数的生产数据的数据点的均值参考。当数据点超过控制上限UCL或控制下限LCL时，则说明当前电化学沉积设备已经处于运行不稳定的状态，需及时进行对应异常过程参数的调整，以维持基板的镀铜厚度均匀性，保证基板的良品产率。

本实施例通过控制上、下限对数据点是否超限进行的数据阈值检测，能够直观且及时地发现电化学沉积设备中出现的异常运行状态，并通过及时调整各项参数以保证设备持续稳定的运行，提高了基板的镀铜厚度均匀性，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率。

在一个可选的实施例中，该步骤S31进一步包括：

S311、分别利用预设置的与各过程参数对应的控制限上限UCL和控制限下限LCL检测所述控制图中的各数据点，若均在所述第一检测阈值和第二检测阈值的范围内则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果。

在一个具体示例中，以喷流流量参数的控制图图3为例，采集时间内的每一数据点均超过了控制限上限UCL，此时数据阈值检测数据点为异常排布状态，则说明当前电化学沉积设备的运行状态出现异常，影响制作的基板的镀铜厚度均匀性，需及时进行异常过程参数的调整。

S32、分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点，若不符合则输出异常结果的预判结果。

考虑到仅通过数据阈值检测的方式可能存在漏报或者误报的情况，因此，本实施例对满足数据阈值检测的数据点，进一步进行形态分析从而得出全面且精确的预判结果。

本实施例在前述进行的数据阈值检测的基础上，对满足检测阈值的数据点进行形态分析以得到精确的电化学沉积设备的运行状态预判结果，维持电化学沉积设备在运行中的稳定性，从而提高制成的基板的镀铜均匀性。

在一个可选的实施例中，所述形态阈值包括距离阈值和形状阈值。在一个具体示例中，采集时间的连续数据点的分布应满足正态分布，当其中的数据点出现异常时，相邻数据点间的距离以及连续数据点形成的点序列形状会出现变化，因此，本实施例通过距离阈值以及形状阈值对连续数据点进行形态分析，利用统计学原理能够及时发现电化学沉积设备的过程参数异常趋势，从而对异常运行状态下的电化学沉积设备进行调整，以保证设备持续稳定的运行，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率，极大地降低了资源浪费和成本，具有广泛的应用前景。

在一个可选的实施例中，该步骤S32进一步包括：

S321、判断所述相邻两个数据点在所述第二数轴上的距离是否小于所述距离阈值并且判断所述各数据点形成的点序列是否符合所述形状阈值。

在一个具体示例中，如图4所示，不同的采集时间与其对应的数据点形成不同的数据点组，然而，图4所示的左侧两个数据点组虽然符合距离阈值但是其并不符合形状阈值，右侧的数据点组中的数据点A和数据点B之间在所述第二数轴上的距离较大，不满足距离阈值，因此，当前所有采集时间内的数据点均未通过形态分析，即，该采集时间内的电化学沉积设备处于运行异常状态，需及时进行电化学沉积设备的检测，进一步的，当前采集时间内制作的基板也需要进行及时检测，以避免缺陷品流出到后续生产工艺。

在另一个具体示例中，对于如图4示出的数据点在一定范围内接近控制上限UCL或者接近控制下限LCL的情况，还能通过另一判断准则进行判断。如图4所示，对控制上限和控制下限之间的数据值区间进行分层，形成均匀分布的数据值均线，并将靠近控制上限UCL的数据值均线作为上临界控制线，以及将靠近控制下限LCL的数据值均线作为下临界控制线。其中，分层间距为σ，控制上限UCL为μ+3σ，上临界控制线为μ+2σ～μ+3σ，控制下限LCL为μ-3σ，下临界控制线μ-2σ～μ-3σ。上临界控制线与控制上限UCL形成上临界区域μ+2σ～μ+3σ，下临界控制线与控制下限LCL形成下临界区域μ-2σ～μ-3σ。

利用上、下临界控制线进行数据点分析的判断准则为：采集时间内出现连续3个数据点中至少2个数据点处于上临界区域μ+2σ～μ+3σ内或者至少2个数据点处于下临界区域μ-2σ～μ-3σ内，则说明此时的电化学沉积设备运行状态不稳定，需要进行过程参数的调整。

在另一个具体示例中，采集时间内出现连续7个数据点中至少3个数据点处于上临界区域内或者至少3个数据点处于下临界区域内，又如，采集时间内出现连续10个数据点中至少4个数据点处于上临界区域内或者至少4个数据点处于上临界区域内，均说明电化学沉积设备的运行不稳定，需进行调整。

在一个具体示例中，如5图所示，采集时间内的数据点经数据阈值检测无异常，因此，对连续数据点形成的点序列进一步进行形态分析。在该控制图中，数据点C和数据点D在第二数轴上的距离大于阈值距离，不符合距离阈值的判定规则，并且，数据点D后的多个数据点连续出现在控制中心线CL的同一侧，自数据点D开始形成的点序列不符合正态分布的形状阈值，因此，该控制图对应的采集时间内，电化学沉积设备的运行状态不稳定，需及时调整对应异常的过程参数，以维持电化学沉积设备的稳定运行状态。

在一个具体示例中，本实施例对连续的7个数据点形成的点序列进行形状阈值的判断，在另一个具体示例中，本实施例还能够对连续的9个数据点形成的点序列进行形状阈值的判断，即，本领域技术人员根据实际应用选择连续数据点的数量进行形状阈值判断，在此不再赘述。

在一个具体示例中，如6图所示，采集时间内的数据点经数据阈值检测无异常，因此，对连续数据点形成的点序列进一步进行形态分析。控制图图6采集时间内对应的数据点中，在连续出现在控制中心线CL的同一侧的数据点中出现了一个另一侧的数据点，此时，数据点E和数据点F之间在第二数轴上的距离大于预设阈值，不符合形态分析的判断结果。因此，该控制图对应的采集时间内，电化学沉积设备的运行状态不稳定，需及时调整对应不稳定的过程参数。

对于其他连续数据点出现在控制中心线CL相反一侧的数据点的数量的分析规则，在一个具体示例中，本实施例提出：在采集时间内的连续11个数据点中，至少有10个数据点位于CL同一侧，则电化学沉积设备出现异常的概率较大，需及时进行检测和调整。在另一个具体示例中，在采集时间内的连续14个数据点中，至少有12个数据点位于CL同一侧；又如，在采集时间内的连续17个数据点中，至少有14个数据点位于CL同一侧；又或者，在采集时间内的连续20个数据点中，至少有16个数据点位于CL同一侧，均说明电化学沉积设备出现异常的概率较大，需及时进行检测和调整。

值得说明的是，本发明实施例不限于其他连续数据点出现在控制中心线CL相反一侧的数据点的数量，当在采集时间内的连续的若干数据点中，个别点跳跃至与大多数点相反的一侧时，对其进行距离阈值和形状阈值的判断，以避免误报漏报的情况。

在一个具体示例中，如7图所示，采集时间内的数据点经数据阈值检测无异常，因此，对连续数据点形成的点序列进一步进行形态分析。图7所示的控制图中，采集时间内的连续数据点在第二数轴方向上的距离均在预设距离阈值内，且数据点均匀分布在控制中心线两侧，但是图7中圈出的连续数据点形成连续下降的趋势，不符合近似正态分布的形状阈值，形状预判结果仍为当前电化学沉积的运行状态不稳定，需及时进行检测和调整。

在一个具体示例中，如8图所示，采集时间内的数据点经数据阈值检测无异常，且连续的数据点在控制中心线CL附近依次排列，但是该连续控制点形成的分布不符合形状阈值规定的近似正态分布，因此，形状预判结果仍为当前电化学沉积的运行状态不稳定，需及时进行检测和调整。

值得说明的是，当出现如图8所示的控制图时，该方法还包括增加控制图的分层数量以及设置阈值距离，以避免误报或漏报的情况出现，从而得到更精确的电化学沉积设备的运行状态预判结果。

在一个具体示例中，如9图所示，采集时间内的数据点经数据阈值检测无异常，但是采集时间内的连续数据点形成的点序列呈周期性变化，但是该连续控制点形成的分布不符合形状阈值规定的近似正态分布，因此，形状预判结果仍为当前电化学沉积的运行状态不稳定，需及时进行检测和调整。

在本发明的构思下，本领域技术人员根据实际生产需要进行距离阈值与形状阈值的确定，在此不再赘述。

本实施例先通过控制上下限进行数据点超限判断，实现利用数据点进行电化学沉积设备的稳定性的初步分析，并通过距离阈值和形状阈值进行形态分析，对电化学沉积设备出现异常运行状态的情况进行全面分析，进一步提高电化学沉积设备运行状态的分析效率，能够实现对处于稳态的生产过程进行预分析，及时发现电化学沉积设备的过程参数异常趋势，在有异常趋势但还未出现不良品时及时调整各项参数以保证设备持续稳定的运行，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率，极大地降低了资源浪费和成本，具有广泛的应用前景。

S4、分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

在一个具体示例中，上述对每一过程参数的分析设置为并行处理，其中一旦出现预判结果异常的情况则及时进行电化学沉积设备运行状态的检测，实时调整不稳定的过程参数。在另一个具体示例中，每一过程参数的分析还能够设置为依次进行，根据各过程参数对基板的镀铜厚度均匀性的影响程度以及过程参数的稳定程度设定分析顺序，优先对镀铜厚度均匀性影响严重以及不稳定的过程参数进行分析，节省分析成本。

本领域技术人员根据实际应用选择分析模式，以对过程参数进行数据阈值检测以及形态分析为设计准则。

在一个可选的实施例中，在步骤S1“在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据”之前，所述电化学沉积预分析方法还包括：

设置各过程参数的控制上限、控制下限、检测中心阈值、距离阈值和形状阈值。

本实施例的各过程参数为对电化学沉积设备制作基板产生关键影响的参数因素，不同过程参数的生产数据并不相同，因此本实施通过设置各过程参数在数据阈值检测以及形态分析中的各项阈值作为标准阈值，得到各过程参数的准确的预判结果，及时调整电化学沉积设备中的异常过程参数，使得电化学沉积设备维持稳定的运行状态。

在一个具体示例中，各过程参数的控制上限、控制下限、检测中心阈值、距离阈值和形状阈值为通过大量实验以及生产数据获得，获取各过程参数的传感器在此不再赘述。

在本实施例中，该方法应用于控制器，通过在MiniLED基板生产过程中实时采集电化学沉积工艺中的多个关键的过程参数的生产数据，绘制对应过程参数的控制图，利用预设置的检测阈值分析控制图并输出预判结果，根据预判结果发出警报，能够实现对处于稳态的生产过程进行预分析，及时发现电化学沉积设备的过程参数异常趋势，在有异常趋势但还未出现不良品时及时调整各项参数以保证设备持续稳定的运行，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率，极大地降低了资源浪费和成本，具有广泛的应用前景。

与上述实施例提供的电化学沉积预分析方法相对应，如图10所示，本申请的一个实施例还提供一种实施上述电化学沉积预分析方法的电化学沉积预分析装置，包括：控制器和检测各过程参数的传感器，其中

所述传感器，配置为实时检测对应的过程参数并输出该过程参数的生产数据至所述控制器；

所述控制器，配置为在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据，分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制，分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果，分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

本实施例中，传感器用于实时检测对应的各过程参数的生产数据，例如：阴阳极距、喷流流量、上电电流值、电流密度、药水温度、流量布局和药水PH值中的至少一个，并将上述过程参数的生产数据输出至控制器进行分析。控制器基于采集到的过程参数的生产数据，通过绘制控制图的方式以进行快速高效地过程参数的分析。控制器先利用各过程参数的预设数据检测阈值进行超限判断，实现各过程参数的数据初步分析，进一步对符合控制限的各过程参数进行形态分析，从而得到精确的预判结果。控制器通过对预判结果进行判断以及时发出警报，实现电化学沉积设备的及时调整，提高电化学沉积设备运行状态的稳定性，提高基板的镀铜厚度均匀性，从而提高利用电化学沉积设备制成MiniLED基板的产品良率，极大地降低了资源浪费和成本，具有广泛的应用前景。

由于本申请实施例提供的电化学沉积预分析装置与上述几种实施例提供的电化学沉积方法相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的电化学沉积预分析装置，在本实施例中不再详细描述。

本发明的另一个实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现：在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据；分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制；分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果；分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

在实际应用中，所述计算机可读存储介质可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本实施例中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。

计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。

计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、电线、光缆、RF等等，或者上述的任意合适的组合。

可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。

如图11所示，本发明的另一个实施例提供的一种计算机设备的结构示意图。图11显示的计算机设备12仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图11所示，计算机设备12以通用计算设备的形式表现。计算机设备12的组件可以包括但不限于：一个或者多个处理器或者处理单元16，系统存储器28，连接不同系统组件(包括系统存储器28和处理单元16)的总线18。

总线18表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储器总线或者存储器控制器，外围总线，图形加速端口，处理器或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。举例来说，这些体系结构包括但不限于工业标准体系结构(ISA)总线，微通道体系结构(MAC)总线，增强型ISA总线、视频电子标准协会(VESA)局域总线以及外围组件互连(PCI)总线。

计算机设备12典型地包括多种计算机系统可读介质。这些介质可以是任何能够被计算机设备12访问的可用介质，包括易失性和非易失性介质，可移动的和不可移动的介质。

系统存储器28可以包括易失性存储器形式的计算机系统可读介质，例如随机存取存储器(RAM)30和/或高速缓存存储器32。计算机设备12可以进一步包括其它可移动/不可移动的、易失性/非易失性计算机系统存储介质。仅作为举例，存储系统34可以用于读写不可移动的、非易失性磁介质(图11未显示，通常称为“硬盘驱动器”)。尽管图11中未示出，可以提供用于对可移动非易失性磁盘(例如“软盘”)读写的磁盘驱动器，以及对可移动非易失性光盘(例如CD-ROM，DVD-ROM或者其它光介质)读写的光盘驱动器。在这些情况下，每个驱动器可以通过一个或者多个数据介质接口与总线18相连。存储器28可以包括至少一个程序产品，该程序产品具有一组(例如至少一个)程序模块，这些程序模块被配置以执行本发明各实施例的功能。

具有一组(至少一个)程序模块42的程序/实用工具40，可以存储在例如存储器28中，这样的程序模块42包括但不限于操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。程序模块42通常执行本发明所描述的实施例中的功能和/或方法。

计算机设备12也可以与一个或多个外部设备14(例如键盘、指向设备、显示器24等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该计算机设备12交互的设备通信，和/或与使得该计算机设备12能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如网卡，调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口22进行。并且，计算机设备12还可以通过网络适配器20与一个或者多个网络(例如局域网(LAN)，广域网(WAN)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图11所示，网络适配器20通过总线18与计算机设备12的其它模块通信。应当明白，尽管图11中未示出，可以结合计算机设备12使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。

处理器单元16通过运行存储在系统存储器28中的程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，例如实现本发明实施例所提供的一种电化学沉积预分析方法。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种应用于MiniLED基板的电化学沉积预分析方法，应用于控制器，其特征在于，包括：

在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据；

分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制；

分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果；

分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

2.根据权利要求1所述的电化学沉积预分析方法，其特征在于，所述检测阈值包括数据阈值和形态阈值，所述分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果进一步包括：

分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点，若符合所述数据阈值则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果；

分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点，若不符合则输出异常结果的预判结果。

3.根据权利要求2所述的电化学沉积预分析方法，其特征在于，所述数据阈值包括设置在所述第二数轴上的第一检测阈值、第二检测阈值和检测中心阈值，所述分别利用预设置的与各过程参数对应的数据阈值检测所述各控制图中的各数据点，若符合所述数据阈值则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果进一步包括：

分别利用预设置的与各过程参数对应的第一检测阈值和第二检测阈值检测所述控制图中的各数据点，若均在所述第一检测阈值和第二检测阈值的范围内则进行形态分析，否则输出异常结果的预判结果。

4.根据权利要求3所述的电化学沉积预分析方法，其特征在于，所述形态阈值包括距离阈值和形状阈值，所述分别利用预设置的与各过程参数对应的形态阈值检测所述各控制图中的各数据点，若不符合则输出异常结果的预判结果进一步包括：

判断所述相邻两个数据点在所述第二数轴上的距离是否小于所述距离阈值并且判断所述各数据点形成的点序列是否符合所述形状阈值。

5.根据权利要求4所述的电化学沉积预分析方法，其特征在于，在所述在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据之前，所述电化学沉积预分析方法还包括：

设置各过程参数的第一检测阈值、第二检测阈值、检测中心阈值、距离阈值和形状阈值。

6.根据权利要求1所述的电化学沉积预分析方法，其特征在于，所述在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据进一步包括：

在Miniled基板镀铜过程中控制检测各过程参数的传感器采集对应的过程参数的生产数据；

接收所述检测各过程参数的传感器输出的生产数据。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的电化学沉积预分析方法，其特征在于，所述多个过程参数包括阴阳极距、喷流流量、上电电流值、电流密度、药水温度、流量布局和药水PH值中的至少一个。

8.一种使用如权利要求1-7中任一项所述的电化学沉积预分析方法的电化学沉积预分析装置，其特征在于，包括控制器和检测各过程参数的传感器，其中

所述传感器，配置为实时检测对应的过程参数并输出该过程参数的生产数据至所述控制器；

所述控制器，配置为在Miniled基板镀铜过程中实时采集多个过程参数的生产数据，分别根据各过程参数的生产数据绘制该过程参数的控制图，所述控制图以所述生产数据的采集时间为第一数轴、以数值为第二数轴、以各生产数据为数据点进行绘制，分别利用预设置的与各过程参数对应的检测阈值分析对应的控制图并输出该过程参数的预判结果，分别判断各过程参数的预判结果，若各预判结果中的至少一个为异常结果则发出警报。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

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