CN114614798A - 一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪 - Google Patents
一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114614798A CN114614798A CN202210506122.2A CN202210506122A CN114614798A CN 114614798 A CN114614798 A CN 114614798A CN 202210506122 A CN202210506122 A CN 202210506122A CN 114614798 A CN114614798 A CN 114614798A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal
- voltage
- electric field
- bridge
- power amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 230000001225 therapeutic effect Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 230000032823 cell division Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 7
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 210000004881 tumor cell Anatomy 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000011278 mitosis Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 206010006895 Cachexia Diseases 0.000 description 1
- 102000029749 Microtubule Human genes 0.000 description 1
- 108091022875 Microtubule Proteins 0.000 description 1
- 230000006907 apoptotic process Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000034994 death Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 210000005061 intracellular organelle Anatomy 0.000 description 1
- 210000004688 microtubule Anatomy 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
- H03K5/023—Shaping pulses by amplifying using field effect transistors
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
- A61N1/00—Electrotherapy; Circuits therefor
- A61N1/02—Details
- A61N1/08—Arrangements or circuits for monitoring, protecting, controlling or indicating
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
- A61N1/00—Electrotherapy; Circuits therefor
- A61N1/40—Applying electric fields by inductive or capacitive coupling ; Applying radio-frequency signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B28/00—Generation of oscillations by methods not covered by groups H03B5/00 - H03B27/00, including modification of the waveform to produce sinusoidal oscillations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/04—Shaping pulses by increasing duration; by decreasing duration
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Neurology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electrotherapy Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪，其包括依次连接的信号发生器、H桥驱动器、H桥功率放大器和输出变压器，以及与所述H桥功率放大器连接的调压电源，所述调压电源用于为所述H桥功率放大器供电；其中，所述信号发生器控制产生两个具有固定频率和固定占空比，且频率相同、占空比相同的脉宽调制信号，两个所述脉宽调制信号分别依次通过所述H桥驱动器和所述H桥功率放大器后，构成频率为100kHz‑300kHz、占空比为56%‑72%的交流矩形波信号，所述矩形波信号经过所述输出变压器和滤波电路后产生正弦波治疗电压信号；所述调压电源控制所述H桥功率放大器的供电电压连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的幅值调节和缓升缓降。
Description
技术领域
本发明涉及电场治疗技术领域，尤其涉及一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪。
背景技术
电场治疗仪可通过交变电场来阻止某些肿瘤细胞有丝分裂过程中纺锤体微管的形成并抑制细胞分裂期胞内细胞器的分离，诱导有丝分裂期的细胞凋亡，从而实现治疗肿瘤的作用，具体可参见申请号为201820261308.5的中国发明专利。
在交流电场条件下，不同的电偶极子会由于交变电场方向的交替变化而转动。普通细胞与肿瘤细胞相对比，由于他们内部不同的局部化学组成对应不同的电偶极子，它们具有不同的介电响应。比如普通细胞与肿瘤细胞的DNA链的化学键细节不同，这意味着两种细胞的DNA链会对应不同的介电响应。已经有实验证据表明在特定频率下的交变电场可以导致肿瘤细胞内部的DNA键断裂破坏，进而导致肿瘤细胞死亡，但所施加的电场对于普通细胞的DNA链没有明显的影响，也不影响正常细胞的生长。因此，电场治疗仪广泛应用于干扰细胞分裂以治疗肿瘤的领域中。
然而，目前所使用的电场治疗仪的输出电压精度低、波形的失真度较大，输出固定电压值，无法满足不同的治疗效果需求。失真度较大也就是高次谐波成分较大，高次谐波不但不能起到治疗作用，还会造成发热等影响治疗的恶果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
第一方面，提供了一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其包括依次连接的信号发生器、H桥驱动器、H桥功率放大器和输出变压器，以及与所述H桥功率放大器连接的调压电源，所述调压电源用于为所述H桥功率放大器供电；
其中，所述信号发生器控制产生两个具有固定频率和固定占空比，且频率相同、占空比相同的脉宽调制信号，两个所述脉宽调制信号分别依次通过所述H桥驱动器和所述H桥功率放大器后，构成频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%交流矩形波信号，所述矩形波信号经过所述输出变压器和滤波电路后产生正弦波治疗电压信号；
所述调压电源控制所述H桥功率放大器的供电电压连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的幅值调节和缓升缓降。
作为发明的一种实施方式，所述信号发生器控制产生信号频率均为100kHz-300kHz，信号占空比均为28%-36%，信号相位差为180°的两路信号，两路信号分别为第一脉宽调制信号PWM1和第二脉宽调制信号PWM2。
第一脉宽调制信号PWM1和第二脉宽调制信号PWM2。
作为发明的一种实施方式，所述H桥驱动器包括半桥驱动器一和半桥驱动器二，所述H桥功率放大器包括高端MOS管M1、低端MOS管M2、高端MOS管M3和低端MOS管M4；
所述第一脉宽调制信号PWM1通过半桥驱动器一产生高端驱动信号PWM1-H和低端驱动信号PWM1-L，分别驱动所述高端MOS管M1和低端MOS管M2，其中，所述高端驱动信号PWM1-H和低端驱动信号PWM1-L信号互补；
所述第二脉宽调制信号PWM2通过半桥驱动器二产生高端驱动信号PWM2-H和低端驱动信号PWM2-L，分别驱动所述高端MOS管M3和低端MOS管M4，其中，所述高端驱动信号PWM2-H和低端驱动信号PWM2-L互补。
作为发明的一种实施方式，所述高端MOS管M1和低端MOS管M2均与VOA输出端连接，所述高端MOS管M3和低端MOS管M4均与VOB输出端连接，所述VOA输出端和所述VOB输出端与所述输出变压器输入端的两侧分别连接；
所述VOA输出端和所述VOB输出端的输出信号交汇后构成所述占空比为56%-72%的交流矩形波信号。
作为发明的一种实施方式，其还包括单片机，所述调压电源与所述单片机的D/A输出引脚相连，所述单片机通过控制调压电源的输出电压使得所述H桥功率放大器的供电电压连续调节。
作为发明的一种实施方式，两个所述固定频率、固定占空比的脉宽调制信号由所述信号发生器中的CPLD芯片控制产生。
第二方面，提供了一种电场治疗仪，其包括电场发生器、以及多个与所述电场发生器电性连接的电极贴片；
所述电场发生器包括依次连接的电源模块、控制模块、信号控制生成模块和功率放大模块，所述信号控制生成模块包括依次连接的如第一方面所述的干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路、滤波电路以及信号放大电路。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
本发明实施例提供的干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪，通过设置有信号发生器、H桥驱动器、H桥功率放大器能够得到占空比为56%-72%交流矩形波信号，经过多次试验仿真证明，该交流矩形波信号3次谐波分量最低，由于更高次的谐波分量本来就较小，这样的矩形波信号有利于滤波器的设计；另外，矩形波信号经过所述输出变压器和滤波电路后，能够产生正弦波治疗电压信号，其为低失真信号，更能提高治疗效果；另外，通过调压电源控制H桥功率放大器的供电电压连续调节，实现了正弦波治疗电压信号输出电压的缓升缓降，并且根据治疗的需要实现电压的随动调节。
本发明解决了电场治疗仪用特定的矩形波产生问题，基于频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%交流矩形波信号得到标准正弦波，且可根据需要连续调节矩形波的输出幅度，满足了不同治疗效果的需求。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路的连接示意图。
图2是本发明实施例提供的另一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路的连接示意图。
图3是本发明实施例提供的一种PWM1和PWM2的波形示意图。
图4是本发明实施例提供的一种交流矩形波信号的波形示意图。
图5是本发明实施例提供的一种频谱分析示意图。
图6是本发明实施例提供的另一种频谱分析示意图。
图7是本发明实施例提供的再一种频谱分析示意图。
图8是本发明对比例提供的一种频谱分析示意图。
图9是本发明对比例提供的另一种频谱分析示意图。
图10是本发明对比例提供的再一种频谱分析示意图。
图11是本发明实施例提供的一种电场发生器的电路连接示意图。
图12是本发明实施例提供的一种信号控制生成模块的电原理图。
0-控制电路，1-信号发生器，2-H桥驱动器，3-H桥功率放大器，4-输出变压器，5-调压电源，6-电源模块，7-控制模块，8-信号控制生成模块，9-功率放大模块，10-滤波电路，11-信号放大电路。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合具体实施例对发明进行清楚、完整的描述。
实施例1
本发明实施例提供了一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，如图1和图2所示，其包括：依次连接的信号发生器1、H桥驱动器2、H桥功率放大器3和输出变压器4，以及与所述H桥功率放大器3连接的调压电源，所述调压电源用于为所述H桥功率放大器3供电；
其中，所述信号发生器1控制产生两个具有固定频率和固定占空比，且频率相同、占空比相同的脉宽调制信号，两个所述脉宽调制信号分别依次通过所述H桥驱动器2和所述H桥功率放大器3后，输出频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%交流矩形波信号，所述矩形波信号经过所述输出变压器4和滤波电路后产生正弦波治疗电压信号。需要说明的是，前述输出频率和占空比可以根据需要来确定，例如，其输出频率可以为100kHz、150 kHz、200kHz、300kHz；占空比可以为56%、64%或72%，只需保证输出频率在100kHz-300kHz之间，占空比在56%-72%之间即可，本发明对此不作具体限定，示例性地，如图4所示，交流矩形波信号的输出频率为200kHz、占空比为2t/T，其优选的为64%，其中，T为交流矩形波信号的周期，t为半个周期内的导通时间或矩形波信号的脉冲宽度。
所述调压电源5控制所述H桥功率放大器3的供电电压连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的幅值调节和缓升缓降。本发明中，由于输出电压的幅值可连续调节，因此可以根据需要来对治疗电压进行调节，例如：可设置采用线性增压的方式来逐渐提高治疗电压值。
本发明实施例提供的干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，通过设置有信号发生器1、H桥驱动器2、H桥功率放大器3能够得到输出频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%交流矩形波信号，基于该矩形波信号产生的低失真正弦波治疗电压信号更能提高治疗效果；另外，通过调压电源5控制H桥功率放大器3的供电电压连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的缓升缓降，并且根据治疗的需要实现电压的随动调节，相应于现有技术中在某一治疗时刻忽然增大电压的方式而言，该方式提高了输出的稳定性，有效保证输出精准度，且对患者的刺激性小。
需要说明的是：目前市面上常见的电场治疗仪均采用输出正弦波的方式作用于电极贴片来干扰细胞分裂，上述过程中，所输出的正弦波的频率和电压幅值均会影响其作用效果。
在周期信号的频谱方面，每个周期信号的频谱均包括基波频率（基频）和高次谐波分量。如果是标准的正弦波信号，那么这个信号没有高次谐波分量；如果这个交流信号不是标准的正弦波，则必然叠加了高次谐波分量，高次谐波分量比例越高，波形与标准的正弦波相差就越大，即表现为正弦波失真度越高，而高次谐波分量不但没有益处还可能有不可预测的危害。
因此，为保证干扰细胞分裂的效果，在正弦波频率方面，既需要基于周期信号频谱来得到纯净的正弦波，又要保证纯净正弦波的频率处于预设频率范围之内。
现有技术中，有些电场治疗仪的正弦波的失真度高、无法输出纯净的正弦波，或者正弦波的频率不处于预设频率范围，导致其治疗效果差；大多数的电场治疗仪则选择直接产生正弦波，然后功率放大，产生治疗信号的方式，该种方式治疗效率低、电场治疗仪体积大，设备发热严重。因此，如何在避免上述弊端的情况下，还能保证输出的正弦波能够达到最佳的效果，一直是本领域技术人员所面临但尚未解决的技术难题。
在本申请中，针对电压幅值：通过调压电源控制所述H桥功率放大器的供电电压的连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的幅值调节和缓升缓降。
针对正弦波的频率：首先得到频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%的交流矩形波信号，后续基于该交流矩形波信号不仅能够得到失真度小的纯净正弦波，还能保证正弦波的频率为100kHz-300kHz的正弦波，而失真度小且处于该频率范围内的正弦波能够显著提高干扰细胞分裂的效果。通过先产生矩形波，后续再对该矩形波进行滤波变成正弦波，形成治疗信号，其不仅得到了保证了干扰细胞分裂的效果，而且与传统电路相比，其效率高，电场治疗仪的体积小，设备发热量小。
当然在本申请中，为了说明由100kHz-300kHz、占空比为56%-72%的交流矩形波信号能够得到失真度小的正弦波，还对交流矩形波信号的低失真性能进行了验证，本发明经过傅立叶级数展开法进行频谱分析，多次仿真实验，如图5所示，验证本申请中的交流矩形波信号（输出频率为200kHz、占空比为64%）与现有常用的方波相比，交流矩形波信号中距离基频最近的3次谐波分量降低很多，而更高次的谐波分量本来就较小，这样的矩形波信号有利于滤波器的设计，从而保证最终生成的正弦波治疗电压信号的低失真优势。
在干扰细胞分裂领域，如图6和图7所示，频率为100kHz，占空比为56%的矩形波信号，以及频率为300kHz、占空比为72%矩形波信号也均具有低失真优势。如图8-图10所示，频率为100kHz、占空比为50%的矩形波信号，频率为200kHz、占空比为80%的矩形波信号，以及频率为300 kHz、占空比为100%的方波信号的3次谐波分量高、且总谐波分量也高。因此，当改变交流矩形波信号的频率和占空比，均无法保证后续正弦波的频率处于最佳，从而影响最后的作用效果。本发明解决了电场治疗仪用特定的矩形波产生问题，基于频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%交流矩形波信号得到失真度小且处于100kHz-300kHz频率范围内的标准正弦波，治疗效率高，且可根据需要连续调节矩形波的输出幅度，满足了不同治疗效果的需求，而且效率高，电场治疗仪的体积小，设备发热量小。
其中，为保证交流矩形波信号的频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%，在一种可能的实现方式中，所述信号发生器1控制产生信号频率均为100kHz-300kHz，信号占空比均为28%-36%，信号相位差为180°的两路信号。优选地，两路信号的频率均为200kHz，信号占空比均为32%，从而能够基于这两路信号来得到输出频率为200kHz、占空比为64%的交流矩形波信号。
在一种可能的实现方式中，两路信号分比为第一脉宽调制信号PWM1和第二脉宽调制信号PWM2，那么信号发生器1为PWM波形发生器，PWM1和PWM2可由PWM波形发生器中的CPLD芯片控制产生，CPLD芯片控制产生两个信号的方式可以采用现有的方式，本发明对此不再赘述，当然也可由FPGA或者单片机控制产生，精确度高，得到的PWM1和PWM2的波形图如图3所示，图3中的占空比为t/T，如前所述，占空比优选地为32%，其中，T为交流矩形波信号的周期，t为半个周期内的导通时间或矩形波信号的脉冲宽度。
在前述情况下，针对信号的输入和输出作进一步说明。
如图2所示，所述H桥驱动器2包括半桥驱动器一和半桥驱动器二，所述H桥功率放大器3包括高端MOS管M1、低端MOS管M2、高端MOS管M3和低端MOS管M4，4个MOS管M1、M2、M3、M4组成差动的H桥功率放大器3。
所述第一脉宽调制信号PWM1通过半桥驱动器一产生高端驱动信号PWM1-H和低端驱动信号PWM1-L，分别驱动所述高端MOS管M1和低端MOS管M2，其中，所述高端驱动信号PWM1-H和低端驱动信号PWM1-L信号互补；
所述第二脉宽调制信号PWM1通过半桥驱动器二产生高端驱动信号PWM2-H和低端驱动信号PWM2-L，分别驱动所述高端MOS管M3和低端MOS管M4，其中，所述高端驱动信号PWM2-H和低端驱动信号PWM2-L互补。需要说明的是，前述半桥驱动器一和半桥驱动器二可采用现有技术中满足要求的芯片，以通过芯片来采用前述方式驱动四个MOS管，当然，其还可以为其他满足要求的结构，本发明实施例对此不作限定。
另外，所述高端MOS管M1和低端MOS管M2均与VOA输出端连接，所述高端MOS管M3和低端MOS管M4均与VOB输出端连接，所述VOA输出端和所述VOB输出端与所述输出变压器4输入端的两侧分别连接；
所述VOA输出端和所述VOB输出端的输出信号交汇后（根据VOA输出端和VOB输出端的电压差）构成所述占空比为56%-72%的交流矩形波信号。
从而基于前述的信号发生器1、H桥驱动器2、H桥功率放大器3能够得到占空比为56%-72%的交流矩形波信号。
另外，还可以利用调压电源5连续调节矩形波的输出幅度，进而调节经输出变压器4得到的正弦波治疗电压信号的电压值，以便满足不同治疗效果的需求。
所述调压电源5为可控电压直流电源，其与电源模块连接，其控制所述H桥功率放大器3的供电电压从0V至V+ DC连续调节，使得所述交流矩形波的峰峰值幅度从0V至2V+之间连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的幅值调节和缓升缓降。如图2所示，V+指代的是电源电压，2V+指代的电源电压的二倍，该电源电压可根据需要确定，其可为30V，也可以为其他满足要求的电压值。
进一步地，其还包括单片机，所述调压电源5与所述单片机的D/A输出引脚相连，所述单片机通过控制调压电源5的输出电源使得所述H桥功率放大器3的供电电压从0V至V+DC连续调节。
实施例2：
本发明实施例提供了一种电场治疗仪，其包括电场发生器、以及多个与所述电场发生器电性连接的电极贴片；
如图11所示，所述电场发生器包括依次连接的电源模块6、控制模块7、信号控制生成模块8和功率放大模块9，如图12所示，所述信号控制生成模块8包括依次连接的干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路0、滤波电路10以及信号放大电路11。
其中，电源模块6为整个电场发生器供电；
控制模块7输出基准频率给控制电路0，使得所述控制电路0生成输出频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%的交流矩形波信号，交流矩形波信号经滤波电路10进行滤波，滤波后的信号输入信号放大电路11中进行信号放大，再经功率放大模块9进行功率放大并传输至电极贴片上；
电源模块6还与控制电路0的调压电源连接，使得调压电源控制所述H桥功率放大器的供电电压连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的缓升缓降。
Claims (7)
1.一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其特征在于，其包括依次连接的信号发生器、H桥驱动器、H桥功率放大器和输出变压器，以及与所述H桥功率放大器连接的调压电源，所述调压电源用于为所述H桥功率放大器供电；
其中，所述信号发生器控制产生两个具有固定频率和固定占空比，且频率相同、占空比相同的脉宽调制信号，两个所述脉宽调制信号分别依次通过所述H桥驱动器和所述H桥功率放大器后，构成频率为100kHz-300kHz、占空比为56%-72%的交流矩形波信号，所述矩形波信号经过所述输出变压器和滤波电路后产生正弦波治疗电压信号；
所述调压电源控制所述H桥功率放大器的供电电压连续调节，实现所述正弦波治疗电压信号输出电压的幅值调节和缓升缓降。
2.根据权利要求1所述的一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其特征在于，所述信号发生器控制产生信号频率均为100kHz-300kHz，信号占空比均为28%-36%，信号相位差为180°的两路信号，两路信号分别为第一脉宽调制信号PWM1和第二脉宽调制信号PWM2。
3.根据权利要求2所述的一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其特征在于，所述H桥驱动器包括半桥驱动器一和半桥驱动器二，所述H桥功率放大器包括高端MOS管M1、低端MOS管M2、高端MOS管M3和低端MOS管M4；
所述第一脉宽调制信号PWM1通过半桥驱动器一产生高端驱动信号PWM1-H和低端驱动信号PWM1-L，分别驱动所述高端MOS管M1和低端MOS管M2，其中，所述高端驱动信号PWM1-H和低端驱动信号PWM1-L信号互补；
所述第二脉宽调制信号PWM2通过半桥驱动器二产生高端驱动信号PWM2-H和低端驱动信号PWM2-L，分别驱动所述高端MOS管M3和低端MOS管M4，其中，所述高端驱动信号PWM2-H和低端驱动信号PWM2-L互补。
4.根据权利要求3所述的一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其特征在于，所述高端MOS管M1和低端MOS管M2均与VOA输出端连接，所述高端MOS管M3和低端MOS管M4均与VOB输出端连接，所述VOA输出端和所述VOB输出端与所述输出变压器输入端的两侧分别连接；
所述VOA输出端和所述VOB输出端的输出信号交汇后构成所述占空比为56%-72%的交流矩形波信号。
5.根据权利要求1所述的一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其特征在于，其还包括单片机，所述调压电源与所述单片机的D/A输出引脚相连，所述单片机通过控制调压电源的输出电压使得所述H桥功率放大器的供电电压连续调节。
6.根据权利要求1所述的一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路，其特征在于，两个所述脉宽调制信号由所述信号发生器中的CPLD芯片控制产生。
7.一种电场治疗仪，其特征在于，其包括电场发生器、以及多个与所述电场发生器电性连接的电极贴片；
所述电场发生器包括依次连接的电源模块、控制模块、信号控制生成模块和功率放大模块，所述信号控制生成模块包括依次连接的如权利要求1-6任一权利要求所述的干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路、滤波电路以及信号放大电路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210506122.2A CN114614798A (zh) | 2022-05-11 | 2022-05-11 | 一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210506122.2A CN114614798A (zh) | 2022-05-11 | 2022-05-11 | 一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114614798A true CN114614798A (zh) | 2022-06-10 |
Family
ID=81869067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210506122.2A Pending CN114614798A (zh) | 2022-05-11 | 2022-05-11 | 一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114614798A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115102530A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-09-23 | 杭州赛福凯尔医疗科技有限公司 | 一种用于抑制肿瘤细胞的电场发生装置及系统 |
| CN115361000A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-11-18 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪 |
| CN115425928A (zh) * | 2022-11-04 | 2022-12-02 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 向人体施加交变电场的控制电路及器械装置 |
| CN115429414A (zh) * | 2022-11-09 | 2022-12-06 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 一种向人体传递电场能量的器械装置及其控制电路 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106877729A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-06-20 | 上海健康医学院 | 一种高频不可逆电穿孔仪 |
| CN209627267U (zh) * | 2019-03-12 | 2019-11-12 | 广州易和医疗技术开发有限公司 | 一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路 |
| CN112532098A (zh) * | 2020-12-27 | 2021-03-19 | 上海电机学院 | 一种交流变换器及其变换方法 |
| CN113260414A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-08-13 | 奥赛拉公司 | 用于增强超音波治疗的功效的系统和方法 |
| CN215378872U (zh) * | 2021-07-09 | 2021-12-31 | 河南优德医疗设备股份有限公司 | 一种高频治疗仪使用的功率放大电路 |
-
2022
- 2022-05-11 CN CN202210506122.2A patent/CN114614798A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106877729A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-06-20 | 上海健康医学院 | 一种高频不可逆电穿孔仪 |
| CN113260414A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-08-13 | 奥赛拉公司 | 用于增强超音波治疗的功效的系统和方法 |
| CN209627267U (zh) * | 2019-03-12 | 2019-11-12 | 广州易和医疗技术开发有限公司 | 一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路 |
| CN112532098A (zh) * | 2020-12-27 | 2021-03-19 | 上海电机学院 | 一种交流变换器及其变换方法 |
| CN215378872U (zh) * | 2021-07-09 | 2021-12-31 | 河南优德医疗设备股份有限公司 | 一种高频治疗仪使用的功率放大电路 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115102530A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-09-23 | 杭州赛福凯尔医疗科技有限公司 | 一种用于抑制肿瘤细胞的电场发生装置及系统 |
| CN115102530B (zh) * | 2022-08-29 | 2023-09-29 | 赛福凯尔(绍兴)医疗科技有限公司 | 一种用于抑制肿瘤细胞的电场发生装置及系统 |
| WO2024046503A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 赛福凯尔(绍兴)医疗科技有限公司 | 一种用于抑制肿瘤细胞的电场发生装置及系统 |
| CN115361000A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-11-18 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪 |
| CN115361000B (zh) * | 2022-10-18 | 2023-01-24 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪 |
| CN115425928A (zh) * | 2022-11-04 | 2022-12-02 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 向人体施加交变电场的控制电路及器械装置 |
| CN115429414A (zh) * | 2022-11-09 | 2022-12-06 | 北京国械堂科技发展有限责任公司 | 一种向人体传递电场能量的器械装置及其控制电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114614798A (zh) | 一种干扰细胞分裂电场治疗仪的控制电路及电场治疗仪 | |
| US11864814B2 (en) | System and method for harmonic control of dual-output generators | |
| CN102781152B (zh) | 一种脉冲x射线的产生方法及脉冲x射线发生装置 | |
| DE102008058737B4 (de) | HF-Chirurgiegenerator | |
| EP2902075B1 (en) | Optimizing characteristics of an electric field to increase the field's effect on proliferating cells | |
| JP2023510203A (ja) | 振幅調整およびチャネルの切り替え中のスパイクを防止する高電圧、高効率正弦波発生器 | |
| EP2826433A2 (en) | Electrosurgical generator with continuously and arbitrarily variable crest factor | |
| WO2003088466B1 (en) | Inverter for producing a true sine wave | |
| CN105496549A (zh) | 一种射频发生器及利用该射频器产生射频能量的方法 | |
| WO2024046503A1 (zh) | 一种用于抑制肿瘤细胞的电场发生装置及系统 | |
| US20240180606A1 (en) | Power unit for delivering coherent sine burst irreversible electroporation energy to a biological tissue | |
| CN100462116C (zh) | 功率超声换能器激励电路 | |
| CA2663155C (en) | Resistor pulse modulation | |
| CN102781154B (zh) | 混合模式x射线的产生方法及混合模式x射线发生装置 | |
| CN202721888U (zh) | 一种脉冲x射线发生装置 | |
| CN115361000B (zh) | 一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪 | |
| CN215378872U (zh) | 一种高频治疗仪使用的功率放大电路 | |
| CN115276452A (zh) | 一种溶栓系统电路、超声能量调节的方法及超声溶栓系统 | |
| CN114146311A (zh) | 肿瘤电场治疗系统及电场施加方法 | |
| CN210780595U (zh) | 一种用于聚焦超声核酸打断仪的超声波电源 | |
| CN113769274A (zh) | 一种磁场治疗肿瘤设备 | |
| CN219891583U (zh) | 一种美容仪双轨电流控制电路 | |
| JP2000312474A5 (zh) | ||
| CN114978122B (zh) | 一种阵列式脉冲输出电路及其治疗仪 | |
| KR20190014845A (ko) | Ｒｅｔ 및 ｃｅｔ 고주파 치료 기능을 구비한 전기 치료기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 050000 No. 203, building B-12, No. 501, Taihang South Street, high tech Zone, Shijiazhuang, Hebei Applicant after: HEBEI PUNI MEDICAL TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 050000 No. 502, unit 1, building 4, No. 222, Xing'an Street, high tech Zone, Shijiazhuang City, Hebei Province Applicant before: HEBEI PUNI MEDICAL TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220610 |