CN114613910A - 一种钙钛矿太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明属于新型太阳能电池技术领域,涉及一种钙钛矿太阳能电池,结构由下至上依次为导电玻璃电极层(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)和对电极层(5),其中空穴传输层(4)是由NiOx纳米晶与无离子掺杂的有机空穴材料均匀复合而成。本发明的钙钛矿太阳能电池具有光电转换效率高、稳定性好的特点。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,涉及一种钙钛矿太阳电池,特别是一种正置钙钛矿太阳能电池。
背景技术
有机-无机杂化金属卤化物钙钛矿太阳能电池(PSCs)在过去几年中发展迅速,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已由最初的3.8%提高到了25.7%,已成为清洁能源产业中最具发展潜力的方向之一。钙钛矿太阳能电池技术的核心优势在于其低成本、易制备和出色的光电性能。通常,为了实现PSCs的高光电转化效率,需要同时利用电子和空穴传输层来有效分离钙钛矿层中吸收光生电荷,并有选择地转移分离的电子和空穴。此外,在提高转化效率的同时,还需要提高钙钛矿层和载流子传输材料对湿度、光照和热等外界环境因素的耐受性,以确保PSCs能长期稳定的工作。因此,寻找一种高效、稳定、低成本的空穴传输材料是获得稳定钙钛矿太阳能电池的先决条件之一。
无机类的空穴传输材料通常具有化学稳定性好和成本低的优势,在钙钛矿太阳能电池中具有广阔的应用前景。其中NiOx具有能级可控、稳定性好、成本低、空穴迁移率高的特点,是高稳定无机空穴传输材料的最佳候选之一。
在正置结构中,NiOx基空穴传输层亟需解决的问题在于如何改善NiOx在提高钙钛矿表面的成膜质量,只有致密无针孔的空穴传输层才能避免电极与钙钛矿的接触,从而获得高的光电转换效率和良好的器件稳定性。为此,亟需一种简单可扩展的方法,既能提升空穴迁移率又能改善空穴传输层成膜致密性,用以提升钙钛矿太阳能电池的性能。
发明内容
基于上述的技术问题,本发明目的是提供一种钙钛矿太阳能电池,通过引入无离子掺杂的有机空穴材料结合混合溶剂改善了NiOx在有机溶剂中的分散性,进而调控NiOx的成膜质量,提升了NiOx空穴器件的效率及热稳定性。
为了达到上述目的,本发明采用以下的技术方案,
一种钙钛矿太阳能电池,包含空穴传输层(4),所述空穴传输层(4)由NiOx纳米晶与无离子掺杂的有机空穴材料复合组成。本发明的空穴传输层(4)更适合于正置钙钛矿太阳能电池,即n-i-p结构钙钛矿太阳能电池。
在本发明优选的技术方案中,所述空穴传输层(4)为单层结构,厚度为20-120nm。
在本发明优选的技术方案中,所述空穴传输层(4)中NiOx纳米晶与有机空穴材料的质量比为0.1-5:1。在本发明更优选的技术方案中,NiOx纳米晶与有机空穴材料的质量比为0.3-3:1。
在本发明优选的技术方案中,所述空穴传输层(4)的制备方法包括以下步骤,
S1、将NiOx纳米晶分散在第一有机溶剂中,配制浓度为2-40mg/mL的NiOx分散液;
S2、将无离子掺杂的有机空穴材料分散在第二有机溶剂中,配制浓度为2-50mg/mL的有机空穴材料分散液;
S3、将步骤S1获得的NiOx分散液和步骤S2获得的有机空穴材料分散液按NiOx纳米晶与有机空穴材料质量比0.1-5:1混合均匀,再直接涂覆在钙钛矿层(3)表面,自然干燥,获得所述空穴传输层(4)。
本发明中,NiOx纳米晶的一种制备方法为:以硬脂酸镍为镍源,硬脂酸锂为保护剂,十八醇或油胺作为分散剂,十八烯作为溶剂,将5mmol硬脂酸镍、2mmol硬脂酸锂、3mmol十八醇(或油胺)和5mL十八烯混合置于反应器中,于80℃惰性气氛混合搅拌0.5h,再升温至230-270℃保温反应2-4h,产物依次采用丙酮/乙酸乙酯混合溶剂和正己烷/乙醇混合溶剂进行清洗,60℃真空干燥过夜,获得NiOx纳米晶。
在本发明更优选的技术方案中,所述第一有机溶剂和第二有机溶剂分别独自的选自氯苯、1,2-二氯苯、氯仿、甲苯和二甲苯中的一种或多种。在本发明更进一步优选的技术方案中,第一有机溶剂和第二有机溶剂不同。
在本发明优选的技术方案中,所述有机空穴材料选自Spiro-OMeTAD、poly-TPD、铜酞菁(Cuphthalocyanine,即CuPc)、镍酞菁(Niphthalocyanine,即NiPc)、高分子聚(poly(triarylamine),即三芳基胺)(即PTAA)和聚(3-己基噻吩)(poly(3-hexylthiophene),即P3HT)中的一种或者多种。
在本发明优选的技术方案中,所述钙钛矿太阳能电池的结构由下至上依次为导电玻璃电极层(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)和对电极层(5),其中导电玻璃电极层(1)是FTO玻璃层或者ITO玻璃层。
在本发明更优选的技术方案中,所述电子传输层(2)选自PC61BM层、PC71BM层、TiO2层、ZnO层、SnO2层和ZnTiO3(ZTO)层中的一种或多种,所述电子传输层(2)的厚度为10-120nm。
在本发明更优选的技术方案中,所述钙钛矿层(3)中钙钛矿为具有ABX3结构的半导体化合物,其中A为胺基、脒基、胍基和铯的一价有机阳离子中的一种或多种,B为铅、锡、铷、银、铋、硅和镁的金属离子中的一种或多种,X为碘离子、氯离子、溴离子、硫氰酸根、乙酸根中的一种或多种;所述B中铅离子的摩尔百分数不低于80%;所述钙钛矿层(3)厚度为300~700nm。
在本发明更优选的技术方案中,所述对电极层(5)中电极材料为金属电极材料,电极材料选自金、银、铜和锡中的一种或多种,所述对电极层(5)的厚度为60-120nm。
本发明的有益效果:
1.本发明采用有机空穴材料掺杂以及混合有机溶剂的方法改善了NiOx在有机溶剂中的分散性,改善NiOx组装有序度,获得了致密连续并觉有高空穴迁移率的空穴传输层(4),进而提高了NiOx基空穴传输层的太阳能电池光电转换效率和热稳定性;
2.NiOx配体通过改善无掺杂有机空穴分子组装取向来提高其结晶性,有利于空穴在其π-π键方向或者主链上的传输,从而提高空穴传输层的空穴迁移率。
3.通过调控空穴传输层的能级可以促进载流子从空穴传输层(4)到对电极层(5)的迁移,降低价带落差引起的界面处产生非辐射复合,提高光电转换效率。
附图说明
图1为本发明的钙钛矿太阳能电池的结构示意图。
其中,1-导电玻璃电极层,2-电子传输层,3-钙钛矿层,4-空穴传输层,5-对电极层。
图2为对比例2中空穴传输层(4)的结构。
其中,41-NiOx层,42-无离子掺杂的有机Spiro-OMeTAD层。
图3为实施例1和对比例1-3的钙钛矿太阳能电池I-V反扫曲线图。
图4为实施例1和对比例1-3的钙钛矿太阳能电池I-V热稳定性对比图。
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如「上」、「内」、「外」、「底」、「一」、「中」等用语,也仅为便于叙述的明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当也视为本发明可实施的范畴,事先予以叙明。
实施例1
请参考附图1的示例,制备正置钙钛矿太阳能电池的步骤如下,
步骤(A),制备电子传输层(2):在清洗干净的FTO玻璃(1)上采用溶液法旋涂制备SnO2前驱体溶液,旋涂速度为3000rpm,旋涂后在150℃退火30min,自然冷却,在FTO玻璃(1)上得到膜厚40nm的SnO2电子传输层(2)。
步骤(B),制备钙钛矿层(3):在步骤(A)的电子传输层(2)上旋涂浓度1.3mol/L的FA0.95Cs0.05PbI3溶液,旋涂条件为5000rpm,旋涂时间为30s,在第15s滴加氯苯作为反溶剂,110℃退火60min,自然冷却,制得钙钛矿层(3)。
步骤(C),包含以下步骤(C-1)~(C-3),
步骤(C-1),配制NiOx的氯仿溶液:称取15mgNiOx加入到1mL氯仿中,超声分散20min,配制成NiOx的氯仿分散液;
步骤(C-2),配制Spiro-OMeTAD的氯苯分散液:称取30mgSpiro-OMeTAD加入到1mL氯苯中,超声分散20min,配制成Spiro-OMeTAD的氯苯分散液;
步骤(C-3),制备空穴传输层(4):将上述NiOx的氯仿分散液与Spiro-OMeTAD的氯苯分散液按2:1体积比例混合,超声10min,配制成复合空穴传输层材料分散液,在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2000rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4),膜厚为65nm。
步骤(D),制备对电极层(5):在上述空穴传输层(4)上蒸镀金属银,获得对电极层(5),膜厚为110nm。
由此,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-1。
实施例2
请参考附图1的示例,制备正置钙钛矿太阳能电池的步骤如下,
步骤(A),制备电子传输层(2):在清洗干净的FTO玻璃(1)上采用溶液旋涂法制备SnO2前驱体溶液,旋涂速度为3000rpm,旋涂后在150℃退火30min,自然冷却,在FTO玻璃(1)上得到膜厚为40nm的SnO2电子传输层(2)。
步骤(B),制备钙钛矿层(3):在步骤(A)的电子传输层(2)上旋涂浓度1.3mol/L的FA0.95Cs0.05PbI3溶液,旋涂条件为5000rpm,旋涂时间为30s,在第15s滴加氯苯作为反溶剂,110℃退火60min,自然冷却,制得钙钛矿层(3)。
步骤(C),包含以下步骤(C-1)~(C-3),
步骤(C-1),配制NiOx的氯仿溶液:称取20mgNiOx溶解在1mL氯仿中,超声分散20min,配制成NiOx的氯仿分散液;
步骤(C-2),配制Spiro-OMeTAD的氯苯分散液:称取20mgSpiro-OMeTAD溶解在1mL氯苯中,配制成Spiro-OMeTAD的氯苯分散液;
步骤(C-3),制备空穴传输层(4):将上述NiOx的氯仿分散液与Spiro-OMeTAD的氯苯分散液按1:1体积比例混合,超声10min,配制成复合空穴传输层材料分散液,在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2500rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4),膜厚65nm。
步骤(D),制备对电极层(5):在上述空穴传输层(4)上蒸镀银,获得对电极层(5),膜厚为110nm。
由此,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-2。
实施例3
请参考附图1的示例,制备正置钙钛矿太阳能电池的步骤如下,
步骤(A),制备电子传输层(2):在清洗干净的FTO玻璃(1)上采用喷雾热裂解法制备ZTO层,喷涂温度为475℃,喷涂圈数为3圈,475℃退火60min,自然冷却后以5000rpm的转速旋涂介孔二氧化钛的乙醇溶液,于500℃退火60min,在FTO玻璃(1)上得到膜厚为80nm的ZTO/m-TiO2复合电子传输层(2)。
步骤(B),制备钙钛矿层(3):在步骤(A)的电子传输层(2)上旋涂浓度1.1mol/L的FA0.83Cs0.17PbI3溶液,旋涂条件为6000rpm,旋涂时间为30s,在第10s滴加氯苯作为反溶剂,150℃退火30min,自然冷却制得钙钛矿层(3)。
步骤(C),包含以下步骤(C-1)~(C-3),
步骤(C-1),配制NiOx的1,2-二氯苯溶液:称取5mgNiOx溶解在1mL1,2-二氯苯中,超声搅拌20min,配制成NiOx的二氯苯分散液;
步骤(C-2),配制NiPc的氯苯/氯仿分散液:称取20mgNiPc溶解在300μL氯苯和700μL氯仿组成的混合溶剂中,超声搅拌20min,配制成NiPc的氯苯/氯仿分散液;
步骤(C-3),制备空穴传输层(4):将上述NiOx的二氯苯分散液与NiPc的氯苯/氯仿分散液按10:1体积比例混合,超声10min,配制成复合空穴传输层材料分散液,在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2500rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4)。
步骤(D),制备对电极层(5):在上述空穴传输层(4)上分别蒸镀20nm厚度的金和80nm厚度的铜复合电极,得到对电极层(5)。
由此,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-3。
实施例4
请参考附图1的示例,制备正置钙钛矿太阳能电池的步骤如下,
步骤(A),制备电子传输层(2):在清洗干净的FTO玻璃(1)上采用喷雾热裂解法制备ZnO层,喷涂温度为500℃,喷涂圈数为5圈,450℃退火30min,自然冷却后以4000rpm的转速旋涂介孔二氧化钛的乙醇溶液,于475℃退火30min,在FTO基底上得到膜厚为80nm的ZnO/m-TiO2复合电子传输层(2)。
步骤(B),制备钙钛矿层(3):在步骤(A)的电子传输层(2)上旋涂浓度1.2mol/L的FAPbI3溶液,旋涂条件为5000rpm,旋涂时间为30s,在第8s滴加乙醚作为反溶剂,110℃退火20min,自然冷却制得钙钛矿层(3)。
步骤(C),包含以下步骤(C-1)~(C-4),
步骤(C-1),配制NiOx的氯苯/氯仿分散液:称取25mgNiOx溶解在200μL氯苯和800μL氯仿组成的混合溶剂中,超声搅拌20min,配置成NiOx的氯苯/氯仿分散液;
步骤(C-2),配制Spiro-OMeTAD的氯仿分散液:称取20mgSpiro-OMeTAD溶解在1mL氯仿中,超声搅拌20min,配置成Spiro-OMeTAD的氯仿分散液;
步骤(C-3),配制poly-TPD的氯苯分散液:称取5mgNiOx溶解在1mL氯苯中,超声搅拌20min,配置成poly-TPD的氯苯分散液;
步骤(C-4),制备空穴传输层(4):将上述NiOx的氯苯/氯仿分散液、Spiro-OMeTAD的氯仿分散液与poly-TPD的氯苯分散液与按3:1:1体积比例混合,超声10min,配制成复合空穴传输层材料分散液,在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为3000rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4)。
步骤(D),制备对电极层(5):在上述空穴传输层(4)上分别蒸镀40nm厚度的银和60nm厚度的铜复合电极,得到对电极层(5)。
由此,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-4。
实施例5
请参考附图1的示例,制备正置钙钛矿太阳能电池的步骤如下,
步骤(A),制备电子传输层(2):在清洗干净的FTO玻璃(1)上采用喷雾热裂解法制备ZnO层,喷涂温度为500℃,喷涂圈数为5圈,450℃退火30min,自然冷却后4000rpm旋涂SnO2的水溶液,于120℃退火30min,在FTO基底上得到膜厚为60nm的ZnO/SnO2复合电子传输层(2)。
步骤(B)制备钙钛矿层(3):在步骤(A)的电子传输层(2)上,旋涂浓度1.2mol/L的FA0.95MA0.05PbI3溶液,旋涂条件为5000rpm,旋涂时间为30s,在第10s滴加乙醚作为反溶剂,110℃退火60min,自然冷却制得钙钛矿层(3)。
步骤(C),包括步骤(C-1)~(C-3),
步骤(C-1),配制NiOx的氯仿溶液:称取15mgNiOx溶解在1mL氯仿中,超声搅拌20min,配置成NiOx的氯仿分散液;
步骤(C-2),配制PTAA的甲苯分散液:称取10mgPTAA溶解在1mL甲苯中,超声搅拌20min,配置成PTAA的甲苯分散液;
步骤(C-3),制备空穴传输层(4):将NiOx的氯仿分散液与PTAA的甲苯分散液按1:3体积比例混合,超声10min,配置成复合空穴传输层材料分散液,在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2500rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4)。
步骤(D),制备对电极层(5):在上述空穴传输层(4)上蒸镀90nm厚度的金属金电极,得到对电极层(5)。
由此,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-5。
对比例1
在实施例1中,步骤C包含以下步骤(C-1)~(C-2),
步骤(C-1),配制NiOx的氯仿溶液:称取15mgNiOx溶解在1mL氯仿中,超声分散20min,配制成NiOx的氯仿分散液。
步骤(C-2),制备空穴传输层(4):将上述NiOx的氯仿分散液在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2000rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4),膜厚为40nm。
其余步骤保持不变,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-6。
对比例2
在实施例1中,步骤(C)包含以下步骤(C-1)~(C-3),
步骤(C-1),配制NiOx的氯仿溶液:称取15mgNiOx加入到1mL氯仿中,超声分散20min,配制成NiOx的氯仿分散液;
步骤(C-2),配制Spiro-OMeTAD的氯苯分散液:称取30mgSpiro-OMeTAD加入到1mL氯苯中,超声分散20min,配制成Spiro-OMeTAD的氯苯分散液。
步骤(C-3),制备空穴传输层(4):将上述NiOx的氯仿分散液在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2500rpm,自然干燥制得NiOx层;继续采用溶液法旋涂上述Spiro-OMeTAD的氯苯分散液,旋涂速度为3500rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4),膜厚为65nm。其余步骤保持不变,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-7。
图2为本对比例的空穴传输层(4)的结构示意图,是一个双层结构,由下层的NiOx层(41)和上层的Spiro-OMeTAD层(42)组成。
对比例3
在实施例1中,步骤C包含以下步骤(C-1)~(C-2),
步骤(C-1),配制Spiro-OMeTAD的氯苯溶液:称取72mgSpiro-OMeTAD溶解在1mL氯苯中,超声搅拌20min,配置成Spiro-OMeTAD的氯苯分散液。
步骤(C-2),制备空穴传输层(4):将上述Spiro-OMeTAD的氯苯分散液在钙钛矿层(3)上采用溶液法旋涂,旋涂速度为2000rpm,自然干燥,制得空穴传输层(4),膜厚为80nm。
其余步骤保持不变,获得正置钙钛矿太阳能电池,记为C-8。
实施例1-5和对比例1-3的正置钙钛矿太阳能电池C-1~C-8的性能如表1所示,其中老化条件为85℃氮气气氛条件下其经1000h老化后的光电转换效率保有率。
表1
图3为实施例1和对比例1-3的正置钙钛矿太阳能电池的反扫曲线数据。可知:相比于以纯NiOx空穴传输层制备的太阳能电池器件(对比例1)、以纯Spiro-OMeTAD空穴传输层制备的太阳能电池器件(对比例3)和NiOx+Spiro-OMeTAD双层空穴传输层结构制备的太阳能电池器件(对比例2),基于Spiro-OMeTAD增强NiOx材料制备的复合单层空穴传输层器件(实施例1)具有更高的光电转换效率和热稳定性。因此,从图3和表1可以得出的好的技术效果是:经过有机无机空穴材料混合处理制备的空穴传输层制备出的器件光电转换效率和热稳定性更优。
图4为实施例1和对比例1-3的正置钙钛矿太阳能电池的热稳定性对比。在未封装条件下,单层NiOx空穴传输层器件(对比例1)在85℃下经过1000h氮气条件下热处理,光电转换效率衰减22.7%;单层Spiro-OMeTAD空穴传输层器件(对比例3)在85℃下经过250h氮气条件下热处理,光电转换效率衰减99.99%;基于本发明的有机空穴材料Spiro-OMeTAD增强NiOx空穴传输层的器件(实施例1)表现出优异的热稳定性,氮气氛围下85℃热处理1000h光电转换效率衰减仅为9.6%;无机NiOx+Spiro-OMeTAD双层空穴传输层器件(对比例2),氮气氛围下85℃热处理400h光电转换效率衰减就接近100%。上述结果证明,以有机空穴传输层材料增强无机NiOx材料作为空穴传输层的器件具有更高的热稳定性,加之其具有提升效率的明显作用,有利于钙钛矿太阳能电池的商业化应用和推广。
Claims (10)
1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包含空穴传输层(4),所述空穴传输层(4)由NiOx纳米晶与无离子掺杂的有机空穴材料均匀复合组成。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,所述空穴传输层(4)为单层结构,厚度为20-120nm。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,所述空穴传输层(4)中NiOx纳米晶与有机空穴材料的质量比为0.1-5:1。
4.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿太阳能电池,所述空穴传输层(4)的制备方法包括以下步骤:
S1、将NiOx纳米晶分散在第一有机溶剂中,配制浓度为2-40mg/mL的NiOx分散液;
S2、将无离子掺杂的有机空穴材料分散在第二有机溶剂中,配制浓度为2-50mg/mL的有机空穴材料分散液;
S3、将步骤S1获得的NiOx分散液和步骤S2获得的有机空穴材料分散液按NiOx纳米晶与有机空穴材料质量比0.1-5:1混合均匀,再直接涂覆在钙钛矿层(3)表面,自然干燥,获得所述空穴传输层(4)。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池,所述第一有机溶剂和第二有机溶剂分别独自的选自氯苯、1,2-二氯苯、氯仿、甲苯和二甲苯中的一种或多种。
6.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿太阳能电池,所述有机空穴材料选自Spiro-OMeTAD、poly-TPD、铜酞菁、镍酞菁、高分子聚(三芳基胺)和聚(3-己基噻吩)中的一种或者多种。
7.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿太阳能电池,所述钙钛矿太阳能电池的结构为正置结构,由下至上依次为导电玻璃电极层(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)和对电极层(5)。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池,所述电子传输层(2)选自PC61BM层、PC71BM层、TiO2层、ZnO层、SnO2层和ZnTiO3层中的一种或多种,所述电子传输层(2)的厚度为10-120nm。
9.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池,所述钙钛矿层(3)中钙钛矿为具有ABX3结构的半导体化合物,其中A为胺基、脒基、胍基和铯的一价有机阳离子中的一种或多种,B为铅、锡、铷、银、铋、硅和镁的金属离子中的一种或多种,X为碘离子、氯离子、溴离子、硫氰酸根、乙酸根中的一种或多种;
所述B中铅离子的摩尔百分数不低于80%;
所述钙钛矿层(3)厚度为300~700nm。
10.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池,所述对电极层(5)中电极材料选自金、银、铜、镍、锡和ITO中的一种或多种,所述对电极层(5)的厚度为60-120nm。
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CN115988945A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-04-18 | 嘉庚创新实验室 | 一种中间体材料及其应用、钙钛矿层的制备方法 |
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