CN114576300A - 全通道有效磁流变减振器及其活塞总成 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 211
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002889 diamagnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 47
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 45
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 26
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F9/00—Springs, vibration-dampers, shock-absorbers, or similarly-constructed movement-dampers using a fluid or the equivalent as damping medium
- F16F9/32—Details
- F16F9/53—Means for adjusting damping characteristics by varying fluid viscosity, e.g. electromagnetically
- F16F9/535—Magnetorheological [MR] fluid dampers
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Abstract
本发明公开了一种活塞总成,包括芯体、导磁环、阻磁环及外罩。芯体安装于活塞杆上,芯体设有线圈槽,线圈槽内设有线圈,且线圈的导线穿过活塞杆与电源连接。导磁环安装于线圈槽内,导磁环设有两组,两组导磁环沿活塞杆的轴向依次设置。阻磁环安装于线圈槽内,两组导磁环通过阻磁环间隔,且导磁环朝靠近阻磁环的方向壁厚逐渐减小,外罩套设于芯体外。本发明还公开了一种全通道有效磁流变减振器,包括缸筒、浮动活塞、上述活塞总成及活塞杆。上述全通道有效磁流变减振器及其活塞总成,可以有效解决导磁环易发生磁饱和现象,导致的难以工程应用的问题,尤其是针对小尺寸磁流变减振器优势更加明显,基本可以实现全阻尼通道有效。
Description
技术领域
本发明涉及磁流变减振技术领域,具体涉及一种全通道有效磁流变减振器及其活塞总成。
背景技术
磁流变减振器具有阻尼可控、响应快、可调范围广等特点,是近年来振动抑制技术的研究热点之一,其基本原理是通过改变线圈中电流的大小,从而改变阻尼通道中的磁场强度,进而改变磁流变液的剪切屈服强度,最终达到改变减振器输出阻尼力的目的。
然而普通的磁流变减振器阻尼通道有效工作长度短,尤其是对于小尺寸的磁流变减振器,往往输出阻尼力很小且可调范围不大。带有导磁环与阻磁环的全通道有效磁流变减振器能够有效增大阻尼通道的有效工作长度,可以达到阻尼通道的90%以上,能够有效的提高磁流变减振器的输出阻尼力并扩大可调范围。
但目前传统的全通道有效磁流变减振器由于结构尺寸的限制,安装在线圈槽中的导磁环往往磁通面积较小,不仅容易在阻尼通道之前发生磁饱和现象,磁感应强度分布不合理,使得减振器的输出阻尼力和可调范围达不到理想状态,难以实现工程应用。此外还会使得通过导磁环的磁通量较小,从而通过导磁环穿过阻尼通道的磁通量小,阻尼通道的磁场强度分布整体仍然集中于阻尼通道两侧,阻尼通道的磁场强度分布不均匀,这些问题的存在严重限制了全通道有效磁流变减振器的实际工程应用,尤其是在小尺寸磁流变减振器上体现的更加明显。
发明内容
基于此,有必要针对现有全通道有效磁流变减振器,导磁环磁通面积较小,容易在阻尼通道之前发生磁饱和现象,磁感应强度分布不合理的问题,提供一种全通道有效磁流变减振器及其活塞总成。
一种活塞总成,设有供磁流变液通过的阻尼通道,包括:
芯体,用于安装于活塞杆上,所述芯体设有线圈槽,所述线圈槽内设有线圈,且所述线圈的导线穿过所述活塞杆与电源连接;
导磁环,安装于所述线圈槽内,所述导磁环设有两组,两组所述导磁环沿所述活塞杆的轴向依次设置;
阻磁环,安装于所述线圈槽内,两组所述导磁环通过所述阻磁环间隔,且所述导磁环朝靠近所述阻磁环的方向壁厚逐渐减小;及
外罩,套设于所述芯体外。
在其中一个实施例中,还包括第一支撑端盖和第二支撑端盖,所述第一支撑端盖和所述第二支撑端盖设于所述外罩内,且所述第一支撑端盖和所述第二支撑端盖分别位于所述芯体的两端。
在其中一个实施例中,所述活塞杆穿设于所述芯体内,所述活塞杆设有定位所述第二支撑端盖的轴肩,所述活塞杆的端部和所述第一支撑端盖可拆卸连接。
在其中一个实施例中,所述芯体包括主体及盖体,所述线圈槽开设于所述主体上,所述盖体和所述主体沿所述活塞杆的轴向依次装配,所述盖体将所述线圈限位于所述限位槽内。
在其中一个实施例中,所述导磁环沿所述活塞杆轴向方向的截面为梯形。
在其中一个实施例中,还包括导向环,所述导向环套设于所述外罩外。
在其中一个实施例中,所述芯体的材料选用相对磁导率大于1的铁磁性材料;或
所述导磁环的材料选用相对磁导率大于1的铁磁性材料;或
所述阻磁环的材料选用相对磁导率小于1的抗磁性材料。
一种全通道有效磁流变减振器,包括:
缸筒;
浮动活塞,滑动安装于所述缸筒内,以将所述缸筒的腔体分为气腔和液腔,所述气腔内设有气体,所述液腔内设有磁流变液;
上述任意一项所述的活塞总成,滑动安装于所述液腔内,所述活塞总成将所述液腔分为上液腔和下液腔,所述活塞总成的阻尼通道连通所述上液腔和所述下液腔;及
活塞杆,从所述缸筒外伸入所述上液腔内与所述活塞总成连接。
在其中一个实施例中,所述缸筒包括筒体、上端盖和下端盖,所述上端盖和所述下端盖分别安装于所述筒体的两端,所述活塞杆穿过所述上端盖伸出到所述缸筒外。
在其中一个实施例中,所述上端盖内设有用于对所述活塞杆进行导向的导向环。
上述全通道有效磁流变减振器及其活塞总成,导磁环朝靠近阻磁环的方向壁厚逐渐减小,可以有效解决导磁环易发生磁饱和现象,导致的难以工程应用的问题,尤其是针对小尺寸磁流变减振器优势更加明显。同时能有效增大通过导磁环的磁通量,使得阻尼通道的磁场强度分布更加均匀,进一步增大其输出阻尼力与可调范围。相对于传统的磁流变减振器拥有更长的阻尼通道有效工作长度,基本可以实现全阻尼通道有效,相同的结构尺寸限制下,拥有更大的输出阻尼力与可调范围。此外,该全通道有效磁流变减振器还具有结构简单、加工方便、易于装配的特点,尤其适用于小尺寸磁流变减振器,满足减振设备抗击振动与冲击的需求,具有很高的实际工程应用价值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式,下面将对具体实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1为一实施方式中全通道有效磁流变减振器的三维图;
图2为图1所示全通道有效磁流变减振器的剖视图;
图3为图2中活塞总成与活塞杆相连接的示意图;
图4为图3中的活塞总成与磁路简图;
图5为图3中的活塞总成截面区域划分图;
图6为普通磁流变减振器有限元仿真结果图;(a)磁力线分布图;(b)磁感应强度分布图;(c)磁场强度分布图;
图7为传统全通道有效磁流变减振器有限元仿真结果图;(a)磁力线分布图;(b)磁感应强度分布图;(c)磁场强度分布图;
图8为本发明全通道有效磁流变减振器有限元仿真结果图;(a)磁力线分布图;(b)磁感应强度分布图;(c)磁场强度分布图。
附图标记:
10-缸筒,12-筒体,14-下端盖,16-下端盖,18-导向环,20-浮动活塞,30-活塞总成,31-芯体,312-线圈槽,314-导线孔,316-主体,318-盖体,32-导磁环,33-阻磁环,34-外罩,35-第一支撑端盖,36-第二支撑端盖,40-活塞杆,42-导线通孔,44-入线孔,46-出线孔,50-阻尼通道,60-磁路结构。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此发明不受下面公开的具体实施的限制。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
请参阅图1及图2,一实施方式中的全通道有效磁流变减震器,包括缸筒10、浮动活塞20、活塞总成30及活塞杆40。
浮动活塞20滑动安装于缸筒10内,浮动活塞20将缸筒10的腔体分为气腔和液腔,气腔内设有气体,液腔内设有磁流变液。活塞总成30滑动安装于液腔内,活塞总成30将液腔分为上液腔和下液腔,活塞总成30的阻尼通道50连通上液腔和下液腔。活塞杆40从缸筒10外伸入上液腔内与活塞总成30连接。
当全通道有效磁流变减振器受到外界的振动与冲击时,活塞杆40带动活塞总成30在振动力的作用下与缸筒10之间发生相互运动,活塞总成30在液腔中上下运动,不断挤压磁流变液穿过活塞总成30中的阻尼通道50在上下液腔中流动,从而将外界振动与冲击产生的动能转换为热能进行耗散,达到减振的目的。活塞总成30在液腔中来回运动的过程中,由于活塞杆40的存在,导致活塞总成30在运动过程中流过上下液腔的磁流变液存在体积差,需要对其进行补偿,通过浮动活塞20在缸筒10中来回运动来实现体积补偿。
在一实施方式中,为了便于浮动活塞20和活塞总成30的拆装,缸筒10包括筒体12、下端盖14和上端盖16。浮动活塞20和活塞总成30滑动设置于筒体12内,上端盖16和下端盖14分别安装于筒体12的两端,实现将筒体12的两端封闭,活塞杆40穿过上端盖16伸出到缸筒10外。
在上述实施例的基础上,进一步地,上端盖16和下端盖14通过螺纹与筒体12的端部可拆卸连接,并通过密封圈进行静密封。活塞杆40与上端盖16之间采用密封圈进行动密封。上端盖16内设有导向环18,导向环18可以对活塞杆40进行导向。
在一实施方式中,气腔中充满高压氮气,配合浮动活塞20形成氮气弹簧补偿机构,通过氮气弹簧补偿机构中浮动活塞20在缸筒10中来回运动来实现体积补偿。可以理解的是,在其他实施方式中,气腔中也可以充满其他稳定气体,如空气等,实现浮动活塞20在缸筒10中运动实现体积补偿。
请一并参阅图3,活塞总成30包括芯体31、导磁环32、阻磁环33及外罩34。芯体31安装于活塞杆40上,芯体31设有线圈槽312,线圈槽312内设有线圈,且线圈的导线穿过活塞杆40与电源连接,实现线圈的通电。
在一实施方式中,活塞杆40内设有沿其轴向方向延伸的导线通孔42,活塞杆40还设有与所述导线通孔42连通的入线孔44及出线孔46,入线孔44及出线孔46分别位于导线通孔42的两端,芯体31上设有与线圈槽312连通的导线孔314。线圈槽312内线圈的导线依次经过导线孔314和入线孔44进入到导线通孔42内,然后经出线孔46穿出到活塞杆40外与电源连接。
在一实施方式中,芯体31包括主体316及盖体318,线圈槽312开设于主体316上,盖体318和主体316沿活塞杆40的轴向依次装配,盖体318将线圈限位于限位槽内。其中,芯体31为两部分构成,可以便于线圈缠绕到线圈槽312内,然后将盖体318与主体316拼接,将线圈槽312的一侧封闭,实现将线圈限位在限位槽内。
导磁环32安装于线圈槽312内,导磁环32设有两组,两组导磁环32沿活塞杆40的轴向依次设置。阻磁环33安装于线圈槽312内,两组导磁环32通过阻磁环33间隔,导磁环32朝靠近阻磁环33的方向壁厚逐渐减小。
在一实施方式中,两组导磁环32的结构相同,两组导磁环32关于阻磁环33对称布置。当然,在其他实施方式中,两组导磁环32也可以结构不同。每组导磁环32可以为一个完整的环形,导磁环32也可以由多个环形沿活塞杆40的轴向依次拼接形成。本实施方式中,导磁环32沿活塞杆40的轴向方向的截面为梯形,即导磁环32越靠近阻磁环33,其壁厚越小。导磁环32梯形截面的下底与芯体31连接,导磁环32的上底与阻磁环33连接,斜边紧贴线圈。
可以理解的是,在其他实施方式中,导磁环32沿活塞杆40轴向方向的截面可以为其他形状,只要导磁环32的壁厚朝靠近阻磁环33的方向逐渐减小即可。例如,导磁环32靠近线圈的表面可以为弧形,该弧形朝远离线圈的方向突出。
外罩34套设于芯体31外,外罩34实现将芯体31、导磁环32和阻磁环33容纳保护。在一实施方式中,外罩34和芯体31之间形成有供磁流变液通过的阻尼通道50,导磁环32和阻磁环33将线圈和阻尼通道50间隔开。具体地,芯体31和外罩34之间具有间隙,芯体31、外罩34、导磁环32和阻磁环33共同围成阻尼通道50。导磁环32和阻磁环33之间采用过盈配合,避免磁流变液从导磁环32和阻磁环33之间的间隙流入到线圈上。可以理解的是,在其他实施方式中,阻尼通道50也可以通过其他形式形成,只要阻尼通道50连通活塞总成30的两端即可。
在一实施方式中,芯体31的材料可以选用相对导磁率大于1的铁磁性材料,例如可以为铁、钴、镍等及其合金。导磁环32的材料可以选用相对导磁率大于1的铁磁性材料,例如可以为铁、钴、镍等及其合金。阻磁环33的材料可以选用导磁率小于1的抗磁性材料,例如可以为铜、锌、银、硅等。
在一实施方式中,活塞总成30还包括第一支撑端盖35和第二支撑端盖36,第一支撑端盖35和第二支撑端盖36设于外罩34内,且第一支撑端盖35和第二支撑端盖36分别位于芯体31的两端,阻尼通道50延伸贯穿第一支撑端盖35和第二支撑端盖36。活塞杆40穿设于芯体31内,活塞杆40设有轴肩,轴肩可以与第二支撑端盖36抵接定位第二支撑端盖36,活塞杆40的端部和第一支撑端盖35可拆卸连接,实现活塞总成30与活塞杆40的连接。具体地,活塞杆40的端部和第一支撑端盖35通过螺纹连接。
在一实施方式中,活塞总成30还包括导向环18,导向环18套设于外罩34外,导向环18用于对活塞总成30进行导向,保证活塞总成30在缸筒10内运动的顺畅和稳定。具体地,外罩34设有容纳槽,导向环18套设于容纳槽内,且导向环18突出外罩34的外壁。
在一实施方式中,全通道有效磁流变减振器的类型可以为任何形式的磁流变减振器。例如,可以为单筒单出杆、单筒双出杆、双筒单出杆、双筒双出杆或单线圈、多线圈以及剪切式、流动式、混合式等单一或组合形式的磁流变减振器。
请参阅图4,上述全通道有效磁流变减振器的磁路结构60如图所示:部分磁通由芯体31直接穿过阻尼通道50,部分磁通进入导磁环32再穿过阻尼通道50,从而增长了阻尼通道50的有效工作长度。如图6所示,对活塞总成30的截面进行区域划分,根据磁通均衡原理,全通道有效磁流变减振器的磁路设计满足下式:
φ2=B2S2=B2·π(R2-R3 2) (2)
φ8=B8S8=B8·π(R1 2-r2) (4)
φ9=B9S9=B8·πr2 (5)
其中,φi、Bi、Si,(i=1,2,…,9)分别表示区域A1~9的磁通量、磁感应强度和磁通面积,φf、Bf、Sf分别表示阻尼通道50处的磁通量、磁感应强度和磁通面积,其它尺寸示意如图6所示。
对导磁环32处的磁路进行计算,如图5所示,由于活塞总成30呈左右对称结构,仅以左侧结构为例,以导磁环32与芯体31连接处O点为原点设立坐标系,则有:
φ4x=φ5x=B4xS4x=B4x·π(R2 2-(R2-lx)2) (7)
其中,φ4x、φ5x表示以O为原点,沿x轴与原点距离为x处导磁环32截面的磁通量,B4x、B5x表示相应的磁感应强度,S4x、S5x表示相应的磁通面积,lx表示沿x轴与原点距离为x时导磁环32的截面宽度。则导磁环32最大磁通量φ4max、φ5max以及最小磁通量φ4min、φ5min有:
φ4max=φ5max=B4c·π(R2 2-(R2-lc)2) (8)
φ4min=φ5min=B4d·π(R2 2-(R2-ld)2) (9)
其中B4c、B4d分别表示导磁环32与芯体31连接处的磁感应强度以及导磁环32与阻磁环33连接处的磁感应强度。可得:
φf=φ6=φ7=φ2max=φ1+φ4max=φ3+φ5max=φ8+φ9 (10)
通过上述磁路设计方法,即可得到导磁环32与阻磁环33的尺寸范围,结合有限元分析方法,即可确定导磁环32与阻磁环33的较优尺寸。
进一步的,由于线圈槽312的横截面积Sb需要满足线圈缠绕的需求,有:
Sb≥εNSi (11)
Sb=(R2-R1-ld)Lb+(ld-lc)Ld (12)
其中,N为线圈匝数,Si为单匝线圈的横截面积,ε为考虑线圈缠绕之间留有间隙带来的放大系数,Ld为导磁环32沿x轴方向的长度。
由此,即可求出Ld的最大值Ldmax:
从而可以确定Ld的取值范围为:Ld≤Ldmax。由此,可以保证全通道有效磁流变减振器的线圈槽312横截面积满足线圈缠绕的需求。
采用Ansoft Maxwell电磁仿真有限元软件,对相同结构尺寸与材料的全通道有效磁流变减振器,与传统全通道有效磁流变减振器,以及普通磁流变减振器进行仿真对比,在该实例中选用芯体31材料为电工纯铁DT4形成铁芯,外罩34、活塞杆40、导磁环32材料均为45号钢,阻磁环33材料为铜,线圈材料为包漆铜线。
如图6所示,为单筒单出杆式普通磁流变减振器的有限元分析结果,从图6(a)中可以看出:普通磁流变减振器的磁力线都与阻尼通道50基本垂直,无明显漏磁现象,根据磁路设计原则要求,磁力线需尽量垂直通过工作间隙,这样才能最大限度地发挥磁场对磁流变液的控制效果。因此,该结构尺寸的磁流变减振器的磁力线分布基本合理,然而靠近线圈附近的阻尼通道50处基本无磁力线分布,阻尼通道50的有效工作长度较短,限制了该磁流变减振器的输出阻尼力与可调范围。
从图6(b)中可以看出:普通磁流变减振器最大磁感应强度出现在铁芯处,小于电工纯铁DT4的饱和磁感应强度1.6T,铁芯处不出现磁饱和现象;外罩34处最大磁感应强度小于45号钢的饱和磁感应强度1.5T。其余部分均不会发生磁饱和现象,满足实际需求。
从图6(c)中可以看出:普通磁流变减振器仅在工作缝隙处有磁场强度,其大小约在40~46kA/m之间,靠近线圈的阻尼通道50磁场强度几乎为零,阻尼通道50的有效工作长度较短。根据对普通磁流变减振器的有限元分析结果可以看出,该结构的磁流变减振器能够满足最基本工程需求,但其阻尼通道50有效工作长度太短,导致输出阻尼力与可调范围均较小,所以有必要对普通磁流变减振器进行结构优化,增大其输出阻尼力与可调范围。
如图7所示,为传统全通道有效磁流变减振器有限元分析结果,从图7(a)中可以看出:传统全通道有效磁流变减振器的磁力线,不仅能够保证与阻尼通道50基本垂直,同时磁力线几乎覆盖整个阻尼通道50,阻尼通道50有效工作长度增加90%以上。
然而,从图7(b)中可以看出:传统全通道有效磁流变减振器最大磁感应强度出现在导磁环32与铁芯连接处,超过了电工纯铁DT4和45号钢的饱和磁感应强度,这将会导致实际工程应用中导磁环32与铁芯比阻尼通道50先发生磁饱和现象,磁感应强度分布不合理。
从图7(c)中可以看出:传统全通道有效磁流变减振器最大磁场强度分布在阻尼通道50两侧,靠近线圈的阻尼通道50磁场强度在10~18kA/m之间,与普通磁流变减振器对比有所增加,但改善效果不明显。根据对传统全通道有效磁流变减振器的有限元分析结果可以看出,虽然该结构可以有效增加阻尼通道50的有效工作长度,但靠近线圈的阻尼通道50处磁场强度大小增加不大,改善效果并不明显。同时,传统全通道有效磁流变减振器存在导磁环32和铁芯的磁饱和问题,磁感应强度分布不合理,该问题严重限制了传统全通道有效磁流变减振器的实际工程应用。
如图8所示,为本发明全通道有效磁流变减振器有限元分析结果,从图8(a)中可以看出:全通道有效磁流变减振器的磁力线能够保证与阻尼通道50基本垂直,并且几乎覆盖了整个阻尼通道50,基本实现全通道有效。
从图8(b)中可以看出:本发明全通道有效磁流变减振器最大磁感应强度出现在芯体31处,为1.59T,小于电工纯铁DT4的饱和磁感应强度;梯形截面导磁环32处最大磁感应强度发生在导磁环32与芯体31连接处,小于45号钢的饱和磁感应强度;活塞其余部分均不发生磁饱和现象,满足实际需求。
从图8(c)中可以看出:本发明全通道有效磁流变减振器最大磁场强度分布在阻尼通道50两侧,靠近线圈的阻尼通道50磁场强度在27~35kA/m之间,相对于普通磁流变减振器与传统全通道有效磁流变减振器改善效果明显,全阻尼通道50的磁场强度大小分布较为均匀。根据对该全通道有效磁流变减振器的有限元分析结果可以看出,该结构的磁流变减振器不仅能够解决导磁环32与芯体31的磁饱和问题,磁感应强度分布合理,同时能够显著的增加靠近线圈处的阻尼通道50磁场强度,全阻尼通道50的磁场强度分布更加均匀,实现真正意义上的全阻尼通道50有效,并且能够满足实际工程应用的需求。
由图7(a)与图8(a)可知,磁力线沿着导磁环32逐渐穿过阻尼通道50进入外罩34中。由此可见在导磁环32中靠近芯体31的一端磁力线密度高,而靠近阻磁环33的一端磁力线密度低。这反映了在导磁环32中从芯体31端到阻磁环33端的磁通量是逐渐减少的。传统全通道有效磁流变减振器导磁环32的磁通面积恒定不变,这使得导磁环32靠近芯体31端的磁感应强度过高,易发生磁饱和现象,而在靠近阻磁环33端的磁感应强度几乎为零。而本发明全通道有效磁流变减振器的导磁环32呈现变截面形状,导磁环32靠近芯体31端的磁通面积大,靠近阻磁环33端的磁通面积小,导磁环32的磁通面积变化与磁通量的变化一致,因此导磁环32中磁感应强度更为均匀,不易发生磁饱和现象。
通过该有限元仿真分析可以看出,本发明能显著提高磁流变减振器阻尼通道50的有效工作长度,同时能解决传统全通道有效磁流变减振器导磁环32易发生磁饱和的问题,能有效增加磁流变减振器的阻尼力和可调倍数,并且具有结构简单、加工方便、易于装配的特点,尤其适用于小尺寸磁流变减振器,满足减振设备抗击振动与冲击的实际需求,具有很高的工程应用价值。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (10)
1.一种活塞总成,设有供磁流变液通过的阻尼通道,其特征在于,包括:
芯体,用于安装于活塞杆上,所述芯体设有线圈槽,所述线圈槽内设有线圈,且所述线圈的导线穿过所述活塞杆与电源连接;
导磁环,安装于所述线圈槽内,所述导磁环设有两组,两组所述导磁环沿所述活塞杆的轴向依次设置;
阻磁环,安装于所述线圈槽内,两组所述导磁环通过所述阻磁环间隔,且所述导磁环朝靠近所述阻磁环的方向壁厚逐渐减小;及
外罩,套设于所述芯体外。
2.根据权利要求1所述的活塞总成,其特征在于,还包括第一支撑端盖和第二支撑端盖,所述第一支撑端盖和所述第二支撑端盖设于所述外罩内,且所述第一支撑端盖和所述第二支撑端盖分别位于所述芯体的两端。
3.根据权利要求2所述的活塞总成,其特征在于,所述活塞杆穿设于所述芯体内,所述活塞杆设有定位所述第二支撑端盖的轴肩,所述活塞杆的端部和所述第一支撑端盖可拆卸连接。
4.根据权利要求1所述的活塞总成,其特征在于,所述芯体包括主体及盖体,所述线圈槽开设于所述主体上,所述盖体和所述主体沿所述活塞杆的轴向依次装配,所述盖体将所述线圈限位于所述限位槽内。
5.根据权利要求1所述的活塞总成,其特征在于,所述导磁环沿所述活塞杆轴向方向的截面为梯形。
6.根据权利要求1所述的活塞总成,其特征在于,还包括导向环,所述导向环套设于所述外罩外。
7.根据权利要求1所述的活塞总成,其特征在于,所述芯体的材料选用相对磁导率大于1的铁磁性材料;或
所述导磁环的材料选用相对磁导率大于1的铁磁性材料;或
所述阻磁环的材料选用相对磁导率小于1的抗磁性材料。
8.一种全通道有效磁流变减振器,其特征在于,包括:
缸筒;
浮动活塞,滑动安装于所述缸筒内,以将所述缸筒的腔体分为气腔和液腔,所述气腔内设有气体,所述液腔内设有磁流变液;
权利要求1-7任意一项所述的活塞总成,滑动安装于所述液腔内,所述活塞总成将所述液腔分为上液腔和下液腔,所述活塞总成的阻尼通道连通所述上液腔和所述下液腔;及
活塞杆,从所述缸筒外伸入所述上液腔内与所述活塞总成连接。
9.根据权利要求8所述的全通道有效磁流变减振器,其特征在于,所述缸筒包括筒体、上端盖和下端盖,所述上端盖和所述下端盖分别安装于所述筒体的两端,所述活塞杆穿过所述上端盖伸出到所述缸筒外。
10.根据权利要求9所述的全通道有效磁流变减振器,其特征在于,所述上端盖内设有用于对所述活塞杆进行导向的导向环。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210233766.9A CN114576300B (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 全通道有效磁流变减振器及其活塞总成 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114576300A true CN114576300A (zh) | 2022-06-03 |
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Family
ID=81779234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202210233766.9A Active CN114576300B (zh) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | 全通道有效磁流变减振器及其活塞总成 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN114576300B (zh) |
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