CN114566774B - 移相器、具有移相器的天线单元及具有移相器的天线装置 - Google Patents

移相器、具有移相器的天线单元及具有移相器的天线装置 Download PDF

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CN114566774B CN202210347771.2A CN202210347771A CN114566774B CN 114566774 B CN114566774 B CN 114566774B CN 202210347771 A CN202210347771 A CN 202210347771A CN 114566774 B CN114566774 B CN 114566774B
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Abstract

一种移相器、具有移相器的天线单元及具有移相器的天线装置，此移相器包含第一基板、第二基板、液晶层、多个第一环形电极以及多个第二环形电极。第一基板与第二基板相对设置。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。多个第一环形电极按序且间隔设置于第一基板靠近液晶层的一侧。多个第二环形电极按序且间隔设置于第二基板靠近液晶层的一侧。多个第一环形电极在第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于多个第二环形电极。

Description

移相器、具有移相器的天线单元及具有移相器的天线装置
技术领域
本公开文件有关相位阵列天线技术，特别涉及一种能改变液晶旋转角度以调整射频信号相位的移相器与相关的天线单元以及天线装置。
背景技术
阵列天线能通过电子元件改变其波束的合成方式，从而调整扫描方向。相较于以机械结构旋转的天线，阵列天线具有体积小与扫描速率高的优点。阵列天线的关键元件是移相器和天线电极，移相器用于将射频信号馈入天线电极。通过利用多个移相器将多个射频信号设为不同的相位，可以在特定方向上实现多个射频信号的建设性干涉，从而将阵列天线的扫描方向调整至此特定方向。
发明内容
本公开文件提供一种移相器，此移相器包含第一基板、第二基板、液晶层、多个第一环形电极以及多个第二环形电极。第一基板与第二基板相对设置。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。多个第一环形电极按序且间隔设置于第一基板靠近液晶层的一侧。多个第二环形电极按序且间隔设置于第二基板靠近液晶层的一侧。多个第一环形电极在第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于多个第二环形电极。
本公开文件提供一种天线单元，此天线单元包含天线电极、第一基板、第二基板、液晶层以及移相器。第一基板与第二基板相对设置。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。移相器用于将射频信号馈入天线电极，且包含多个第一环形电极与多个第二环形电极。多个第一环形电极按序且间隔设置于第一基板靠近液晶层的一侧。多个第二环形电极按序且间隔设置于第二基板靠近液晶层的一侧。多个第一环形电极在第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于多个第二环形电极。
本公开文件提供一种天线装置，此天线装置包含第一基板、第二基板、液晶层以及多个天线单元。第一基板与第二基板相对设置。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。多个天线单元排列成具有多行和多列的天线矩阵。每个天线单元包含天线电极与移相器。移相器用于将射频信号馈入天线电极，且包含多个第一环形电极与多个第二环形电极。多个第一环形电极按序且间隔设置于第一基板靠近液晶层的一侧。多个第二环形电极按序且间隔设置于第二基板靠近液晶层的一侧。多个第一环形电极在第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于多个第二环形电极。
上述移相器的优点之一，在于能通过小面积的电路布局使射频信号产生大范围的相位偏移。
上述天线单元的优点之一，在于电路布局面积小，且能使其发射的射频信号产生大范围的相位偏移。
天线装置的优点之一，在于轻薄且具有广扫描角度。
附图说明
图1为依据本公开文件一实施例的移相器的爆炸图。
图2为图1的微带线和第一环形电极的放大示意图。
图3为图1的第二环形电极、第三环形电极以及第四环形电极的放大示意图。
图4为图1的移相器的俯视示意图。
图5为依据本公开文件一实施例的微带线和第一环形电极的放大示意图。
图6为依据本公开文件一实施例的微带线和第一环形电极的放大示意图。
图7为依据本公开文件一实施例的第二环形电极、第三环形电极以及第四环形电极的放大示意图。
图8A为依据本公开文件一些实施例的移相器提供的最大相位偏移量的示意图。
图8B为依据本公开文件一些实施例的移相器提供的最大相位偏移量的示意图。
图8C为依据本公开文件一些实施例的移相器提供的最大相位偏移量的示意图。
图9为依据本公开文件一实施例的天线单元的俯视示意图。
图10为沿着图9中剖线的剖面示意图。
图11为依据本公开文件一实施例的天线装置的俯视示意图。
附图标记说明：
10：移相器
11：第一基板
12：第二基板
13：液晶层
14_1～14_4,14：第一环形电极
15_1～15_4,15：第二环形电极
16_1～16_4,16：第三环形电极
17_1～17_4,17：第四环形电极
18,68：微带线
19：第一接地电极
20：第二接地电极
21：第一导电段
22：第二导电段
23,63：子电极
Sa,Sa’：第一间距
Sb,Sb’：第二间距
DL：长度方向
DW：宽度方向
LE：宽度
AA’：剖线
90：天线单元
91：第一基板
92：第二基板
93：第三基板
94：液晶层
95：天线电极
96：移相器
97：第一接地电极
98：第二接地电极
SL：槽孔
110：天线装置
111：天线矩阵
具体实施方式
以下将配合相关附图来说明本公开文件的实施例。在附图中，相同的标号表示相同或类似的元件或方法流程。
图1为依据本公开文件一实施例的移相器10的爆炸图。移相器10包含第一基板11、第二基板12、液晶层13、第一环形电极14_1～14_4、第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4、第四环形电极17_1～17_4以及微带线18。第一基板11与第二基板12相对设置，且液晶层13设置于第一基板11和第二基板12之间。第一环形电极14_1～14_4按序且间隔设置于第一基板11靠近液晶层13的一侧。第二环形电极15_1～15_4按序且间隔设置于第二基板12靠近液晶层13的一侧。第三环形电极16_1～16_4和第四环形电极17_1～17_4设置于第二基板12靠近液晶层13的一侧，且第三环形电极16_1～16_4和第四环形电极17_1～17_4分别设置于第二环形电极15_1～15_4的相对两侧。
微带线18设置于第一基板11靠近液晶层13的一侧。微带线18用于将射频信号自发射端电路(Tx，未示出)通过移相器10传送至天线电极(如后述图9的天线电极95)。第一环形电极14_1～14_4、第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4用于形成电场以使液晶层130偏转，从而改变液晶层130的介电常数，进而改变通过移相器10的射频信号的相位。
在一些实施例中，移相器10还包含第一接地电极19和第二接地电极20。第一接地电极19设置于第一基板11远离液晶层13的一侧，亦即第一接地电极19与第一环形电极14_1～14_4设置于第一基板11的相对两侧。第二接地电极20设置于第二基板12远离液晶层13的一侧，亦即第二接地电极20与第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4设置于第二基板12的相对两侧。
在一些实施例中，第一基板11和第二基板12可以由合适的介电质材料制作，例如玻璃或陶瓷材料。
在一些实施例中，第一环形电极14_1～14_4、第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4可以由铜、铝、银、钛、钼、铬或以上金属材料的复合镀层来实现；或者也可以由可导电的金属氧化物材料来实现，例如氧化铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)。
图2为图1的微带线18和第一环形电极14_1～14_4的放大示意图。微带线18包含第一导电段21和第二导电段22，其中第一导电段21和第二导电段22可以具有相同的长度方向DL与宽度方向DW。在一些实施例中，第一导电段21用于自发射端电路(Tx，未示出)接收射频信号，而第二导电段22用于将射频信号馈入天线电极(例如后述图9的天线电极95)。第一环形电极14_1～14_4在长度方向DL上按序排列于第一导电段21和第二导电段22之间。第一环形电极14_1～14_4中的任意相邻两者具有第一间距Sa，亦即第一环形电极14_1～14_4彼此直流绝缘，且可以相同的间隔排列。在一些实施例中，第一间距Sa可以是10～20μm。
第一导电段21和第一环形电极14_1之间具有间隔，第二导电段22和第一环形电极14_4之间也具有间隔，亦即第一导电段21和第二导电段22没有直接电性连接于第一环形电极14_1～14_4。换言之，第一环形电极14_1～14_4用于在与第一导电段21和第二导电段22直流绝缘的情形下，将交流的射频信号自第一导电段21传递至第二导电段22。
图3为图1的第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4的放大示意图。第二环形电极15_1～15_4在长度方向DL上按序且间隔排列。相似地，第三环形电极16_1～16_4与第四环形电极17_1～17_4也在长度方向DL上按序且间隔排列。第二环形电极15_1～15_4中的任意相邻两者具有第二间距Sb，亦即第二环形电极150_1～150_4彼此直流绝缘，且可以相同的间隔排列。相似地，第三环形电极16_1～16_4中的任意相邻两者具有第二间距Sb，且第四环形电极17_1～17_4中的任意相邻两者具有第二间距Sb。在一些实施例中，第二间距Sb可以是10～20μm。
第三环形电极16_1～16_4分别设置于第二环形电极15_1～15_4在宽度方向DW上的第一侧(例如左侧)。第四环形电极17_1～17_4分别设置于第二环形电极15_1～15_4在宽度方向DW上相对于第一侧的第二侧(例如右侧)。例如，第二环形电极15_1在宽度方向DW上的两侧分别相邻于第三环形电极16_1和第四环形电极17_1。又例如，第二环形电极15_2在宽度方向DW上的两侧分别相邻于第三环形电极16_2和第四环形电极17_2，依此类推。
图4为图1的移相器10的俯视示意图。为使图面简洁，图4省略了图1中的第一基板11、液晶层13、第一接地电极19和第二接地电极20。第一环形电极14_1～14_4在第二基板12上的多个垂直投影会(1)分别至少部分重叠于第二环形电极15_1～15_4、(2)分别至少部分重叠于第三环形电极16_1～16_4以及(3)分别至少部分重叠于第四环形电极17_1～17_4。例如，第一环形电极14_1在第二基板12上的垂直投影至少部分重叠于第二环形电极15_1、第三环形电极16_1和第四环形电极17_1，且可以不重叠于其他环形电极。又例如，第一环形电极14_2在第二基板12上的垂直投影至少部分重叠于第二环形电极15_2、第三环形电极16_2和第四环形电极17_2，且可以不重叠于其他环形电极，依此类推。
一个环形电极中与其他环形电极重叠的区域会在移相器10中形成电容元件，而没有与其他环形电极重叠的部分会在移相器10形成电感元件。通过改变第一环形电极14_1～14_4、第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4接收到的直流偏压可以改变液晶层13的介电常数，从而改变移相器10的电容值，进而改变通过移相器10的射频信号的相位。
图5为依据本公开文件一实施例的微带线18和第一环形电极14_1～14_4的放大示意图。移相器10可以包含图5的微带线18和第一环形电极14_1～14_4，且包含图3的第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4，亦即以图5中的元件取代图2中的对应元件。由于图5与图2的实施例相似，以下仅就差异之处详细说明。在图5的实施例中，微带线18还包含于长度方向DL上按序设置的多个子电极23，且每个子电极23设置于第一环形电极14_1～14_4中相邻的两者之间。多个子电极23没有直接电性连接于第一环形电极14_1～14_4，亦即多个子电极23可以直流绝缘于第一环形电极14_1～14_4。在一些实施例中，多个子电极23与第一环形电极14_1～14_4用于接收相同的直流偏压。
子电极23能使移相器10的正向传输系数(S21)曲线在射频信号的工作频率附近平坦化，以增加移相器10的频宽。
图6为依据本公开文件一实施例的微带线68和第一环形电极14_1～14_4的放大示意图。图7为依据本公开文件一实施例的第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4的放大示意图。移相器10可以包含图6的微带线68和第一环形电极14_1～14_4，且包含图7的第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4，亦即以图6中的元件取代图2中的对应元件，且以图7中的元件取代图3中的对应元件。由于图6和图7的实施例分别相似于图2和图3的实施例，以下仅就差异之处详细说明。
在图6的实施例中，微带线68还包含于长度方向DL上按序设置的多个子电极63，每个子电极63设置于第一环形电极14_1～14_4中相邻的两者之间，且多个子电极63没有直接电性连接于第一环形电极14_1～14_4。第一环形电极14_1～14_4中任意相邻的两者具有第一间距Sa’，且第一间距Sa’被实质上设为nλ0。n为介于0至1之间的一数值，且λ0为微带线68上的射频信号经由天线电极(例如后述图9的天线电极95)发射后于一自由空间中的波长。在一些实施例中，子电极63在长度方向DL上的长度被实质上设为nλ0。在图7的实施例中，第二环形电极15_1～15_4中任意相邻的两者具有第二间距Sb’，第三环形电极16_1～16_4中任意相邻的两者具有第二间距Sb’，且第四环形电极17_1～17_4中任意相邻的两者具有第二间距Sb’。为了使第一环形电极14_1～14_4在第二基板12上的垂直投影能够分别至少部分重叠于第二环形电极15_1～15_4、分别至少部分重叠于第三环形电极16_1～16_4以及分别至少部分重叠于第四环形电极17_1～17_4，第二间距Sb’也被实质上设为nλ0。
较宽的第一间距Sa’与第二间距Sb’提升了天线电极(例如图9的天线电极95)的阻抗频宽。另外，每个环形电极会自一偏压走线(未示出)接收直流偏压，而较宽的第一间距Sa’与第二间距Sb’增加了偏压走线彼此之间的距离，从而避免偏压走线影响环形电极彼此之间的耦合效应。
由上述的多个实施例可知，第一环形电极14_1～14_4、第二环形电极15_1～15_4、第三环形电极16_1～16_4以及第四环形电极17_1～17_4可以具有相同的数量(例如4个)，但图1～7中环形电极的数量仅为示例性的实施例，本公开文件不以此为限。环形电极的数量可以依据需要的相位偏移量而调整。为方便说明，以下将以标号14指称不特定数量的所有第一环形电极；以标号15指称不特定数量的所有第二环形电极；以标号16指称不特定数量的所有第三环形电极；并以标号17指称不特定数量的所有第四环形电极。
在一些实施例中，第一环形电极14、第二环形电极15、第三环形电极16以及第四环形电极17中每一种环形电极的数量可以为2～7个。
在一些实施例中，图5中子电极23的数量可以随着第一环形电极14的数量而调整，例如当第一环形电极14的数量为2时，子电极23的数量为1，亦即微带线18可以包含至少一个子电极23。相似地，图6的微带线68可以包含至少一个子电极63。
在一些实施例中，第一环形电极14、第二环形电极15、第三环形电极16以及第四环形电极17的形状可以是圆环形或方环形。
在一些实施例中，第三环形电极16以及第四环形电极17可以自移相器10中省略。
图8A～8C为依据本公开文件一些实施例的移相器10提供的最大相位偏移量的示意图。最大相位偏移量指的是在射频信号具有特定的工作频率(例如24.4GHz)的情况下，射频信号通过最小电容值的移相器10与通过最大电容值的移相器10所产生的相位差异。在图8A～8C的实施例中，移相器10包含图5的微带线18和第一环形电极14，且包含图3的第二环形电极15、第三环形电极16以及第四环形电极17。
在图8A的实施例中，第一环形电极14、第二环形电极15、第三环形电极16以及第四环形电极17中每一种环形电极的数量皆为2个，且这些环形电极在长度方向DL上排列的总长度约为2.2mm(亦即每个环形电极在长度方向DL上的宽度LE(标示于图2)约为1.1mm)，此时移相器10可使射频信号的相位产生135°的最大相位偏移量。在图8B的实施例中，每种环形电极的数量皆为3个，且这些环形电极在长度方向DL上排列的总长度约为3.3mm，此时移相器10可使射频信号的相位产生170°的最大相位偏移量。在图8C的实施例中，每种环形电极的数量皆为4个，且这些环形电极在长度方向DL上排列的总长度约为4.4mm，此时移相器10可使射频信号的相位产生225°的最大相位偏移量。
另外，根据实验结果，在每种环形电极的数量皆为7个的情形下，移相器10可提供超过360°(例如395°)的最大相位偏移量。总而言之，移相器10的优点在于能通过小面积的电路布局使射频信号产生大范围的相位偏移。
图9为依据本公开文件一实施例的天线单元90的俯视示意图。图10为沿着图9中剖线AA’的剖面示意图。请同时参考图9与图10，天线单元90包含第一基板91、第二基板92、第三基板93、液晶层94、天线电极95、移相器96、第一接地电极97以及第二接地电极98。在图9的俯视视角下，移相器96被第一基板91所覆盖，然为了方便说明移相器96的位置，移相器96在图9中被示出为可见。
在一些实施例中，移相器96可以由前述任一实施例的移相器10来实现，此时图10的第一基板91、第二基板92、液晶层94、第一接地电极97以及第二接地电极98可以分别用于形成移相器10的第一基板11、第二基板12、液晶层13、第一接地电极19以及第二接地电极20。换言之，图10的第一基板91、第二基板92、液晶层94、第一接地电极97以及第二接地电极98的设置方式相似于图1的第一基板11、第二基板12、液晶层13、第一接地电极19以及第二接地电极20，故相关内容不重复赘述。
在本实施例中，天线电极95为贴片天线，但本公开文件不以此为限。在一些实施例中，天线电极95也可以用其他合适种类的天线来实现，例如倒F形天线或微带天线。移相器96的微带线延伸至天线电极95下方以将射频信号馈入天线电极95，亦即在移相器96是以移相器10实现的情况下，天线电极95于第一基板91上的垂直投影会至少部分重叠于移相器10的第二导电段22。
第一接地电极97设置于第一基板91远离液晶层94的一侧，且位于天线电极95与第一基板91之间。第一接地电极97包含槽孔SL，在移相器96是以移相器10实现的情况下，槽孔SL在第一基板91上的垂直投影会至少部分重叠于移相器10的第二导电段22。槽孔SL用于避免第一接地电极97妨碍天线电极95与移相器96的微带线之间的耦合效应。第三基板93设置于第一接地电极97远离第一基板91的一侧，且第三基板93位于天线电极95与第一接地电极97之间。在一些实施例中，第三基板93可以由各种合适的介电质材料制作，例如玻璃、陶瓷或塑胶材料。
总而言之，天线单元90的优点在于电路布局面积小，且能使其发射的射频信号产生大范围的相位偏移。
图11为依据本公开文件一实施例的天线装置110的俯视示意图。天线装置110包含多个图9的天线单元90，且多个天线单元90排列成包含多行与多列的天线矩阵111。换言之，天线装置110可以包含前述的第一基板91、第二基板92、液晶层94、第一接地电极97以及第二接地电极98。多个天线单元90可以自相同的发射端电路(未示出)接收射频信号，亦即多个移相器96的微带线可以互相耦接。每个移相器96的直流偏压可以独立控制，从而使得多个天线单元90所发射的射频信号具有不同的相位偏移量，进而使天线装置110可以被操作为相位阵列天线。
由上述可知，天线装置110轻薄且具有广扫描角度，使得天线装置110适合在居家照护的应用情境中追踪移动的照护对象，以实时获取照护对象的生理信息(例如通过测量胸腔起伏的频率计算呼吸频率)。
在说明书及权利要求中使用了某些词汇来指称特定的元件。然而，所属技术领域中技术人员应可理解，同样的元件可能会用不同的名词来称呼。说明书及权利要求并不以名称的差异做为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来做为区分的基准。在说明书及权利要求所提及的“包含”为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。另外，“耦接”在此包含任何直接及间接的连接手段。因此，若文中描述第一元件耦接于第二元件，则代表第一元件可通过电性连接或无线传输、光学传输等信号连接方式而直接地连接于第二元件，或者通过其他元件或连接手段间接地电性或信号连接至该第二元件。
另外，除非说明书中特别指明，否则任何单数格的用语都同时包含复数格的涵义。
以上仅为本公开文件的优选实施例，凡依本公开文件权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本公开文件的涵盖范围。

Claims (17)

1.一种移相器，包含：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；
多个第一环形电极，按序且间隔设置于该第一基板靠近该液晶层的一侧；
多个第二环形电极，按序且间隔设置于该第二基板靠近该液晶层的一侧，其中该多个第一环形电极在该第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于该多个第二环形电极；以及
一微带线，设置于该第一基板靠近该液晶层的该侧，包含具有一长度方向的一第一导电段和一第二导电段，其中该第一导电段用于接收一射频信号，该第二导电段用于输出该射频信号，
其中该多个第一环形电极在该长度方向上按序排列于该第一导电段和该第二导电段之间，且用于在与该第一导电段和该第二导电段直流绝缘的情形下，将该射频信号自该第一导电段传递至该第二导电段。
2.如权利要求1所述的移相器，其中，该微带线还包含于该长度方向上按序设置的至少一子电极，
其中每个子电极设置于该多个第一环形电极中相邻的两者之间，且该至少一子电极直流绝缘于该多个第一环形电极。
3.如权利要求1所述的移相器，其中，该多个第一环形电极中相邻的两者具有一第一间距，且该第一间距实质上为nλ0，n为介于0至1之间的一数值，且λ0为该射频信号于一自由空间中的一波长。
4.如权利要求1所述的移相器，还包含多个第三环形电极和多个第四环形电极，
其中该多个第三环形电极和该多个第四环形电极设置于该第二基板靠近该液晶层的一侧，且该多个第三环形电极分别设置于该多个第二环形电极的一第一侧，该多个第四环形电极分别设置于该多个第二环形电极相对于该第一侧的一第二侧，
其中该多个第一环形电极在该第二基板上的该多个垂直投影分别至少部分重叠于该多个第三环形电极，且分别至少部分重叠于该多个第四环形电极。
5.如权利要求4所述的移相器，其中，该多个第二环形电极中相邻的两者具有一第二间距，该多个第三环形电极中相邻的两者具有该第二间距，且该多个第四环形电极中相邻的两者具有该第二间距，其中该第二间距实质上为nλ0，n为介于0至1之间的一数值，且λ0为该射频信号于一自由空间中的一波长。
6.如权利要求1所述的移相器，还包含：
一第一接地电极，设置于该第一基板远离该液晶层的一侧；以及
一第二接地电极，设置于该第二基板远离该液晶层的一侧。
7.如权利要求1所述的移相器，其中，该多个第一环形电极和该多个第二环形电极为圆环形或方环形。
8.一种天线单元，包含：
一天线电极；
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；以及
一移相器，用于将一射频信号馈入该天线电极，且包含：
多个第一环形电极，按序且间隔设置于该第一基板靠近该液晶层的一侧；
多个第二环形电极，按序且间隔设置于该第二基板靠近该液晶层的一侧，其中该多个第一环形电极在该第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于该多个第二环形电极；以及
一微带线，设置于该第一基板靠近该液晶层的该侧，包含具有一长度方向的一第一导电段和一第二导电段，其中该第一导电段用于接收一射频信号，该第二导电段用于将该射频信号馈入该天线电极，该天线电极于该第一基板上的一垂直投影至少部分重叠于该第二导电段，
其中该多个第一环形电极在该长度方向上按序排列于该第一导电段和该第二导电段之间，且用于在与该第一导电段和该第二导电段直流绝缘的情形下，将该射频信号自该第一导电段传递至该第二导电段。
9.如权利要求8所述的天线单元，其中，该微带线还包含于该长度方向上按序设置的至少一子电极，
其中每个子电极设置于该多个第一环形电极中相邻的两者之间，且该至少一子电极直流绝缘于该多个第一环形电极。
10.如权利要求8所述的天线单元，其中，该多个第一环形电极中相邻的两者具有一第一间距，且该第一间距实质上为nλ0，n为介于0至1之间的一数值，且λ0为该射频信号于一自由空间中的一波长。
11.如权利要求8所述的天线单元，其中，该移相器还包含多个第三环形电极和多个第四环形电极，
其中该多个第三环形电极和该多个第四环形电极设置于该第二基板靠近该液晶层的一侧，且该多个第三环形电极分别设置于该多个第二环形电极的一第一侧，该多个第四环形电极分别设置于该多个第二环形电极相对于该第一侧的一第二侧，
其中该多个第一环形电极在该第二基板上的该多个垂直投影分别至少部分重叠于该多个第三环形电极，且分别至少部分重叠于该多个第四环形电极。
12.如权利要求11所述的天线单元，其中，该多个第二环形电极中相邻的两者具有一第二间距，该多个第三环形电极中相邻的两者具有该第二间距，且该多个第四环形电极中相邻的两者具有该第二间距，其中该第二间距实质上为nλ0，n为介于0至1之间的一数值，且λ0为该射频信号于一自由空间中的一波长。
13.如权利要求8所述的天线单元，还包含：
一第一接地电极，设置于该第一基板远离该液晶层的一侧，且位于该天线电极与该第一基板之间；以及
一第二接地电极，设置于该第二基板远离该液晶层的一侧。
14.如权利要求8所述的天线单元，其中，该多个第一环形电极和该多个第二环形电极为圆环形或方环形。
15.一种天线装置，包含：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；以及
多个天线单元，排列成具有多行和多列的一天线矩阵，其中每个天线单元包含：
一天线电极；以及
一移相器，用于将一射频信号馈入该天线电极，且包含：
多个第一环形电极，按序且间隔设置于该第一基板靠近该液晶层的一侧；
多个第二环形电极，按序且间隔设置于该第二基板靠近该液晶层的一侧，其中该多个第一环形电极在该第二基板上的多个垂直投影分别至少部分重叠于该多个第二环形电极；以及
一微带线，设置于该第一基板靠近该液晶层的该侧，包含具有一长度方向的一第一导电段和一第二导电段，其中该第一导电段用于接收一射频信号，该第二导电段用于将该射频信号馈入该天线电极，该天线电极于该第一基板上的一垂直投影至少部分重叠于该第二导电段，
其中该多个第一环形电极在该长度方向上按序排列于该第一导电段和该第二导电段之间，且用于在与该第一导电段和该第二导电段直流绝缘的情形下，将该射频信号自该第一导电段传递至该第二导电段。
16.如权利要求15所述的天线装置，其中，该微带线还包含于该长度方向上按序设置的至少一子电极，
其中每个子电极设置于该多个第一环形电极中相邻的两者之间，且该至少一子电极直流绝缘于该多个第一环形电极。
17.如权利要求15所述的天线装置，其中，该移相器还包含多个第三环形电极和多个第四环形电极，
其中该多个第三环形电极和该多个第四环形电极设置于该第二基板靠近该液晶层的一侧，且该多个第三环形电极分别设置于该多个第二环形电极的一第一侧，该多个第四环形电极分别设置于该多个第二环形电极相对于该第一侧的一第二侧，
其中该多个第一环形电极在该第二基板上的该多个垂直投影分别至少部分重叠于该多个第三环形电极，且分别至少部分重叠于该多个第四环形电极。
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