CN114566201A - 一种最优读电压确定方法、装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种最优读电压确定方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和第一最优读电压的第一电压值、以及存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布，第一电压值通过在存储块的阈值电压分布中搜索得到；根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。应用本申请实施例提供的方案，能够通过预测确定最优读电压，有效减少确定最优读电压过程中所需进行的电压搜索操作、读操作的次数，提高最优读电压确定效率。

Description

一种最优读电压确定方法、装置及电子设备

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，特别是涉及一种最优读电压确定方法、装置及电子设备。

背景技术

目前，存储设备的阈值电压分布会因为使用过程中各种因素的影响而发生变化，进而导致从存储设备中进行数据读取时的最优读电压的取值发生变化，而准确的最优读电压是保证数据读取完整性的关键，因此，如何有效确定最优读电压在数据存储领域仍是一个重要问题。

相关技术中，依次针对存储设备的阈值电压分布中的每个电压值进行读操作，根据读操作的结果判断该电压值是否为最优读电压对应的电压值，直至遍历搜索到所有最优读电压的电压值。但是该方式需要进行的搜索次数、读操作的次数过多，导致确定最优读电压的效率较低。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种最优读电压确定方法、装置及电子设备，以提高最优读电压的确定效率。具体技术方案如下：

在本发明实施例的第一方面，提供了一种最优读电压确定方法，所述方法包括：

获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

在本发明实施例的第二方面，提供了一种最优读电压确定装置，所述装置包括：

获取模块，用于获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到；

预测模块，用于根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

在本发明实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括：

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现上述第一方面任一所述的方法步骤。

在本发明实施例的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面任一所述的方法步骤。

本发明实施例有益效果：

本发明实施例提供的最优读电压确定方法、装置及电子设备，针对存储设备中的每个存储块，可以根据存储块的目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布对第二电压值进行预测，由于影响第一最优读电压和第二最优读电压的因素相近甚至相同，因此第二最优读电压的变化规律与第一最优读电压的变化规律存在一定的相似性，而目标状态参数、第一概率分布以及第一电压值都能够在一定程度上反映出第一最优读电压的变化，因此也能够在一定程度上反映出第二最优读电压的变化规律，而第二概率分布为第二最优读电压的取值对应的概率分布，因此第二概率分布能够反映出第二最优读电压值的变化规律，因此根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布能够预测出第二最优读电压的变化。从而预测出变化后的第二最优读电压的第二电压值。由于本发明仅需通过搜索的方式确定出第一电压值，即可根据确定出的第一电压值预测第二电压值，因此本发明无需针对每个最优读电压均进行搜索，有效减少了最优读电压过程中所需进行的电压搜索操作、读操作的次数，提高了最优读电压的确定效率。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。

图1为本发明实施例提供的最优读电压示意图；

图2a为本发明实施例提供的最优读电压确定方法的一种流程示意图；

图2b为本发明实施例提供的最优读电压确定方法中所使用的概率分布的一种示意图；

图3为本发明实施例提供的最优读电压确定方法的另一种流程示意图；

图4为本发明实施例提供的最优读电压确定方法的又一种流程示意图；

图5为本发明实施例提供的最优读电压确定方法的又一种流程示意图；

图6为本发明实施例提供的最优读电压确定装置的一种结构示意图；

图7为本发明实施例提供用于实现最优读电压确定方法的电子设备的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了更清楚的对本发明实施例提供的最优读电压确定方法进行说明，下面将对本发明实施例提供的最优读电压确定方法进行说明，可以理解的是，以下示例仅是发明实施例提供的最优读电压确定方法的一种可能的应用场景，在其他可能的实施例中，本发明实施例提供的最优读电压确定方法也可以应用于其他可能的应用场景中，以下示例对此不做任何限制。

存储设备(例如各种硬盘设备等)中包括多个存储块，每个存储块由多个存储单元组成，以为固态硬盘为例，固态硬盘中的存储块由多个闪存颗粒(即固态硬盘中的存储单元)组成。在写数据过程中，存储单元将根据所存储的数据被调整至不同的存储状态，示例性的，以MLC(Multi-Level Cell，双层存储单元)型的存储单元为例，每个MLC型的存储单元存储2位数据，而2位数据共有四种取值，对应于四种取值MLC型的存储单元存在四种存储状态，不同的存储状态与不同的取值对应。为方便描述，下文中假设四种存储状态分别为第一存储状态、第二存储状态、第三存储状态以及第四存储状态。且第一存储状态对应于数据“00”，第二存储状态对应于数据“01”，第三存储状态对应于数据“10”，第四存储状态对应于数据“11”。

则在读数据时，可以根据存储单元所处的存储状态确定该存储单元所存储的数据，从而实现数据的读取。例如，若存储单元处于第二存储状态，则可以确定该存储单元所存储的数据为“01”。

存储状态是按照存储单元的电压值所属取值区间区分的，而取值区间是根据最优读电压划分的。仍以MLC型的存储单元为例，假设写数据时四个存储状态各自对应的取值区域是通过三个最优读电压划分的，该三个最优读电压由小到大分别记为Va、Vb、Vc，若存储单元的电压值小于Va则该存储单元处于第一存储状态，若电压值大于Va且小于Vb则该存储单元处于第二存储状态，若电压值大于Vb且小于Vc则该存储单元处于第三存储状态，若电压值大于Vc则该存储单元处于第四存储状态。因此，若存储单元所存储的数据为“01”，则写数据时该存储单元的电压值将被调整至取值区间(Va，Vb)内。

但是受到各种因素的影响，如写入、擦除、读干扰、擦除干扰、数据保质期等，存储单元的电压将发生变化，导致存储单元的电压超出该存储单元所处的存储状态对应的取值范围，示例性的，处于第二存储状态的存储单元的电压变化后大于Vb。若读数据时，仍然按照原先的最优读电压划分出的取值区间区分存储单元的存储状态，则可能错误的确定存储单元的存储状态，从而导致读取到的数据错误。

因此，在读数据时需要确定用于划分取值区间的最优读电压。相关技术中，可以依次针对每个电压值，以该电压值为读电压进行读操作，并记录电子数。统计不同电压值时记录的电子数，查找到电子数位于谷值的电压值，确定为最优读电压的电压值(下文称该方式为遍历搜索)。

示例性的，以MLC型的存储单元为例，假设电子个数与读电压之间的关系如图1所示，可见当读电压的电压值为Va、Vb以及Vc时，电子数位于谷值，因此MLC型的存储单元的三个最优读电压分别为Va、Vb以及Vc。

但是该遍历搜索的方式需要多次进行读操作，对于最优读电压较多的存储块，如以QLC(Quad-Level Cell，四层存储单元)型的存储单元组成的存储块，效率较低。

基于此，本发明实施例提供了一种最优读电压确定方法，该方法可以由硬盘设备、电脑、服务器等具有计算能力的电子设备执行，尤其是集成在硬盘设备中执行时，可以极大提升硬盘设备的性能，提高用户针对硬盘设备的使用体验。

如图2a所示，本发明实施例提供的一种最优读电压确定方法可以包括：

S201，获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布、第一最优读电压的第一电压值、以及存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布。

其中，第一电压值通过在存储块的阈值电压分布中搜索得到。阈值电压分布中包括了多种可以用于读操作的读电压，包括最优读电压对应的取值以及非最优读电压对应的取值。

S202，根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。

选用该实施例，可以根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布对第二电压值进行预测，由于影响第一最优读电压和第二最优读电压的因素相近甚至相同，因此第二最优读电压的变化规律与第一最优读电压的变化规律存在一定的相似性，而目标状态参数、第一概率分布以及第一电压值都能够在一定程度上反映出第一最优读电压的变化，因此也能够在一定程度上反映出第二最优读电压的变化规律，而第二概率分布为第二最优读电压的取值对应的概率分布，因此第二概率分布能够反映出第二最优读电压值的变化规律，因此根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布能够预测出第二最优读电压的变化。从而预测出变化后的第二最优读电压的第二电压值。由于本发明仅需通过搜索的方式确定出第一电压值，即可根据确定出的第一电压值预测第二电压值，因此本发明无需针对每个最优读电压均进行搜索，有效减少了确定最优读电压过程中所需进行的电压搜索操作、读操作的次数，提高了最优读电压的确定效率。

示例性的，以QLC型的存储单元组成的存储块为例，由于每个QLC存储4位数据，因此存在16个存储状态，需要确定15个最优读电压的电压值，并且以QLC型的存储单元组成的存储块中存在四种类型的逻辑页，分别为LP、MP、UP以及XP，其中LP存在3个最优读电压分别记为最优读电压2、最优读电压8、最优读电压14，MP存在4个最优读电压，分别记为最优读电压3、最优读电压7、最优读电压9、最优读电压13，UP存在4个最优读电压，分别记为最优读电压5、最优读电压10、最优读电压12、最优读电压15，XP存在4个最优读电压，分别记为最优读电压1、最优读电压4、最优读电压6、最优读电压11，若通过搜索的方式确定一个最优读电压的电压值需要M次读操作，则相关技术中需要共计15*M次读操作。而选用本发明实施例提供的最优读电压确定方式，针对每种类型的逻辑页仅需通过搜索的方式确定部分最优读电压的电压值即可，假设部分最优读电压为两个最优读电压，则本发明实施例提供的最优读电压确定方法可以通过搜索的方式确定该两个最优读电压的电压值，再预测得到该逻辑页剩余的最优读电压的电压值，示例性的，以LP为例，则通过搜索的方式确定最优读电压2、最优读电压8的电压值，并基于最优读电压2、最优读电压8的电压值，预测得到最优读电压14的电压值，又以MP为例，通过搜索的方式确定最优读电压3和最优读电压7的电压值，并基于最优读电压3和最优读电压7的电压值，预测得到最优读电压9的电压值，再基于最优读电压3、最优读电压7以及最优读电压9的电压值，预测得到最优读电压13的电压值，UP、XP同理于MP，在此不再赘述。因此共计需要共计2*M*4＝8*M次读操作。可见，选用本发明实施例提供的最优读电压确定方法能够有效降低所需读操作的次数，提高最优读电压的确定效率。

下面将分别对前述S201-S202进行说明：

在S201中，目标读写状态可以用于表征存储块的存储性能，可以是指存储块当前所处的当前读写状态，也可以是指当前读写状态以外的其他读写状态，如用户预期中读数据时存储块应当处于的读写状态。根据应用场景的不同，目标读写状态可以以不同的目标状态参数进行表示。示例性的，在一种可能的实施例中，目标状态参数包括以下参数中的一个或多个：

用于表示写入擦除循环(P/E Cycle)的参数、用于表示读干扰(Read Disturb)的参数、用于表示写干扰(Program Disturb)的参数、用于表示数据保质期(Data Retention)的参数。

第一最优读电压的数目可以为一个，也可以为多个。当第一最优读电压为多个时，第一最优读电压的取值对应的第一概率分布是指每个第一最优读电压各自对应的第一概率分布，第一最优读电压的第一电压值是指每个第一最优读电压的第一电压值。

第一概率分布和第二概率分布为基于先验知识确定得到的，第一概率分布和第二概率分布也可以分别称为第一最优读电压和第二最优读电压的先验分布。由于第一概率分布和第二概率分布的区别仅在于所对应的最优读电压不同，因此为描述方便，下文仅对如何确定第一概率分布进行说明，关于第二概率分布可以参见第一概率分布的相关说明，在此不再赘述：

第一概率分布用于表示存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的电压值为不同取值时的概率。第二概率分布用于表示存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的电压值为不同取值时的概率。该概率可以是用户根据经验设置的，也可以是通过统计得到的。

示例性的，在一种可能的实施例中，用户根据经验认为不同的第一最优读电压的电压值在电压-概率空间中应当符合参数为特定参数的正态分布，则可以根据特定参数的正态分布确定出不同的第一最优读电压的电压值的概率，从而得到如图2b中曲线所示的第一概率分布，图2b中曲线上的每个点的横坐标表示电压取值，纵坐标表示该电压取值为第一电压值的概率。在另一种可能的实施例中，也可以统计历史时间段内存储块处于目标状态时第一最优读电压的电压值，根据各电压值的出现频次，确定不同的第一最优读电压的电压值的概率，从而得到第一概率分布，或称为第一先验分布。

第一电压值通过搜索得到可以是指第一电压值是通过遍历搜索的方式确定得到，也可以是指通过遍历搜索以外的其他能够搜索谷值的搜索方式确定得到第一电压值，本实施例对此不做任何限制。电压值搜索过程中所使用的搜索算法可以根据实际需求而定。

S201的执行时机根据应用场景的不同可以不同，由于随着时间的推移最优读电压可能发生变化，因此在一种可能的实施例中，可以每间隔预设时长执行S201，在另一种可能的实施例中，也可以在监测到存在读错误的存储块的情况下针对存在读错误的存储块执行S201，选用该实施例，能够在存储块发生读错误时及时重新确定最优读电压，以解决存储块的读错误。

在S202中，预测方式根据应用场景的不同可以不同，包括但不限于使用基于深度学习训练得到的深度神经网络实现预测，使用基于传统机器学习训练得到的算法模型实现预测，或者使用基于用户的专业知识设计的函数、函数组实现预测。

在一种可能的实施例中，前述S202通过以下方式实现：

获取预先确定的电压预测映射关系，并依据电压预测映射关系，将目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布作为已知量，预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。

其中，电压预测映射关系用于表示读电压预测过程中已知量和预测量之间的对应关系。电压预测映射关系可以存储于本发明实施例提供的最优读电压确定方法的执行主体本地中，例如在通过个人电脑确定设置于个人电脑的固态硬盘内存储块的最优读电压的应用场景中，电压预测映射关系存储于个人电脑的固态硬盘中，电压预测映射关系也可以存储于与执行主体存在通信连接的其他设备。

在一种可能的实施例中，电压预测映射关系存储于存储设备的预设存储区域中，当需要获取电压预测映射关系，通过预先确定的电压预测映射关系的存储路径，从预设存储区域获取电压预测映射关系。关于预设存储区域在存储设备中的具体位置，本申请实施例不作限定。

电压预测映射关系可以通过一个或多个模型的形式表征，这些模型可以是基于深度学习训练得到的神经网络模型，也可以是基于传统机器学习训练得到的算法模型，还可以是用户根据专业知识和/或经验设计的模型，如通过向量回归、最小二乘法回归等算法设计的模型。为描述方便，本文中将这些模型称为电压预测模型。电压预测模型具有基于已知的最优读电压预测其他未知的最优读电压的功能，其中，已知的最优读电压可以包括通过搜索得到的最优读电压以及在前预测得到的最优读电压。

下面以电压预测模型是训练得到的情况为例进行说明，在该示例中，电压预测模型基于预先标定的已知量和预测量进行训练得到的。

预先标定的已知量包括用于表示存储块的第一样本读写状态的状态参数、存储块处于第一样本读写状态时第一最优读电压的取值对应的概率分布、第一样本读写状态下搜索得到的第一最优读电压的电压值、以及存储块处于第一样本读写状态时第二最优读电压的取值对应的概率分布，预先标定的预测量包括存储块处于第一样本读写状态时第二最优读电压的电压值。

在训练电压预测模型时，可以将已知量输入至第一原始模型，得到第一原始模型输出的电压值，根据第一原始模型输出的电压值与标定的预测量之间的差异，调整原始模型的模型参数，直至达到预设收敛条件，如调整次数达到预设次数阈值、收敛性达到预设收敛性阈值等，将经过调整的原始模型作为电压预测模型。

示例性的，在一种可能的实施例中，根据第一原始模型输出的电压值与标定的预测量之间的差异，构建目标函数，向着使得目标函数下降的方向调整第一原始模型的模型参数，直至目标函数最小化，将经过调整的第一原始模型作为电压预测模型。

在一种可能的实施例中，第二最优读电压可以为任意尚未确定的最优读电压，在另一种可能的实施例中，第二最优读电压与第一最优读电压所属逻辑页相同。选用该实施例，由于属于相同逻辑页的最优读电压的变化规律更为接近，因此使用第一最优读电压预测属于相同逻辑页的第二最优读电压能够使得预测得到的第二电压值更为准确。

即在一种实施方式中，获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和第一最优读电压的第一电压值、以及存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布，包括：获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块中的目标逻辑页在目标读写状态下第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和第一最优读电压的第一电压值、以及目标逻辑页在目标读写状态下第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值，包括：根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布，预测存储块中的目标逻辑页处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。目标逻辑页可以是指存储块中的任意逻辑页。

示例性的，以确定以QLC型的存储单元组成的存储块中MP的各个最优读电压为例，其中，若第一最优读电压为最优读电压3和最优读电压7，第二最优读电压为最优读电压9。则在该示例中，由于在经过搜索后尚未确定的最优读电压包括最优读电压9、和最优读电压13，因此第二最优读电压为部分尚未确定的最优读电压。

再以前述确定以QLC型的存储单元组成的存储块中LP的各个最优读电压为例，其中，若第一最优读电压为最优读电压2和最优读电压8，第二最优读电压为最优读电压14。则在该示例中，由于在经过搜索后尚未确定的最优读电压仅包括最优读电压14，因此第二最优读电压为所有尚未确定的最优读电压。

若第二最优读电压为所有尚未确定的最优读电压，则在执行S102后，所有最优读电压的电压值已确定，此时可以根据确定的最优读电压进行读操作。若第二最优读电压为部分尚未确定的最优读电压，则在执行S102后，尚有部分最优读电压的电压值未确定，对于这些尚未确定的最优读电压，在一种可能的实施例中，可以通过搜索的方式确定这些尚未确定的最优读电压的电压值，优选地，可以继续采用搜索的方式确定最优读电压的电压值。

在另一种可能的实施例中，为确定这些尚未确定的最优读电压的电压值，在前述图2a所示的实施例的基础上，还可以包括：

S203，获取存储块处于目标读写状态时第三最优读电压的取值对应的第三概率分布。

其中，第三最优读电压为在执行前述S202后尚未确定的最优读电压。示例性的，仍以前述确定前述QLC型的存储单元中MP的各个最优读电压为例，由于在预测得到第二最优读电压的电压值后，最优读电压13的电压值尚未确定，因此第三最优读电压为最优读电压13。

再以TLC(Triple-Level Cell，三层存储单元)型的存储单元组成的存储块为例，以TLC型的存储单元组成的存储块中存在三种类型的逻辑页，分别为LSB、CSB以及MSB，其中，LSB存在两个最优读电压，分别记为最优读电压A和最优读电压E，CSB存在三个最优读电压，分别记为最优读电压B、最优读电压D、最优读电压F，MSB存在两个最优读电压，分别记为最优读电压C和最优读电压G，共计七个最优读电压，以CSB为例，通过遍历搜索的方式确定最优读电压B的电压值，以最优读电压B为第一最优读电压，最优读电压D为第二最优读电压，按照本发明实施例提供的最优读电压确定方法预测得到最优读电压D的电压值，再以最优读电压F为第三最优读电压，按照前述S203的步骤，预测得到最优读电压F的电压值，则可以确定得到CSB所有最优读电压的电压值。

S204，根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值、第二概率分布、第二电压值以及第三概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

预测第三电压值的方式与前述预测第二电压值的方式可以相同也可以不同，示例性的，在一种可能的实施例中，通过基于深度学习训练得到的神经网络模型实现第二电压值的预测，而通过基于用户经验设计的算法模型实现第三电压值的预测。

预测第三电压值时所使用的电压预测映射关系(下文称第二电压预测映射关系)与预测第二电压值时所使用的电压预测映射关系(下文称第一电压预测映射关系)的原理相同，表示形式存在差异。第二电压预测映射关系的已知量为目标状态参数、第一概率分布、第一电压值、第二概率分布、第二电压值以及第三概率分布，预测量为第三电压值。

为描述方便，假设第二电压预测映射关系是以电压预测模型的形式表征的，为与前述电压预测模型区别，下文中用于表征第一电压预测映射关系的电压预测模型记为第一电压预测模型，并将用于表征第二电压预测映射关系的电压预测模型记为第二电压预测模型。

第二电压预测模型是基于预先标定的已知量和预测量进行训练得到的，并且预先标定的已知量包括用于表示存储块的第二样本读写状态的状态参数、存储块处于第二样本读写状态时第一最优读电压的取值对应的概率分布、第二样本读写状态下搜索得到第一最优读电压的电压值、存储块处于第二样本读写状态时第二最优读电压的取值对应的概率分布、第二样本读写状态下搜索得到的第二最优读电压的电压值、以及存储块处于第二样本读写状态时第三最优读电压的取值对应的概率分布，预测量包括存储块处于第二样本读写状态时第二最优读电压的电压值。

其中，第二样本读写状态与前述第一样本读写状态可以是相同的读写状态，也可以是不同的读写状态。在训练第二电压预测模型时，可以将已知量输入至第二原始模型，得到第二原始模型输出的电压值，根据第二原始模型输出的电压值与标定的预测量之间的差异，调整原始模型的模型参数，直至达到预设收敛条件，如调整次数达到预设次数阈值、收敛性达到预设收敛性阈值等，将经过调整的第二原始模型作为第二电压预测模型。

选用该实施例，可以借助已经预测出的第二电压值，对剩余尚未确定的第三最优读电压的电压值进行预测，由于额外参考了第二电压值，因此预测得到的第三最优读电压的准确性更高，即选用该实施例能够进一步提高确定得到的最优读电压的电压值的准确性。

第三最优读电压可以为在执行前述S202后尚未确定的所有最优读电压，也可以为在执行前述S202后尚未确定的部分最优读电压。并且第三最优读电压与第一最优读电压、第二最优读电压可以属于同一逻辑页，也可以属于不同逻辑页。

即在一种可能的实施例中，可以使用一个逻辑页的已知的最优读电压预测另一个逻辑页的尚未确定的最优读电压的电压值，选用该实施例，可以减少需要通过搜索确定的最优读电压的数量，从而进一步降低确定最优读电压所需进行的读操作，提高确定最优读电压的效率。在另一种可能的实施例中，使用一个逻辑页的已知的最优读电压预测同一个逻辑页的尚未确定的最优读电压的电压值，由于属于同一逻辑页的最优读电压的变化规律更接近，因此预测得到的最优读电压的电压值更为准确，即选用该实施例能够进一步提高预测得到的最优读电压的准确性。

下文中为描述方便，仅以第一最优读电压、第二最优读电压以及第三最优读电压属于同一逻辑页为例进行说明，对于第一最优读电压、第二最优读电压以及第三最优读电压属于不同逻辑页，原理是相同的，因此在此不再赘述。

若第三最优读电压为在执行前述S202后尚未确定的部分最优读电压，则在执行S204后，尚有部分最优读电压的电压值未确定，对于这些尚未确定的最优读电压，可以根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值、第二概率分布、第二电压值、第三概率分布、第三电压值以及第四最优读电压取值对应的第四概率分布，预测第四最优读电压的第四电压值。

同理，第四最优读电压可以为这些尚未确定的最优读电压中的所有最优读电压，也可以为这些尚未确定的最优读电压中的部分电压。对于第四最优读电压为这些尚未确定的最优读电压中的部分电压的情况，则在确定第四最优读电压的第四电压值后尚有部分最优读电压的电压值未确定，关于如何继续确定所有最优读电压的电压值，可以依次类推，在此不赘述。

可以理解的是，若预测得到的第二电压值准确，则第二电压值能够反映出第二最优读电压的变化规律，从而作为预测第三电压值时的参考依据，以提高预测得到的第三电压值的准确性。反之，若预测得到的第二电压值不够准确，则将导致依据第二电压值预测得到的第三电压值的准确性也相对较低。

基于此，在一种可能的实施例中，如图3所示，在前述S204之前还包括：

S205，基于第一电压值和第二电压值对存储块执行读操作，如果读操作成功，则执行S204，如果读操作执行异常，则执行S206。

可以理解的是，由于第一电压值是通过搜索得到的，可以认为第一电压值是足够准确的，因此若预测得到的第二电压值为第二最优读电压的真实电压值即预测得到的第二电压值足够准确，则读操作将成功执行，反之，若预测得到的第二电压值不够准确，则读操作将执行异常。

因此，若读操作成功，则认为第二电压值为第二最优读电压的真实电压值。因此可以根据第二电压值继续预测第三电压值。

S206，在存储块的阈值电压分布中搜索得到第二最优读电压对应的电压值。

如前述说明，此时认为通过预测得到的第二电压值不够准确，若第二电压值不够准确，则可以认为根据第二电压值无法准确预测第三电压值，因此需要通过搜索重新确定第二最优读电压的取值。

S207，根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值、第二概率分布、第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及第三概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

选用该实施例，可以通过读操作对预测得到的电压值进行验证，以在预测得到的电压值不准确的情况下，通过搜索的方式重新确定准确的电压值，从而进一步提高预测得到的电压值的准确性。

可以理解的是图3仅是本发明实施例提供的最优读电压确定方法的一种流程示意图，在其他可能的实施例中，S205也可以是在S203之前执行的。

除上述的方法执行顺序的示例说明外，在本申请实施例中，基于第一电压值和第二电压值对存储块执行读操作和预测存储块处于目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值，也可以是并行执行。

可选地，在另一可能的实施例中，本申请实施例提供的方法还可以包括：

基于第一电压值、第二电压值和第三电压值对存储块执行读操作；

如果读操作执行异常，则在存储块的阈值电压分布中搜索得到第二最优读电压对应的电压值；

根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值、第二概率分布、第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及第三概率分布，重新预测存储块处于目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

如前述分析，第三电压值的预测准确性依赖第二电压值的准确性，即可以在完成读电压预测之后，根据读操作的执行情况，进行回溯确定第二最优读电压的电压值是否预测准确，进而保证预测得到第三电压值的可行性和准确性。

为了更清楚的对本发明实施例提供的最优读电压预测方法进行说明，下面将结合具体的示例进行示例性说明，该示例中存在四个最优读电压，分别记为最优读电压A-D，其中，最优读电压A、最优读电压B为前述第一最优读电压，最优读电压A、最优读电压B电压值已经通过搜索得到。最优读电压C为前述第二最优读电压，最优读电压D为前述第三最优读电压，参见图4，包括：

S401，获取存储块的目标读写状态的目标状态参数。

S402，获取最优读电压A-D的取值对应的概率分布。

即获取第一概率分布、第二概率分布以及第三概率分布。

S403，根据最优读电压A、B的电压值、最优读电压A的取值对应的概率分布、最优读电压B的取值对应的概率分布以及最优读电压C的取值对应的概率分布，预测最优读电压C的电压值。

即执行前述S202。

S404，根据最优读电压A、B、C的电压值、最优读电压A的取值对应的概率分布、最优读电压B的取值对应的概率分布、最优读电压C的取值对应的概率分布以及最优读电压D的取值对应的概率分布预测最优读电压D的电压值。

即执行前述S204。

S405，根据确定得到的最优读电压A-D的电压值对存储块执行读操作，若读操作成功，则完成最优读电压值的确定，若读操作执行异常，则执行S406。

可以理解的是，若预测得到的最优读电压C、D的电压值足够准确，则读操作将正常执行，反之，若预测得到的最优读电压C、D的电压值不够准确，则读操作将执行异常。

S406，通过搜索重新确定最优读电压C的电压值。并根据最优读电压A、B的电压值、通过搜索确定的最优读电压C的电压值、最优读电压A的取值对应的概率分布、最优读电压B的取值对应的概率分布、最优读电压C的取值对应的概率分布以及最优读电压D的取值对应的概率分布，重新预测最优读电压D的电压值。

如前述说明，读操作执行异常，此时认为最优读电压C、D的中至少之一的电压值不够准确，若最优读电压C的电压值不够准确，则可以认为在该场景下无法准确预测最优读电压C的电压值，而最优读电压D的电压值是基于最优读电压C的电压值预测得到的，因此若预测得到的最优读电压D的电压值不够准确，则可能是因为在该场景下无法准确预测最优读电压D的电压值造成的，也可能是因为预测最优读电压D的电压值时所基于的最优读电压C的电压值不够准确造成的。因此通过搜索的方式重新确定最优读电压C的电压值，保证预测得到最优读电压D的电压值的可行性和准确性。

S407，根据最新确定得到的最优读电压A-D的电压值对存储块执行读操作，若读操作成功，则完成最优读电压值的确定，若读操作执行异常，则执行S408。

可以理解的是，若新预测得到的最优读电压D的电压值足够准确，则第读操作将正常执行，反之，若新预测得到的最优读电压D的电压值不够准确，则读操作将执行异常。

S408，通过搜索重新确定最优读电压D的电压值。

如前述说明，此时认为最优读电压D的电压值不够准确，即无法准确预测最优读电压D的电压值，因此通过搜索的方式重新确定最优读电压D的电压值。

在通过搜索确定新的最优读电压D的电压值后，完成最优读电压的确定。

下面将结合具体的应用场景对本发明实施例提供最优读电压确定方法的应用进行说明，该应用场景中目标读写状态为当前读写状态，参见图5，图5所示为本发明实施例提供的最优读电压确定方法的又一种流程示意图，包括：

S501，监测到存储块发生读错误。

S502，通过搜索确定第一最优读电压的电压值。

S503，根据存储块的索引，读取用于表示存储块当前读写状态的目标状态参数。

S504，通过预先确定的电压预测映射关系的存储路径，从预设存储区获取电压预测映射关系。

S505，使用电压预测映射关系，预测尚未确定的最优读电压。

关于如何使用电压预测映射关系预测尚未确定的最优读电压，可以参见前述S202、S204的相关说明，在此不再赘述。

选用该实施例，可以基于本发明实施例提供的最优读电压确定方法，在监测到存储块发生读错误的情况下重新确定存储块的各个最优读电压，由于本发明实施例提供的最优读电压确定方法效率较高，因此能够更快速地重新确定存储块的各个最优读电压，从而提高纠正读错误的效率。

对应于前述任一所述的最优读电压确定方法，本发明实施例还提供了一种最优读电压确定装置，如图6所示，所述装置包括：

获取模块601，用于获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到；

预测模块602，用于根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

在一种可能的实施例中，所述预测模602块具体用于：

获取预先确定的电压预测映射关系，其中，所述电压预测映射关系用于表示读电压预测过程中已知量和预测量之间的对应关系；

依据所述电压预测映射关系，将所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布作为已知量，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

在一种可能的实施例中，所述电压预测映射关系利用电压预测模型进行表征；

所述电压预测模型基于预先标定的已知量和预测量进行训练得到；

所述预先标定的已知量包括用于表示所述存储块的第一样本读写状态的状态参数、所述存储块处于所述第一样本读写状态时第一最优读电压的取值对应的概率分布、所述第一样本读写状态下搜索得到的该第一最优读电压的电压值、以及所述存储块处于所述第一样本读写状态时第二最优读电压的取值对应的概率分布，所述预先标定的预测量包括所述存储块处于所述第一样本读写状态时所述第二最优读电压的电压值。

在一种可能的实施例中，所述获取模块601还用于，获取所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的取值对应的第三概率分布；

所述预测模块，还用于根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二电压值以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

在一种可能的实施例中，所述预测模块602还用于：

基于所述第一电压值和所述第二电压值对所述存储块执行读操作；

如果所述读操作执行成功，则根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二电压值以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值；

或者

如果所述读操作执行异常，则在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到所述第二最优读电压对应的电压值；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

在一种可能的实施例中，所述预测模块602还用于：

基于所述第一电压值、所述第二电压值和所述第三电压值对所述存储块执行读操作；

如果所述读操作执行异常，则在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到所述第二最优读电压对应的电压值；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

在一种可能的实施例中，所述存储块包括多种类型的逻辑页，每种类型的逻辑页存在多个最优读电压，且不同类型的逻辑页的最优读电压不同；

所述获取模块601具体用于：

获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块中的目标逻辑页在所述目标读写状态下第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述目标逻辑页在所述目标读写状态下第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；

所述预测模块602具体用于：

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块中的目标逻辑页处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

在一种可能的实施例中，所述获取模块601具体用于：

在监测到存在读错误的存储块的情况下，获取用于表示所述存储块的目标读写状态的目标状态参数。

在一种可能的实施例中，所述预测模块602用于：

通过所述预先确定的电压预测映射关系的存储路径，从预设存储区域获取所述电压预测映射关系。

在一种可能的实施例中，所述目标状态参数包括以下状态参数中的一种或多种：

用于表示写入擦除循环的状态参数、用于表示读干扰的状态参数、用于表示写干扰的状态参数、用于表示数据保质期的状态参数。

上述装置实施例与上述方法实施例属于相同的发明构思，可以实现相同的技术效果，装置实施例中未详细描述的内容可以参考方法实施例中的描述。

本发明实施例还提供了一种电子设备，如图7所示，包括：

存储器701，用于存放计算机程序；

处理器702，用于执行存储器701上所存放的程序时，实现如下步骤：

获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

除存储器701以及处理器702之外，电子设备还可以包括总线、通信接口，其中，所述总线用于连接存储器701、处理器702以及通信接口，通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。

上述电子设备提到的通信总线可以是外设部件互连标准(Peripheral ComponentInterconnect，PCI)总线或扩展工业标准结构(Extended Industry StandardArchitecture，EISA)总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。

存储器可以包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，也可以包括非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。

上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(Network Processor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一存储介质的最优读电压方法的步骤。

在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述实施例中任一最优读电压方法。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如固态硬盘Solid State Disk(SSD))等。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品的实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (14)

1.一种最优读电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：

获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值，包括：

获取预先确定的电压预测映射关系，其中，所述电压预测映射关系用于表示读电压预测过程中已知量和预测量之间的对应关系；

依据所述电压预测映射关系，将所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布作为已知量，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电压预测映射关系利用电压预测模型进行表征；

所述电压预测模型基于预先标定的已知量和预测量进行训练得到；

所述预先标定的已知量包括用于表示所述存储块的第一样本读写状态的状态参数、所述存储块处于所述第一样本读写状态时第一最优读电压的取值对应的概率分布、所述第一样本读写状态下搜索得到的该第一最优读电压的电压值、以及所述存储块处于所述第一样本读写状态时第二最优读电压的取值对应的概率分布，所述预先标定的预测量包括所述存储块处于所述第一样本读写状态时所述第二最优读电压的电压值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的取值对应的第三概率分布；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二电压值以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述第一电压值和所述第二电压值对所述存储块执行读操作；

如果所述读操作执行成功，则根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二电压值以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值；

或者

如果所述读操作执行异常，则在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到所述第二最优读电压对应的电压值；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述第一电压值、所述第二电压值和所述第三电压值对所述存储块执行读操作；

如果所述读操作执行异常，则在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到所述第二最优读电压对应的电压值；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储块包括多种类型的逻辑页，每种类型的逻辑页存在多个最优读电压，且不同类型的逻辑页的最优读电压不同；

所述获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布，包括：

获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块中的目标逻辑页在所述目标读写状态下第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述目标逻辑页在所述目标读写状态下第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值，包括：

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块中的目标逻辑页处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数，包括：

在监测到存在读错误的存储块的情况下，获取用于表示所述存储块的目标读写状态的目标状态参数。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取预先确定的电压预测映射关系，包括：

通过所述预先确定的电压预测映射关系的存储路径，从预设存储区域获取所述电压预测映射关系。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标状态参数包括以下状态参数中的一种或多种：

用于表示写入擦除循环的状态参数、用于表示读干扰的状态参数、用于表示写干扰的状态参数、用于表示数据保质期的状态参数。

11.一种最优读电压确定装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到；

预测模块，用于根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，

所述预测模块具体用于：

获取预先确定的电压预测映射关系，其中，所述电压预测映射关系用于表示读电压预测过程中已知量和预测量之间的对应关系；

依据所述电压预测映射关系，将所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布作为已知量，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值；

所述电压预测映射关系利用电压预测模型进行表征；

所述电压预测模型基于预先标定的已知量和预测量进行训练得到；

所述预先标定的已知量包括用于表示所述存储块的第一样本读写状态的状态参数、所述存储块处于所述第一样本读写状态时第一最优读电压的取值对应的概率分布、所述第一样本读写状态下搜索得到的该第一最优读电压的电压值、以及所述存储块处于所述第一样本读写状态时第二最优读电压的取值对应的概率分布，所述预先标定的预测量包括所述存储块处于所述第一样本读写状态时所述第二最优读电压的电压值；

所述获取模块还用于：获取所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的取值对应的第三概率分布；

所述预测模块还用于：根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二电压值以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值；

所述预测模块还用于：基于所述第一电压值和所述第二电压值对所述存储块执行读操作；

如果所述读操作执行成功，则根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二电压值以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值；

或者

如果所述读操作执行异常，则在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到所述第二最优读电压对应的电压值；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值；

所述预测模块还用于：

基于所述第一电压值、所述第二电压值和所述第三电压值对所述存储块执行读操作；

如果所述读操作执行异常，则在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到所述第二最优读电压对应的电压值；

根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值、所述第二概率分布、所述第二最优读电压对应的通过搜索得到的电压值、以及所述第三概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时第三最优读电压的第三电压值；

所述存储块包括多种类型的逻辑页，每种类型的逻辑页存在多个最优读电压，且不同类型的逻辑页的最优读电压不同；

所述获取模块具体用于：获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块中的目标逻辑页在所述目标读写状态下第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述目标逻辑页在所述目标读写状态下第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；

所述预测模块用于：根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块中的目标逻辑页处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值；

所述获取模块具体用于：在监测到存在读错误的存储块的情况下，获取用于表示所述存储块的目标读写状态的目标状态参数；

所述预测模块用于：通过所述预先确定的电压预测映射关系的存储路径，从预设存储区域获取所述电压预测映射关系；

所述目标状态参数包括以下状态参数中的一种或多种：

用于表示写入擦除循环的状态参数、用于表示读干扰的状态参数、用于表示写干扰的状态参数、用于表示数据保质期的状态参数。

13.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现权利要求1-10任一所述的方法步骤。

14.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-10任一所述的方法步骤。

Images